JPH09250954A - 温度面分布表示素子 - Google Patents
温度面分布表示素子Info
- Publication number
- JPH09250954A JPH09250954A JP5725396A JP5725396A JPH09250954A JP H09250954 A JPH09250954 A JP H09250954A JP 5725396 A JP5725396 A JP 5725396A JP 5725396 A JP5725396 A JP 5725396A JP H09250954 A JPH09250954 A JP H09250954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- bond
- group
- linear
- injection layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】昇温時或いは降温時に関係なく、正確かつ簡便
に物体表面の温度分布を反映するとともに、指示させた
い境界温度を容易に自由に設定できる、実用的な耐熱性
を備えた温度面分布表示素子を提供することを主な目的
とする。 【解決手段】一対の電極間に少なくとも発光層と正孔注
入層を有する有機電界発光素子により構成され、測温対
象物表面に貼付して、発光輝度により温度を検知する温
度面分布表示素子において、有機電界発光素子の正孔注
入層が、一般式 （Ｒ2Ａ）n （１） で示される直鎖状ポリシラン、直鎖状ポリゲルマンおよ
び直鎖状シランゲルマンコポリマーならびに一般式 （Ｒ2Ａ）x（ＲＡ）yＡz （２） で示されるＳｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ−Ｇｅ結合或いは
Ｓｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマーからなる群から選
ばれたポリマーの１種を含む薄膜からなることを特徴と
する温度面分布表示素子。
に物体表面の温度分布を反映するとともに、指示させた
い境界温度を容易に自由に設定できる、実用的な耐熱性
を備えた温度面分布表示素子を提供することを主な目的
とする。 【解決手段】一対の電極間に少なくとも発光層と正孔注
入層を有する有機電界発光素子により構成され、測温対
象物表面に貼付して、発光輝度により温度を検知する温
度面分布表示素子において、有機電界発光素子の正孔注
入層が、一般式 （Ｒ2Ａ）n （１） で示される直鎖状ポリシラン、直鎖状ポリゲルマンおよ
び直鎖状シランゲルマンコポリマーならびに一般式 （Ｒ2Ａ）x（ＲＡ）yＡz （２） で示されるＳｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ−Ｇｅ結合或いは
Ｓｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマーからなる群から選
ばれたポリマーの１種を含む薄膜からなることを特徴と
する温度面分布表示素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物体表面の温度面
分布を簡便に検知するための温度面分布表示素子に関す
る。
分布を簡便に検知するための温度面分布表示素子に関す
る。
【０００２】
【従来技術とその課題】従来、物体表面の温度分布を簡
便に測定する方法としては、温度変化に起因する化学変
化や物理変化に基づいて変色する示温材料を測温対象物
表面に塗布或いは貼付する方法が一般的に用いられてい
る。
便に測定する方法としては、温度変化に起因する化学変
化や物理変化に基づいて変色する示温材料を測温対象物
表面に塗布或いは貼付する方法が一般的に用いられてい
る。
【０００３】示温材料には、一度昇温し、変色させた
後、冷却すると復色する可逆性のものと、冷却後も変色
時の色を保つ不可逆性のものとがあり、特に現在の温度
を監視する目的に対しては、可逆性示温材料が使用され
ている。
後、冷却すると復色する可逆性のものと、冷却後も変色
時の色を保つ不可逆性のものとがあり、特に現在の温度
を監視する目的に対しては、可逆性示温材料が使用され
ている。
【０００４】しかしながら、可逆性示温材には、一般
に、昇温時に変色する温度に比べて降温時に復色する際
の温度が低いという“温度ヒステリシス現象”を示す。
このため、測温対象物表面の温度が実際には所定の温度
よりも低くなっているにもかかわらず、そのことを検知
できない場合があるという問題がある。
に、昇温時に変色する温度に比べて降温時に復色する際
の温度が低いという“温度ヒステリシス現象”を示す。
このため、測温対象物表面の温度が実際には所定の温度
よりも低くなっているにもかかわらず、そのことを検知
できない場合があるという問題がある。
【０００５】また、これらの示温材料では、変色の起こ
る温度はその材料に固有の値であり、この温度を変える
ことはできない。そのため、検知したい境界温度を状況
によって変えたい場合には、あらかじめ変色温度の異な
る数種類の示温材料を組み合わせて使用するか、或いは
示温材料を状況に応じて張り替える乃至塗装し直す必要
がある。しかるに、前者の場合には検知したい境界温度
の測定個所が増すと、それに対応した種類の示温材料が
必要となるが、実用的な可逆性示温材料の種類は限られ
ている。しかも、測温対象面を各示温材料毎に分割しな
くてはならないため、温度の面分布を知ることが困難と
なる。また、後者の場合には張り替え或いは塗り直し作
業が極めて煩雑であり、実際には実施不可能である場合
も多いという問題がある。
る温度はその材料に固有の値であり、この温度を変える
ことはできない。そのため、検知したい境界温度を状況
によって変えたい場合には、あらかじめ変色温度の異な
る数種類の示温材料を組み合わせて使用するか、或いは
示温材料を状況に応じて張り替える乃至塗装し直す必要
がある。しかるに、前者の場合には検知したい境界温度
の測定個所が増すと、それに対応した種類の示温材料が
必要となるが、実用的な可逆性示温材料の種類は限られ
ている。しかも、測温対象面を各示温材料毎に分割しな
くてはならないため、温度の面分布を知ることが困難と
なる。また、後者の場合には張り替え或いは塗り直し作
業が極めて煩雑であり、実際には実施不可能である場合
も多いという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、昇
温時或いは降温時に関係なく、正確かつ簡便に物体表面
の温度分布を反映するとともに、指示させたい境界温度
を容易に自由に設定できる、実用的な耐熱性を備えた温
度面分布表示素子を提供することを主な目的とする。
温時或いは降温時に関係なく、正確かつ簡便に物体表面
の温度分布を反映するとともに、指示させたい境界温度
を容易に自由に設定できる、実用的な耐熱性を備えた温
度面分布表示素子を提供することを主な目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の如き
従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、Ｓｉ−
Ｓｉ結合或いはＧｅ−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を
骨格とするポリマーを正孔注入層とする有機電界発光素
子を測温対象物表面に貼付すると、対象物表面の高温部
において発光が観測され、低温部で発光しないという温
度分布に対応した輝度分布が観測され、しかも長年の実
用に耐え得る温度面分布表示素子として使用できること
を見いだした。
従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、Ｓｉ−
Ｓｉ結合或いはＧｅ−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を
骨格とするポリマーを正孔注入層とする有機電界発光素
子を測温対象物表面に貼付すると、対象物表面の高温部
において発光が観測され、低温部で発光しないという温
度分布に対応した輝度分布が観測され、しかも長年の実
用に耐え得る温度面分布表示素子として使用できること
を見いだした。
【０００８】すなわち、本発明は、下記の温度面分布表
示素子を提供するものである。
示素子を提供するものである。
【０００９】１．一対の電極間に少なくとも発光層と正
孔注入層を有する有機電界発光素子により構成され、測
温対象物表面に貼付して、発光輝度により温度を検知す
る温度面分布表示素子において、有機電界発光素子の正
孔注入層が、一般式 （Ｒ2Ａ）n （１） （式中、２つのＲは、同一或いは相異なって、水素原
子、炭素数１〜１４のアルキル基、アリ−ル基、アルコ
キシ基、アミノ基またはシリル基を表す。ｎは、１０〜
１００００程度である。Ａは、ＳｉまたはＧｅを示す。
ＡはＳｉ単独により構成されていても良く、或いはＧｅ
単独により構成されていても良く、或いは任意の割合の
ＳｉとＧｅとにより構成されていても良い。）で示され
る直鎖状ポリシラン、直鎖状ポリゲルマンおよび直鎖状
シランゲルマンコポリマーならびに一般式 （Ｒ2Ａ）x（ＲＡ）yＡz （２） （式中、Ｒは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキル
基、アリ−ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル
基を表す。Ｒは、全てが同一でも或いは２つ以上が異な
っていても良い。ｘ、ｙおよびｚは、１以上の整数であ
って、それらの和は、１０〜１００００程度である。Ａ
はＳｉまたはＧｅを示す。ＡはすべてＳｉにより構成さ
れていても良く、或いはすべてＧｅにより構成されてい
ても良く、或いは任意の割合のＳｉとＧｅから構成され
ていても良い。）で示されるＳｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ
−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマー
からなる群から選ばれたポリマーの１種を含む薄膜から
なることを特徴とする温度面分布表示素子。
孔注入層を有する有機電界発光素子により構成され、測
温対象物表面に貼付して、発光輝度により温度を検知す
る温度面分布表示素子において、有機電界発光素子の正
孔注入層が、一般式 （Ｒ2Ａ）n （１） （式中、２つのＲは、同一或いは相異なって、水素原
子、炭素数１〜１４のアルキル基、アリ−ル基、アルコ
キシ基、アミノ基またはシリル基を表す。ｎは、１０〜
１００００程度である。Ａは、ＳｉまたはＧｅを示す。
ＡはＳｉ単独により構成されていても良く、或いはＧｅ
単独により構成されていても良く、或いは任意の割合の
ＳｉとＧｅとにより構成されていても良い。）で示され
る直鎖状ポリシラン、直鎖状ポリゲルマンおよび直鎖状
シランゲルマンコポリマーならびに一般式 （Ｒ2Ａ）x（ＲＡ）yＡz （２） （式中、Ｒは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキル
基、アリ−ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル
基を表す。Ｒは、全てが同一でも或いは２つ以上が異な
っていても良い。ｘ、ｙおよびｚは、１以上の整数であ
って、それらの和は、１０〜１００００程度である。Ａ
はＳｉまたはＧｅを示す。ＡはすべてＳｉにより構成さ
れていても良く、或いはすべてＧｅにより構成されてい
ても良く、或いは任意の割合のＳｉとＧｅから構成され
ていても良い。）で示されるＳｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ
−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマー
からなる群から選ばれたポリマーの１種を含む薄膜から
なることを特徴とする温度面分布表示素子。
【００１０】
【発明の実施の態様】本発明による温度面分布表示素子
は、一対の電極間に少なくとも発光層と正孔注入層を有
する有機電界発光素子として構成される。本発明による
温度面分布表示素子は、測温対象物表面に貼付して使用
され、当該表面温度に対応する発光輝度により表面温度
を表示することができる。
は、一対の電極間に少なくとも発光層と正孔注入層を有
する有機電界発光素子として構成される。本発明による
温度面分布表示素子は、測温対象物表面に貼付して使用
され、当該表面温度に対応する発光輝度により表面温度
を表示することができる。
【００１１】本発明の温度表面分布表示素子としての有
機電界発光素子の正孔注入層は、一般式 （Ｒ2Ａ）n （１） （式中、２つのＲは、同一或いは相異なって、水素原
子、炭素数１〜１４のアルキル基、アリ−ル基、アルコ
キシ基、アミノ基またはシリル基を表す。ｎは、１０〜
１００００程度である。Ａは、ＳｉまたはＧｅを示す。
ＡはＳｉ単独により構成されていても良く、或いはＧｅ
単独により構成されていても良く、或いは任意の割合の
ＳｉとＧｅとにより構成されていても良い。）で示され
る直鎖状ポリシラン、直鎖状ポリゲルマンおよび直鎖状
シランゲルマンコポリマーならびに一般式 （Ｒ2Ａ）x（ＲＡ）yＡz （２） （式中、Ｒは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキル
基、アリ−ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル
基を表す。Ｒは、全てが同一でも或いは２つ以上が異な
っていても良い。ｘ、ｙおよびｚは、１以上の整数であ
って、それらの和は、１０〜１００００程度である。Ａ
はＳｉまたはＧｅを示す。ＡはすべてＳｉにより構成さ
れていても良く、或いはすべてＧｅにより構成されてい
ても良く、或いは任意の割合のＳｉとＧｅから構成され
ていても良い。）で示されるＳｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ
−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマー
からなる群から選ばれたポリマーの１種を含む薄膜とし
て形成される。
機電界発光素子の正孔注入層は、一般式 （Ｒ2Ａ）n （１） （式中、２つのＲは、同一或いは相異なって、水素原
子、炭素数１〜１４のアルキル基、アリ−ル基、アルコ
キシ基、アミノ基またはシリル基を表す。ｎは、１０〜
１００００程度である。Ａは、ＳｉまたはＧｅを示す。
ＡはＳｉ単独により構成されていても良く、或いはＧｅ
単独により構成されていても良く、或いは任意の割合の
ＳｉとＧｅとにより構成されていても良い。）で示され
る直鎖状ポリシラン、直鎖状ポリゲルマンおよび直鎖状
シランゲルマンコポリマーならびに一般式 （Ｒ2Ａ）x（ＲＡ）yＡz （２） （式中、Ｒは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキル
基、アリ−ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル
基を表す。Ｒは、全てが同一でも或いは２つ以上が異な
っていても良い。ｘ、ｙおよびｚは、１以上の整数であ
って、それらの和は、１０〜１００００程度である。Ａ
はＳｉまたはＧｅを示す。ＡはすべてＳｉにより構成さ
れていても良く、或いはすべてＧｅにより構成されてい
ても良く、或いは任意の割合のＳｉとＧｅから構成され
ていても良い。）で示されるＳｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ
−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマー
からなる群から選ばれたポリマーの１種を含む薄膜とし
て形成される。
【００１２】これらのポリマーは、それぞれの構造単位
を有するモノマーを原料として以下の方法によリ製造す
ることが出来る。
を有するモノマーを原料として以下の方法によリ製造す
ることが出来る。
【００１３】（イ）アルカリ金属の存在下でハロシラン
類および／またはハロゲルマン類を脱ハロゲン縮重合さ
せる方法（「キッピング法」J.Am.Chem.Soc.,110,124(1
988)、Macromolecules,23,3423(1990)） （ロ）電極還元によりハロシラン類および／またはハロ
ゲルマン類を脱ハロゲン縮重合させる方法（J.Chem.So
c.,Chem.Commun.,1161(1990)、J.Chem.Soc.,Chem.Commu
n.,897(1992)） （ハ）金属触媒の存在下にヒドロシラン類を脱水素縮重
合させる方法（特開平4-334551号公報） （ニ）ビフェニルなどで架橋されたジシレンのアニオン
重合による方法（Macromolecules,23,4494(1990)） （ホ）環状シラン類の開環重合による方法 一般式（１）および（２）で示されるポリマーにおい
て、Ｒは、水素原子、メチル、ブチル、ヘキシルなどの
炭素数１〜６のアルキル基、フェニルなどのアリ−ル
基、メトキシなどのアルコキシ基などがより好ましい。
また、ｎおよびｘ＋ｙ＋ｚは、３０〜７０００程度であ
ることがより好ましい。
類および／またはハロゲルマン類を脱ハロゲン縮重合さ
せる方法（「キッピング法」J.Am.Chem.Soc.,110,124(1
988)、Macromolecules,23,3423(1990)） （ロ）電極還元によりハロシラン類および／またはハロ
ゲルマン類を脱ハロゲン縮重合させる方法（J.Chem.So
c.,Chem.Commun.,1161(1990)、J.Chem.Soc.,Chem.Commu
n.,897(1992)） （ハ）金属触媒の存在下にヒドロシラン類を脱水素縮重
合させる方法（特開平4-334551号公報） （ニ）ビフェニルなどで架橋されたジシレンのアニオン
重合による方法（Macromolecules,23,4494(1990)） （ホ）環状シラン類の開環重合による方法 一般式（１）および（２）で示されるポリマーにおい
て、Ｒは、水素原子、メチル、ブチル、ヘキシルなどの
炭素数１〜６のアルキル基、フェニルなどのアリ−ル
基、メトキシなどのアルコキシ基などがより好ましい。
また、ｎおよびｘ＋ｙ＋ｚは、３０〜７０００程度であ
ることがより好ましい。
【００１４】一般式（１）および（２）で示されるポリ
マーは、単独で使用しても良く或いは２種以上を併用し
ても良い。
マーは、単独で使用しても良く或いは２種以上を併用し
ても良い。
【００１５】正孔注入層は、一般式（１）および（２）
で示されるポリマーの他に、耐熱性を向上させるための
有機樹脂を含有していても良い。この様な有機樹脂とし
ては、一般式（１）および（２）で示されるポリマーと
混合し、成膜できるものであれば特に限定されず、例え
ば、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（メタ）ア
クリル酸メチル、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリ
スルホン、ウレタン樹脂、ノルボルネン樹脂、フルオレ
ン樹脂、シロキサン樹脂などが例示される。
で示されるポリマーの他に、耐熱性を向上させるための
有機樹脂を含有していても良い。この様な有機樹脂とし
ては、一般式（１）および（２）で示されるポリマーと
混合し、成膜できるものであれば特に限定されず、例え
ば、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（メタ）ア
クリル酸メチル、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリ
スルホン、ウレタン樹脂、ノルボルネン樹脂、フルオレ
ン樹脂、シロキサン樹脂などが例示される。
【００１６】さらに、正孔注入層は、一般式（１）およ
び（２）で示されるポリマーと有機樹脂の他に、トリフ
ェニルアミン誘導体などのアミン系化合物；チオフェン
オリゴマーなどの導電性高分子のオリゴマー；ポルフィ
リン、フタロシアニン環を有する化含物に電子受容性性
有機分子を添加した物質、アモルファスシリコンなどの
正孔輪送能を有する化合物を含有していても、良い。た
だし、上記化合物などのうち、低分子有機化合物および
オリゴマーは、耐熱性を損なう危険性があるので、その
含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
び（２）で示されるポリマーと有機樹脂の他に、トリフ
ェニルアミン誘導体などのアミン系化合物；チオフェン
オリゴマーなどの導電性高分子のオリゴマー；ポルフィ
リン、フタロシアニン環を有する化含物に電子受容性性
有機分子を添加した物質、アモルファスシリコンなどの
正孔輪送能を有する化合物を含有していても、良い。た
だし、上記化合物などのうち、低分子有機化合物および
オリゴマーは、耐熱性を損なう危険性があるので、その
含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００１７】一般式（１）および（２）で示されるポリ
マーを含む正孔注入層は、ポリマーおよびその他の添加
物を炭化水素系溶剤（例えば、トルエン、テトラヒドロ
フラン、クロロべンゼン、ジオキサン、シクロヘキサノ
ンなど）に溶解乃至分散させ、常法に従って、キヤスト
法、スピンコート法、バーコート法、ティップコート
法、スプレー法などにより薄膜を成膜することにより、
形成される。
マーを含む正孔注入層は、ポリマーおよびその他の添加
物を炭化水素系溶剤（例えば、トルエン、テトラヒドロ
フラン、クロロべンゼン、ジオキサン、シクロヘキサノ
ンなど）に溶解乃至分散させ、常法に従って、キヤスト
法、スピンコート法、バーコート法、ティップコート
法、スプレー法などにより薄膜を成膜することにより、
形成される。
【００１８】本発明による表面温度表示素子の基本的な
構成の概要を断面図として図１に示す。図示の様に、本
発明の素子においては、支持体１上に、陽極２が形成さ
れ、陽極２上に正孔注入層３として一般式（１）およぴ
（２）で示されるポリマーを合む薄膜が形成されてい
る。正孔注入層３上には、発光層４およぴ陰極５が順次
形成されており、さらに、必要に応じて、陰極５上に保
護層（図示しない）を設けることにより、本発明の表面
温度表示素子が構成されている。或いは、図示しない
が、発光層４と陰極５との間に電子注入層を設置した構
造であってもよい。
構成の概要を断面図として図１に示す。図示の様に、本
発明の素子においては、支持体１上に、陽極２が形成さ
れ、陽極２上に正孔注入層３として一般式（１）およぴ
（２）で示されるポリマーを合む薄膜が形成されてい
る。正孔注入層３上には、発光層４およぴ陰極５が順次
形成されており、さらに、必要に応じて、陰極５上に保
護層（図示しない）を設けることにより、本発明の表面
温度表示素子が構成されている。或いは、図示しない
が、発光層４と陰極５との間に電子注入層を設置した構
造であってもよい。
【００１９】使用に際しては、本表面温度表示素子の陰
極５または保護層の表面と測温対象物表面とを接着剤あ
るいは両面テープなどで貼り合わせたり、融着させた
り、または単に押し付けるなどして密着させる。
極５または保護層の表面と測温対象物表面とを接着剤あ
るいは両面テープなどで貼り合わせたり、融着させた
り、または単に押し付けるなどして密着させる。
【００２０】本発明による表面温度表示素子において用
いられる支持体、陽極、発光層、陰極、電子注入層など
は、一般に既存の発光素子において用いられていると同
様の公知の材料によリ構成することが出来る。この様な
材料としては、特に限定されるものではないが、例え
ば、以下の様なものが例示される。
いられる支持体、陽極、発光層、陰極、電子注入層など
は、一般に既存の発光素子において用いられていると同
様の公知の材料によリ構成することが出来る。この様な
材料としては、特に限定されるものではないが、例え
ば、以下の様なものが例示される。
【００２１】支持体としては、ガラス類、ＰＭＭＡなど
のプラスチツクなどの材料が使用できる。
のプラスチツクなどの材料が使用できる。
【００２２】陽極としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの金
属酸化物、Ｎｉ、Ａｕなどの金属およびこれらの混合物
などが使用できる。
属酸化物、Ｎｉ、Ａｕなどの金属およびこれらの混合物
などが使用できる。
【００２３】発光層を形成する化合物としては、金属キ
レート化合物、多環縮合または共役芳香族炭化水素、ベ
ンゾオキサゾールまたはベンゾチアゾール誘導体、ペリ
レン系化合物、クマリン系化合物、アゾ系化合物などが
使用できる。発光層を形成するこれらの化合物の例を以
下に示す。
レート化合物、多環縮合または共役芳香族炭化水素、ベ
ンゾオキサゾールまたはベンゾチアゾール誘導体、ペリ
レン系化合物、クマリン系化合物、アゾ系化合物などが
使用できる。発光層を形成するこれらの化合物の例を以
下に示す。
【００２４】１．金属キレート化合物；
【００２５】
【化１】
【００２６】２．多環縮合芳香族炭化水素；
【００２７】
【化２】
【００２８】３．ベンゾオキサゾール誘導体；
【００２９】
【化３】
【００３０】４．ペリレン系誘導体；
【００３１】
【化４】
【００３２】５．クマリン系化合物；
【００３３】
【化５】
【００３４】陰極材料としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｉｎなどの金属、これらの金属を含む合金な
どが使用できる。
ｌ、Ｃｕ、Ｉｎなどの金属、これらの金属を含む合金な
どが使用できる。
【００３５】電子注入層を構成する材料としては、アン
トラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導
体などの他に、ポルフィリンやフタロシアニン環を有す
る化合物へ電子供与性有機分子を添加した混合物、アモ
ルファスシリコンなどが使用できる。電子注入層を形成
する化合物の例を下記に示す。
トラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導
体などの他に、ポルフィリンやフタロシアニン環を有す
る化合物へ電子供与性有機分子を添加した混合物、アモ
ルファスシリコンなどが使用できる。電子注入層を形成
する化合物の例を下記に示す。
【００３６】１．アントラキノンジメタン誘導体；
【００３７】
【化６】
【００３８】２．ジフェニルキノン誘導体；
【００３９】
【化７】
【００４０】３．オキサジアゾール誘導体；
【００４１】
【化８】
【００４２】４．ペリレンテトラカルボン酸誘導体；
【００４３】
【化９】
【００４４】上記の発光層および電子注入層の形成は、
公知の方法により行うことが出来、具体的には、キャス
ト法、スピンコート法、バーコート法、ディップコート
法、スプレー法などの湿式法、および真空蒸着法、スパ
ッタ法、レーザーアブレーション法などの乾式法が例示
される。
公知の方法により行うことが出来、具体的には、キャス
ト法、スピンコート法、バーコート法、ディップコート
法、スプレー法などの湿式法、および真空蒸着法、スパ
ッタ法、レーザーアブレーション法などの乾式法が例示
される。
【００４５】
【発明の効果】本発明による温度面分布表示素子は、下
記（ａ）および（ｂ）の原理に基づくものであり、下記
（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）に示す様な特徴を有する。
記（ａ）および（ｂ）の原理に基づくものであり、下記
（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）に示す様な特徴を有する。
【００４６】（ａ）本発明で正孔注入層に使用する、Ｓ
ｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結
合を骨格とするポリマーは、高温となるほど正孔移動度
が高くなる性質を有するので、これを用いた有機電界発
光素子に一定の電圧を印可しておく場合には、より高温
になるほど強い発光を示す。また、このような温度に対
する発光輝度の変化は、比較的急峻に起こる。従って、
このような有機電界発光素子を温度分布を有する表面上
に貼り付けておけば、面積のうちある一定温度以上の箇
所で光が観測され、その温度以下の箇所では光が見えな
い。
ｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結
合を骨格とするポリマーは、高温となるほど正孔移動度
が高くなる性質を有するので、これを用いた有機電界発
光素子に一定の電圧を印可しておく場合には、より高温
になるほど強い発光を示す。また、このような温度に対
する発光輝度の変化は、比較的急峻に起こる。従って、
このような有機電界発光素子を温度分布を有する表面上
に貼り付けておけば、面積のうちある一定温度以上の箇
所で光が観測され、その温度以下の箇所では光が見えな
い。
【００４７】（ｂ）さらに、有機電界発光素子に印可す
る電圧を高く固定しておくと、より低い温度から発光が
起こるようになり、逆に電圧を低く保持しておくとより
高温にならないと発光が観測されない。従って、電圧を
適当に調整してやることにより、発光が開始する境界の
温度を自由に制御することができる。
る電圧を高く固定しておくと、より低い温度から発光が
起こるようになり、逆に電圧を低く保持しておくとより
高温にならないと発光が観測されない。従って、電圧を
適当に調整してやることにより、発光が開始する境界の
温度を自由に制御することができる。
【００４８】（ｃ）Ｓｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ−Ｇｅ結
合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマーにおける
正孔移動度の温度変化は、極めて迅速な物理現象である
ため、本発明による温度分布表示は昇温時と降温時との
区別がなく、温度の時間変化を正確に再現する。
合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマーにおける
正孔移動度の温度変化は、極めて迅速な物理現象である
ため、本発明による温度分布表示は昇温時と降温時との
区別がなく、温度の時間変化を正確に再現する。
【００４９】（ｄ）印可する電圧を調整するという極め
て簡便な方法により、発光の起こる境界温度を変えるこ
とができる。しかも、発光の分布は、温度分布を忠実に
表現したものとなる。
て簡便な方法により、発光の起こる境界温度を変えるこ
とができる。しかも、発光の分布は、温度分布を忠実に
表現したものとなる。
【００５０】（ｅ）従来の有機電界発光素子に使用され
ている正孔輸送材料は、通常低分子化合物が使用されて
いるが、これらも高温にするほど正孔移動度が高くなる
性質を有している。しかしながら、これら低分子正孔輸
送材料は、耐熱性に欠けるので、本発明のような高温に
曝される用途には使用できない。
ている正孔輸送材料は、通常低分子化合物が使用されて
いるが、これらも高温にするほど正孔移動度が高くなる
性質を有している。しかしながら、これら低分子正孔輸
送材料は、耐熱性に欠けるので、本発明のような高温に
曝される用途には使用できない。
【００５１】これに対し、本発明で使用するＳｉ−Ｓｉ
結合或いはＧｅ−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格
とするポリマーは、低分子化合物に比べて高度の耐熱性
を有しているので、１００℃程度の高温でも十分な実用
性を示す。
結合或いはＧｅ−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格
とするポリマーは、低分子化合物に比べて高度の耐熱性
を有しているので、１００℃程度の高温でも十分な実用
性を示す。
【００５２】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころを一層明確にする。
ころを一層明確にする。
【００５３】実施例１ ガラス基板上にITOを陽極として成膜した基板上に、電
極還元法で合成したメチルフェニルポリシラン（重量平
均分子量17500）のトルエン溶液（濃度5重量％）をスピ
ンコート法で塗布成膜し、正孔注入層（1500Å）を形成
した。その上に、Alq3｛トリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム（III）｝を真空蒸着することにより発光層
（500Å）を形成し、さらに、Mg：Agを10：1（重量比）
で配合した合金を真空蒸着することにより、陰極（1500
Å）を形成して、本発明による温度面分布表示素子を作
製した。
極還元法で合成したメチルフェニルポリシラン（重量平
均分子量17500）のトルエン溶液（濃度5重量％）をスピ
ンコート法で塗布成膜し、正孔注入層（1500Å）を形成
した。その上に、Alq3｛トリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム（III）｝を真空蒸着することにより発光層
（500Å）を形成し、さらに、Mg：Agを10：1（重量比）
で配合した合金を真空蒸着することにより、陰極（1500
Å）を形成して、本発明による温度面分布表示素子を作
製した。
【００５４】得られた温度面分布表示素子と、プレート
が1cm角のマトリックスに分割され、各マトリックス毎
に温度調整および温度測定が可能な試験用ホットプレー
トとを、プレート面と温度面分布表示素子陰極面とが向
かい合うように両面テープにて固着し、プレートの各マ
トリックスの温度および温度面分布表示素子に印可する
電圧を種々変えて試験を行った。
が1cm角のマトリックスに分割され、各マトリックス毎
に温度調整および温度測定が可能な試験用ホットプレー
トとを、プレート面と温度面分布表示素子陰極面とが向
かい合うように両面テープにて固着し、プレートの各マ
トリックスの温度および温度面分布表示素子に印可する
電圧を種々変えて試験を行った。
【００５５】まず、全てのマトリックスを同一の温度で
時間変化させた時の結果を示す。プレートをあらかじめ
0℃に冷却し、素子に7.8Vを印可した状態でプレートの
温度を上昇させていった。その結果、温度が20℃を超え
た時点で急速に発光が起こった。さらにプレートを120
℃まで加熱した後、再び冷却したところ、プレートのモ
ニター温度が19℃を示した時点で発光が確認できなくな
った。
時間変化させた時の結果を示す。プレートをあらかじめ
0℃に冷却し、素子に7.8Vを印可した状態でプレートの
温度を上昇させていった。その結果、温度が20℃を超え
た時点で急速に発光が起こった。さらにプレートを120
℃まで加熱した後、再び冷却したところ、プレートのモ
ニター温度が19℃を示した時点で発光が確認できなくな
った。
【００５６】また、素子に5.7Vを印可した場合には、60
℃を境にして、また4.1ｖの場合には100℃を境にして、
発光が起こり或いは発光が確認できなくなった。いずれ
の場合も、温度ヒステリシスはほとんど観測されず、速
やかな変化を示した。
℃を境にして、また4.1ｖの場合には100℃を境にして、
発光が起こり或いは発光が確認できなくなった。いずれ
の場合も、温度ヒステリシスはほとんど観測されず、速
やかな変化を示した。
【００５７】次に、印加電圧を5.5Vに固定し、プレート
の各マトリックスの温度を45℃から70℃まで5℃刻みで
種々変えて発光の分布を観測した。その結果、温度55℃
以下のマトリックスでは全く発光が観測されなかったの
に対し、60℃以上のマトリックスでは高温となるほど強
く発光する様子が観測された。また、温度が異なる互い
に隣合ったマトリックス同士では、境界が明確に認識で
きるだけの発光輝度差を有していた。
の各マトリックスの温度を45℃から70℃まで5℃刻みで
種々変えて発光の分布を観測した。その結果、温度55℃
以下のマトリックスでは全く発光が観測されなかったの
に対し、60℃以上のマトリックスでは高温となるほど強
く発光する様子が観測された。また、温度が異なる互い
に隣合ったマトリックス同士では、境界が明確に認識で
きるだけの発光輝度差を有していた。
【００５８】実施例２ 正孔注入層としてメチルフェニルポリシランに代えて、
フェニルネットワークポリシラン（重量平均分子量2020
0）を用いる以外は実施例１と同様にして温度面分布表
示素子を作製し試験を行った。素子に9.6Vを印可した場
合は20℃を境にして、7.1Vを印可した場合は60℃を境に
して、また5.2Vを印可した場合は100℃を境にして、そ
れぞれ発光を開始した。
フェニルネットワークポリシラン（重量平均分子量2020
0）を用いる以外は実施例１と同様にして温度面分布表
示素子を作製し試験を行った。素子に9.6Vを印可した場
合は20℃を境にして、7.1Vを印可した場合は60℃を境に
して、また5.2Vを印可した場合は100℃を境にして、そ
れぞれ発光を開始した。
【００５９】実施例３ 正孔注入層としてメチルフェニルポリシランに代えて、
ｎ−ブチルフェニルポリゲルマン（重量平均分子量2560
0）を用いる以外は実施例１と同様にして温度面分布表
示素子を作製し、試験を行った。素子に7.0Vを印可した
場合は20℃を境にして、5.1Vを印可した場合は60℃を境
にして、また3.6Vを印可した場合は100℃を境にして発
光を開始した。
ｎ−ブチルフェニルポリゲルマン（重量平均分子量2560
0）を用いる以外は実施例１と同様にして温度面分布表
示素子を作製し、試験を行った。素子に7.0Vを印可した
場合は20℃を境にして、5.1Vを印可した場合は60℃を境
にして、また3.6Vを印可した場合は100℃を境にして発
光を開始した。
【００６０】実施例４ 正孔注入層としてメチルフェニルポリシランに代えて、
フェニルネットワークポリゲルマン（重量平均分子量29
400）を用いる以外は実施例１と同様にして温度面分布
表示素子を作製し、試験を行った。素子に8.0Vを印可し
た場合には20℃を境にして、6.0Vを印可した場合には60
℃を境にして、また4.5Vを印可した場合には100℃を境
にして、発光を開始した。
フェニルネットワークポリゲルマン（重量平均分子量29
400）を用いる以外は実施例１と同様にして温度面分布
表示素子を作製し、試験を行った。素子に8.0Vを印可し
た場合には20℃を境にして、6.0Vを印可した場合には60
℃を境にして、また4.5Vを印可した場合には100℃を境
にして、発光を開始した。
【００６１】比較例１ 実施例１に示したホットプレート上に、市販の温度表示
材料である「サーモテープTR-70」（日油技研工業
（株）製）を貼り付け、０℃からプレートを昇温してい
った。開始当初赤色だったものが、温度68℃で変色し始
め、温度73℃で暗い茶紫色へと変色が完了した。さら
に、一旦100℃まで昇温した後、逆に降温していったと
ころ、57℃で復色し始め、53℃でようやくほぼ元の赤色
に戻った。
材料である「サーモテープTR-70」（日油技研工業
（株）製）を貼り付け、０℃からプレートを昇温してい
った。開始当初赤色だったものが、温度68℃で変色し始
め、温度73℃で暗い茶紫色へと変色が完了した。さら
に、一旦100℃まで昇温した後、逆に降温していったと
ころ、57℃で復色し始め、53℃でようやくほぼ元の赤色
に戻った。
【図１】本発明による温度面分布表示素子の基本的な構
成の概要を示す断面図である。
成の概要を示す断面図である。
１…支持体 ２…陽極 ３…正孔注入層 ４…発光層 ５…陰極
Claims (1)
- 【請求項１】一対の電極間に少なくとも発光層と正孔注
入層を有する有機電界発光素子により構成され、測温対
象物表面に貼付して、発光輝度により温度を検知する温
度面分布表示素子において、有機電界発光素子の正孔注
入層が、一般式 （Ｒ2Ａ）n （１） （式中、２つのＲは、同一或いは相異なって、水素原
子、炭素数１〜１４のアルキル基、アリ−ル基、アルコ
キシ基、アミノ基またはシリル基を表す。ｎは、１０〜
１００００程度である。Ａは、ＳｉまたはＧｅを示す。
ＡはＳｉ単独により構成されていても良く、或いはＧｅ
単独により構成されていても良く、或いは任意の割合の
ＳｉとＧｅとにより構成されていても良い。）で示され
る直鎖状ポリシラン、直鎖状ポリゲルマンおよび直鎖状
シランゲルマンコポリマーならびに一般式 （Ｒ2Ａ）x（ＲＡ）yＡz （２） （式中、Ｒは、水素原子、炭素数１〜１４のアルキル
基、アリ−ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル
基を表す。Ｒは、全てが同一でも或いは２つ以上が異な
っていても良い。ｘ、ｙおよびｚは、１以上の整数であ
って、それらの和は、１０〜１００００程度である。Ａ
はＳｉまたはＧｅを示す。ＡはすべてＳｉにより構成さ
れていても良く、或いはすべてＧｅにより構成されてい
ても良く、或いは任意の割合のＳｉとＧｅから構成され
ていても良い。）で示されるＳｉ−Ｓｉ結合或いはＧｅ
−Ｇｅ結合或いはＳｉ−Ｇｅ結合を骨格とするポリマー
からなる群から選ばれたポリマーの１種を含む薄膜から
なることを特徴とする温度面分布表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5725396A JPH09250954A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 温度面分布表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5725396A JPH09250954A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 温度面分布表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09250954A true JPH09250954A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13050373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5725396A Pending JPH09250954A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 温度面分布表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09250954A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002520242A (ja) * | 1998-07-10 | 2002-07-09 | サン−ゴバン ビトラージュ | ヒートソーク試験したグレージングを識別する方法 |
| US6453470B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-09-17 | General Instruments Corporation | Dynamic detection of hardware configuration in a digital terminal |
| US7246570B2 (en) | 2005-02-03 | 2007-07-24 | General Electric Company | Indication film for temperature and temperature distribution measurement and related method |
| CN110207844A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种温度传感器、温度监测方法及装置 |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP5725396A patent/JPH09250954A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002520242A (ja) * | 1998-07-10 | 2002-07-09 | サン−ゴバン ビトラージュ | ヒートソーク試験したグレージングを識別する方法 |
| US6453470B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-09-17 | General Instruments Corporation | Dynamic detection of hardware configuration in a digital terminal |
| US7246570B2 (en) | 2005-02-03 | 2007-07-24 | General Electric Company | Indication film for temperature and temperature distribution measurement and related method |
| CN110207844A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种温度传感器、温度监测方法及装置 |
| WO2020253331A1 (zh) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 温度传感器、温度监测方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Pei et al. | 1, 3, 4-Oxadiazole-containing polymers as electron-injection and blue electroluminescent materials in polymer light-emitting diodes | |
| US5998045A (en) | Polymeric light-emitting device | |
| Dailey et al. | Synthesis and device characterisation of side-chain polymer electron transport materials for organic semiconductor applications | |
| Beyerlein et al. | Red electroluminescence from a 1, 4-diketopyrrolo [3, 4-c] pyrrole (DPP)-based conjugated polymer | |
| US6451459B1 (en) | DPP-containing conjugated polymers and electroluminescent devices | |
| KR0176336B1 (ko) | 아세틸렌기를 함유한 플로렌계 교대 공중합체 및 이를 이용한 전계발광소자 | |
| Saadeh et al. | Synthesis of a polyphenylene-co-furan and polyphenylene-co-thiophene and comparison of their electroluminescent properties | |
| Jiang et al. | Statistical copolymers with side-chain hole and electron transport groups for single-layer electroluminescent device applications | |
| KR100806212B1 (ko) | 아릴-치환 폴리-р-아릴렌비닐렌 | |
| Jin et al. | Novel electroluminescent polymers with fluoro groups in vinylene units | |
| KR101030553B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 표시 장치 | |
| KR100750819B1 (ko) | 고분자 형광 물질 및 중합체 발광 소자 | |
| Ng et al. | Novel efficient blue fluorescent polymers comprising alternating phenylene pyridine repeat units: Their syntheses, characterization, and optical properties | |
| AU2003240832A1 (en) | Copolymers having tunable energy levels and color of emission | |
| Ko et al. | Novel poly (p-phenylenevinylene) s with an electron-withdrawing cyanophenyl group | |
| Shin et al. | Sterically hindered and highly thermal stable spirobifluorenyl-substituted poly (p-phenylenevinylene) for light-emitting diodes | |
| JPH09250954A (ja) | 温度面分布表示素子 | |
| Ding et al. | Structure− morphology− electroluminescence relationship for hybrid conjugated polymers | |
| Wu et al. | Synthesis and photophysics of new highly luminescent poly (alkylthiophene) derivatives with pyridine in the backbone | |
| Sun | Synthesis and optical properties of novel blue light-emitting polymers with electron affinitive oxadiazole | |
| Sun et al. | Hole transport in substituted polydiphenylacetylene light-emitting devices: mobility improvement through carbazole moiety | |
| Pösch et al. | A comparison of hole blocking/electron transport polymers in organic LEDs | |
| JPH08231949A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| Kim et al. | Incorporation of benzothiadiazole moiety at junction of polyfluorene–polytriarylamime block copolymer for effective color tuning in organic light emitting diode | |
| Lee et al. | Synthesis and characterization of naphthyl‐substituted poly (p‐phenylenevinylene) s with few structural defects for polymer light‐emitting diodes |