JPH09245658A - 永久磁石によるecr共鳴を利用するプラズマ生成機構 - Google Patents

永久磁石によるecr共鳴を利用するプラズマ生成機構

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JPH09245658A
JPH09245658A JP8084787A JP8478796A JPH09245658A JP H09245658 A JPH09245658 A JP H09245658A JP 8084787 A JP8084787 A JP 8084787A JP 8478796 A JP8478796 A JP 8478796A JP H09245658 A JPH09245658 A JP H09245658A
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JP
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antenna
plasma
magnet
chamber
permanent magnet
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JP8084787A
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Hideki Fujita
秀樹 藤田
Akira Adachi
明 安立
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ECRプラズマ生成機構において、渦巻状アン
テナを用いるとチャンバが大きくなり磁場が弱くなる。
マイクロ波吸収の起こる領域が狭い。アンテナ寿命が短
いなどの欠点がある。これらの難点を解決すること。 【構成】直線状の長いアンテナを用いる。チャンバを細
く長くし、永久磁石も細く長くする。中心軸線での磁場
を共鳴磁場よりも大きくする。従来に比べて構造簡単で
小型長寿命のプラズマ生成機構ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は原料ガスをマイクロ
波によって共鳴励起してプラズマを発生させるプラズマ
生成機構の改良に関する。生成したプラズマからイオン
或いはラジカルをビームとして引き出し、薄膜成長やエ
ッチングに利用する。つまりイオン源やラジカル源のも
とになるプラズマ生成機構が本発明の対象になる。
【0002】イオン源は多くの用途に利用されているか
ら説明の必要はない。ラジカル源は聞き慣れない言葉で
あるから説明する。分子線エピタキシャル成長装置にお
いて、分子線セルの代わりに用いられラジカル線を生じ
るセルをラジカル源という。
【0003】MBE(分子線エピタキシャル成長法)装
置は超高真空中で原料を分子線にして加熱された基板に
照射し、気相反応を起こさせて薄膜を形成する装置であ
る。原料を分子線にするためにはKセルあるいは分子線
セルが用いられる。PBNのるつぼ、ヒ−タ、反射板、
支柱、熱電対などよりなり支柱が超高真空フランジに固
定されている。そのようなものが分子線セルである。こ
れは常温で固体であるものを加熱蒸発させて分子線とす
るものである。多くの場合、加熱蒸発によって十分に反
応性のある分子線にすることができる。
【0004】しかしある限られた材料の場合は、単に分
子線としただけでは反応性に乏しくて、薄膜形成をする
事ができない場合がある。例えば窒素ガスの場合など、
初めから気体であるし安定なガスであるから、分子線に
したぐらいでは反応が起こらない。このような場合分子
線ではなくラジカル線にすることが考案された。本発明
はMBE装置のラジカル源としても使えるプラズマ生成
機構の改良に関する。
【0005】
【従来の技術】永久磁石を用いて縦磁場を発生させ、コ
イル型アンテナによって導入されるマイクロ波に対して
電子共鳴を起こさせ、高密度プラズマを発生させる装置
が石川らによって提案されている。 Junzo Ishikawa, Yasuhiko Takeiri and Toshinori T
akagi,"Axial magneticfield extraction-type microwa
ve ion source with a permanent magnet", Rev. Sci.
Instrum. 55(4), April 1984, p449
【0006】図2に概略の構造を示す。これは永久磁石
20によってチャンバ21内に縦磁場を生じるようにな
っている。原料ガスがガス入り口28からチャンバ21
に導入される。導波管29を伝わるマイクロ波30がア
ンテナ22によってチャンバ21に導かれる。ガスに含
まれる電子がマイクロ波によって振動する。電子は磁場
によってサイクロトロン運動しマイクロ波を共鳴吸収す
る。電子がガス分子を励起してプラズマに転換する。チ
ャンバ21の前には引出電極23、24がありイオンを
イオンビーム31として加速し引き出すようになってい
る。
【0007】アンテナ22は直線部分の先端を1ターン
横方向コイル状39に巻いた形状になっている。コイル
アンテナであるからチャンバが横に肥大する。永久磁石
20が作る磁界を強くするために磁性体の引出電極23
と強磁性体の中継輪38を使う。チャンバ21側と引出
電極23側は電圧が違うので絶縁体25によって絶縁さ
れる。強磁性体中継輪38、絶縁体25、強磁性体引出
電極24は互いに溶接される。
【0008】ベースフランジ36には冷却媒体37が通
る。中間フランジ26も強磁性体によって作る。永久磁
石20、引出電極23、24、中間フランジ26によっ
て磁気回路が形成される。永久磁石によるチャンバ内の
磁力線を強化する為である。上部フランジ27は非磁性
体である。これには加熱用のヒ−タ34が巻き廻してあ
る。ガス入口28から導入されたアルゴン、窒素などの
ガスのイオンビ−ムを引き出すことができると述べてい
る。ラジカルについては言及していない。
【0009】これはイオン源であり、独立してイオン源
として利用されるものである。本発明者はこれにヒント
を得て同じような装置をラジカル源とすることができる
事に気づいた。電子をマイクロ波に共鳴させるとプラズ
マができる。プラズマというのは殆ど全てが荷電粒子な
のではない。中性の活性種(ラジカル)も多く含まれ
る。条件によってはラジカルの比率を荷電粒子より遥か
に多くする事もできる。のような装置でラジカルを生
成できることを本発明者は確かめた。
【0010】しかしまだ問題がある。中性であるから、
ラジカルを生成できても荷電粒子のように電界を掛けて
引き出す事はできない。しかしチャンバと外部に圧力の
差を与えると、チャンバから差圧によって中性のラジカ
ルを引き出すことができる。そこで本発明者はの装置
を改良しイオン源ともラジカル源ともできる装置を発明
した。
【0011】特願平6−183922号(平成6年7
月12日出願「ECRイオンラジカル源」特開平8−3
1358号) である。1ターン曲げたアンテナをチャンバに通しアン
テナによってマイクロ波を導入しガスをプラズマにし、
ラジカル或いはイオンを外部に引き出そうとするもので
ある。マイクロ波だけではガスを励起しにくいので磁場
を掛けて電子がサイクロトロン共鳴するようにしてい
る。プラズマ室の外部に磁石を設けて縦磁場を発生させ
る。
【0012】マイクロ波の周波数が2.45GHzであ
る場合、磁石により875Gの磁場を発生させると電子
の螺旋運動の周波数とマイクロ波周波数が合致するので
サイクロトロン共鳴が起こる。マイクロ波からエネルギ
ーを効率的に吸収できガス分子を励起して中性のラジカ
ルとする。マイクロ波の共鳴吸収を利用するのでECR
という。
【0013】これは引き出し電極に電圧を加えるとイオ
ンビ−ムを引き出すようにできる。電極電圧を0にして
差圧を与えることにより中性ラジカルを引き出すことが
できるようになっている。イオンビ−ム、ラジカルの何
れをも選択的に出せるのでイオンラジカル源と言う。二
つの目的用途に利用できる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記の、ともに、
軸方向に短く横方向に広がったコイル状アンテナを使っ
ていた。どうして螺旋状のアンテナを用いるのか?円筒
形の永久磁石によって円筒対称の磁場が生じ、コイルは
円筒対称であるからコイルアンテナの円周上の全ての点
で共鳴条件が満たされるだろうという思惑による。
【0015】コイルアンテナを用いるから、プラズマ生
成室は軸方向に短く、軸と直角方向に広い。軸方向の長
さをLとし、これと直角の方向の広さをDとすると、L
/Dが小さい。軸方向(縦方向)の磁場を作るためのリ
ング状の磁石も短く、さらに直径が大きいものであっ
た。
【0016】コイルアンテナを使うイオンラジカル源
は、ECR用の磁石の直径が大きく長さが短いので、プ
ラズマ室の中央部の磁場が弱いという欠点があった。永
久磁石とプラズマ室中央の距離が長すぎるからである。
磁場が弱いと共鳴吸収が起こらない。チャンバ内部での
磁場を強くするため磁気回路の磁気抵抗を下げる。この
ためにアンテナ付近に強磁性体を設ける必要があった。
非磁性体のチャンバフランジの一部にリング状強磁性体
を溶接する。これによって磁気抵抗を下げ、チャンバ中
央での磁場を増強できる。これはしかし余分な部材の付
加であって装置構造を複雑にする。溶接の手数も増え
る。チャンバは加熱冷却を繰り返すが、熱履歴によって
溶接がとれることもある。それほどでなくても溶接箇所
からリークが生ずることもある。
【0017】さらにまだ欠点がある。アンテナ先端は渦
巻状であるため手作りになる。形状の再現性が悪い。同
一のものが作り難い。アンテナの1カ所で875Gの磁
場になることもある。形状の不規則のために円筒対称性
が実際にはなくて、複数箇所で875Gになることは殆
どない。その場合、他の部位では875Gから外れるの
で電子共鳴できない。多くの場合、共鳴箇所が一つに限
られる。また共鳴箇所がアンテナ上に全くない場合もあ
る。円筒対称の形状にするのでかえって共鳴条件を満た
し難くなる。軸方向のアンテナの調整が難しい。
【0018】それだけではなくアンテナの根元に局所的
な放電がおこり、濃いプラズマが形成されることもあ
る。するとアンテナが放電によって溶けたり、スパッタ
リングされる。アンテナの材料がガスになってアンテナ
の根元の絶縁体に飛び、ここに付着する。すると絶縁体
の表面に導体膜ができてマイクロ波が入り難くなる。こ
れは不純物入りのプラズマを生成することにもなる。
【0019】そのようにコイル状のアンテナを使う従来
のラジカル源は、磁場の最適範囲が大変狭かった。この
ために磁気回路の設計が複雑になり、かつアンテナ付近
で高い磁場精度を必要とした。アンテナがコイル状であ
るためにアンテナ近傍での磁場の調整が困難であった。
またアンテナの根元で放電が起こらないように、アンテ
ナの軸方向の取り付けに高精度を必要とする。
【0020】さらにプラズマが狭い領域に集中するため
に、壁面とアンテナがプラズマによってスパッタリング
される。スパッタリングによるアンテナの消耗が著し
い。アンテナの寿命が短くなる。多くの場合、アンテナ
の寿命は2時間〜3時間にすぎない。アンテナを頻繁に
交換し、壁面についた導体のスパッタ膜の清掃を頻繁に
行う必要がある。
【0021】またスパッタリング粒子がマイクロ波導入
窓に付着し導体薄膜を作るので、それ以上マイクロ波が
入らなくなる。そのためにもアンテナを交換し、壁面を
清掃しなければならない。また、不純物入りのプラズマ
が生成され、膜に悪い影響を与える。分子線エピタキシ
ャル成長法は超高真空を必要とする装置である。アンテ
ナを取り替えるために真空を破るということは望ましく
ない。大いに薄膜生成能率を下げる。
【0022】
【課題を解決するための手段】アンテナを長い直線状に
し、ECR磁石も軸線方向に長くする。磁石の直径は小
さくする。そうしてアンテナが磁石の中心付近を貫通す
る構造とした。アンテナ長をマイクロ波(2.45GH
z)の波長の1/4以上(31mm)とし、且つ、磁石
の中央の磁場を875G以上とした。磁石の中心軸線上
にアンテナが存在する。中心軸線の磁場は設定磁場(8
75G以上)よりも小さくなるが、少なくとも2箇所で
875Gになる。永久磁石よりもアンテナが十分長い
と、多くの場合4箇所で875Gの共鳴条件を満たすよ
うになる。共鳴吸収がその近傍で起こる。ECR共鳴に
よってガスが効率的に励起される。
【0023】
【発明の実施の形態】永久磁石を長くし直径を小さくす
るから、磁石で囲まれる空間での磁界をより強くする事
ができる。磁石中央で875G以上になるように設定し
てあり、中心軸線で磁場の大きさは変化し、磁石外にな
ると減少するはずである。従って軸線上で少なくとも2
箇所で875Gになる。さらに磁石の端面の内と外で磁
場の変動が対称になることもあり、その場合は4箇所
(磁石の内外前後)で共鳴磁場(875G)になる。ア
ンテナは軸線上に長く伸びているからこれらの共鳴領域
を貫いている。アンテナに接して共鳴領域があるから、
強力なマイクロ波を効率的に吸収しガスを迅速にプラズ
マに変換する。
【0024】図1によって本発明の実施例に係るプラズ
マ発生機構を説明する。十分に長い円筒形のプラズマ室
1は、その内部で原料ガスをプラズマに励起する空間を
与える。プラズマ室1の内部には絶縁物2によって支持
されるアンテナ6が中心軸上に設けられる。アンテナは
コイル状でなく、直線状である。マイクロ波の波長(1
22mm)の少なくとも1/4(31ミリ)とする。ア
ンテナはコイル状に巻いていないからチャンバ1(プラ
ズマ室)の直径は小さい。
【0025】円筒形の永久磁石3がプラズマ室1の外周
に設けられる。磁石はチャンバの形状に応じて、より長
くより細いものになる。永久磁石は縦磁場を生じるもの
であるから、軸方向の一方がN極、他方がS極というふ
うに軸方向に磁化されている。永久磁石は筒状でなくて
もよい。複数の棒磁石をチャンバ外周に並べても良い。
永久磁石3は磁石止め9によって固定される。チャンバ
1の前方には広いフランジ7があり、他の真空容器に接
続できるようになっている。
【0026】フランジ7には有孔電極8が取り付けられ
る。イオン源とする場合は、プラズマからイオンを引き
出すために出口に複数の電極を設ける。それぞれ、正の
高圧、負の低圧、大地電圧を印加するように3つの組み
の電極を設置する事が多い。ラジカル源とする場合は電
極は不要である。取り外すかあるいは電極に電圧をかけ
ないようにする。
【0027】原料ガス入り口4からチャンバ1内に原料
ガスが導入される。アンテナ6を電流導入端子11によ
って固定したアンテナフランジ12が、プラズマ室1の
端面にボルトによって固着される。ガスケット13を挟
んでいるからプラズマ室1の真空が維持される。
【0028】永久磁石によって、チャンバの内部に軸方
向の磁力線ができる。永久磁石の作る磁界の半径方向の
分布は、磁石の内周面で磁場が強く中心軸で最も弱くな
る。軸方向の磁場の変化は一様でないが、中心で最大に
なり、それから離れると弱くなる。中心での磁場を共鳴
磁場より高くしておく。中心から離れた2点または4点
で共鳴磁場に等しくなる。ここではECR共鳴点10を
4つ示している。
【0029】マイクロ波の共鳴吸収が盛んに起こって、
チャンバ1内にプラズマ5が生成される。プラズマの内
イオンを引き出すとイオン源になる。その場合は電極に
電圧を掛けて、電界の作用によってイオンビ−ムを引き
出す。プラズマの内ラジカルを差圧によって引き出すと
ラジカル源となる。何れにしても出口14からビームと
して出て行く。
【0030】
【実施例】永久磁石の長さは40mmとした。アンテナ
は直線状で長さは60mmである。マイクロ波は2.4
5GHzであり波長λは122mmであるから、アンテ
ナがλ/4以上であるという条件を満たす。永久磁石の
寸法、端面磁場を適当に選んで、チャンバ軸線上であっ
て中央部の磁場が1.2kGになるようにした。30W
〜100Wのパワーのマイクロ波(2.45GHz)
を、プラズマ室にアンテナを通じて導いた。アルゴンガ
スをプラズマ生成用のガスとして用いた。ガス流量は
0.2ccm〜1ccmとした。マイクロ波によってプ
ラズマが生成された。磁場が875G付近の領域でプラ
ズマが生成されている事が確認された。共鳴領域は4つ
存在した。チャンバ出口の孔径は2.5mmφである。
【0031】イオン飽和電流密度が40mA/cm2
時、プラズマ密度2×1012/cm3 のプラズマが生成
された。これは従来と同等の濃度である。アンテナの寿
命は従来のワンターンコイル型の場合2時間程度であっ
たものが、本発明の直線アンテナにすることによって1
0時間に伸びた。大幅な寿命の伸びである。
【0032】
【発明の効果】本発明によれば、アンテナは直線状で軸
方向に長くなっている。永久磁石も軸方向に長くなって
いる。 アンテナの形状が単純であるからアンテナの製造が容
易で安価である。 同じものができるからアンテナ交換の度にプラズマ生
成条件の設定を変える必要がない。
【0033】永久磁石が長く、アンテナも長いので共
鳴条件を満たす領域の数、領域の容積が増える。プラズ
マ生成が容易確実になる。 コイル状のアンテナを使わないからチャンバが細くな
り、磁石やフランジなどを小型にできる。ICF70
(直径が70mm)の小さなフランジにも取り付ける事
ができる。フランジを小さくできるからプラズマ室と
被処理物の距離を短くできる。
【0034】チャンバ径が小さく、磁気回路の磁気抵
抗が下がる。図2に示したもののように、ことさら強磁
性体を挿入して異種金属に溶接する必要がない。溶接し
ないから溶接不良によるリークの恐れはない。 アンテナの根元で放電が起こらないからマイクロ波窓
が汚染されず、長い時間に渡ってマイクロ波を導入する
事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るプラズマ室の概略断面
図。
【図2】J.Ishikawa, Y.Takeiri and T. Takagi,"Axial
magnetic field extracton-type microwave ion sourc
e with a permanent magnet", Rev. Sci.Instrum. 55
(4), April 1984, p449(1984)に提案されたイオン源の
断面図。
【符号の説明】
1 プラズマ室 2 絶縁物 3 永久磁石 4 ガス入り口 5 プラズマ 6 アンテナ 7 フランジ 8 電極 9 磁石止め 10 ECR共鳴点 11 電流導入端子 12 フランジ 13 ガスケット 14 出口

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガスを励起してプラズマとするプラズマ
    室と、マイクロ波波長の1/4以上の長さを有しマイク
    ロ波をプラズマ室に導入するための直線状のアンテナ
    と、プラズマ室の外周に設けられ軸方向の磁場を生成す
    る永久磁石とを含み、プラズマ室中心線の中心部の磁場
    が共鳴磁場より高くなっている事を特徴とする永久磁石
    によるECR共鳴を利用するプラズマ生成機構。
JP8084787A 1996-03-12 1996-03-12 永久磁石によるecr共鳴を利用するプラズマ生成機構 Pending JPH09245658A (ja)

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