JPH09245629A - Pattern forming material, thick film pattern forming method and plasma display panel - Google Patents

Pattern forming material, thick film pattern forming method and plasma display panel

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JPH09245629A
JPH09245629A JP7945896A JP7945896A JPH09245629A JP H09245629 A JPH09245629 A JP H09245629A JP 7945896 A JP7945896 A JP 7945896A JP 7945896 A JP7945896 A JP 7945896A JP H09245629 A JPH09245629 A JP H09245629A
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Masaaki Asano
Satoru Kuramochi
悟 倉持
雅朗 浅野
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Dainippon Printing Co Ltd
大日本印刷株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make effective a crack and etching and form a high accurate thick film pattern, by applying a forming material of resin component and inorganic component of specific proportion. SOLUTION: A pattern forming material of a first layer 2 composed of 0.5 to 4wt.% resin component and an inorganic component is applied in an after drying condition on a substrate 1. Ratio of this resin component is effective for efficiency of cracking and etching work of the first layer 2. The inorganic component is mainly composed of a fire resisting filler non-softened at a 450 to 600 deg.C burning temperature and low boiling point glass powder fluidized to be secured. Next, a prescribed pattern is printed by a printing method on the first layer 2, to be dried with a solvent removed, a second layer 3 is formed. Here, the resin component after drying is 5 to 100wt.%. Next, the second layer 3 applies a resist mask, exposed first layer 2 is removed by etching, by burning at 500 to 600 deg.C, a layered structure pattern 4 of the first/second layers 2, 3 is formed. In this way, a high accurate thick film pattern can be formed.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成材料と厚膜パターン形成方法およびプラズマディスプレイパネルに係り、特に画像表示装置、サーマルヘッド、集積回路等の製造工程における電極や抵抗体等の高精度な厚膜パターンを形成するためのパターン形成材料と、このパターン形成材料を使用して高精度の厚膜パターンを形成する方法、および、高精度の障壁を備えたプラズマディスプレイパネルに関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a pattern forming material and the thick pattern forming method and a plasma display panel, in particular an image display device, a thermal head, precision of the electrode and the resistor in the manufacturing process, such as an integrated circuit such a pattern forming material for forming a thick film pattern, a method of forming a thick film pattern with a high accuracy by using the pattern forming material, and, to a plasma display panel having a barrier with high accuracy.

【0002】 [0002]

【従来の技術】ガス放電パネルであるプラズマディスプレイパネル(PDP)は、2枚の対向するガラス基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間にNe、He、Xe等を主体とする希ガスを封入した構造となっている。 BACKGROUND ART Plasma display panels is a gas discharge panel (PDP) is a pair of electrodes arranged regularly respectively on two opposite glass substrate provided, mainly Ne, the He and Xe or the like therebetween and has a enclosing a rare gas structure. そして、これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を行うようにしている。 Then, a voltage is applied between the electrodes, by generating discharge in small cells near the electrodes, so that display is performed by light emission of each cell.
情報表示するためには、規則的に並んだセルを選択的(II)放電発光させる。 To information display, selectively (II) discharge emit aligned cell regularly. このPDPには、電極が放電空間に露出している直流型(DC型)と絶縁層で覆われている交流型(AC型)の2タイプがあり、双方とも表示機能や駆動方式の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方式とメモリー駆動方式に分類される。 The PDP, there are two types of DC type electrode is exposed to the discharge space (DC type) and an AC type are covered with an insulating layer (AC type), the difference in both the display function and a driving method both It is further classified to the refresh driving mode and memory driving method.

【0003】DC型のPDPおよびAC型のPDPにおいて、各セルは2枚のガラス基板が障壁により対向保持されて形成されている。 [0003] In the DC type PDP and AC-type PDP, each cell two glass substrates are formed so as to face held by the barrier. このような障壁は、表示放電空間をできるだけ大きくして高輝度の発光を得るために、 Such barriers, in order to obtain as large as possible to emit light of high luminance display discharge space,
ガラス基板に対して垂直に切り立ち、かつ、幅が狭く十分な高さを有することが要求される。 Bluff perpendicular to the glass substrates, and are required to have a narrow width sufficient height. 特に高精細のPD Especially of high-definition PD
Pでは、例えば、高さ100μmに対して幅が30〜5 In P, for example, the width of the height 100μm is 30-5
0μmであるような高アスペクト比の障壁が必要とされる。 Barrier high aspect ratio such that 0μm is needed.

【0004】従来、PDPの製造工程では、スクリーン印刷により所定パターンの障壁を形成することが行われていた。 Conventionally, in the PDP manufacturing process, it has been performed to form the barrier having a predetermined pattern by screen printing. スクリーン印刷では、1回の印刷で形成できる膜厚の限界が数10μmであるため、印刷と乾燥を多数回、一般には10回以上繰り返すことが必要であった。 In screen printing, since the limit of the film thickness that can be formed by one printing is several 10 [mu] m, a large number of times and printing dry, generally it was necessary to repeat more than 10 times.
しかし、一般にスクリーン印刷で形成される塗膜は周辺部が低くなった凸形状であり、上記のような多数回の重ね刷りを行った場合、パターンの周辺部における塗液のダレが蓄積されて底面部が広がった断面形状を呈するという問題があった。 However, the coating film formed by screen printing in general a convex peripheral portion is lowered, when performing a large number of times of overprinting as described above, sagging of the coating liquid at the periphery of the pattern is accumulated there is a problem that presents a cross-sectional shape bottom portion is widened. したがって、要求される高アスペクト比を有する障壁をスクリーン印刷によって形成することは困難であった。 Therefore, it has been difficult to the barrier having a high aspect ratio required to form by screen printing.

【0005】このような問題を解決するために、サブトラクティブ法を用いた障壁形成方法が提案されている(電子材料 No.11, P138(1983))。 [0005] In order to solve such problems, a barrier forming method using a subtractive method has been proposed (electronic materials No.11, P138 (1983)). この障壁形成方法では、障壁形成層を形成した後、この層の上にサブトラクティブ用レジストパターンを印刷やフォトリソグラフィーにより形成し、レジストの開口部に露出している障壁形成層を除去して障壁を形成する。 This barrier forming method, after forming a barrier layer, a resist pattern for subtractive formed by printing or photolithography on this layer, the barrier formation layer exposed in the opening portion of the resist is removed barriers to form. この障壁形成層の除去方法として、微粒子が混合された圧縮気体を高速で噴射して物理的にエッチングを行う、いわゆるサンドブラスト法が挙げられる。 As a method of removing the barrier layer, performing physical etching the compressed gas fine particles are mixed is injected at high speed, a so-called sandblast method. このサンドブラスト法を用いることにより、基板に対して垂直に切り立ち、かつ、 By using this sand blast method, bluff perpendicular to the substrate, and,
幅が狭く十分な高さを有する所望の形状に障壁形成層を加工することができる。 Can be processed barrier layer into a desired shape having a width with a narrow high enough.

【0006】上記のサンドブラスト法を用いた障壁(厚膜パターン)の形成方法は、一般に次のように行われる。 [0006] forming method of the sandblasting barrier using (thick film pattern) is typically carried out as follows.

【0007】ガラス成分と樹脂バインダーを主成分としてなる障壁形成用材料を用いて障壁形成層をガラス基板上に設ける この障壁形成層上に感光材料を用いてフォトリソグラフィーによりレジストマスクを形成する レジストマスクの開口部に露出している障壁形成層をサンドブラスト法により除去する レジストマスクを剥離液を用いて剥離除去する パターン化された障壁形成層を焼成して含有されるガラス成分を融着させて障壁(厚膜パターン)を形成する [0007] The resist mask to form a resist mask by photolithography using a photosensitive material on the barrier-forming layer on the barrier-forming layer provided on a glass substrate using a glass component and a barrier forming material comprising a resin binder as main components a glass component by fusing the barrier to be contained by firing the patterned barrier layer is peeled off and removed using a stripping solution of a resist mask is removed by sandblasting barrier formation layer exposed in the opening of forming a (thick film pattern)

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述のようなサンドブラスト法を用いた障壁形成方法では、以下のような問題がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the barrier-forming method using the sand blast method as described above, has the following problems. (1)フォトプロセスを用いてレジストマスクを形成するため、装置が高価で製造コストが高くなる。 (1) for forming a resist mask by using a photo process, apparatus becomes higher expensive manufacturing cost. (2)ガラス基板の熱変形を小さくするために、上記の工程における焼成温度をなるべく低くする必要があるが、障壁形成用材料中のガラス成分を低軟化温度化すると、障壁形成層がアルカリや水に対して不安定となり、 (2) in order to reduce the thermal deformation of the glass substrate, it is necessary to as low as possible a firing temperature in the above step, but when the low softening temperature of the glass component of the barrier forming material, barrier forming layer Ya alkali It becomes unstable with respect to water,
パターン化された障壁形成層のガラス成分が上記のレジストマスク剥離工程でダメージを受け、高精度のパターン形成が困難になる。 Damaged glass component of the patterned barrier layer is above the resist mask stripping step, pattern formation with high accuracy becomes difficult.

【0009】上記の(2)の問題を解決するために、レジストマスクの剥離を剥離液を用いた湿式方法ではなく、上記の工程において焼成炉中でレジストマスクを焼成除去させることが考えられる。 [0009] In order to solve the above-mentioned (2) problem, rather than a wet method in which peeling of the resist mask using a stripping solution, thereby firing removed is considered a resist mask in a firing furnace in the above process. しかし、従来使用されているフォトレジストでは、このような焼成除去において炭化物がガラス基板上に残留して固着してしまい、 However, the photoresist is conventionally used, carbides in such firing removal causes by fixing remains on the glass substrate,
レジストマスクの良好な剥離が困難であり、さらに、焼成除去時に発生した炭化物が焼成炉内に堆積し、他の工程で焼成炉を使用した際に基板上に付着して不良品を発生するという問題もあった。 Good separation of the resist mask is difficult, furthermore, that carbides generated during firing removal deposited in the sintering furnace, generating the adhered defective products on the substrate when using the firing furnace in other processes problem was also there.

【0010】また、上記の(1)の問題を解決するために、フォトリソグラフィーを用いずに印刷法によりレジストマスクを形成するような障壁形成方法も開示されている(特開平6−36683号)。 Further, in order to solve the above-mentioned (1) in question, also the barrier forming such a way as to form a resist mask is disclosed by a printing method without using a photolithography (Japanese Patent Laid-Open No. 6-36683) . このような障壁形成方法では、確かに製造コストの低減が可能となるが、使用されるレジストマスク材料が焼成工程で良好に剥離できないものであった。 In such a barrier forming method, indeed reduce the manufacturing cost but it is possible, were those resist mask material used can not be satisfactorily peeled off in the firing step. このため、湿式方式によるレジストマスク剥離が必要となり、フォトリソグラフィーを用いた場合と同様な問題が生じることになる。 Thus, a resist mask peeling is required by a wet method, so that the same problem as in the case of using the photolithography occurs.

【0011】本発明は、上述のような事情に鑑みてなされたものであり、レジストマスクとしての機能をもちながら湿式方式の剥離工程が不要なパターン形成材料と、 [0011] The present invention has been made in view of the circumstances as described above, and peeling step unnecessary pattern forming material of the wet methods while having a function as a resist mask,
このパターン形成材料を使用して電極や抵抗体等の高精度な厚膜パターンを形成することができる厚膜パターン形成方法、および、高精度の障壁を備えたプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。 Thick pattern forming method capable of forming a high-precision thick film pattern of electrodes and resistors or the like by using this pattern forming material, and aims to provide a plasma display panel having a barrier precision to.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成するために、第1の発明であるパターン形成材料は、少なくとも樹脂成分を含み、該樹脂成分はパターン形成材料が乾燥した状態で5〜100重量%を占めるように含有されるとともに、600℃以下の焼成で揮発または分解するような構成とした。 Means for Solving the Problems] To achieve the above object, pattern forming material is a first aspect of the invention comprises at least a resin component, the resin component is 5 to a state in which the pattern forming material was dried while being contained to occupy 100 wt%, and a volatile or as decomposed composed firing 600 ° C. or less.

【0013】また、軟化温度が450〜600℃である無機粉体を含有するような構成、さらに、動的粘性率が500〜4000poise の範囲であるような構成とした。 Further, as the softening temperature containing inorganic powder is 450 to 600 ° C. configuration, further, the dynamic viscosity is configured such that the range of 500~4000Poise.

【0014】このような本発明のパターン形成材料において、乾燥後の状態で5〜100重量%の範囲で含有される樹脂成分が適度な柔軟性を示してパターン形成材料に耐エッチング性を付与し、かつ、この樹脂成分は60 [0014] In the pattern forming material of the present invention, etching resistance imparted to the pattern-forming material resin component contained in the range of 5 to 100% by weight in the state after drying shows proper flexibility and, the resin component is 60
0℃以下の焼成で揮発または分解するので、焼成工程での焼成除去が可能となり、無機粉体が含有されている場合には、この時に融着を生じて厚膜パターンの一部となる。 Since volatilize or decompose at 0 ℃ following firing enables firing removed in the firing step, if the inorganic powder is contained, a part of the thick film pattern generated fusion at this time. また、動的粘性率を500〜4000poise とすることにより、厚みが3μm以上の精細なパターン形成が可能となる。 Further, with the 500~4000poise dynamic viscosity, it becomes possible to fine pattern formation above 3μm thick.

【0015】第2の発明の厚膜パターン形成方法は、少なくとも樹脂成分と無機成分とを含む第1層形成材料を用いて、前記樹脂成分が0.5〜4重量%を占める第1 The thick film pattern forming method of the second invention, by using the first layer forming material containing at least a resin component and an inorganic component, wherein the first resin component accounts for 0.5 to 4 wt%
層を基板上に形成する第1工程と、上述のようなパターン形成材料を第2層形成材料として用いて前記第1層上に印刷法によって第2層を所定パターンで形成する第2 A first step of forming a layer on the substrate, the forming the second layer by a printing method using a pattern forming material as described above as the second layer forming material on the first layer in a predetermined pattern 2
工程と、第2層をレジストマスクとし露出している前記第1層をエッチング法により除去し、第1層と第2層の積層構造からなるパターンを形成する第3工程と、50 A step, a third step of the first layer exposed by the second layer and the resist mask is removed by etching to form a pattern having a stacked structure of the first and second layers, 50
0〜600℃で焼成して前記パターンを厚膜パターンとするとともに、該厚膜パターンを基板に固着させる第4 With a thick film pattern the pattern was baked at 0 to 600 ° C., 4 to fix the thick-film pattern on the substrate
工程と、を備えるような構成とした。 A step, and the like comprising configure.

【0016】そして、前記第3工程のエッチング法がサンドブラスト法であるような構成とした。 [0016] Then, etching of the third step is configured as a sandblasting.

【0017】また、前記第2工程の印刷法が中間転写媒体を介した凹版オフセット印刷法であるような構成、さらに、前記中間転写媒体が少なくとも最表面がジメチルシロキサン単位を主成分とするシリコーン樹脂であり、 Further, the printing method of the second step as an intaglio offset printing method configured via an intermediate transfer medium, further, a silicone resin wherein the intermediate transfer medium is at least the outermost surface is mainly composed of dimethyl siloxane units It is in,
前記第1層上に前記第2層形成材料を転写して第2層を形成する際の前記第2層形成材料の転移率が100%であるような構成、前記凹版オフセット印刷法に使用する凹版の版深が10〜50μmであるような構成とした。 Wherein such transition of the second layer forming material is 100% construction for forming the second layer by transferring said second layer forming material on the first layer, using said intaglio offset printing plate depth of intaglio has a configuration such that 10~50μm.

【0018】また、前記第2工程の印刷法がスクリーン印刷法であるような構成とした。 [0018] The printing method of the second step is configured as a screen printing method.

【0019】さらに、前記第2層の乾燥後の厚みが3〜 Furthermore, the thickness after drying of the second layer 3
50μmであるような構成とした。 It was configured such that 50 [mu] m.

【0020】このような本発明の厚膜パターン形成方法では、第3工程において第1層と第2層の積層構造からなるパターンを形成した後、従来のレジストマスク剥離工程を省略して焼成工程である第4工程に直接移行し、 [0020] In thick film pattern forming method of the present invention, after forming the pattern in the third step a stacked structure of the first layer and the second layer, baking is omitted a conventional resist mask stripping step process It goes directly to the fourth step is,
第3工程でレジストマスクとして作用した第2層から樹脂成分が焼成除去され、かつ、無機成分が融着されて第1層と第2層とが一体化されて厚膜パターンとなる。 The resin component is baked removed from the second layer acts as a resist mask in the third step, and a thick film pattern inorganic components are integrated and the first and second layers are fused.

【0021】第3の発明のプラズマディスプレイパネルは、表示放電空間を形成する障壁が上述のいずれかの厚膜パターン形成方法により形成されたものであるような構成とした。 A third plasma display panel of the present invention is a barrier for forming a display discharge space is configured as those formed by any of the thick film pattern forming method as described above.

【0022】このような本発明のプラズマディスプレイパネルでは、障壁がガラス基板に対して垂直に切り立ち、かつ、幅が狭く十分な高さを有することが可能となる。 [0022] In the plasma display panel of the present invention, barrier bluff perpendicular to the glass substrate, and it is possible to have a width narrow enough height.

【0023】 [0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の最良の実施形態について説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described preferred embodiments of the present invention.

【0024】本発明のパターン形成材料は、少なくとも樹脂成分を含むものであり、この樹脂成分は乾燥した状態のパターン形成材料において5〜100重量%を占めるように含有され、かつ、600℃以下の焼成、例えば、300〜600℃の範囲における焼成で揮発または分解するものである。 The pattern forming material of the present invention contains at least a resin component, the resin component is contained so as to occupy 5 to 100 wt% in the pattern forming material of the dry state, and, of 600 ° C. or less firing, for example, is to volatilize or decompose at baking in the range of 300 to 600 ° C.. 本発明のパターン形成材料は、さらに軟化温度が450〜600℃である無機粉体を含有するものである。 Pattern forming material of the present invention is further softening temperature containing inorganic powder is 450 to 600 ° C..

【0025】本発明のパターン形成材料を構成する樹脂成分は、上述のように600℃以下の低温における焼成によって揮発、分解して、パターン材料中に炭化物を残存させることのないものである。 The resin component constituting the pattern forming material of the present invention, volatile by calcining at a low temperature of 600 ° C. or less as described above, is decomposed, but never to leave the carbide in the pattern material. このような樹脂成分としては、セルロース系樹脂、ポリメタクリル酸エステル類、ポリ−α−メチルスチレン、ポリビニルアルコール、ポリブテン等を挙げることができる。 As such resin component include cellulose resins, polymethacrylic acid esters, poly -α- methyl styrene, polyvinyl alcohol, polybutene and the like. ただし、後述する中間転写媒体を介した凹版オフセット印刷法を用いて基板上に本発明のパターン形成材料を印刷する場合は、樹脂成分として高分子量の樹脂を使用すると、パターン形成材料中に低分子量の溶剤を多く含有する必要が生じ、パターン形成材料の機上安定性が悪くなったり、 However, when printing the pattern forming material of the present invention on a substrate using a gravure offset printing method via an intermediate transfer medium to be described later, the use of high molecular weight resin as a resin component, a low molecular weight in the pattern forming material it is necessary to contain a large amount of the solvent, may become poor press stability of the pattern forming material,
中間転写媒体の膨潤が発生して好ましくない。 Undesirable swelling of the intermediate transfer medium is generated. このため、樹脂成分として、常温で液体のオリゴマーが好ましく、また、低分子量の樹脂を使用する場合には、分子量が100以上の樹脂が好ましい。 Therefore, as a resin component, the oligomer liquid preferably at room temperature, also when using a resin of low molecular weight, molecular weight is preferably 100 or more resins.

【0026】上記の樹脂成分の揮発、分解温度が600 The volatilization of the resin component, decomposition temperature 600
℃を超えると、樹脂成分を除去する際の焼成温度が高くなり、例えば、プラズマディスプレイパネル等に使用されるガラス基板上に厚膜パターン形成を行う場合に、ガラス基板に熱変形が生じることになり好ましくない。 When ℃ weight, the firing temperature in removing the resin component is high, for example, in the case where a glass substrate used for a plasma display panel or the like performing thick film patterning, to thermal deformation in the glass substrate unfavorably. 一方、樹脂成分の揮発、分解温度の下限は特に制限はないが、揮発、分解温度が低くなるほど完全に揮発または分解する樹脂の種類が少なくなり材料選択の幅が狭くなるので、例えば、樹脂成分の揮発、分解温度の下限を30 On the other hand, the volatilization of the resin component is not particularly limited lower limit of the decomposition temperature, volatilization, since the decomposition temperature is higher width completely evaporated or type of decomposed resin less and less material selection is narrowed low, for example, a resin component volatile, the lower limit of the decomposition temperature 30
0℃程度に設定することが好ましい。 It is preferably set to approximately 0 ° C.. さらに、乾燥した状態のパターン形成材料に占める樹脂成分が5重量%未満であると、パターン形成材料の柔軟性が不十分なものとなり、良好な耐エッチング性が得られない。 Further, the resin component occupies the pattern forming material of the dry state is less than 5 wt%, it becomes insufficient flexibility of the pattern forming material can not be obtained satisfactory etch resistance.

【0027】本発明のパターン形成材料に使用可能な無機粉体は、焼成において流動して相互に固着するような低軟化温度ガラス粉末等の無機粉体を主成分とするものである。 The inorganic powder which can be used in the pattern forming material of the present invention is mainly composed of inorganic powders such low softening temperature glass powder as fixed to each other flow in the firing. また、これらの無機粉体とともに、焼成において軟化しないアルミナ、ジルコニア等のセラミックス粉体も使用することができる。 Moreover, with these inorganic powders, alumina does not soften at firing, also ceramic powder such as zirconia can be used. このような無機粉体のパターン形成材料中の含有量は、樹脂成分100重量部に対して0〜1900重量部の範囲が好ましい。 Such amount of the inorganic powder of the pattern forming material is in the range of 0 to 1,900 parts by weight per 100 parts by weight of the resin component. また、軟化温度が450〜600℃である無機粉体が全無機成分中に占める量は、0〜50重量%程度が好ましい。 The amount of inorganic powder softening temperature of 450 to 600 ° C. is in the total inorganic component, preferably about 0-50 wt%. このような無機粉体は、500〜600℃における焼成で上記の樹脂成分が揮発または分解する際に融着を生じ、焼成後のパターン形成材料中には、融着を生じた無機成分は存在するが、樹脂成分の痕跡や炭化物は残存しないものとなる。 Such inorganic powder may cause fusion at the time of volatilization or decomposition above resin components in the firing at 500 to 600 ° C., the pattern forming material after calcination, the inorganic component is present resulting fusion Suruga, traces or carbide of the resin component becomes no remaining. 無機粉体の軟化温度が600℃を超えると焼成温度を高くする必要があり、例えば、プラズマディスプレイパネル等に使用されるガラス基板上に厚膜パターン形成を行う場合に、ガラス基板に熱変形が生じることになり好ましくない。 Must softening temperature of the inorganic powder to increase the the firing temperature exceeds 600 ° C., for example, in the case of a thick film pattern formed on a glass substrate used for a plasma display panel or the like, thermal deformation of the glass substrate unfavorably to be caused. また、450℃未満では、樹脂成分が完全に分解、揮発する前に無機成分が融着するため空隙を生じやすく好ましくない。 Further, it is less than 450 ° C., the resin component is completely decomposed, the inorganic component is undesirably prone to voids to fuse before volatilization. さらに、後述するプラズマディスプレイパネルの製造では、焼成工程後に約45 Furthermore, in the production of a plasma display panel will be described later, approximately after firing process 45
0℃で封着を行うため、低軟化温度の無機粉体の使用は好ましくない。 To perform the sealing at 0 ° C., using an inorganic powder having a low softening temperature is undesirable.

【0028】このような本発明のパターン形成材料は、 The pattern forming material of the present invention,
上述の樹脂成分と無機粉体を低揮発性の溶剤に混合し、 Mixing the resin component and the inorganic powder described above in low volatility solvents,
ロールミルにより混練してペースト状の塗布液とするか、あるいは、ボールミル等により混練してスラリー状の塗布液として得ることができる。 Or a kneaded paste of the coating solution by a roll mill, or may be obtained as a slurry-like coating solution were kneaded by a ball mill or the like. 使用する低揮発性の溶剤としては、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ジオクチルフタレート、ジイソデシルフタレート等を挙げることができる。 The low volatility of the solvent used, mention may be made of triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol, polyethylene glycol, polypropylene glycol, dioctyl phthalate, diisodecyl phthalate.

【0029】次に、本発明の厚膜パターン形成方法を図面を参照しながら説明する。 A description will now be given with a thick film pattern forming method of the present invention with reference to the drawings. 尚、本発明でいう厚膜パターンとは、金属、セラミックス、ガラス等の粉体を樹脂成分中に分散させた塗料を塗布して焼結することにより得られる膜を示すものであり、膜厚の大きな膜を意味するものではない。 Note that the thick film pattern in the present invention, which shows a metal, ceramics, a powder of glass or the like by applying a coating material is dispersed in a resin component film obtained by sintering, the film thickness large membrane does not mean of.

【0030】図1は、本発明の厚膜パターン形成方法を説明するための図面である。 FIG. 1 is a view for explaining a thick film pattern forming method of the present invention. 本発明の厚膜パターン形成方法は、まず、第1工程として図1(A)に示されるように、基板1上に第1層2を形成する。 Thick film pattern forming method of the present invention, first, as shown in FIG. 1 (A) as a first step to form a first layer 2 on the substrate 1. この第1層2 The first layer 2
は、第1層形成材料を用いてスクリーン印刷、ブレードコーティング、コンマコーティング、リバースロールコーティング、スプレーコーティング、ガンコーティング、エキストルージョンコーティング、リップコーティング等の公知の塗布手段を用いて形成される。 Screen printing by using the first layer forming material, blade coating, comma coating, reverse roll coating, spray coating, gun-coating, extract intrusion coating is formed using a known coating means such as a lip coating. また、フィルム上に第1層形成材料を上記塗布手段により塗布し、この塗布膜を基板1上に転写して第1層2を形成してもよい。 Further, the first layer forming material is applied by the coating means on the film, the coating film may be formed first layer 2 and transferred onto the substrate 1. このような転写方式を用いることにより、必要部分のみにパターン状に第1層2を形成することができ、また、膜厚精度、表面平滑性が良好なものとなる。 By using such a transfer method, it is possible to form the first layer 2 in a pattern required portion only, and the film thickness accuracy, surface smoothness is improved.
このように形成される第1層2の厚みは、目的とする厚膜パターンの厚みに対応して適宜設定することができる。 The first layer 2 of a thickness which is formed in this way, can be appropriately set corresponding to the thickness of the thick film pattern of interest.

【0031】上記の第1層形成材料は樹脂成分と必要に応じて無機成分等を含み、乾燥後の状態で樹脂成分が0.5〜4重量%を占めるものである。 The first layer forming material described above comprises an inorganic component as necessary and a resin component, the resin component in the state after drying are those which accounts for 0.5 to 4 wt%. 樹脂成分が0. Resin component 0.
5重量%未満では、第1層形成材料の塗布液安定性が悪く、また、塗布後乾燥されて形成された第1層にひび割れが発生するので好ましくない。 In less than 5% by weight, poor coating liquid stability of the first layer forming material, and since cracks are generated in the first layer formed is dried after coating it is not preferred. 一方、樹脂成分が4重量%を超えると、後述する第3工程においてエッチング加工の効率が悪くなり好ましくない。 On the other hand, if the resin component exceeds 4 wt%, unfavorably deteriorates the efficiency of the etching in the third step described below.

【0032】使用する樹脂成分は、低温における焼成によって燃焼、分解あるいは気化して、パターン材料中に炭化物を残存させることのないものである。 The resin component to be used, combustion by firing at low temperatures, decompose or vaporize, but never to leave the carbide in the pattern material. このような樹脂成分としては、エチルセルロース、メチルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート等のセルロース系樹脂、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ノルマルブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、2−エチルメチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の重合体またはこれらの共重合体からなるポリ(メタ)アクリル酸エステル類、ポリ−α−メチルスチレン、ポリビニルアルコール、ポリブテン等を挙げることができる。 Examples of such a resin component, cellulose, methyl cellulose, nitrocellulose, cellulose acetate, cellulose propionate, cellulose resins, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate and cellulose butyrate , isobutyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, 2-ethyl methyl (meth) acrylate, 2-polymers such as hydroxyethyl (meth) acrylate or consisting of a copolymer of poly (meth) acrylic acid esters , mention may be made of poly -α- methyl styrene, polyvinyl alcohol, polybutene and the like.

【0033】また、第1層形成材料に含有される無機成分は、焼成において軟化しない耐火物フィラーと、焼成において流動して相互に固着するような低融点ガラス粉末を主成分とするものである。 Further, the inorganic ingredients contained in the first layer forming material, a refractory filler that does not soften at firing, as a main component low melting point glass powder as fixed to each other flow in a firing .

【0034】低融点ガラス粉末は、例えば、PDPの障壁用として、PbOを50重量%以上含み、ガラスの分相を防止する効果をもたせたり、軟化温度を調整したり、熱膨張係数をガラス基板に合わせたりするために、 The low-melting glass powder, for example, as a barrier PDP, comprises PbO 50 wt% or more, or remembering effect of preventing the phase separation of glass, or adjust the softening temperature, the glass substrate coefficient of thermal expansion in order to adjust them to,
Al 23 、B 23 、SiO 2 、MgO、CaO、S Al 2 O 3, B 2 O 3, SiO 2, MgO, CaO, S
rO、BaO等を含有するものを使用することが好ましい。 and rO, it is preferable to use those containing BaO or the like.

【0035】耐火物フィラーとしては、500〜600 [0035] as a refractory filler, 500-600
℃程度の焼成温度で軟化しないものが広く使用でき、安価に入手できるものとして、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、カルシア、コージュライト、シリカ、ムライト等のセラミックス粉体を挙げることができる。 Which does not soften at ℃ about the firing temperature can be widely used, as available inexpensively, there can be mentioned alumina, magnesia, zirconia, calcia, cordierite, silica, ceramic powder mullite.

【0036】そして、無機成分中の低融点ガラス粉末の含有率は30〜70重量%が好ましい。 [0036] Then, the content of the low-melting glass powder in the inorganic component is preferably 30 to 70 wt%. 低融点ガラス粉末の含有率が70重量%を超えると、焼成による形状保持性が低下し、また脱バインダー性が損なわれ緻密性が悪化するので好ましくない。 When the low-melting glass powder content exceeds 70 wt%, baked shape retention property is lowered due to, Since debinding properties denseness is deteriorated impaired unfavorably. 低融点ガラス粉末の含有率が30重量%未満であると、耐火性フィラーの間隙を充分に埋めることできず、緻密性が悪化するとともに焼成後の機械的強度が低下し、PDPにおけるパネル封着の際に欠けを生じる。 When the low-melting glass powder content of less than 30 wt%, can not be filled the gap refractory filler sufficiently, the mechanical strength after firing is reduced with denseness is deteriorated, the panel sealing in the PDP cause chipping at the time of. このような無機成分の第1層形成材料中の含有量は、樹脂成分100重量部に対して0〜2 The content of the first layer forming material of such inorganic components, with respect to 100 parts by weight of the resin component 0-2
400重量部の範囲が好ましい。 Preferably in the range of 400 parts by weight.

【0037】また、PDPの障壁用としての第1層形成材料では、PDPの外光反射を低減して実用上のコントラストを上げるために、黒色顔料を含有させて形成する障壁を黒色とすることができる。 Further, in the first layer forming material for the barrier PDP, in order to reduce external light reflection of the PDP increases the contrast of the practical, that the barrier to be formed by containing a black pigment and black can. この場合、使用する黒色顔料は、Co−Cr−Fe、Co−Mn−Fe、Co In this case, a black pigment to be used, Co-Cr-Fe, Co-Mn-Fe, Co
−Fe−Mn−Al、Co−Ni−Cr−Fe、Co− -Fe-Mn-Al, Co-Ni-Cr-Fe, Co-
Ni−Mn−Cr−Fe、Co−Ni−Al−Cr−F Ni-Mn-Cr-Fe, Co-Ni-Al-Cr-F
e、Co−Mn−Al−Cr−Fe−Si等の耐火性の黒色顔料が好ましい。 e, refractory black pigments such as Co-Mn-Al-Cr-Fe-Si is preferable. 一方、蛍光体の発光を有効にパネル前面に導く目的で、逆に白色顔料を含有させて形成する障壁を白色とすることができる。 On the other hand, for the purpose of guiding the effective panel front light emitted from the phosphor, the barrier forming contain a white pigment in the reverse may be white. この場合、使用する白色顔料は、チタニア等の耐火性の白色顔料が好ましい。 In this case, the white pigment used is refractory white pigment titania are preferable.

【0038】さらに、第1層形成材料には、添加剤として、可塑剤、界面活性剤、消泡剤、酸化防止剤等が必要に応じて用いられる。 [0038] Further, the first layer forming material, as an additive, a plasticizer, a surfactant, a defoaming agent, optionally used is such as an antioxidant. このうち可塑剤としては、フタル酸エステル類、セバチン酸エステル類、リン酸エステル類、アジピン酸エステル類、グリコール酸エステル類、 Among these, as the plasticizer, phthalic acid esters, sebacic acid esters, phosphoric acid esters, adipic acid esters, glycolic acid esters,
クエン酸エステル類等が一般的に用いられる。 Citric acid esters are generally used. 可塑剤の添加率が高すぎると樹脂成分の柔軟性が増しすぎ、後述するサンドブラスト法によるエッチング速度が遅くなるので、可塑剤の添加量は樹脂成分に対して重量比で1/ When the addition rate of the plasticizer is too high too increases the flexibility of the resin component, since the etching rate becomes slow by sandblasting to be described later, the amount of plasticizer in a weight ratio of the resin component 1 /
5以下が好ましい。 5 or less are preferred.

【0039】また、第1層形成材料には、用いる樹脂成分に対して良溶媒である溶剤、例えば、テルピオネート、ブチルカルビトールアセテート等を含有させることができる。 Further, the first layer forming material, the solvent is a good solvent for the resin component used, for example, may contain Terupioneto, butyl carbitol acetate and the like. 溶剤の選定は、溶剤の揮発性と使用する樹脂成分の溶解性を主に考慮して行われる。 Selection of the solvent is carried out mainly considering the solubility of the resin component to be used with volatile solvents. 樹脂成分に対する溶剤の溶解性が低いと、固形分比が同一でも第1層形成材料の粘度が高くなってしまい、塗布適性が悪化するので好ましくない。 The low solubility of the solvent to the resin component, even solids ratio is the same becomes higher viscosity of the first layer forming material is not preferable because the coating suitability is deteriorated. また、溶剤の含有率は、第1層形成材料内の気泡を抜くことでき、レベリングが良好で塗布膜の平滑性が良好な粘度範囲であり、かつ、第1層形成材料内の分散粒子の沈降が遅く組成が安定し、乾燥に要するエネルギーと時間が少なくてすむように設定することができ、例えば、25〜50重量%程度が好ましい。 The content of the solvent can be remove bubbles in the first layer formed in the material, the leveling is smoothness is good viscosity range of good coating film, and the dispersed particles of the first layer formed in the material precipitation is slow composition is stable, less energy and time required for drying can be configured to need, for example, preferably about 25 to 50 wt%.

【0040】上記のような第1層形成材料は、樹脂成分に必要な無機成分、溶剤、添加物を加えた混合物をボールミルにより分散調合することで得られる。 The first layer forming material as described above, inorganic components necessary for the resin component, a solvent, obtained by dispersing formulated by dispersing the additive mixture was added. この場合、 in this case,
樹脂成分を溶剤で溶解し必要に応じて添加剤を加えた溶液中に無機成分(低融点ガラス粉末と耐火物フィラー) Inorganic component a resin component in a solution by adding additives as necessary is dissolved in a solvent (low-melting glass powder and the refractory filler)
を混合してなる混合物を作成した後、この混合物をボールミルにかけて分散調合するが、不純物の混入を避けるためにセラミックスボールを用い、さらに、好ましくは内壁がセラミックスやプラスチックで被覆されたボールミルを使用する。 After creating a a obtained by mixing the mixture will be dispersed formulate the mixture ball milling, using a ceramic ball to avoid contamination of impurities, further preferably using a ball mill inner wall is coated with a ceramic or plastic . そして、分散調合した後、真空攪拌機を用いて減圧脱泡する。 Then, after the dispersion formulation, vacuum defoaming using a vacuum stirrer.

【0041】次に、第2工程として、上述の本発明のパターン形成材料を第2層形成材料として使用し、第1層2上に印刷法によって所定パターンで印刷し乾燥して溶剤を除去することにより第2層3を形成する(図1 Next, as a second step, using the pattern forming material of the present invention described above as the second layer forming material, removing the solvent by printing and dried in a predetermined pattern by a printing method on the first layer 2 forming the second layer 3 by (Figure 1
(B))。 (B)). この第2層は、乾燥後において、上述のように樹脂成分が5〜100重量%を占めるため、適度な柔軟性を有し、後述するサンドブラスト法によるエッチングに対して優れた耐エッチング性を示す。 The second layer, shown after drying, to occupy 5 to 100% by weight resin component as described above, has appropriate flexibility, excellent etching resistance to etching by later-described sandblasting . このような第2層3の厚みは3〜50μm程度が好ましい。 The second layer 3 has a thickness of about 3~50μm are preferred. 第2層3 The second layer 3
の厚みが3μm未満であると、十分な耐エッチング性が得られず、50μmを超えるとパターンのエッジ精度が低下し、さらに膜厚の均一性が悪くなる。 When the thickness of less than 3 [mu] m, can not be obtained sufficient etch resistance, if it exceeds 50μm decrease the pattern edge accuracy, further uniformity of the film thickness is deteriorated. また、第2層3のパターンの幅は、30〜300μmの範囲で目的とする厚膜パターンに応じて適宜設定することができる。 The width of the pattern of the second layer 3 can be appropriately set according to the thick film pattern of interest in the range of 30 to 300 [mu] m.

【0042】上記の第2層3を形成するための印刷法としては、スクリーン印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、平版オフセット印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷等が挙げられるが、高いパターン精度で上記の3〜5 [0042] As a printing method to form a second layer 3 of the screen printing, intaglio printing, intaglio offset printing, lithographic offset printing, letterpress printing, although letterpress offset printing or the like, in the above high pattern accuracy 3-5
0μm程度の膜厚の第2層を安定して形成できる方法としては、凹版オフセット印刷、スクリーン印刷が特に好ましい。 As a method of the 0μm about thickness second layer can be formed stably, intaglio offset printing, screen printing is particularly preferred.

【0043】図2は、この第2工程において、中間転写媒体を介した凹版オフセット印刷による第2層の形成を説明する図である。 [0043] Figure 2, in this second step is a diagram for explaining the formation of the second layer by intaglio offset printing through an intermediate transfer medium. 図2において、まず、平板状の凹版11の凹部11aに、本発明のパターン形成材料からなる第2層形成材料12をドクターを用いて充填し、この凹版11上を中間転写媒体であるブランケット胴21を転動させる(図2(A))。 2, first, the recess 11a of a flat intaglio 11, a blanket cylinder and a second layer forming material 12 composed of a pattern forming material of the present invention were filled with a doctor, an intermediate transfer medium on the intaglio 11 21 is rolled (FIG. 2 (a)). ブランケット胴21は、周面にブランケット22を備えており、凹版11の凹部1 Blanket cylinder 21 is provided with a blanket 22 on a peripheral surface, the recess 1 of the intaglio 11
1aからブランケット22上に第2層形成材料12が転移される。 The second layer forming material 12 is transferred from 1a onto the blanket 22. 凹版11は、ドクターブレードの耐久性を高め、ブランケット22への第2層形成材料12の転移性に優れたものが好ましく、例えば、ガラス、金属、もしくはその複合体を用いることができる。 Intaglio 11 enhances the durability of the doctor blade is preferably one excellent in metastatic second layer forming material 12 to the blanket 22, for example, glass, metal, or composites thereof a. また、ドクターブレードは、掻き取り性と耐久性を備えることが要求され、材質としてはSUSが好ましい。 Also, the doctor blade is be provided with a scraping and durability are required, SUS is preferred as the material. 次いで、このブランケット胴21を、基板1上に形成された第1層2上に転動させてブランケット22上から第1層2上に第2層形成材料12を転移して第2層3を転写形成する(図2 Then, the blanket cylinder 21, the second layer 3 by transferring the second layer forming material 12 is rolled on the first layer 2 formed on the substrate 1 from above blanket 22 on the first layer 2 transfer form (FIG. 2
(B))。 (B)). この場合、ブランケット22の少なくとも最表面をジメチルシロキサン単位を主成分とするシリコーン樹脂で形成し、第2層形成材料12の動的粘性率(1 In this case, at least the outermost surface is formed with a silicone resin composed mainly of dimethylsiloxane units, the dynamic viscosity of the second layer forming material 12 of the blanket 22 (1
0H z )を500〜4000poise の範囲とすることにより、ブランケット22上から第1層2上への第2層形成材料12の転移率を100%とすることができる。 By the 0H z) in the range of 500~4000Poise, the metastasis rate of the second layer forming material 12 from the upper blanket 22 to the first layer 2 above can be 100%. また、凹版11の凹部11aの深さ(版深)を10μm以上、好ましくは10〜50μmとし、第2層形成材料1 The depth of the recess 11a of the intaglio 11 (plate depth) 10 [mu] m or more, preferably a 10 to 50 [mu] m, the second layer forming material 1
2の動的粘性率(10H z )を500〜4000poise 2 dynamic viscosity of (10H z) 500~4000poise
の範囲とすることにより、上述のような厚み3〜50μ With the range of the thickness as described above 3~50μ
mの第2層を形成することができる。 It is possible to form the second layer of m. 第2層形成材料1 A second layer forming material 1
2の動的粘性率(10H z )が500poise 未満であると、ブランケット22上から第1層2上への第2層形成材料12の転移率が低くなり、4000poise を超えると凹版11からブランケット22への第2層形成材料1 When 2 Dynamic viscosity (10H z) is less than 500Poise, metastasis rate of the second layer forming material 12 from the upper blanket 22 to the first layer 2 above is lowered, the blanket 22 from the intaglio 11 exceeds 4000poise a second layer forming material into 1
2の転移が悪くなったり、凹版11上でのドクターリングの際に掻き残しが生じるので好ましくない。 Or 2 of the transition is getting worse, because the left scraping at the time of the doctor ring on the intaglio 11 is caused undesirable.

【0044】また、スクリーン印刷法により第2層3を形成する場合には、使用するスクリーンは100〜50 [0044] In the case of forming the second layer 3 by the screen printing method, a screen to be used 100-50
0メッシュ程度が好ましい。 0 about mesh is preferable.

【0045】次に、第3工程として、第2層3をレジストマスクとし、露出している第1層2をエッチング法により除去して、第1層2と第2層3の積層構造からなるパターンを形成する(図1(C))。 Next, as a third step, the second layer 3 as a resist mask, the first layer 2 exposed is removed by etching, a laminated structure of the first layer 2 and second layer 3 forming a pattern (FIG. 1 (C)). エッチング法としては、微粒子が混合された圧縮気体を高速で噴射して物理的にエッチングを行う、いわゆるサンドブラスト法が好ましい。 As an etching method, performing physical etching the compressed gas fine particles are mixed is injected at high speed, the so-called sand blast method is preferred.

【0046】次いで、第4工程として、500〜600 [0046] Next, as a fourth step, 500-600
℃で焼成することによって第1層2と第2層3からなるパターンを厚膜パターン4とする(図1(D))。 ℃ a pattern of the first layer 2 and second layer 3 by firing a thick film pattern 4 (FIG. 1 (D)). この第4工程では、第2層3に含まれる樹脂成分は、第1層2に含まれる樹脂成分とともに揮発、あるいは分解され、炭化物を残存することなく除去される。 In the fourth step, the resin component contained in the second layer 3, the volatile together with the resin component contained in the first layer 2, or decomposed and removed without remaining the carbide. また、第2 In addition, the second
層3に無機粉体が含まれる場合には、焼成によって第2 When the inorganic powder contained in the layer 3, first by firing 2
層3に含まれる無機粉体は融着を生じ、同じく融着を生じている第1層2の無機成分と融着する。 Inorganic powder contained in the layer 3 results in fusion, also fused with the inorganic component of the first layer 2 occurring fusion. これにより、 As a result,
上記の第3工程においてレジストマスクとして作用した第2層3を、湿式方式による剥離工程を経ることなく除去することができ、形成された厚膜パターン層4は、基板1に十分な強度をもって固着される。 The second layer 3 which acts as a resist mask in the third step described above, can be removed without a separation step by a wet method, a thick film pattern layer 4 is formed, with sufficient strength to the substrate 1 fixed It is.

【0047】次に、本発明のプラズマディスプレイパネルについて説明する。 Next, a description will be given of a plasma display panel of the present invention.

【0048】図3は本発明のプラズマディスプレイパネルの一実施形態であるAC型プラズマディスプレイパネル(PDP)を示す概略構成図であり、前面ガラス基板と背面ガラス基板を離した状態を示したものである。 [0048] Figure 3 is a schematic diagram illustrating an AC type plasma display panel (PDP) according to an embodiment of the plasma display panel of the present invention, it shows a state in which release the front glass substrate and a rear glass substrate is there. 図3において、PDP31は前面ガラス基板32と背面ガラス基板33とが互いに平行に、かつ対向して配設されており、背面ガラス基板33の前面側には、これに立設するように障壁34が形成され、この障壁34によって前面ガラス基板32と背面ガラス基板33とが一定間隔で保持される。 In FIG. 3, PDP31 is disposed between the front glass substrate 32 and the back glass substrate 33 is in parallel to each other, and to face, on the front side of the back glass substrate 33, the barrier 34 so as to stand on this There is formed by the barrier 34 and the front glass substrate 32 and the back glass substrate 33 is held at regular intervals. この障壁34は、通常、高さHが30〜 The barrier 34 is typically 30 to a height H
300μm、幅Wが30〜300μmの範囲で設定され、アスペクト比H/Wは0.1〜10程度とされる。 300 [mu] m, the width W is set in the range of 30 to 300 [mu] m, the aspect ratio H / W is about 0.1 to 10.
そして、前面ガラス基板32の背面側には透明電極である維持電極35と金属電極であるバス電極36とからなる複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層37が形成されており、さらにその上にMgO層3 Then, a composite electrode consisting of a bus electrode 36. The back side is sustain electrode 35 and the metal electrode is a transparent electrode of the front glass substrate 32 are parallel to each other, a dielectric layer 37 is formed over this cage, further MgO layer 3 thereon
8が形成されている。 8 is formed. また、背面ガラス基板33の前面側には上記複合電極と直交するように障壁34の間に位置してアドレス電極39が互いに平行に形成され、さらに障壁34の壁面とセルの底面を覆うようにして蛍光体層40が設けられている。 Further, the address electrodes 39 positioned between the barrier 34 so as to be perpendicular to the composite electrode are formed in parallel with each other, so as to cover the bottom wall and the cell barriers 34 on the front side of the back glass substrate 33 phosphor layer 40 is provided Te. このAC型PDPでは、前面ガラス基板32上の複合電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を形成することにより、前面ガラス基板32と背面ガラス基板33と障壁34とで区画される表示要素としての各セル内で放電が行われる。 In the AC-type PDP, by forming an electric field by applying a predetermined voltage from the AC power supply between the composite electrodes on the front glass substrate 32, it is defined by the front glass substrate 32 and the back glass substrate 33 and the barrier 34 discharge is performed in each cell as a display element. そして、 And,
この放電により生じる紫外線により蛍光体層40が発光させられ、前面ガラス基板32を透過してくるこの光を観察者が視認するようになっている。 Phosphor layer 40 is caused to emit light by ultraviolet rays generated by this discharge, the viewer the light transmitted through the front glass substrate 32 is adapted to be viewed.

【0049】このような構成のプラズマディスプレイパネルにおける障壁34は、上述の本発明のパターン形成方法により前面ガラス基板32上に形成されたものである。 The barrier 34 in the plasma display panel having such a configuration, and is formed on a front glass substrate 32 by the pattern forming method of the present invention described above. したがって、障壁34は上記のような高アスペクト比を有するものとすることができ、高輝度で高精細なプラズマディスプレイパネルが可能となる。 Thus, the barrier 34 can be made to have a high aspect ratio as described above, high-definition plasma display panel can be performed with high brightness.

【0050】 [0050]

【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。 EXAMPLES Next, more detailed description of the present invention by showing Examples. (実施例1)まず、厚み2mmのガラス基板上に、Ag (Example 1) First, a glass substrate to a thickness of 2 mm, Ag
電極パターンを厚膜ペーストを用いて焼成して形成した。 The electrode pattern was formed by baking using a thick film paste.

【0051】次に、第1工程として、電極パターンを形成したガラス基板上に、第1層形成材料として下記の組成の障壁用ペーストをリバースロールコーターにより塗布し、ホットプレートにより100℃にて30分間乾燥した後、さらに170℃で20分間乾燥して、平均膜厚150μmの第1層を形成した(図1(A)に相当)。 Next, as a first step, on a glass substrate provided with the electrode patterns, the barrier paste of the following composition was applied by a reverse roll coater as the first layer forming material, at 100 ° C. with a hot plate 30 after drying minutes, and further dried at 170 ° C. 20 minutes to form a first layer having an average thickness of 150 [mu] m (corresponding to FIG. 1 (a)).

【0052】 障壁用ペーストの組成・ガラスフリット(イワキガラス(株)製KF6274)… 80重量部 ・エチルセルロース (ダウ・ケミカル社製エトセルSTD100) … 1重量部 ・ブチルカルビトールアセテート … 19重量部 一方、下記の9種(A〜I)の組成のパターン形成材料を準備した。 [0052] Composition of glass frit barrier paste (manufactured by Iwaki Glass (Co.) KF6274) ... 80 parts by weight of ethyl cellulose (Dow Chemical Company Ethocel STD100) ... 1 part by weight of butyl carbitol acetate ... 19 parts by weight of one, nine following the pattern forming material of the composition of (a to I) were prepared. 尚、各パターン形成材料の動的粘性率(1 Incidentally, the dynamic viscosity of the pattern forming material (1
0H z )を下記に表1に示した。 Shown in Table 1 0H z) below.

【0053】 パターン形成材料Aの組成・エチルセルロース(ハーキュレス社製N−22) (分解温度400℃) … 10重量部 ・ポリエチレングリコールモノメタクリレート (新中村化学(株)製M40G、分解温度560℃) … 90重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 50重量部パターン形成材料Bの組成・マレイン化ポリブテン(日本油脂(株)製MPB) (分解温度480℃) … 50重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 50重量部パターン形成材料Cの組成・アクリル樹脂(分解温度550℃) (共栄社油脂(株)製ポリフローNo.3) … 95重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4 [0053] pattern forming material composition, ethylcellulose A (Hercules, Inc. N-22) (decomposition temperature 400 ° C.) ... 10 parts by weight of polyethylene glycol monomethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. M40G, decomposition temperature 560 ° C.) ... 90 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass Co., Ltd. KF6274) ... 50 parts by weight of the patterning material composition of B-maleic polybutene (MPB NOF Corporation) ( decomposition temperature 480 ° C.) ... 50 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass Co., Ltd. KF6274) ... 50 parts by weight of the patterning material C composition acrylic resin (decomposition temperature 550 ° C. ) (Kyoeisha Yushi Co., Ltd. Polyflow No.3) ... 95 parts by weight glass frit (average particle size 4 m、軟化温度480℃) (マツナミガラス(株)製MB-13 ) … 5重量部パターン形成材料Dの組成・ポリエチレングリコールモノメタクリレート (新中村化学(株)製M40G、分解温度560℃) … 80重量部 ・メタクリル樹脂(分解温度330℃) (三菱レーヨン(株)製BR105) … 20重量部パターン形成材料Eの組成・トリエチレングリコールモノブチルエーテル … 94重量部 ・β−メタクリロイルオキシエチレンハイドロジエンフタレート (新中村化学(株)製CB−1、分解温度390℃) … 1重量部 ・メタクリル樹脂(分解温度330℃) (三菱レーヨン(株)製BR105) … 5重量部パターン形成材料Fの組成・トリエチレングリコールモノブチルエーテル … 94重量部 ・β−メタクリロイルオキシエチ m, a softening temperature of 480 ° C.) (Matsunami Glass Co., Ltd. MB-13) ... 5 parts by weight pattern forming material composition Polyethylene glycol monomethacrylate D (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. M40G, decomposition temperature 560 ° C.) ... 80 parts by weight of methacrylic resin (decomposition temperature 330 ° C.) (Mitsubishi rayon Co., Ltd. BR105) ... 20 parts by weight composition of the patterning material E · triethylene glycol monobutyl ether ... 94 parts by weight beta-methacryloyloxyethylene hydro diene phthalate ( Shin-Nakamura chemical Co., Ltd. CB-1, the decomposition temperature of 390 ° C.) ... 1 part by weight methacrylic resin (decomposition temperature 330 ° C.) (Mitsubishi rayon Co., Ltd. BR105) ... 5 parts by weight the composition tri pattern formation material F ethylene glycol monobutyl ether ... 94 parts by weight · beta-methacryloyloxy ethyl レンハイドロジエンフタレート (新中村化学(株)製CB−1、分解温度390℃) … 2重量部 ・メタクリル樹脂(分解温度330℃) (三菱レーヨン(株)製BR105) …3.5重量部パターン形成材料Gの組成・ポリブテン (日本油脂(株)製3N、分解温度450℃) … 50重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 50重量部パターン形成材料Hの組成・ポリブテン (日本油脂(株)製200N、分解温度460℃) … 50重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 50重量部パターン形成材料Iの組成・トリエチレングリコールモノブチルエーテル … 40重量部 ・エチルセルロース ( Ren Hydro diene phthalate (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. CB-1, the decomposition temperature of 390 ° C.) ... 2 parts by weight of methacrylic resin (decomposition temperature 330 ° C.) (manufactured by Mitsubishi Rayon (Co.) BR105) ... 3.5 parts by weight pattern forming material composition, polybutene G (manufactured by NOF Corp. 3N, decomposition temperature 450 ° C.) ... 50 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass Co., Ltd. KF6274) ... 50 parts pattern forming material composition of the H · polybutene (manufactured by NOF Corporation 200 N, decomposition temperature 460 ° C.) ... 50 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass Co., Ltd. KF6274 ) composition of the ... 50 parts by weight pattern formation material I triethylene glycol monobutyl ether ... 40 parts by weight of ethyl cellulose ( ハーキュレス社製N−200、分解温度400℃) … 10重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 50重量部 次に、第2工程として、上記のパターン形成材料(A〜 Hercules Corp. N-200, decomposition temperature 400 ° C.) ... 10 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki Glass Co., Ltd. KF6274) ... 50 parts by weight Next, as a second step the pattern formation material (a to
I)を第2層形成材料として使用し、凹版オフセット印刷機により第1層上に印刷し、80℃で5分間乾燥し、 Using the I) as a second layer forming material, and printing on the first layer by intaglio offset printing press, and dried 5 minutes at 80 ° C.,
線幅80μm、ピッチ220μmのストライプパターン状に第2層を形成した(図1(B)に相当)。 Line width 80 [mu] m, to form a second layer in a stripe pattern of a pitch 220 .mu.m (corresponding to FIG. 1 (B)). ここで使用した凹版は、ソーダライムガラス板に、下記表1に示される深さの凹部をエッチングで形成したものである。 Intaglio used here, a soda lime glass plate, in which a recess having a depth shown in Table 1 were formed by etching.
また、中間転写媒体としては、ポリエステルフィルム上に常温硬化型シリコーンゴムを注型形成して作製したブランケットを装着したブランケット胴を用いた。 As the intermediate transfer medium, using a blanket cylinder fitted with a blanket of manufacturing a cold-setting silicone rubber on a polyester film by casting form. 形成した第2層の膜厚および樹脂成分の含有量を下記の表1に示した。 The content of the film thickness and the resin component of the formed second layer shown in Table 1 below.

【0054】次いで、第3工程として、第2層をレジストマスクとし下記の条件でサンドブラスト法により第1 [0054] Then, as the third step, first by sandblasting under the following conditions to the second layer and the resist mask
層の不要部分をエッチング除去した(図1(C)に相当)。 Unnecessary portions of the layer is removed by etching (corresponding to FIG. 1 (C)). このエッチングにおける、第1層のエッチング量/第2層のエッチング量(相対ブラスト比)を下記の表1に示した。 In this etching, as shown etching amount / amount of etching of the second layer of the first layer (relative blast ratio) in Table 1 below.

【0055】 エッチング条件・ノズルと基板面の距離: 8cm ・研磨材 : 褐色溶融アルミナ#1000 ・噴出圧力 : 3kg/cm 2・エッチング時間 : 35分間 次に、第4工程として、ピーク温度560℃にて焼成(ピーク温度保持時間20分)し、レジストマスクとして作用した第2層の樹脂成分を焼成除去するとともに、 [0055] Distance etching conditions nozzle and the substrate surface: 8 cm-abrasive: brown fused alumina # 1000-ejection pressure: 3 kg / cm 2 · Etching time: 35 minutes Next, as a fourth step, the peak temperature 560 ° C. baked (peak temperature holding time 20 minutes), baked remove the resin component of the second layer acts as a resist mask with Te,
第1層と第2層を一体化して厚膜パターン(障壁)をガラス基板上に固着形成し(図1(D)に相当)、試料1 By integrating the first and second layers thick pattern (barrier) to form fixed on a glass substrate (corresponding to FIG. 1 (D)), the sample 1
〜11を得た。 To 11 was obtained.

【0056】このようにして形成した厚膜パターン(障壁)の評価結果を下記の表1に示した。 [0056] the evaluation results of the thus formed thick film pattern (barrier) in Table 1 below.

【0057】 [0057]

【表1】 [Table 1] 表1に示されるように、第2層において分解温度が60 As shown in Table 1, the decomposition temperature in the second layer 60
0℃以下(300〜600℃)の範囲にある樹脂成分が5〜95重量%となり、動的粘性率(10H z )が50 0 ℃ next following 5 to 95% by weight resin component is in the range of (300 to 600 ° C.), the dynamic viscosity (10H z) 50
0〜4000poise の範囲のパターン形成材料を使用し、かつ版深が10〜50μmの凹版を使用した試料(1〜2,4〜7)は、第3工程で高い相対ブラスト比の加工が可能であり、また、頂部の線幅平均が約40μ Using the pattern forming material in the range of 0~4000Poise, and plate depth was used 10~50μm intaglio sample (1~2,4~7) is capable of processing a high relative blast ratio in the third step There also linewidth average of the top of about 40μ
m、高さ約120μmで欠けのない表面平滑性の高い良好な厚膜パターン(障壁)の形成が可能であった。 m, and the formation of high high chipping-free surface smoothness of about 120μm good thick pattern (barrier) is possible. また、電極パターンの断線も発生しなかった。 Further, disconnection of the electrode patterns did not occur.

【0058】これに対して、版深が8μmの凹版を使用した試料3では、第2層の厚みが2μmとなり、相対ブラスト比が90と低く、厚膜パターン(障壁)はムラの大きなものとなった。 [0058] On the contrary, in Sample 3 plate depth was used intaglio 8 [mu] m, thickness 2μm next second layer, the relative blast ratio was as low as 90, a thick film pattern (barrier) is a large unevenness became. また、第2層において樹脂成分が3.5重量%となるパターン形成材料Fを使用した試料8では、相対ブラスト比が90で第2層のレジストマスクとしての作用が不十分であり、厚膜パターン(障壁) Further, in Sample 8 was a patterning material F the resin component in the second layer is 3.5 wt%, relative blast ratio is insufficient action as a resist mask of the second layer 90, a thick film pattern (barrier)
はムラの大きなものとなった。 It was a big thing of unevenness.

【0059】一方、動的粘性率(10H z )が500po [0059] On the other hand, dynamic viscosity (10H z) is 500po
ise 未満(450poise )のパターン形成材料Gを使用した試料9では、相対ブラスト比は大きいものの、厚膜パターン(障壁)にムラがみられ、また、ブランケットにインキ残りが発生した。 Sample 9 was a patterning material G below (450Poise) ise, although the relative blast ratio is large, unevenness is observed in the thick film pattern (barrier), also the ink remainder has occurred blanket. さらに、動的粘性率(10H In addition, dynamic viscosity (10H
z )が4000poise を超える(6000poise ,45 z) is more than 4000poise (6000poise, 45
00poise )のパターン形成材料H,Iを使用した試料10,11では、凹版におけるドクターリングの際に掻き残しが生じて、第2層形成時に地汚れが発生し、良好な厚膜パターン(障壁)の形成が行えなかった。 In the pattern forming material H, the samples were used I 10, 11 of 00Poise), leaving scraped during doctor ring occurs in intaglio, scumming occurred during the second layer forming a good thick pattern (barrier) formation of was not done. (比較例1)まず、実施例1の第1工程と同様にして、 (Comparative Example 1) First, similar to the first step of Example 1,
厚み2.2mmのガラス基板上にAg電極パターンを形成し、さらに、平均膜厚150μmの第1層を形成した。 The Ag electrode pattern formed on a glass substrate having a thickness of 2.2 mm, further, to form a first layer having an average thickness of 150 [mu] m.

【0060】次に、下記の組成のパターン形成材料を準備した。 Next, it was prepared pattern forming material having the following composition.

【0061】 パターン形成材料の組成・エチルセルロース (ハーキュレス社製N−10、分解温度390℃) … 26重量部 ・トルエン … 52重量部 ・エタノール … 12重量部 ・ジブチルフタレート … 10重量部 次いで、上記のパターン形成材料を第2層形成材料として使用し、凹版オフセット印刷機により第1層上に印刷し、80℃で5分間乾燥し、線幅80μm、ピッチ22 [0061] Composition of cellulose pattern formation material (Hercules Corp. N-10, decomposition temperature 390 ° C.) ... 26 parts by weight Toluene 52 parts by weight of ethanol ... 12 parts by weight dibutyl phthalate 10 parts by weight Then, the above-mentioned a patterning material as the second layer forming material, and printing on the first layer by intaglio offset printing press, and dried 5 minutes at 80 ° C., line width 80 [mu] m, pitch 22
0μmのストライプパターン状に第2層を形成することを試みた。 I tried to form a second layer in a stripe pattern of 0 .mu.m. 尚、使用した凹版は、ソーダライムガラス板に、深さの20μmの凹部をエッチングで形成したものである。 Incidentally, intaglio used was a soda lime glass plate, and forming a 20μm recess depth by etching. また、中間転写媒体としては、ポリエステルフィルム上に常温硬化型シリコーンゴムを注型形成して作製したブランケットを装着したブランケット胴を用いた。 As the intermediate transfer medium, using a blanket cylinder fitted with a blanket of manufacturing a cold-setting silicone rubber on a polyester film by casting form.

【0062】しかし、パターン形成材料の溶剤成分がブランケットのシリコーンゴムに吸収され、ブランケット上でパターン形成材料の固化が生じて第2層の転写形成を行うことは不可能であった。 [0062] However, the solvent component of the pattern forming material is absorbed into the silicone rubber blanket, solidification of the pattern forming material on the blanket to transfer formation of the second layer it was impossible to occur. (実施例2)まず、第1工程として、実施例1の第1工程と同様に、厚み2.2mmのガラス基板上にAg電極パターンを形成し、さらに、平均膜厚150μmの第1 (Example 2) First, as a first step, as in the first step of Example 1, an Ag electrode pattern was formed on a glass substrate having a thickness of 2.2 mm, furthermore, the first average thickness 150μm
層を形成した。 To form a layer.

【0063】一方、下記の6種(I〜VI)の組成のパターン形成材料を準備した。 [0063] On the other hand, it was prepared pattern forming material of the composition of six following (I through Vl).

【0064】 パターン形成材料Iの組成・エチルセルロース (ハーキュレス社製N−22、分解温度400℃) … 10重量部 ・ブチルカルビトールアセテート(揮発温度170℃) … 40重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 50重量部パターン形成材料IIの組成・ブチルカルビトールアセテート(揮発温度170℃) … 20重量部 ・メタクリル樹脂(分解温度330℃) (三菱レーヨン(株)製BR105) … 10重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 70重量部パターン形成材料III の組成・エチルセルロース (ハーキュレス社製N−200、分解温度400℃) … 10重量部 ・ブチル [0064] Composition of cellulose pattern formation material I (Hercules Corp. N-22, decomposition temperature 400 ° C.) ... 10 parts by weight of butyl carbitol acetate (volatilization temperature 170 ° C.) ... 40 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass Co., Ltd. KF6274) ... 50 parts by weight of the patterning material II composition butyl carbitol acetate (volatilization temperature 170 ° C.) ... 20 parts by weight of methacrylic resin (decomposition temperature 330 ° C.) (Mitsubishi rayon Co., Ltd. BR105) ... 10 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass Co., Ltd. KF6274) ... 70 parts by weight of the patterning material III composition of ethylcellulose (Hercules company Ltd. N-200, decomposition temperature 400 ° C.) ... 10 parts by weight butyl カルビトールアセテート(揮発温度170℃) … 80重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (マツナミガラス(株)製MB-13 ) … 10重量部パターン形成材料IVの組成・エチルセルロース (ハーキュレス社製N−200、分解温度400℃) … 7重量部 ・ブチルカルビトールアセテート(揮発温度170℃) … 83重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 10重量部パターン形成材料Vの組成・エチルセルロース (ハーキュレス社製N−22、分解温度400℃) …4.2重量部 ・ブチルカルビトールアセテート(揮発温度170℃)…15.8重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製K Carbitol acetate (volatilization temperature 170 ° C.) ... 80 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Matsunami Glass Co., Ltd. MB-13) ... 10 Composition of ethylcellulose parts patterning material IV (Hercules, Inc. N-200, decomposition temperature 400 ° C.) ... 7 parts by weight of butyl carbitol acetate (volatilization temperature 170 ° C.) ... 83 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass ( Ltd.) KF6274) ... 10 parts by weight of the patterning material composition, ethylcellulose V (Hercules Corp. N-22, decomposition temperature 400 ° C.) ... 4.2 parts by weight of butyl carbitol acetate (volatilization temperature 170 ° C.) ... 15. 8 parts by weight of glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass Co., Ltd. K 6274) … 80重量部パターン形成材料VIの組成・エチルセルロース (ハーキュレス社製N−22、分解温度400℃) …3.4重量部 ・ブチルカルビトールアセテート(揮発温度170℃)…16.6重量部 ・ガラスフリット(平均粒径4μm、軟化温度480℃) (イワキガラス(株)製KF6274) … 80重量部 次に、第2工程として、上記のパターン形成材料(I〜 6274) ... 80 parts by weight of the patterning material composition, ethylcellulose VI (Hercules Corp. N-22, decomposition temperature 400 ° C.) ... 3.4 parts by weight of butyl carbitol acetate (volatilization temperature 170 ° C.) ... 16.6 parts by weight glass frit (average particle size 4 [mu] m, a softening temperature of 480 ° C.) (Iwaki glass Co., Ltd. KF6274) ... 80 parts by weight Next, as a second step, the above pattern forming material (I through
VI)を第2層形成材料として使用し、スクリーン印刷機により第1層上に印刷し、80℃で5分間乾燥し、線幅80μm、ピッチ220μmのストライプパターンに第2層を形成した。 The VI) used as the second layer forming material, and printing on the first layer by a screen printing machine, and dried 5 minutes at 80 ° C., line width 80 [mu] m, to form a second layer in a stripe pattern of a pitch 220 .mu.m.

【0065】次いで、第3工程として、実施例1の第3 [0065] Then, as the third step, a third example 1
工程と同様に、第2層をレジストマスクとしサンドブラスト法により第1層の不要部分をエッチング除去した。 Like the step, an unnecessary portion of the first layer was etched away by sandblasting the second layer and the resist mask.
このエッチングにおける、第1層のエッチング量/第2 In this etching, the first layer etching amount / second
層のエッチング量(相対ブラスト比)を下記の表2に示した。 It shows the etching of the layer (relative blast ratio) in Table 2 below.

【0066】次に、第4工程として、ピーク温度560 Next, as a fourth step, the peak temperature 560
℃にて焼成(ピーク温度保持時間20分)し、レジストマスクとして作用した第2層の樹脂成分を焼成除去して厚膜パターン(障壁)をガラス基板上に固着形成し、試料1〜6を得た。 ℃ calcined (peak temperature retention time of 20 minutes) at, a thick film pattern (barrier) fixed formed on a glass substrate by baking remove the resin component of the second layer acts as a resist mask, the samples 1-6 Obtained.

【0067】このようにして形成した厚膜パターン(障壁)の評価結果を下記の表2に示した。 [0067] the evaluation results of the thus formed thick film pattern (barrier) in Table 2 below.

【0068】 [0068]

【表2】 [Table 2] 表2に示されるように、第2層において分解温度または揮発温度が600℃以下の範囲にある樹脂成分が5〜9 As shown in Table 2, the resin component decomposition temperature or volatilization temperature in the second layer is in the range of 600 ° C. or less 5-9
5重量%となるようなパターン形成材料を使用し、3μ 5 Using the wt% to become such a pattern forming material, 3.mu.
m以上の厚みの第2層を形成した試料(1〜3,5) Samples forming the second layer of a thickness of at least m (1 to 3 and 5)
は、第3工程で高い相対ブラスト比の加工が可能であり、頂部の線幅平均が約40μm、高さ約120μmで欠けのない表面平滑性の高い良好な厚膜パターン(障壁)の形成が可能であった。 Is capable of processing a high relative blast ratio in the third step, the line width average of about 40μm on the top, forming a height high chipping-free surface smoothness of about 120μm good thick pattern (barrier) is It was possible. また、電極パターンの断線も発生しなかった。 Further, disconnection of the electrode patterns did not occur.

【0069】これに対して、試料4では、第2層の厚みが2.5μmとなり、相対ブラスト比が88と低く、厚膜パターン(障壁)はムラの大きなものとなった。 [0069] In contrast, in Sample 4, the thickness is 2.5μm next second layer, the relative blast ratio is as low as 88, a thick film pattern (barrier) was a large unevenness. また、第2層において樹脂成分が4重量%となるパターン形成材料VIを使用した試料6では、相対ブラスト比が9 Further, in Sample 6 was a patterning material VI of the resin component in the second layer is 4 wt%, relative blast ratio of 9
0で第2層のレジストマスクとしての作用が不十分であり、厚膜パターン(障壁)はムラの大きなものとなった。 0 is insufficient acts as a resist mask for the second layer, a thick film pattern (barrier) was a large unevenness.

【0070】 [0070]

【発明の効果】以上詳述したように、第1の発明によれば、600℃以下で揮発または分解する樹脂成分を、乾燥後の状態で5〜100重量%を占めるように含有させ、また、必要に応じて融点が450〜600℃の無機粉体を含有させてパターン形成材料とするので、樹脂成分により乾燥後のパターン形成材料に良好な耐エッチング性が示されてレジストマスクとしての機能が発現され、かつ、この樹脂成分は焼成工程での焼成除去が可能となり、また、この焼成除去において無機粉体は融着を生じて残存する。 As described above in detail, according to the first invention, the volatile or decomposing the resin component at 600 ° C. or less, it is contained so as to occupy 5 to 100 wt% in the state after drying, also since the optionally allowed mp contain 450 to 600 ° C. of the inorganic powder pattern forming material, functions as a resist mask shown good etching resistance to the pattern forming material after drying a resin component There is expressed, and the resin component enables firing removed in the firing step, also, the inorganic powder in the firing removal remains to cause fusion.

【0071】第2の発明の厚膜パターン形成方法では、 [0071] In the thick film pattern forming method of the second invention,
少なくとも樹脂成分と無機成分とを含む第1層形成材料と上記のパターン形成材料を第2層形成材料として使用するので、第3工程において第1層と第2層の積層構造からなるパターンを形成した後、焼成工程である第4工程において、第3工程でレジストマスクとして作用した第2層から樹脂成分が焼成除去され厚膜パターンとなり、また、第2層に含有される無機粉体も融着されて第1層と一体化される。 Since use of the first layer forming material and the pattern formation material containing at least a resin component and an inorganic component as a second layer forming material, forming a pattern having a stacked structure of the first layer and the second layer in the third step after, in the fourth step is a sintering step, the third step the resin component becomes fired removed thick pattern from the second layer acts as a resist mask, also inorganic powder contained in the second layer also fusion is integrated with the first layer is deposited. これにより、レジストマスクを湿式方式により剥離する工程が省略できるので、工程が簡略化されるとともに、第1層形成材料としてエッチングが容易で機械的強度が低い材料を使用することができ、 Thus, since the resist mask can be omitted a step of peeling by a wet method, with process is simplified, it is possible to easy mechanical strength etching as the first layer forming material using a low material,
エッチングにおける時間、材料、エネルギーの低減が可能となる。 Time in the etching, the material, reducing the energy. さらに、第1層形成材料と上記のパターン形成材料に用いる無機成分として、アルカリや水に対して不安定であるが低温融着性をもつ材料を使用することができ、焼成温度を従来の厚膜パターン形成方法に比べて低温(600℃以下、例えば、300〜600℃)とすることが可能となり、このため、基板の変形が防止され、大面積の基板に対してトータルピッチのずれが極めて少ない厚膜パターン形成が可能となる。 Further, as the inorganic component used in the first layer forming material and the pattern formation material, but it is unstable to alkali and water can be used a material having a low temperature fusibility, the firing temperature of the conventional thickness lower temperature than the film pattern forming method (600 ° C. or less, for example, 300 to 600 ° C.) it is possible to, Therefore, deformation of the substrate is prevented, the deviation of the total pitch is extremely to the substrate having a large area less thick film pattern formation becomes possible. また、フォトプロセスが不要であるため、コストの大幅な低減が可能となる。 Further, since the photo process is unnecessary, it is possible to greatly reduce the cost.

【0072】第3の発明によれば、表示放電空間を形成する障壁がガラス基板に対して垂直に切り立ち、かつ、 [0072] According to the third invention, bluff vertically barrier for forming a display discharge space with respect to the glass substrate, and,
幅が狭く十分な高さを有するので、高輝度で高精細なプラズマディスプレイパネルが可能となる。 Since the width has a narrow high enough, a high-definition plasma display panel can be performed with high brightness.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の厚膜パターン形成方法を説明するための図面である。 1 is a view for explaining a thick film pattern forming method of the present invention.

【図2】第2工程において、中間転写媒体を介した凹版オフセット印刷による第2層の形成を説明する図である。 [2] In the second step, a diagram illustrating formation of the second layer by intaglio offset printing through an intermediate transfer medium.

【図3】本発明のプラズマディスプレイパネルに一実施形態を示す概略構成図である。 It is a schematic structural diagram showing one embodiment a plasma display panel of the present invention; FIG.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…基板 2…第1層 3…第2層 4…厚膜パターン 11…凹版 21…ブランケット胴(中間転写媒体) 22…ブランケット 31…プラズマディスプレイパネル 34…障壁 1 ... substrate 2 ... first layer 3 ... second layer 4 ... thick pattern 11 ... intaglio 21 ... blanket cylinder (intermediate transfer medium) 22 ... blanket 31 ... plasma display panel 34 ... barrier

Claims (11)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 少なくとも樹脂成分を含み、該樹脂成分はパターン形成材料が乾燥した状態で5〜100重量% 1. A comprising at least a resin component, the resin component is 5 to 100% by weight in a state in which the pattern forming material was dried
    を占めるように含有されるとともに、600℃以下の焼成で揮発または分解することを特徴とするパターン形成材料。 While it is contained to occupy, pattern forming material characterized in that volatilize or decompose at baking of 600 ° C. or less.
  2. 【請求項2】 軟化温度が450〜600℃である無機粉体を含有することを特徴とする請求項1に記載のパターン形成材料。 2. A pattern forming material according to claim 1 having a softening temperature, characterized in that it contains an inorganic powder is 450 to 600 ° C..
  3. 【請求項3】 動的粘性率が500〜4000poise の範囲であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成材料。 3. A pattern forming material according to claim 1 or claim 2 Dynamic viscosity is equal to or in the range of 500~4000Poise.
  4. 【請求項4】 少なくとも樹脂成分と無機成分とを含む第1層形成材料を用いて、前記樹脂成分が0.5〜4重量%を占める第1層を基板上に形成する第1工程と、 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパターン形成材料を第2層形成材料として用いて前記第1層上に印刷法によって第2層を所定パターンで形成する第2工程と、 第2層をレジストマスクとして露出している前記第1層をエッチング法により除去し、第1層と第2層の積層構造からなるパターンを形成する第3工程と、 500〜600℃で焼成して前記パターンを厚膜パターンとするとともに、該厚膜パターンを基板に固着させる第4工程と、 を備えることを特徴とする厚膜パターン形成方法。 4. Using the first layer forming material containing at least a resin component and an inorganic component, a first step of the resin components form a first layer occupying a 0.5-4 wt% on a substrate, a second step of forming a predetermined pattern of the second layer by a printing method on the first layer by using as a second layer forming material a pattern forming material according to any one of claims 1 to 3, the second the first layer exposing a layer as a resist mask is removed by etching, a third step of forming a pattern having a stacked structure of the first and second layers, said calcined at 500 to 600 ° C. a pattern with a thick film pattern, a thick film pattern forming method characterized by comprising a fourth step of fixing the thick-film pattern substrate.
  5. 【請求項5】 前記第3工程のエッチング法は、サンドブラスト法であることを特徴とする請求項4に記載の厚膜パターン形成方法。 Etching method according to claim 5, wherein the third step, a thick film pattern forming method according to claim 4, characterized in that the sandblasting.
  6. 【請求項6】 前記第2工程の印刷法は、中間転写媒体を介した凹版オフセット印刷法であることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の厚膜パターン形成方法。 Printing method wherein said second step, a thick film pattern forming method according to claim 4 or claim 5 characterized in that it is a gravure offset printing method via an intermediate transfer medium.
  7. 【請求項7】 前記中間転写媒体は、少なくとも最表面がジメチルシロキサン単位を主成分とするシリコーン樹脂であり、前記第1層上に前記第2層形成材料を転写して第2層を形成する際の前記第2層形成材料の転移率が100%であることを特徴とする請求項6に記載の厚膜パターン形成方法。 Wherein said intermediate transfer medium, at least the outermost surface is a silicone resin composed mainly of dimethylsiloxane units, forming a second layer by transferring said second layer forming material on the first layer thick pattern forming method according to claim 6 in which the transition rate of the second layer forming material is characterized in that 100% of the time.
  8. 【請求項8】 前記凹版オフセット印刷法に使用する凹版は、版深が10〜50μmであることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の厚膜パターン形成方法。 Intaglio used to wherein said intaglio offset printing method, a thick film pattern forming method according to claim 6 or claim 7, wherein the plate depth is 10 to 50 [mu] m.
  9. 【請求項9】 前記第2工程の印刷法は、スクリーン印刷法であることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の厚膜パターン形成方法。 Printing method wherein said second step, a thick film pattern forming method according to claim 4 or claim 5, characterized in that a screen printing method.
  10. 【請求項10】 前記第2層の乾燥後の厚みが3〜50 10. A dry thickness of the second layer is 3 to 50
    μmであることを特徴とする請求項4乃至請求項9のいずれかに記載の厚膜パターン形成方法。 Thick pattern forming method according to any one of claims 4 to 9, characterized in that it is [mu] m.
  11. 【請求項11】 表示放電空間を形成する障壁が請求項4乃至請求項10のいずれかの厚膜パターン形成方法により形成されたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 11. The plasma display panel, wherein a barrier for forming a display discharge space is formed by any of the thick film pattern forming method of claims 4 to 10.
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