JPH09232901A - Distortion compensation circuit - Google Patents

Distortion compensation circuit

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JPH09232901A
JPH09232901A JP4131696A JP4131696A JPH09232901A JP H09232901 A JPH09232901 A JP H09232901A JP 4131696 A JP4131696 A JP 4131696A JP 4131696 A JP4131696 A JP 4131696A JP H09232901 A JPH09232901 A JP H09232901A
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diode
capacitor
phase
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和久 山内
Kazutomi Mori
一富 森
Masatoshi Nakayama
正敏 中山
Yasuro Mitsui
康郎 三井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a small sized and efficient distortion compensation circuit by providing a parallel connection circuit composed of a diode used to generate an amplitude distortion biased toward a nonlinearity strengthened region by adding a forward voltage of nearly a built-in voltage and a capacitor to add phase distortion. SOLUTION: In a parallel connection circuit composed of a diode 2 used to generate an amplitude distortion biased toward a nonlinearity strengthened region by adding a forward voltage of nearly a built-in voltage and a capacitor 3 to add phase distortion, the gain of a distortion compensation circuit 1 and an input power characteristics of a passing phase are adjusted by changing properly either a bias voltage of the diode 2 or a capacitance of the capacitor 3 as a parameter. That is, the parameter is adjusted so that the fluctuation of an amplifier is cancelled with fluctuation in the parallel circuit of the diode 2 and the capacitor 3 of the circuit 1. In this case, since the effect of the bias voltage of the diode 2 and the capacitance of the capacitor 3 onto the characteristic differ, the combination of them copes with various amplifiers of various characteristics.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,送信機や半導体レ
ーザーなどに用いられる高周波信号の出力段の前段また
は後段に設けられ,振幅非線形性および位相非線形性を
補償する歪補償回路に関するものである
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a distortion compensating circuit which is provided before or after an output stage of a high frequency signal used in a transmitter, a semiconductor laser or the like and which compensates for amplitude nonlinearity and phase nonlinearity.

【0002】[0002]

【従来の技術】送信機や半導体レーザーに用いられる増
幅器の入出力位相特性は、理想的には、入力信号の電力
あるいは周波数により利得および通過位相が変化しない
ことが望ましい。しかし、実際の増幅器は、入力電力の
増加に伴い利得が減少するとともに位相が進む特性をも
つため、振幅歪み、および、位相歪みが発生する。この
ような増幅器の非線形性を改善するために、負帰還をか
けることが行われている。この負帰還は低周波において
有効である。しかし,帰還路における位相回転のため,
高周波においては負帰還をかけることは難しい。そこ
で,高周波においては,増幅器の非線形性を相殺するよ
うな入出力特性を持つ歪補償回路を増幅器の前段(ある
いは後段)に設けることで非線形性を改善している。な
お、半導体レーザーでも,非線形性をキャンセルするよ
うな入出力特性を持つ歪補償回路を半導体レーザーの前
段に設けることで非線形性の改善を行っている。
2. Description of the Related Art Ideally, the input and output phase characteristics of an amplifier used in a transmitter or a semiconductor laser are desired to have no change in gain and pass phase depending on the power or frequency of the input signal. However, since an actual amplifier has the characteristics that the gain decreases and the phase advances as the input power increases, amplitude distortion and phase distortion occur. In order to improve the non-linearity of such an amplifier, negative feedback is applied. This negative feedback is effective at low frequencies. However, because of the phase rotation in the return path,
It is difficult to apply negative feedback at high frequencies. Therefore, at high frequencies, the non-linearity is improved by providing a distortion compensation circuit having an input / output characteristic that cancels the non-linearity of the amplifier in the front stage (or the rear stage) of the amplifier. Even in the semiconductor laser, the non-linearity is improved by providing a distortion compensation circuit having an input / output characteristic that cancels the non-linearity in the preceding stage of the semiconductor laser.

【0003】従来例1として,ELECTRONICS LETTERS Vo
l.28 No.20 1992 pp1875-1876,■COMPARISON OF DIRECT
AND EXTERNAL MODULATION FOR CATV LIGHTWAVE TRANSM
ISSION AT 1.5um WAVELENGTH■をあげる。図27に従来
例1で使用されている歪補償回路の概略図を示す。図2
7において,100は分波器,101は遅延線,102
は結合器,103,104は減衰器,105はインダク
タ,106,107は抵抗,108,109はダイオー
ド,110,111はキャパシタ,112は歪補償回
路,113は非線形性をキャンセルための歪みを発生す
るプリディストータである。プリディストータ113
は,ダイオード108,109,抵抗106,107,
インダクタ105,キャパシタ110,111で構成さ
れている。
As a conventional example 1, ELECTRONICS LETTERS Vo
l.28 No.20 1992 pp1875-1876, ■ COMPARISON OF DIRECT
AND EXTERNAL MODULATION FOR CATV LIGHTWAVE TRANSM
ISSION AT 1.5um WAVE LENGTH ■. FIG. 27 shows a schematic diagram of a distortion compensation circuit used in Conventional Example 1. FIG.
In FIG. 7, 100 is a duplexer, 101 is a delay line, and 102
Is a coupler, 103 and 104 are attenuators, 105 is an inductor, 106 and 107 are resistors, 108 and 109 are diodes, 110 and 111 are capacitors, 112 is a distortion compensation circuit, and 113 is distortion for canceling non-linearity. It is a predistorter. Predistorter 113
Are diodes 108, 109, resistors 106, 107,
It is composed of an inductor 105 and capacitors 110 and 111.

【0004】所定の大きさを持つ入力電力は,分波器1
00により遅延線101およびレベル調整用減衰器10
3を通してプリディストータ113に分配される。ダイ
オード108,109には0.3V以下のバイアスが加
えられており,非線形性の強い領域で使用している。プ
リディストータ113により歪が与えられた信号は、遅
延線からの信号と結合器102により合波される。その
後,減衰器104によりレベルが調整される。このよう
にプリディストータ113で得られた歪により,後段に
接続されている変調器で発生する3次歪を打ち消すこと
で線形な特性を得ることができる。
Input power having a predetermined magnitude is obtained by the demultiplexer 1
00 to delay line 101 and level adjusting attenuator 10
3 to the predistorter 113. A bias of 0.3 V or less is applied to the diodes 108 and 109, and they are used in a region having strong nonlinearity. The signal distorted by the predistorter 113 is combined with the signal from the delay line by the coupler 102. Then, the level is adjusted by the attenuator 104. In this way, the distortion obtained by the predistorter 113 cancels out the third-order distortion generated in the modulator connected in the subsequent stage, so that a linear characteristic can be obtained.

【0005】従来例2として,特開平4ー267574
号公報に記載された装置をあげる。図28に特開平4ー
267574号公報記載の回路の模式図を示す。図28
において,114は予歪生成回路,115は増幅器であ
る。増幅器115の非線形性を打ち消すような逆の入出
力特性を持つ予歪生成回路114が増幅器115への信
号経路(基本信号パス)に挿入されている。この回路は
直列型の回路構成を採っている。この回路は構成が簡単
で,調整箇所が少ないという利点を持つ。
As a conventional example 2, Japanese Patent Laid-Open No. 4-267574
The device described in the publication is given. FIG. 28 shows a schematic diagram of the circuit described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-267574. FIG.
In the figure, 114 is a pre-distortion generating circuit, and 115 is an amplifier. A predistortion generating circuit 114 having an inverse input / output characteristic that cancels the nonlinearity of the amplifier 115 is inserted in the signal path (basic signal path) to the amplifier 115. This circuit has a series type circuit configuration. This circuit has the advantages of simple configuration and few adjustment points.

【0006】図29に、図28の予歪生成回路の概略図
を示す。図29で,116はFET,117は抵抗であ
る。図29で記載の予歪生成回路114において,DC
バイアスを供給する素子について描かれていないが,F
ET116は飽和ドレイン電流で動作するように十分な
ドレインバイアス電流が加えられており,2乗領域にバ
イアスされている。本予歪生成回路により,後段の増幅
器で発生する歪を打ち消すことができて、線形な特性を
得ることができる。
FIG. 29 shows a schematic diagram of the predistortion generating circuit of FIG. In FIG. 29, 116 is a FET and 117 is a resistor. In the predistortion generation circuit 114 shown in FIG. 29, DC
The element that supplies the bias is not drawn, but F
The ET 116 is biased in the squared region with a sufficient drain bias current added to operate with a saturated drain current. This pre-distortion generation circuit can cancel the distortion generated in the amplifier at the subsequent stage and can obtain a linear characteristic.

【0007】従来例3として,特開平3ー179807
号公報に記載された装置をあげる。図30に特開平3ー
179807号公報記載の回路の模式図を示す。118
はフィルタである。この回路では,増幅器115への信
号を分配器100で2つの経路に分け,一方の線路にプ
リディストータ113を他方の線路に遅延線路101を
設け,これらを結合器102で合波する。この回路は並
列型の回路構成がとられている。この回路により,後段
に接続されている増幅器115で発生する歪を打ち消す
ことができ,線形な出力を得ることができる。
As a conventional example 3, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-179807
The device described in the publication is given. FIG. 30 shows a schematic diagram of a circuit described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-179807. 118
Is a filter. In this circuit, a signal to the amplifier 115 is divided into two paths by a distributor 100, a predistorter 113 is provided on one line and a delay line 101 is provided on the other line, and these are combined by a coupler 102. This circuit has a parallel type circuit configuration. With this circuit, the distortion generated in the amplifier 115 connected in the subsequent stage can be canceled and a linear output can be obtained.

【0008】従来例4として特開平6ー260847に
記載された装置をあげる。図31に特開平6ー2608
47号公報記載の回路を示す。図31において,11
9,120はダイオード,121,122はインダク
タ,123,124はキャパシタ,125,126は減
衰器である。この回路は,外部からの入力信号を分配器
100により互いに位相が反転した2つの信号を2つの
経路に分け,一方の経路に歪を発生する手段(所定のバ
イアスを与えた非線形素子であるダイオード119およ
び減衰器125)を,他方の経路に歪を発生する手段
(所定のバイアスを与えた非線形素子であるダイオード
120および減衰器126)を設け,これらで発生した
歪を結合器102で合波する。この回路により歪を発生
させ,後段に接続される非線形素子が発生する歪を打ち
消すことができ,線形な特性を得ることができる。この
回路は従来例2,3と比較し,構成が簡単である利点を
持つ。
As the conventional example 4, the apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 6-260847 is cited. FIG. 31 shows Japanese Patent Laid-Open No. 6-2608.
The circuit described in Japanese Patent No. 47 is shown. In FIG. 31, 11
Reference numerals 9 and 120 are diodes, 121 and 122 are inductors, 123 and 124 are capacitors, and 125 and 126 are attenuators. This circuit divides two signals whose phases are mutually inverted by a distributor 100 into two paths and generates distortion in one path (a diode which is a non-linear element given a predetermined bias). 119 and an attenuator 125) are provided with means (a diode 120 and an attenuator 126, which are nonlinear elements to which a predetermined bias is applied) for generating distortion in the other path, and the distortion generated by these is combined by the coupler 102. To do. Distortion is generated by this circuit, the distortion generated by the nonlinear element connected in the subsequent stage can be canceled, and linear characteristics can be obtained. This circuit has an advantage that the configuration is simple as compared with the conventional examples 2 and 3.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
歪補償回路にはそれぞれ次のような問題点があった。従
来例1の歪補償回路は、遅延線などを必要とするために
回路の規模が大きくなるとともに、困難で同一半導体基
板上に形成できない。したがって、IC化に適さない。
また、遅延線101で位相補償を厳密に行わなければな
らないが,歪発生経路113で時間遅延が発生するため
に調整が難しい。さらに、従来例1の歪補償回路は同様
な構成を持つ回路ブロックを2つ必要とし、構造が複雑
となる。さらに,従来例1の回路はAM-PM変換による位
相歪について考慮されていないので,大きな歪補償量を
期待できない。
The conventional distortion compensating circuits described above have the following problems, respectively. The distortion compensating circuit of the first conventional example requires a delay line and the like, which increases the circuit scale and is difficult to form on the same semiconductor substrate. Therefore, it is not suitable for IC.
Also, the phase compensation must be strictly performed in the delay line 101, but it is difficult to adjust because the time delay occurs in the distortion generation path 113. Further, the distortion compensating circuit of the first conventional example requires two circuit blocks having the same configuration, which makes the structure complicated. Further, since the circuit of Conventional Example 1 does not consider the phase distortion due to AM-PM conversion, a large amount of distortion compensation cannot be expected.

【0010】AM-PM変換による位相歪とは次のようなも
のである。増幅器を例にとり説明する。増幅器は、入力
電力が増加しても通過位相が変化せず、一定の値をもつ
ことが望ましい。しかし、多くの増幅器では、入力電力
が増加すると位相が進む特性を持つため、振幅が変化す
るような信号を増幅すると信号の位相が変化してしま
い、位相変調をかけたような状態になる。このときに発
生する歪みをAM-PM変換による位相歪と呼ぶ。
The phase distortion due to AM-PM conversion is as follows. An amplifier will be described as an example. It is desirable that the amplifier does not change the passing phase even when the input power increases and has a constant value. However, since many amplifiers have a characteristic that the phase advances as the input power increases, amplifying a signal whose amplitude changes causes the phase of the signal to change, resulting in a state where phase modulation is applied. The distortion generated at this time is called phase distortion due to AM-PM conversion.

【0011】従来例2の歪補償回路は、能動回路を用い
ているため発振の恐れがある。さらに,AM-PM変換によ
る位相歪についても考慮されていないので,大きな歪補
償量を期待できない。
Since the distortion compensating circuit of the second conventional example uses an active circuit, there is a fear of oscillation. Furthermore, since the phase distortion due to AM-PM conversion is not taken into consideration, a large amount of distortion compensation cannot be expected.

【0012】従来例3の歪補償回路は、遅延線などが必
要で回路の規模が大きくなり,モノリシック化が困難で
ある。また,遅延線で位相補償を厳密に行わなければな
らないが,歪発生経路で時間遅延が発生するので調整が
難しい。さらに,AM-PM変換による位相歪についても考
慮されていないので,大きな歪補償量を期待できない。
The distortion compensating circuit of the conventional example 3 requires a delay line and the like, and the scale of the circuit becomes large, and it is difficult to make it monolithic. Also, the phase compensation must be strictly performed with the delay line, but it is difficult to adjust because the time delay occurs in the distortion generation path. Furthermore, since the phase distortion due to AM-PM conversion is not taken into consideration, a large amount of distortion compensation cannot be expected.

【0013】従来例4の歪補償回路は,トランス,ハイ
ブリッドなどの位相反転分岐回路が必要であるため小型
化には不向きであり,また、同様の構成をもつ回路ブロ
ックが2つ必要である。また,AM-PM変換による位相歪
についても考慮されていないので,大きな歪補償量を期
待できない。
The distortion compensating circuit of the prior art 4 is not suitable for miniaturization because it requires a phase inversion branch circuit such as a transformer or a hybrid, and requires two circuit blocks having the same configuration. Moreover, since the phase distortion due to AM-PM conversion is not taken into consideration, a large amount of distortion compensation cannot be expected.

【0014】本発明は,上記のような問題点を解決する
ためになされたもので,遅延線などが不要で構成が簡単
であり、IC化に適し、小型,高効率な歪補償回路を得
ることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and a distortion compensating circuit that is simple and has a simple structure without a delay line, is suitable for an IC, and is small in size and highly efficient is obtained. The purpose is to

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る歪補償回
路は、非線形の動作領域にバイアスされて振幅歪を発生
するダイオードと,上記ダイオードに並列に接続されて
位相歪を発生するキャパシタとを備え,入力電力の増加
に対し利得が増加するとともに位相が遅れる特性を持つ
ものである。
A distortion compensating circuit according to a first aspect of the present invention comprises a diode biased in a non-linear operation region to generate amplitude distortion, and a capacitor connected in parallel to the diode to generate phase distortion. It has the characteristics that the gain increases as the input power increases and the phase lags.

【0016】請求項2に係る歪補償回路は、上記キャパ
シタを、上記ダイオードの接合容量に置き換えたもので
ある。
In the distortion compensating circuit according to a second aspect of the present invention, the capacitor is replaced with the junction capacitance of the diode.

【0017】請求項3に係る歪補償回路は、上記キャパ
シタを、抵抗,インダクタ,または,キャパシタの少な
くともいずれか一つを備えるインピーダンス回路に置き
換えたものである。
In the distortion compensating circuit according to a third aspect of the invention, the capacitor is replaced with an impedance circuit including at least one of a resistor, an inductor and a capacitor.

【0018】請求項4に係る歪補償回路は、上記ダイオ
ードと上記キャパシタとの並列回路に対して直列に接続
され、抵抗,インダクタ,または,キャパシタの少なく
ともいずれか一つを備えるインピーダンス回路を備えた
ものである。
A distortion compensating circuit according to a fourth aspect of the present invention includes an impedance circuit which is connected in series with a parallel circuit of the diode and the capacitor and includes at least one of a resistor, an inductor and a capacitor. It is a thing.

【0019】請求項5に係る歪補償回路は、上記ダイオ
ードの接合部の温度に基づき上記ダイオードに加えるバ
イアス電圧を制御するものである。
The distortion compensating circuit according to a fifth aspect of the invention controls the bias voltage applied to the diode based on the temperature of the junction of the diode.

【0020】請求項6に係る歪補償回路は、上記歪補償
回路の入力側または出力側の少なくともいずれか一方に
アイソレータを設けたものである。
According to a sixth aspect of the distortion compensating circuit, an isolator is provided on at least one of the input side and the output side of the distortion compensating circuit.

【0021】請求項7に係る歪補償回路は、上記歪補償
回路を複数備え、これら歪補償回路を直列に構成してな
るものである。
A distortion compensating circuit according to a seventh aspect of the present invention comprises a plurality of the distortion compensating circuits, and these distortion compensating circuits are arranged in series.

【0022】請求項8に係る歪補償回路は、上記歪補償
回路を複数備え、これら歪補償回路を並列に構成してな
るものである。
A distortion compensating circuit according to an eighth aspect comprises a plurality of the distortion compensating circuits, and these distortion compensating circuits are arranged in parallel.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1 この発明の実施の形態1の歪補償回路の構成(等価回
路)を図1に示す。図中、2はダイオード,3はキャパ
シタであり、ダイオード2とキャパシタ3とは互いに並
列に接続されている。4は入力整合回路,5は出力整合
回路である。入力整合回路4,出力整合回路5は、集中
定数あるいは分布定数で構成される公知のもの(例え
ば、「電子工学ポケットブック」3版(オーム社)の4
−27、28頁に記載されたもの)である。
Embodiment 1 FIG. 1 shows the configuration (equivalent circuit) of a distortion compensation circuit according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, 2 is a diode and 3 is a capacitor, and the diode 2 and the capacitor 3 are connected in parallel with each other. Reference numeral 4 is an input matching circuit, and 5 is an output matching circuit. The input matching circuit 4 and the output matching circuit 5 are known ones composed of lumped constants or distributed constants (for example, 4 of "Electronics Pocketbook" 3rd edition (Ohm)).
-27, 28).

【0024】入力整合回路4、ダイオード2とキャパシ
タ3との並列回路、および、出力整合回路5は、この順
序で直列に接続されている。また、ダイオード2のアノ
ードは入力整合回路4に接続され、ダイオード2のカソ
ードは出力整合回路5に接続されている。歪補償回路1
は、これらダイオード2、キャパシタ3、入力整合回路
4、出力整合回路5から構成されている。
The input matching circuit 4, the parallel circuit of the diode 2 and the capacitor 3, and the output matching circuit 5 are connected in series in this order. The anode of the diode 2 is connected to the input matching circuit 4, and the cathode of the diode 2 is connected to the output matching circuit 5. Distortion compensation circuit 1
Is composed of these diode 2, capacitor 3, input matching circuit 4 and output matching circuit 5.

【0025】ダイオード2にはビルトイン電圧程度の順
方向電圧が印加される。ビルトイン電圧とはつぎのよう
なものである。ダイオードのI−V特性において、ダイ
オードに順方向に電圧を加えた場合、V=0[V]程度
ではほとんど電流が流れないが、次第に順方向電圧を増
加させていくと、ある電圧を境に急激に電流が流れ出
す。急激に電流が流れ出す電圧をビルトイン電圧と定義
する。ビルトイン電圧は、スレッショルド電圧、あるい
は、しきい電圧とも呼ばれる。
A forward voltage of about the built-in voltage is applied to the diode 2. The built-in voltage is as follows. In the IV characteristic of the diode, when a forward voltage is applied to the diode, almost no current flows at about V = 0 [V], but when the forward voltage is gradually increased, a certain voltage is set as a boundary. The current suddenly starts to flow. The voltage at which current suddenly flows out is defined as the built-in voltage. The built-in voltage is also called a threshold voltage or a threshold voltage.

【0026】この実施の形態1の歪補償回路1におい
て、図1の入力側に増幅器が接続された場合、入力整合
回路4に信号が入力されると、出力整合回路5から歪み
がキャンセルされた信号が出力される。一方、図1の出
力側に増幅器が接続された場合、歪みをキャンセルする
成分が付加された信号が出力される。
In the distortion compensating circuit 1 of the first embodiment, when an amplifier is connected to the input side of FIG. 1 and a signal is input to the input matching circuit 4, the distortion is canceled from the output matching circuit 5. The signal is output. On the other hand, when an amplifier is connected to the output side of FIG. 1, a signal added with a component that cancels distortion is output.

【0027】次に動作について説明する。図2は,歪補
償回路1のダイオード2とキャパシタ3との並列回路の
入力電力に対する利得および通過位相特性のシミュレー
ション結果である。このシミュレーション結果は,シリ
コンショットキーダイオードの大信号モデルパラメータ
を抽出し,ハーモニックバランス法を用いて周波数1.
9GHzにて解析を行った結果である。キャパシタ3の
値を1pF,入出力のインピーダンスを50Ω,ダイオ
ード2に加える順方向電圧Vd=0.35[V]とし
た。図2より,入力電力の増加に対し利得が増加し,位
相が遅れることがわかる。
Next, the operation will be described. FIG. 2 is a simulation result of the gain and pass phase characteristics with respect to the input power of the parallel circuit of the diode 2 and the capacitor 3 of the distortion compensation circuit 1. This simulation result extracts the large signal model parameter of the silicon Schottky diode and uses the harmonic balance method to obtain the frequency 1.
It is the result of having analyzed at 9 GHz. The value of the capacitor 3 was 1 pF, the input / output impedance was 50Ω, and the forward voltage Vd applied to the diode 2 was 0.35 [V]. From Fig. 2, it can be seen that the gain increases and the phase lags as the input power increases.

【0028】図3は図2と同様の特性図である。図3
は,ダイオード2に加える順方向電圧をパラメータとし
た、入力電力に対する利得および通過位相特性のシミュ
レーション結果である。図3は、ダイオードに加える順
方向電圧を増やすと微小信号時の利得を基準とする利得
の増加量が減少し、減らすと利得の増加量が増加するこ
とを示している。このことは特に0dB以下の低入力電
力について顕著であることがわかる。また、図3は、ダ
イオードに加える順方向電圧を増やすと位相の遅れが減
少し、減らすと位相の遅れが増加することも示してい
る。このことは特に0dB以上の入力電力について顕著
であることがわかる。以上のことから、ダイオード2に
加える順方向電圧を変えることで,図1の歪補償回路1
の利得および通過位相の対入力電力特性を調整できるこ
とがわかる。
FIG. 3 is a characteristic diagram similar to FIG. FIG.
Is a simulation result of the gain and pass phase characteristics with respect to the input power with the forward voltage applied to the diode 2 as a parameter. FIG. 3 shows that when the forward voltage applied to the diode is increased, the increase amount of the gain based on the gain at the time of the minute signal is decreased, and when it is decreased, the increase amount of the gain is increased. It can be seen that this is particularly remarkable for low input power of 0 dB or less. FIG. 3 also shows that increasing the forward voltage applied to the diode reduces the phase delay and decreasing it increases the phase delay. It can be seen that this is particularly remarkable for the input power of 0 dB or more. From the above, by changing the forward voltage applied to the diode 2, the distortion compensation circuit 1 of FIG.
It can be seen that the gain and pass phase versus input power characteristics of can be adjusted.

【0029】図4は図3と同様の特性図である。図4
は,ダイオード2と並列に接続されたキャパシタ3の容
量値をパラメータとした,入力電力に対する利得および
通過位相特性のシミュレーション結果である。図4は、
キャパシタ3の容量を増やすと利得の増加量が減少し、
減らすと利得の増加量が増加することを示している。こ
のことは特に0dB以下の低入力電力について顕著であ
ることがわかる。また、図4は、キャパシタ3の容量を
増減させてもあまり位相特性に変化が生じないことを示
している。以上のことから、キャパシタ3の容量値を変
えることで,位相特性に対して変化を与えない状態で図
1の歪補償回路1の利得の対入力電力特性を調整できる
ことがわかる。
FIG. 4 is a characteristic diagram similar to FIG. FIG.
3 is a simulation result of gain and pass phase characteristics with respect to input power, with the capacitance value of the capacitor 3 connected in parallel with the diode 2 as a parameter. FIG.
Increasing the capacitance of the capacitor 3 decreases the gain increase,
It is shown that the decrease amount increases the gain increase amount. It can be seen that this is particularly remarkable for low input power of 0 dB or less. Further, FIG. 4 shows that the phase characteristics do not change much even if the capacitance of the capacitor 3 is increased or decreased. From the above, it can be seen that by changing the capacitance value of the capacitor 3, the gain vs. input power characteristic of the distortion compensating circuit 1 in FIG. 1 can be adjusted without changing the phase characteristic.

【0030】以上のことをまとめると、ダイオードに加
える順方向電圧およびダイオード2と並列に接続された
キャパシタ3の容量値の両方、あるいはいずれか一方を
パラメータとして適当に変化させることにより、図1の
歪補償回路1の利得および通過位相の対入力電力特性を
調整できる。逆に言えば、利得および通過位相の対入力
電力特性を調整するときは、ダイオード2とキャパシタ
3の並列回路のこれらパラメータを調整すればよい。
To summarize the above, by appropriately changing both or either of the forward voltage applied to the diode and the capacitance value of the capacitor 3 connected in parallel with the diode 2 as a parameter, The gain and the pass phase of the distortion compensation circuit 1 with respect to the input power characteristics can be adjusted. Conversely, when adjusting the input power characteristics of the gain and the passing phase, these parameters of the parallel circuit of the diode 2 and the capacitor 3 may be adjusted.

【0031】以上のことを踏まえて、利得および通過位
相の対入力電力特性を理想的なものにするために、図1
の歪補償回路1のパラメータをどのように設定すればよ
いかについて説明する。
Based on the above, in order to make the input power characteristics of the gain and the passing phase ideal, FIG.
How to set the parameters of the distortion compensation circuit 1 will be described.

【0032】増幅器を例にとって説明する。理想的な増
幅器の入出力位相特性は、周波数によらず、入力電力が
増加しても飽和電力まで利得が一定であり、通過位相が
変化しない特性である。しかし、多くの増幅器は、入力
電力の増加に伴い利得が減少し、位相が進む特性をも
つ。このため、振幅歪み、位相歪みが発生する。そこ
で、これらの歪みの発生を抑制するために、歪みを補償
される増幅器と逆の入出力位相特性を持つ図1の歪補償
回路1とを組み合わせて使用する。これにより、飽和電
力付近まで利得・位相の変化を小さくできて線形に近い
特性を得ることができる。
An amplifier will be described as an example. The ideal input / output phase characteristic of an amplifier is a characteristic in which the gain is constant up to the saturation power even if the input power increases, regardless of the frequency, and the pass phase does not change. However, many amplifiers have characteristics that the gain decreases and the phase advances as the input power increases. Therefore, amplitude distortion and phase distortion occur. Therefore, in order to suppress the occurrence of these distortions, the distortion-compensated amplifier and the distortion compensation circuit 1 of FIG. 1 having the opposite input / output phase characteristic are used in combination. As a result, changes in gain and phase can be reduced to near saturation power, and characteristics close to linear can be obtained.

【0033】補償の対象となる増幅器の利得および通過
位相の対入力電力特性を測定あるいはシミュレーション
により求める。そして、図2ないし図4の特性図を参考
にして、この増幅器の利得および通過位相の変動を抑制
するように、つまりこの増幅器の変動と歪補償回路1の
ダイオード2とキャパシタ3の並列回路の変動とが互い
に相殺するように、前述のパラメータを調整する。これ
は図2ないし図4のグラフがあれば容易に実行できる。
このとき、ダイオード2のバイアス電圧とキャパシタ3
の容量とで特性に与える影響が異なるから、これらの組
合せによりさまざまな特性の増幅器に対応することがで
きる。
The input power characteristics of the gain and pass phase of the amplifier to be compensated are obtained by measurement or simulation. Then, with reference to the characteristic diagrams of FIGS. 2 to 4, the fluctuation of the gain and the passing phase of the amplifier is suppressed, that is, the fluctuation of the amplifier and the parallel circuit of the diode 2 and the capacitor 3 of the distortion compensation circuit 1 are suppressed. The aforementioned parameters are adjusted so that the fluctuations cancel each other out. This can easily be done with the graphs of FIGS.
At this time, the bias voltage of the diode 2 and the capacitor 3
Since the influence of the capacitance on the characteristics is different, the combination of these can be applied to amplifiers with various characteristics.

【0034】以上、増幅器を例にとり説明したが、この
装置を適用する他の装置についても同様である。
The amplifier has been described above as an example, but the same applies to other devices to which this device is applied.

【0035】以上のように、ダイオード2とキャパシタ
3との並列回路により歪みを補償できるが、完全に補償
しきれない場合がある。このような場合、入力整合回路
4および出力整合回路5により補償する。
As described above, although the distortion can be compensated by the parallel circuit of the diode 2 and the capacitor 3, there are cases where the distortion cannot be completely compensated. In such a case, the input matching circuit 4 and the output matching circuit 5 compensate.

【0036】入力整合回路4により,ダイオード2の入
力側のインピーダンスを変化させた場合の整合回路1の
利得および通過位相特性のシミュレーション結果の例を
図5および図6に示す。なお、キャパシタ3の値は,1
pFとし,順方向電圧Vd=0.35V,出力インピー
ダンス50Ωとした。
5 and 6 show examples of simulation results of the gain and pass phase characteristics of the matching circuit 1 when the impedance on the input side of the diode 2 is changed by the input matching circuit 4. The value of the capacitor 3 is 1
pF, forward voltage Vd = 0.35V, and output impedance 50Ω.

【0037】図5は入力電力を−40dBmから0dB
mまでに増加したときの利得の増加量をスミスチャート
上にプロットしたものである。図5中の線は利得の増加
量の等高線を示している。また,図6は入力電力を−4
0dBmから0dBmまでに変化したときの通過位相量
の遅れ量をスミスチャート上にプロットしたものであ
る。図6中の線は位相遅れ量の等高線を示している。
FIG. 5 shows an input power of -40 dBm to 0 dB.
It is a plot of the increase amount of the gain when increasing up to m on the Smith chart. The line in FIG. 5 shows the contour line of the gain increase amount. Moreover, in FIG. 6, the input power is -4.
The delay amount of the passing phase amount when changing from 0 dBm to 0 dBm is plotted on the Smith chart. The line in FIG. 6 shows the contour line of the phase delay amount.

【0038】図5において、等高線の頂上は左下にあ
る。図5の中心のインピーダンスは50Ωであるから、
利得の増加量を増加させるときにはインピーダンスを左
下に向かって変化させ、利得を減少させるときにはイン
ピーダンスを右上に向かって変化させればよい。
In FIG. 5, the top of the contour line is at the lower left. Since the central impedance of FIG. 5 is 50Ω,
When increasing the gain increase amount, the impedance may be changed toward the lower left, and when decreasing the gain, the impedance may be changed toward the upper right.

【0039】また、図6において、等高線の頂上は中
心、つまりインピーダンス50Ωの位置にある。したが
って、この場合は位相を進ませることはできても逆に遅
らせることはできない。
Further, in FIG. 6, the top of the contour line is at the center, that is, at the position of impedance 50Ω. Therefore, in this case, although the phase can be advanced, it cannot be delayed.

【0040】以上のように、図5および図6より,入力
インピーダンスを変化させることにより,図1の歪補償
回路1の利得および通過位相を調整できることがわか
る。
As described above, it is understood from FIGS. 5 and 6 that the gain and pass phase of the distortion compensation circuit 1 of FIG. 1 can be adjusted by changing the input impedance.

【0041】出力整合回路5により,ダイオード2の出
力側のインピーダンスを変化させた場合の整合回路1の
利得および通過位相特性のシミュレーション結果の例を
図6に示す。なお、キャパシタ3の値は,1pFとし,
順方向電圧Vd=0.35V,入力インピーダンス50
Ωとした。
FIG. 6 shows an example of simulation results of the gain and pass phase characteristics of the matching circuit 1 when the output matching circuit 5 changes the impedance on the output side of the diode 2. The value of the capacitor 3 is 1 pF,
Forward voltage Vd = 0.35V, input impedance 50
Ω.

【0042】図7は入力電力を−40dBmから0dB
mまでに増加したときの利得をスミスチャート上にプロ
ットしたものである。また,図8は入力電力を−40d
Bmから0dBmまでに変化したときの通過位相量をス
ミスチャート上にプロットしたものである。
FIG. 7 shows the input power from -40 dBm to 0 dB.
It is a plot of the gain when increasing to m on a Smith chart. Further, in FIG. 8, the input power is -40d.
It is a plot of the passing phase amount on the Smith chart when changing from Bm to 0 dBm.

【0043】この場合でも同様に、図7および図8よ
り,出力インピーダンスを変化させることにより,図1
の歪補償回路1の利得および通過位相を調整できること
がわかる。
Also in this case, similarly, by changing the output impedance from FIG. 7 and FIG.
It can be seen that the gain and pass phase of the distortion compensation circuit 1 can be adjusted.

【0044】以上のことを踏まえて、利得および通過位
相の対周波数特性を理想的なものにするために、図1の
歪補償回路1のパラメータをどのように設定すればよい
かについて説明する。
Based on the above, how to set the parameters of the distortion compensating circuit 1 in FIG. 1 in order to make the gain and pass phase versus frequency characteristics ideal will be described.

【0045】増幅器を例にとって説明する。理想的な増
幅器の入出力位相特性は、周波数によらず、入力電力が
増加しても飽和電力まで利得が一定であり、通過位相が
変化しない線形な特性である。しかし、多くの増幅器は
周波数特性を持つため、中心周波数付近と帯域の端では
入出力位相特性が異なり、歪み特性などに違いが見られ
る。そこで、これらの歪みの発生を抑制するために、歪
みを補償する増幅器と逆の周波数特性を持つ図1の歪補
償回路1とを組み合わせて使用することで線形に近い特
性を得ることができる。
An amplifier will be described as an example. The ideal input / output phase characteristic of the amplifier is a linear characteristic in which the gain is constant up to the saturation power even when the input power increases, and the pass phase does not change regardless of the frequency. However, since many amplifiers have frequency characteristics, the input / output phase characteristics are different near the center frequency and at the edge of the band, and distortion characteristics are different. Therefore, in order to suppress the generation of these distortions, an amplifier that compensates for distortion and the distortion compensation circuit 1 of FIG. 1 having an inverse frequency characteristic are used in combination to obtain a characteristic that is almost linear.

【0046】補償の対象となる増幅器の利得および通過
位相の対周波数特性を測定あるいはシミュレーションに
より求める。そして、図5乃至図8の特性図を参考にし
て、この増幅器の利得および通過位相の変動を抑制する
ように、つまりこの増幅器の変動と入力整合回路4と出
力整合回路5の変動とが互いに相殺するように、特性イ
ンピーダンスを調整する。これは図5乃至図8のグラフ
があれば容易に実行できる。
The gain and pass phase versus frequency characteristics of the amplifier to be compensated are obtained by measurement or simulation. Then, with reference to the characteristic diagrams of FIGS. 5 to 8, the variation of the gain and the passing phase of the amplifier is suppressed, that is, the variation of the amplifier and the variation of the input matching circuit 4 and the output matching circuit 5 are mutually different. The characteristic impedance is adjusted so as to cancel each other out. This can be easily done with the graphs of FIGS.

【0047】以上、増幅器を例にとり説明したが、この
装置を適用する他の装置についても同様である。
The amplifier has been described above as an example, but the same applies to other devices to which this device is applied.

【0048】図1の歪補償回路1による実際の歪補償結
果の例を示す。図9は測定系統を示す図である。同図に
おいて、歪補償回路1の入力側および出力側にそれぞれ
サーキュレータ31a、31bが取り付けられている。
これは反射特性を改善するためである。サーキュレータ
31a、31bには、それぞれ無反射終端32a,32
bが取り付けられている。アッテネータ33は、サーキ
ュレータ31bを介して受けた歪補償回路1の出力を適
当に減衰させる。電力増幅器34は、アッテネータ33
の出力を適宜増幅する。
An example of the actual distortion compensation result by the distortion compensation circuit 1 of FIG. 1 will be shown. FIG. 9 is a diagram showing a measurement system. In the figure, circulators 31a and 31b are attached to the input side and the output side of the distortion compensation circuit 1, respectively.
This is to improve the reflection characteristics. The circulators 31a and 31b have non-reflective ends 32a and 32, respectively.
b is attached. The attenuator 33 appropriately attenuates the output of the distortion compensation circuit 1 received via the circulator 31b. The power amplifier 34 includes an attenuator 33.
The output of is amplified appropriately.

【0049】図9の測定系統で測定された特性図を図1
0に示す。同図からわかるように、出力電力13dBm
において隣接チャネル漏洩電力が最大5dB改善されて
いることがわかる。
FIG. 1 is a characteristic diagram measured by the measurement system of FIG.
0 is shown. As can be seen from the figure, the output power is 13 dBm.
It can be seen that the maximum adjacent channel leakage power is improved by 5 dB.

【0050】以上のように、この実施の形態1の歪補償
回路は、ダイオードとキャパシタの並列回路により対入
力電力特性についての歪補償を行うので、利得および位
相の対入力電力特性が改善される。この歪補償回路を用
いることにより理想的な線形増幅特性が得られる。
As described above, the distortion compensating circuit according to the first embodiment performs distortion compensation on the input power characteristic by the parallel circuit of the diode and the capacitor, so that the gain and phase versus input power characteristics are improved. . An ideal linear amplification characteristic can be obtained by using this distortion compensation circuit.

【0051】実施の形態2.実施の形態2の歪補償回路
について説明する。図1との対応部分に同一符号を付け
た図11は,この歪補償回路1bの構成を示す等価回路
である。図11の回路は、図1の回路からキャパシタ3
を取り除いたものである。ダイオード2は寄生容量を有
する。一般に、この寄生容量はダイオードの動作上好ま
しくないものであるが、この実施の形態2においてはこ
の寄生容量を対電力特性についての位相補償を行うため
の要素として積極的に利用する。この実施の形態2はダ
イオードの寄生容量を含めた特性に基づき歪補償を行う
点に特徴がある。
Embodiment 2 The distortion compensation circuit according to the second embodiment will be described. FIG. 11 in which parts corresponding to those in FIG. 1 are assigned the same reference numerals is an equivalent circuit showing the configuration of this distortion compensation circuit 1b. The circuit of FIG. 11 is the same as the circuit of FIG.
Is removed. The diode 2 has a parasitic capacitance. Generally, this parasitic capacitance is not preferable for the operation of the diode, but in the second embodiment, this parasitic capacitance is positively used as an element for performing phase compensation with respect to power characteristics. The second embodiment is characterized in that distortion compensation is performed based on the characteristics including the parasitic capacitance of the diode.

【0052】基本的な動作は実施の形態1の場合と同様
である。ダイオード2により対入力電力特性についての
歪補償が行われる。そのために必要な具体的なパラメー
タ設定も同様であるので、相違点のみ述べる。
The basic operation is similar to that of the first embodiment. The diode 2 performs distortion compensation on the input power characteristic. The specific parameter settings necessary for that are also the same, so only the differences will be described.

【0053】図12は,入力電力に対する利得,通過位
相特性のシミュレーション結果である。シミュレーショ
ンは,シリコンショットキーダイオードの大信号モデル
パラメータを抽出し,ハーモニックバランス法を用い
て,周波数1.9GHzにて解析を行った。入出力のイ
ンピーダンスを50Ωとし,ダイオード2に加える順方
向電圧Vd=0.35[V]とした。図12より,入力
電力の増加に対し,利得が増加し,位相が遅れる特性が
得られることがわかる。なお、図12の一点鎖線は、比
較対象としての図2のグラフである。
FIG. 12 is a simulation result of the gain and pass phase characteristics with respect to the input power. In the simulation, a large signal model parameter of the silicon Schottky diode was extracted, and analysis was performed at a frequency of 1.9 GHz using the harmonic balance method. The input / output impedance was set to 50Ω, and the forward voltage Vd applied to the diode 2 was set to 0.35 [V]. It can be seen from FIG. 12 that the gain is increased and the phase is delayed as the input power is increased. The alternate long and short dash line in FIG. 12 is the graph in FIG. 2 as a comparison target.

【0054】図13に,ダイオード2に加える順方向電
圧をパラメータとした場合の入力電力に対する利得,通
過位相特性のシミュレーション結果を示す。図13よ
り、ダイオードに加える順方向電圧を変えることで図7
の歪補償回路1bの利得,通過位相を調整できることが
わかる。
FIG. 13 shows the simulation results of the gain and pass phase characteristics with respect to the input power when the forward voltage applied to the diode 2 is used as a parameter. From FIG. 13, by changing the forward voltage applied to the diode, as shown in FIG.
It can be seen that the gain and pass phase of the distortion compensation circuit 1b can be adjusted.

【0055】入力整合回路4により,ダイオード2の入
力側のインピーダンスを変化させた場合の利得,通過位
相特性のシミュレーション結果の例を図14および図1
5に示す。図14は入力電力−40dBmから0dBm
までに増加した利得をスミスチャート上にプロットした
ものである。また,図15は入力電力−40dBmから
0dBmまでに変化した時の通過位相量をスミスチャー
ト上にプロットしたものである。図14および図15に
より,入力インピーダンスを変化させることにより,図
11の歪補償回路1bの利得,通過位相を調整できるこ
とがわかる。
14 and 1 show examples of simulation results of gain and pass phase characteristics when the input impedance of the diode 2 is changed by the input matching circuit 4.
It is shown in FIG. FIG. 14 shows an input power of -40 dBm to 0 dBm.
This is a plot on the Smith chart of the gain increased up to. Further, FIG. 15 is a plot of the amount of passing phase when the input power changes from −40 dBm to 0 dBm on a Smith chart. 14 and 15, it can be seen that the gain and pass phase of the distortion compensation circuit 1b of FIG. 11 can be adjusted by changing the input impedance.

【0056】出力整合回路5により,ダイオード2の出
力側のインピーダンスを変化させた場合の利得,通過位
相特性のシミュレーション結果の例を図16および図1
7に示す。順方向電圧Vd=0.35V,入力インピー
ダンス50Ωとした。図16は入力電力−40dBmか
ら0dBmまでに増加した利得をスミスチャート上にプ
ロットしたものである。また,図17は入力電力−40
dBmから0dBmまでに変化した通過位相量をスミス
チャート上にプロットしたものである。図16および図
17より,出力インピーダンスを変化させることによ
り,図11の歪補償回路1bの利得,通過位相を調整で
きることがわかる。
16 and 1 show examples of simulation results of gain and pass phase characteristics when the output side impedance of the diode 2 is changed by the output matching circuit 5.
FIG. The forward voltage Vd was 0.35 V and the input impedance was 50Ω. FIG. 16 is a plot of the gain increased from the input power of −40 dBm to 0 dBm on the Smith chart. In addition, FIG. 17 shows input power -40
It is a plot of the amount of passing phase varying from dBm to 0 dBm on a Smith chart. From FIGS. 16 and 17, it can be seen that the gain and pass phase of the distortion compensation circuit 1b of FIG. 11 can be adjusted by changing the output impedance.

【0057】実施の形態3 実施の形態3の歪補償回路について説明する。図1との
対応部分に同一符号を付けた図18は,この歪補償回路
1cの構成を示す等価回路である。図中、10、11は
抵抗である。12はダイオード2と並列に接続されてい
るインピーダンス回路である。インピーダンス回路12
は、キャパシタ3および抵抗11、12からなってい
る。インピーダンス回路12がダイオード2と並列に接
続されている。
Third Embodiment A distortion compensation circuit according to the third embodiment will be described. FIG. 18 in which parts corresponding to those in FIG. 1 are assigned the same reference numerals is an equivalent circuit showing the configuration of this distortion compensation circuit 1c. In the figure, 10 and 11 are resistors. Reference numeral 12 is an impedance circuit connected in parallel with the diode 2. Impedance circuit 12
Is composed of a capacitor 3 and resistors 11 and 12. The impedance circuit 12 is connected in parallel with the diode 2.

【0058】次に動作について説明する。この歪補償回
路1cは,実施の形態1の歪補償回路と比較し,キャパ
シタ3と並列に抵抗10が接続され,これに抵抗11を
直列に接続したインピーダンス回路12がダイオード2
に並列に接続されている点が異なる。従って,歪補償回
路1と同様に外部からの信号に歪を与えることができ,
入力電力の増加に対し,利得が増加し,位相が遅れる特
性が得られる。
Next, the operation will be described. This distortion compensating circuit 1c is different from the distortion compensating circuit of the first embodiment in that a resistor 10 is connected in parallel with a capacitor 3 and an impedance circuit 12 in which a resistor 11 is connected in series is connected to a diode 2.
The difference is that they are connected in parallel. Therefore, like the distortion compensating circuit 1, distortion can be applied to an external signal,
As the input power increases, the gain increases and the phase is delayed.

【0059】図19に,抵抗11の大きさをパラメータ
とした場合の,入力電力に対する利得,通過位相特性の
シミュレーション結果を示す。入出力のインピーダンス
を50Ω,ダイオード2に加える順方向電圧Vd=0.
35[V],抵抗10の大きさは100Ω,キャパシタ
3の容量値を1pFとした。図19より,抵抗11の大
きさを変えることで,図18の歪補償回路9の利得,通
過位相を調整できることがわかる。
FIG. 19 shows the simulation results of the gain and the pass phase characteristic with respect to the input power when the size of the resistor 11 is used as a parameter. The input / output impedance is 50Ω, and the forward voltage Vd = 0.
35 [V], the size of the resistor 10 was 100Ω, and the capacitance value of the capacitor 3 was 1 pF. It can be seen from FIG. 19 that the gain and pass phase of the distortion compensation circuit 9 of FIG. 18 can be adjusted by changing the size of the resistor 11.

【0060】図20に周波数をパラメータとした場合の
入力電力に対する利得,通過位相特性のシミュレーショ
ン結果を示す。入出力のインピーダンスを50Ω,ダイ
オード2に加える順方向電圧Vd=0.35[V],抵
抗10,11の大きさは100Ω,キャパシタ3の容量
値を1pFとした。インピーダンス回路12が周波数特
性を持つことで発生する歪がインピーダンス回路12の
周波数特性により変化し,周波数に依存した特性を与え
ることができることがわかる。
FIG. 20 shows simulation results of gain and pass phase characteristics with respect to input power when frequency is used as a parameter. The input / output impedance was 50Ω, the forward voltage Vd applied to the diode 2 was 0.35 [V], the sizes of the resistors 10 and 11 were 100Ω, and the capacitance of the capacitor 3 was 1 pF. It can be seen that the distortion caused by the impedance circuit 12 having the frequency characteristic changes depending on the frequency characteristic of the impedance circuit 12, and the characteristic depending on the frequency can be given.

【0061】実施の形態4 実施の形態4の歪補償回路について説明する。図1との
対応部分に同一符号を付けた図21は,この歪補償回路
1dの構成を示す等価回路である。図中、14は抵抗,
15はインダクタである。抵抗14とインダクタ15に
より構成されるインピーダンス回路16がダイオード2
と並列に接続されている。
Fourth Embodiment A distortion compensation circuit according to the fourth embodiment will be described. FIG. 21 in which parts corresponding to those in FIG. 1 are assigned the same reference numerals is an equivalent circuit showing the configuration of this distortion compensation circuit 1d. In the figure, 14 is a resistor,
Reference numeral 15 is an inductor. The impedance circuit 16 composed of the resistor 14 and the inductor 15 is connected to the diode 2
And are connected in parallel.

【0062】次に動作について説明する。この歪補償回
路1dは,実施の形態2の歪補償回路と比較し,抵抗1
4およびインダクタ15により構成されるインピーダン
ス回路16がダイオード2に並列に接続されている点が
異なる。この場合でも,歪補償回路6と同様に外部から
の信号に歪を与えることができ,入力電力の増加に対
し,利得が増加し,位相が遅れる特性が得られる。ま
た,インピーダンス回路16のインピーダンスの大きさ
を変えることで,入力電力の増加に対し,利得が増加
し,位相が遅れる特性を調整できる。
Next, the operation will be described. This distortion compensation circuit 1d is different from the distortion compensation circuit of the second embodiment in that the resistance 1
The difference is that an impedance circuit 16 constituted by 4 and an inductor 15 is connected in parallel to the diode 2. Even in this case, distortion can be applied to an external signal as in the case of the distortion compensating circuit 6, and the characteristics that the gain is increased and the phase is delayed with respect to the increase of the input power are obtained. Further, by changing the magnitude of the impedance of the impedance circuit 16, it is possible to adjust the characteristic that the gain is increased and the phase is delayed with respect to the increase of the input power.

【0063】実施の形態5 実施の形態5の歪補償回路について説明する。図1との
対応部分に同一符号を付けた図22は,この歪補償回路
1eの構成を示す構成図である。図中、18、19はキ
ャパシタ,インダクタ,または,抵抗のいずれか少なく
とも一つから構成されるインピーダンス回路である。イ
ンピーダンス回路18および19が,ダイオード2と直
列に接続されている。
Fifth Embodiment A distortion compensation circuit according to the fifth embodiment will be described. FIG. 22 in which parts corresponding to those in FIG. 1 are assigned the same reference numerals is a block diagram showing the configuration of this distortion compensation circuit 1e. In the figure, 18 and 19 are impedance circuits composed of at least one of a capacitor, an inductor and a resistor. Impedance circuits 18 and 19 are connected in series with the diode 2.

【0064】次に動作について説明する。この歪補償回
路1eは,実施の形態1の歪補償回路1と比較し,キャ
パシタ,インダクタ,または,抵抗のいずれか少なくと
も一つから構成されるインピーダンス回路18,19が
ダイオード2に直列に接続されている点が異なる。この
場合でも,歪補償回路1と同様に外部からの信号に歪を
与えることができ,入力電力の増加に対し,利得が増加
し,位相が遅れる特性が得られる。また,インピーダン
ス回路18,19のインピーダンスの大きさを変えるこ
とで入力電力の増加に対し利得が増加し,位相が遅れる
特性を調整できる。
Next, the operation will be described. This distortion compensating circuit 1e is different from the distortion compensating circuit 1 of the first embodiment in that impedance circuits 18 and 19 each including at least one of a capacitor, an inductor and a resistor are connected to a diode 2 in series. Is different. Even in this case, the distortion can be applied to the signal from the outside similarly to the distortion compensating circuit 1, and the characteristics that the gain is increased and the phase is delayed with respect to the increase of the input power can be obtained. Also, by changing the magnitude of the impedance of the impedance circuits 18 and 19, it is possible to adjust the characteristic that the gain increases and the phase delays with respect to the increase of the input power.

【0065】実施の形態6 実施の形態6の歪補償回路について説明する。図23
は,この歪補償回路20の構成を示す構成図である。歪
補償回路1が少なくとも2つ直列に接続されている。
Sixth Embodiment A distortion compensation circuit according to the sixth embodiment will be described. FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram showing the configuration of the distortion compensation circuit 20. At least two distortion compensation circuits 1 are connected in series.

【0066】次に動作について説明する。実施形態1な
いし実施形態5の歪補償回路1が少なくとも2つ直列に
接続されているため,歪補償回路1と同様に外部からの
信号に歪を与えることができ,入力電力の増加に対し利
得が増加し,位相が遅れる特性が得られる。また,実施
形態1等の歪補償回路と比較し,より大きな歪に対応で
きる。
Next, the operation will be described. Since at least two distortion compensating circuits 1 of Embodiments 1 to 5 are connected in series, distortion can be applied to a signal from the outside similarly to the distortion compensating circuit 1, and a gain can be obtained with an increase in input power. Is obtained and the phase is delayed. Further, it is possible to cope with a larger distortion as compared with the distortion compensation circuit of the first embodiment or the like.

【0067】実施の形態7 実施の形態6の歪補償回路について説明する。図24
は,この歪補償回路21の構成を示す構成図である。歪
補償回路1が少なくとも2つ並列に接続されている。
Seventh Embodiment A distortion compensation circuit according to the sixth embodiment will be described. FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram showing the configuration of the distortion compensation circuit 21. At least two distortion compensation circuits 1 are connected in parallel.

【0068】次に動作について説明する。実施形態1乃
至実施形態5の歪補償回路1が少なくとも2つ並列に接
続されているため,歪補償回路1等と同様に外部からの
信号に歪を与えることができ,入力電力の増加に対し利
得が増加し,位相が遅れる特性が得られる。また,実施
形態1の歪補償回路と比較し,より大きな電力において
歪を与えることができる。
Next, the operation will be described. Since at least two distortion compensating circuits 1 of Embodiments 1 to 5 are connected in parallel, it is possible to distort an external signal as in the distortion compensating circuit 1 and the like, and to increase the input power. The gain is increased and the phase is delayed. In addition, compared to the distortion compensating circuit of the first embodiment, it is possible to give distortion at a larger power.

【0069】実施の形態8 実施の形態6の歪補償回路について説明する。図25
は,このる歪補償回路22の構成を示す構成図である。
図中、23,24は,歪を発生される周波数において十
分大きなインピーダンスをもつインダクタ,25は公知
の電圧源である。電圧源25により所定のバイアスが加
えられ,キャパシタ3と並列に接続されたダイオード2
が信号路に直列に接続されている。
Eighth Embodiment A distortion compensation circuit according to the sixth embodiment will be described. FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram showing the configuration of the distortion compensation circuit 22.
In the figure, 23 and 24 are inductors having a sufficiently large impedance at a frequency where distortion is generated, and 25 is a known voltage source. A predetermined bias is applied by the voltage source 25, and the diode 2 connected in parallel with the capacitor 3
Are connected in series to the signal path.

【0070】次に動作について説明する。実施形態1乃
至実施形態5の歪補償回路1に加える電圧の大きさをダ
イオード2の温度により制御する。これにより,広い温
度で歪補償回路1と同様に外部からの信号に歪を与える
ことができ,入力電力の増加に対し,利得が増加し,位
相が遅れる特性が得られる。
Next, the operation will be described. The magnitude of the voltage applied to the distortion compensation circuit 1 of the first to fifth embodiments is controlled by the temperature of the diode 2. As a result, distortion can be applied to an external signal as in the distortion compensating circuit 1 over a wide temperature range, and gain is increased and phase is delayed with respect to an increase in input power.

【0071】実施の形態9 実施の形態6の歪補償回路について説明する。図26
は,この歪補償回路28の構成を示す構成図である。図
中26,27は,アイソレータである。歪補償回路1と
アイソレータ26,27が直列に接続されている。
Ninth Embodiment A distortion compensation circuit according to the sixth embodiment will be described. FIG.
FIG. 4 is a configuration diagram showing the configuration of the distortion compensation circuit 28. In the figure, 26 and 27 are isolators. The distortion compensation circuit 1 and the isolators 26 and 27 are connected in series.

【0072】次に動作について説明する。この歪補償回
路28は,実施の形態1等の歪補償回路1と比較し,直
列にアイソレータを接続されている点が異なる。従っ
て,歪補償回路1と同様に外部からの信号に歪を与える
ことができ,入力電力の増加に対し,利得が増加し,位
相が遅れる特性が得られる。
Next, the operation will be described. The distortion compensating circuit 28 differs from the distortion compensating circuit 1 of the first embodiment and the like in that an isolator is connected in series. Therefore, similarly to the distortion compensating circuit 1, distortion can be applied to the signal from the outside, and the gain is increased and the phase is delayed with respect to the increase of the input power.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば,ビルト
イン電圧程度の順方向電圧を加えることで非線形の強い
領域にバイアスされた振幅歪を発生するダイオードと,
位相歪を付加するためのキャパシタとが並列に接続され
た回路を備えることにより,入力電力の増加に対し利得
が増加し,位相が遅れる特性が得られ,小型で高効率な
歪補償回路を実現できる。
As described above, according to the present invention, a diode for generating an amplitude distortion biased in a strong non-linear region by applying a forward voltage of about the built-in voltage,
By providing a circuit in which a capacitor for adding phase distortion is connected in parallel, gain increases with increasing input power and phase delay is obtained, realizing a compact and highly efficient distortion compensation circuit. it can.

【0074】さらに次の発明によれば,キャパシタをダ
イオードの寄生容量で置き換えるのでキャパシタが不要
となり、さらに構成が簡単になる効果を奏する。
Further, according to the next invention, since the capacitor is replaced by the parasitic capacitance of the diode, there is an effect that the capacitor is unnecessary and the structure is further simplified.

【0075】さらに次の発明によれば,キャパシタをイ
ンピーダンス回路で置き換えるので、この回路のパラメ
ータを調整することにより,細かな補償を行うことがで
きて理想の特性にさらに近づけることができる。
Further, according to the next invention, since the capacitor is replaced by the impedance circuit, it is possible to perform fine compensation by adjusting the parameter of this circuit, and it is possible to bring it closer to the ideal characteristic.

【0076】さらに次の発明によれば,インピーダンス
回路を備えるので、この回路のパラメータを調整するこ
とにより,細かな補償を行うことができて理想の特性に
さらに近づけることができる。
Further, according to the next invention, since the impedance circuit is provided, it is possible to perform fine compensation by adjusting the parameter of this circuit, and it is possible to bring it closer to the ideal characteristic.

【0077】さらに次の発明によれば,ダイオードの接
合部の温度によりダイオードに加えるバイアス電圧を制
御することにより,広い温度範囲で、所定量の入力電力
の増加に対し利得が増加し,位相が遅れる特性が得られ
る。
Further, according to the next invention, by controlling the bias voltage applied to the diode according to the temperature of the junction portion of the diode, the gain is increased and the phase is increased in a wide temperature range for a predetermined amount of input power increase. Delay characteristics can be obtained.

【0078】さらに次の発明によれば,上記歪補償回路
の入力側,または,出力側の少なくとも一方にアイソレ
ータを設けることにより,入出力の反射特性を改善でき
る。また,外部のインピーダンスに依存せず,本歪補償
回路の入出力インピーダンスを任意に設定できるので,
入出力位相特性の調整の自由度がます。
According to the next invention, the input / output reflection characteristic can be improved by providing an isolator on at least one of the input side and the output side of the distortion compensation circuit. Also, the input / output impedance of this distortion compensation circuit can be set arbitrarily without depending on the external impedance,
There is flexibility in adjusting the input / output phase characteristics.

【0079】さらに次の発明によれば,上記歪補償回路
を少なくとも2段直列に接続したので、より大きな歪を
補償できる。
Further, according to the following invention, since at least two stages of the distortion compensating circuits are connected in series, a larger distortion can be compensated.

【0080】さらに次の発明によれば,上記歪補償回路
を少なくとも2段並列に接続したので、より大きな電力
において歪を補償できる。
Further, according to the next invention, since at least two stages of the distortion compensating circuits are connected in parallel, the distortion can be compensated with a larger power.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 実施の形態1の歪補償回路の等価回路図であ
る。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a distortion compensation circuit according to a first embodiment.

【図2】 実施の形態1の歪補償回路の入力電力に対す
る利得および通過位相特性のシミュレーション結果を示
す特性曲線図である。
FIG. 2 is a characteristic curve diagram showing a simulation result of gain and pass phase characteristics with respect to input power of the distortion compensation circuit of the first embodiment.

【図3】 実施の形態1の歪補償回路のダイオード2に
加える順方向電圧をパラメータとした場合の,入力電力
に対する利得および通過位相特性のシミュレーション結
果を示す特性曲線図である。
FIG. 3 is a characteristic curve diagram showing simulation results of gain and pass phase characteristics with respect to input power when a forward voltage applied to the diode 2 of the distortion compensation circuit of the first embodiment is used as a parameter.

【図4】 実施の形態1の歪補償回路のキャパシタ3の
容量をパラメータとした場合の,入力電力に対する利得
および通過位相特性のシミュレーション結果を示す特性
曲線図である。
FIG. 4 is a characteristic curve diagram showing simulation results of gain and pass phase characteristics with respect to input power when the capacitance of the capacitor 3 of the distortion compensation circuit of the first embodiment is used as a parameter.

【図5】 実施の形態1の歪補償回路の入力側のインピ
ーダンスをパラメータとした利得の増加量のシミュレー
ション結果を示すスミスチャートである。
FIG. 5 is a Smith chart showing a simulation result of an increase amount of gain with the impedance on the input side of the distortion compensation circuit according to the first embodiment as a parameter.

【図6】 実施の形態1の歪補償回路の入力側のインピ
ーダンスをパラメータとした通過位相量のシミュレーシ
ョン結果を示すスミスチャートである。
FIG. 6 is a Smith chart showing a simulation result of a passing phase amount using the input impedance of the distortion compensation circuit of the first embodiment as a parameter.

【図7】 実施の形態1の歪補償回路の出力側のインピ
ーダンスをパラメータとした利得の増加量のシミュレー
ション結果を示すスミスチャートである。
FIG. 7 is a Smith chart showing the simulation result of the gain increase amount with the impedance on the output side of the distortion compensation circuit according to the first embodiment as a parameter.

【図8】 実施の形態1の歪補償回路の出力側のインピ
ーダンスをパラメータとした通過位相量のシミュレーシ
ョン結果を示すスミスチャートである。
FIG. 8 is a Smith chart showing a simulation result of a passing phase amount using the output impedance of the distortion compensation circuit of the first embodiment as a parameter.

【図9】 実施の形態1の歪補償回路の特性を測定する
ための測定系統図である。
FIG. 9 is a measurement system diagram for measuring characteristics of the distortion compensation circuit according to the first embodiment.

【図10】 実施の形態1の歪補償回路の特性図であ
る。
FIG. 10 is a characteristic diagram of the distortion compensation circuit according to the first embodiment.

【図11】 実施の形態2の歪補償回路の等価回路図で
ある。
FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of the distortion compensation circuit according to the second embodiment.

【図12】 実施の形態2の歪補償回路の入力電力に対
する利得および通過位相特性のシミュレーション結果を
示す特性曲線図である。
FIG. 12 is a characteristic curve diagram showing simulation results of gain and pass phase characteristics with respect to input power of the distortion compensation circuit of the second embodiment.

【図13】 実施の形態2の歪補償回路のダイオード2
に加える順方向電圧をパラメータとした場合の入力電力
に対する利得および通過位相特性のシミュレーション結
果を示す特性曲線図である。
FIG. 13 is a diode 2 of the distortion compensation circuit according to the second embodiment.
FIG. 6 is a characteristic curve diagram showing simulation results of gain and pass phase characteristics with respect to input power when a forward voltage applied to is used as a parameter.

【図14】 実施の形態2の歪補償回路の入力側のイン
ピーダンスをパラメータとした利得の増加量のシミュレ
ーション結果を示すスミスチャートである。
FIG. 14 is a Smith chart showing a simulation result of a gain increase amount using the input impedance of the distortion compensation circuit of the second embodiment as a parameter.

【図15】 実施の形態2の歪補償回路の入力側のイン
ピーダンスをパラメータとした通過位相量のシミュレー
ション結果を示すスミスチャートである。
FIG. 15 is a Smith chart showing a simulation result of a passing phase amount using the input impedance of the distortion compensation circuit of the second embodiment as a parameter.

【図16】 実施の形態2の歪補償回路の出力側のイン
ピーダンスをパラメータとした利得の増加量のシミュレ
ーション結果を示すスミスチャートである。
FIG. 16 is a Smith chart showing the simulation result of the gain increase amount with the impedance on the output side of the distortion compensation circuit according to the second embodiment as a parameter.

【図17】 実施の形態2の歪補償回路の出力側のイン
ピーダンスをパラメータとした通過位相量のシミュレー
ション結果を示すスミスチャートである。
FIG. 17 is a Smith chart showing a simulation result of a passing phase amount using the output impedance of the distortion compensation circuit of the second embodiment as a parameter.

【図18】 実施の形態3の歪補償回路の等価回路図で
ある。
FIG. 18 is an equivalent circuit diagram of the distortion compensation circuit according to the third embodiment.

【図19】 実施の形態3の歪補償回路の抵抗11の大
きさをパラメータとした場合の入力電力に対する利得お
よび通過位相特性のシミュレーション結果を示す特性曲
線図である。
FIG. 19 is a characteristic curve diagram showing simulation results of gain and pass phase characteristics with respect to input power when the size of the resistor 11 of the distortion compensation circuit of the third embodiment is used as a parameter.

【図20】 実施の形態3の歪補償回路の周波数をパラ
メータとした場合の入力電力に対する利得および通過位
相特性のシミュレーション結果を示す特性曲線図であ
る。
FIG. 20 is a characteristic curve diagram showing simulation results of gain and pass phase characteristics with respect to input power when the frequency of the distortion compensation circuit of the third embodiment is used as a parameter.

【図21】 実施の形態4の歪補償回路の等価回路図で
ある。
FIG. 21 is an equivalent circuit diagram of the distortion compensation circuit according to the fourth embodiment.

【図22】 実施の形態5の歪補償回路の等価回路図で
ある。
FIG. 22 is an equivalent circuit diagram of the distortion compensation circuit according to the fifth embodiment.

【図23】 実施の形態6の歪補償回路の等価回路図で
ある。
FIG. 23 is an equivalent circuit diagram of the distortion compensation circuit according to the sixth embodiment.

【図24】 実施の形態7の歪補償回路の等価回路図で
ある。
FIG. 24 is an equivalent circuit diagram of the distortion compensation circuit according to the seventh embodiment.

【図25】 実施の形態8の歪補償回路の等価回路図で
ある。
FIG. 25 is an equivalent circuit diagram of the distortion compensation circuit according to the eighth embodiment.

【図26】 実施の形態9の歪補償回路の等価回路図で
ある。
FIG. 26 is an equivalent circuit diagram of the distortion compensation circuit according to the ninth embodiment.

【図27】 従来例1の歪補償回路の等価回路図であ
る。
FIG. 27 is an equivalent circuit diagram of a distortion compensation circuit of Conventional Example 1.

【図28】 従来例2の回路の模式図である。28 is a schematic diagram of a circuit of Conventional Example 2. FIG.

【図29】 従来例2の予歪生成回路の概略図である。FIG. 29 is a schematic diagram of a predistortion generation circuit of Conventional Example 2.

【図30】 従来例3の回路の模式図である。FIG. 30 is a schematic diagram of a circuit of Conventional Example 3.

【図31】 従来例4の回路の等価回路を示す模式図で
ある。
FIG. 31 is a schematic diagram showing an equivalent circuit of a circuit of Conventional Example 4.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

歪補償回路 1,ダイオード 2,キャパシタ 3,入
力整合回路 4、出力整合回路 5、抵抗 10,1
1,14,インピーダンス回路 12,16,18,1
9、インダクタ 15,23,24、電圧源 25、ア
イソレータ 26,27。
Distortion compensation circuit 1, diode 2, capacitor 3, input matching circuit 4, output matching circuit 5, resistor 10, 1
1, 14, impedance circuit 12, 16, 18, 1
9, inductors 15, 23, 24, voltage source 25, isolators 26, 27.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三井 康郎 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasuo Mitsui 2-3-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Sanryo Electric Co., Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非線形の動作領域にバイアスされて振幅
歪を発生するダイオードと,上記ダイオードに並列に接
続されて位相歪を発生するキャパシタとを備え,入力電
力の増加に対し利得が増加するとともに位相が遅れる特
性を持つ歪補償回路。
1. A diode, which is biased in a non-linear operation region to generate amplitude distortion, and a capacitor, which is connected in parallel to the diode and generates phase distortion, increase the gain as the input power increases. Distortion compensation circuit with the characteristic that the phase is delayed.
【請求項2】 上記キャパシタを、上記ダイオードの接
合容量に置き換えたことを特徴とする請求項1の歪補償
回路。
2. The distortion compensation circuit according to claim 1, wherein the capacitor is replaced with a junction capacitance of the diode.
【請求項3】 上記キャパシタを、抵抗,インダクタ,
または,キャパシタの少なくともいずれか一つを備える
インピーダンス回路に置き換えたことを特徴とする請求
項1記載の歪補償回路。
3. A capacitor, a resistor, an inductor,
Alternatively, the distortion compensating circuit according to claim 1, wherein the distortion compensating circuit is replaced with an impedance circuit including at least one of the capacitors.
【請求項4】 上記ダイオードと上記キャパシタとの並
列回路に対して直列に接続され、抵抗,インダクタ,ま
たは,キャパシタの少なくともいずれか一つを備えるイ
ンピーダンス回路を備えたことを特徴とする請求項1記
載の歪補償回路。
4. An impedance circuit connected in series with a parallel circuit of the diode and the capacitor, the impedance circuit including at least one of a resistor, an inductor, and a capacitor. Distortion compensation circuit described.
【請求項5】 上記ダイオードの接合部の温度に基づき
上記ダイオードに加えるバイアス電圧を制御することを
特徴とする請求項1記載の歪補償回路。
5. The distortion compensation circuit according to claim 1, wherein the bias voltage applied to the diode is controlled based on the temperature of the junction of the diode.
【請求項6】 請求項1乃至請求項5いずれかに記載の
歪補償回路の入力側または出力側の少なくともいずれか
一方にアイソレータを設けたことを特徴とする歪補償回
路。
6. A distortion compensating circuit, wherein an isolator is provided on at least one of an input side and an output side of the distortion compensating circuit according to any one of claims 1 to 5.
【請求項7】 請求項1乃至請求項6いずれかに記載の
歪補償回路を複数備え、これら歪補償回路を直列に構成
してなることを特徴とする歪補償回路。
7. A distortion compensating circuit comprising a plurality of distortion compensating circuits according to claim 1, wherein these distortion compensating circuits are configured in series.
【請求項8】 請求項1乃至請求項6いずれかに記載の
歪補償回路を複数備え、これら歪補償回路を並列に構成
してなることを特徴とする歪補償回路。
8. A distortion compensating circuit comprising a plurality of distortion compensating circuits according to claim 1, wherein these distortion compensating circuits are arranged in parallel.
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