JPH09232898A - Saw filter chip and its manufacture - Google Patents
Saw filter chip and its manufactureInfo
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- JPH09232898A JPH09232898A JP3650396A JP3650396A JPH09232898A JP H09232898 A JPH09232898 A JP H09232898A JP 3650396 A JP3650396 A JP 3650396A JP 3650396 A JP3650396 A JP 3650396A JP H09232898 A JPH09232898 A JP H09232898A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＡＷフィルタチ
ップ及びその製造方法に係り、特に、携帯電話装置にお
ける、無線部品におけるＳＡＷフィルタチップの膜構造
及びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a SAW filter chip and a method of manufacturing the SAW filter chip, and more particularly to a film structure of a SAW filter chip in a wireless component of a mobile phone device and a method of manufacturing the SAW filter chip.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＳＡＷフィルタチップは図４に示
すような構造となっていた。図４において、ＬｉＴａＯ
3 ウエハ基板１上に、第１膜としてアルミニウム蒸着に
よるアルミニウム膜２、第２膜として酸化膜スパッタに
よる酸化保護膜３、第３膜として金（クロム−ニッケル
−クロム−金）蒸着による金ボンディングパッド４を形
成し、この金ボンディングパッド４にボンディングワイ
ヤ５によりワイヤボンディングを行うようにしていた。2. Description of the Related Art Conventionally, a SAW filter chip has a structure as shown in FIG. In FIG. 4, LiTaO
3 On the wafer substrate 1, an aluminum film 2 formed by aluminum vapor deposition as a first film, an oxide protective film 3 formed by oxide film sputtering as a second film, and a gold bonding pad formed by gold (chrome-nickel-chrome-gold) vapor deposition as a third film. 4 was formed, and the gold bonding pad 4 was wire-bonded with the bonding wire 5.
【０００３】ここで、図５を参照しながら、その製造方
法について説明する。 （１）まず、第１ホトリソを行う（ステップＳ１）。 （２）次に、アルミニウム膜を蒸着とリフトオフにより
形成する（ステップＳ２）。 （３）次に、第２ホトリソを行う（ステップＳ３）。Here, a manufacturing method thereof will be described with reference to FIG. (1) First, the first photolithography is performed (step S1). (2) Next, an aluminum film is formed by vapor deposition and lift-off (step S2). (3) Next, the second photolithography is performed (step S3).
【０００４】（４）次に、酸化保護膜をスパッタとリフ
トオフにより形成する（ステップＳ４）。 （５）次に、第３ホトリソを行う（ステップＳ５）。 （６）次に、金膜（金ボンディングパッド）を、蒸着と
リフトオフにより形成する（ステップＳ６）。(4) Next, an oxidation protection film is formed by sputtering and lift-off (step S4). (5) Next, the third photolithography is performed (step S5). (6) Next, a gold film (gold bonding pad) is formed by vapor deposition and lift-off (step S6).
【０００５】（７）次に、ダイシングを行う（ステップ
Ｓ７）。 （８）次に、ワイヤボンディングを行う（ステップＳ
８）。 （９）次に、封止を行う（ステップＳ９）。 このように、ホトリソグラフィプロセスにより、３回の
プロセスを施すようにしている。すなわち、第１膜とし
てアルミニウム蒸着、第２膜として酸化保護膜スパッ
タ、第３膜として金（クロム−ニッケル−クロム−金）
蒸着を順番に行い、ＳＡＷフィルタチップを製造するよ
うにしていた。(7) Next, dicing is performed (step S7). (8) Next, wire bonding is performed (step S
8). (9) Next, sealing is performed (step S9). In this way, the photolithography process is performed three times. That is, aluminum is vapor-deposited as the first film, oxidation protection film is sputtered as the second film, and gold (chromium-nickel-chromium-gold) is used as the third film.
Vapor deposition was performed in order to produce a SAW filter chip.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＳＡＷフィルタチップの製造方法では、３回の
ホトリソグラフィプロセスを施さればならず、特に、蒸
着及びスパッタの製造工程に多大な時間を要していた。
本発明は、上記問題点を除去し、ボンディングパッドへ
の接続が確実で、しかも工程が簡略化され、製造に要す
る時間を低減し得るＳＡＷフィルタチップ及びその製造
方法を提供することを目的とする。However, in the above-described conventional method of manufacturing a SAW filter chip, the photolithography process has to be performed three times, and particularly, a great amount of time is required for the manufacturing process of vapor deposition and sputtering. Was.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to eliminate the above-mentioned problems, provide a SAW filter chip that can be reliably connected to a bonding pad, can be simplified in process, and can reduce the time required for manufacturing, and a manufacturing method thereof. .
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）ＳＡＷフィルタチップにおいて、ＬｉＴａＯ3 ウ
エハ基板上に形成されるボンディングパッドと、このボ
ンディングパッドの一部に接続されるとともに、連続蒸
着されるアルミニウム膜と酸化保護膜を設けるようにし
たものである。In order to achieve the above object, the present invention provides: (1) In a SAW filter chip, a bonding pad formed on a LiTaO 3 wafer substrate and a part of the bonding pad connected. In addition, an aluminum film and an oxidation protection film that are continuously deposited are provided.
【０００８】したがって、封止時の半田飛びによる問題
もなく、接続が確実で、しかも、構造が簡単なＳＡＷフ
ィルタチップを提供することができる。さらに、金ボン
ディングパッドをアルミニウム膜で押さえる構造となる
ため、ワイヤボンディング時の金ボンディングパッドの
剥がれ等の問題も皆無になり、品質の向上を図ることが
できる。Therefore, it is possible to provide a SAW filter chip which has a reliable connection and has a simple structure without the problem of solder jumping at the time of sealing. Further, since the gold bonding pad is pressed by the aluminum film, there is no problem such as peeling of the gold bonding pad during wire bonding, and the quality can be improved.
【０００９】（２）ＳＡＷフィルタチップの製造方法に
おいて、ＬｉＴａＯ3 ウエハ基板上にボンディングパッ
ドを形成する工程と、前記ボンディングパッドの一部に
接続される、アルミニウム膜と酸化保護膜を連続蒸着す
るようにしたものである。このように、第２回目のホト
リソグラフィプロセスの後に、１回の工程でアルミニウ
ム膜の蒸着と、酸化保護膜の蒸着を連続蒸着で行うよう
にしたので、工程の簡略化、生産数の増大、製造コスト
の低減を図ることができる。(2) In a method of manufacturing a SAW filter chip, a step of forming a bonding pad on a LiTaO 3 wafer substrate and a continuous vapor deposition of an aluminum film and an oxidation protection film connected to a part of the bonding pad. It is the one. As described above, after the second photolithography process, the vapor deposition of the aluminum film and the vapor deposition of the oxidation protection film are performed by the continuous vapor deposition in one step, which simplifies the process and increases the production number. The manufacturing cost can be reduced.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例を示すＳＡＷフィルタチップの断面図、図２はそ
のＳＡＷフィルタチップの製造工程断面図である。図１
において、１１はＬｉＴａＯ3 のウエハ基板、１２は金
ボンディングパッド、１３はアルミニウム膜、１４は酸
化保護膜、１５はボンディングワイヤである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a SAW filter chip showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a manufacturing process of the SAW filter chip. FIG.
In the figure, 11 is a LiTaO 3 wafer substrate, 12 is a gold bonding pad, 13 is an aluminum film, 14 is an oxidation protection film, and 15 is a bonding wire.
【００１１】以下、そのＳＡＷフィルタチップの製造方
法について、図２を参照しながら説明する。まず、図２
（ａ）に示すように、ＬｉＴａＯ3 のウエハ基板１１
を、第１回目のホトリソグラフィプロセスにより、現像
を行い、真空中で金（クロム−ニッケル−クロム−金）
の蒸着を行い、リフトオフにより、金ボンディングパッ
ド１２を形成する。A method of manufacturing the SAW filter chip will be described below with reference to FIG. First, FIG.
As shown in (a), the LiTaO 3 wafer substrate 11 is used.
Is developed by the first photolithography process and gold (chromium-nickel-chromium-gold) is formed in a vacuum.
And the gold bonding pad 12 is formed by lift-off.
【００１２】次に、図２（ｂ）に示すように、第２回目
のホトリソグラフィプロセスにより、再度現像を行い、
真空中でアルミニウム（Ｃｕ−Ａｌ）の蒸着後、そのア
ルミニウム膜１３の上に酸化保護膜１４を蒸着する。そ
の後、図２（ｃ）に示すように、同様にリフトオフでア
ルミニウム膜１３及び酸化保護膜１４を形成する。Next, as shown in FIG. 2 (b), the second photolithography process is carried out to develop again,
After vapor deposition of aluminum (Cu-Al) in a vacuum, an oxidation protection film 14 is vapor deposited on the aluminum film 13. Thereafter, as shown in FIG. 2C, the aluminum film 13 and the oxidation protection film 14 are similarly formed by lift-off.
【００１３】その後、図２（ｄ）に示すように、金ボン
ディングパッド１２に、ボンディングワイヤ１５により
ワイヤボンディングを行う。このようにして、図１に示
すように、ＳＡＷフィルタチップを形成することができ
る。上記したＳＡＷフィルタチップパッケージに半田封
止を行っているため、封止時の半田飛びが問題となって
いる。After that, as shown in FIG. 2D, wire bonding is performed on the gold bonding pad 12 with the bonding wire 15. In this way, the SAW filter chip can be formed as shown in FIG. Since the SAW filter chip package described above is sealed with solder, there is a problem of solder skipping during sealing.
【００１４】そのため、従来技術（図４参照）でも示し
たように、酸化保護膜３をＳＡＷフィルタチップのアル
ミニウム膜２の上に保護膜としてスパッタしている。と
ころで、従来技術における酸化保護膜３のスパッタによ
る、電気放電の膜形成に代えて、本発明では、膜質の物
質が蒸着でも可能であることから、アルミニウム蒸着時
の同じ蒸着機で酸化保護膜を形成することにした。Therefore, as shown in the prior art (see FIG. 4), the oxidation protection film 3 is sputtered on the aluminum film 2 of the SAW filter chip as a protection film. By the way, instead of forming an electric discharge film by sputtering the oxidation protection film 3 in the prior art, in the present invention, since a substance having a film quality can be vapor-deposited, the oxidation protection film can be formed by the same vapor deposition machine during aluminum vapor deposition. I decided to form.
【００１５】しかしながら、ＳＡＷフィルタチップの膜
構成上、酸化保護膜はアルミパターンを覆っていなけれ
ばならず、従来の蒸着順序では、アルミパターンと信号
取り出しの入出力端パッド、または、アース確保のため
のパッドの金蒸着で接触部分がないので、蒸着工程の順
序を入れ換えるようにしている。以下、そのＳＡＷフィ
ルタチップの詳細な製造フローを図３を参照しながら説
明する。However, due to the film structure of the SAW filter chip, the oxidation protection film must cover the aluminum pattern, and in the conventional vapor deposition sequence, the aluminum pattern and the input / output end pads for signal extraction or grounding are required. Since there is no contact portion in the pad of gold vapor deposition, the order of vapor deposition steps is changed. Hereinafter, a detailed manufacturing flow of the SAW filter chip will be described with reference to FIG.
【００１６】（１）まず、第１ホトリソを行う（ステッ
プＳ１１）。 （２）次に、金膜（金ボンディングパッド）の形成を蒸
着とリフトオフにより行う（ステップＳ１２）。 （３）次に、第２ホトリソを行う（ステップＳ１３）。 （４）次に、アルミニウム膜及び酸化保護膜の形成を蒸
着とリフトオフにより行う（ステップＳ１４）。(1) First, the first photolithography is performed (step S11). (2) Next, a gold film (gold bonding pad) is formed by vapor deposition and lift-off (step S12). (3) Next, the second photolithography is performed (step S13). (4) Next, the aluminum film and the oxidation protection film are formed by vapor deposition and lift-off (step S14).
【００１７】（５）次に、ダイシングを行う（ステップ
Ｓ１５）。 （６）次に、ワイヤボンディングを行う（ステップＳ１
６）。 （７）次に、封止を行う（ステップＳ１７）。 また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。(5) Next, dicing is performed (step S15). (6) Next, wire bonding is performed (step S1)
6). (7) Next, sealing is performed (step S17). Further, the present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、封止時の半田飛び
による問題もなく、接続が確実で、しかも、構造が簡単
なＳＡＷフィルタチップを提供することができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the first aspect of the invention, it is possible to provide a SAW filter chip which has a reliable connection and a simple structure, without the problem of solder jumping at the time of sealing.
【００１９】さらに、金ボンディングパッドをアルミニ
ウム膜で押さえる構造となるため、ワイヤボンディング
時の金ボンディングパッドの剥がれ等の問題も皆無にな
り、品質の向上にも寄与できる。 （２）請求項２記載の発明によれば、第２回目のホトリ
ソグラフィプロセスの後に、１回の工程でアルミニウム
膜の蒸着と、酸化保護膜の蒸着を連続蒸着で行うように
したので、工程の簡略化、生産数の増大、製造コストの
低減を図ることができる。Further, since the gold bonding pad is pressed by the aluminum film, there is no problem such as peeling of the gold bonding pad at the time of wire bonding, and the quality can be improved. (2) According to the invention of claim 2, after the second photolithography process, the vapor deposition of the aluminum film and the vapor deposition of the oxidation protection film are performed by continuous vapor deposition in one step. Can be simplified, the number of productions can be increased, and the manufacturing cost can be reduced.
【図１】本発明の実施例を示すＳＡＷフィルタチップの
断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a SAW filter chip showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例を示すＳＡＷフィルタチップの
製造工程断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a manufacturing process of a SAW filter chip showing an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例を示すＳＡＷフィルタチップの
製造フローチャートである。FIG. 3 is a manufacturing flowchart of a SAW filter chip showing an embodiment of the present invention.
【図４】従来のＳＡＷフィルタチップの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a conventional SAW filter chip.
【図５】従来のＳＡＷフィルタチップの製造フローチャ
ートである。FIG. 5 is a manufacturing flowchart of a conventional SAW filter chip.
１１ ＬｉＴａＯ3 のウエハ基板 １２ 金ボンディングパッド １３ アルミニウム膜 １４ 酸化保護膜 １５ ボンディングワイヤ11 Wafer Substrate of LiTaO 3 12 Gold Bonding Pad 13 Aluminum Film 14 Oxidation Protective Film 15 Bonding Wire
Claims (2)
れるボンディングパッドと、（ｂ）該ボンディングパッ
ドの一部に接続されるとともに、連続蒸着されるアルミ
ニウム膜と酸化保護膜を設けることを特徴とするＳＡＷ
フィルタチップ。1. A bonding pad formed on a LiTaO 3 wafer substrate, and (b) an aluminum film and an oxidation protection film which are connected to a part of the bonding pad and which are continuously deposited. Characteristic SAW
Filter tip.
ィングパッドを形成する工程と、（ｂ）前記ボンディン
グパッドの一部に接続される、アルミニウム膜と酸化保
護膜を連続蒸着することを特徴とするＳＡＷフィルタチ
ップの製造方法。2. A method of: (a) forming a bonding pad on a LiTaO 3 wafer substrate; and (b) continuously vapor-depositing an aluminum film and an oxidation protection film connected to a part of the bonding pad. Method for manufacturing SAW filter chip.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3650396A JPH09232898A (en) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | Saw filter chip and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3650396A JPH09232898A (en) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | Saw filter chip and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232898A true JPH09232898A (en) | 1997-09-05 |
Family
ID=12471637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3650396A Withdrawn JPH09232898A (en) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | Saw filter chip and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232898A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1311519C (en) * | 2003-04-17 | 2007-04-18 | 因芬尼昂技术股份公司 | Crystal circular/ chip distribution layer protecting method |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP3650396A patent/JPH09232898A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1311519C (en) * | 2003-04-17 | 2007-04-18 | 因芬尼昂技术股份公司 | Crystal circular/ chip distribution layer protecting method |
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