JPH09232822A - 高周波結合線路 - Google Patents
高周波結合線路Info
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- JPH09232822A JPH09232822A JP8036640A JP3664096A JPH09232822A JP H09232822 A JPH09232822 A JP H09232822A JP 8036640 A JP8036640 A JP 8036640A JP 3664096 A JP3664096 A JP 3664096A JP H09232822 A JPH09232822 A JP H09232822A
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- high frequency
- inductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 携帯用無線機の防爆性を高めるため、絶縁性
の高い高周波結合線路を得る。 【解決手段】 誘電体基板１と、誘電体基板１の片面に
形成されたインダクタ８ａと、誘電体基板１の他方の面
に形成され、誘電体基板１を介してインダクタ８ａと結
合するインダクタ８ｂと、誘電体基板１の片面に形成さ
れ、インダクタ８ｂとの間で静電容量を発生するコンデ
ンサ８ｃ、８ｄとを備えた。入出力間を切り離すこと、
および、コンデンサを接続することにより２重の絶縁性
を確保して防爆性を高める。
の高い高周波結合線路を得る。 【解決手段】 誘電体基板１と、誘電体基板１の片面に
形成されたインダクタ８ａと、誘電体基板１の他方の面
に形成され、誘電体基板１を介してインダクタ８ａと結
合するインダクタ８ｂと、誘電体基板１の片面に形成さ
れ、インダクタ８ｂとの間で静電容量を発生するコンデ
ンサ８ｃ、８ｄとを備えた。入出力間を切り離すこと、
および、コンデンサを接続することにより２重の絶縁性
を確保して防爆性を高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、パーソナルハン
ディホンシステム（ＰＨＳ）等に用いられる携帯無線機
に使用される高周波結合線路に関するものであり、特
に、防爆対応機器の安全保持回路に用いる高周波結合線
路に関するものである。
ディホンシステム（ＰＨＳ）等に用いられる携帯無線機
に使用される高周波結合線路に関するものであり、特
に、防爆対応機器の安全保持回路に用いる高周波結合線
路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波通信の分野では、マイクロ波受信
装置として誘電体基板上にストリップ線路などの伝送線
路を形成している。一般的には、導体と十分幅の広い導
体（接地導体）とからなる線路で構成されており、入出
力回路のアースは接地導体で接続される不平衡回路で構
成される。例えば、特開平２−２９２９０１号公報のよ
うに接地導体で囲まれた中でストリップ線路を構成する
方法がとられていた。図１６は従来の高周波結合線路の
斜視図、図１７はその断面図である。
装置として誘電体基板上にストリップ線路などの伝送線
路を形成している。一般的には、導体と十分幅の広い導
体（接地導体）とからなる線路で構成されており、入出
力回路のアースは接地導体で接続される不平衡回路で構
成される。例えば、特開平２−２９２９０１号公報のよ
うに接地導体で囲まれた中でストリップ線路を構成する
方法がとられていた。図１６は従来の高周波結合線路の
斜視図、図１７はその断面図である。
【０００３】図１６および図１７において接地導体１１
ａと１１ｄの間に誘電体１１ｂをはさみ、導体１１ｃを
配置する構造である。これら導体によりコンデンサやイ
ンダクタ等の伝送線路を構成する。以上のように、従来
のマイクロストリツプラインは、入出力のアースを接続
しかつ広い接地導体を用いて構成されている。この種の
高周波結合線路は、図１８に示すように、アンテナと無
線送受信機能を持つ高周波回路との間に設けられてい
る。
ａと１１ｄの間に誘電体１１ｂをはさみ、導体１１ｃを
配置する構造である。これら導体によりコンデンサやイ
ンダクタ等の伝送線路を構成する。以上のように、従来
のマイクロストリツプラインは、入出力のアースを接続
しかつ広い接地導体を用いて構成されている。この種の
高周波結合線路は、図１８に示すように、アンテナと無
線送受信機能を持つ高周波回路との間に設けられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、パーソナル
ハンディホンシステム（ＰＨＳ）等に用いられる携帯無
線機に防爆性が要求されることがある。このような防爆
機器に使用される高周波結合線路には、所定の高周波帯
域の通過特性と高電圧での耐圧性能の両方が必要とされ
る。このために、高周波結合線路の構造は入出力が直流
的に遮断され、かつ、接地導体も切り離されたものでな
ければならない。したがって、従来のマイクロストリツ
プラインや通常のコンデンサ部品による構成では防爆性
を実現できなかった。
ハンディホンシステム（ＰＨＳ）等に用いられる携帯無
線機に防爆性が要求されることがある。このような防爆
機器に使用される高周波結合線路には、所定の高周波帯
域の通過特性と高電圧での耐圧性能の両方が必要とされ
る。このために、高周波結合線路の構造は入出力が直流
的に遮断され、かつ、接地導体も切り離されたものでな
ければならない。したがって、従来のマイクロストリツ
プラインや通常のコンデンサ部品による構成では防爆性
を実現できなかった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、所定の高周波帯域の通過特性と
防爆性の両方を満足する高周波結合線路を得ることを目
的としている。
ためになされたもので、所定の高周波帯域の通過特性と
防爆性の両方を満足する高周波結合線路を得ることを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の高周波結合線
路は、アンテナと高周波回路とを直流的には絶縁し、高
周波的には接続する高周波結合線路であって、誘電体基
板と、上記誘電体基板の両面に形成され、コンデンサを
構成する第１の電極パターンおよび第２の電極パターン
とを備えたものである。
路は、アンテナと高周波回路とを直流的には絶縁し、高
周波的には接続する高周波結合線路であって、誘電体基
板と、上記誘電体基板の両面に形成され、コンデンサを
構成する第１の電極パターンおよび第２の電極パターン
とを備えたものである。
【０００７】この発明に係わるアンテナバリアパターン
は、入出力の接地導体を切り離し直流的に遮断するとと
もに、高周波帯域の通過特性の挿入損失を低減するする
ためにプリント基板にマイクロストリップラインを画く
ことで諸特性を満足させようとするものである。
は、入出力の接地導体を切り離し直流的に遮断するとと
もに、高周波帯域の通過特性の挿入損失を低減するする
ためにプリント基板にマイクロストリップラインを画く
ことで諸特性を満足させようとするものである。
【０００８】請求項２の高周波結合線路は、アンテナと
高周波回路とを直流的には絶縁し、高周波的には接続す
る高周波結合線路であって、誘電体基板と、上記誘電体
基板の両面に形成された第１の電極パターンおよび第２
の電極パターンから構成される第１の不平衡−平衡型変
換器と、上記誘電体基板の両面に形成された第３の電極
パターンおよび第４の電極パターンから構成され、上記
誘電体基板を介して上記第１の不平衡−平衡型変換器と
結合する第２の不平衡−平衡型変換器とを備えたもので
ある。
高周波回路とを直流的には絶縁し、高周波的には接続す
る高周波結合線路であって、誘電体基板と、上記誘電体
基板の両面に形成された第１の電極パターンおよび第２
の電極パターンから構成される第１の不平衡−平衡型変
換器と、上記誘電体基板の両面に形成された第３の電極
パターンおよび第４の電極パターンから構成され、上記
誘電体基板を介して上記第１の不平衡−平衡型変換器と
結合する第２の不平衡−平衡型変換器とを備えたもので
ある。
【０００９】請求項３の高周波結合線路は、アンテナと
高周波回路とを直流的には絶縁し、高周波的には接続す
る高周波結合線路であって、誘電体基板と、上記誘電体
基板の片面に形成された第１の電極パターンにより構成
される第１のリングレゾネータと、上記誘電体基板の他
方の面に形成された第２の電極パターンにより構成さ
れ、上記誘電体基板を介して上記第１のリングレゾネー
タと結合する第２のリングレゾネータとを備えたもので
ある。
高周波回路とを直流的には絶縁し、高周波的には接続す
る高周波結合線路であって、誘電体基板と、上記誘電体
基板の片面に形成された第１の電極パターンにより構成
される第１のリングレゾネータと、上記誘電体基板の他
方の面に形成された第２の電極パターンにより構成さ
れ、上記誘電体基板を介して上記第１のリングレゾネー
タと結合する第２のリングレゾネータとを備えたもので
ある。
【００１０】請求項４の高周波結合線路は、アンテナと
高周波回路とを直流的には絶縁し、高周波的には接続す
る高周波結合線路であって、誘電体基板と、上記誘電体
基板の片面に形成された第１の電極パターンにより構成
される第１のインダクタと、上記誘電体基板の他方の面
に形成された第２の電極パターンにより構成され、上記
誘電体基板を介して上記第１のインダクタと結合する第
２のインダクタと、上記誘電体基板の片面に形成され、
上記第１のインダクタとの間で静電容量を発生するコン
デンサとを備えたものである。
高周波回路とを直流的には絶縁し、高周波的には接続す
る高周波結合線路であって、誘電体基板と、上記誘電体
基板の片面に形成された第１の電極パターンにより構成
される第１のインダクタと、上記誘電体基板の他方の面
に形成された第２の電極パターンにより構成され、上記
誘電体基板を介して上記第１のインダクタと結合する第
２のインダクタと、上記誘電体基板の片面に形成され、
上記第１のインダクタとの間で静電容量を発生するコン
デンサとを備えたものである。
【００１１】この発明におけるパターンは入力側の同調
用インダクタパターン（マイクロストリップライン）と
ストレー容量で１次側の共振回路を作り、対向面のパタ
ーンで同調用インダクターパターンとストレー容量で２
次側の共振回路を作り、２つの回路をプリント基板の誘
電率で結合させることで複同調回路を構成する。これに
より高周波での伝送損失を低減し不要な周波数を除く選
択特性をもつフィルターとなる。また、高電圧の耐圧特
性を維持するためコンデンサパターンを形成して接続す
る方法をもちいて２重の絶縁性を確保している。
用インダクタパターン（マイクロストリップライン）と
ストレー容量で１次側の共振回路を作り、対向面のパタ
ーンで同調用インダクターパターンとストレー容量で２
次側の共振回路を作り、２つの回路をプリント基板の誘
電率で結合させることで複同調回路を構成する。これに
より高周波での伝送損失を低減し不要な周波数を除く選
択特性をもつフィルターとなる。また、高電圧の耐圧特
性を維持するためコンデンサパターンを形成して接続す
る方法をもちいて２重の絶縁性を確保している。
【００１２】請求項５の高周波結合線路は、上記誘電体
基板の誘電率および厚みを変えることにより上記第１の
インダクタと上記第２のインダクタの結合度を可変とし
たものである。
基板の誘電率および厚みを変えることにより上記第１の
インダクタと上記第２のインダクタの結合度を可変とし
たものである。
【００１３】
実施の形態１．以下、この発明の実施の形態１の高周波
結合線路（アンテナバリアパターン）について説明す
る。図１は実施の形態１の高周波結合線路の斜視図であ
る。同図において、１は誘電体基板、２ａは誘電体基板
１の表面に形成されたコンデンサパターン、２ｂは誘電
体基板１の裏面に形成されたコンデンサパターンであ
る。コンデンサパターン２ａ，２ｂの形状はそれぞれ長
方形である。もっとも、平面的であればこの形状に限ら
ない。
結合線路（アンテナバリアパターン）について説明す
る。図１は実施の形態１の高周波結合線路の斜視図であ
る。同図において、１は誘電体基板、２ａは誘電体基板
１の表面に形成されたコンデンサパターン、２ｂは誘電
体基板１の裏面に形成されたコンデンサパターンであ
る。コンデンサパターン２ａ，２ｂの形状はそれぞれ長
方形である。もっとも、平面的であればこの形状に限ら
ない。
【００１４】図２は、図１の高周波結合線路のＡ−Ａ’
矢視断面図である。コンデンサパターン２ａとコンデン
サパターン２ｂとは平行であり対向している。同図に示
すように、コンデンサパターン２ａには出力線が接続さ
れ、コンデンサパターン２ｂには入力線が接続される。
出力線には、例えば図示しないアンテナが接続され、入
力線には、例えば図示しない携帯無線機の高周波回路が
接続される。なお、コンデンサパターン２ａ，２ｂと入
力、出力の関係が逆になってもよいのは言うまでもな
い。また、図１８は、この発明の高周波結合線路のシス
テム（装置）内での接続関係の説明図である。高周波結
合線路は、アンテナと無線送受信機能を持つ高周波回路
との間に設けられている。この図において、高周波結合
線路は、アンテナからの信号ライン１、アースライン１
と、高周波回路からの信号ライン２、アースライン２と
を直流的に絶縁し、高周波的に接続するためのものであ
る。
矢視断面図である。コンデンサパターン２ａとコンデン
サパターン２ｂとは平行であり対向している。同図に示
すように、コンデンサパターン２ａには出力線が接続さ
れ、コンデンサパターン２ｂには入力線が接続される。
出力線には、例えば図示しないアンテナが接続され、入
力線には、例えば図示しない携帯無線機の高周波回路が
接続される。なお、コンデンサパターン２ａ，２ｂと入
力、出力の関係が逆になってもよいのは言うまでもな
い。また、図１８は、この発明の高周波結合線路のシス
テム（装置）内での接続関係の説明図である。高周波結
合線路は、アンテナと無線送受信機能を持つ高周波回路
との間に設けられている。この図において、高周波結合
線路は、アンテナからの信号ライン１、アースライン１
と、高周波回路からの信号ライン２、アースライン２と
を直流的に絶縁し、高周波的に接続するためのものであ
る。
【００１５】図１および図２のコンデンサパターン２
ａ，２ｂは、互いに電磁的に結合する。この電磁的な結
合の特性は、（１）コンデンサパターン２ａ，２ｂの面
積を増減する（面積を増加すると静電容量は増加し、面
積を減少すると静電容量は減少する）、（２）誘電体基
板１の厚みを増減する（厚みを増加すると静電容量は減
少し、厚みを減少すると静電容量は増加する）、（３）
誘電体基板１の材質を変えて誘電率を変化させる（誘電
率を増加すると静電容量は増加し、誘電率を減少すると
静電容量は減少する）のいずれか、あるいはこれらの組
合せにより調整できる。このような方法で調整すれば、
所定の高周波帯域の通過特性で、入力された高周波信号
は出力側に伝搬する。
ａ，２ｂは、互いに電磁的に結合する。この電磁的な結
合の特性は、（１）コンデンサパターン２ａ，２ｂの面
積を増減する（面積を増加すると静電容量は増加し、面
積を減少すると静電容量は減少する）、（２）誘電体基
板１の厚みを増減する（厚みを増加すると静電容量は減
少し、厚みを減少すると静電容量は増加する）、（３）
誘電体基板１の材質を変えて誘電率を変化させる（誘電
率を増加すると静電容量は増加し、誘電率を減少すると
静電容量は減少する）のいずれか、あるいはこれらの組
合せにより調整できる。このような方法で調整すれば、
所定の高周波帯域の通過特性で、入力された高周波信号
は出力側に伝搬する。
【００１６】また、この実施の形態１の高周波結合線路
の構造は、図１および図２から明らかなように、入出力
が直流的に遮断され、かつ、接地導体も切り離されたも
のである。したがって、この実施の形態１の高周波結合
線路は防爆性を満足する。以上の説明で明らかなよう
に、この実施の形態１の高周波結合線路は所定の高周波
帯域の通過特性と防爆性の両方を満足する。また、パタ
ーン線路をプリント基板上に構成することで安価で無調
整可できる効果がある。
の構造は、図１および図２から明らかなように、入出力
が直流的に遮断され、かつ、接地導体も切り離されたも
のである。したがって、この実施の形態１の高周波結合
線路は防爆性を満足する。以上の説明で明らかなよう
に、この実施の形態１の高周波結合線路は所定の高周波
帯域の通過特性と防爆性の両方を満足する。また、パタ
ーン線路をプリント基板上に構成することで安価で無調
整可できる効果がある。
【００１７】実施の形態２．この発明の実施の形態２の
高周波結合線路について説明する。図３は実施の形態２
の高周波結合線路の斜視図である。同図において、１は
誘電体基板、３ａは誘電体基板１の表面に形成された入
力側の同調用パターン、３ｂは誘電体基板１の裏面に形
成された出力側の同調用パターン、３ｃは誘電体基板１
の裏面に形成された入力側の接地用パターン、３ｄは誘
電体基板１の表面に形成された出力側の接地用パターン
である。
高周波結合線路について説明する。図３は実施の形態２
の高周波結合線路の斜視図である。同図において、１は
誘電体基板、３ａは誘電体基板１の表面に形成された入
力側の同調用パターン、３ｂは誘電体基板１の裏面に形
成された出力側の同調用パターン、３ｃは誘電体基板１
の裏面に形成された入力側の接地用パターン、３ｄは誘
電体基板１の表面に形成された出力側の接地用パターン
である。
【００１８】同調用パターン３ａと接地用パターン３ｃ
は、入力側の平衡−不平衡型の変換器を構成して１次側
の同調回路を形成する。同調用パターン３ｂと接地用パ
ターン３ｄは、出力側の平衡−不平衡型の変換器を構成
して２次側の同調回路を形成する。
は、入力側の平衡−不平衡型の変換器を構成して１次側
の同調回路を形成する。同調用パターン３ｂと接地用パ
ターン３ｄは、出力側の平衡−不平衡型の変換器を構成
して２次側の同調回路を形成する。
【００１９】図４は、図３の高周波結合線路のＢ−Ｂ’
矢視断面図である。同調用パターン３ａと同調用パター
ン３ｂとは平行であり対向している。図５は、図３の高
周波結合線路のＣ−Ｃ’矢視断面図である。同調用パタ
ーン３ｂと接地用パターン３ｄとは平行であり対向して
いる。
矢視断面図である。同調用パターン３ａと同調用パター
ン３ｂとは平行であり対向している。図５は、図３の高
周波結合線路のＣ−Ｃ’矢視断面図である。同調用パタ
ーン３ｂと接地用パターン３ｄとは平行であり対向して
いる。
【００２０】同調用パターン３ａと接地用パターン３ｃ
による入力側の平衡−不平衡型の変換器には、例えば図
示しない携帯無線機の高周波回路が接続される。同調用
パターン３ｂと接地用パターン３ｄによる出力側の平衡
−不平衡型の変換器には、例えば図示しないアンテナが
接続される。入力、出力の関係が逆になってもよいのは
言うまでもない。同調用パターン３ａと接地用パターン
３ｃと、同調用パターン３ｂと接地用パターン３ｄとの
関係は対称であり、その面積も同一面積である。
による入力側の平衡−不平衡型の変換器には、例えば図
示しない携帯無線機の高周波回路が接続される。同調用
パターン３ｂと接地用パターン３ｄによる出力側の平衡
−不平衡型の変換器には、例えば図示しないアンテナが
接続される。入力、出力の関係が逆になってもよいのは
言うまでもない。同調用パターン３ａと接地用パターン
３ｃと、同調用パターン３ｂと接地用パターン３ｄとの
関係は対称であり、その面積も同一面積である。
【００２１】この実施の形態２によれば、同調用パター
ン３ａと同調用パターン３ｂとの対向部分（図４）で互
いに電磁的に結合する。この電磁的な結合の特性は実施
の形態１の場合と同様の方法で調整できる。したがっ
て、所定の高周波帯域の通過特性で、入力された高周波
信号は出力側に伝搬する。
ン３ａと同調用パターン３ｂとの対向部分（図４）で互
いに電磁的に結合する。この電磁的な結合の特性は実施
の形態１の場合と同様の方法で調整できる。したがっ
て、所定の高周波帯域の通過特性で、入力された高周波
信号は出力側に伝搬する。
【００２２】また、この実施の形態２の高周波結合線路
の構造は、図３ないし図５から明らかなように、入出力
が直流的に遮断され、かつ、接地導体も切り離されたも
のである。したがって、この実施の形態２の高周波結合
線路は防爆性を満足する。以上の説明で明らかなよう
に、この実施の形態２の高周波結合線路は所定の高周波
帯域の通過特性と防爆性の両方を満足する
の構造は、図３ないし図５から明らかなように、入出力
が直流的に遮断され、かつ、接地導体も切り離されたも
のである。したがって、この実施の形態２の高周波結合
線路は防爆性を満足する。以上の説明で明らかなよう
に、この実施の形態２の高周波結合線路は所定の高周波
帯域の通過特性と防爆性の両方を満足する
【００２３】実施の形態３．この発明の実施の形態３の
高周波結合線路について説明する。図６は実施の形態３
の高周波結合線路の斜視図である。同図において、１は
誘電体基板、４ａは誘電体基板１の表面に形成されたリ
ングレゾネータ型のストリップラインである。リングレ
ゾネータ型のストリップライン４ａのインダクタとスト
レー容量とにより、図６の回路は特定周波数で共振す
る。
高周波結合線路について説明する。図６は実施の形態３
の高周波結合線路の斜視図である。同図において、１は
誘電体基板、４ａは誘電体基板１の表面に形成されたリ
ングレゾネータ型のストリップラインである。リングレ
ゾネータ型のストリップライン４ａのインダクタとスト
レー容量とにより、図６の回路は特定周波数で共振す
る。
【００２４】図７は、図６の高周波結合線路のＤ−Ｄ’
矢視断面図である。図８は、図６の高周波結合線路のＥ
−Ｅ’矢視断面図である。
矢視断面図である。図８は、図６の高周波結合線路のＥ
−Ｅ’矢視断面図である。
【００２５】この実施の形態３の図６の高周波結合線路
は、特定周波数で共振し、共振器として動作する。この
共振特性はリングレゾネータ型のストリップライン４ａ
の形状を変えることにより調整できる。したがって、所
定の高周波帯域の通過特性が得られる。
は、特定周波数で共振し、共振器として動作する。この
共振特性はリングレゾネータ型のストリップライン４ａ
の形状を変えることにより調整できる。したがって、所
定の高周波帯域の通過特性が得られる。
【００２６】また、この実施の形態３の高周波結合線路
の構造は、他の実施の形態の例と異なり入出力を分離す
るものではないが、図６ないし図８から明らかなよう
に、やはり接地導体をもたない。したがって、この実施
の形態３の高周波結合線路は防爆性を満足する。以上の
説明で明らかなように、この実施の形態３の高周波結合
線路は所定の高周波帯域の通過特性と防爆性の両方を満
足する
の構造は、他の実施の形態の例と異なり入出力を分離す
るものではないが、図６ないし図８から明らかなよう
に、やはり接地導体をもたない。したがって、この実施
の形態３の高周波結合線路は防爆性を満足する。以上の
説明で明らかなように、この実施の形態３の高周波結合
線路は所定の高周波帯域の通過特性と防爆性の両方を満
足する
【００２７】実施の形態４．この発明の実施の形態４の
高周波結合線路について説明する。図９は実施の形態４
の高周波結合線路の斜視図である。同図において、１は
誘電体基板、４ａは誘電体基板１の表面に形成されたリ
ングレゾネータ型のストリップライン、４ｂは誘電体基
板１の裏面に形成されたリングレゾネータ型のストリッ
プラインである。図９の高周波結合線路は、図６の高周
波結合線路が表面と裏面それぞれに対称に設けられたも
のである。
高周波結合線路について説明する。図９は実施の形態４
の高周波結合線路の斜視図である。同図において、１は
誘電体基板、４ａは誘電体基板１の表面に形成されたリ
ングレゾネータ型のストリップライン、４ｂは誘電体基
板１の裏面に形成されたリングレゾネータ型のストリッ
プラインである。図９の高周波結合線路は、図６の高周
波結合線路が表面と裏面それぞれに対称に設けられたも
のである。
【００２８】図１０は、実施の形態４の高周波結合線路
の等価回路である。キャパシタＣ１、Ｃ２はストレー容
量である。インダクタＬ１とキャパシタＣ１は、リング
レゾネータ型のストリップライン４ａに対応する。イン
ダクタＬ２とキャパシタＣ２は、リングレゾネータ型の
ストリップライン４ｂに対応する。
の等価回路である。キャパシタＣ１、Ｃ２はストレー容
量である。インダクタＬ１とキャパシタＣ１は、リング
レゾネータ型のストリップライン４ａに対応する。イン
ダクタＬ２とキャパシタＣ２は、リングレゾネータ型の
ストリップライン４ｂに対応する。
【００２９】図１０からわかるように、実施の形態４の
高周波結合線路は、リングレゾネータ型のストリップラ
イン４ａおよび４ｂのインダクタパターンにより１次側
および２次側の共振回路を形成するとともに、誘電体１
をとおしてリングレゾネータ型のストリップライン４ａ
と４ｂとを電磁的に結合させることにより、フィルター
回路を構成する。
高周波結合線路は、リングレゾネータ型のストリップラ
イン４ａおよび４ｂのインダクタパターンにより１次側
および２次側の共振回路を形成するとともに、誘電体１
をとおしてリングレゾネータ型のストリップライン４ａ
と４ｂとを電磁的に結合させることにより、フィルター
回路を構成する。
【００３０】リングレゾネータ型のストリップライン４
ａおよび４ｂには、図示しない携帯無線機の高周波回路
や図示しないアンテナが接続される。入力、出力の接続
関係はどちらでもよい。
ａおよび４ｂには、図示しない携帯無線機の高周波回路
や図示しないアンテナが接続される。入力、出力の接続
関係はどちらでもよい。
【００３１】この実施の形態４によれば、リングレゾネ
ータ型のストリップライン４ａと４ｂとは対向部分で互
いに電磁的に結合する。この電磁的な結合の特性は実施
の形態１あるいは３の場合と同様の方法で調整できる。
ータ型のストリップライン４ａと４ｂとは対向部分で互
いに電磁的に結合する。この電磁的な結合の特性は実施
の形態１あるいは３の場合と同様の方法で調整できる。
【００３２】たとえば、リングレゾネータ型のストリッ
プライン４ａのインダクタパターンで１次側の共振回路
を形成し、誘電体基板１をはさんで裏側に同形状のリン
グレゾネータ型のストリップライン４ｂのインダクタパ
ターンを画き、さらに、誘電体基板１の厚みを薄くする
ことで結合度を深くし、図１１のような双峰の選択特性
を得ることができる。また、誘電体基板１の厚みを厚く
することで結合度を浅くし、図１２のような単峰の選択
特性を得ることができる。以上のように、所定の高周波
帯域の通過特性で、入力された高周波信号は出力側に伝
搬する。
プライン４ａのインダクタパターンで１次側の共振回路
を形成し、誘電体基板１をはさんで裏側に同形状のリン
グレゾネータ型のストリップライン４ｂのインダクタパ
ターンを画き、さらに、誘電体基板１の厚みを薄くする
ことで結合度を深くし、図１１のような双峰の選択特性
を得ることができる。また、誘電体基板１の厚みを厚く
することで結合度を浅くし、図１２のような単峰の選択
特性を得ることができる。以上のように、所定の高周波
帯域の通過特性で、入力された高周波信号は出力側に伝
搬する。
【００３３】また、この実施の形態４の高周波結合線路
の構造は、図９から明らかなように、入出力が直流的に
遮断され、かつ、接地導体を備えないものである。した
がって、この実施の形態４の高周波結合線路は防爆性を
満足する。
の構造は、図９から明らかなように、入出力が直流的に
遮断され、かつ、接地導体を備えないものである。した
がって、この実施の形態４の高周波結合線路は防爆性を
満足する。
【００３４】実施の形態５．この発明の実施の形態５の
高周波結合線路について説明する。図１３は実施の形態
５の高周波結合線路の斜視図である。同図において、１
は誘電体基板、８ａは誘電体基板１の表面に形成された
インダクタパターン、８ｂは誘電体基板１の裏面に形成
されたインダクタパターン、８ｃ、８ｄは誘電体基板１
の表面に形成されたコンデンサパターンである。
高周波結合線路について説明する。図１３は実施の形態
５の高周波結合線路の斜視図である。同図において、１
は誘電体基板、８ａは誘電体基板１の表面に形成された
インダクタパターン、８ｂは誘電体基板１の裏面に形成
されたインダクタパターン、８ｃ、８ｄは誘電体基板１
の表面に形成されたコンデンサパターンである。
【００３５】図１４（ａ）は実施の形態５の高周波結合
線路の表面のパターン図である。図１４（ｂ）は実施の
形態５の高周波結合線路の裏面のパターン図である。こ
れらの図は、理解を容易にするために、いずれも高周波
結合線路を上から見た状態でで 表現している。すなわ
ち、図１４（ｂ）のパターンは誘電体基板１を透過して
見たものである。高周波結合線路を下から見たパターン
は、図１４（ｂ）の左右を反転させた形になる。インダ
クタパターン８ａ、８ｂの同調用パターンの長さは信号
の波長の１／４である。また、インダクタパターン８
ａ、８ｂの形状は同一である。
線路の表面のパターン図である。図１４（ｂ）は実施の
形態５の高周波結合線路の裏面のパターン図である。こ
れらの図は、理解を容易にするために、いずれも高周波
結合線路を上から見た状態でで 表現している。すなわ
ち、図１４（ｂ）のパターンは誘電体基板１を透過して
見たものである。高周波結合線路を下から見たパターン
は、図１４（ｂ）の左右を反転させた形になる。インダ
クタパターン８ａ、８ｂの同調用パターンの長さは信号
の波長の１／４である。また、インダクタパターン８
ａ、８ｂの形状は同一である。
【００３６】図１５は、実施の形態５の高周波結合線路
の等価回路である。インダクタＬ３、Ｌ４は、それぞれ
インダクタパターン８ｂ、８ａに対応する。キャパシタ
Ｃ５、Ｃ６は、それぞれインダクタパターン８ｂ、８ａ
のストレー容量である。キャパシタＣ３は、コンデンサ
パターン８ｃとインダクタパターン８ｂの部分８ｂ−１
とにより構成される。キャパシタＣ４は、コンデンサパ
ターン８ｄとインダクタパターン８ｂの部分８ｂ−２と
により構成される。
の等価回路である。インダクタＬ３、Ｌ４は、それぞれ
インダクタパターン８ｂ、８ａに対応する。キャパシタ
Ｃ５、Ｃ６は、それぞれインダクタパターン８ｂ、８ａ
のストレー容量である。キャパシタＣ３は、コンデンサ
パターン８ｃとインダクタパターン８ｂの部分８ｂ−１
とにより構成される。キャパシタＣ４は、コンデンサパ
ターン８ｄとインダクタパターン８ｂの部分８ｂ−２と
により構成される。
【００３７】図１５からわかるように、実施の形態５の
高周波結合線路は、インダクタパターン８ａおよび８ｂ
により１次側および２次側の共振回路を形成するととも
に、誘電体１をとおしてインダクタパターン８ａおよび
８ｂとを電磁的に結合させることにより、特定周波数だ
けのエネルギーを伝達する複同調結合フィルター回路を
構成する。また、入力側に耐電圧特性を持つコンデンサ
Ｃ３、Ｃ４を備える。したがって、防爆性の点で有利で
ある。
高周波結合線路は、インダクタパターン８ａおよび８ｂ
により１次側および２次側の共振回路を形成するととも
に、誘電体１をとおしてインダクタパターン８ａおよび
８ｂとを電磁的に結合させることにより、特定周波数だ
けのエネルギーを伝達する複同調結合フィルター回路を
構成する。また、入力側に耐電圧特性を持つコンデンサ
Ｃ３、Ｃ４を備える。したがって、防爆性の点で有利で
ある。
【００３８】には、図示しない携帯無線機の高周波回路
や図示しないアンテナが接続される。入力、出力の接続
関係はどちらでもよい。
や図示しないアンテナが接続される。入力、出力の接続
関係はどちらでもよい。
【００３９】この実施の形態５によれば、インダクタパ
ターン８ａおよび８ｂとは対向部分で互いに電磁的に結
合する。この電磁的な結合の特性は実施の形態１ないし
４の場合と同様の方法で調整できる。また、コンデンサ
Ｃ３、Ｃ４の容量は実施の形態１の場合と同様の方法で
調整できる。以上のように、所定の高周波帯域の通過特
性で、入力された高周波信号は出力側に伝搬する。
ターン８ａおよび８ｂとは対向部分で互いに電磁的に結
合する。この電磁的な結合の特性は実施の形態１ないし
４の場合と同様の方法で調整できる。また、コンデンサ
Ｃ３、Ｃ４の容量は実施の形態１の場合と同様の方法で
調整できる。以上のように、所定の高周波帯域の通過特
性で、入力された高周波信号は出力側に伝搬する。
【００４０】また、この実施の形態５の高周波結合線路
の構造は、図１３から明らかなように、入出力が直流的
に遮断され、かつ、接地導体を備えないものである。し
たがって、この実施の形態５の高周波結合線路は防爆性
を満足する。
の構造は、図１３から明らかなように、入出力が直流的
に遮断され、かつ、接地導体を備えないものである。し
たがって、この実施の形態５の高周波結合線路は防爆性
を満足する。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、コン
デンサ、不平衡−平衡型変換器、あるいはリングレゾネ
ータを備える高周波結合線路において入出力間で接地を
切り離すので、防爆性を持たせるとともに、所定の周波
数特性を維持することができる。
デンサ、不平衡−平衡型変換器、あるいはリングレゾネ
ータを備える高周波結合線路において入出力間で接地を
切り離すので、防爆性を持たせるとともに、所定の周波
数特性を維持することができる。
【００４２】また、この発明によれば、誘電体基板と、
上記誘電体基板の片面に形成された第１の電極パターン
により構成される第１のインダクタと、上記誘電体基板
の他方の面に形成された第２の電極パターンにより構成
され、上記誘電体基板を介して上記第１のインダクタと
結合する第２のインダクタと、上記誘電体基板の片面に
形成され、上記第１のインダクタとの間で静電容量を発
生するコンデンサとを備え、入力側の同調用インダクタ
パターンとストレー容量で１次側の共振回路を作り、対
向面のパターンで同調用インダクタパターンとストレー
容量で２次側の共振回路を作り、２つの回路をプリント
基板の誘電率で結合させることで複同調回路を構成する
ので、高周波での伝送損失を低減し不要な周波数を除く
選択特性を持たせることができる。さらに、入出力回路
の接地を切り離すことで絶縁性能を保つとともに、高電
圧の耐圧特性を維持するためコンデンサパターンを形成
して２重の絶縁性を確保し、優れた防爆性を持たせるこ
とができる。
上記誘電体基板の片面に形成された第１の電極パターン
により構成される第１のインダクタと、上記誘電体基板
の他方の面に形成された第２の電極パターンにより構成
され、上記誘電体基板を介して上記第１のインダクタと
結合する第２のインダクタと、上記誘電体基板の片面に
形成され、上記第１のインダクタとの間で静電容量を発
生するコンデンサとを備え、入力側の同調用インダクタ
パターンとストレー容量で１次側の共振回路を作り、対
向面のパターンで同調用インダクタパターンとストレー
容量で２次側の共振回路を作り、２つの回路をプリント
基板の誘電率で結合させることで複同調回路を構成する
ので、高周波での伝送損失を低減し不要な周波数を除く
選択特性を持たせることができる。さらに、入出力回路
の接地を切り離すことで絶縁性能を保つとともに、高電
圧の耐圧特性を維持するためコンデンサパターンを形成
して２重の絶縁性を確保し、優れた防爆性を持たせるこ
とができる。
【００４３】また、この発明によれば、上記誘電体基板
の誘電率および厚みを変えることにより上記第１のイン
ダクタと上記第２のインダクタの結合度を可変としたの
で、周波数特性を調整できる。
の誘電率および厚みを変えることにより上記第１のイン
ダクタと上記第２のインダクタの結合度を可変としたの
で、周波数特性を調整できる。
【図１】 発明の実施の形態１の高周波結合線路の斜視
図である。
図である。
【図２】 発明の実施の形態１の高周波結合線路の断面
図である。
図である。
【図３】 発明の実施の形態２の高周波結合線路の斜視
図である。
図である。
【図４】 発明の実施の形態２の高周波結合線路の断面
図である。
図である。
【図５】 発明の実施の形態２の高周波結合線路の断面
図である。
図である。
【図６】 発明の実施の形態３の高周波結合線路の斜視
図である。
図である。
【図７】 発明の実施の形態３の高周波結合線路の断面
図である。
図である。
【図８】 発明の実施の形態３の高周波結合線路の断面
図である。
図である。
【図９】 発明の実施の形態４の高周波結合線路の斜視
図である。
図である。
【図１０】 発明の実施の形態４の高周波結合線路の等
価回路図である。
価回路図である。
【図１１】 発明の実施の形態４の高周波結合線路の複
同調回路の双峰特性を示す図である。
同調回路の双峰特性を示す図である。
【図１２】 発明の実施の形態４の高周波結合線路の複
同調回路の単峰特性を示す図である。
同調回路の単峰特性を示す図である。
【図１３】 発明の実施の形態５の高周波結合線路の斜
視図である。
視図である。
【図１４】 発明の実施の形態５の高周波結合線路の表
面および裏面のパターン図である。
面および裏面のパターン図である。
【図１５】 発明の実施の形態５の高周波結合線路の等
価回路図である。
価回路図である。
【図１６】 従来の高周波結合線路の斜視図である。
【図１７】 従来の高周波結合線路の断面図である。
【図１８】 高周波結合線路の装置内の接続関係の説明
図である。
図である。
１ 誘電体基板、２ａ，２ｂ コンデンサパターン、３
ａ，３ｂ 同調用パターン、３ｃ，３ｄ 接地用パター
ン、４ａ，４ｂ リングレゾネータ型のストリップライ
ン、８ａ，８ｂ インダクタパターン、８ｃ，８ｄ コ
ンデンサパターン。
ａ，３ｂ 同調用パターン、３ｃ，３ｄ 接地用パター
ン、４ａ，４ｂ リングレゾネータ型のストリップライ
ン、８ａ，８ｂ インダクタパターン、８ｃ，８ｄ コ
ンデンサパターン。
Claims (5)
- 【請求項１】 アンテナと高周波回路とを直流的には絶
縁し、高周波的には接続する高周波結合線路であって、
誘電体基板と、上記誘電体基板の両面に形成され、コン
デンサを構成する第１の電極パターンおよび第２の電極
パターンとを備えた高周波結合線路。 - 【請求項２】 アンテナと高周波回路とを直流的には絶
縁し、高周波的には接続する高周波結合線路であって、
誘電体基板と、上記誘電体基板の両面に形成された第１
の電極パターンおよび第２の電極パターンから構成され
る第１の不平衡−平衡型変換器と、上記誘電体基板の両
面に形成された第３の電極パターンおよび第４の電極パ
ターンから構成され、上記誘電体基板を介して上記第１
の不平衡−平衡型変換器と結合する第２の不平衡−平衡
型変換器とを備えた高周波結合線路。 - 【請求項３】 アンテナと高周波回路とを直流的には絶
縁し、高周波的には接続する高周波結合線路であって、
誘電体基板と、上記誘電体基板の片面に形成された第１
の電極パターンにより構成される第１のリングレゾネー
タと、上記誘電体基板の他方の面に形成された第２の電
極パターンにより構成され、上記誘電体基板を介して上
記第１のリングレゾネータと結合する第２のリングレゾ
ネータとを備えた高周波結合線路。 - 【請求項４】 アンテナと高周波回路とを直流的には絶
縁し、高周波的には接続する高周波結合線路であって、
誘電体基板と、上記誘電体基板の片面に形成された第１
の電極パターンにより構成される第１のインダクタと、
上記誘電体基板の他方の面に形成された第２の電極パタ
ーンにより構成され、上記誘電体基板を介して上記第１
のインダクタと結合する第２のインダクタと、上記誘電
体基板の片面に形成され、上記第１のインダクタとの間
で静電容量を発生するコンデンサとを備えた複同調回路
構成の高周波結合線路。 - 【請求項５】 上記誘電体基板の誘電率および厚みを変
えることにより上記第１のインダクタと上記第２のイン
ダクタの結合度を可変としたことを特徴とする請求項４
記載の高周波結合線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03664096A JP3307214B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 高周波結合線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03664096A JP3307214B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 高周波結合線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232822A true JPH09232822A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3307214B2 JP3307214B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=12475451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03664096A Expired - Fee Related JP3307214B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 高周波結合線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307214B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008067012A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Univ Of Tokushima | 高周波信号伝送装置 |
| JP2009246810A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Univ Of Tokushima | 高周波信号伝送装置 |
| JP2012054697A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Tdk Corp | 信号伝送装置、フィルタ、ならびに基板間通信装置 |
| WO2014072335A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Sma Solar Technology Ag | Coupling structure for a galvanically separating transmission of a high frequency signal and inverter |
| US8810338B2 (en) | 2010-08-31 | 2014-08-19 | Tdk Corporation | Signal transmission device, filter, and inter-substrate communication device |
| US10454160B2 (en) | 2017-05-19 | 2019-10-22 | Denso Ten Limited | Antenna device and radar apparatus |
| WO2021214901A1 (ja) * | 2020-04-22 | 2021-10-28 | 三菱電機株式会社 | 入力回路 |
| CN114946081A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-08-26 | 华为数字能源技术有限公司 | 电气隔离装置 |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP03664096A patent/JP3307214B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008067012A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Univ Of Tokushima | 高周波信号伝送装置 |
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| US9166265B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-10-20 | Tdk Corporation | Signal transmission device, filter, and inter-substrate communication device |
| CN102386884A (zh) * | 2010-08-31 | 2012-03-21 | Tdk株式会社 | 信号传输装置、滤波器及基板间通信装置 |
| US8810338B2 (en) | 2010-08-31 | 2014-08-19 | Tdk Corporation | Signal transmission device, filter, and inter-substrate communication device |
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| WO2014072335A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Sma Solar Technology Ag | Coupling structure for a galvanically separating transmission of a high frequency signal and inverter |
| US10454160B2 (en) | 2017-05-19 | 2019-10-22 | Denso Ten Limited | Antenna device and radar apparatus |
| WO2021214901A1 (ja) * | 2020-04-22 | 2021-10-28 | 三菱電機株式会社 | 入力回路 |
| JPWO2021214901A1 (ja) * | 2020-04-22 | 2021-10-28 | ||
| CN114946081A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-08-26 | 华为数字能源技术有限公司 | 电气隔离装置 |
| EP4068502A4 (en) * | 2020-09-23 | 2022-12-21 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | ELECTRICAL INSULATION |
| CN114946081B (zh) * | 2020-09-23 | 2023-10-10 | 华为数字能源技术有限公司 | 电气隔离装置 |
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|---|---|
| JP3307214B2 (ja) | 2002-07-24 |
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