JPH09232216A - Ｘ線マスクの製造方法及び製造装置 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法及び製造装置Info
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- JPH09232216A JPH09232216A JP3937496A JP3937496A JPH09232216A JP H09232216 A JPH09232216 A JP H09232216A JP 3937496 A JP3937496 A JP 3937496A JP 3937496 A JP3937496 A JP 3937496A JP H09232216 A JPH09232216 A JP H09232216A
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- stress
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線マスク基板上に吸収体膜を形成したもの
から成るＸ線マスクの製造方法及び製造装置に関し、吸
収体膜の応力を簡易な手段で低減することを目的とす
る。 【解決手段】 吸収体膜の面内における応力分布を測定
し、この応力分布に応じて該吸収体膜を局所的にアニー
ルするように構成する。
から成るＸ線マスクの製造方法及び製造装置に関し、吸
収体膜の応力を簡易な手段で低減することを目的とす
る。 【解決手段】 吸収体膜の面内における応力分布を測定
し、この応力分布に応じて該吸収体膜を局所的にアニー
ルするように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＸ線マスクの製造方
法及び製造装置に関する。Ｘ線リソグラフィーはサブミ
クロン領域の高解像度が得られることや一括転写により
高い生産性が得られる等の利点を有していることから、
半導体集積回路における微細パターン転写技術として期
待されているが、そのためにはパターンの変形のない精
度の高いＸ線マスクが必要である。
法及び製造装置に関する。Ｘ線リソグラフィーはサブミ
クロン領域の高解像度が得られることや一括転写により
高い生産性が得られる等の利点を有していることから、
半導体集積回路における微細パターン転写技術として期
待されているが、そのためにはパターンの変形のない精
度の高いＸ線マスクが必要である。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線マスクは支持枠で支持された透過体
膜（メンブレン）からなるＸ線マスク基板上に吸収体膜
を形成したものから成っており、吸収体膜には高精度の
パターンが形成される。一例として、支持枠には厚み５
００μm 程度のＳｉウェーハ、透過体膜には膜厚２〜３
μm のＳｉＣ膜、吸収体膜には膜厚０．６μm 程度のＴ
ａ膜が用いられる。吸収体膜はスパッタリング法等によ
って成膜されるが、成膜時に発生する応力によってパタ
ーンが変形しパターン精度が低下するという問題があ
る。従って、Ｘ線マスクのパターン精度を低下させない
ようにするためには吸収体膜の応力を低減することが必
要であり、従来から様々な方法が試みられている。例え
ば、スパッタリング時のガス圧や成膜温度等の成膜条件
によって応力が影響されることが知られており、従っ
て、これらの成膜条件を最適制御すれば応力は低減でき
る。しかしこの方法は成膜条件の微妙な調整を必要とし
再現性に乏しいという問題がある。
膜（メンブレン）からなるＸ線マスク基板上に吸収体膜
を形成したものから成っており、吸収体膜には高精度の
パターンが形成される。一例として、支持枠には厚み５
００μm 程度のＳｉウェーハ、透過体膜には膜厚２〜３
μm のＳｉＣ膜、吸収体膜には膜厚０．６μm 程度のＴ
ａ膜が用いられる。吸収体膜はスパッタリング法等によ
って成膜されるが、成膜時に発生する応力によってパタ
ーンが変形しパターン精度が低下するという問題があ
る。従って、Ｘ線マスクのパターン精度を低下させない
ようにするためには吸収体膜の応力を低減することが必
要であり、従来から様々な方法が試みられている。例え
ば、スパッタリング時のガス圧や成膜温度等の成膜条件
によって応力が影響されることが知られており、従っ
て、これらの成膜条件を最適制御すれば応力は低減でき
る。しかしこの方法は成膜条件の微妙な調整を必要とし
再現性に乏しいという問題がある。
【０００３】また、一般に薄膜の応力はアニールによっ
て変化することが知られており、これを利用して吸収体
膜の応力を低減する方法がある。この方法では、まず、
図３に示したように吸収体膜の応力のアニール条件依存
性を求める。図３にはパラメータとしてアニール温度を
とったときの応力のアニール時間依存性が示されてい
る。ついで、補正の対象となる吸収体膜の応力を測定す
る。そして、測定された応力を相殺するだけの応力を生
じさせるアニール条件を図３から見いだしてこの条件で
アニールするようにしたものである。例えば、補正の対
象となる吸収体膜の応力が１×１０9dyn/cm2の引張応力
を示したとき、同じ大きさの圧縮応力を加えてこれを相
殺するためには、図３から２６０℃で４０分アニールす
ればよいことになる。
て変化することが知られており、これを利用して吸収体
膜の応力を低減する方法がある。この方法では、まず、
図３に示したように吸収体膜の応力のアニール条件依存
性を求める。図３にはパラメータとしてアニール温度を
とったときの応力のアニール時間依存性が示されてい
る。ついで、補正の対象となる吸収体膜の応力を測定す
る。そして、測定された応力を相殺するだけの応力を生
じさせるアニール条件を図３から見いだしてこの条件で
アニールするようにしたものである。例えば、補正の対
象となる吸収体膜の応力が１×１０9dyn/cm2の引張応力
を示したとき、同じ大きさの圧縮応力を加えてこれを相
殺するためには、図３から２６０℃で４０分アニールす
ればよいことになる。
【０００４】また、一般に薄膜にイオン注入を行うと薄
膜の応力が変化することが知られており、これを利用し
て吸収体膜の応力を低減する方法も提案されている（特
開平７−７８７５４）。
膜の応力が変化することが知られており、これを利用し
て吸収体膜の応力を低減する方法も提案されている（特
開平７−７８７５４）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したアニールによ
る応力低減方法は簡易な方法であるが、以下に述べるよ
うにな問題がある。通常、吸収体膜の応力はＸ線マスク
基板に形成された吸収体膜のそり量から算出される。即
ち、吸収体膜の形成されたＳｉウェーハのそり形状の曲
率半径を測定し、これにより応力を算出するようにして
いる。図４は吸収体膜が形成されているＳｉウェーハ13
のそり形状を示したものであり、同図中の曲線Ａで示し
たように通常は複雑なそり形状を呈している。これは、
吸収体膜の面内で局所的に曲率半径が異なっているこ
と、即ち、吸収体膜の応力が局所的に異なった値を持っ
て分布していることを示している。一方、この曲線Ａで
示されたそり形状を、少なくともパターン領域以上の広
い領域にわたって滑らかな曲線Ｂで近似すれば、この曲
線Ｂに基づいて算出された応力は吸収体膜の面内におけ
る応力の平均値を表すことになる。
る応力低減方法は簡易な方法であるが、以下に述べるよ
うにな問題がある。通常、吸収体膜の応力はＸ線マスク
基板に形成された吸収体膜のそり量から算出される。即
ち、吸収体膜の形成されたＳｉウェーハのそり形状の曲
率半径を測定し、これにより応力を算出するようにして
いる。図４は吸収体膜が形成されているＳｉウェーハ13
のそり形状を示したものであり、同図中の曲線Ａで示し
たように通常は複雑なそり形状を呈している。これは、
吸収体膜の面内で局所的に曲率半径が異なっているこ
と、即ち、吸収体膜の応力が局所的に異なった値を持っ
て分布していることを示している。一方、この曲線Ａで
示されたそり形状を、少なくともパターン領域以上の広
い領域にわたって滑らかな曲線Ｂで近似すれば、この曲
線Ｂに基づいて算出された応力は吸収体膜の面内におけ
る応力の平均値を表すことになる。
【０００６】従来は、曲線Ｂから算出した応力の平均値
を相殺するような条件で吸収体膜を均一にアニールして
いた。そのため、吸収体膜の応力は平均として低減され
るものの以下に述べるように局所的な応力が残り、その
結果、パターンが不均一に変位するという問題があっ
た。
を相殺するような条件で吸収体膜を均一にアニールして
いた。そのため、吸収体膜の応力は平均として低減され
るものの以下に述べるように局所的な応力が残り、その
結果、パターンが不均一に変位するという問題があっ
た。
【０００７】図５は図４に示したＳｉウェーハの実際の
そり形状を示す曲線Ａに基づいて吸収体膜の面内におけ
る各地点の応力を求め、同一応力の地点を結んで等応力
線14を描いたものである。同図には、この吸収体膜の面
内におけるパターン領域15上で上記等応力線から求めた
パターンの変位の分布が示されており、図中に示した矢
印は各地点における変位の大きさとその方向を表してい
る。同図から明らかなように、パターン領域15は局所的
に不均一に変位することとなり、吸収体膜を均一にアニ
ールする方法ではこれを補正することはできない。
そり形状を示す曲線Ａに基づいて吸収体膜の面内におけ
る各地点の応力を求め、同一応力の地点を結んで等応力
線14を描いたものである。同図には、この吸収体膜の面
内におけるパターン領域15上で上記等応力線から求めた
パターンの変位の分布が示されており、図中に示した矢
印は各地点における変位の大きさとその方向を表してい
る。同図から明らかなように、パターン領域15は局所的
に不均一に変位することとなり、吸収体膜を均一にアニ
ールする方法ではこれを補正することはできない。
【０００８】従来技術の項で述べたイオン注入を利用す
る方法では、上述した均一なアニールを行った場合の問
題点を解消することができる。即ち、図５に示した応力
の分布に応じてイオン注入量を局所的に制御することに
より不均一な応力分布を解消させることが可能である。
しかし、この方法では高価なイオン注入装置を必要と
し、しかも、吸収体膜の材料となるＴａ等の重金属によ
り装置内が汚染される恐れがあるため、清浄な環境を必
要とする通常の半導体プロセスで用いられるイオン注入
装置とは共用することができないという問題がある。
る方法では、上述した均一なアニールを行った場合の問
題点を解消することができる。即ち、図５に示した応力
の分布に応じてイオン注入量を局所的に制御することに
より不均一な応力分布を解消させることが可能である。
しかし、この方法では高価なイオン注入装置を必要と
し、しかも、吸収体膜の材料となるＴａ等の重金属によ
り装置内が汚染される恐れがあるため、清浄な環境を必
要とする通常の半導体プロセスで用いられるイオン注入
装置とは共用することができないという問題がある。
【０００９】そこで本発明は、Ｘ線マスクに用いられる
吸収体膜の応力を簡易な手段で低減することを目的とす
る。
吸収体膜の応力を簡易な手段で低減することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、Ｘ線
マスク基板上に吸収体膜を形成したものから成るＸ線マ
スクの製造方法において、吸収体膜の面内における応力
分布を測定し、該応力分布に応じて該吸収体膜を局所的
にアニールすることを特徴とするＸ線マスクの製造方
法、あるいは、光ビームの照射により該吸収体膜を局所
的にアニールする請求項１記載のＸ線マスクの製造方法
であって、該吸収体膜の面内における応力分布に応じて
該光ビームを制御するか、又は該吸収体膜の面内におけ
る応力分布に応じて該Ｘ線マスクを固定する支持台の移
動を制御することを特徴とするＸ線マスクの製造方法、
あるいは、Ｘ線マスクを固定する支持台と、該Ｘ線マス
ク上に形成された吸収体膜に光ビームを走査する光ビー
ム走査部とを有し、予め測定された該吸収体膜の応力分
布に応じて該光ビームを制御する光ビーム制御部、又は
予め測定された吸収体膜の応力分布に応じて該支持台の
移動を制御する支持台制御部を備えたことを特徴とする
Ｘ線マスクの製造装置、あるいは、Ｘ線マスク基板上に
吸収体膜を形成したものから成るＸ線マスクの製造方法
において、予め測定された吸収体膜の応力分布に応じた
光透過率を有する光フィルタを備え、該光フィルタを通
して該吸収体膜に光ビームを照射することを特徴とする
Ｘ線マスクの製造方法、あるいは、Ｘ線マスク基板上に
吸収体膜を形成したものから成るＸ線マスクの製造装置
において、該吸収体膜を加熱する加熱面が複数の加熱領
域に分割されている加熱部と、予め測定された吸収体膜
の応力分布に応じて各加熱領域の加熱温度及び加熱時間
を制御する加熱制御部を備えることを特徴とするＸマス
クの製造装置によって達成される。
マスク基板上に吸収体膜を形成したものから成るＸ線マ
スクの製造方法において、吸収体膜の面内における応力
分布を測定し、該応力分布に応じて該吸収体膜を局所的
にアニールすることを特徴とするＸ線マスクの製造方
法、あるいは、光ビームの照射により該吸収体膜を局所
的にアニールする請求項１記載のＸ線マスクの製造方法
であって、該吸収体膜の面内における応力分布に応じて
該光ビームを制御するか、又は該吸収体膜の面内におけ
る応力分布に応じて該Ｘ線マスクを固定する支持台の移
動を制御することを特徴とするＸ線マスクの製造方法、
あるいは、Ｘ線マスクを固定する支持台と、該Ｘ線マス
ク上に形成された吸収体膜に光ビームを走査する光ビー
ム走査部とを有し、予め測定された該吸収体膜の応力分
布に応じて該光ビームを制御する光ビーム制御部、又は
予め測定された吸収体膜の応力分布に応じて該支持台の
移動を制御する支持台制御部を備えたことを特徴とする
Ｘ線マスクの製造装置、あるいは、Ｘ線マスク基板上に
吸収体膜を形成したものから成るＸ線マスクの製造方法
において、予め測定された吸収体膜の応力分布に応じた
光透過率を有する光フィルタを備え、該光フィルタを通
して該吸収体膜に光ビームを照射することを特徴とする
Ｘ線マスクの製造方法、あるいは、Ｘ線マスク基板上に
吸収体膜を形成したものから成るＸ線マスクの製造装置
において、該吸収体膜を加熱する加熱面が複数の加熱領
域に分割されている加熱部と、予め測定された吸収体膜
の応力分布に応じて各加熱領域の加熱温度及び加熱時間
を制御する加熱制御部を備えることを特徴とするＸマス
クの製造装置によって達成される。
【００１１】本発明では、予め吸収体膜の各地点におけ
る応力を測定する。そして、得られた応力に応じて大き
さが同じで反対方向の応力が発生するようなアニール条
件で各地点ごとに異なったアニールを行うようにしたも
のであり、これにより吸収体膜の各地点における応力が
相殺されるので面内における応力は均一に補正されるこ
ととなり、吸収体膜に形成されたパターンの変形を抑え
ることが可能となる。
る応力を測定する。そして、得られた応力に応じて大き
さが同じで反対方向の応力が発生するようなアニール条
件で各地点ごとに異なったアニールを行うようにしたも
のであり、これにより吸収体膜の各地点における応力が
相殺されるので面内における応力は均一に補正されるこ
ととなり、吸収体膜に形成されたパターンの変形を抑え
ることが可能となる。
【００１２】局所的なアニールを行う上で吸収体膜に光
ビームを照射する方法を用いることができる。吸収体膜
の面内において光ビームの照射された地点の温度は光ビ
ームのパワー、光ビームとその地点との相対的な移動速
度、その地点での光ビームの滞留時間等によって変わ
る。従って、光ビームのパワー、走査速度等、あるいは
Ｘ線マスクを固定する支持台の移動等を制御することに
より容易に各地点の温度を制御することができる。
ビームを照射する方法を用いることができる。吸収体膜
の面内において光ビームの照射された地点の温度は光ビ
ームのパワー、光ビームとその地点との相対的な移動速
度、その地点での光ビームの滞留時間等によって変わ
る。従って、光ビームのパワー、走査速度等、あるいは
Ｘ線マスクを固定する支持台の移動等を制御することに
より容易に各地点の温度を制御することができる。
【００１３】また、吸収体膜の応力分布に応じた光透過
率を有する光フィルタを通して光ビームを照射した場
合、光透過率の大小に応じて吸収体膜の各地点に照射さ
れる光ビームのパワーが異なるので局所的なアニールが
可能となり応力分布を均一に補正することができる。
率を有する光フィルタを通して光ビームを照射した場
合、光透過率の大小に応じて吸収体膜の各地点に照射さ
れる光ビームのパワーが異なるので局所的なアニールが
可能となり応力分布を均一に補正することができる。
【００１４】また、複数の異なった加熱領域を有する加
熱面でＸ線マスクを加熱し、各加熱領域の加熱温度及び
加熱時間を予め測定された吸収体膜の応力分布に応じて
制御することにより局所的なアニールが可能となり応力
分布を均一に補正することができる。
熱面でＸ線マスクを加熱し、各加熱領域の加熱温度及び
加熱時間を予め測定された吸収体膜の応力分布に応じて
制御することにより局所的なアニールが可能となり応力
分布を均一に補正することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明で用いるＸ線マスクはＸ線
マスク基板上に吸収体膜として膜厚０．６μm のＴａ膜
を形成しパターニングしたものである。Ｘ線マスク基板
は支持枠となるＳｉウェーハ上に透過体膜として膜厚２
μm のＳｉＣ膜を形成したものからなる。まず、吸収体
膜の応力のアニール条件依存性を測定し図３に示したも
のと同様なデータを求める。ついで、Ｘ線マスク基板上
の補正しようとする吸収体膜の各地点における応力を測
定し図４に示したものと同様な応力分布データを得る。
そして、以下に述べるように、これらのデータに基づい
て吸収体膜を局所的にアニールする。
マスク基板上に吸収体膜として膜厚０．６μm のＴａ膜
を形成しパターニングしたものである。Ｘ線マスク基板
は支持枠となるＳｉウェーハ上に透過体膜として膜厚２
μm のＳｉＣ膜を形成したものからなる。まず、吸収体
膜の応力のアニール条件依存性を測定し図３に示したも
のと同様なデータを求める。ついで、Ｘ線マスク基板上
の補正しようとする吸収体膜の各地点における応力を測
定し図４に示したものと同様な応力分布データを得る。
そして、以下に述べるように、これらのデータに基づい
て吸収体膜を局所的にアニールする。
【００１６】図１は本実施例で用いるアニール装置のブ
ロック図である。光源１はレーザ、赤外線ランプ、ハロ
ゲンランプ等からなる。光ビーム走査部２は光源１から
出射された光を所定のビーム径を持つ光ビームに集束す
る集束系、集束された光ビームを吸収体膜上で走査する
走査系等から成る。光ビーム制御部３は光ビーム走査部
２から出射される光ビームのパワー、走査速度、走査方
向等を制御するものである。支持台７はＸ線マスク６を
固定するものであり、任意のＸ−Ｙ方向へ移動可能であ
る。支持台制御部４は支持台７の移動速度、移動方向を
制御するものである。
ロック図である。光源１はレーザ、赤外線ランプ、ハロ
ゲンランプ等からなる。光ビーム走査部２は光源１から
出射された光を所定のビーム径を持つ光ビームに集束す
る集束系、集束された光ビームを吸収体膜上で走査する
走査系等から成る。光ビーム制御部３は光ビーム走査部
２から出射される光ビームのパワー、走査速度、走査方
向等を制御するものである。支持台７はＸ線マスク６を
固定するものであり、任意のＸ−Ｙ方向へ移動可能であ
る。支持台制御部４は支持台７の移動速度、移動方向を
制御するものである。
【００１７】まず、前述した吸収体膜の応力分布データ
を光ビーム制御部３に入力する。光ビーム制御部３には
予め応力のアニール条件依存性を示すデータが入力され
ており、光ビーム制御部３はこのデータと上記応力分布
データとを照合して吸収体膜上の各地点における応力を
相殺するようなアニール条件を見い出す。そして、見い
だしたアニール条件を満足させるような光ビームのパワ
ー、走査方向、走査速度を算出する。算出されたデータ
は光ビーム走査部２に送られ、光ビーム走査部２は受け
取ったデータに従って吸収体膜上で光ビームを走査させ
る。例えば、吸収体膜の面内において応力が１×１０9d
yn/cm2の引張応力を示した地点には、図３から２６０℃
で４０分アニールされるように光ビームのパワーや走査
速度を制御すればよい。これにより吸収体膜は応力の分
布に応じて局所的にアニールされることとなり、吸収体
膜の応力は均一に補正されることになる。図３に比べて
より高温領域でのアニール条件依存性を求めてこれを用
いるようにすればアニール時間の短縮が可能となりスル
ープットを向上させることができる。
を光ビーム制御部３に入力する。光ビーム制御部３には
予め応力のアニール条件依存性を示すデータが入力され
ており、光ビーム制御部３はこのデータと上記応力分布
データとを照合して吸収体膜上の各地点における応力を
相殺するようなアニール条件を見い出す。そして、見い
だしたアニール条件を満足させるような光ビームのパワ
ー、走査方向、走査速度を算出する。算出されたデータ
は光ビーム走査部２に送られ、光ビーム走査部２は受け
取ったデータに従って吸収体膜上で光ビームを走査させ
る。例えば、吸収体膜の面内において応力が１×１０9d
yn/cm2の引張応力を示した地点には、図３から２６０℃
で４０分アニールされるように光ビームのパワーや走査
速度を制御すればよい。これにより吸収体膜は応力の分
布に応じて局所的にアニールされることとなり、吸収体
膜の応力は均一に補正されることになる。図３に比べて
より高温領域でのアニール条件依存性を求めてこれを用
いるようにすればアニール時間の短縮が可能となりスル
ープットを向上させることができる。
【００１８】以上述べた実施例では支持台７の位置を固
定した状態で光ビームを制御することにより吸収体膜を
局所的にアニールするようにしているが、逆に、光ビー
ムのパワーや走査方向を固定し支持台７を移動させるこ
とにより吸収体膜を局所的にアニールすることもでき
る。この方法では、吸収体膜の応力分布データを支持台
制御部４に入力する。支持台制御部４には予め応力のア
ニール条件依存性を示すデータが入力されており、支持
台制御部４はこのデータと上記応力分布データとを照合
して吸収体膜上の各地点における応力を相殺するような
アニール条件を見い出す。そして、見いだしたアニール
条件を満足させるように支持台７の移動方向、移動速度
を算出し、算出されたデータに従って支持台７の移動を
制御するようにする。この方法は光ビームの走査可能範
囲が吸収体膜のアニール範囲より狭い場合等に用いられ
る。また、以上述べた光ビームの走査制御と支持台の移
動制御とを組み合わせて用いることもできる。
定した状態で光ビームを制御することにより吸収体膜を
局所的にアニールするようにしているが、逆に、光ビー
ムのパワーや走査方向を固定し支持台７を移動させるこ
とにより吸収体膜を局所的にアニールすることもでき
る。この方法では、吸収体膜の応力分布データを支持台
制御部４に入力する。支持台制御部４には予め応力のア
ニール条件依存性を示すデータが入力されており、支持
台制御部４はこのデータと上記応力分布データとを照合
して吸収体膜上の各地点における応力を相殺するような
アニール条件を見い出す。そして、見いだしたアニール
条件を満足させるように支持台７の移動方向、移動速度
を算出し、算出されたデータに従って支持台７の移動を
制御するようにする。この方法は光ビームの走査可能範
囲が吸収体膜のアニール範囲より狭い場合等に用いられ
る。また、以上述べた光ビームの走査制御と支持台の移
動制御とを組み合わせて用いることもできる。
【００１９】上記構成ではアニール条件に依存して光ビ
ームの走査速度や支持台の移動速度が遅くなったり、あ
るいは一定期間停止される場合が生じ、その結果、熱の
拡散により温度分布が均一化し局所的なアニールが困難
になる恐れがある。この場合には、アニール処理を複数
回に分けて行うようにしてもよい。例えば、吸収体膜上
のある地点に１０分間光ビームを照射する必要がある場
合には、アニール処理を５回に分けて１回当たり２分間
光ビーム照射を行うようにする。そして、分けられた各
アニール処理が終了する都度、Ｘ線マスク６を支持台７
からはずし、水冷等により均一な温度状態に保持された
別の支持台に移すことにより吸収体膜の温度を均一に低
下させる。そして、再び元の支持台７で次のアニール処
理を行うようにすれば局所的なアニールが可能となる。
ームの走査速度や支持台の移動速度が遅くなったり、あ
るいは一定期間停止される場合が生じ、その結果、熱の
拡散により温度分布が均一化し局所的なアニールが困難
になる恐れがある。この場合には、アニール処理を複数
回に分けて行うようにしてもよい。例えば、吸収体膜上
のある地点に１０分間光ビームを照射する必要がある場
合には、アニール処理を５回に分けて１回当たり２分間
光ビーム照射を行うようにする。そして、分けられた各
アニール処理が終了する都度、Ｘ線マスク６を支持台７
からはずし、水冷等により均一な温度状態に保持された
別の支持台に移すことにより吸収体膜の温度を均一に低
下させる。そして、再び元の支持台７で次のアニール処
理を行うようにすれば局所的なアニールが可能となる。
【００２０】また、図１に示したアニール装置におい
て、吸収体膜の応力分布に応じた光透過率を有する光フ
ィルタを吸収体膜の上方に配置し、この状態で光ビーム
走査部２からパワー、走査速度を一定にした光ビームを
光フィルタを介して吸収体膜上に走査するようにすれ
ば、吸収体膜に対し応力の分布に応じて局所的に異なっ
たアニールを施すことが可能となる。光ビームの代わり
に吸収体膜上に均一な光を照射してもよい。光フィルタ
としてＮＤフィルタの吸収層の厚みを応力分布に応じて
変化させたものを用いることができる。
て、吸収体膜の応力分布に応じた光透過率を有する光フ
ィルタを吸収体膜の上方に配置し、この状態で光ビーム
走査部２からパワー、走査速度を一定にした光ビームを
光フィルタを介して吸収体膜上に走査するようにすれ
ば、吸収体膜に対し応力の分布に応じて局所的に異なっ
たアニールを施すことが可能となる。光ビームの代わり
に吸収体膜上に均一な光を照射してもよい。光フィルタ
としてＮＤフィルタの吸収層の厚みを応力分布に応じて
変化させたものを用いることができる。
【００２１】図２は本発明の他の実施例を示すアニール
装置のブロック図である。同図において、吸収体膜の形
成されたＸ線マスク６は加熱部８の加熱面上に固定され
る。加熱面は熱伝導率の小さなセラミックス等の熱絶縁
材12で互いに熱絶縁された複数の加熱領域９に分割され
ており、各加熱領域９にはヒータ11が設けられている。
この実施例では吸収体膜の応力分布データは加熱制御部
10に入力される。加熱制御部10には予め応力のアニール
条件依存性を示すデータが入力されており、加熱制御部
10はこのデータと上記応力分布データとを照合して吸収
体膜上の各地点における応力を相殺するようなアニール
条件を見い出す。そして、見いだしたアニール条件を満
足させるように各加熱領域９に設けられたヒータ11への
通電電流、通電時間を制御する。これにより吸収体膜は
応力の分布に応じて局所的にアニールされ応力を均一に
補正することができる。本実施例においても、前述した
ようなアニール処理を複数回に分けて行う方法を用いる
ことにより熱の拡散を回避して局所的なアニールを行う
ことが可能である。
装置のブロック図である。同図において、吸収体膜の形
成されたＸ線マスク６は加熱部８の加熱面上に固定され
る。加熱面は熱伝導率の小さなセラミックス等の熱絶縁
材12で互いに熱絶縁された複数の加熱領域９に分割され
ており、各加熱領域９にはヒータ11が設けられている。
この実施例では吸収体膜の応力分布データは加熱制御部
10に入力される。加熱制御部10には予め応力のアニール
条件依存性を示すデータが入力されており、加熱制御部
10はこのデータと上記応力分布データとを照合して吸収
体膜上の各地点における応力を相殺するようなアニール
条件を見い出す。そして、見いだしたアニール条件を満
足させるように各加熱領域９に設けられたヒータ11への
通電電流、通電時間を制御する。これにより吸収体膜は
応力の分布に応じて局所的にアニールされ応力を均一に
補正することができる。本実施例においても、前述した
ようなアニール処理を複数回に分けて行う方法を用いる
ことにより熱の拡散を回避して局所的なアニールを行う
ことが可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、イオン注
入装置を用いることなく簡易な手段で吸収体膜の応力の
分布を補正することができるのでＸ線マスクのパターン
精度を向上させる上で有益である。
入装置を用いることなく簡易な手段で吸収体膜の応力の
分布を補正することができるのでＸ線マスクのパターン
精度を向上させる上で有益である。
【図１】 本発明の実施例を示すブロック図
【図２】 本発明の他の実施例を示すブロック図
【図３】 吸収体膜の応力のアニール条件依存性を示す
図
図
【図４】 Ｓｉウェーハ上の吸収体膜のそり形状を示す
図
図
【図５】 吸収体膜の応力分布を示す図
１ 光源 ８ 加熱部 ２ 光ビーム走査部 ９ 加熱領域 ３ 光ビーム制御部 10 加熱制御部 ４ 支持台制御部 11 ヒータ ５ 光ビーム 12 熱絶縁材 ６ Ｘ線マスク 13 Ｓｉウェーハ ７ 支持台 14 等応力線 15 パターン領域
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｘ線マスク基板上に吸収体膜を形成した
ものから成るＸ線マスクの製造方法において、 吸収体膜の面内における応力分布を測定し、該応力分布
に応じて該吸収体膜を局所的にアニールすることを特徴
とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】 光ビームの照射により該吸収体膜を局所
的にアニールする請求項１記載のＸ線マスクの製造方法
であって、 該吸収体膜の面内における応力分布に応じて該光ビーム
を制御するか、又は該吸収体膜の面内における応力分布
に応じて該Ｘ線マスクを固定する支持台の移動を制御す
ることを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項３】 Ｘ線マスクを固定する支持台と、 該Ｘ線マスク上に形成された吸収体膜に光ビームを走査
する光ビーム走査部とを有し、 予め測定された該吸収体膜の応力分布に応じて該光ビー
ムを制御する光ビーム制御部、又は予め測定された吸収
体膜の応力分布に応じて該支持台の移動を制御する支持
台制御部を備えたことを特徴とするＸ線マスクの製造装
置。 - 【請求項４】 Ｘ線マスク基板上に吸収体膜を形成した
ものから成るＸ線マスクの製造方法において、 予め測定された吸収体膜の応力分布に応じた光透過率を
有する光フィルタを備え、 該光フィルタを通して該吸収体膜に光ビームを照射する
ことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項５】 Ｘ線マスク基板上に吸収体膜を形成した
ものから成るＸ線マスクの製造装置において、 該吸収体膜を加熱する加熱面が複数の加熱領域に分割さ
れている加熱部と、 予め測定された吸収体膜の応力分布に応じて各加熱領域
の加熱温度及び加熱時間を制御する加熱制御部を備える
ことを特徴とするＸマスクの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3937496A JPH09232216A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | Ｘ線マスクの製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3937496A JPH09232216A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | Ｘ線マスクの製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232216A true JPH09232216A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12551273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3937496A Withdrawn JPH09232216A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | Ｘ線マスクの製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232216A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003501823A (ja) * | 1999-06-07 | 2003-01-14 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 反射マスク基板のコーティング |
| JP2013084886A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP3937496A patent/JPH09232216A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003501823A (ja) * | 1999-06-07 | 2003-01-14 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 反射マスク基板のコーティング |
| JP2013084886A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |