JPH09218090A - 熱型赤外線検知装置およびこれに用いる熱型赤外線検知素子ユニット - Google Patents
熱型赤外線検知装置およびこれに用いる熱型赤外線検知素子ユニットInfo
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- JPH09218090A JPH09218090A JP4660496A JP4660496A JPH09218090A JP H09218090 A JPH09218090 A JP H09218090A JP 4660496 A JP4660496 A JP 4660496A JP 4660496 A JP4660496 A JP 4660496A JP H09218090 A JPH09218090 A JP H09218090A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 赤外線測定中に検出素子の出力を補正
する。 【解決手段】 第１〜第４検知素子１〜４と補正用素
子５とが設けられ、各検知素子および補正用素子１〜５
は第１〜第５スイッチングトランジスタ２１〜２５を介
してプラスバス線１１に接続されている。走査回路６の
第１〜第５出力端子６１〜６５が各スイッチングトラン
ジスタのゲートに接続し、さらに第５出力端子６５はオ
フセット補正回路８のサンプルトランジスタ８３のゲー
トに接続している。検知素子および補正用素子の出力は
増幅回路７を経てオフセット補正回路８に入力される。
補正用素子は検知素子と同様の電気特性を有するが赤外
線が入射しても信号値が変化しない感度とされ、補正用
素子を動作させたとき増幅手段のオフセット値が求めら
れる。オフセット補正回路８で検知素子の出力に対して
オフセット値を加減算して補正する。
する。 【解決手段】 第１〜第４検知素子１〜４と補正用素
子５とが設けられ、各検知素子および補正用素子１〜５
は第１〜第５スイッチングトランジスタ２１〜２５を介
してプラスバス線１１に接続されている。走査回路６の
第１〜第５出力端子６１〜６５が各スイッチングトラン
ジスタのゲートに接続し、さらに第５出力端子６５はオ
フセット補正回路８のサンプルトランジスタ８３のゲー
トに接続している。検知素子および補正用素子の出力は
増幅回路７を経てオフセット補正回路８に入力される。
補正用素子は検知素子と同様の電気特性を有するが赤外
線が入射しても信号値が変化しない感度とされ、補正用
素子を動作させたとき増幅手段のオフセット値が求めら
れる。オフセット補正回路８で検知素子の出力に対して
オフセット値を加減算して補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線検知装置に
関し、とくに内部に増幅手段を備える熱型赤外線検知装
置およびこれに用いる熱型赤外線検知素子ユニットに関
する。
関し、とくに内部に増幅手段を備える熱型赤外線検知装
置およびこれに用いる熱型赤外線検知素子ユニットに関
する。
【０００２】
【従来の技術】熱型赤外線検知装置では、測定中に温度
変化などの環境変化が起こったときに内部アンプのオフ
セットが変化する。特に、極低温に冷却する必要のない
熱型赤外線検知装置では周囲温度の変化が大きく、随時
補正することが好ましい。このため、従来から、熱型赤
外線検知装置のオフセットや感度むら等を補正すること
が行われている。
変化などの環境変化が起こったときに内部アンプのオフ
セットが変化する。特に、極低温に冷却する必要のない
熱型赤外線検知装置では周囲温度の変化が大きく、随時
補正することが好ましい。このため、従来から、熱型赤
外線検知装置のオフセットや感度むら等を補正すること
が行われている。
【０００３】このような従来の熱型赤外線検知装置とし
ては、例えば、特開昭６２−２９８７３２号公報に開示
されたものがある。すなわち、単レンズ光学系の途中に
おいて、赤外線検知素子の前に開口径（絞り値）の異な
る２つの絞りを設置し、両者を交互に使用して、それぞ
れに対する測定結果から補正すべき値を決定して補正し
ている。またこの際、単レンズ光学系では、絞り値を大
きくし過ぎると赤外線検知素子を均一に照射できなくな
るので、拡散板を介在させて入射光を拡散する方法がと
られている。
ては、例えば、特開昭６２−２９８７３２号公報に開示
されたものがある。すなわち、単レンズ光学系の途中に
おいて、赤外線検知素子の前に開口径（絞り値）の異な
る２つの絞りを設置し、両者を交互に使用して、それぞ
れに対する測定結果から補正すべき値を決定して補正し
ている。またこの際、単レンズ光学系では、絞り値を大
きくし過ぎると赤外線検知素子を均一に照射できなくな
るので、拡散板を介在させて入射光を拡散する方法がと
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の熱型赤外線検知装置における補正は測定前に
行われるだけで、測定中に随時補正を行うような構成に
はなっていない。このため、測定中に温度変化などの環
境変化が起こっても補正する手段がなく、正確な測定が
困難であるという問題があった。本発明は、このような
従来の問題点に着目し、測定中に適切な補正が行なわれ
る熱型赤外線検知装置およびこれに用いる熱型赤外線検
知素子ユニットを提供することを目的とする。
うな従来の熱型赤外線検知装置における補正は測定前に
行われるだけで、測定中に随時補正を行うような構成に
はなっていない。このため、測定中に温度変化などの環
境変化が起こっても補正する手段がなく、正確な測定が
困難であるという問題があった。本発明は、このような
従来の問題点に着目し、測定中に適切な補正が行なわれ
る熱型赤外線検知装置およびこれに用いる熱型赤外線検
知素子ユニットを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため本発明の熱型赤
外線検知装置は、所定の電気特性と感度を有する検知素
子と、該検知素子と同様の電気特性を有するが感度を異
ならせて赤外線が入射しても信号値が変化しない補正用
素子とを近接して配列し、前記検知素子および補正用素
子を切り替え選択して走査する走査手段と、前記検知素
子の出力信号を増幅する増幅手段と、前記検知素子およ
び補正用素子の出力信号を用いて前記増幅手段の出力に
おけるオフセットを補正する補正手段とを有するものと
した。
外線検知装置は、所定の電気特性と感度を有する検知素
子と、該検知素子と同様の電気特性を有するが感度を異
ならせて赤外線が入射しても信号値が変化しない補正用
素子とを近接して配列し、前記検知素子および補正用素
子を切り替え選択して走査する走査手段と、前記検知素
子の出力信号を増幅する増幅手段と、前記検知素子およ
び補正用素子の出力信号を用いて前記増幅手段の出力に
おけるオフセットを補正する補正手段とを有するものと
した。
【０００６】とくに、上記検知素子は、温接点および冷
接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サーモパイルが交互
に接続されて構成され、かつ温接点が基板と熱分離され
る熱分離構造を備え、補正用素子は、熱分離構造なしに
温接点および冷接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サー
モパイルが交互に接続されて構成されて、補正用素子を
検知素子より低感度に構成することができる。あるい
は、検知素子の温接点上に赤外線吸収膜を備え、補正用
素子には赤外線吸収膜を備えないものとして、補正用素
子を検知素子より低感度に構成することができ、さらに
は、検知素子にのみ上記基板との熱分離構造と赤外線吸
収膜をあわせ持つようにすることもできる。
接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サーモパイルが交互
に接続されて構成され、かつ温接点が基板と熱分離され
る熱分離構造を備え、補正用素子は、熱分離構造なしに
温接点および冷接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サー
モパイルが交互に接続されて構成されて、補正用素子を
検知素子より低感度に構成することができる。あるい
は、検知素子の温接点上に赤外線吸収膜を備え、補正用
素子には赤外線吸収膜を備えないものとして、補正用素
子を検知素子より低感度に構成することができ、さらに
は、検知素子にのみ上記基板との熱分離構造と赤外線吸
収膜をあわせ持つようにすることもできる。
【０００７】あるいはまた、検知素子は、熱的条件を異
にする抵抗体を含むホイートストンブリッジ回路を備
え、補正用素子は、熱的条件が全て同じ抵抗体のホイー
トストンブリッジ回路を備えることにより、補正用素子
を検知素子より低感度に構成することもできる。
にする抵抗体を含むホイートストンブリッジ回路を備
え、補正用素子は、熱的条件が全て同じ抵抗体のホイー
トストンブリッジ回路を備えることにより、補正用素子
を検知素子より低感度に構成することもできる。
【０００８】また、本発明の熱型赤外線検知素子ユニッ
トは、所定の電気特性と感度を有する検知素子と、該検
知素子と同様の電気特性を有するが感度を異ならせて赤
外線が入射しても信号値が変化しない補正用素子とを、
基板上に隣接して配設したものとした。
トは、所定の電気特性と感度を有する検知素子と、該検
知素子と同様の電気特性を有するが感度を異ならせて赤
外線が入射しても信号値が変化しない補正用素子とを、
基板上に隣接して配設したものとした。
【０００９】上記検知素子は、温接点および冷接点でＰ
型サーモパイルおよびＮ型サーモパイルが交互に接続さ
れて構成され、かつ温接点を囲む領域の基板が除去され
るとともに、温接点上に赤外線吸収膜を備えて熱分離構
造が形成され、補正用素子は、熱分離構造なしに温接点
および冷接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サーモパイ
ルが交互に接続されて構成されて、補正用素子が検知素
子より低感度に構成するのが望ましい。
型サーモパイルおよびＮ型サーモパイルが交互に接続さ
れて構成され、かつ温接点を囲む領域の基板が除去され
るとともに、温接点上に赤外線吸収膜を備えて熱分離構
造が形成され、補正用素子は、熱分離構造なしに温接点
および冷接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サーモパイ
ルが交互に接続されて構成されて、補正用素子が検知素
子より低感度に構成するのが望ましい。
【００１０】あるいはまた、検知素子は、複数の抵抗体
からなるホイートストンブリッジ回路を備え、その１の
抵抗体を囲む領域の基板が除去されるとともに、該１の
抵抗体上に赤外線吸収膜を備えて熱分離構造が形成さ
れ、補正用素子は、熱分離構造なしに熱的条件が全て同
じ複数の抵抗体からなるホイートストンブリッジ回路を
備えて、補正用素子を検知素子より低感度に構成するこ
ともできる。
からなるホイートストンブリッジ回路を備え、その１の
抵抗体を囲む領域の基板が除去されるとともに、該１の
抵抗体上に赤外線吸収膜を備えて熱分離構造が形成さ
れ、補正用素子は、熱分離構造なしに熱的条件が全て同
じ複数の抵抗体からなるホイートストンブリッジ回路を
備えて、補正用素子を検知素子より低感度に構成するこ
ともできる。
【００１１】
【作用】本発明の熱型赤外線検知装置においては、まず
走査手段により補正用素子を動作させて、その時点での
増幅手段の出力をオフセット値として求める。次に、検
知素子を動作させて検知素子の出力を求め、補正手段に
おいて上記オフセット値を基に検知素子の出力値が補正
される。すなわち、補正用素子は赤外線が入射しても信
号値が変化しないので、補正用素子の動作時には増幅手
段などにおけるオフセット値が出力される。このオフセ
ット値が検知素子の出力値から加減算される。次のサイ
クルでも同様に、補正用素子を動作させてその時点での
オフセット値を求め、そのオフセット値を基に検知素子
の出力値を補正し、以降装置の停止まで同じ動作を繰り
返すことにより、常にオフセット値が補正された正確な
測定値が得られる。
走査手段により補正用素子を動作させて、その時点での
増幅手段の出力をオフセット値として求める。次に、検
知素子を動作させて検知素子の出力を求め、補正手段に
おいて上記オフセット値を基に検知素子の出力値が補正
される。すなわち、補正用素子は赤外線が入射しても信
号値が変化しないので、補正用素子の動作時には増幅手
段などにおけるオフセット値が出力される。このオフセ
ット値が検知素子の出力値から加減算される。次のサイ
クルでも同様に、補正用素子を動作させてその時点での
オフセット値を求め、そのオフセット値を基に検知素子
の出力値を補正し、以降装置の停止まで同じ動作を繰り
返すことにより、常にオフセット値が補正された正確な
測定値が得られる。
【００１２】とくに、検知素子に熱分離構造を備え、補
正用素子には熱分離構造を備えないものとすることによ
り、検知素子からは赤外線の強さに対応した信号が得ら
れる一方、補正用素子からは赤外線に応じた出力変化は
なく増幅手段などにおけるオフセット値のみが有効に取
り出される。
正用素子には熱分離構造を備えないものとすることによ
り、検知素子からは赤外線の強さに対応した信号が得ら
れる一方、補正用素子からは赤外線に応じた出力変化は
なく増幅手段などにおけるオフセット値のみが有効に取
り出される。
【００１３】本発明の熱型赤外線検知素子ユニットによ
れば、所定の電気特性と感度を有する検知素子と、該検
知素子と同様の電気特性を有するが感度を異ならせて赤
外線が入射しても信号値が変化しない補正用素子とが、
基板上に隣接して配設されているから、赤外線入射部に
容易に設置でき、補正用素子と検知素子を順次に動作さ
せて無信号状態と赤外線の強さに対応した信号出力状態
とを得、これにより後段において無信号状態時の出力と
して増幅手段などにおけるオフセット値を得ることがで
きる。
れば、所定の電気特性と感度を有する検知素子と、該検
知素子と同様の電気特性を有するが感度を異ならせて赤
外線が入射しても信号値が変化しない補正用素子とが、
基板上に隣接して配設されているから、赤外線入射部に
容易に設置でき、補正用素子と検知素子を順次に動作さ
せて無信号状態と赤外線の強さに対応した信号出力状態
とを得、これにより後段において無信号状態時の出力と
して増幅手段などにおけるオフセット値を得ることがで
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の第１の実施例の構成を示す図
である。第１〜第４検知素子１〜４、および補正用素子
５が一列に整列した状態で設置されている。各検知素子
および補正用素子のプラス側出力端子１１４のそれぞれ
は第１〜第５スイッチングトランジスタ２１〜２５を介
してプラスバス線１１に接続されており、各検知素子お
よび補正用素子のマイナス側出力端子１１５のそれぞれ
はマイナスバス線１４に接続されている。第１〜第５ス
イッチングトランジスタ２１〜２５の各ゲートは走査回
路６の第１〜第５出力端子６１〜６５に接続され、走査
回路６は動作入力端子１０に入力する信号に従い動作
し、第１〜第５出力端子から信号ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅを
出力する。
明する。図１は、本発明の第１の実施例の構成を示す図
である。第１〜第４検知素子１〜４、および補正用素子
５が一列に整列した状態で設置されている。各検知素子
および補正用素子のプラス側出力端子１１４のそれぞれ
は第１〜第５スイッチングトランジスタ２１〜２５を介
してプラスバス線１１に接続されており、各検知素子お
よび補正用素子のマイナス側出力端子１１５のそれぞれ
はマイナスバス線１４に接続されている。第１〜第５ス
イッチングトランジスタ２１〜２５の各ゲートは走査回
路６の第１〜第５出力端子６１〜６５に接続され、走査
回路６は動作入力端子１０に入力する信号に従い動作
し、第１〜第５出力端子から信号ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅを
出力する。
【００１５】プラスバス線１１とマイナスバス線１４は
増幅回路７に接続され、プラスバス線１１上の信号ｆを
増幅した増幅回路７の出力ｇは、オフセット補正回路８
に入力されている。そして、オフセット補正回路８でオ
フセットを補正された信号ｈが出力端子１３より出力さ
れる。増幅回路７は、第１〜第３オペアンプ７０〜７２
と第１〜第４抵抗７３〜７６で構成されている。プラス
バス線１１が第１オペアンプ７０に、マイナスバス線１
４が第２オペアンプ７１に接続し、これらの出力が第３
オペアンプ７２の比較入力となっている。
増幅回路７に接続され、プラスバス線１１上の信号ｆを
増幅した増幅回路７の出力ｇは、オフセット補正回路８
に入力されている。そして、オフセット補正回路８でオ
フセットを補正された信号ｈが出力端子１３より出力さ
れる。増幅回路７は、第１〜第３オペアンプ７０〜７２
と第１〜第４抵抗７３〜７６で構成されている。プラス
バス線１１が第１オペアンプ７０に、マイナスバス線１
４が第２オペアンプ７１に接続し、これらの出力が第３
オペアンプ７２の比較入力となっている。
【００１６】オフセット補正回路８は、第４オペアンプ
８０、第５、第６抵抗８１、８２、サンプルトランジス
タ８３およびホールドキャパシタ８４で構成されてい
る。そして、増幅回路７からは先の第３オペアンプ７２
の出力が第５抵抗８１を介して第４オペアンプ８０の一
方の比較入力とされ、またサンプルトランジスタ８３を
介してホールドキャパシタ８４に印加される。このホー
ルドキャパシタ８４の端子電圧が第４オペアンプ８０の
他方の比較入力とされる。サンプルトランジスタ８３の
ゲートには、走査回路６の第５出力端子６５よりの信号
ｅが入力するようになっている。
８０、第５、第６抵抗８１、８２、サンプルトランジス
タ８３およびホールドキャパシタ８４で構成されてい
る。そして、増幅回路７からは先の第３オペアンプ７２
の出力が第５抵抗８１を介して第４オペアンプ８０の一
方の比較入力とされ、またサンプルトランジスタ８３を
介してホールドキャパシタ８４に印加される。このホー
ルドキャパシタ８４の端子電圧が第４オペアンプ８０の
他方の比較入力とされる。サンプルトランジスタ８３の
ゲートには、走査回路６の第５出力端子６５よりの信号
ｅが入力するようになっている。
【００１７】図２は検知素子（第１〜第４検知素子）の
構造を示す。とくに図２の（ａ）は、１つの検知素子の
平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。基板１
１６は（１００）面を表面とする。この表面上にはＳｉ
Ｎの薄膜層１１８が形成されている。薄膜層１１８上に
は、ポリシリコンなどにより形成され、Ｐ型にドープさ
れたＰ型サーモパイル１１０と、Ｎ型にドープされたＮ
型サーモパイル１１１が交互に、かつ直列に接続されて
配置されている。この薄膜層１１８には、サーモパイル
列間のスペースに、異方性エッチングで基板１１６の一
部を除去して熱分離を良くするためのエッチング孔１１
９が形成されている。
構造を示す。とくに図２の（ａ）は、１つの検知素子の
平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。基板１
１６は（１００）面を表面とする。この表面上にはＳｉ
Ｎの薄膜層１１８が形成されている。薄膜層１１８上に
は、ポリシリコンなどにより形成され、Ｐ型にドープさ
れたＰ型サーモパイル１１０と、Ｎ型にドープされたＮ
型サーモパイル１１１が交互に、かつ直列に接続されて
配置されている。この薄膜層１１８には、サーモパイル
列間のスペースに、異方性エッチングで基板１１６の一
部を除去して熱分離を良くするためのエッチング孔１１
９が形成されている。
【００１８】Ｐ型サーモパイル１１０とＮ型サーモパイ
ル１１１の接続には、Ａｌ電極が使用され、中心部が温
接点１１３、周辺部が冷接点１１２となっている。温接
点１１３を囲む領域は、エッチング孔１１９から異方性
エッチングにより（１１１）面１２１を側面とする４角
錐状に基板１１６の一部が除去され、熱分離構造に形成
されている。また、層間絶縁膜１２０を介して温接点１
１３の上部にＡｕ黒膜等による赤外線吸収膜１１７が設
けられている。
ル１１１の接続には、Ａｌ電極が使用され、中心部が温
接点１１３、周辺部が冷接点１１２となっている。温接
点１１３を囲む領域は、エッチング孔１１９から異方性
エッチングにより（１１１）面１２１を側面とする４角
錐状に基板１１６の一部が除去され、熱分離構造に形成
されている。また、層間絶縁膜１２０を介して温接点１
１３の上部にＡｕ黒膜等による赤外線吸収膜１１７が設
けられている。
【００１９】一方、補正用素子５も、Ｐ型サーモパイル
１１０、Ｎ型サーモパイル１１１、冷接点１１２、およ
び温接点１１３等を備え、検知素子１〜４と同様に配
置、接続されている。しかし、補正用素子５の薄膜層１
１８には、検知素子１〜４のサーモパイル列間のスペー
スに形成されていたエッチング孔１１９が形成されてい
ない。したがって、基板の一部を除去する異方性エッチ
ング時にも基板１１６の一部が除去されない。このた
め、温接点１１３と基板１１６との熱分離が行なわれて
いない。また、補正用素子５では温接点１１３をカバー
する赤外線吸収膜１１７も設けられておらず、したがっ
て、入射赤外線は均一に吸収され、温接点１１３と冷接
点１１２とに温度差が生じないものとなっている。この
ため、補正用素子５は、赤外線が入射しても該赤外線の
強さに対応した信号を出力しない。
１１０、Ｎ型サーモパイル１１１、冷接点１１２、およ
び温接点１１３等を備え、検知素子１〜４と同様に配
置、接続されている。しかし、補正用素子５の薄膜層１
１８には、検知素子１〜４のサーモパイル列間のスペー
スに形成されていたエッチング孔１１９が形成されてい
ない。したがって、基板の一部を除去する異方性エッチ
ング時にも基板１１６の一部が除去されない。このた
め、温接点１１３と基板１１６との熱分離が行なわれて
いない。また、補正用素子５では温接点１１３をカバー
する赤外線吸収膜１１７も設けられておらず、したがっ
て、入射赤外線は均一に吸収され、温接点１１３と冷接
点１１２とに温度差が生じないものとなっている。この
ため、補正用素子５は、赤外線が入射しても該赤外線の
強さに対応した信号を出力しない。
【００２０】つぎに、上記構成における動作を図３のタ
イミングチャートを参照して説明する。図中、（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は走査回路６の出力端
子６１〜６５からの信号を示し、（ｆ）はプラスバス線
１１上の信号、（ｇ）、（ｈ）はそれぞれ増幅回路７、
オフセット補正回路８の出力を示す。動作入力端子１０
に外部から所定の電圧が印加されると、走査回路６が動
作を開始し、出力端子６１〜６５から（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）のように順次Ｈ信号（ハイレベ
ル信号）を出力する。この信号は順次スイッチングトラ
ンジスタ２１〜２５のゲートに送られ、スイッチングト
ランジスタ２１〜２５が順次オンする。例えば、走査回
路６の出力端子６１から（ａ）のように、時刻ｔ＝ＴＡ
にＨ信号が出力されると、スイッチングトランジスタ２
１がオンして、（ｆ）のＦａに示すようにプラスバス線
１１に検知素子１の出力が送出される。
イミングチャートを参照して説明する。図中、（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は走査回路６の出力端
子６１〜６５からの信号を示し、（ｆ）はプラスバス線
１１上の信号、（ｇ）、（ｈ）はそれぞれ増幅回路７、
オフセット補正回路８の出力を示す。動作入力端子１０
に外部から所定の電圧が印加されると、走査回路６が動
作を開始し、出力端子６１〜６５から（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）のように順次Ｈ信号（ハイレベ
ル信号）を出力する。この信号は順次スイッチングトラ
ンジスタ２１〜２５のゲートに送られ、スイッチングト
ランジスタ２１〜２５が順次オンする。例えば、走査回
路６の出力端子６１から（ａ）のように、時刻ｔ＝ＴＡ
にＨ信号が出力されると、スイッチングトランジスタ２
１がオンして、（ｆ）のＦａに示すようにプラスバス線
１１に検知素子１の出力が送出される。
【００２１】このプラスバス線１１に送出された信号
（ｆ）は、増幅回路７で増幅される。このとき、プラス
バス線１１上の信号（ｆ）は非常に微弱であり、かつ、
第１検知素子１や第２〜第４検知素子２〜４の出力イン
ピーダンスは高い。したがって、初段増幅はインスツル
メンテーションアンプ構成となっており、増幅率はＡ１
＝２＊（Ｒ２／Ｒ１）である。ここでＲ１は第１抵抗７
３の抵抗値、Ｒ２は第２抵抗７４（７４ａ、７４ｂ）の
抵抗値である。また、次段は差動増幅器であり、増幅率
Ａ２＝Ｒ４／Ｒ３である。ここでＲ３は第３抵抗７５
（７５ａ、７５ｂ）の抵抗値、Ｒ４は第４抵抗７６（７
６ａ、７６ｂ）の抵抗値である。
（ｆ）は、増幅回路７で増幅される。このとき、プラス
バス線１１上の信号（ｆ）は非常に微弱であり、かつ、
第１検知素子１や第２〜第４検知素子２〜４の出力イン
ピーダンスは高い。したがって、初段増幅はインスツル
メンテーションアンプ構成となっており、増幅率はＡ１
＝２＊（Ｒ２／Ｒ１）である。ここでＲ１は第１抵抗７
３の抵抗値、Ｒ２は第２抵抗７４（７４ａ、７４ｂ）の
抵抗値である。また、次段は差動増幅器であり、増幅率
Ａ２＝Ｒ４／Ｒ３である。ここでＲ３は第３抵抗７５
（７５ａ、７５ｂ）の抵抗値、Ｒ４は第４抵抗７６（７
６ａ、７６ｂ）の抵抗値である。
【００２２】オフセット補正回路８では、増幅回路７で
増幅された信号（ｇ）から時刻ＴＥで取り込まれたオフ
セット電圧が除かれ、正確な出力信号（ｈ）が信号出力
端子１３より外部に出力される。次に、このオフセット
補正の動作を詳細に説明する。 先ず、補正用素子５へ
信号が入力される段階より説明する。まず、図３の
（ｅ）に示すように、時刻ＴＥで走査回路６が出力端子
６５からＨ信号を出力するとする。すると、スイッチン
グトランジスタ２５がオンし、プラスバス線１１には
（ｆ）のＦｅに示すように補正用素子５の出力信号値が
現れる。
増幅された信号（ｇ）から時刻ＴＥで取り込まれたオフ
セット電圧が除かれ、正確な出力信号（ｈ）が信号出力
端子１３より外部に出力される。次に、このオフセット
補正の動作を詳細に説明する。 先ず、補正用素子５へ
信号が入力される段階より説明する。まず、図３の
（ｅ）に示すように、時刻ＴＥで走査回路６が出力端子
６５からＨ信号を出力するとする。すると、スイッチン
グトランジスタ２５がオンし、プラスバス線１１には
（ｆ）のＦｅに示すように補正用素子５の出力信号値が
現れる。
【００２３】補正用素子５には、前述のようにエッチン
グ孔１１９が設けられておらず、基板の除去部分がない
から、温接点１１３と基板１１６との熱分離がなされて
いない。そして赤外線吸収膜１１７も設けられていな
い。 したがって、温接点１１３と冷接点１１２との熱
的条件が同じであるので、補正用素子５は赤外線入射に
よる信号を出力しない。しかし、補正用素子５における
Ｐ型サーモパイル１１０、Ｎ型サーモパイル１１１の配
置や接続などは、第１〜第４検知素子１〜４と同じであ
るから、電気特性は第１〜第４検知素子１〜４と同等で
ある。このため、増幅回路７の出力（ｇ）に現れるオフ
セット信号ＧＸは、第１〜第４検知素子１〜４のオフセ
ット相当分に極めて類似したものとなる。これにより、
第１〜第４検知素子１〜４に基づく出力値Ｇａ、Ｇｂ、
Ｇｃ、Ｇｄに対して補正用素子５の出力値（オフセット
値）ＧＸを加減算することにより、正確な赤外線値が得
られる。
グ孔１１９が設けられておらず、基板の除去部分がない
から、温接点１１３と基板１１６との熱分離がなされて
いない。そして赤外線吸収膜１１７も設けられていな
い。 したがって、温接点１１３と冷接点１１２との熱
的条件が同じであるので、補正用素子５は赤外線入射に
よる信号を出力しない。しかし、補正用素子５における
Ｐ型サーモパイル１１０、Ｎ型サーモパイル１１１の配
置や接続などは、第１〜第４検知素子１〜４と同じであ
るから、電気特性は第１〜第４検知素子１〜４と同等で
ある。このため、増幅回路７の出力（ｇ）に現れるオフ
セット信号ＧＸは、第１〜第４検知素子１〜４のオフセ
ット相当分に極めて類似したものとなる。これにより、
第１〜第４検知素子１〜４に基づく出力値Ｇａ、Ｇｂ、
Ｇｃ、Ｇｄに対して補正用素子５の出力値（オフセット
値）ＧＸを加減算することにより、正確な赤外線値が得
られる。
【００２４】また、時刻ＴＥにおいては、オフセット補
正回路８のサンプルトランジスタ８３は、走査回路６の
出力端子６５よりの信号ｅがゲートに入力されているの
でオン状態にある。このため、増幅回路７の出力端子１
２に現れたオフセット信号ＧＸはホールドキャパシタ８
４に記憶される。また、オペアンプ８０は、サンプルト
ランジスタ８３がオン状態にあるので、入力端子が短絡
されている状態になってい。したがって、出力端子１３
には信号が現れない。補正用素子５へのアクセス時間が
終了すると、図３の（ｅ）のように、走査回路６の出力
端子６５はＬ（ロウ）状態にもどる。これに従って、サ
ンプルトランジスタ８３もオフ状態となり、サンプルキ
ャパシタ８４の電圧は固定される。
正回路８のサンプルトランジスタ８３は、走査回路６の
出力端子６５よりの信号ｅがゲートに入力されているの
でオン状態にある。このため、増幅回路７の出力端子１
２に現れたオフセット信号ＧＸはホールドキャパシタ８
４に記憶される。また、オペアンプ８０は、サンプルト
ランジスタ８３がオン状態にあるので、入力端子が短絡
されている状態になってい。したがって、出力端子１３
には信号が現れない。補正用素子５へのアクセス時間が
終了すると、図３の（ｅ）のように、走査回路６の出力
端子６５はＬ（ロウ）状態にもどる。これに従って、サ
ンプルトランジスタ８３もオフ状態となり、サンプルキ
ャパシタ８４の電圧は固定される。
【００２５】次いで前述のように、時刻ＴＡでは、
（ａ）のように走査回路６の出力端子６１よりＨ信号が
出力し、スイッチングトランジスタ２１がオン状態とな
り、プラスバス線１１に第１検知素子１の信号Ｆａが現
れる。第１検知素子１の信号は増幅回路７で増幅され、
オフセット補正回路８へ送られる。オフセット補正回路
８では、ホールドキャパシタ８４に記憶された時刻ＴＥ
におけるオフセット値（信号）ＧＸを基に加減算を行
い、検知素子１の出力値（信号）Ｇａを補正して、
（ｈ）に示すように、出力端子１３よりＨａを出力す
る。
（ａ）のように走査回路６の出力端子６１よりＨ信号が
出力し、スイッチングトランジスタ２１がオン状態とな
り、プラスバス線１１に第１検知素子１の信号Ｆａが現
れる。第１検知素子１の信号は増幅回路７で増幅され、
オフセット補正回路８へ送られる。オフセット補正回路
８では、ホールドキャパシタ８４に記憶された時刻ＴＥ
におけるオフセット値（信号）ＧＸを基に加減算を行
い、検知素子１の出力値（信号）Ｇａを補正して、
（ｈ）に示すように、出力端子１３よりＨａを出力す
る。
【００２６】同様にして、順次走査回路６の出力端子６
２〜６４よりＨ信号が出力し、第２〜第４検知素子２〜
４より、順次、信号がプラスバス線１１に出力され、オ
フセット補正回路８で補正される。このようにして、１
サイクル、すなわち、補正用素子５→第１検知素子１・・
→第４検知素子４の流れが終わると、次のサイクルでは
新たなオフセット電圧がホールドキャパシタ８４に記憶
され、そのオフセット電圧値を基に補正が行われる。こ
うして１サイクルごとに、第１〜第４検知素子１〜４の
出力値はそのサイクルにおけるオフセット量だけ補正さ
れて出力端子１３よりＨａ〜Ｈｄのように出力される。
２〜６４よりＨ信号が出力し、第２〜第４検知素子２〜
４より、順次、信号がプラスバス線１１に出力され、オ
フセット補正回路８で補正される。このようにして、１
サイクル、すなわち、補正用素子５→第１検知素子１・・
→第４検知素子４の流れが終わると、次のサイクルでは
新たなオフセット電圧がホールドキャパシタ８４に記憶
され、そのオフセット電圧値を基に補正が行われる。こ
うして１サイクルごとに、第１〜第４検知素子１〜４の
出力値はそのサイクルにおけるオフセット量だけ補正さ
れて出力端子１３よりＨａ〜Ｈｄのように出力される。
【００２７】以上のように、本実施例によれば、１サイ
クルごとに検知素子の補正が行われるので、温度変化な
どの環境変化に左右されることなく、高精度に赤外線を
検知することができる。
クルごとに検知素子の補正が行われるので、温度変化な
どの環境変化に左右されることなく、高精度に赤外線を
検知することができる。
【００２８】図４には、本発明の第２の実施例を示す。
本実施例では、検知素子として抵抗値の温度変化によっ
て入射赤外線を検知するポロメータを使用した第１〜第
４検知素子２０１〜２０４を用い、補正用素子として赤
外線の検知能力の無い変形素子からなる補正用素子２０
５を使用する。図５は検知素子（第１〜第４検知素子）
の構造を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面図である。検知素子は、基板２１６の表面上
にＳｉＮの薄膜層２１８が形成されている。薄膜層２１
８上に、温度によって抵抗値の変化する４個の薄膜抵抗
体２２２ａ〜２２２ｄが設けられており、薄膜抵抗体２
２２ａ〜２２２ｄは、導線２２３で接続されてホイート
ストンブリッジ回路を形成している。
本実施例では、検知素子として抵抗値の温度変化によっ
て入射赤外線を検知するポロメータを使用した第１〜第
４検知素子２０１〜２０４を用い、補正用素子として赤
外線の検知能力の無い変形素子からなる補正用素子２０
５を使用する。図５は検知素子（第１〜第４検知素子）
の構造を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面図である。検知素子は、基板２１６の表面上
にＳｉＮの薄膜層２１８が形成されている。薄膜層２１
８上に、温度によって抵抗値の変化する４個の薄膜抵抗
体２２２ａ〜２２２ｄが設けられており、薄膜抵抗体２
２２ａ〜２２２ｄは、導線２２３で接続されてホイート
ストンブリッジ回路を形成している。
【００２９】薄膜層２１８には、薄膜抵抗体２２２ａの
周囲スペースに、異方性エッチングで基板２１６の一部
を除去して熱分離を良くするためのエッチング孔２１９
が形成されている。薄膜抵抗体２２２ａを囲む領域は、
エッチング孔２１９から異方性エッチングにより（１１
１）面２２１を側面とする４角錐状に基板２１６の一部
が除去され、熱分離構造に形成されている。他の薄膜抵
抗体２２２ｂ〜２２２ｄに対応する領域については、基
板２１６のエッチング除去はなされない。さらに薄膜抵
抗体２２２ａの上部には層間絶縁膜２２０を介してＡｕ
黒膜等による赤外線吸収膜２１７が設けられている。
周囲スペースに、異方性エッチングで基板２１６の一部
を除去して熱分離を良くするためのエッチング孔２１９
が形成されている。薄膜抵抗体２２２ａを囲む領域は、
エッチング孔２１９から異方性エッチングにより（１１
１）面２２１を側面とする４角錐状に基板２１６の一部
が除去され、熱分離構造に形成されている。他の薄膜抵
抗体２２２ｂ〜２２２ｄに対応する領域については、基
板２１６のエッチング除去はなされない。さらに薄膜抵
抗体２２２ａの上部には層間絶縁膜２２０を介してＡｕ
黒膜等による赤外線吸収膜２１７が設けられている。
【００３０】第１〜第４検知素子２０１〜２０４および
補正用素子２０５は、それぞれの導線２２３に設けられ
た端子Ｍを定電流源２２４に、端子Ｎをマイナスバス線
１４に、端子Ｐをアースに、端子Ｑをそれぞれ第１〜第
５スイッチングトランジスタ２１〜２５を介してプラス
バス線１１に接続している。また薄膜抵抗体２２２ａ〜
２２２ｄによって、ホイートストンブリッジ回路が形成
されている。なお、第１〜第４検知素子２０１〜２０４
および補正用素子２０５以外の構成は、前述の第１の実
施例と同じであるから、同一部分には同一符号を付し
て、その構成及び動作の説明を省略する。なおまた、理
解を容易にするため、図４ではエッチング孔に対する検
知素子および補正用素子の薄膜抵抗体の大きさを図５に
おけるよりも大きく表示してある。
補正用素子２０５は、それぞれの導線２２３に設けられ
た端子Ｍを定電流源２２４に、端子Ｎをマイナスバス線
１４に、端子Ｐをアースに、端子Ｑをそれぞれ第１〜第
５スイッチングトランジスタ２１〜２５を介してプラス
バス線１１に接続している。また薄膜抵抗体２２２ａ〜
２２２ｄによって、ホイートストンブリッジ回路が形成
されている。なお、第１〜第４検知素子２０１〜２０４
および補正用素子２０５以外の構成は、前述の第１の実
施例と同じであるから、同一部分には同一符号を付し
て、その構成及び動作の説明を省略する。なおまた、理
解を容易にするため、図４ではエッチング孔に対する検
知素子および補正用素子の薄膜抵抗体の大きさを図５に
おけるよりも大きく表示してある。
【００３１】上記構成において、赤外線の検出時には、
端子Ｍ、Ｐ間に定電流源２２４より一定電流を流してお
く。赤外線が入射していないときはホイートストンブリ
ッジ回路がバランスしているために端子Ｎ、Ｑ間には電
圧が発生しない。赤外線が入射すると、熱分離構造とさ
れた薄膜抵抗体２２２ａの温度が上昇するために抵抗値
が変化し、ホイートストンブリッジ回路のバランスが崩
れて、端子Ｎ、Ｑ間に電圧が発生する。この電圧値は入
射した赤外線量に対応するので、当該電圧値によって入
射赤外線量を検出することができる。
端子Ｍ、Ｐ間に定電流源２２４より一定電流を流してお
く。赤外線が入射していないときはホイートストンブリ
ッジ回路がバランスしているために端子Ｎ、Ｑ間には電
圧が発生しない。赤外線が入射すると、熱分離構造とさ
れた薄膜抵抗体２２２ａの温度が上昇するために抵抗値
が変化し、ホイートストンブリッジ回路のバランスが崩
れて、端子Ｎ、Ｑ間に電圧が発生する。この電圧値は入
射した赤外線量に対応するので、当該電圧値によって入
射赤外線量を検出することができる。
【００３２】一方、補正用素子２０５は、その薄膜抵抗
体２２２ａについて熱分離構造に形成されておらず、全
ての薄膜抵抗体２２２ａ〜２２２ｄは、赤外線入射時に
おいて熱的に同一条件にある。従って、赤外線が入射し
てもホイートストンブリッジ回路のバランスが崩れるこ
とはない。このため、端子Ｎ、Ｑ間に電圧は発生しな
い。しかし、補正用素子２０５の電気特性は第１〜第４
検知素子２０１〜２０４と同等に構成されている。その
ため、増幅回路７の出力ｇに現れるオフセット値は第１
〜第４検知素子２０１〜２０４の場合の増幅回路７の出
力に現れる信号内のオフセット値と極似したものであ
る。
体２２２ａについて熱分離構造に形成されておらず、全
ての薄膜抵抗体２２２ａ〜２２２ｄは、赤外線入射時に
おいて熱的に同一条件にある。従って、赤外線が入射し
てもホイートストンブリッジ回路のバランスが崩れるこ
とはない。このため、端子Ｎ、Ｑ間に電圧は発生しな
い。しかし、補正用素子２０５の電気特性は第１〜第４
検知素子２０１〜２０４と同等に構成されている。その
ため、増幅回路７の出力ｇに現れるオフセット値は第１
〜第４検知素子２０１〜２０４の場合の増幅回路７の出
力に現れる信号内のオフセット値と極似したものであ
る。
【００３３】したがって、本実施例においても第１の実
施例と同様に、第１〜第４検知素子の出力値に対して補
正用素子の出力値を加減算することによって正確に赤外
線を検出することができ、温度変化などの環境変化に左
右されることなく、高精度に赤外線を検知することがで
きる。
施例と同様に、第１〜第４検知素子の出力値に対して補
正用素子の出力値を加減算することによって正確に赤外
線を検出することができ、温度変化などの環境変化に左
右されることなく、高精度に赤外線を検知することがで
きる。
【００３４】
【発明の効果】以上のとおり、本発明は、検知素子およ
びこれと同様の電気特性を有するが感度を異ならせて赤
外線が入射しても信号値が変化しない補正用素子とを近
接して配列し、走査手段により補正用素子を動作させて
増幅手段のオフセット値を求め、次に検知素子の出力を
オフセット値を基に補正するものとしたので、１サイク
ル毎に補正が行なわれ、温度変化などの環境変化に左右
されることなく常に高精度に赤外線を検知することがで
きる。
びこれと同様の電気特性を有するが感度を異ならせて赤
外線が入射しても信号値が変化しない補正用素子とを近
接して配列し、走査手段により補正用素子を動作させて
増幅手段のオフセット値を求め、次に検知素子の出力を
オフセット値を基に補正するものとしたので、１サイク
ル毎に補正が行なわれ、温度変化などの環境変化に左右
されることなく常に高精度に赤外線を検知することがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す図である。
【図２】第１の実施例における検知素子の詳細構造を示
す図である。
す図である。
【図３】実施例の動作を説明するタイミングチャートで
ある。
ある。
【図４】第２の実施例の構成を示す図である。
【図５】第２の実施例における検知素子の詳細構造を示
す図である。
す図である。
１、２、３、４ 第１〜第４検知素子 ５ 補正用素子 ６ 走査回路（走査手段） ７ 増幅回路（増幅手段） ８ オフセット補正回路（補正手段） １０ 動作入力端子 １１ プラスバス線 １３ 出力端子 １４ マイナスバス線 ２１〜２５ 第１〜第５スイッチングトランジスタ ６１、６２、６３、６４、６５ 第１〜第５出力端子 ７０、７１、７２ 第１〜第３オペアンプ ７３、７４、７５、７６ 第１〜第４抵抗 ８０ 第４オペアンプ ８１ 第５抵抗 ８２ 第６抵抗 ８３ サンプルトランジスタ ８４ ホールドキャパシタ ２１、２２、２３、２４、２５ 第１〜第５スイッチ
ングトランジスタ １１０ Ｐ型サーモパイル １１１ Ｎ型サーモパイル １１２ 冷接点 １１３ 温接点 １１４ プラス出力端子 １１５ マイナス出力端子 １１６、２１６ 基板 １１７、２１７ 赤外線吸収膜 １１８、２１８ 薄膜層 １１９、２１９ エッチング孔 １２０、２２０ 層間絶縁膜 １２１、２２１ （１１１）面 ２０１、２０２、２０３、２０４ 第１〜第４検知素
子 ２０５ 補正用素子 ２２２ａ〜ｄ 薄膜抵抗体 ２２３ 導線 ２２４ 定電流源
ングトランジスタ １１０ Ｐ型サーモパイル １１１ Ｎ型サーモパイル １１２ 冷接点 １１３ 温接点 １１４ プラス出力端子 １１５ マイナス出力端子 １１６、２１６ 基板 １１７、２１７ 赤外線吸収膜 １１８、２１８ 薄膜層 １１９、２１９ エッチング孔 １２０、２２０ 層間絶縁膜 １２１、２２１ （１１１）面 ２０１、２０２、２０３、２０４ 第１〜第４検知素
子 ２０５ 補正用素子 ２２２ａ〜ｄ 薄膜抵抗体 ２２３ 導線 ２２４ 定電流源
Claims (8)
- 【請求項１】 所定の電気特性と感度を有する検知素子
と、該検知素子と同様の電気特性を有するが感度を異な
らせて赤外線が入射しても信号値が変化しない補正用素
子とを近接して配列し、前記検知素子および補正用素子
を切り替え選択して走査する走査手段と、前記検知素子
の出力信号を増幅する増幅手段と、前記検知素子および
補正用素子の出力信号を用いて前記増幅手段の出力にお
けるオフセットを補正する補正手段とを有することを特
徴とする熱型赤外線検知装置。 - 【請求項２】 前記検知素子は、温接点および冷接点で
Ｐ型サーモパイルおよびＮ型サーモパイルが交互に接続
されて構成され、かつ前記温接点が基板と熱分離される
熱分離構造を備え、前記補正用素子は、熱分離構造なし
に温接点および冷接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サ
ーモパイルが交互に接続されて構成されて、補正用素子
が検知素子より低感度に構成されていることを特徴とす
る請求項１記載の熱型赤外線検知装置。 - 【請求項３】 前記検知素子は、温接点および冷接点で
Ｐ型サーモパイルおよびＮ型サーモパイルが交互に接続
されて構成され、かつ前記温接点上に赤外線吸収膜を備
えて、補正用素子が検知素子より低感度に構成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の熱型赤外線検知装
置。 - 【請求項４】 前記検知素子は、温接点および冷接点で
Ｐ型サーモパイルおよびＮ型サーモパイルが交互に接続
されて構成され、かつ前記温接点が基板と熱分離される
熱分離構造を備えるとともに、前記温接点上に赤外線吸
収膜を備え、前記補正用素子は、熱分離構造なしに温接
点および冷接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サーモパ
イルが交互に接続されて構成されて、補正用素子が検知
素子より低感度に構成されていることを特徴とする請求
項１記載の熱型赤外線検知装置。 - 【請求項５】 前記検知素子は、熱的条件を異にする抵
抗体を含むホイートストンブリッジ回路を備え、前記補
正用素子は、熱的条件が全て同じ抵抗体のホイートスト
ンブリッジ回路を備えて、補正用素子が検知素子より低
感度に構成されていることを特徴とする請求項１記載の
熱型赤外線検知装置。 - 【請求項６】 所定の電気特性と感度を有する検知素子
と、該検知素子と同様の電気特性を有するが感度を異な
らせて赤外線が入射しても信号値が変化しない補正用素
子とを、基板上に隣接して配設したことを特徴とする熱
型赤外線検知素子ユニット。 - 【請求項７】 前記検知素子は、温接点および冷接点で
Ｐ型サーモパイルおよびＮ型サーモパイルが交互に接続
されて構成され、かつ温接点を囲む領域の基板が除去さ
れるとともに、温接点上に赤外線吸収膜を備えて熱分離
構造が形成され、前記補正用素子は、熱分離構造なしに
温接点および冷接点でＰ型サーモパイルおよびＮ型サー
モパイルが交互に接続されて構成されて、補正用素子が
検知素子より低感度に構成されていることを特徴とする
請求項６記載の熱型赤外線検知素子ユニット。 - 【請求項８】 前記検知素子は、複数の抵抗体からなる
ホイートストンブリッジ回路を備え、その１の抵抗体を
囲む領域の基板が除去されるとともに、該１の抵抗体上
に赤外線吸収膜を備えて熱分離構造が形成され、前記補
正用素子は、熱分離構造なしに熱的条件が全て同じ複数
の抵抗体からなるホイートストンブリッジ回路を備え
て、補正用素子が検知素子より低感度に構成されている
ことを特徴とする請求項６記載の熱型赤外線検知素子ユ
ニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04660496A JP3339291B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 熱型赤外線検知装置およびこれに用いる熱型赤外線検知素子ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04660496A JP3339291B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 熱型赤外線検知装置およびこれに用いる熱型赤外線検知素子ユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09218090A true JPH09218090A (ja) | 1997-08-19 |
| JP3339291B2 JP3339291B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=12751915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04660496A Expired - Lifetime JP3339291B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 熱型赤外線検知装置およびこれに用いる熱型赤外線検知素子ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339291B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11295151A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Nissan Motor Co Ltd | 熱型赤外線検出装置 |
| JP2006162319A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出装置 |
| US7161419B2 (en) | 2003-11-12 | 2007-01-09 | Seiko Npc Corporation | Sensor device and a signal amplification device of a small detection signal provided by the sensor |
| WO2017022392A1 (ja) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | 株式会社デンソー | 放射熱センサ |
| CN109164157A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-01-08 | 浙江师范大学 | 用于生化检测的mosfet型微薄膜传感器、检测系统与检测方法 |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP04660496A patent/JP3339291B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
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