JPH09217164A - プラズマ溶射装置 - Google Patents
プラズマ溶射装置Info
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- JPH09217164A JPH09217164A JP8027154A JP2715496A JPH09217164A JP H09217164 A JPH09217164 A JP H09217164A JP 8027154 A JP8027154 A JP 8027154A JP 2715496 A JP2715496 A JP 2715496A JP H09217164 A JPH09217164 A JP H09217164A
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- powder
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- anode electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 融点の高いパウダーへの適用性を高め、パウ
ダーの損失を低減するとともに、パウダーを効果的に溶
融状態に導いて、プラズマ溶射範囲を高い精度で設定す
る。 【解決手段】 ケーシングに取り付けられる絶縁ハウジ
ングと、絶縁ハウジングにケーシングの内部に突出状態
に取り付けられるカソード電極と、カソード電極に対向
状態に配されるアノード電極と、カソード電極の先端近
傍にプラズマガスを投入するプラズマガス噴出口と、ア
ノード電極のプラズマ噴射口の内方位置に配されパウダ
ーを投入するパウダー投入口と、アノード電極の回りの
冷却流路に冷却用流体を送り込む冷却流体供給口とを具
備する。
ダーの損失を低減するとともに、パウダーを効果的に溶
融状態に導いて、プラズマ溶射範囲を高い精度で設定す
る。 【解決手段】 ケーシングに取り付けられる絶縁ハウジ
ングと、絶縁ハウジングにケーシングの内部に突出状態
に取り付けられるカソード電極と、カソード電極に対向
状態に配されるアノード電極と、カソード電極の先端近
傍にプラズマガスを投入するプラズマガス噴出口と、ア
ノード電極のプラズマ噴射口の内方位置に配されパウダ
ーを投入するパウダー投入口と、アノード電極の回りの
冷却流路に冷却用流体を送り込む冷却流体供給口とを具
備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ溶射装置
に係り、特に、小型化及び溶射精度の向上を図るもので
ある。
に係り、特に、小型化及び溶射精度の向上を図るもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ溶射装置にあっては、所望組成
のパウダーをプラズマ流により移送しながら溶融状態に
して、被被覆対象物の表面に溶射するようにしている。
のパウダーをプラズマ流により移送しながら溶融状態に
して、被被覆対象物の表面に溶射するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】プラズマ溶射装置にお
いて、噴射口から噴射したプラズマ流に、パウダーを供
給して合流させると、広げられたプラズマ流にパウダー
を噴射口の外方位置で送り込むために溶解むらが生じ易
くなり、融点の高い材料：パウダーへの適用性が低下す
るとともに、パウダーの損失が多くなる。また、プラズ
マ溶射ガンの中に、パウダーを投入するようにすると、
パウダーを溶融状態とする点で有利であるが、プラズマ
流を発生させる電極の消耗が著しくなる。
いて、噴射口から噴射したプラズマ流に、パウダーを供
給して合流させると、広げられたプラズマ流にパウダー
を噴射口の外方位置で送り込むために溶解むらが生じ易
くなり、融点の高い材料：パウダーへの適用性が低下す
るとともに、パウダーの損失が多くなる。また、プラズ
マ溶射ガンの中に、パウダーを投入するようにすると、
パウダーを溶融状態とする点で有利であるが、プラズマ
流を発生させる電極の消耗が著しくなる。
【０００４】本発明は、これらの課題に鑑みてなされた
もので、以下の目的を達成しようとするものである。 融点の高いパウダーへの適用性を高めること。 パウダーの損失を低減すること。 パウダーを効果的に溶融状態に導くこと。 プラズマ溶射範囲を高い精度で設定すること。
もので、以下の目的を達成しようとするものである。 融点の高いパウダーへの適用性を高めること。 パウダーの損失を低減すること。 パウダーを効果的に溶融状態に導くこと。 プラズマ溶射範囲を高い精度で設定すること。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ケーシングに取り付けら
れる絶縁ハウジングと、該絶縁ハウジングに貫通状態に
かつケーシングの内部に突出状態に取り付けられるカソ
ード電極と、該カソード電極に対向状態にかつケーシン
グの内部に配されるアノード電極と、絶縁ハウジングの
内部に配されカソード電極の先端近傍にプラズマガスを
投入するプラズマガス噴出口と、該アノード電極のプラ
ズマ噴射口の内方位置に配されアノード電極により誘導
されるプラズマ流にパウダーを投入するパウダー投入口
と、アノード電極の回りに形成される冷却流路に冷却用
流体を送り込む冷却流体供給口と、冷却流路を経由した
冷却用流体を排出する冷却流体排出口とを具備する構成
が採用される。絶縁ハウジングの内部には、プラズマガ
ス供給口とカソード電極及びアノード電極との間に介在
して、プラズマガスを複数箇所からプラズマ生成室の後
方箇所に送り込む絶縁スペーサが配され、該絶縁スペー
サには、プラズマ生成室の中心に向けた複数のプラズマ
噴射口を有するプラズマガス噴出口が配される。プラズ
マガス供給口と絶縁スペーサとの間には、プラズマガス
を周方向に導くプラズマガスプレナム部が配される。冷
却流体供給口と冷却流路との間には、冷却流体を周方向
に導く入口プレナム部が配され、該入口プレナム部は、
冷却流路の内部に流体誘導スリーブをアノード電極と間
隔を空けて配することにより形成される。
れる絶縁ハウジングと、該絶縁ハウジングに貫通状態に
かつケーシングの内部に突出状態に取り付けられるカソ
ード電極と、該カソード電極に対向状態にかつケーシン
グの内部に配されるアノード電極と、絶縁ハウジングの
内部に配されカソード電極の先端近傍にプラズマガスを
投入するプラズマガス噴出口と、該アノード電極のプラ
ズマ噴射口の内方位置に配されアノード電極により誘導
されるプラズマ流にパウダーを投入するパウダー投入口
と、アノード電極の回りに形成される冷却流路に冷却用
流体を送り込む冷却流体供給口と、冷却流路を経由した
冷却用流体を排出する冷却流体排出口とを具備する構成
が採用される。絶縁ハウジングの内部には、プラズマガ
ス供給口とカソード電極及びアノード電極との間に介在
して、プラズマガスを複数箇所からプラズマ生成室の後
方箇所に送り込む絶縁スペーサが配され、該絶縁スペー
サには、プラズマ生成室の中心に向けた複数のプラズマ
噴射口を有するプラズマガス噴出口が配される。プラズ
マガス供給口と絶縁スペーサとの間には、プラズマガス
を周方向に導くプラズマガスプレナム部が配される。冷
却流体供給口と冷却流路との間には、冷却流体を周方向
に導く入口プレナム部が配され、該入口プレナム部は、
冷却流路の内部に流体誘導スリーブをアノード電極と間
隔を空けて配することにより形成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図１及び図２に基づいて、
本発明に係るプラズマ溶射装置の一実施形態について説
明する。
本発明に係るプラズマ溶射装置の一実施形態について説
明する。
【０００７】図１及び図２にあって、符号１はケーシン
グ、２は絶縁ハウジング、３は支持キャップ、４は絶縁
スペーサ、５はカソード電極（荷電電極）、６はアノー
ド電極（誘導電極）、７はプラズマガス供給口、８はパ
ウダー供給口、９は冷却流体供給口、１０は冷却流体排
出口である。
グ、２は絶縁ハウジング、３は支持キャップ、４は絶縁
スペーサ、５はカソード電極（荷電電極）、６はアノー
ド電極（誘導電極）、７はプラズマガス供給口、８はパ
ウダー供給口、９は冷却流体供給口、１０は冷却流体排
出口である。
【０００８】前記ケーシング１は、図２に示すように、
後部に、絶縁ハウジング２が中空部を閉塞するように取
り付けられ、内部に、絶縁スペーサ４及びアノード電極
６が収容され、周囲に、パウダー供給口８及び冷却流体
供給口９が配される。
後部に、絶縁ハウジング２が中空部を閉塞するように取
り付けられ、内部に、絶縁スペーサ４及びアノード電極
６が収容され、周囲に、パウダー供給口８及び冷却流体
供給口９が配される。
【０００９】前記絶縁ハウジング２は、例えばセラミッ
クス等の耐熱性材料により形成され、後部に、支持キャ
ップ３が一体に取り付けられ、内部に、絶縁スペーサ４
が収容され、中心部に、カソード電極５が貫通状態にか
つ内部に突出状態に取り付けられ、周囲に、プラズマガ
ス供給口７が配される。
クス等の耐熱性材料により形成され、後部に、支持キャ
ップ３が一体に取り付けられ、内部に、絶縁スペーサ４
が収容され、中心部に、カソード電極５が貫通状態にか
つ内部に突出状態に取り付けられ、周囲に、プラズマガ
ス供給口７が配される。
【００１０】前記支持キャップ３は、絶縁ハウジング２
の後部に取り付けられるとともに、中心に、カソード電
極５が貫通状態に配され、周囲に、冷却流体排出口１０
が配される。
の後部に取り付けられるとともに、中心に、カソード電
極５が貫通状態に配され、周囲に、冷却流体排出口１０
が配される。
【００１１】前記絶縁スペーサ４は、例えばセラミック
スにより形成され、絶縁ハウジング２の内部にあって、
カソード電極５及びアノード電極６とプラズマガス供給
口７との間に介在状態に配され、絶縁ハウジング２の内
面近傍と中心のプラズマ生成室Ａとを接続するととも
に、カソード電極５の先端近傍に向けた複数のプラズマ
ガス噴出口４ａを有するものが適用される。
スにより形成され、絶縁ハウジング２の内部にあって、
カソード電極５及びアノード電極６とプラズマガス供給
口７との間に介在状態に配され、絶縁ハウジング２の内
面近傍と中心のプラズマ生成室Ａとを接続するととも
に、カソード電極５の先端近傍に向けた複数のプラズマ
ガス噴出口４ａを有するものが適用される。
【００１２】前記カソード電極５は、先端が例えばタン
グステン材料により形成され、負電極とされてプラズマ
ガスを荷電するものとされ、ケーシング１に対して、絶
縁ハウジング２及び絶縁スペーサ４を介在させることに
より電気絶縁状態に、かつ一体に配される。
グステン材料により形成され、負電極とされてプラズマ
ガスを荷電するものとされ、ケーシング１に対して、絶
縁ハウジング２及び絶縁スペーサ４を介在させることに
より電気絶縁状態に、かつ一体に配される。
【００１３】前記アノード電極６は、例えば無酸素銅や
その合金により形成され、正電極とされてカソード電極
５との間で電位差を形成するとともに、中心部及びカソ
ード電極５との間に、プラズマ生成室Ａが形成され、先
端部にプラズマ噴射口Ｂが形成され、該プラズマ噴射口
Ｂの内方位置にアノード電極６により誘導されるプラズ
マ流にパウダーを投入するためのパウダー投入口６ａ
が、パウダー供給口８に対して接続状態にかつ貫通状態
に配される。該パウダー投入口６ａにあっては、図２に
示すように、プラズマ噴射口Ｂの内方でかつ近接した位
置に配される。
その合金により形成され、正電極とされてカソード電極
５との間で電位差を形成するとともに、中心部及びカソ
ード電極５との間に、プラズマ生成室Ａが形成され、先
端部にプラズマ噴射口Ｂが形成され、該プラズマ噴射口
Ｂの内方位置にアノード電極６により誘導されるプラズ
マ流にパウダーを投入するためのパウダー投入口６ａ
が、パウダー供給口８に対して接続状態にかつ貫通状態
に配される。該パウダー投入口６ａにあっては、図２に
示すように、プラズマ噴射口Ｂの内方でかつ近接した位
置に配される。
【００１４】前記プラズマガス供給口７は、図１に示す
ように、プラズマガス供給系７ａに接続され、図２に示
すように、絶縁ハウジング２に形成したプラズマガス供
給路７ｂを経由して、絶縁ハウジング２及び絶縁スペー
サ４の間にリング状に形成されたプラズマガスプレナム
部７ｃとプラズマガス噴出口４ａとに接続される。
ように、プラズマガス供給系７ａに接続され、図２に示
すように、絶縁ハウジング２に形成したプラズマガス供
給路７ｂを経由して、絶縁ハウジング２及び絶縁スペー
サ４の間にリング状に形成されたプラズマガスプレナム
部７ｃとプラズマガス噴出口４ａとに接続される。
【００１５】前記パウダー供給口８は、図１に示すよう
に、パウダー供給系８ａに接続され、図２に示すよう
に、パウダー供給路８ｂを経由してパウダー投入口６ａ
に接続される。
に、パウダー供給系８ａに接続され、図２に示すよう
に、パウダー供給路８ｂを経由してパウダー投入口６ａ
に接続される。
【００１６】前記冷却流体供給口９は、図１に示すよう
に、冷却流体供給系９ａに接続されて、冷却水等の冷却
流体をケーシング１の内部に送り込むもので、ケーシン
グ１とアノード電極６との間には、流体誘導スリーブ１
１が配されて、半径外方位置に冷却流体を周方向に導く
入口プレナム部９ｂが形成され、該入口プレナム部９ｂ
に接続状態に、アノード電極６の外表面を冷却するため
の円環状の冷却流路９ｃが配される。
に、冷却流体供給系９ａに接続されて、冷却水等の冷却
流体をケーシング１の内部に送り込むもので、ケーシン
グ１とアノード電極６との間には、流体誘導スリーブ１
１が配されて、半径外方位置に冷却流体を周方向に導く
入口プレナム部９ｂが形成され、該入口プレナム部９ｂ
に接続状態に、アノード電極６の外表面を冷却するため
の円環状の冷却流路９ｃが配される。
【００１７】該冷却流路９ｃは、絶縁ハウジング２に貫
通状態に形成された接続流路９ｄを経由して、絶縁ハウ
ジング２と支持キャップ３との間に形成されて冷却流体
を周方向に導く出口プレナム部９ｅに接続され、該出口
プレナム部９ｅが冷却流体排出口１０に接続されてい
る。なお、冷却流体排出口１０は、冷却流体回収系１０
ａに接続されて、アノード電極６等と熱交換した冷却流
体を回収するようになっている。
通状態に形成された接続流路９ｄを経由して、絶縁ハウ
ジング２と支持キャップ３との間に形成されて冷却流体
を周方向に導く出口プレナム部９ｅに接続され、該出口
プレナム部９ｅが冷却流体排出口１０に接続されてい
る。なお、冷却流体排出口１０は、冷却流体回収系１０
ａに接続されて、アノード電極６等と熱交換した冷却流
体を回収するようになっている。
【００１８】ケーシング１とカソード電極５との間等
は、ボルト等の締結具１２により一体化され、図２に示
すように、ケーシング１，絶縁ハウジング２，支持キャ
ップ３，絶縁スペーサ４，カソード電極５及びアノード
電極６の相互間には、これらの間の気密性及び液密性を
保持するためのシールリング１３が配される。
は、ボルト等の締結具１２により一体化され、図２に示
すように、ケーシング１，絶縁ハウジング２，支持キャ
ップ３，絶縁スペーサ４，カソード電極５及びアノード
電極６の相互間には、これらの間の気密性及び液密性を
保持するためのシールリング１３が配される。
【００１９】また、図２にあって、符号１４はヘッドプ
レートであり、セラミックス等の耐熱性電気絶縁物によ
り形成され、入口プレナム部９ｂ及び冷却流路９ｃの先
方にこれらを閉塞した状態に取り付けられて、アノード
電極６の先端を支持して位置設定を行なうとともに、ケ
ーシング１の先端面が溶融材料等の付着や熱により損傷
する現象の発生を低減している。
レートであり、セラミックス等の耐熱性電気絶縁物によ
り形成され、入口プレナム部９ｂ及び冷却流路９ｃの先
方にこれらを閉塞した状態に取り付けられて、アノード
電極６の先端を支持して位置設定を行なうとともに、ケ
ーシング１の先端面が溶融材料等の付着や熱により損傷
する現象の発生を低減している。
【００２０】このようなプラズマ溶射装置の作動状況に
ついて以下説明する。プラズマガス供給系７ａから、ア
ルゴンガスや窒素ガスにヘリウムガスや水素ガスを適量
添加した成分のガス，つまりプラズマガスを、図２の破
線の矢印で示すように、プラズマガス供給口７、プラズ
マガス供給路７ｂ及びプラズマガスプレナム部７ｃを経
由して、プラズマガス噴出口４ａからプラズマ生成室Ａ
に送り込むと、プラズマガスプレナム部７ｃの部分で、
プラズマガスが周方向に導かれて、複数のプラズマガス
噴出口４ａから並列状態で中心に向けて投入され、そし
て、カソード電極５とアノード電極６との電位差により
プラズマガスがプラズマ化されてプラズマ流となり、プ
ラズマ噴射口Ｂから所望の被覆対象物の表面等に噴出さ
せられる。
ついて以下説明する。プラズマガス供給系７ａから、ア
ルゴンガスや窒素ガスにヘリウムガスや水素ガスを適量
添加した成分のガス，つまりプラズマガスを、図２の破
線の矢印で示すように、プラズマガス供給口７、プラズ
マガス供給路７ｂ及びプラズマガスプレナム部７ｃを経
由して、プラズマガス噴出口４ａからプラズマ生成室Ａ
に送り込むと、プラズマガスプレナム部７ｃの部分で、
プラズマガスが周方向に導かれて、複数のプラズマガス
噴出口４ａから並列状態で中心に向けて投入され、そし
て、カソード電極５とアノード電極６との電位差により
プラズマガスがプラズマ化されてプラズマ流となり、プ
ラズマ噴射口Ｂから所望の被覆対象物の表面等に噴出さ
せられる。
【００２１】パウダー供給系８ａから、プラズマ溶射し
ようとするセラミックス等のパウダーを、図２の鎖線の
矢印で示すように、パウダー供給口８及びパウダー供給
路８ｂを経由して、パウダー投入口６ａからプラズマ噴
射口Ｂの内方位置に送り込むと、プラズマ流と合流する
ことにより溶融状態となって、プラズマ流とともにプラ
ズマ噴射口Ｂから所望の被覆対象物の表面等に噴出させ
られる。
ようとするセラミックス等のパウダーを、図２の鎖線の
矢印で示すように、パウダー供給口８及びパウダー供給
路８ｂを経由して、パウダー投入口６ａからプラズマ噴
射口Ｂの内方位置に送り込むと、プラズマ流と合流する
ことにより溶融状態となって、プラズマ流とともにプラ
ズマ噴射口Ｂから所望の被覆対象物の表面等に噴出させ
られる。
【００２２】冷却流体供給系９ａから、冷却水等の冷却
流体を、図２の実線の矢印で示すように、冷却流体供給
口９から入口プレナム部９ｂを経由して冷却流路９ｃに
送り込むと、冷却流体が入口プレナム部９ｂの部分で周
方向に分配されるとともに、流体誘導スリーブ１１の先
端から冷却流路９ｃに送り込まれて円環状の流れとな
る。この円環状の流れは、アノード電極６の外表面に沿
って平行に導かれて接続流路９ｄに引き継がれることに
より、アノード電極６をむらなく冷却するものとなる。
流体を、図２の実線の矢印で示すように、冷却流体供給
口９から入口プレナム部９ｂを経由して冷却流路９ｃに
送り込むと、冷却流体が入口プレナム部９ｂの部分で周
方向に分配されるとともに、流体誘導スリーブ１１の先
端から冷却流路９ｃに送り込まれて円環状の流れとな
る。この円環状の流れは、アノード電極６の外表面に沿
って平行に導かれて接続流路９ｄに引き継がれることに
より、アノード電極６をむらなく冷却するものとなる。
【００２３】アノード電極６を冷却した冷却流体は、接
続流路９ｄを経由して出口プレナム部９ｅに集められ、
さらに、冷却流体排出口１０から冷却流体回収系１０ａ
に引き継がれて回収される。
続流路９ｄを経由して出口プレナム部９ｅに集められ、
さらに、冷却流体排出口１０から冷却流体回収系１０ａ
に引き継がれて回収される。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係るプラズマ溶射装置によれ
ば、以下のような優れた効果を奏する。 （１） アノード電極のプラズマ噴射口の内方位置にパ
ウダー投入口を配して、プラズマ流と合流させることに
より、パウダーが速やかに溶融状態に導かれ、融点の高
いパウダーへの適用性を高めることができる。 （２） パウダーをプラズマ噴射口の内方位置で合流さ
せることにより、パウダーの拡散を抑制して材料の損失
を低減することができる。 （３） プラズマ流にパウダーを投入して噴射させるこ
とにより、パウダーを効果的に溶融状態に導き、プラズ
マ溶射作業を効率よく実施することができる。 （４） プラズマ流とともに溶融状態のパウダーを噴射
させることにより、溶融状態のパウダーのプラズマ溶射
範囲を高い精度で設定することができる。 （５） 冷却流体を入口プレナム部を経由させて冷却流
路に導くことにより、アノード電極の冷却性を高め、ア
ノード電極の消耗を抑制して耐久性を向上させることが
できる。 （６） 入口プレナム部と冷却流路とを流体誘導スリー
ブで区画形成することにより、冷却流路の形成及び形状
の設定を容易にすることができる。
ば、以下のような優れた効果を奏する。 （１） アノード電極のプラズマ噴射口の内方位置にパ
ウダー投入口を配して、プラズマ流と合流させることに
より、パウダーが速やかに溶融状態に導かれ、融点の高
いパウダーへの適用性を高めることができる。 （２） パウダーをプラズマ噴射口の内方位置で合流さ
せることにより、パウダーの拡散を抑制して材料の損失
を低減することができる。 （３） プラズマ流にパウダーを投入して噴射させるこ
とにより、パウダーを効果的に溶融状態に導き、プラズ
マ溶射作業を効率よく実施することができる。 （４） プラズマ流とともに溶融状態のパウダーを噴射
させることにより、溶融状態のパウダーのプラズマ溶射
範囲を高い精度で設定することができる。 （５） 冷却流体を入口プレナム部を経由させて冷却流
路に導くことにより、アノード電極の冷却性を高め、ア
ノード電極の消耗を抑制して耐久性を向上させることが
できる。 （６） 入口プレナム部と冷却流路とを流体誘導スリー
ブで区画形成することにより、冷却流路の形成及び形状
の設定を容易にすることができる。
【図１】本発明に係るプラズマ溶射装置の一実施形態を
示す正断面図である。
示す正断面図である。
【図２】本発明に係るプラズマ溶射装置の一実施形態を
示す要部の正断面図である。
示す要部の正断面図である。
１ ケーシング ２ 絶縁ハウジング ３ 支持キャップ ４ 絶縁スペーサ ４ａ プラズマガス噴出口 ５ カソード電極（荷電電極） ６ アノード電極（誘導電極） ６ａ パウダー投入口 ７ プラズマガス供給口 ７ａ プラズマガス供給系 ７ｂ プラズマガス供給路 ７ｃ プラズマガスプレナム部 ８ パウダー供給口 ８ａ パウダー供給系 ８ｂ パウダー供給路 ９ 冷却流体供給口 ９ａ 冷却流体供給系 ９ｂ 入口プレナム部 ９ｃ 冷却流路 ９ｄ 接続流路 ９ｅ 出口プレナム部 １０ 冷却流体排出口 １０ａ 冷却流体回収系 １１ 流体誘導スリーブ １２ 締結具 １３ シールリング １４ ヘッドプレート Ａ プラズマ生成室 Ｂ プラズマ噴射口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 健 東京都西多摩郡瑞穂町殿ケ谷229番地 石 川島播磨重工業株式会社瑞穂工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 ケーシング（１）に取り付けられる絶縁
ハウジング（２）と、該絶縁ハウジングに貫通状態にか
つケーシングの内部に突出状態に取り付けられるカソー
ド電極（５）と、該カソード電極に対向状態にかつケー
シングの内部に配されるアノード電極（６）と、絶縁ハ
ウジングの内部に配されカソード電極の先端近傍にプラ
ズマガスを投入するプラズマガス噴出口（４ａ）と、ア
ノード電極のプラズマ噴射口（Ｂ）の内方位置に配され
アノード電極により誘導されるプラズマ流にパウダーを
投入するパウダー投入口（６ａ）と、アノード電極の回
りに形成される冷却流路（９ｃ）に冷却用流体を送り込
む冷却流体供給口（９）と、冷却流路を経由した冷却用
流体を排出する冷却流体排出口（１０）とを具備するこ
とを特徴とするプラズマ溶射装置。 - 【請求項２】 絶縁ハウジング（２）の内部に、プラズ
マガス供給口（７）とカソード電極（５）及びアノード
電極（６）との間に介在して、プラズマガスを複数箇所
からプラズマ生成室（Ａ）の後方箇所に送り込む絶縁ス
ペーサ（４）が配されることを特徴とする請求項１記載
のプラズマ溶射装置。 - 【請求項３】 絶縁スペーサ（４）に、プラズマ生成室
（Ａ）の中心に向けた複数のプラズマ噴射口（Ｂ）を有
するプラズマガス噴出口（４ａ）が配されることを特徴
とする請求項２記載のプラズマ溶射装置。 - 【請求項４】 冷却流体供給口（９）と冷却流路（９
ｃ）との間に、冷却流体を周方向に導く入口プレナム部
（９ｂ）が配されることを特徴とする請求項１、２また
は３記載のプラズマ溶射装置。 - 【請求項５】 入口プレナム部（９ｂ）は、冷却流路
（９ｃ）の内部に流体誘導スリーブ（１１）をアノード
電極（６）と間隔を空けて配することにより形成される
ことを特徴とする請求項４記載のプラズマ溶射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02715496A JP3305185B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | プラズマ溶射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02715496A JP3305185B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | プラズマ溶射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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