JPH09213648A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPH09213648A JPH09213648A JP1612196A JP1612196A JPH09213648A JP H09213648 A JPH09213648 A JP H09213648A JP 1612196 A JP1612196 A JP 1612196A JP 1612196 A JP1612196 A JP 1612196A JP H09213648 A JPH09213648 A JP H09213648A
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- JP
- Japan
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- reaction tube
- gas
- semiconductor
- heat treatment
- reaction
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板に均一な熱処理を行うことのでき
る半導体処理装置を提供すること。 【解決手段】 反応管１内の半導体基板を熱処理するに
は、まず、反応管１を加熱器で加熱しておく。そして、
ガス導入管３から整流機構部４内にガスが導入される
と、ガスは、各整流板により分流され、且つ各整流板の
傾斜に従って指向される。従って、整流機構部４から反
応管１内に導入されたガスは、４本に分流され、しか
も、各分流は反応管１内を螺旋状に流れることになる。
この螺旋状に流れるガスは、反応管１内の隅々にまで行
き渡り、しかも、反応管１内を撹拌するので、反応管１
内に局所的に低い（又は高い）温度領域が存在しても、
これを解消し、反応管１内の温度分布を均一化する。従
って、多数の半導体基板に均一な熱処理が加えられる。
る半導体処理装置を提供すること。 【解決手段】 反応管１内の半導体基板を熱処理するに
は、まず、反応管１を加熱器で加熱しておく。そして、
ガス導入管３から整流機構部４内にガスが導入される
と、ガスは、各整流板により分流され、且つ各整流板の
傾斜に従って指向される。従って、整流機構部４から反
応管１内に導入されたガスは、４本に分流され、しか
も、各分流は反応管１内を螺旋状に流れることになる。
この螺旋状に流れるガスは、反応管１内の隅々にまで行
き渡り、しかも、反応管１内を撹拌するので、反応管１
内に局所的に低い（又は高い）温度領域が存在しても、
これを解消し、反応管１内の温度分布を均一化する。従
って、多数の半導体基板に均一な熱処理が加えられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板に熱処
理などを施す装置に関する。
理などを施す装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造過程にあっては、
拡散、酸化、成膜、アニール等の工程が存在するが、一
般的に、これらの工程は、半導体基板を収容した反応管
内に反応ガスを流して熱処理することにより行われる。
この熱処理は、半導体デバイスを製造するにあたって、
きわめて重要な工程であり、それだけに、反応管内の温
度分布が均一でないと、反応管内に収容されている半導
体基板に均一な処理を行うことができない。
拡散、酸化、成膜、アニール等の工程が存在するが、一
般的に、これらの工程は、半導体基板を収容した反応管
内に反応ガスを流して熱処理することにより行われる。
この熱処理は、半導体デバイスを製造するにあたって、
きわめて重要な工程であり、それだけに、反応管内の温
度分布が均一でないと、反応管内に収容されている半導
体基板に均一な処理を行うことができない。
【０００３】一般的な熱処理装置を図５に基づいて説明
する。図において、５１は半導体基板（図示しない）を
収容する縦型の反応管であり、半導体基板を熱処理する
ためのものである。半導体基板は、ラックに多数保持さ
れて、反応管５１内に挿入される。５２は反応管５１の
底部に設けられ、反応管５１内の反応ガスを管外に排出
するためのガス排出管、５３は反応ガスを反応管５１内
に導入するためのガス導入管であり、反応管５１の側壁
に沿って下方から上方へと延び、その導入部５４が、反
応管５１の頂上部に接続されている。
する。図において、５１は半導体基板（図示しない）を
収容する縦型の反応管であり、半導体基板を熱処理する
ためのものである。半導体基板は、ラックに多数保持さ
れて、反応管５１内に挿入される。５２は反応管５１の
底部に設けられ、反応管５１内の反応ガスを管外に排出
するためのガス排出管、５３は反応ガスを反応管５１内
に導入するためのガス導入管であり、反応管５１の側壁
に沿って下方から上方へと延び、その導入部５４が、反
応管５１の頂上部に接続されている。
【０００４】反応管５１内の半導体基板を熱処理するに
は、まず、反応管５１を加熱器で加熱しておく。そし
て、ガス導入管５３から反応管５１内に反応ガスを導入
する。
は、まず、反応管５１を加熱器で加熱しておく。そし
て、ガス導入管５３から反応管５１内に反応ガスを導入
する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、 １）反応性ガスが反応管５１内のほぼ中心部を流れ、全
体に行き渡りにくい。 ２）反応管内の温度に比べて低温（又は高温）の反応性
ガスがガス導入管５３内を流れるために、ガス導入管５
３と反応管５１とが近接又は接触している部分の反応管
５１内の温度が局所的に下がる（又は上がる）。という
問題がある。
体に行き渡りにくい。 ２）反応管内の温度に比べて低温（又は高温）の反応性
ガスがガス導入管５３内を流れるために、ガス導入管５
３と反応管５１とが近接又は接触している部分の反応管
５１内の温度が局所的に下がる（又は上がる）。という
問題がある。
【０００６】例えば、成膜、酸化工程では、反応管５１
内の半導体基板の膜厚分布が悪くなる。そこで、例え
ば、反応管とガス導入管との間に、多数の孔の開いた整
流板を挿入することにより、ガスの流れを均一化して、
反応管内の温度分布を解消することが提案されている
（特開平５−２３４９２３号公報参照）。
内の半導体基板の膜厚分布が悪くなる。そこで、例え
ば、反応管とガス導入管との間に、多数の孔の開いた整
流板を挿入することにより、ガスの流れを均一化して、
反応管内の温度分布を解消することが提案されている
（特開平５−２３４９２３号公報参照）。
【０００７】しかしながら、このような技術であって
も、整流板によって整流されたガスは、反応管の一端部
から他端部へ直線的に流れるだけであるので、上記２）
の問題を解消するには至らない。本発明は、半導体処理
装置の改良に関し、斯かる問題点を解消することをその
目的とする。
も、整流板によって整流されたガスは、反応管の一端部
から他端部へ直線的に流れるだけであるので、上記２）
の問題を解消するには至らない。本発明は、半導体処理
装置の改良に関し、斯かる問題点を解消することをその
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
処理装置は、半導体基板を収容した反応管内に、ガス導
入管からガスを導入して、半導体基板に所定の処理を行
うものであって、前記反応管内へのガス導入部に、ガス
導入管からのガスを複数方向に分岐させる機構を設けた
ものである。
処理装置は、半導体基板を収容した反応管内に、ガス導
入管からガスを導入して、半導体基板に所定の処理を行
うものであって、前記反応管内へのガス導入部に、ガス
導入管からのガスを複数方向に分岐させる機構を設けた
ものである。
【０００９】また、請求項２に記載の半導体処理装置
は、ガスが反応管内に螺旋状に流れるようにガスを指向
させるものである。すなわち、反応管内を、ガスが直線
的ではなく他方向に向けて流れるので、ガスが反応管内
の隅々にまで行き渡ると共にガスによって反応管内が撹
拌され、反応管内の温度分布が均一化される。
は、ガスが反応管内に螺旋状に流れるようにガスを指向
させるものである。すなわち、反応管内を、ガスが直線
的ではなく他方向に向けて流れるので、ガスが反応管内
の隅々にまで行き渡ると共にガスによって反応管内が撹
拌され、反応管内の温度分布が均一化される。
【００１０】特に、反応管内をガスが螺旋状に流れるこ
とにより、上記ガスの拡散作用及びガスによる撹拌作用
がより効果的となる。
とにより、上記ガスの拡散作用及びガスによる撹拌作用
がより効果的となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明を具体化した実施形態を図
１及び図２に基づいて説明する。図１は本実施形態にお
ける熱処理装置の斜視図、図２は本実施形態の特徴部分
である整流機構部の斜視図である。図において、１は半
導体基板（図示しない）を収容する縦型の反応管であ
り、半導体基板を熱処理するためのものである。半導体
基板は、ラックに多数保持されて、反応管１内に挿入さ
れる。
１及び図２に基づいて説明する。図１は本実施形態にお
ける熱処理装置の斜視図、図２は本実施形態の特徴部分
である整流機構部の斜視図である。図において、１は半
導体基板（図示しない）を収容する縦型の反応管であ
り、半導体基板を熱処理するためのものである。半導体
基板は、ラックに多数保持されて、反応管１内に挿入さ
れる。
【００１２】２は反応管１の底部に設けられ、反応管１
内の反応ガスを管外に排出するためのガス排出管、３は
反応ガスを反応管１内に導入するためのガス導入管であ
り、反応管１の側壁に沿って下方から上方へと延び、そ
の導入部が、反応管１の頂上部に設けられた整流機構部
４に接続されている。整流機構部４は、円柱形状のフレ
ーム５とこのフレーム５の内部を９０度間隔で４つに区
切る整流板６・・とで構成されている。整流板６・・
は、それぞれ３０〜４５度傾斜して固定されている。フ
レーム５の上面中央部にガス導入管３の導入部が接続さ
れている。
内の反応ガスを管外に排出するためのガス排出管、３は
反応ガスを反応管１内に導入するためのガス導入管であ
り、反応管１の側壁に沿って下方から上方へと延び、そ
の導入部が、反応管１の頂上部に設けられた整流機構部
４に接続されている。整流機構部４は、円柱形状のフレ
ーム５とこのフレーム５の内部を９０度間隔で４つに区
切る整流板６・・とで構成されている。整流板６・・
は、それぞれ３０〜４５度傾斜して固定されている。フ
レーム５の上面中央部にガス導入管３の導入部が接続さ
れている。
【００１３】こうして、反応管１内の半導体基板を熱処
理するには、まず、反応管１を加熱器で加熱しておく。
そして、ガス導入管３から整流機構部４内にガスが導入
されると、ガスは、各整流板６・・により分流され、且
つ各整流板６・・の傾斜に従って指向される。従って、
整流機構部４から反応管１内に導入されたガスは、４本
に分流され、しかも、各分流は反応管１内を螺旋状に流
れることになる。
理するには、まず、反応管１を加熱器で加熱しておく。
そして、ガス導入管３から整流機構部４内にガスが導入
されると、ガスは、各整流板６・・により分流され、且
つ各整流板６・・の傾斜に従って指向される。従って、
整流機構部４から反応管１内に導入されたガスは、４本
に分流され、しかも、各分流は反応管１内を螺旋状に流
れることになる。
【００１４】この螺旋状に流れるガスは、反応管１内の
隅々にまで行き渡り、しかも、反応管１内を撹拌するの
で、反応管１内に局所的に低い（又は高い）温度領域が
存在しても、これを解消し、反応管１内の温度分布を均
一化する。従って、多数の半導体基板に均一な熱処理が
加えられる。図３及び図４はそれぞれ整流機構部４の他
の実施形態を示し、図３は整流板６・・に代えて、螺旋
方向に指向する２本のガス噴出ノズル７、８をフレーム
５内に１８０度ずらして設けたもので、図４は整流板６
・・に代えて、螺旋方向に指向する３本のガス噴出ノズ
ル９〜１１をフレーム５に１２０度ずらして取り付けた
ものである。
隅々にまで行き渡り、しかも、反応管１内を撹拌するの
で、反応管１内に局所的に低い（又は高い）温度領域が
存在しても、これを解消し、反応管１内の温度分布を均
一化する。従って、多数の半導体基板に均一な熱処理が
加えられる。図３及び図４はそれぞれ整流機構部４の他
の実施形態を示し、図３は整流板６・・に代えて、螺旋
方向に指向する２本のガス噴出ノズル７、８をフレーム
５内に１８０度ずらして設けたもので、図４は整流板６
・・に代えて、螺旋方向に指向する３本のガス噴出ノズ
ル９〜１１をフレーム５に１２０度ずらして取り付けた
ものである。
【００１５】
【発明の効果】本発明の半導体処理装置にあっては、反
応管内の温度分布がより均一になり、反応管内の半導体
基板に均一な処理を行うことができる。
応管内の温度分布がより均一になり、反応管内の半導体
基板に均一な処理を行うことができる。
【図１】本発明の実施形態における熱処理装置の斜視図
である。
である。
【図２】本発明の実施形態における熱処理装置の整流機
構部の斜視図である。
構部の斜視図である。
【図３】本発明の他の実施形態における整流機構部を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】本発明の他の実施形態における整流機構部を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】従来例における熱処理装置の斜視図である。
１ 反応管 ３ ガス導入管 ４ 整流機構部（分岐機構）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を収容した反応管内に、ガス
導入管からガスを導入して、半導体基板に所定の処理を
行うものであって、前記反応管内へのガス導入部に、ガ
ス導入管からのガスを複数方向に分岐させる機構を設け
たことを特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項２】 前記分岐機構は、前記ガスが反応管内に
螺旋状に流れるようにガスを指向させることを特徴とし
た半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1612196A JPH09213648A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1612196A JPH09213648A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213648A true JPH09213648A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11907692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1612196A Pending JPH09213648A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1321538A3 (en) * | 2001-12-20 | 2004-01-02 | General Electric Company | Gas distributor for vapor coating method and apparatus |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP1612196A patent/JPH09213648A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1321538A3 (en) * | 2001-12-20 | 2004-01-02 | General Electric Company | Gas distributor for vapor coating method and apparatus |
| US7429403B2 (en) | 2001-12-20 | 2008-09-30 | General Electric Company | Gas distributor for vapor coating method and container |
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