JPH09208945A - 発光材料、発光方法及び光記録媒体 - Google Patents
発光材料、発光方法及び光記録媒体Info
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- JPH09208945A JPH09208945A JP8045382A JP4538296A JPH09208945A JP H09208945 A JPH09208945 A JP H09208945A JP 8045382 A JP8045382 A JP 8045382A JP 4538296 A JP4538296 A JP 4538296A JP H09208945 A JPH09208945 A JP H09208945A
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- light
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
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- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 新しい発光材料、その発光方法及び光記録媒
体を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）又は一般式（２）で表
わされる繰返し構造単位を主鎖中に含有するケイ素含有
高分子化合物からなる発光材料が提供される。 一般式（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なっていてもよく、水
素又は低級脂肪族基を表わし、Ｒ3及びＲ4は同一又は異
なっていてもよく、芳香族基又は低級脂肪族基を表わす
が、Ｒ3及びＲ4の少なくとも一方は芳香族基を表わすも
のとする） 一般式（２）： 【化２】 （式中、Ｒ5及びＲ6は同一又は異ってもよく、芳香族基
又は低級脂肪族基を表わすが、Ｒ5及びＲ6の少なくとも
一方は芳香族基を表わすものとする） 前記発光材料に紫外レーザを照射し、可視光の発光を生
じさせることを特徴とする発光方法。前記ケイ素含有高
分子化合物からなる紫外レーザ光を記録光とする光記録
媒体。
体を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）又は一般式（２）で表
わされる繰返し構造単位を主鎖中に含有するケイ素含有
高分子化合物からなる発光材料が提供される。 一般式（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なっていてもよく、水
素又は低級脂肪族基を表わし、Ｒ3及びＲ4は同一又は異
なっていてもよく、芳香族基又は低級脂肪族基を表わす
が、Ｒ3及びＲ4の少なくとも一方は芳香族基を表わすも
のとする） 一般式（２）： 【化２】 （式中、Ｒ5及びＲ6は同一又は異ってもよく、芳香族基
又は低級脂肪族基を表わすが、Ｒ5及びＲ6の少なくとも
一方は芳香族基を表わすものとする） 前記発光材料に紫外レーザを照射し、可視光の発光を生
じさせることを特徴とする発光方法。前記ケイ素含有高
分子化合物からなる紫外レーザ光を記録光とする光記録
媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規な発光材料、発
光方法及び光記録媒体に関する。
光方法及び光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトルミネセンスを示す有機材料は数
多く知られている。その多くは発光性有機低分子を透明
な高分子中あるいはゾルゲルガラス中に分散或いは溶解
させて素子加工したものである。また、発光性有機低分
子化合物を高分子側鎖、或いは主鎖の一部にこれらを組
み込むことによる発光機能を有する高分子の開発が試み
られている。近年、主鎖共役鎖を有する有機高分子から
なる発光材料の開発も進められており、ケイ素系樹脂で
発光挙動を呈する材料として、ケイ素−ケイ素のシグマ
共役鎖を主鎖構造とするポリシランが注目され、種々の
検討がおこなわれている。さらに、ポリシランの発光機
能を高める目的で主鎖或いは側鎖置換基として発光性有
機低分子を導入したポリシランの開発も進められてい
る。しかし、ケイ素高分子で主鎖が非共役鎖である炭素
−ケイ素で構築されたポリシルメチレンでは全く発光機
能は知られておらず、一般にポリシルメチレンの様な構
造のケイ素系高分子は、従来はセラミックス前駆体材料
として炭化硅素セラミックスの焼結バインダとして応用
が期待されているに過ぎなかった。また、ポリシロキサ
ン化合物についても、これを発光材料として用いること
は従来は知られていない。
多く知られている。その多くは発光性有機低分子を透明
な高分子中あるいはゾルゲルガラス中に分散或いは溶解
させて素子加工したものである。また、発光性有機低分
子化合物を高分子側鎖、或いは主鎖の一部にこれらを組
み込むことによる発光機能を有する高分子の開発が試み
られている。近年、主鎖共役鎖を有する有機高分子から
なる発光材料の開発も進められており、ケイ素系樹脂で
発光挙動を呈する材料として、ケイ素−ケイ素のシグマ
共役鎖を主鎖構造とするポリシランが注目され、種々の
検討がおこなわれている。さらに、ポリシランの発光機
能を高める目的で主鎖或いは側鎖置換基として発光性有
機低分子を導入したポリシランの開発も進められてい
る。しかし、ケイ素高分子で主鎖が非共役鎖である炭素
−ケイ素で構築されたポリシルメチレンでは全く発光機
能は知られておらず、一般にポリシルメチレンの様な構
造のケイ素系高分子は、従来はセラミックス前駆体材料
として炭化硅素セラミックスの焼結バインダとして応用
が期待されているに過ぎなかった。また、ポリシロキサ
ン化合物についても、これを発光材料として用いること
は従来は知られていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新しい発光
材料、その発光方法及び光記録媒体を提供することをそ
の課題とする。
材料、その発光方法及び光記録媒体を提供することをそ
の課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、下記一般式（１）又
は一般式（２）で表わされる繰返し構造単位を主鎖中に
含有するケイ素含有高分子化合物からなる発光材料が提
供される。 一般式（１）：
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、下記一般式（１）又
は一般式（２）で表わされる繰返し構造単位を主鎖中に
含有するケイ素含有高分子化合物からなる発光材料が提
供される。 一般式（１）：
【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なっていてもよく、水
素又は低級脂肪族基を表わし、Ｒ3及びＲ4は同一又は異
なっていてもよく、芳香族基又は低級脂肪族基を表わす
が、Ｒ3及びＲ4の少なくとも一方は芳香族基を表わすも
のとする） 一般式（２）：
素又は低級脂肪族基を表わし、Ｒ3及びＲ4は同一又は異
なっていてもよく、芳香族基又は低級脂肪族基を表わす
が、Ｒ3及びＲ4の少なくとも一方は芳香族基を表わすも
のとする） 一般式（２）：
【化２】 （式中、Ｒ5及びＲ6は同一又は異ってもよく、芳香族基
又は低級脂肪族基を表わすが、Ｒ5及びＲ6の少なくとも
一方は芳香族基を表わすものとする） また、本発明によれば、前記発光材料に紫外レーザを照
射し、可視光の発光を生じさせることを特徴とする発光
方法が提供される。さらに、本発明によれば、前記ケイ
素含有高分子化合物からなる紫外レーザ光を記録光とす
る光記録媒体が提供される。
又は低級脂肪族基を表わすが、Ｒ5及びＲ6の少なくとも
一方は芳香族基を表わすものとする） また、本発明によれば、前記発光材料に紫外レーザを照
射し、可視光の発光を生じさせることを特徴とする発光
方法が提供される。さらに、本発明によれば、前記ケイ
素含有高分子化合物からなる紫外レーザ光を記録光とす
る光記録媒体が提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の発光材料は、前記一般式
（１）又は一般式（２）で表わされる繰り返し構造単位
を主鎖中に含有するケイ素含有高分子化合物からなるも
のである。前記一般式（１）において、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異っていてもよく、水素又は低級脂肪族基を示す
が、この場合の低級脂肪族基としては、炭素数１〜６、
好ましくは１〜４のアルキル基、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル等が挙げられる。好ましいＲ1及
びＲ2は水素又はメチルである。前記一般式（１）にお
いて、Ｒ3及びＲ4は同一又は異っていてもよく、芳香族
基又は低級脂肪族基であるが、その少なくとも一方は芳
香族基である。前記一般式（２）において、Ｒ5及びＲ6
は同一又は異っていてもよく、芳香族基又は低級脂肪族
基であるが、その少なくとも一方は芳香族基である。前
記芳香族基としては、フェニル、トリル、キシリル等の
アリール基の使用が好ましい。前記低級脂肪族基として
は、炭素数１〜６のアルキル基、好ましくは炭素数１〜
４のアルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、
ブチル等が用いられる。
（１）又は一般式（２）で表わされる繰り返し構造単位
を主鎖中に含有するケイ素含有高分子化合物からなるも
のである。前記一般式（１）において、Ｒ1及びＲ2は同
一又は異っていてもよく、水素又は低級脂肪族基を示す
が、この場合の低級脂肪族基としては、炭素数１〜６、
好ましくは１〜４のアルキル基、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル等が挙げられる。好ましいＲ1及
びＲ2は水素又はメチルである。前記一般式（１）にお
いて、Ｒ3及びＲ4は同一又は異っていてもよく、芳香族
基又は低級脂肪族基であるが、その少なくとも一方は芳
香族基である。前記一般式（２）において、Ｒ5及びＲ6
は同一又は異っていてもよく、芳香族基又は低級脂肪族
基であるが、その少なくとも一方は芳香族基である。前
記芳香族基としては、フェニル、トリル、キシリル等の
アリール基の使用が好ましい。前記低級脂肪族基として
は、炭素数１〜６のアルキル基、好ましくは炭素数１〜
４のアルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、
ブチル等が用いられる。
【０００６】前記ケイ素含有高分子化合物を得るには、
下記一般式（３）又は（４）で表わされる含ケイ素環状
化合物を開環重合させる。 一般式（３）：
下記一般式（３）又は（４）で表わされる含ケイ素環状
化合物を開環重合させる。 一般式（３）：
【化３】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4は前記と同じ意味を有し、ｎは２〜４
の数を示すが、反応性を考慮するとｎ＝２が好ましい） 一般式（４）：
の数を示すが、反応性を考慮するとｎ＝２が好ましい） 一般式（４）：
【化４】 （前記式中、Ｒ5、Ｒ6は前記と同じ意味を有し、ｎは２
〜８、好ましくは３〜４の数を示す）
〜８、好ましくは３〜４の数を示す）
【０００７】前記一般式（３）の環状化合物の重合反応
は、従来公知の方法に従って行うことができる。この場
合の重合反応において、その反応温度は１００〜４００
℃、好ましくは１５０〜３００℃であり、その反応圧力
は１０-4気圧〜５０ｋｇ／ｃｍ2Ｇ、好ましくは１０-4
気圧〜１０ｋｇ／ｃｍ2Ｇの圧力である。また、この重
合反応系には、触媒や溶媒を存在させることができる。
触媒としては、銅触媒が用いられ、このようなものとし
ては、例えば、銅板、金属銅、銅粉、銅ワイヤー、銅フ
ィラメントなどの金属銅；青銅、真鍮、白銅に代表され
る銅合金；塩化第一銅、臭化第一銅、酸化第一銅、トリ
メチルシリルメチル銅（Ｍｅ3ＳｉＣＨ2Ｃｕ）等の１価
の銅化合物；塩化第二銅、臭化第二銅、酸化第二銅、硝
酸銅、硫酸銅、酢酸第二銅、ナフテン酸銅、オレイン酸
銅（ＩＩ）、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート、塩化ビ
スエチレンジアミン銅（ＩＩ）、硫酸テトラアミン銅
（ＩＩ）等の２価の銅化合物；その他の各種銅化合物を
挙げることができる。溶媒としては、ジフェニルエーテ
ル、ジフェニルスルホン等の高沸点溶媒が用いられる。
その使用量は、含ケイ素環状化合物１００重量部に対
し、１００〜５０００重量部、好ましくは５００〜１０
００重量部の割合である。前記重合反応の終了後、重合
生成物を、塩化エチレン等の塩素化炭化水素や、トルエ
ン等の芳香族炭化水素で洗浄し、未反応の含ケイ素環状
化合物を除去する。なお、前記一般式（３）で表わされ
る環状化合物の重合反応については、（N.S.Nametkin,
V.M.Vdovin,V.Zavyalov,Akad.Nauk SSSR.,162,824(196
5); V.A.Poletaev, V.M.Vdovin,N.S.Nametkin,Akad,Nau
k SSSR.,208,1112(1973); 村上正志産業科学技術研究開
発第２回ケイ素系高分子材料シンポジウム、予稿集 p-9
9(1994)）に詳述されている。
は、従来公知の方法に従って行うことができる。この場
合の重合反応において、その反応温度は１００〜４００
℃、好ましくは１５０〜３００℃であり、その反応圧力
は１０-4気圧〜５０ｋｇ／ｃｍ2Ｇ、好ましくは１０-4
気圧〜１０ｋｇ／ｃｍ2Ｇの圧力である。また、この重
合反応系には、触媒や溶媒を存在させることができる。
触媒としては、銅触媒が用いられ、このようなものとし
ては、例えば、銅板、金属銅、銅粉、銅ワイヤー、銅フ
ィラメントなどの金属銅；青銅、真鍮、白銅に代表され
る銅合金；塩化第一銅、臭化第一銅、酸化第一銅、トリ
メチルシリルメチル銅（Ｍｅ3ＳｉＣＨ2Ｃｕ）等の１価
の銅化合物；塩化第二銅、臭化第二銅、酸化第二銅、硝
酸銅、硫酸銅、酢酸第二銅、ナフテン酸銅、オレイン酸
銅（ＩＩ）、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート、塩化ビ
スエチレンジアミン銅（ＩＩ）、硫酸テトラアミン銅
（ＩＩ）等の２価の銅化合物；その他の各種銅化合物を
挙げることができる。溶媒としては、ジフェニルエーテ
ル、ジフェニルスルホン等の高沸点溶媒が用いられる。
その使用量は、含ケイ素環状化合物１００重量部に対
し、１００〜５０００重量部、好ましくは５００〜１０
００重量部の割合である。前記重合反応の終了後、重合
生成物を、塩化エチレン等の塩素化炭化水素や、トルエ
ン等の芳香族炭化水素で洗浄し、未反応の含ケイ素環状
化合物を除去する。なお、前記一般式（３）で表わされ
る環状化合物の重合反応については、（N.S.Nametkin,
V.M.Vdovin,V.Zavyalov,Akad.Nauk SSSR.,162,824(196
5); V.A.Poletaev, V.M.Vdovin,N.S.Nametkin,Akad,Nau
k SSSR.,208,1112(1973); 村上正志産業科学技術研究開
発第２回ケイ素系高分子材料シンポジウム、予稿集 p-9
9(1994)）に詳述されている。
【０００８】一方、前記一般式（４）の環状化合物の重
合反応も、従来公知の方法に従って行うことができる。
この場合の重合反応において、その反応温度は１００〜
３００℃、好ましくは１５０〜２５０℃であり、その反
応圧力は常圧〜５０ｋｇ／ｃｍ2Ｇ、好ましくは常圧〜
１０ｋｇ／ｃｍ2Ｇの圧力である。また、この重合反応
系には、触媒や溶媒を存在させることができる。触媒と
しては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む化合
物が用いられ、このようなものとしては、例えば、アル
キルリチウム、アルコキシリチウム、リチウムシラノレ
ート、水酸化リチウム、カリウムシラノレート等が挙げ
られる。溶媒としては、ジフェニルエーテル、ジフェニ
ルスルホン等の高沸点溶媒が用いられる。その使用量
は、含ケイ素環状化合物１００重量部に対し、１００〜
１０００重量部、好ましくは２００〜５００重量部の割
合である。前記重合反応の終了後、重合生成物を、塩化
エチレン等の塩素化炭化水素や、トルエン等の芳香族炭
化水素で洗浄し、未反応の含ケイ素環状化合物を除去す
る。また、前記一般式（４）で表わされる環状化合物の
重合反応については、M.K.Lee,D.J.Meier, J.Polymer.3
4,4882(1993)に詳述されている。
合反応も、従来公知の方法に従って行うことができる。
この場合の重合反応において、その反応温度は１００〜
３００℃、好ましくは１５０〜２５０℃であり、その反
応圧力は常圧〜５０ｋｇ／ｃｍ2Ｇ、好ましくは常圧〜
１０ｋｇ／ｃｍ2Ｇの圧力である。また、この重合反応
系には、触媒や溶媒を存在させることができる。触媒と
しては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む化合
物が用いられ、このようなものとしては、例えば、アル
キルリチウム、アルコキシリチウム、リチウムシラノレ
ート、水酸化リチウム、カリウムシラノレート等が挙げ
られる。溶媒としては、ジフェニルエーテル、ジフェニ
ルスルホン等の高沸点溶媒が用いられる。その使用量
は、含ケイ素環状化合物１００重量部に対し、１００〜
１０００重量部、好ましくは２００〜５００重量部の割
合である。前記重合反応の終了後、重合生成物を、塩化
エチレン等の塩素化炭化水素や、トルエン等の芳香族炭
化水素で洗浄し、未反応の含ケイ素環状化合物を除去す
る。また、前記一般式（４）で表わされる環状化合物の
重合反応については、M.K.Lee,D.J.Meier, J.Polymer.3
4,4882(1993)に詳述されている。
【０００９】前記重合反応において用いる触媒の添加量
は、ポリマーの分子量、分子量分布支配する要因での１
つであるから、これらの要因を考慮して適宜定める。例
えば、分子量の大きなポリマーを得ようとする場合は添
加濃度を低くし、分子量の小さなポリマーを得ようとす
るときは添加量を高濃度にする。一般的には、添加触媒
量は、前記ケイ素含有環状化合物中のケイ素原子１モル
に対するモル比で、１／１０００００から１／５の間の
量の使用が可能であり、１／１００００から１／５０が
重合条件を考慮するとより好ましい。また、重量部換算
では、前記ケイ素含有環状化合物１００部に対して添加
触媒量は１／１０００部から２０部の間の量の使用が可
能であり、１／１００部から２部が重合条件を考慮する
とより好ましい。
は、ポリマーの分子量、分子量分布支配する要因での１
つであるから、これらの要因を考慮して適宜定める。例
えば、分子量の大きなポリマーを得ようとする場合は添
加濃度を低くし、分子量の小さなポリマーを得ようとす
るときは添加量を高濃度にする。一般的には、添加触媒
量は、前記ケイ素含有環状化合物中のケイ素原子１モル
に対するモル比で、１／１０００００から１／５の間の
量の使用が可能であり、１／１００００から１／５０が
重合条件を考慮するとより好ましい。また、重量部換算
では、前記ケイ素含有環状化合物１００部に対して添加
触媒量は１／１０００部から２０部の間の量の使用が可
能であり、１／１００部から２部が重合条件を考慮する
とより好ましい。
【００１０】前記重合反応によって固体状のケイ素含有
高分子化合物が得られる。このものは、前記一般式
（１）又は一般式（２）に示される繰返し構造単位をそ
の高分子鎖に含有するものである。この高分子化合物の
分子量は、固体状の高分子化合物を与えるような分子量
であればよく特に制約されない。このポリマーの融点
は、通常、１００℃以上、好ましくは２００℃以上であ
る。また、前記一般式（１）で表わされる繰返し構造単
位を主鎖に含有するケイ素含有高分子化合物を動的粘弾
性測定装置（レオメトリックス社製、ＲＤＳ−ＩＩ型、
パラレルプレート使用）を用いて測定した複素粘度は、
周波数１ｒａｄ／ｓｅｃ、温度３７０℃において、１０
０〜１００，０００ポイズであり、成形性の点を考慮す
ると、１００〜２０，０００ポイズを示すものの使用が
好ましい。一方、前記一般式（２）で表わされる繰返し
構造単位を主鎖に有するケイ素含有高分子化合物の複素
粘度は、周波数１ｒａｄ／ｓｅｃ、温度２７０℃におい
て、１００〜１００，０００ポイズであり、成形性を考
慮すると、１００〜２０，０００ポイズを示すものの使
用が好ましい。
高分子化合物が得られる。このものは、前記一般式
（１）又は一般式（２）に示される繰返し構造単位をそ
の高分子鎖に含有するものである。この高分子化合物の
分子量は、固体状の高分子化合物を与えるような分子量
であればよく特に制約されない。このポリマーの融点
は、通常、１００℃以上、好ましくは２００℃以上であ
る。また、前記一般式（１）で表わされる繰返し構造単
位を主鎖に含有するケイ素含有高分子化合物を動的粘弾
性測定装置（レオメトリックス社製、ＲＤＳ−ＩＩ型、
パラレルプレート使用）を用いて測定した複素粘度は、
周波数１ｒａｄ／ｓｅｃ、温度３７０℃において、１０
０〜１００，０００ポイズであり、成形性の点を考慮す
ると、１００〜２０，０００ポイズを示すものの使用が
好ましい。一方、前記一般式（２）で表わされる繰返し
構造単位を主鎖に有するケイ素含有高分子化合物の複素
粘度は、周波数１ｒａｄ／ｓｅｃ、温度２７０℃におい
て、１００〜１００，０００ポイズであり、成形性を考
慮すると、１００〜２０，０００ポイズを示すものの使
用が好ましい。
【００１１】本発明において、発光材料として用いるケ
イ素含有高分子化合物は耐熱性にすぐれるとともに、機
械的強度及び熱成形性にすぐれたものである。本発明の
発光材料に関して言う発光は、その発光材料が固体状態
において生じるものである。発光材料は固体状態で存在
すればよく、フィルム、板、塊であるかどうかは一切問
わない。発光材料は、その粉末を圧縮してペレット状に
し、このペレットを２００℃以上の温度で熱プレスして
フィルムやシートに成形することができ、その発光材料
の用途に応じて適宜の形状に成形される。また、発光材
料はそれ単独の成形品であることは特に必要ではなく、
発光機能には全く無関係である。発光材料が粒子状等の
固体状態で他の樹脂中に分散していても何ら差し支えは
ない。このような発光材料におけるケイ素含有高分子の
含有量は１重量％以上、好ましくは５重量％以上であ
る。
イ素含有高分子化合物は耐熱性にすぐれるとともに、機
械的強度及び熱成形性にすぐれたものである。本発明の
発光材料に関して言う発光は、その発光材料が固体状態
において生じるものである。発光材料は固体状態で存在
すればよく、フィルム、板、塊であるかどうかは一切問
わない。発光材料は、その粉末を圧縮してペレット状に
し、このペレットを２００℃以上の温度で熱プレスして
フィルムやシートに成形することができ、その発光材料
の用途に応じて適宜の形状に成形される。また、発光材
料はそれ単独の成形品であることは特に必要ではなく、
発光機能には全く無関係である。発光材料が粒子状等の
固体状態で他の樹脂中に分散していても何ら差し支えは
ない。このような発光材料におけるケイ素含有高分子の
含有量は１重量％以上、好ましくは５重量％以上であ
る。
【００１２】本発明の発光材料による発光は、紫外レー
ザー光を固体状発光材料に照射することによって生じ
る。この場合のレーザー光源としては、例えば、ＫｒＦ
（２４８ｎｍ）を用いることができる。このレーザー光
を発光材料に照射すると、速やかに可視光領域の目で識
別可能な発光を生じる。本発明の発光材料における発光
機構は明らかではないが、現在のところ下記の機構が考
えられる。 （ｉ）レーザ光によりポリシルメチレンの結合が切れ、
固体中であるため生成した結合切断部が移動することな
く再結合する際に発光する、（ii）ポリシルメチレンは
結晶性高分子であり、結晶の欠陥に由来する発光であ
る、（iii）純粋に分子の励起準位からの発光である。
ザー光を固体状発光材料に照射することによって生じ
る。この場合のレーザー光源としては、例えば、ＫｒＦ
（２４８ｎｍ）を用いることができる。このレーザー光
を発光材料に照射すると、速やかに可視光領域の目で識
別可能な発光を生じる。本発明の発光材料における発光
機構は明らかではないが、現在のところ下記の機構が考
えられる。 （ｉ）レーザ光によりポリシルメチレンの結合が切れ、
固体中であるため生成した結合切断部が移動することな
く再結合する際に発光する、（ii）ポリシルメチレンは
結晶性高分子であり、結晶の欠陥に由来する発光であ
る、（iii）純粋に分子の励起準位からの発光である。
【００１３】本発明の発光材料からの発光は、記録が可
能である。即ち、本発明の発光材料の被照射部は、以前
に照射された光強度に応じて発光強度が変化する。従っ
て、本発明の発光材料の場合、単にレーザー光の強度分
布計測の目的に使えるのみならず、紫外レーザで情報を
記録し、その記録された情報を発光として読み出す方式
の光記録媒体として用いることができる。つまり、多値
化された情報を光の強度を変えて記録し、これに参照レ
ーザ光によって生じる発光を検出し、その発光強度から
記録情報を読み取る方式に適用できる。ここで参照レー
ザ光は、記録を読み出すことが主な目的であるから、記
録に用いたレーザと同一である必要が必ずしも無いが、
検出のためのレーザ光を新たに設けることが困難な場合
は、通常の光記録、読み出しに行われているように、レ
ーザ光の出力を十分に低減させて用いることもできる。
能である。即ち、本発明の発光材料の被照射部は、以前
に照射された光強度に応じて発光強度が変化する。従っ
て、本発明の発光材料の場合、単にレーザー光の強度分
布計測の目的に使えるのみならず、紫外レーザで情報を
記録し、その記録された情報を発光として読み出す方式
の光記録媒体として用いることができる。つまり、多値
化された情報を光の強度を変えて記録し、これに参照レ
ーザ光によって生じる発光を検出し、その発光強度から
記録情報を読み取る方式に適用できる。ここで参照レー
ザ光は、記録を読み出すことが主な目的であるから、記
録に用いたレーザと同一である必要が必ずしも無いが、
検出のためのレーザ光を新たに設けることが困難な場合
は、通常の光記録、読み出しに行われているように、レ
ーザ光の出力を十分に低減させて用いることもできる。
【００１４】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳述する。
【００１５】実施例１ ジフェニルスルフォン４６ｇにジフェニルエーテル５ｇ
を加え２５０℃で加熱溶解し、この溶融液に５ｇの１，
１，３，３−テトラフェニル−１，３−ジシラシクロブ
タン（一般式（３）の化合物において、Ｒ1、Ｒ2：Ｈ、
Ｒ3、Ｒ4：フェニル、ｎ：２）を加え、２５０℃で１６
時間加熱し、重合反応を行った。重合反応液を熱いまま
濾過し、ポリジフェニルシルメチレンを分離した。ソッ
クスレ抽出器を用いて、ポリジフェニルシルメチレンか
ら未反応の１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−
ジシラシクロブタンをトルエンで抽出除去し、乾燥させ
白色の粉末を得た。これを４００℃でプレス成形して厚
さ２００ミクロンのフィルムを作成した。ＫｒＦレーザ
ー（ＡＱＸ−１５０、ＭＰＢ社（カナダ））を用い２４
８ｎｍ波長の光を、５Ｈzの周波数で０．０８６９Ｗ／
ｃｍ2の出力で、前記ポリジフェニルシルメチレンフィ
ルムに照射したところ、目で識別可能な強い発光が観測
された。
を加え２５０℃で加熱溶解し、この溶融液に５ｇの１，
１，３，３−テトラフェニル−１，３−ジシラシクロブ
タン（一般式（３）の化合物において、Ｒ1、Ｒ2：Ｈ、
Ｒ3、Ｒ4：フェニル、ｎ：２）を加え、２５０℃で１６
時間加熱し、重合反応を行った。重合反応液を熱いまま
濾過し、ポリジフェニルシルメチレンを分離した。ソッ
クスレ抽出器を用いて、ポリジフェニルシルメチレンか
ら未反応の１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−
ジシラシクロブタンをトルエンで抽出除去し、乾燥させ
白色の粉末を得た。これを４００℃でプレス成形して厚
さ２００ミクロンのフィルムを作成した。ＫｒＦレーザ
ー（ＡＱＸ−１５０、ＭＰＢ社（カナダ））を用い２４
８ｎｍ波長の光を、５Ｈzの周波数で０．０８６９Ｗ／
ｃｍ2の出力で、前記ポリジフェニルシルメチレンフィ
ルムに照射したところ、目で識別可能な強い発光が観測
された。
【００１６】実施例２ 温度計、還流冷却器、撹拌器を備えたフラスコに、ヘキ
サフェニルシクロトリシロキサン（前記一般式（４）の
化合物において、Ｒ5：フェニル、Ｒ6：フェニル、ｎ：
３）２５ｇとジフェニルエーテル５０ｍＬをいれ、１７
０℃に加熱した。この混合物にリチウムトリフェニルシ
ラノエート（０．６５ｍｏｌ）を加え、１７０℃で１時
間撹拌した。室温に冷却後有機層を酢酸で中和し、析出
した生成物を濾取しトルエンで洗浄後、減圧２００℃で
乾燥して白色固体のポリジフェニルシロキサン１８ｇを
得た。これを３００℃で５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力をかけ
プレス成形し、厚さ２００ミクロンのフィルムを得た。
ＫｒＦレーザー（ＡＱＸ−１５０、ＭＰＢ社（カナ
ダ））を用い、２４８ｎｍ波長の光を、５Ｈｚの周波数
で０．０８６９ｗ／ｃｍ2の出力で前記ポリジフェニル
シロキサンフィルムに照射したところ、目で識別可能な
強い発光が観測された。
サフェニルシクロトリシロキサン（前記一般式（４）の
化合物において、Ｒ5：フェニル、Ｒ6：フェニル、ｎ：
３）２５ｇとジフェニルエーテル５０ｍＬをいれ、１７
０℃に加熱した。この混合物にリチウムトリフェニルシ
ラノエート（０．６５ｍｏｌ）を加え、１７０℃で１時
間撹拌した。室温に冷却後有機層を酢酸で中和し、析出
した生成物を濾取しトルエンで洗浄後、減圧２００℃で
乾燥して白色固体のポリジフェニルシロキサン１８ｇを
得た。これを３００℃で５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力をかけ
プレス成形し、厚さ２００ミクロンのフィルムを得た。
ＫｒＦレーザー（ＡＱＸ−１５０、ＭＰＢ社（カナ
ダ））を用い、２４８ｎｍ波長の光を、５Ｈｚの周波数
で０．０８６９ｗ／ｃｍ2の出力で前記ポリジフェニル
シロキサンフィルムに照射したところ、目で識別可能な
強い発光が観測された。
【００１７】実施例３ 実施例１で得たポリシルメチレンフィルムをＸ−Ｙステ
ージ上に固定し、“＋”となるようにステージを動か
し、“＋”を露光記録した。このときのレーザー出力は
０．１１Ｗ／ｃｍ2であった。レーザー出力を０．００
４Ｗ／ｃｍ2に下げてこれに照射したところ、“＋”の
印の発光が観測された。
ージ上に固定し、“＋”となるようにステージを動か
し、“＋”を露光記録した。このときのレーザー出力は
０．１１Ｗ／ｃｍ2であった。レーザー出力を０．００
４Ｗ／ｃｍ2に下げてこれに照射したところ、“＋”の
印の発光が観測された。
【００１８】実施例４ 実施例２で得たポリジフェニルシロキサンフィルムをＸ
−Ｙステージ上に固定し、“＋”の形状のマスクを用い
て、“＋”を露光記録した。このときのレーザー出力を
０．１１ｗ／ｃｍ2であった。レーザー出力を０．００
４ｗ／ｃｍ2に下げてこれに照射したところ、“＋”の
印の発光が観測された。
−Ｙステージ上に固定し、“＋”の形状のマスクを用い
て、“＋”を露光記録した。このときのレーザー出力を
０．１１ｗ／ｃｍ2であった。レーザー出力を０．００
４ｗ／ｃｍ2に下げてこれに照射したところ、“＋”の
印の発光が観測された。
【００１９】実施例５ 実施例１で得たポリシルメチレンの粉末を両面テープの
片方の面上にコートし、もう一方の面をガラス板上に固
定した。これに実施例１と同様にしてレーザー照射を行
ったところ、実施例１と同様の発光が得られた。
片方の面上にコートし、もう一方の面をガラス板上に固
定した。これに実施例１と同様にしてレーザー照射を行
ったところ、実施例１と同様の発光が得られた。
【００２０】実施例６ 実施例１で得たフィルムをホルダーに挿み、レーザー光
路中にセットした。これに、クリプトンフロライドのエ
キシマーレーザー（波長２４８ｎｍの波長のレーザ）を
用い、光源から１ｍの距離で０．０１Ｗ／ｃｍ2の出力
で５Ｈｚパルスを１秒照射した。照射中、青い発光が観
測された。レーザー出力を０．００１Ｗ／ｃｍ2にした
場合、目に見える発光は観測されなかった。レーザー出
力を０．００４Ｗ／ｃｍ2、０．０６５Ｗ／ｃｍ2、０．
１１Ｗ／ｃｍ2と変えて発光を写真に記録し発光強度を
比較した。０．００４Ｗ／ｃｍ2での発光強度を基準に
すると、０．１１Ｗ／ｃｍ2での発光強度は２−３倍、
０．０６５Ｗ／ｃｍ2で１．５−２倍あった。次に、
０．１１Ｗ／ｃｍ2の出力で５Ｈｚのパルスを照射した
時の発光強度の時間変化を測定した。照射直後と比較す
ると２秒後には約５０％に減少し、約１０秒後には消失
した。
路中にセットした。これに、クリプトンフロライドのエ
キシマーレーザー（波長２４８ｎｍの波長のレーザ）を
用い、光源から１ｍの距離で０．０１Ｗ／ｃｍ2の出力
で５Ｈｚパルスを１秒照射した。照射中、青い発光が観
測された。レーザー出力を０．００１Ｗ／ｃｍ2にした
場合、目に見える発光は観測されなかった。レーザー出
力を０．００４Ｗ／ｃｍ2、０．０６５Ｗ／ｃｍ2、０．
１１Ｗ／ｃｍ2と変えて発光を写真に記録し発光強度を
比較した。０．００４Ｗ／ｃｍ2での発光強度を基準に
すると、０．１１Ｗ／ｃｍ2での発光強度は２−３倍、
０．０６５Ｗ／ｃｍ2で１．５−２倍あった。次に、
０．１１Ｗ／ｃｍ2の出力で５Ｈｚのパルスを照射した
時の発光強度の時間変化を測定した。照射直後と比較す
ると２秒後には約５０％に減少し、約１０秒後には消失
した。
【００２１】
【発明の効果】本発明の発光材料によれば、これに紫外
ないし近紫外の人間の目に見えない波長のレーザ光を照
射することにより、可視光の発光を生じさせることがで
きる。本発明の発光材料は、目に見えない波長のレーザ
光を可視化する光−光変換素子として使用される他、レ
ーザで情報を記録し、その記録を発光で読み出す記録媒
体等として使用される。
ないし近紫外の人間の目に見えない波長のレーザ光を照
射することにより、可視光の発光を生じさせることがで
きる。本発明の発光材料は、目に見えない波長のレーザ
光を可視化する光−光変換素子として使用される他、レ
ーザで情報を記録し、その記録を発光で読み出す記録媒
体等として使用される。
フロントページの続き (72)発明者 中田 善徳 北海道札幌市豊平区月寒東２条17丁目２番 １号 工業技術院北海道工業技術研究所内 (72)発明者 永井 秀明 北海道札幌市豊平区月寒東２条17丁目２番 １号 工業技術院北海道工業技術研究所内 (72)発明者 奥谷 猛 北海道札幌市豊平区月寒東２条17丁目２番 １号 工業技術院北海道工業技術研究所内 (72)発明者 村上 正志 神奈川県足柄上郡山北町岸603番地 ダウ コーニングアジア株式会社研究・情報セン ター内 (72)発明者 櫛引 信男 神奈川県足柄上郡山北町岸603番地 ダウ コーニングアジア株式会社研究・情報セン ター内
Claims (5)
- 【請求項１】 下記一般式（１）又は一般式（２）で表
わされる繰返し構造単位を主鎖中に含有するケイ素含有
高分子化合物からなる発光材料。 一般式（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なっていてもよく、水
素又は低級脂肪族基を表わし、Ｒ3及びＲ4は同一又は異
なっていてもよく、芳香族基又は低級脂肪族基を表わす
が、Ｒ3及びＲ4の少なくとも一方は芳香族基を表わすも
のとする） 一般式（２）： 【化２】 （式中、Ｒ5及びＲ6は同一又は異ってもよく、芳香族基
又は低級脂肪族基を表わすが、Ｒ5及びＲ6の少なくとも
一方は芳香族基を表わすものとする） - 【請求項２】 一般式（１）におけるＲ3及びＲ4が、い
ずれも芳香族基である請求項１の発光材料。 - 【請求項３】 一般式（２）におけるＲ5及びＲ6が、い
ずれも芳香族基である請求項１の発光材料。 - 【請求項４】 請求項１又は２の発光材料に紫外レーザ
ーを照射し、可視光の発光を生じさせることを特徴とす
る発光方法。 - 【請求項５】 下記一般式（１）又は一般式（２）で表
わされる繰返し構造単位を主鎖中に含有するケイ素含有
高分子化合物からなる紫外レーザーを記録光とする光記
録媒体。 一般式（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なっていてもよく、水
素又は低級脂肪族基を表わし、Ｒ3及びＲ4は同一又は異
なっていてもよく、芳香族基又は低級脂肪族基を表わす
が、Ｒ3及びＲ4の少なくとも一方は芳香族基を表わすも
のとする） 一般式（２）： 【化２】 （式中、Ｒ5及びＲ6は同一又は異ってもよく、芳香族基
又は低級脂肪族基を表わすが、Ｒ5及びＲ6の少なくとも
一方は芳香族基を表わすものとする）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8045382A JP2879059B2 (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 発光材料、発光方法及び光記録媒体 |
| US08/795,205 US5808307A (en) | 1996-02-07 | 1997-02-05 | Method of detecting ultraviolet laser beam and method of recording information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8045382A JP2879059B2 (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 発光材料、発光方法及び光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09208945A true JPH09208945A (ja) | 1997-08-12 |
| JP2879059B2 JP2879059B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=12717729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8045382A Expired - Lifetime JP2879059B2 (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 発光材料、発光方法及び光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879059B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084674A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 発光素子 |
-
1996
- 1996-02-07 JP JP8045382A patent/JP2879059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084674A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2879059B2 (ja) | 1999-04-05 |
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