JPH09208596A - シアリル−ルイスｘ五糖誘導体の新規製造方法およびその製造中間体 - Google Patents
シアリル−ルイスｘ五糖誘導体の新規製造方法およびその製造中間体Info
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- JPH09208596A JPH09208596A JP8035573A JP3557396A JPH09208596A JP H09208596 A JPH09208596 A JP H09208596A JP 8035573 A JP8035573 A JP 8035573A JP 3557396 A JP3557396 A JP 3557396A JP H09208596 A JPH09208596 A JP H09208596A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シアリル-ルイスx(sLex)五糖誘導体の製法及びその製
造中間体の提供。 【解決手段】下式(II) （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基、R2
〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基、Acはアセチ
ル基、Ｙはアシル基、Ｚはカルボキシル基の保護基を表
す）で示される製造中間体に、下式(III) （式中、R13 およびR14 はそれぞれ独立して水酸基の保
護基、Bnはベンジル基、Ｌは脱離基を表す）で示される
化合物を反応させ、得られた化合物の水酸基の保護基、
カルボキシル基の保護基を脱保護する下式(I) （式中、R は水素原子または低級アルキル基を表し、A
c、Ｙは上記に同じ）で示されるsLex五糖誘導体の製造
方法及びその製造中間体。
造中間体の提供。 【解決手段】下式(II) （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基、R2
〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基、Acはアセチ
ル基、Ｙはアシル基、Ｚはカルボキシル基の保護基を表
す）で示される製造中間体に、下式(III) （式中、R13 およびR14 はそれぞれ独立して水酸基の保
護基、Bnはベンジル基、Ｌは脱離基を表す）で示される
化合物を反応させ、得られた化合物の水酸基の保護基、
カルボキシル基の保護基を脱保護する下式(I) （式中、R は水素原子または低級アルキル基を表し、A
c、Ｙは上記に同じ）で示されるsLex五糖誘導体の製造
方法及びその製造中間体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シアリル−ルイス
ｘ（以下、sLexと略記する）五糖誘導体の新規製造方法
およびその製造中間体に関する。
ｘ（以下、sLexと略記する）五糖誘導体の新規製造方法
およびその製造中間体に関する。
【０００２】
【従来の技術】sLex糖鎖は、例えば、炎症時に血管内皮
上に発現される細胞接着分子の一つであるＥ−セレクチ
ンまたはＰ−セレクチンのリガンドとして知られてい
る。
上に発現される細胞接着分子の一つであるＥ−セレクチ
ンまたはＰ−セレクチンのリガンドとして知られてい
る。
【０００３】炎症性細胞が炎症局所に浸潤していく最初
の過程（炎症性細胞が血管壁に従って転がる現象）にお
いて、炎症性細胞上のsLex糖鎖とセレクチンとの相互作
用が重要な働きをしている。
の過程（炎症性細胞が血管壁に従って転がる現象）にお
いて、炎症性細胞上のsLex糖鎖とセレクチンとの相互作
用が重要な働きをしている。
【０００４】そこで、この相互作用をsLex誘導体で阻害
することによって炎症性細胞と血管内皮との細胞接着を
阻止し、炎症性疾患を治療するという提案がなされてい
る。
することによって炎症性細胞と血管内皮との細胞接着を
阻止し、炎症性疾患を治療するという提案がなされてい
る。
【０００５】上記提案に供するsLex誘導体としては、例
えば、下式(I)
えば、下式(I)
【０００６】
【化７】 （式中、Ｒは水素原子または低級アルキル基を表し、Ac
はアセチル基を表し、Ｙはアシル基を表す。）で示され
るsLex五糖誘導体、なかでも特に、下式(Ia)
はアセチル基を表し、Ｙはアシル基を表す。）で示され
るsLex五糖誘導体、なかでも特に、下式(Ia)
【０００７】
【化８】 （式中、Etはエチル基を表し、Acはアセチル基を表
す。）で示されるsLex五糖誘導体が挙げられる(J.Clin.
Invest.,1994,93,1140-1148)。
す。）で示されるsLex五糖誘導体が挙げられる(J.Clin.
Invest.,1994,93,1140-1148)。
【０００８】sLex五糖誘導体(Ia)の製造方法としては、
酵素法による方法が報告されている(J.Am.Chem.Soc.,19
94,116,11315-11322) 。
酵素法による方法が報告されている(J.Am.Chem.Soc.,19
94,116,11315-11322) 。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】酵素法によるsLex五糖
誘導体(Ia)の製造方法では、糖供与体である糖ヌクレオ
チドと糖受容体の共存下、各種の糖転移酵素を作用させ
ることによって、位置特異的、且つ、立体特異的に目的
とするsLex五糖誘導体(Ia)を合成できる。しかしなが
ら、該酵素法に用いられる種々の酵素をすべて入手する
ことは困難であり、該酵素法は実用的なsLex五糖誘導体
(Ia)の製造方法とは言い難い。本発明者等は、sLex五糖
誘導体(Ia)を含むsLex五糖誘導体(I)を一般的な化学反
応によって効率的に製造することができる新規製造方法
を提供することを目的として種々検討を行った。
誘導体(Ia)の製造方法では、糖供与体である糖ヌクレオ
チドと糖受容体の共存下、各種の糖転移酵素を作用させ
ることによって、位置特異的、且つ、立体特異的に目的
とするsLex五糖誘導体(Ia)を合成できる。しかしなが
ら、該酵素法に用いられる種々の酵素をすべて入手する
ことは困難であり、該酵素法は実用的なsLex五糖誘導体
(Ia)の製造方法とは言い難い。本発明者等は、sLex五糖
誘導体(Ia)を含むsLex五糖誘導体(I)を一般的な化学反
応によって効率的に製造することができる新規製造方法
を提供することを目的として種々検討を行った。
【００１０】さらに、本発明は、sLex五糖誘導体(I)を
製造するための新規製造中間体の提供を目的としてい
る。
製造するための新規製造中間体の提供を目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者等は種々検討を
行った結果、前記式(I)で示されるsLex五糖誘導体の製
造において、下式（II）
行った結果、前記式(I)で示されるsLex五糖誘導体の製
造において、下式（II）
【００１２】
【化９】 （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基を表
し、R2〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、Ｙはアシル基を表し、Ｚは
カルボキシル基の保護基を表す。）で示されるシアリル
−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体に、下式(III)
し、R2〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、Ｙはアシル基を表し、Ｚは
カルボキシル基の保護基を表す。）で示されるシアリル
−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体に、下式(III)
【００１３】
【化１０】 （式中、R13 およびR14 はそれぞれ独立して水酸基の保
護基を表し、Bnはベンジル基を表し、Ｌは脱離基を表
す。）で示されるフコース誘導体を反応させ、下式(IV)
護基を表し、Bnはベンジル基を表し、Ｌは脱離基を表
す。）で示されるフコース誘導体を反応させ、下式(IV)
【００１４】
【化１１】 （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基を表
し、R2〜R14 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、Bnはベンジル基を表し、Ｙ
はアシル基を表し、Ｚはカルボキシル基の保護基を表
す。）で示されるsLex五糖誘導体を得、次いで、得られ
たsLex五糖誘導体(IV)の水酸基の保護基、カルボキシ基
の保護基を脱保護することを特徴とするsLex五糖誘導体
(I)の製造方法が上記の目的に適うことを見い出して本
発明を完成させた。
し、R2〜R14 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、Bnはベンジル基を表し、Ｙ
はアシル基を表し、Ｚはカルボキシル基の保護基を表
す。）で示されるsLex五糖誘導体を得、次いで、得られ
たsLex五糖誘導体(IV)の水酸基の保護基、カルボキシ基
の保護基を脱保護することを特徴とするsLex五糖誘導体
(I)の製造方法が上記の目的に適うことを見い出して本
発明を完成させた。
【００１５】以下、本発明について詳細に説明する。
【００１６】
【発明の実施の形態】sLex五糖誘導体(I)の本発明によ
る製造方法は、グルコサミン部分の３位の水酸基を除く
すべての水酸基、カルボキシル基およびアミノ基が保護
されているシアリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘
導体(II)に、２、３および４位の水酸基が保護され、且
つ、１位に脱離基を有するフコース誘導体(III) を反応
させ、それら誘導体をα（１→３）結合させることによ
ってsLex五糖誘導体(IV)を得、次いで、sLex五糖誘導体
(IV)の水酸基の保護基、カルボキシル基の保護基を常法
により、適宜、脱保護することによって行われる。
る製造方法は、グルコサミン部分の３位の水酸基を除く
すべての水酸基、カルボキシル基およびアミノ基が保護
されているシアリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘
導体(II)に、２、３および４位の水酸基が保護され、且
つ、１位に脱離基を有するフコース誘導体(III) を反応
させ、それら誘導体をα（１→３）結合させることによ
ってsLex五糖誘導体(IV)を得、次いで、sLex五糖誘導体
(IV)の水酸基の保護基、カルボキシル基の保護基を常法
により、適宜、脱保護することによって行われる。
【００１７】上記sLex五糖誘導体(I)における、Ｒで示
される低級アルキル基としては、例えば、エチル基など
の炭素原子数１〜６のアルキル基が挙げられる。また、
アシル基Ｙとしては、例えば、アセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、バレリル基などのアルカノイル基、
およびベンゾイル基、ナフトイル基などのアロイル基が
挙げられる。
される低級アルキル基としては、例えば、エチル基など
の炭素原子数１〜６のアルキル基が挙げられる。また、
アシル基Ｙとしては、例えば、アセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、バレリル基などのアルカノイル基、
およびベンゾイル基、ナフトイル基などのアロイル基が
挙げられる。
【００１８】本発明の製造方法に用いられるシアリル−
ラクトサミニル−ガラクトース誘導体(II)は、新規化合
物であり、後述する製造方法によって得ることができ
る。
ラクトサミニル−ガラクトース誘導体(II)は、新規化合
物であり、後述する製造方法によって得ることができ
る。
【００１９】シアリル−ラクトサミニル−ガラクトース
誘導体(II)における、低級アルキル基R1としては、例え
ば、エチル基などの炭素原子数１〜６のアルキル基が挙
げられる。また、水酸基の保護基R1〜R12としては、水
酸基の保護に一般的に用いられているものが用いられ、
例えば、アセチル基、ベンゾイル基などのエステル系保
護基、メトキシメチル基、ベンジル基などのエーテル系
保護基などが挙げられる。カルボキシル基の保護基Ｚと
しては、カルボキシル基の保護に一般的に用いられてい
るものが用いられ、例えば、低級アルキル基などが挙げ
られる。低級アルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基などの炭素原子数１〜６のアルキル基が挙げら
れる。また、アシル基Ｙとしては、例えば、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基などのア
ルカノイル基、およびベンゾイル基、ナフトイル基など
のアロイル基が挙げられる。
誘導体(II)における、低級アルキル基R1としては、例え
ば、エチル基などの炭素原子数１〜６のアルキル基が挙
げられる。また、水酸基の保護基R1〜R12としては、水
酸基の保護に一般的に用いられているものが用いられ、
例えば、アセチル基、ベンゾイル基などのエステル系保
護基、メトキシメチル基、ベンジル基などのエーテル系
保護基などが挙げられる。カルボキシル基の保護基Ｚと
しては、カルボキシル基の保護に一般的に用いられてい
るものが用いられ、例えば、低級アルキル基などが挙げ
られる。低級アルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基などの炭素原子数１〜６のアルキル基が挙げら
れる。また、アシル基Ｙとしては、例えば、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基などのア
ルカノイル基、およびベンゾイル基、ナフトイル基など
のアロイル基が挙げられる。
【００２０】特に、本発明の製造方法には、R1がエチル
基であり、R2〜R5がベンジル基であり、R6がベンゾイル
基であり、R7〜R12 およびＹがアセチル基であり、Ｚが
メチル基であるシアリル−ラクトサミニル−ガラクトー
ス誘導体(II)を用いることが好ましい。
基であり、R2〜R5がベンジル基であり、R6がベンゾイル
基であり、R7〜R12 およびＹがアセチル基であり、Ｚが
メチル基であるシアリル−ラクトサミニル−ガラクトー
ス誘導体(II)を用いることが好ましい。
【００２１】本発明の製造方法に用いられるフコース誘
導体(III)は、J.Am.Chem.Soc.,1990,112,3693-3695 記
載された方法に準じて製造することができる。
導体(III)は、J.Am.Chem.Soc.,1990,112,3693-3695 記
載された方法に準じて製造することができる。
【００２２】本発明の製造方法においては、フコース誘
導体(III)の２位の水酸基をベンジル基で保護すること
により、立体選択的にsLex五糖誘導体(IV)のα異性体を
得ることができる。また、水酸基の保護基R13およびR14
としては、上記の水酸基の保護基R1〜R12と同様に水酸
基の保護に一般的に用いられているものが用いられ、例
えば、アセチル基、ベンゾイル基等のエステル系保護
基、ベンジル基などのエーテル系保護基などが挙げられ
る。
導体(III)の２位の水酸基をベンジル基で保護すること
により、立体選択的にsLex五糖誘導体(IV)のα異性体を
得ることができる。また、水酸基の保護基R13およびR14
としては、上記の水酸基の保護基R1〜R12と同様に水酸
基の保護に一般的に用いられているものが用いられ、例
えば、アセチル基、ベンゾイル基等のエステル系保護
基、ベンジル基などのエーテル系保護基などが挙げられ
る。
【００２３】フコース誘導体(III)における脱離基Ｌと
しては、メチルチオ基等の低級アルキルチオ基、フェニ
ルチオ基、フッソ原子などが挙げられる。
しては、メチルチオ基等の低級アルキルチオ基、フェニ
ルチオ基、フッソ原子などが挙げられる。
【００２４】特に、本発明の製造方法には、R13 および
R14 がベンジル基であり、Ｌがフェニルチオ基であるフ
コース誘導体(III)を用いることが好ましい。
R14 がベンジル基であり、Ｌがフェニルチオ基であるフ
コース誘導体(III)を用いることが好ましい。
【００２５】シアリル−ラクトサミニル−ガラクトース
誘導体(II)とフコース誘導体(III)との上記反応は、シ
アリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体(II)１当
量に対してフコース誘導体(III)１〜５当量を、塩化メ
チレンなどの不活性溶媒中、フコース誘導体(III)の脱
離基の活性化剤の存在下、−２５〜２０℃で１〜４日反
応させることにより完了させることができる。
誘導体(II)とフコース誘導体(III)との上記反応は、シ
アリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体(II)１当
量に対してフコース誘導体(III)１〜５当量を、塩化メ
チレンなどの不活性溶媒中、フコース誘導体(III)の脱
離基の活性化剤の存在下、−２５〜２０℃で１〜４日反
応させることにより完了させることができる。
【００２６】フコース誘導体(III)の脱離基の活性化剤
としては、例えば、ジメチル（メチルチオ）スルホニウ
ムトリフレートまたはＮ−ヨードスクシンイミド／トリ
フルオロメタンスルホン酸などが挙げられ、その使用量
は、フコース誘導体(III)１当量に対して１〜３当量が
好ましい。ただし、上記トリフルオロメタンスルホン酸
は触媒量を使用する。上記のようにして得られるsLex五
糖誘導体(IV)の水酸基の保護基、カルボキシル基の保護
基の脱保護は、常法に従って、適宜行うことができる。
例えば、ベンジル基の脱保護はパラジウム炭素などの触
媒下、水素添加によって脱保護し、アセチル基、ベンゾ
イル基および低級アルキル基の脱保護は、メタノールな
どの溶媒中、塩基性条件で行なうことができる。好まし
い塩基としては、ナトリウムメチラートが挙げられる。
としては、例えば、ジメチル（メチルチオ）スルホニウ
ムトリフレートまたはＮ−ヨードスクシンイミド／トリ
フルオロメタンスルホン酸などが挙げられ、その使用量
は、フコース誘導体(III)１当量に対して１〜３当量が
好ましい。ただし、上記トリフルオロメタンスルホン酸
は触媒量を使用する。上記のようにして得られるsLex五
糖誘導体(IV)の水酸基の保護基、カルボキシル基の保護
基の脱保護は、常法に従って、適宜行うことができる。
例えば、ベンジル基の脱保護はパラジウム炭素などの触
媒下、水素添加によって脱保護し、アセチル基、ベンゾ
イル基および低級アルキル基の脱保護は、メタノールな
どの溶媒中、塩基性条件で行なうことができる。好まし
い塩基としては、ナトリウムメチラートが挙げられる。
【００２７】また、本発明の製造方法では、水酸基の保
護基および／またはカルボキシル基の保護基の脱保護工
程において、脱保護された化合物を精製するため、脱保
護を行った後、再度、適当な保護基で保護し、一旦精製
工程に付した後、水酸基の保護基および／またはカルボ
キシル基の保護基の脱保護を行うこともできる（実施例
２参照）。
護基および／またはカルボキシル基の保護基の脱保護工
程において、脱保護された化合物を精製するため、脱保
護を行った後、再度、適当な保護基で保護し、一旦精製
工程に付した後、水酸基の保護基および／またはカルボ
キシル基の保護基の脱保護を行うこともできる（実施例
２参照）。
【００２８】以下、本発明の製造方法に用いられるシア
リル−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体(II)につい
て説明する。
リル−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体(II)につい
て説明する。
【００２９】シアリル−ラクトサミニル−ガラクトース
誘導体(II)は、シアル酸、ガラクトース、グルコサミン
およびガラクトースから構成されており、１位のカルボ
キシル基と４、７、８および９位の水酸基が保護された
シアル酸が、２、４および６位の水酸基が保護されたガ
ラクトースにα（２→３）結合し、これらが、６位の水
酸基が保護され、２位のアミノ基がアシル化されたグル
コサミンにβ（１→４）結合し、さらに、１、２、４、
および６位の水酸基が保護されたガラクトースにβ（１
→３）結合した構造を有している（即ち、グルコサミン
部分の３位の水酸基を除くすべての水酸基、カルボキシ
ル基およびアミノ基が保護されている）。
誘導体(II)は、シアル酸、ガラクトース、グルコサミン
およびガラクトースから構成されており、１位のカルボ
キシル基と４、７、８および９位の水酸基が保護された
シアル酸が、２、４および６位の水酸基が保護されたガ
ラクトースにα（２→３）結合し、これらが、６位の水
酸基が保護され、２位のアミノ基がアシル化されたグル
コサミンにβ（１→４）結合し、さらに、１、２、４、
および６位の水酸基が保護されたガラクトースにβ（１
→３）結合した構造を有している（即ち、グルコサミン
部分の３位の水酸基を除くすべての水酸基、カルボキシ
ル基およびアミノ基が保護されている）。
【００３０】従って、前記の通り、グルコサミン部分の
３位水酸基にフコース誘導体(III)を作用させ、sLex五
糖誘導体(I)を効率的に製造することができる。
３位水酸基にフコース誘導体(III)を作用させ、sLex五
糖誘導体(I)を効率的に製造することができる。
【００３１】シアリル−ラクトサミニル−ガラクトース
誘導体(II)は、例えば、以下の製造方法によって得るこ
とができる。
誘導体(II)は、例えば、以下の製造方法によって得るこ
とができる。
【００３２】即ち、Ｄ−グルコサミンおよびＤ−ガラク
トースから、Carbohydr.Res.,200,(1990)269-285に記載
された方法に準じて製造される下式(V)
トースから、Carbohydr.Res.,200,(1990)269-285に記載
された方法に準じて製造される下式(V)
【００３３】
【化１２】 （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基を表
し、R2〜R5はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表し、
A は4-メトキシベンジル基を表し、Ｙはアシル基を表
す。）で示される化合物と、シアル酸およびＤ−ガラク
トースから、上記Carbohydr.Res.に記載された方法に準
じて製造される下式（VI）
し、R2〜R5はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表し、
A は4-メトキシベンジル基を表し、Ｙはアシル基を表
す。）で示される化合物と、シアル酸およびＤ−ガラク
トースから、上記Carbohydr.Res.に記載された方法に準
じて製造される下式（VI）
【００３４】
【化１３】 （式中、R6〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を
表し、Acはアセチル基を表し、Ｚはカルボキシル基の保
護基を表し、Ｌは脱離基を表す。）で示される化合物と
を反応させ、下式(VII)
表し、Acはアセチル基を表し、Ｚはカルボキシル基の保
護基を表し、Ｌは脱離基を表す。）で示される化合物と
を反応させ、下式(VII)
【００３５】
【化１４】 （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基を表
し、R2〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、A は4-メトキシベンジル基
を表し、Ｙはアシル基を表し、Ｚはカルボキシル基の保
護基を表す。）で示される化合物を得、次いで、化合物
(VII)の4-メトキシベンジル基を酸化的に脱保護するこ
とによってシアリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘
導体(II)を製造することができる。
し、R2〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、A は4-メトキシベンジル基
を表し、Ｙはアシル基を表し、Ｚはカルボキシル基の保
護基を表す。）で示される化合物を得、次いで、化合物
(VII)の4-メトキシベンジル基を酸化的に脱保護するこ
とによってシアリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘
導体(II)を製造することができる。
【００３６】上記化合物(V) 、(VI)および／または(VI
I)における、R1〜R12 、Ｙ、Ｌ、Ｚは前記と同様の置換
基を表す。
I)における、R1〜R12 、Ｙ、Ｌ、Ｚは前記と同様の置換
基を表す。
【００３７】上記化合物(V)と化合物(VI)との反応は、
前記、シアリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体
(II)とフコース誘導体(III)との反応の場合と同様にし
て行うことができる。
前記、シアリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体
(II)とフコース誘導体(III)との反応の場合と同様にし
て行うことができる。
【００３８】化合物(VII)の4-メトキシベンジル基の脱
保護は、常法に従って、例えば、化合物(VII)に硝酸第
二セリウムアンモニウムなどの酸化剤を作用させること
によって行うことができる。
保護は、常法に従って、例えば、化合物(VII)に硝酸第
二セリウムアンモニウムなどの酸化剤を作用させること
によって行うことができる。
【００３９】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。実施例における式中、Bzはベンゾイル基を
表す。A 、Ac、BnおよびEtはそれぞれ前記と同様の基を
表す。
に説明する。実施例における式中、Bzはベンゾイル基を
表す。A 、Ac、BnおよびEtはそれぞれ前記と同様の基を
表す。
【００４０】なお、実施例１にて使用する、エチル O-
[2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-3-O-(4-メ
トキシベンジル)-β-D-グルコピラノシル]-(1→3)-O-2,
4,6-トリ-O-ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド［化合
物(Va)］およびメチル O-(メチル 5-アセトアミド-4,7,
8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α
-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,
6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-1-チオ-β-D-ガラク
トピラノシド［化合物(VIa)]は、Carbohydr.Res.,200,
(1990)269-285に記載された方法に準じて合成した。
[2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-3-O-(4-メ
トキシベンジル)-β-D-グルコピラノシル]-(1→3)-O-2,
4,6-トリ-O-ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド［化合
物(Va)］およびメチル O-(メチル 5-アセトアミド-4,7,
8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α
-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,
6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-1-チオ-β-D-ガラク
トピラノシド［化合物(VIa)]は、Carbohydr.Res.,200,
(1990)269-285に記載された方法に準じて合成した。
【００４１】
【化１５】
【００４２】
【化１６】 以下に、化合物(Va)および化合物(VIa)の特徴的なＮＭ
Ｒピークについて示した。
Ｒピークについて示した。
【００４３】化合物(Va)： NMR(270MHz,CDCl3 ，δ ppm):1.21(t,J=7Hz,3H),1.60
(s,3H),3.79(s,3H),3.96(dd,J=7,9Hz,1H),4.33(dd,J=4,
8Hz,1H),4.90(d,J=12Hz,1H),5.03(d,J=12Hz,1H),6.86
(d,J=9Hz,2H),7.10-7.40(m,22H).
(s,3H),3.79(s,3H),3.96(dd,J=7,9Hz,1H),4.33(dd,J=4,
8Hz,1H),4.90(d,J=12Hz,1H),5.03(d,J=12Hz,1H),6.86
(d,J=9Hz,2H),7.10-7.40(m,22H).
【００４４】化合物(VIa) ： NMR(270MHz,CDCl3，δ ppm):1.46(s,3H),1.79(s,3H),1.
97(s,3H),2.07(s,3H),2.08(s,3H),2.14(s,3H),2.18(s,3
H),2.21(s,3H),2.55(dd,J=5,13Hz,1H),3.86(s,3H),4.30
(dd,J=2,13Hz,1H),4.72(d,J=10Hz,1H),4.77(dd,J=3,9H
z,1H),4.80-4.95(m,1H),5.21(dd,J=3,10Hz,1H),5.37(t,
J=10Hz,1H),7.40-8.20(m,5H).
97(s,3H),2.07(s,3H),2.08(s,3H),2.14(s,3H),2.18(s,3
H),2.21(s,3H),2.55(dd,J=5,13Hz,1H),3.86(s,3H),4.30
(dd,J=2,13Hz,1H),4.72(d,J=10Hz,1H),4.77(dd,J=3,9H
z,1H),4.80-4.95(m,1H),5.21(dd,J=3,10Hz,1H),5.37(t,
J=10Hz,1H),7.40-8.20(m,5H).
【００４５】実施例１エチル O-(メチル 5-アセトアミド-4,7,8,9-テトラ-O-
アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α-D-ガラクト-2
-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,6-ジ-O-アセチ
ル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピラノシル)-(1→4)-
O-(2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-β-D-グ
ルコピラノシル)-(1→3)-O-2,4,6-トリ-O-ベンジル -β-
D-ガラクトピラノシド［化合物(IIa)]の製造 ：
アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α-D-ガラクト-2
-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,6-ジ-O-アセチ
ル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピラノシル)-(1→4)-
O-(2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-β-D-グ
ルコピラノシル)-(1→3)-O-2,4,6-トリ-O-ベンジル -β-
D-ガラクトピラノシド［化合物(IIa)]の製造 ：
【００４６】
【化１７】 (1) エチル O-(メチル 5-アセトアミド-4,7,8,9-テトラ
-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α-D-ガラク
ト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,6-ジ-O-ア
セチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピラノシル)-(1
→4)-O-[2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-3-O
-(4-メトキシベンジル)-β-D-グルコピラノシル]-(1→
3)-O-2,4,6-トリ-O-ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド
［化合物(VIIa)] ：メチル O-(メチル 5-アセトアミド-
4,7,8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセ
ロ-α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-
O-(4,6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-1-チオ-β-D-ガ
ラクトピラノシド [化合物(VIa)]421mgと、エチル O-[2
-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-3-O-(4-メト
キシベンジル)-β-D-グルコピラノシル]-(1→3)-O-2,4,
6-トリ-O-ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド［化合物
(Va)] 278mgを塩化メチレン4mlに溶解し、モレキュラー
シーブ（４オングストローム）0.4gを加え、室温で17時
間撹拌した後、氷冷下ジメチル（メチルチオ）スルホニ
ウムトリフレート[Carbohydr.Res.,149(1986),c9-c12参
照] 908mgとモレキュラーシーブ（４オングストロー
ム）743mgの混合物を加え、７℃にて96時間撹拌した。
反応混合物に、メタノール0.5mlおよびトリエチルアミ
ン0.5ml、酢酸エチル10mlを加え、不溶物を濾別した
後、濾液を水で洗浄した。水層を酢酸エチルで抽出し、
有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、減圧下に溶媒を留去した。残渣をカラムクロマト
グラフィー［ヘキサン：酢酸エチル(V/V)=10:1→1:1→
2:3→1:2にて順次溶出］により精製し、化合物(VIIa)56
0mgを得た。以下に、化合物(VIIa)の特徴的なＮＭＲピ
ークについて示した。
-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α-D-ガラク
ト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,6-ジ-O-ア
セチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピラノシル)-(1
→4)-O-[2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-3-O
-(4-メトキシベンジル)-β-D-グルコピラノシル]-(1→
3)-O-2,4,6-トリ-O-ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド
［化合物(VIIa)] ：メチル O-(メチル 5-アセトアミド-
4,7,8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセ
ロ-α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-
O-(4,6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-1-チオ-β-D-ガ
ラクトピラノシド [化合物(VIa)]421mgと、エチル O-[2
-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-3-O-(4-メト
キシベンジル)-β-D-グルコピラノシル]-(1→3)-O-2,4,
6-トリ-O-ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド［化合物
(Va)] 278mgを塩化メチレン4mlに溶解し、モレキュラー
シーブ（４オングストローム）0.4gを加え、室温で17時
間撹拌した後、氷冷下ジメチル（メチルチオ）スルホニ
ウムトリフレート[Carbohydr.Res.,149(1986),c9-c12参
照] 908mgとモレキュラーシーブ（４オングストロー
ム）743mgの混合物を加え、７℃にて96時間撹拌した。
反応混合物に、メタノール0.5mlおよびトリエチルアミ
ン0.5ml、酢酸エチル10mlを加え、不溶物を濾別した
後、濾液を水で洗浄した。水層を酢酸エチルで抽出し、
有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、減圧下に溶媒を留去した。残渣をカラムクロマト
グラフィー［ヘキサン：酢酸エチル(V/V)=10:1→1:1→
2:3→1:2にて順次溶出］により精製し、化合物(VIIa)56
0mgを得た。以下に、化合物(VIIa)の特徴的なＮＭＲピ
ークについて示した。
【００４７】NMR(270MHz,CDCl3，δ ppm):1.20 (t,J=7H
z,3H),1.49 (s,3H),1.57(s,3H),1.94(s,3H),1.97(s,6
H),2.09(s,6H),2.17(s,3H),2.53(dd,J=4,12Hz,1H),3.76
(s,3H),3.86(s,3H),5.22(dd,J=2,12Hz,1H),5.55-5.70
(m,1H),6.77(d,J=8Hz,2H),7.05-8.20(m,27H).
z,3H),1.49 (s,3H),1.57(s,3H),1.94(s,3H),1.97(s,6
H),2.09(s,6H),2.17(s,3H),2.53(dd,J=4,12Hz,1H),3.76
(s,3H),3.86(s,3H),5.22(dd,J=2,12Hz,1H),5.55-5.70
(m,1H),6.77(d,J=8Hz,2H),7.05-8.20(m,27H).
【００４８】(2) エチル O-(メチル 5-アセトアミド-4,
7,8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-
α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-
(4,6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピ
ラノシル)-(1→4)-O-(2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-
デオキシ-β-D-グルコピラノシル)-(1→3)-O-2,4,6- ト
リ-O-ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド［化合物(II
a)]：化合物(VIIa)535mgをアセトニトリル4.5mlおよび
水0.5mlの混合溶媒に溶解し、硝酸第二セリウムアンモ
ニウム342mgを加え、室温で３時間撹拌した。反応混合
物に、酢酸エチル20mlを加え、飽和炭酸ナトリウム水溶
液で洗浄後、水層を酢酸エチルで抽出した。得られた有
機層を水および、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィー［ヘキサン：酢酸エチル(V/V)=
1:1→1:2→1:4にて順次溶出］により精製し、化合物(II
a) 434mgを得た。以下に、化合物(IIa)の特徴的なＮＭ
Ｒピークについて示した。
7,8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-
α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-
(4,6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピ
ラノシル)-(1→4)-O-(2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-
デオキシ-β-D-グルコピラノシル)-(1→3)-O-2,4,6- ト
リ-O-ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド［化合物(II
a)]：化合物(VIIa)535mgをアセトニトリル4.5mlおよび
水0.5mlの混合溶媒に溶解し、硝酸第二セリウムアンモ
ニウム342mgを加え、室温で３時間撹拌した。反応混合
物に、酢酸エチル20mlを加え、飽和炭酸ナトリウム水溶
液で洗浄後、水層を酢酸エチルで抽出した。得られた有
機層を水および、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィー［ヘキサン：酢酸エチル(V/V)=
1:1→1:2→1:4にて順次溶出］により精製し、化合物(II
a) 434mgを得た。以下に、化合物(IIa)の特徴的なＮＭ
Ｒピークについて示した。
【００４９】NMR(270MHz,CDCl3，δ ppm):1.18(t,J=7H
z,3H),1.52(s,3H),1.56 (s,3H),1.96(s,3H),1.97(s,3
H),2.036(s,3H),2.040(s,3H),2.15(s,3H),2.19(s,3H),
2.53(dd,J=5,12Hz,1H),3.84(s,3H),5.04(d,J=8Hz,1H),
5.20(dd,J=3,9Hz,1H),5.55-5.70(m,1H),7.00-8.30(m,25
H).
z,3H),1.52(s,3H),1.56 (s,3H),1.96(s,3H),1.97(s,3
H),2.036(s,3H),2.040(s,3H),2.15(s,3H),2.19(s,3H),
2.53(dd,J=5,12Hz,1H),3.84(s,3H),5.04(d,J=8Hz,1H),
5.20(dd,J=3,9Hz,1H),5.55-5.70(m,1H),7.00-8.30(m,25
H).
【００５０】実施例２エチル O-(5-アセトアミド-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ
-α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロン酸)-(2→3)-O-
(β-D-ガラクトピラノシル )-(1→4)-O-[α-L-フコピラ
ノシル)-(1→3)]-O-(2-アセトアミド-2-デオキシ-β-D-
グルコピラノシル)-(1→3)-O-β-D-ガラクトピラノシド
［化合物(Ia)] の製造 ：
-α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロン酸)-(2→3)-O-
(β-D-ガラクトピラノシル )-(1→4)-O-[α-L-フコピラ
ノシル)-(1→3)]-O-(2-アセトアミド-2-デオキシ-β-D-
グルコピラノシル)-(1→3)-O-β-D-ガラクトピラノシド
［化合物(Ia)] の製造 ：
【００５１】
【化１８】 (1) エチル O-(メチル 5-アセトアミド-4,7,8,9-テトラ
-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α-D-ガラク
ト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,6-ジ-O-ア
セチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピラノシル)-(1
→4)-O-[(2,3,4-トリ-O-ベンジル-α-L-フコピラノシ
ル)-(1→3)]-O-(2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオ
キシ-β-D-グルコピラノシル)-(1→3)-O-2,4,6-トリ-O-
ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド［化合物(IVa)]：エ
チル O-(メチル 5-アセトアミド-4,7,8,9-テトラ-O-ア
セチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α-D-ガラクト-2-
ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,6-ジ-O-アセチ
ル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピラノシル)-(1→4)-
O-(2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-β-D-グ
ルコピラノシル)-(1→3)-O-2,4,6-トリ-O-ベンジル-β-
D-ガラクトピラノシド［化合物(IIa)]414mgおよびフェ
ニル 2,3,4-トリ-O-ベンジル-1-チオ-L-フコピラノシド
［化合物(IIIa)] 273mgを塩化メチレン2mlとトルエン4m
lとの混合溶媒に溶解し、モレキュラーシーブ（４オン
グストローム）0.4gを加え、室温で13時間撹拌した後、
-20℃にてN-ヨードスクシンイミド199mg、トリフルオロ
メタンスルホン酸4mlを加え、- 20℃にて２時間撹拌し
た。さらに、トリフルオロメタンスルホン酸8mlを加
え、−10℃にて２時間撹拌した。さらに、化合物(IIIa)
273mg、N-ヨードスクシンイミド199mg、トリフルオロメ
タンスルホン酸2mlを加え、-10℃にて２時間撹拌した。
反応混合物に、酢酸エチル10mlを加え、不溶物を濾別し
た後、濾液を飽和炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した。水
層を酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を飽和チオ硫
酸ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去した。残渣
をカラムクロマトグラフィー［ヘキサン：酢酸エチル(V
/V)=10:1→2:1→1:1→1:2にて順次溶出］により精製
し、化合物(IVa) 471mgを得た。以下に、化合物(IVa)の
特徴的なＮＭＲピークについて示した。
-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α-D-ガラク
ト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,6-ジ-O-ア
セチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピラノシル)-(1
→4)-O-[(2,3,4-トリ-O-ベンジル-α-L-フコピラノシ
ル)-(1→3)]-O-(2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオ
キシ-β-D-グルコピラノシル)-(1→3)-O-2,4,6-トリ-O-
ベンジル-β-D-ガラクトピラノシド［化合物(IVa)]：エ
チル O-(メチル 5-アセトアミド-4,7,8,9-テトラ-O-ア
セチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-α-D-ガラクト-2-
ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-(4,6-ジ-O-アセチ
ル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピラノシル)-(1→4)-
O-(2-アセトアミド-6-O-ベンジル-2-デオキシ-β-D-グ
ルコピラノシル)-(1→3)-O-2,4,6-トリ-O-ベンジル-β-
D-ガラクトピラノシド［化合物(IIa)]414mgおよびフェ
ニル 2,3,4-トリ-O-ベンジル-1-チオ-L-フコピラノシド
［化合物(IIIa)] 273mgを塩化メチレン2mlとトルエン4m
lとの混合溶媒に溶解し、モレキュラーシーブ（４オン
グストローム）0.4gを加え、室温で13時間撹拌した後、
-20℃にてN-ヨードスクシンイミド199mg、トリフルオロ
メタンスルホン酸4mlを加え、- 20℃にて２時間撹拌し
た。さらに、トリフルオロメタンスルホン酸8mlを加
え、−10℃にて２時間撹拌した。さらに、化合物(IIIa)
273mg、N-ヨードスクシンイミド199mg、トリフルオロメ
タンスルホン酸2mlを加え、-10℃にて２時間撹拌した。
反応混合物に、酢酸エチル10mlを加え、不溶物を濾別し
た後、濾液を飽和炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した。水
層を酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を飽和チオ硫
酸ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去した。残渣
をカラムクロマトグラフィー［ヘキサン：酢酸エチル(V
/V)=10:1→2:1→1:1→1:2にて順次溶出］により精製
し、化合物(IVa) 471mgを得た。以下に、化合物(IVa)の
特徴的なＮＭＲピークについて示した。
【００５２】NMR(270MHz,CDCl3，δ ppm):1.15-1.25(m,
6H),1.51(s,3H),1.56(s,3H),1.95(s,3H),1.965(s,3H),
1.972(s,3H),2.04(s,3H),2.15(s,3H),2.51(dd,J=13Hz,5
Hz,1H),3.84(s,3H),5.55-5.65(m,1H),6.95-8.25(m,4H).
6H),1.51(s,3H),1.56(s,3H),1.95(s,3H),1.965(s,3H),
1.972(s,3H),2.04(s,3H),2.15(s,3H),2.51(dd,J=13Hz,5
Hz,1H),3.84(s,3H),5.55-5.65(m,1H),6.95-8.25(m,4H).
【００５３】(2) エチル O-(メチル 5-アセトアミド-4,
7,8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-
α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-
(4,6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピ
ラノシル)-(1→4)-O-[(α-L-フコピラノシル)-(1→3)]-
O-(2-アセトアミド-2-デオキシ-β-D-グルコピラノシ
ル)-(1→3)-O-β-D-ガラクトピラノシド［化合物(IVa)
の脱ベンジル体］：化合物(IVa) 270mgをエタノール20m
lに溶解し、10%パラジウム- 炭素150mg存在下、１気圧
の水素ガス雰囲気下50℃で24時間水素添加した。さらに
10%パラジウム- 炭素100mgを追加し、50℃で20時間水素
添加した。反応終了後、不溶物を濾別し、減圧下に溶媒
を留去した。得られた残渣に5mlの酢酸エチルを加え、
析出した個体を濾取し、化合物(IVa) の脱ベンジル体17
4mgを得た。以下に、化合物(IVa)の脱ベンジル体の特徴
的なＮＭＲピークについて示した。
7,8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-
α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-
(4,6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピ
ラノシル)-(1→4)-O-[(α-L-フコピラノシル)-(1→3)]-
O-(2-アセトアミド-2-デオキシ-β-D-グルコピラノシ
ル)-(1→3)-O-β-D-ガラクトピラノシド［化合物(IVa)
の脱ベンジル体］：化合物(IVa) 270mgをエタノール20m
lに溶解し、10%パラジウム- 炭素150mg存在下、１気圧
の水素ガス雰囲気下50℃で24時間水素添加した。さらに
10%パラジウム- 炭素100mgを追加し、50℃で20時間水素
添加した。反応終了後、不溶物を濾別し、減圧下に溶媒
を留去した。得られた残渣に5mlの酢酸エチルを加え、
析出した個体を濾取し、化合物(IVa) の脱ベンジル体17
4mgを得た。以下に、化合物(IVa)の脱ベンジル体の特徴
的なＮＭＲピークについて示した。
【００５４】NMR(270MHz,CDCl3/CD3OD,δ ppm):1.23(t,
J=7Hz,3H),1.34(d,J=7Hz,3H),1.55(s,3H),1.65(t,J=13H
z,1H),1.76(s,3H),1.96(s,3H),1.98(s,3H),2.09(s,3H),
2.10(s,3H),2.15(s,3H),2.21(s,3H),2.52(dd,J=4,13Hz,
1H),3.85(s,3H),4.17(d,J=8Hz,1H),4.48(dd,J=2,12Hz,1
H),4.54(d,J=7Hz,1H),5.08(d,J=3Hz,1H),5.60-5.70(m,1
H),7.45-8.25(m,5H).
J=7Hz,3H),1.34(d,J=7Hz,3H),1.55(s,3H),1.65(t,J=13H
z,1H),1.76(s,3H),1.96(s,3H),1.98(s,3H),2.09(s,3H),
2.10(s,3H),2.15(s,3H),2.21(s,3H),2.52(dd,J=4,13Hz,
1H),3.85(s,3H),4.17(d,J=8Hz,1H),4.48(dd,J=2,12Hz,1
H),4.54(d,J=7Hz,1H),5.08(d,J=3Hz,1H),5.60-5.70(m,1
H),7.45-8.25(m,5H).
【００５５】(3) エチル O-(メチル 5-アセトアミド-4,
7,8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-
α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-
(4,6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピ
ラノシル)-(1→4)-O-[(2,3,4-トリ-O-アセチル-α-L-フ
コピラノシル)-(1→3)]-O-(2-アセトアミド-6-O-アセチ
ル-2-デオキシ)-β-D-グルコピラノシル)-(1→3)-O-2,
4,6-トリ-O-アセチル-β-D-ガラクトピラノシド［化合
物(IVb)]：上記で得られた化合物(IVa) の脱ベンジル体
72mgをピリジン2mlに溶解し、無水酢酸1mlを加え、40℃
にて20時間撹拌した。氷冷下メタノール5mlを加え、10
分撹拌した後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をカラム
クロマトグラフィー［ヘキサン：酢酸エチル(V/V)=1:2
→酢酸エチルにて順次溶出］により精製し、化合物(IV
b) 87mgを得た。以下に、化合物(IVb)の特徴的なＮＭＲ
ピークについて示した。
7,8,9-テトラ-O-アセチル-3,5-ジデオキシ-D-グリセロ-
α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロネート)-(2→3)-O-
(4,6-ジ-O-アセチル-2-O-ベンゾイル-β-D-ガラクトピ
ラノシル)-(1→4)-O-[(2,3,4-トリ-O-アセチル-α-L-フ
コピラノシル)-(1→3)]-O-(2-アセトアミド-6-O-アセチ
ル-2-デオキシ)-β-D-グルコピラノシル)-(1→3)-O-2,
4,6-トリ-O-アセチル-β-D-ガラクトピラノシド［化合
物(IVb)]：上記で得られた化合物(IVa) の脱ベンジル体
72mgをピリジン2mlに溶解し、無水酢酸1mlを加え、40℃
にて20時間撹拌した。氷冷下メタノール5mlを加え、10
分撹拌した後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をカラム
クロマトグラフィー［ヘキサン：酢酸エチル(V/V)=1:2
→酢酸エチルにて順次溶出］により精製し、化合物(IV
b) 87mgを得た。以下に、化合物(IVb)の特徴的なＮＭＲ
ピークについて示した。
【００５６】NMR(270MHz,CDCl3，δ ppm):1.17(t,J=7H
z,3H),1.25(d,J=7Hz,3H),1.66(t,J=12Hz,1H),1.78(s,3
H),1.90(s,3H),1.95(s,3H),1.96(s,3H),2.03(s,3H),2.0
4(s,3H),2.05 (s,3H),2.07(s,3H),2.09(s,3H),2.10(s,6
H),2.15(s,6H),2.16(s,3H),2.19(s,3H),2.52(dd,J=5,13
Hz,1H),3.63(dd,J=4,10Hz,1H),3.87(s,3H),4.30(d,J=8H
z,1H),5.06(d,J=4Hz,1H),5.19(t,J=9Hz,1H),5.25(dd,J=
3,11Hz,1H),5.55-5.65(m,1H),7.30-8.10(m,5H).
z,3H),1.25(d,J=7Hz,3H),1.66(t,J=12Hz,1H),1.78(s,3
H),1.90(s,3H),1.95(s,3H),1.96(s,3H),2.03(s,3H),2.0
4(s,3H),2.05 (s,3H),2.07(s,3H),2.09(s,3H),2.10(s,6
H),2.15(s,6H),2.16(s,3H),2.19(s,3H),2.52(dd,J=5,13
Hz,1H),3.63(dd,J=4,10Hz,1H),3.87(s,3H),4.30(d,J=8H
z,1H),5.06(d,J=4Hz,1H),5.19(t,J=9Hz,1H),5.25(dd,J=
3,11Hz,1H),5.55-5.65(m,1H),7.30-8.10(m,5H).
【００５７】(4) エチル O-(5-アセトアミド-3,5-ジデ
オキシ-D-グリセロ-α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロ
ン酸)-(2→3)-O-(β-D-ガラクトピラノシル)-(1→4)-O-
[α-L-フコピラノシル)-(1→3)]-O-(2-アセトアミド-2-
デオキシ-β-D-グルコピラノシル)-(1→3)-O-β-D-ガラ
クトピラノシド［化合物(Ia)] ：化合物(IVb) 9.2mgを
メタノール1mlに溶解し、28%ナトリウムメチラート/ メ
タノール溶液20mgを加えた。40℃で４時間撹拌した後、
0.5mlの水を加え、40℃で16時間撹拌した。反応混合物
に、イオン交換樹脂（ダウエックスTM50W-X8 Hフォー
ム）を加えて中和し、濾過後減圧下に溶媒を留去した。
得られた残渣をセファデックスTMLH-20のカラムクロマ
トグラフィー［クロロホルム：メタノール：水(V/V/V)=
5:4:0.7にて溶出］により精製し、化合物(Ia)5.0mgを得
た。以下に、化合物(Ia)の特徴的なＮＭＲピークについ
て示した。
オキシ-D-グリセロ-α-D-ガラクト-2-ノヌロピラノシロ
ン酸)-(2→3)-O-(β-D-ガラクトピラノシル)-(1→4)-O-
[α-L-フコピラノシル)-(1→3)]-O-(2-アセトアミド-2-
デオキシ-β-D-グルコピラノシル)-(1→3)-O-β-D-ガラ
クトピラノシド［化合物(Ia)] ：化合物(IVb) 9.2mgを
メタノール1mlに溶解し、28%ナトリウムメチラート/ メ
タノール溶液20mgを加えた。40℃で４時間撹拌した後、
0.5mlの水を加え、40℃で16時間撹拌した。反応混合物
に、イオン交換樹脂（ダウエックスTM50W-X8 Hフォー
ム）を加えて中和し、濾過後減圧下に溶媒を留去した。
得られた残渣をセファデックスTMLH-20のカラムクロマ
トグラフィー［クロロホルム：メタノール：水(V/V/V)=
5:4:0.7にて溶出］により精製し、化合物(Ia)5.0mgを得
た。以下に、化合物(Ia)の特徴的なＮＭＲピークについ
て示した。
【００５８】NMR(250MHz,D2O,δ ppm):1.03(d,J=7Hz,3
H),1.09(t,J=8Hz,3H),1.66(t,J=13Hz,1H),1.88(s,3H),
1.90(s,3H),2.63(dd,J=4.5,13Hz,1H),3.95(dd,J=4,11H
z,1H),4.01(d,J=3Hz,1H),4.25(d,J=9Hz,1H),4.98(d,J=4
Hz,1H).
H),1.09(t,J=8Hz,3H),1.66(t,J=13Hz,1H),1.88(s,3H),
1.90(s,3H),2.63(dd,J=4.5,13Hz,1H),3.95(dd,J=4,11H
z,1H),4.01(d,J=3Hz,1H),4.25(d,J=9Hz,1H),4.98(d,J=4
Hz,1H).
【００５９】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、従来の酵素
法による製造方法と異なり、容易に入手できる原料を用
いて、sLex五糖誘導体(Ia)を含むsLex五糖誘導体(I) を
一般的な化学反応によって効率的に製造することができ
る。
法による製造方法と異なり、容易に入手できる原料を用
いて、sLex五糖誘導体(Ia)を含むsLex五糖誘導体(I) を
一般的な化学反応によって効率的に製造することができ
る。
Claims (7)
- 【請求項１】 下式(I) 【化１】 （式中、Ｒは水素原子または低級アルキル基を表し、Ac
はアセチル基を表し、Ｙはアシル基を表す。）で示され
るシアリル−ルイスｘ五糖誘導体の製造において、下式
（II） 【化２】 （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基を表
し、R2〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、Ｙはアシル基を表し、Ｚは
カルボキシル基の保護基を表す。）で示されるシアリル
−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体に、下式(III) 【化３】 （式中、R13 およびR14 はそれぞれ独立して水酸基の保
護基を表し、Bnはベンジル基を表し、Ｌは脱離基を表
す。）で示されるフコース誘導体を反応させ、下式(IV) 【化４】 （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基を表
し、R2〜R14 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、Bnはベンジル基を表し、Ｙ
はアシル基を表し、Ｚはカルボキシル基の保護基を表
す。）で示されるシアリル−ルイスｘ五糖誘導体を得、
次いで、得られたシアリル−ルイスｘ五糖誘導体(IV)の
水酸基の保護基、カルボキシル基の保護基を脱保護する
ことを特徴とするシアリル−ルイスｘ五糖誘導体(I)の
製造方法。 - 【請求項２】 式(II)における、R1がエチル基であり、
R2〜R5がベンジル基であり、R6がベンゾイル基であり、
R7〜R12 およびＹがアセチル基であり、Ｚがメチル基で
ある請求項１に記載のシアリル−ルイスｘ五糖誘導体の
製造方法。 - 【請求項３】 式(III) における、R13 およびR14 がベ
ンジル基であり、Ｌがフェニルチオ基である請求項１ま
たは請求項２に記載のシアリル−ルイスｘ五糖誘導体の
製造方法。 - 【請求項４】 下式(II) 【化５】 （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基を表
し、R2〜R12 はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、Ｙはアシル基を表し、Ｚは
カルボキシル基の保護基を表す。）で示されるシアリル
−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体。 - 【請求項５】 R1がエチル基であり、R2〜R5がベンジル
基であり、R6がベンゾイル基であり、R7〜R12 およびＹ
がアセチル基であり、Ｚがメチル基である請求項４記載
のシアリル−ラクトサミニル−ガラクトース誘導体。 - 【請求項６】 下式(IV) 【化６】 （式中、R1は低級アルキル基または水酸基の保護基を表
し、R2〜R14はそれぞれ独立して水酸基の保護基を表
し、Acはアセチル基を表し、Bnはベンジル基を表し、Ｙ
はアシル基を表し、Ｚはカルボキシル基の保護基を表
す。）で示されるシアリル−ルイスｘ五糖誘導体。 - 【請求項７】 R1がエチル基であり、R2〜R5およびR13
〜R14がベンジル基であり、R6がベンゾイル基であり、R
7〜R12およびＹがアセチル基であり、Ｚがメチル基であ
る請求項６記載のシアリル−ルイスｘ五糖誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035573A JPH09208596A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | シアリル−ルイスｘ五糖誘導体の新規製造方法およびその製造中間体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035573A JPH09208596A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | シアリル−ルイスｘ五糖誘導体の新規製造方法およびその製造中間体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09208596A true JPH09208596A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=12445511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8035573A Pending JPH09208596A (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | シアリル−ルイスｘ五糖誘導体の新規製造方法およびその製造中間体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09208596A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102994590A (zh) * | 2012-08-28 | 2013-03-27 | 苏州格兰斯生物科技有限公司 | 一种低聚糖Lewis X的酶催化制备方法 |
-
1996
- 1996-01-29 JP JP8035573A patent/JPH09208596A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102994590A (zh) * | 2012-08-28 | 2013-03-27 | 苏州格兰斯生物科技有限公司 | 一种低聚糖Lewis X的酶催化制备方法 |
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