JPH09202969A - ウエハ加熱器用成膜防護具 - Google Patents
ウエハ加熱器用成膜防護具Info
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- JPH09202969A JPH09202969A JP1202696A JP1202696A JPH09202969A JP H09202969 A JPH09202969 A JP H09202969A JP 1202696 A JP1202696 A JP 1202696A JP 1202696 A JP1202696 A JP 1202696A JP H09202969 A JPH09202969 A JP H09202969A
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- heater
- wafer heater
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料台としての機能をも併せ持ち、ウエハ加
熱器をターゲット原子から防護するためのウエハ加熱器
用成膜防護具を提供することである。 【解決手段】 環状のリング体２２ａの内周壁の上部に
は、周方向に沿って内側に向かって延びるウエハ加熱器
保護部２２ｂが設けられており、その先端部にはウエハ
１８の裏面を支持すると共に、ターゲット原子がウエハ
加熱器の上面に回り込むことを防止するための起立部２
２ｃが周方向に沿って設けられている。更に、リング体
２２ａの外周壁の略中央に周方向に沿って全周にわたり
延びる傾斜部２２ｄが設けられている。また、リング体
２２の上面に４個の突起部２２ｅが周方向に沿って等間
隔で設けられている。
熱器をターゲット原子から防護するためのウエハ加熱器
用成膜防護具を提供することである。 【解決手段】 環状のリング体２２ａの内周壁の上部に
は、周方向に沿って内側に向かって延びるウエハ加熱器
保護部２２ｂが設けられており、その先端部にはウエハ
１８の裏面を支持すると共に、ターゲット原子がウエハ
加熱器の上面に回り込むことを防止するための起立部２
２ｃが周方向に沿って設けられている。更に、リング体
２２ａの外周壁の略中央に周方向に沿って全周にわたり
延びる傾斜部２２ｄが設けられている。また、リング体
２２の上面に４個の突起部２２ｅが周方向に沿って等間
隔で設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上に集積回
路を形成する場合等に用いられるスパッタリング装置の
ウエハ加熱器をターゲット原子から防護するウエハ加熱
器用成膜防護具に関するものである。
路を形成する場合等に用いられるスパッタリング装置の
ウエハ加熱器をターゲット原子から防護するウエハ加熱
器用成膜防護具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング装置は、グロー放電又は
高周波放電中に於て放電用ガスのイオン、通常はアルゴ
ンイオンを電極であるターゲットに衝突させ、そこから
スパッタされるターゲット原子をウェハ上に堆積させて
成膜を行うものである。
高周波放電中に於て放電用ガスのイオン、通常はアルゴ
ンイオンを電極であるターゲットに衝突させ、そこから
スパッタされるターゲット原子をウェハ上に堆積させて
成膜を行うものである。
【０００３】従来のガス加熱式スパッタリング装置５０
においては、図５に示すように、ターゲット５２からス
パッタされるターゲット原子によりスパッタリングを行
なう際には、試料台としての機能をも併せ持つウエハ加
熱器５４の上面に載置されたウエハ５６の裏面に加熱し
たガスを流してウエハ５６を加熱するため、ウエハ固定
具５８によりウエハ５６を上面より押さえつけ、ウエハ
５６がガスにより浮き上がらないようにしている。
においては、図５に示すように、ターゲット５２からス
パッタされるターゲット原子によりスパッタリングを行
なう際には、試料台としての機能をも併せ持つウエハ加
熱器５４の上面に載置されたウエハ５６の裏面に加熱し
たガスを流してウエハ５６を加熱するため、ウエハ固定
具５８によりウエハ５６を上面より押さえつけ、ウエハ
５６がガスにより浮き上がらないようにしている。
【０００４】従って、このようなガス加熱式スパッタリ
ング装置５０においては、ウエハ５６の全表面に対して
成膜を行なうことは不可能であった。
ング装置５０においては、ウエハ５６の全表面に対して
成膜を行なうことは不可能であった。
【０００５】その後、ウエハ５６の全表面に対して成膜
を行なうための改良が行なわれ、図６に示す全表面成膜
用スパッタリング装置６０が提案された。
を行なうための改良が行なわれ、図６に示す全表面成膜
用スパッタリング装置６０が提案された。
【０００６】この全表面成膜用スパッタリング装置６０
は、上述のガス加熱式スパッタリング装置５０のウエハ
加熱器５４を試料台６４に、ウエハ固定具５８を成膜防
護カバー６２に交換する等の改良を行なったものであ
る。即ち、成膜防護カバー６２は、試料台６４に載置さ
れたウエハ５６の上面を覆うことが無いことからウエハ
５６の全表面に対して成膜を行なうことができるもので
ある。
は、上述のガス加熱式スパッタリング装置５０のウエハ
加熱器５４を試料台６４に、ウエハ固定具５８を成膜防
護カバー６２に交換する等の改良を行なったものであ
る。即ち、成膜防護カバー６２は、試料台６４に載置さ
れたウエハ５６の上面を覆うことが無いことからウエハ
５６の全表面に対して成膜を行なうことができるもので
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
全表面成膜用スパッタリング装置６０の試料台６４は、
再生を行なうため容易に交換できるようにする必要か
ら、ウエハを加熱する機能を備えていない。従って、成
膜を行なう際にウエハを加熱する必要がある場合につい
ては、この全表面成膜用スパッタリング装置６０を用い
ることができない。
全表面成膜用スパッタリング装置６０の試料台６４は、
再生を行なうため容易に交換できるようにする必要か
ら、ウエハを加熱する機能を備えていない。従って、成
膜を行なう際にウエハを加熱する必要がある場合につい
ては、この全表面成膜用スパッタリング装置６０を用い
ることができない。
【０００８】この発明の課題は、ウエハを加熱する機能
を備えつつウエハの全表面に成膜を行なうことができる
ようにするために、試料台としての機能をも併せ持つウ
エハ加熱器をターゲット原子から防護するためのウエハ
加熱器用成膜防護具を提供することである。
を備えつつウエハの全表面に成膜を行なうことができる
ようにするために、試料台としての機能をも併せ持つウ
エハ加熱器をターゲット原子から防護するためのウエハ
加熱器用成膜防護具を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のウエハ加
熱器用成膜防護具は、ウエハ加熱器の外周に環状に配置
されるリング体の内周壁に、周方向に沿って内側に向か
って延びるウエハ加熱器保護部を設けたことを特徴とす
る。
熱器用成膜防護具は、ウエハ加熱器の外周に環状に配置
されるリング体の内周壁に、周方向に沿って内側に向か
って延びるウエハ加熱器保護部を設けたことを特徴とす
る。
【００１０】従って、ウエハ加熱器用成膜防護具をウエ
ハ加熱器の外周に配置することにより、ウエハ加熱器保
護部がウエハ加熱器の上面の外周部分を覆うこととな
り、ターゲット原子によりウエハ加熱器の上面に成膜が
行なわれることを防止することができる。
ハ加熱器の外周に配置することにより、ウエハ加熱器保
護部がウエハ加熱器の上面の外周部分を覆うこととな
り、ターゲット原子によりウエハ加熱器の上面に成膜が
行なわれることを防止することができる。
【００１１】また、請求項２記載のウエハ加熱器用成膜
防護具は、請求項１記載のウエハ加熱器用成膜防護具の
ウエハ加熱器保護部の上面に起立部を周方向に沿って設
けたことを特徴とする。
防護具は、請求項１記載のウエハ加熱器用成膜防護具の
ウエハ加熱器保護部の上面に起立部を周方向に沿って設
けたことを特徴とする。
【００１２】従って、この起立部によりターゲット原子
がウエハ加熱器の上面の中心方向に回り込むのを防止す
ることができ、ウエハ加熱器の上面に成膜が行なわれる
ことを防止することができる効果を更に向上させること
ができる。また、この起立部によりウエハの裏面を支持
するため、ウエハの裏面とウエハ加熱器の上面との間に
空間を設けることができ、ウエハ加熱器の上面にパーテ
ィクルが付着した場合であっても、ウエハの裏面にパー
ティクルが付着するのを防止することができる。
がウエハ加熱器の上面の中心方向に回り込むのを防止す
ることができ、ウエハ加熱器の上面に成膜が行なわれる
ことを防止することができる効果を更に向上させること
ができる。また、この起立部によりウエハの裏面を支持
するため、ウエハの裏面とウエハ加熱器の上面との間に
空間を設けることができ、ウエハ加熱器の上面にパーテ
ィクルが付着した場合であっても、ウエハの裏面にパー
ティクルが付着するのを防止することができる。
【００１３】また、請求項３記載のウエハ加熱器用成膜
防護具は、請求項１または請求項２記載のウエハ加熱器
用成膜防護具のリング体の外周壁に周方向に沿って延び
る傾斜部を設けたことを特徴とする。
防護具は、請求項１または請求項２記載のウエハ加熱器
用成膜防護具のリング体の外周壁に周方向に沿って延び
る傾斜部を設けたことを特徴とする。
【００１４】従って、ウエハ加熱器を上昇させた場合に
リング体の外周壁に設けられた傾斜部が成膜防護カバー
の傾斜部と接することにより、ウエハ加熱器用成膜防護
具と成膜防護カバーとの間で位置決めを行なうことがで
きる。
リング体の外周壁に設けられた傾斜部が成膜防護カバー
の傾斜部と接することにより、ウエハ加熱器用成膜防護
具と成膜防護カバーとの間で位置決めを行なうことがで
きる。
【００１５】また、請求項４記載のウエハ加熱器用成膜
防護具は、請求項１、請求項２及び請求項３の何れか１
項に記載のウエハ加熱器用成膜防護具のリング体の上面
に複数個の突起部を周方向に沿って設けたことを特徴と
する。
防護具は、請求項１、請求項２及び請求項３の何れか１
項に記載のウエハ加熱器用成膜防護具のリング体の上面
に複数個の突起部を周方向に沿って設けたことを特徴と
する。
【００１６】従って、スパッタリングを行なう際に振動
等が生じた場合であっても、この突起部によりウエハの
位置がずれるのを防止することができる。
等が生じた場合であっても、この突起部によりウエハの
位置がずれるのを防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１８】図１は、本発明が適用可能なスパッタリン
グ装置１０の概略図である。このスパッタリング装置１
０は、チャンバ１２の上部に配置された円形のターゲッ
ト１４及びターゲット１４の裏面を支持する蓋体１６と
を備えている。
グ装置１０の概略図である。このスパッタリング装置１
０は、チャンバ１２の上部に配置された円形のターゲッ
ト１４及びターゲット１４の裏面を支持する蓋体１６と
を備えている。
【００１９】また、チャンバ１２内の下部には、ウエハ
１８を支持すると共にウエハ１８加熱するためのウエハ
加熱器２０が設けられている。また、このウエハ加熱器
２０の外周に環状にウエハ加熱器用成膜防護具２２が配
置されている。
１８を支持すると共にウエハ１８加熱するためのウエハ
加熱器２０が設けられている。また、このウエハ加熱器
２０の外周に環状にウエハ加熱器用成膜防護具２２が配
置されている。
【００２０】ここでウエハ加熱器用成膜防護具２２は、
図２及び図３に示すように、環状のリング体２２ａから
構成されるものである。このリング体２２ａの内周壁の
上端部には、周方向に沿って内側に向かって延びるウエ
ハ加熱器保護部２２ｂが設けられており、その先端部に
はウエハ１８の裏面を支持すると共に、ターゲット原子
がウエハ加熱器２０の上面に回り込むことを防止するた
めの起立部２２ｃが周方向に沿って設けられている。更
に、リング体２２ａの外周壁の略中央に周方向に全周に
わたり延びる傾斜部２２ｄが設けられている。また、リ
ング体２２の上面に４個の突起部２２ｅが周方向に等間
隔で設けられている。この４個の突起部２２ｅは、それ
ぞれ等しい高さを有するものであり、突起部２２ｅの先
端部は、ウエハ１８の表面よりも高い所に位置するもの
である。
図２及び図３に示すように、環状のリング体２２ａから
構成されるものである。このリング体２２ａの内周壁の
上端部には、周方向に沿って内側に向かって延びるウエ
ハ加熱器保護部２２ｂが設けられており、その先端部に
はウエハ１８の裏面を支持すると共に、ターゲット原子
がウエハ加熱器２０の上面に回り込むことを防止するた
めの起立部２２ｃが周方向に沿って設けられている。更
に、リング体２２ａの外周壁の略中央に周方向に全周に
わたり延びる傾斜部２２ｄが設けられている。また、リ
ング体２２の上面に４個の突起部２２ｅが周方向に等間
隔で設けられている。この４個の突起部２２ｅは、それ
ぞれ等しい高さを有するものであり、突起部２２ｅの先
端部は、ウエハ１８の表面よりも高い所に位置するもの
である。
【００２１】このような構成のウエハ加熱器用成膜防護
具２２が、ウエハ加熱器２０の外周に配置される際に
は、ウエハ加熱器２０の外周にウエハ加熱器用成膜防護
具２２のリング体２２ａの内周壁が接し、更に、ウエハ
加熱器２０の上面にウエハ加熱器保護部２２ｂの下面が
接した状態で、ネジ等でウエハ加熱器２０に固定され
る。
具２２が、ウエハ加熱器２０の外周に配置される際に
は、ウエハ加熱器２０の外周にウエハ加熱器用成膜防護
具２２のリング体２２ａの内周壁が接し、更に、ウエハ
加熱器２０の上面にウエハ加熱器保護部２２ｂの下面が
接した状態で、ネジ等でウエハ加熱器２０に固定され
る。
【００２２】また、ウエハ加熱器２０の下方には、この
ウエハ加熱器２０及びウエハ加熱器用成膜防護具２２等
を上昇又は下降させるための昇降機構２４が設けられて
いる。この昇降機構２４とウエハ加熱器２０の下面と
は、円筒状の駆動伝達部材２６により接続されると共
に、駆動伝達部材２６周囲には伸縮可能な蛇腹状のべロ
ーズ２８が設けられている。
ウエハ加熱器２０及びウエハ加熱器用成膜防護具２２等
を上昇又は下降させるための昇降機構２４が設けられて
いる。この昇降機構２４とウエハ加熱器２０の下面と
は、円筒状の駆動伝達部材２６により接続されると共
に、駆動伝達部材２６周囲には伸縮可能な蛇腹状のべロ
ーズ２８が設けられている。
【００２３】また、上述の駆動機構２４により、ウエハ
加熱器２０と共に上昇させたウエハ加熱器用成膜防護具
２２の上面及び外周壁と接することによりターゲット原
子の漏出を防止する成膜防護カバー３２が設けられると
共に、ターゲット１４とウエハ１８との間には、ターゲ
ット原子の漏出を防止すべく成膜防護壁３０が設けられ
ている。
加熱器２０と共に上昇させたウエハ加熱器用成膜防護具
２２の上面及び外周壁と接することによりターゲット原
子の漏出を防止する成膜防護カバー３２が設けられると
共に、ターゲット１４とウエハ１８との間には、ターゲ
ット原子の漏出を防止すべく成膜防護壁３０が設けられ
ている。
【００２４】このように構成されたスパッタリング装置
１０によりウエハ１８の表面に成膜を行う場合には、図
示しない超真空ポンプによりチャンバ１２の内部を真空
にした後、この真空状態を維持したままウエハ加熱器２
０に設置されているウエハ加熱器用成膜防護具２２の起
立部２２ｃでウエハ１８を支持し、駆動機構２４により
ウエハ１８、ウエハ加熱器及びウエハ加熱器用成膜防護
具２２を図４に示す位置まで上昇させる。
１０によりウエハ１８の表面に成膜を行う場合には、図
示しない超真空ポンプによりチャンバ１２の内部を真空
にした後、この真空状態を維持したままウエハ加熱器２
０に設置されているウエハ加熱器用成膜防護具２２の起
立部２２ｃでウエハ１８を支持し、駆動機構２４により
ウエハ１８、ウエハ加熱器及びウエハ加熱器用成膜防護
具２２を図４に示す位置まで上昇させる。
【００２５】この場合に、ウエハ加熱器用成膜防護具２
２の傾斜部２２ｄが成膜防護カバー３２に設けられてい
る傾斜部３２ａと接することにより、ウエハ加熱器用成
膜防護具２２と成膜防護カバー３２との間の位置決めが
行なわれる。
２の傾斜部２２ｄが成膜防護カバー３２に設けられてい
る傾斜部３２ａと接することにより、ウエハ加熱器用成
膜防護具２２と成膜防護カバー３２との間の位置決めが
行なわれる。
【００２６】その後、チャンバ１２内にアルゴンガスを
供給した後、ウエハ１８をウエハ加熱器２０の輻射熱で
加熱しスパッタリングを行う。これにより、ターゲット
１４からスパッタされるターゲット原子はウエハ１８の
表面に堆積し成膜が行われるが、ウエハ加熱器２０に
は、ウエハ加熱器用成膜防護具２２が設置されているた
め、このウエハ加熱器用成膜防護具２２のウエハ加熱器
保護部２２ｂ、起立部２２ｃ等によりウエハ加熱器２０
の上面に成膜が行なわれるのを防止することができる。
供給した後、ウエハ１８をウエハ加熱器２０の輻射熱で
加熱しスパッタリングを行う。これにより、ターゲット
１４からスパッタされるターゲット原子はウエハ１８の
表面に堆積し成膜が行われるが、ウエハ加熱器２０に
は、ウエハ加熱器用成膜防護具２２が設置されているた
め、このウエハ加熱器用成膜防護具２２のウエハ加熱器
保護部２２ｂ、起立部２２ｃ等によりウエハ加熱器２０
の上面に成膜が行なわれるのを防止することができる。
【００２７】従って、このウエハ加熱器用成膜防護具２
２を用いることにより、多数枚のウエハ１８に繰り返し
成膜を行なう場合であっても、ウエハ加熱器２０を取り
外して交換する等の作業を行なう必要が無く、ウエハ加
熱器用成膜防護具２２のみを取り外して交換すれば良
い。
２を用いることにより、多数枚のウエハ１８に繰り返し
成膜を行なう場合であっても、ウエハ加熱器２０を取り
外して交換する等の作業を行なう必要が無く、ウエハ加
熱器用成膜防護具２２のみを取り外して交換すれば良
い。
【００２８】また、ウエハ加熱器用成膜防護具２２には
突起部２２ｅが設けられていることから、スパッタリン
グを行なっているときに振動等が生じた場合であって
も、この突起部２２ｅによりウエハ１８の位置ずれを防
止することができる。
突起部２２ｅが設けられていることから、スパッタリン
グを行なっているときに振動等が生じた場合であって
も、この突起部２２ｅによりウエハ１８の位置ずれを防
止することができる。
【００２９】なお、上述の実施の形態においては、ウエ
ハ加熱器用成膜防護具２２のリング体２２ａの上面に等
間隔で４個の突起部２２ｅを設けているが、突起部の位
置は等間隔に限定されるものではなくまた、その数も４
個に限定されるものではない。
ハ加熱器用成膜防護具２２のリング体２２ａの上面に等
間隔で４個の突起部２２ｅを設けているが、突起部の位
置は等間隔に限定されるものではなくまた、その数も４
個に限定されるものではない。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハ加熱器用成膜防
護具のウエハ加熱器保護部がウエハ加熱器の上面の外周
部分を覆うこととなり、ターゲット原子によりウエハ加
熱器の上面に成膜が行なわれることを防止することがで
きる。
護具のウエハ加熱器保護部がウエハ加熱器の上面の外周
部分を覆うこととなり、ターゲット原子によりウエハ加
熱器の上面に成膜が行なわれることを防止することがで
きる。
【００３１】また、ウエハ加熱器用成膜防護具のウエハ
加熱器保護部の上面に起立部を周方向に沿って設けた場
合には、この起立部によりターゲット原子がウエハ加熱
器の上面の中心方向に回り込むのを防止することがで
き、ウエハ加熱器の上面に成膜が行なわれることを防止
することができる効果を更に向上させることができる。
また、この起立部によりウエハの裏面を支持するためウ
エハの裏面とウエハ加熱器の上面との間に空間を設ける
ことができ、ウエハ加熱器の上面にパーティクルが付着
した場合であっても、ウエハの裏面にパーティクルが付
着するのを防止することができる。
加熱器保護部の上面に起立部を周方向に沿って設けた場
合には、この起立部によりターゲット原子がウエハ加熱
器の上面の中心方向に回り込むのを防止することがで
き、ウエハ加熱器の上面に成膜が行なわれることを防止
することができる効果を更に向上させることができる。
また、この起立部によりウエハの裏面を支持するためウ
エハの裏面とウエハ加熱器の上面との間に空間を設ける
ことができ、ウエハ加熱器の上面にパーティクルが付着
した場合であっても、ウエハの裏面にパーティクルが付
着するのを防止することができる。
【００３２】更に、ウエハ加熱器用成膜防護具のリング
体の外周壁に周方向に沿って延びる傾斜部を設けた場合
には、ウエハ加熱器を上昇させた場合にリング体の外周
壁に設けられた傾斜部が成膜防護カバーの傾斜部と接す
ることにより、ウエハ加熱器用成膜防護具と成膜防護カ
バーとの間で位置決めを行なうことができる。
体の外周壁に周方向に沿って延びる傾斜部を設けた場合
には、ウエハ加熱器を上昇させた場合にリング体の外周
壁に設けられた傾斜部が成膜防護カバーの傾斜部と接す
ることにより、ウエハ加熱器用成膜防護具と成膜防護カ
バーとの間で位置決めを行なうことができる。
【００３３】また、ウエハ加熱器用成膜防護具のリング
体の上面に複数個の突起部を周方向に設けた場合には、
スパッタリングを行なう際に振動等が生じた場合であっ
ても、この突起部によりウエハの位置がずれるのを防止
することができる。
体の上面に複数個の突起部を周方向に設けた場合には、
スパッタリングを行なう際に振動等が生じた場合であっ
ても、この突起部によりウエハの位置がずれるのを防止
することができる。
【図１】本発明が適用可能なスパッタリング装置の概略
図である。
図である。
【図２】本発明のウエハ加熱器用成膜防護具の平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明のウエハ加熱器用成膜防護具のＡ−Ａ断
面図である。
面図である。
【図４】本発明が適用可能なスパッタリング装置におい
てウエハ加熱器を上昇させた状態を説明するための図で
ある。
てウエハ加熱器を上昇させた状態を説明するための図で
ある。
【図５】従来のガス加熱式スパッタリング装置の概略図
である。
である。
【図６】従来の全表面成膜用のスパッタリング装置の概
略図である。
略図である。
１０…スパッタリング装置、１２…チャンバ、１４…タ
ーゲット、１６…蓋体、１８…ウエハ、２０…ウエハ加
熱器、２２…ウエハ加熱器用成膜防護具、２２ａ…リン
グ体、２２ｂ…ウエハ加熱器保護部、２２ｃ…起立部、
２２ｄ…傾斜部、２２ｅ…突起部、２４…昇降機構、２
６…駆動伝達部材、２８…べローズ、３０…成膜防護
壁、３２…成膜防護カバー、３２ａ…傾斜部。
ーゲット、１６…蓋体、１８…ウエハ、２０…ウエハ加
熱器、２２…ウエハ加熱器用成膜防護具、２２ａ…リン
グ体、２２ｂ…ウエハ加熱器保護部、２２ｃ…起立部、
２２ｄ…傾斜部、２２ｅ…突起部、２４…昇降機構、２
６…駆動伝達部材、２８…べローズ、３０…成膜防護
壁、３２…成膜防護カバー、３２ａ…傾斜部。
フロントページの続き (72)発明者 神保 毅 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 鏑木 光広 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハ加熱器の外周に環状に配置される
リング体の内周壁に、周方向に沿って内側に向かって延
びるウエハ加熱器保護部を設けたことを特徴とするウエ
ハ加熱器用成膜防護具。 - 【請求項２】 前記ウエハ加熱器保護部の上面に起立部
を周方向に沿って設けたことを特徴とする請求項１記載
のウエハ加熱器用成膜防護具。 - 【請求項３】 前記リング体の外周壁に周方向に沿って
延びる傾斜部を設けたことを特徴とする請求項１または
請求項２記載のウエハ加熱器用成膜防護具。 - 【請求項４】 前記リング体の上面に複数個の突起部を
周方向に沿って設けたことを特徴とする請求項１、請求
項２及び請求項３の何れか１項に記載のウエハ加熱器用
成膜防護具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202696A JP3545123B2 (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | ウエハ加熱器用成膜防護具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202696A JP3545123B2 (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | ウエハ加熱器用成膜防護具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09202969A true JPH09202969A (ja) | 1997-08-05 |
| JP3545123B2 JP3545123B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=11794104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202696A Expired - Fee Related JP3545123B2 (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | ウエハ加熱器用成膜防護具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3545123B2 (ja) |
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|---|---|
| JP3545123B2 (ja) | 2004-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20031127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040219 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040324 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040407 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |