JPH09199644A - 半導体コネクタ及び半導体装置 - Google Patents
半導体コネクタ及び半導体装置Info
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- JPH09199644A JPH09199644A JP2318296A JP2318296A JPH09199644A JP H09199644 A JPH09199644 A JP H09199644A JP 2318296 A JP2318296 A JP 2318296A JP 2318296 A JP2318296 A JP 2318296A JP H09199644 A JPH09199644 A JP H09199644A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上に実
装し得る半導体コネクタ及び半導体装置を実現し難かつ
た。 【解決手段】半導体素子との対向側に、半導体素子の各
電極と同じ位置関係で複数の第１の電極端子を配設する
と共に、基板との対向側に、各第１の電極端子にそれぞ
れ対応させて、マトリクス状にかつ第１の電極端子同士
の間隔に比べて広い間隔で複数の第２の電極端子を配設
し、かつ対応する第１の電極端子及び第２の電極端子同
士を導電接続手段により導電接続するようにしたことに
より、電極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上に実装
し得る半導体コネクタを実現できる。またこの半導体コ
ネクタを用いることにより電極間隔の狭い半導体素子を
容易に基板上に実装し得る半導体コネクタを実現でき
る。
装し得る半導体コネクタ及び半導体装置を実現し難かつ
た。 【解決手段】半導体素子との対向側に、半導体素子の各
電極と同じ位置関係で複数の第１の電極端子を配設する
と共に、基板との対向側に、各第１の電極端子にそれぞ
れ対応させて、マトリクス状にかつ第１の電極端子同士
の間隔に比べて広い間隔で複数の第２の電極端子を配設
し、かつ対応する第１の電極端子及び第２の電極端子同
士を導電接続手段により導電接続するようにしたことに
より、電極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上に実装
し得る半導体コネクタを実現できる。またこの半導体コ
ネクタを用いることにより電極間隔の狭い半導体素子を
容易に基板上に実装し得る半導体コネクタを実現でき
る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図４） 発明が解決しようとする課題（図４） 課題を解決するための手段（図１〜図３） 発明の実施の形態（図１〜図３） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体コネクタ及び
半導体装置に関し、例えば電極間隔の狭い半導体素子を
容易に基板上に実装し得るようにしたものである。
半導体装置に関し、例えば電極間隔の狭い半導体素子を
容易に基板上に実装し得るようにしたものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体素子を基板上にベアで実装
する実装方法の１つとしてフリツプチツプ実装法があ
る。通常、この種の実装法を用いた半導体素子の実装
は、図４に示すように、半導体素子１の各電極（以下、
これをパツドと呼ぶ）２をそれぞれ基板３の対応する電
極（以下、これをランドと呼ぶ）４に金属突起（以下、
これをバンプと呼ぶ）５を介して接合すると共に、これ
ら半導体素子１及び基板５間の隙間６に封止樹脂７を充
填するようにして行われる。
する実装方法の１つとしてフリツプチツプ実装法があ
る。通常、この種の実装法を用いた半導体素子の実装
は、図４に示すように、半導体素子１の各電極（以下、
これをパツドと呼ぶ）２をそれぞれ基板３の対応する電
極（以下、これをランドと呼ぶ）４に金属突起（以下、
これをバンプと呼ぶ）５を介して接合すると共に、これ
ら半導体素子１及び基板５間の隙間６に封止樹脂７を充
填するようにして行われる。
【０００４】かくしてこの種の実装法においては、封止
樹脂７によつて半導体素子１を外部環境から保護し得る
と共に、当該封止樹脂７によつて半導体素子１及び基板
５間の熱膨張差を吸収し得るため、半導体素子１を基板
５上に信頼性高く実装し得る利点がある。
樹脂７によつて半導体素子１を外部環境から保護し得る
と共に、当該封止樹脂７によつて半導体素子１及び基板
５間の熱膨張差を吸収し得るため、半導体素子１を基板
５上に信頼性高く実装し得る利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年、半導体
素子１においては、形成される集積回路（ＩＣ）の高性
能化及びコストダウンのためにフアインプロセス化され
ており、大きさもますます小型化してきている。ところ
が半導体素子１においては、小型化に反して、形成され
るＩＣの高性能化に伴つて信号線の数が増加する傾向に
あり、このため限られたチツプサイズ内に数多くのパツ
ド２を設けるためにその間隔をさらに狭くする必要が生
じてきている。
素子１においては、形成される集積回路（ＩＣ）の高性
能化及びコストダウンのためにフアインプロセス化され
ており、大きさもますます小型化してきている。ところ
が半導体素子１においては、小型化に反して、形成され
るＩＣの高性能化に伴つて信号線の数が増加する傾向に
あり、このため限られたチツプサイズ内に数多くのパツ
ド２を設けるためにその間隔をさらに狭くする必要が生
じてきている。
【０００６】従つて近年では、このような半導体素子１
のパツド間隔のフアイン化に対応させて、この種の半導
体素子１をフリツプチツプ実装する基板５側のランド間
隔も狭くする必要性が生じてきた。しかしながら、基板
５のランド間隔をさらに狭めるためには、技術的な問題
やコスト的な問題がある。
のパツド間隔のフアイン化に対応させて、この種の半導
体素子１をフリツプチツプ実装する基板５側のランド間
隔も狭くする必要性が生じてきた。しかしながら、基板
５のランド間隔をさらに狭めるためには、技術的な問題
やコスト的な問題がある。
【０００７】実際上、現在実用化されている基板５のラ
ンド間隔は200 〔μm 〕であり、これ以上にランド間隔
を狭めるためには基板５に対するより精度の高いパター
ニング技術を開発する必要がある。これは基板５にラン
ド４を形成する際、精度良くレジストパターンを形成で
きないと、基板５のランド４を所望する幅や形に形成す
ることができず、この結果半導体素子１の各バンプ３と
基板１の対応するランド４との間に接続不良（未接続や
隣接ランドとの短絡）を発生させるおそれがあることに
よる。
ンド間隔は200 〔μm 〕であり、これ以上にランド間隔
を狭めるためには基板５に対するより精度の高いパター
ニング技術を開発する必要がある。これは基板５にラン
ド４を形成する際、精度良くレジストパターンを形成で
きないと、基板５のランド４を所望する幅や形に形成す
ることができず、この結果半導体素子１の各バンプ３と
基板１の対応するランド４との間に接続不良（未接続や
隣接ランドとの短絡）を発生させるおそれがあることに
よる。
【０００８】また例えば上述のような技術的な問題を解
決することができたとしても、ランドパターンの微細化
に応じてこれ以外のパターン部分も微細化された基板５
を必要とするため、基板５のコストアツプを避けえない
問題があつた。
決することができたとしても、ランドパターンの微細化
に応じてこれ以外のパターン部分も微細化された基板５
を必要とするため、基板５のコストアツプを避けえない
問題があつた。
【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、電極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上に実装し
得る半導体コネクタ及び半導体装置を提案しようとする
ものである。
で、電極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上に実装し
得る半導体コネクタ及び半導体装置を提案しようとする
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第１の発明においては、半導体素子との対向側に、半
導体素子の各電極と同じ位置関係で配設された複数の第
１の電極端子と、基板との対向側に、各第１の電極端子
にそれぞれ対応させて、マトリクス状にかつ第１の電極
端子同士の間隔に比べて広い間隔で配設された複数の第
２の電極端子と、対応する第１の電極端子及び第２の電
極端子同士を導電接続する導電接続手段とで半導体コネ
クタを構成するようにした。
め第１の発明においては、半導体素子との対向側に、半
導体素子の各電極と同じ位置関係で配設された複数の第
１の電極端子と、基板との対向側に、各第１の電極端子
にそれぞれ対応させて、マトリクス状にかつ第１の電極
端子同士の間隔に比べて広い間隔で配設された複数の第
２の電極端子と、対応する第１の電極端子及び第２の電
極端子同士を導電接続する導電接続手段とで半導体コネ
クタを構成するようにした。
【００１１】また第２の発明においては、半導体素子と
の対向側に、半導体素子の各電極と同じ位置関係で配設
された複数の第１の電極端子と、基板との対向側に、各
第１の電極端子にそれぞれ対応させて、マトリクス状に
かつ第１の電極端子同士の間隔に比べて広い間隔で配設
された複数の第２の電極端子と、対応する第１の電極端
子及び第２の電極端子同士を導電接続する導電接続手段
と、半導体素子の各電極が形成された一面を固着するた
めの第１の固着面と有する半導体コネクタを形成し、当
該半導体コネクタの各第１の電極端子がそれぞれ半導体
素子の対応する電極と接触した状態で半導体素子の一面
を半導体コネクタの第１の固着面に熱硬化性樹脂によつ
て固着するようにして半導体装置を構成するようにし
た。
の対向側に、半導体素子の各電極と同じ位置関係で配設
された複数の第１の電極端子と、基板との対向側に、各
第１の電極端子にそれぞれ対応させて、マトリクス状に
かつ第１の電極端子同士の間隔に比べて広い間隔で配設
された複数の第２の電極端子と、対応する第１の電極端
子及び第２の電極端子同士を導電接続する導電接続手段
と、半導体素子の各電極が形成された一面を固着するた
めの第１の固着面と有する半導体コネクタを形成し、当
該半導体コネクタの各第１の電極端子がそれぞれ半導体
素子の対応する電極と接触した状態で半導体素子の一面
を半導体コネクタの第１の固着面に熱硬化性樹脂によつ
て固着するようにして半導体装置を構成するようにし
た。
【００１２】この場合第１の発明においては、基板の各
電極と接続される第２の電極端子がマトリクス状にかつ
第１の電極端子同士の間隔によりも広い間隔で配列され
ているため、基板に形成する電極の間隔を半導体素子の
電極間隔以上にすることができる。
電極と接続される第２の電極端子がマトリクス状にかつ
第１の電極端子同士の間隔によりも広い間隔で配列され
ているため、基板に形成する電極の間隔を半導体素子の
電極間隔以上にすることができる。
【００１３】また第２の発明においては、第１の発明の
半導体コネクタを用いて半導体装置を構築しているた
め、常に電極間隔を広くすることができる。
半導体コネクタを用いて半導体装置を構築しているた
め、常に電極間隔を広くすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１５】図１（Ａ）〜（Ｃ）において、１０は全体
として本発明による半導体コネクタを示し、変換基板１
１の一面１１Ａ及び他面１１Ｂにそれぞれ第１又は第２
のガイドプレート１２、１３が固着されている。第１の
ガイドプレート１２においては、図１（Ａ）及び（Ｂ）
からも明らかなように、所定の半導体素子の各パツドと
同じ位置関係で複数の貫通孔１２Ａが穿設され、これら
各貫通孔１２Ａ内にそれぞれ金属材からなるボール１４
が金属材からなるコイルばね１５により外方向に付勢さ
れた状態で収納されている。
として本発明による半導体コネクタを示し、変換基板１
１の一面１１Ａ及び他面１１Ｂにそれぞれ第１又は第２
のガイドプレート１２、１３が固着されている。第１の
ガイドプレート１２においては、図１（Ａ）及び（Ｂ）
からも明らかなように、所定の半導体素子の各パツドと
同じ位置関係で複数の貫通孔１２Ａが穿設され、これら
各貫通孔１２Ａ内にそれぞれ金属材からなるボール１４
が金属材からなるコイルばね１５により外方向に付勢さ
れた状態で収納されている。
【００１６】このため第１のガイドプレート１２におい
ては、各貫通孔１２Ａの入口の口径がそれぞれボール１
４の径に比べて僅かに小さく選定されており、これによ
り各貫通孔１２Ａ内にそれぞれ収納されたボール１４
を、その一部が貫通孔１２Ａの入口から僅かに突出する
ように、かつその状態において自在に転がり動く（転
動）ことができるように保持し得るようになされてい
る。
ては、各貫通孔１２Ａの入口の口径がそれぞれボール１
４の径に比べて僅かに小さく選定されており、これによ
り各貫通孔１２Ａ内にそれぞれ収納されたボール１４
を、その一部が貫通孔１２Ａの入口から僅かに突出する
ように、かつその状態において自在に転がり動く（転
動）ことができるように保持し得るようになされてい
る。
【００１７】また第２のガイドプレート１３において
は、図１（Ｂ）及び（Ｃ）からも明らかなように、マト
リスク状にかつ第１のガイドプレート１２の各貫通孔１
２Ａの間隔よりも広い間隔で複数の貫通孔１３Ａが穿設
され、これら各貫通孔１３Ａ内にそれぞれ金属材からな
るボール１６が金属材からなるコイルばね１７により外
方向に付勢された状態で収納されている。
は、図１（Ｂ）及び（Ｃ）からも明らかなように、マト
リスク状にかつ第１のガイドプレート１２の各貫通孔１
２Ａの間隔よりも広い間隔で複数の貫通孔１３Ａが穿設
され、これら各貫通孔１３Ａ内にそれぞれ金属材からな
るボール１６が金属材からなるコイルばね１７により外
方向に付勢された状態で収納されている。
【００１８】このため第２のガイドプレート１３におい
ても、各貫通孔１３Ａの入口の口径がそれぞれボール１
６の径に比べて僅かに小さく選定されており、これによ
り各貫通孔１３Ａ内に収納されたボール１６を、その一
部が貫通孔１３Ａの入口から僅かに突出するように、か
つその状態において自在に転動し得るように保持し得る
ようになされている。
ても、各貫通孔１３Ａの入口の口径がそれぞれボール１
６の径に比べて僅かに小さく選定されており、これによ
り各貫通孔１３Ａ内に収納されたボール１６を、その一
部が貫通孔１３Ａの入口から僅かに突出するように、か
つその状態において自在に転動し得るように保持し得る
ようになされている。
【００１９】一方変換基板１１においては、図２及び図
３に示すように、一面１１Ａに第１のガイドプレート１
２の各貫通孔１２Ａと同じ位置関係で複数の第１のラン
ド２０が形成されると共に、他面１１Ｂには第２のガイ
ドプレート１３の各貫通孔１３Ａと同じ位置関係で複数
の第２のランド２１が形成されており、各第１のランド
２０がそれぞれ対応する第２のランド２１と内部に形成
された配線２２（図１（Ｂ））及び他面１１Ａ側に形成
された対応する配線ライン２３を順次通じて電気的に接
続されている。
３に示すように、一面１１Ａに第１のガイドプレート１
２の各貫通孔１２Ａと同じ位置関係で複数の第１のラン
ド２０が形成されると共に、他面１１Ｂには第２のガイ
ドプレート１３の各貫通孔１３Ａと同じ位置関係で複数
の第２のランド２１が形成されており、各第１のランド
２０がそれぞれ対応する第２のランド２１と内部に形成
された配線２２（図１（Ｂ））及び他面１１Ａ側に形成
された対応する配線ライン２３を順次通じて電気的に接
続されている。
【００２０】これによりこの半導体コネクタ１０におい
ては、変換基板１１の一面１１Ａ側に配設されたボール
１４及びコイルばね１５からなる各第１の電極端子３０
と、変換基板１１の他面１１Ｂ側に配設されたボール１
６及びコイルばね１７からなる対応する第２の電極端子
３１とをそれぞれコイルばね１５、１７及び変換基板１
１を介して導通接続し得るようになされている。この実
施例の場合、第１のガイドプレート１２の上面１２Ｂ
（以下、これを第１の固着面１２Ｂと呼ぶ）には図示し
ない熱硬化性樹脂が塗布されている。
ては、変換基板１１の一面１１Ａ側に配設されたボール
１４及びコイルばね１５からなる各第１の電極端子３０
と、変換基板１１の他面１１Ｂ側に配設されたボール１
６及びコイルばね１７からなる対応する第２の電極端子
３１とをそれぞれコイルばね１５、１７及び変換基板１
１を介して導通接続し得るようになされている。この実
施例の場合、第１のガイドプレート１２の上面１２Ｂ
（以下、これを第１の固着面１２Ｂと呼ぶ）には図示し
ない熱硬化性樹脂が塗布されている。
【００２１】これによりこの半導体コネクタ１０におい
ては、半導体素子を各パツドがそれぞれ対応する第１の
電極端子３０と接触するように第１の固着面１２Ｂ上に
位置決めしてマウントした後、この半導体素子をヒート
ツール等を用いて第１の固着面１２Ｂに押しつけながら
熱硬化性接着剤を加熱し、硬化させることによつて、容
易にこの半導体素子を各パツドがそれぞれ対応する第１
の電極端子３０と電気的に接続された状態に固着し得る
ようになされている。またこの実施例の場合、第２のガ
イドプレート１３の下面１３Ｂ（以下、これを第２の固
着面１３Ｂと呼ぶ）には図示しない熱可塑性樹脂が塗布
されている。
ては、半導体素子を各パツドがそれぞれ対応する第１の
電極端子３０と接触するように第１の固着面１２Ｂ上に
位置決めしてマウントした後、この半導体素子をヒート
ツール等を用いて第１の固着面１２Ｂに押しつけながら
熱硬化性接着剤を加熱し、硬化させることによつて、容
易にこの半導体素子を各パツドがそれぞれ対応する第１
の電極端子３０と電気的に接続された状態に固着し得る
ようになされている。またこの実施例の場合、第２のガ
イドプレート１３の下面１３Ｂ（以下、これを第２の固
着面１３Ｂと呼ぶ）には図示しない熱可塑性樹脂が塗布
されている。
【００２２】これによりこの半導体コネクタ１０におい
ては、各第２の電極端子３１がそれぞれ基板の対応する
ランドと接触するように基板上に位置決めしてマウント
した後、当該半導体コネクタ１０を基板に押しつけなが
ら熱可塑性接着剤を加熱し、さらにその状態を保持した
まま冷却することによつて、当該半導体コネクタ１０を
容易に各第２の電極端子３１がそれぞれ対応する基板の
ランドと電気的に接続された状態に基板上に固着し得る
ようになされている。
ては、各第２の電極端子３１がそれぞれ基板の対応する
ランドと接触するように基板上に位置決めしてマウント
した後、当該半導体コネクタ１０を基板に押しつけなが
ら熱可塑性接着剤を加熱し、さらにその状態を保持した
まま冷却することによつて、当該半導体コネクタ１０を
容易に各第２の電極端子３１がそれぞれ対応する基板の
ランドと電気的に接続された状態に基板上に固着し得る
ようになされている。
【００２３】さらにこの実施例の場合、図１（Ｂ）から
も明らかなように、基板の各ランドとそれぞれ接触する
各ボールは、半導体素子の各パツドとそれぞれ接触する
各ボールによりも径が大きく選定されている。これによ
りこの半導体コネクタ１０においては、温度変化に伴う
基板との間の熱膨張のより大きなストレスに耐え得るよ
うになされ、これにより第２の電極端子３１と基板のラ
ンドとの電気的な接続の信頼性を向上させ得るようにな
されている。
も明らかなように、基板の各ランドとそれぞれ接触する
各ボールは、半導体素子の各パツドとそれぞれ接触する
各ボールによりも径が大きく選定されている。これによ
りこの半導体コネクタ１０においては、温度変化に伴う
基板との間の熱膨張のより大きなストレスに耐え得るよ
うになされ、これにより第２の電極端子３１と基板のラ
ンドとの電気的な接続の信頼性を向上させ得るようにな
されている。
【００２４】以上の構成において、この半導体コネクタ
１０を用いて半導体素子を基板上の対応する位置に実装
する場合、まず半導体素子を上述のようにして第１の固
着面１２Ｂ上に各パツドがそれぞれ対応する第１の電極
端子３０のボール１４と接触（電気的に接続）するよう
に固着する。
１０を用いて半導体素子を基板上の対応する位置に実装
する場合、まず半導体素子を上述のようにして第１の固
着面１２Ｂ上に各パツドがそれぞれ対応する第１の電極
端子３０のボール１４と接触（電気的に接続）するよう
に固着する。
【００２５】次いでこの一体になつた半導体コネクタ１
０及び半導体素子からなる半導体ユニツトをヒートツー
ルを有するメカニカルチヤツクによりチヤツキングし、
その状態でこの半導体ユニツトを基板上の対応する位置
に、第２の電極端子３１の各ボール１６がそれぞれ基板
の対応するランドと接触するように位置決めしてマウン
トする。
０及び半導体素子からなる半導体ユニツトをヒートツー
ルを有するメカニカルチヤツクによりチヤツキングし、
その状態でこの半導体ユニツトを基板上の対応する位置
に、第２の電極端子３１の各ボール１６がそれぞれ基板
の対応するランドと接触するように位置決めしてマウン
トする。
【００２６】この場合例えば10〔mm〕四方の半導体素子
から100 本の信号線を取り出して半導体コネクタの裏面
側（すなわち変換基板１１の他面１１Ｂ側）にマトリク
ス状に再配線したとしても外周部のデツドスペースを除
いて第２の電極端子３１を0.8 〔mm〕間隔で配置するこ
とができ、従つてメカニカルチヤツクにより中心を求め
ても実用上十分な精度を得ることができる。
から100 本の信号線を取り出して半導体コネクタの裏面
側（すなわち変換基板１１の他面１１Ｂ側）にマトリク
ス状に再配線したとしても外周部のデツドスペースを除
いて第２の電極端子３１を0.8 〔mm〕間隔で配置するこ
とができ、従つてメカニカルチヤツクにより中心を求め
ても実用上十分な精度を得ることができる。
【００２７】続いてこの半導体ユニツトをメカニカルチ
ヤツクのヒートツールを用いて基板に押しつけながら加
熱することにより熱可塑性接着剤を加熱し、さらにその
状態を保持したまま半導体ユニツトを冷却することによ
り、当該半導体ユニツトを基板上に第２の電極端子３１
の各ボール１６がそれぞれ対応するランドと接触した状
態に固着する。
ヤツクのヒートツールを用いて基板に押しつけながら加
熱することにより熱可塑性接着剤を加熱し、さらにその
状態を保持したまま半導体ユニツトを冷却することによ
り、当該半導体ユニツトを基板上に第２の電極端子３１
の各ボール１６がそれぞれ対応するランドと接触した状
態に固着する。
【００２８】これにより半導体素子の各パツドをそれぞ
れ基板の対応するランドと半導体ユニツトを介して電気
的に接続することができ、かくして当該半導体素子を基
板上に実装することができる。ここでこの半導体コネク
タ１０の場合、基板の各ランドと接続される各第２の電
極端子３１は、上述のように変換基板１１の他面１１Ｂ
側にマトリクス状に再配列されているため、第２の電極
端子３１の間隔を第１の電極端子３０の間隔に比べて十
分に広くとることができ、その分加工精度の高い基板で
なくとも全ての各第２の電極端子３１をそれぞれ容易か
つ確実に基板の対応するランドと接続することができ
る。
れ基板の対応するランドと半導体ユニツトを介して電気
的に接続することができ、かくして当該半導体素子を基
板上に実装することができる。ここでこの半導体コネク
タ１０の場合、基板の各ランドと接続される各第２の電
極端子３１は、上述のように変換基板１１の他面１１Ｂ
側にマトリクス状に再配列されているため、第２の電極
端子３１の間隔を第１の電極端子３０の間隔に比べて十
分に広くとることができ、その分加工精度の高い基板で
なくとも全ての各第２の電極端子３１をそれぞれ容易か
つ確実に基板の対応するランドと接続することができ
る。
【００２９】またこの半導体コネクタ１０の場合、第１
又は第２の電極端子３０、３１をそれぞれ構成する第１
及び第２のボール１４、１６が、それぞれ第１又は第２
のガイドプレート１２、１３の各貫通孔１２Ａ、１３Ａ
内に嵌め込まれると共に対応するコイルばね１５、１７
により外方向に付勢されており、このため各第１及び第
２の電極端子３０、３１がそれぞれ独立に変換基板１１
と半導体素子又は基板に基板に近接する方向に弾力をも
つて移動することができる。従つてこの半導体コネクタ
１０においては、例えば平坦度の悪い基板や半導体素子
の各ランド又は各パツドに対して対応する第１又は第２
の電極端子３０、３１を確実に接続することができる。
又は第２の電極端子３０、３１をそれぞれ構成する第１
及び第２のボール１４、１６が、それぞれ第１又は第２
のガイドプレート１２、１３の各貫通孔１２Ａ、１３Ａ
内に嵌め込まれると共に対応するコイルばね１５、１７
により外方向に付勢されており、このため各第１及び第
２の電極端子３０、３１がそれぞれ独立に変換基板１１
と半導体素子又は基板に基板に近接する方向に弾力をも
つて移動することができる。従つてこの半導体コネクタ
１０においては、例えば平坦度の悪い基板や半導体素子
の各ランド又は各パツドに対して対応する第１又は第２
の電極端子３０、３１を確実に接続することができる。
【００３０】さらにこの半導体コネクタ１０において
は、上述のように第１及び第２の電極端子３０、３１が
それぞれ独立に変換基板１１と垂直な方向に移動するよ
うに第１又は第２のガイドプレート１２、１３の対応す
る貫通孔１２Ａ、１３Ａによつてガイドされるため、各
第１、第２の電極端子３０、３１の屈曲に起因する隣接
する第１又は第２の電極端子３０、３１同士の短絡や、
半導体素子のパツド又は基板のランドとの接触不良が発
生するのを確実に防止でき、かくしてより信頼性高く半
導体素子と基板との接続を行うことができる。
は、上述のように第１及び第２の電極端子３０、３１が
それぞれ独立に変換基板１１と垂直な方向に移動するよ
うに第１又は第２のガイドプレート１２、１３の対応す
る貫通孔１２Ａ、１３Ａによつてガイドされるため、各
第１、第２の電極端子３０、３１の屈曲に起因する隣接
する第１又は第２の電極端子３０、３１同士の短絡や、
半導体素子のパツド又は基板のランドとの接触不良が発
生するのを確実に防止でき、かくしてより信頼性高く半
導体素子と基板との接続を行うことができる。
【００３１】さらにこの半導体コネクタ１０の場合、各
第１及び第２の電極端子３０、３１がそれぞれボール１
４、１６及びコイルばね１５、１７による加圧滑り構成
を有しているため、当該半導体コネクタ１０及び半導体
素子間や、半導体コネクタ１０及び基板間に熱膨張差に
よる位置ずれが生じた場合においても、半導体コネクタ
１０及び半導体素子間や、半導体コネクタ１０及び基板
間の接続部分の電気的な接続をボール１４、１６の回転
により保つことができる。従つてより信頼性高く半導体
素子と基板との接続を行うことができる。
第１及び第２の電極端子３０、３１がそれぞれボール１
４、１６及びコイルばね１５、１７による加圧滑り構成
を有しているため、当該半導体コネクタ１０及び半導体
素子間や、半導体コネクタ１０及び基板間に熱膨張差に
よる位置ずれが生じた場合においても、半導体コネクタ
１０及び半導体素子間や、半導体コネクタ１０及び基板
間の接続部分の電気的な接続をボール１４、１６の回転
により保つことができる。従つてより信頼性高く半導体
素子と基板との接続を行うことができる。
【００３２】さらにこの半導体コネクタ１０において
は、半導体素子との固着面（すなわち第１の固着面１２
Ａ）に熱硬化性樹脂を塗布しているため温度の高い環境
下においても信頼性の高い接続を得られ、また基板との
固着面（すなわち第２の固着面１３Ａ）に熱可塑性樹脂
を塗布しているため、半導体素子が不良となつた場合に
当該半導体コネクタ１０を介して第２の熱可塑性樹脂を
加熱することにより容易に半導体素子を基板上から取り
外すことができる。
は、半導体素子との固着面（すなわち第１の固着面１２
Ａ）に熱硬化性樹脂を塗布しているため温度の高い環境
下においても信頼性の高い接続を得られ、また基板との
固着面（すなわち第２の固着面１３Ａ）に熱可塑性樹脂
を塗布しているため、半導体素子が不良となつた場合に
当該半導体コネクタ１０を介して第２の熱可塑性樹脂を
加熱することにより容易に半導体素子を基板上から取り
外すことができる。
【００３３】以上の構成によれば、変換基板１１の一面
１１Ａに半導体素子の各パツド位置にそれぞれ対応させ
て貫通孔１２Ａが穿設された第１のガイドプレート１２
Ａを固着すると共に、当該変換基板１１の他面１１Ｂに
第１のガイドプレート１２の各貫通孔１２Ａにそれぞれ
対応させてマトリクス状に貫通孔１３Ａが穿設された第
２のガイドプレート１３を固着し、第１及び第２のガイ
ドプレート１２、１３の各貫通孔１２Ａ、１３Ａ内にそ
れぞれ配設された第１又は第２の電極端子３０、３１の
対応するもの同士をそれぞれ変換基板１１を介して導電
接続するようにしたことにより、半導体素子のパツド間
隔が狭い場合においても、また基板の加工精度に関わり
なく半導体素子の各パツドをそれぞれ確実に基板の対応
するランドと電気的に接続することができ、かくして電
極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上に実装し得る半
導体コネクタを実現できる。
１１Ａに半導体素子の各パツド位置にそれぞれ対応させ
て貫通孔１２Ａが穿設された第１のガイドプレート１２
Ａを固着すると共に、当該変換基板１１の他面１１Ｂに
第１のガイドプレート１２の各貫通孔１２Ａにそれぞれ
対応させてマトリクス状に貫通孔１３Ａが穿設された第
２のガイドプレート１３を固着し、第１及び第２のガイ
ドプレート１２、１３の各貫通孔１２Ａ、１３Ａ内にそ
れぞれ配設された第１又は第２の電極端子３０、３１の
対応するもの同士をそれぞれ変換基板１１を介して導電
接続するようにしたことにより、半導体素子のパツド間
隔が狭い場合においても、また基板の加工精度に関わり
なく半導体素子の各パツドをそれぞれ確実に基板の対応
するランドと電気的に接続することができ、かくして電
極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上に実装し得る半
導体コネクタを実現できる。
【００３４】なお上述の実施例においては、本発明によ
る半導体コネクタ１０を図１（Ａ）〜（Ｃ）のように構
成するようにした場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、要は、半導体素子との対向側に、半導体素子
の各電極と同じ位置関係で配設された複数の第１の電極
端子と、基板との対向側に、各第１の電極端子にそれぞ
れ対応させて、マトリクス状にかつ第１の電極端子同士
の間隔に比べて広い間隔でそれぞれ配設された複数の第
２の電極端子と、対応する第１の電極端子及び第２の電
極端子同士を導電接続する導電接続手段とを設け、各第
１の電極端子をそれぞれ半導体素子の対応する電極と接
触させると共に、各第２の電極端子をそれぞれ基板の対
応する電極と接触させることにより、半導体素子の各電
極と基板の対応する電極とをそれぞれ電気的に接続する
ように半導体コネクタを構築するのであれば、半導体コ
ネクタ１０の構成としては、図１（Ａ）〜（Ｃ）以外の
構成を適用することができる。
る半導体コネクタ１０を図１（Ａ）〜（Ｃ）のように構
成するようにした場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、要は、半導体素子との対向側に、半導体素子
の各電極と同じ位置関係で配設された複数の第１の電極
端子と、基板との対向側に、各第１の電極端子にそれぞ
れ対応させて、マトリクス状にかつ第１の電極端子同士
の間隔に比べて広い間隔でそれぞれ配設された複数の第
２の電極端子と、対応する第１の電極端子及び第２の電
極端子同士を導電接続する導電接続手段とを設け、各第
１の電極端子をそれぞれ半導体素子の対応する電極と接
触させると共に、各第２の電極端子をそれぞれ基板の対
応する電極と接触させることにより、半導体素子の各電
極と基板の対応する電極とをそれぞれ電気的に接続する
ように半導体コネクタを構築するのであれば、半導体コ
ネクタ１０の構成としては、図１（Ａ）〜（Ｃ）以外の
構成を適用することができる。
【００３５】従つて第１及び第２の電極端子をボール１
４、１６及びコイルばね１５、１７以外のもので構成す
るようにしても良く、また導電接続手段を変換基板１１
以外のもので構成するようにしても良い。
４、１６及びコイルばね１５、１７以外のもので構成す
るようにしても良く、また導電接続手段を変換基板１１
以外のもので構成するようにしても良い。
【００３６】また上述の実施例においては、第１又は第
２の電極端子３０、３１の各ボール１４、１６を、それ
ぞれ第１又は第２のガイドプレート１２、１３の各貫通
孔１２Ａ、１３Ａ内に嵌め込むと共に、これらをそれぞ
れ対応するコイルばね１５、１７により外方向に付勢す
ることにより、各第１及び第２の電極端子３０、３１が
それぞれ独立に変換基板１１と半導体素子又は基板に基
板に近接する方向に弾力をもつて移動し得るようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、第１及
び第２の電極端子３０、３１のいずれか一方だけが半導
体素子又は基板に近接する方向に弾力を有するようにし
ても良く、また各第１及び第２の電極端子３０、３１の
各ボール１４、１６を付勢する付勢手段としてコイルば
ね１５、１７以外のものを適用するようにしても良い。
なお付勢手段を金属材以外のものを用いて構成するよう
にしても良く、この場合にはボール１５、１７を直接変
換基板１１の対応するランド２０、２１に配線等により
接続するようにすれば良い。
２の電極端子３０、３１の各ボール１４、１６を、それ
ぞれ第１又は第２のガイドプレート１２、１３の各貫通
孔１２Ａ、１３Ａ内に嵌め込むと共に、これらをそれぞ
れ対応するコイルばね１５、１７により外方向に付勢す
ることにより、各第１及び第２の電極端子３０、３１が
それぞれ独立に変換基板１１と半導体素子又は基板に基
板に近接する方向に弾力をもつて移動し得るようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、第１及
び第２の電極端子３０、３１のいずれか一方だけが半導
体素子又は基板に近接する方向に弾力を有するようにし
ても良く、また各第１及び第２の電極端子３０、３１の
各ボール１４、１６を付勢する付勢手段としてコイルば
ね１５、１７以外のものを適用するようにしても良い。
なお付勢手段を金属材以外のものを用いて構成するよう
にしても良く、この場合にはボール１５、１７を直接変
換基板１１の対応するランド２０、２１に配線等により
接続するようにすれば良い。
【００３７】さらに上述の実施例においては、第１及び
第２の電極端子３０、３１が屈曲しないように第１、第
２の電極端子同士の位置関係を保つようにこれら第１及
び第２の電極端子３０、３１を保持する保持手段として
第１又は第２のガイドプレート１２、１３を適用するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、この他種々の保持手段を適用できる。
第２の電極端子３０、３１が屈曲しないように第１、第
２の電極端子同士の位置関係を保つようにこれら第１及
び第２の電極端子３０、３１を保持する保持手段として
第１又は第２のガイドプレート１２、１３を適用するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、この他種々の保持手段を適用できる。
【００３８】さらに上述の実施例においては、半導体コ
ネクタ１０の第１の固着面１２Ｂに熱硬化性樹脂を塗布
し、第２の固着面１３Ｂに熱可塑性樹脂を塗布するよう
にした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
第１及び又は第２の固着面１２Ｂ、１３Ｂに熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂以外の半導体コネクタ１０と半導体素
子又は基板とを固着し得るような固着手段を塗布するよ
うにしても良い。
ネクタ１０の第１の固着面１２Ｂに熱硬化性樹脂を塗布
し、第２の固着面１３Ｂに熱可塑性樹脂を塗布するよう
にした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
第１及び又は第２の固着面１２Ｂ、１３Ｂに熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂以外の半導体コネクタ１０と半導体素
子又は基板とを固着し得るような固着手段を塗布するよ
うにしても良い。
【００３９】
【発明の効果】上述のように第１の発明によれば、半導
体素子との対向側に、半導体素子の各電極と同じ位置関
係で複数の第１の電極端子を配設すると共に、基板との
対向側に、各第１の電極端子にそれぞれ対応させて、マ
トリクス状にかつ第１の電極端子同士の間隔に比べて広
い間隔で複数の第２の電極端子を配設し、かつ対応する
第１の電極端子及び第２の電極端子同士を導電接続手段
により導電接続するようにしたことにより、基板に形成
する電極の間隔を半導体素子の電極間隔以上にすること
ができ、かくして電極間隔の狭い半導体素子を容易に基
板上に実装し得る半導体コネクタを実現できる。
体素子との対向側に、半導体素子の各電極と同じ位置関
係で複数の第１の電極端子を配設すると共に、基板との
対向側に、各第１の電極端子にそれぞれ対応させて、マ
トリクス状にかつ第１の電極端子同士の間隔に比べて広
い間隔で複数の第２の電極端子を配設し、かつ対応する
第１の電極端子及び第２の電極端子同士を導電接続手段
により導電接続するようにしたことにより、基板に形成
する電極の間隔を半導体素子の電極間隔以上にすること
ができ、かくして電極間隔の狭い半導体素子を容易に基
板上に実装し得る半導体コネクタを実現できる。
【００４０】また第２の発明においては、第１の発明の
半導体コネクタを用いて半導体装置を構築するようにし
たことにより、第１の発明と同様に、基板に形成する電
極の間隔を半導体素子の電極間隔以上にすることがで
き、かくして電極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上
に実装し得る半導体コネクタを実現できる。
半導体コネクタを用いて半導体装置を構築するようにし
たことにより、第１の発明と同様に、基板に形成する電
極の間隔を半導体素子の電極間隔以上にすることがで
き、かくして電極間隔の狭い半導体素子を容易に基板上
に実装し得る半導体コネクタを実現できる。
【図１】実施例による半導体コネクタの全体構成を示す
上面図、断面図及び下面図である。
上面図、断面図及び下面図である。
【図２】変換基板の一面を示す斜視図である。
【図３】変換基板の他面を示す斜視図である。
【図４】従来のフリツプチツプ実装の説明に供する断面
図である。
図である。
１０……半導体コネクタ、１１……変換基板、１２、１
３……ガイドプレート、１２Ａ、１３Ａ……貫通孔、１
２Ｂ、１３Ｂ……固着面、１４、１６……ボール、１
５、１７……コイルばね、３０、３１……電極端子。
３……ガイドプレート、１２Ａ、１３Ａ……貫通孔、１
２Ｂ、１３Ｂ……固着面、１４、１６……ボール、１
５、１７……コイルばね、３０、３１……電極端子。
Claims (13)
- 【請求項１】半導体素子及び当該半導体素子を実装する
基板間に配置され、上記半導体素子の各電極と上記基板
の対応する電極とをそれぞれ電気的に接続する半導体コ
ネクタにおいて、 上記半導体素子との対向側に、上記半導体素子の各上記
電極と同じ位置関係で配設された複数の第１の電極端子
と、 上記基板との対向側に、各上記第１の電極端子にそれぞ
れ対応させて、マトリクス状にかつ上記第１の電極端子
同士の間隔に比べて広い間隔でそれぞれ配設された複数
の第２の電極端子と、 対応する上記第１の電極端子及び上記第２の電極端子同
士を導電接続する導電接続手段とを具え、各上記第１の
電極端子をそれぞれ上記半導体素子の対応する上記電極
と接触させると共に、各上記第２の電極端子をそれぞれ
上記基板の対応する上記電極と接触させることにより、
上記半導体素子の各上記電極と上記基板の対応する上記
電極とをそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半
導体コネクタ。 - 【請求項２】上記第２の電極端子が上記第１の電極端子
よりも大きく形成されたことを特徴とする請求項１に記
載の半導体コネクタ。 - 【請求項３】各上記第１の電極端子は上記半導体素子に
近接する方向に弾力を有し、及び又は各上記第２の電極
端子は上記基板に近接する方向に弾力を有することを特
徴とする請求項１に記載の半導体コネクタ。 - 【請求項４】各上記第１の電極端子同士及び第２の電極
端子同士の位置関係を保つように上記第１及び第２の電
極端子を保持する保持手段を具えることを特徴とする請
求項１に記載の半導体コネクタ。 - 【請求項５】上記第１及び又は第２の電極端子は、 転動自在に保持された金属材からなるボールと、 上記ボールを上記半導体素子又は上記基板に近接する方
向に付勢する付勢手段とを具えることを特徴とする請求
項１に記載の半導体コネクタ。 - 【請求項６】上記半導体素子の各上記電極が形成された
一面を固着するための第１の固着面を有し、当該第１の
固着面に熱硬化性樹脂が塗布されたことを特徴とする請
求項１に記載の半導体コネクタ。 - 【請求項７】上記基板の各上記電極が形成された一面を
固着するための第２の固着面を有し、当該第２の固着面
に熱可塑性樹脂が塗布されたことを特徴とする請求項１
に記載の半導体コネクタ。 - 【請求項８】一面に複数の電極が形成された半導体素子
と、 上記半導体素子及び当該半導体素子を実装する基板間に
おいて、上記半導体素子の各上記電極をそれぞれ上記基
板の対応する電極に電気的に接続する半導体コネクタと
を具え、 上記半導体コネクタは、 上記半導体素子との対向側に、上記半導体素子の各上記
電極と同じ位置関係で配設された複数の第１の電極端子
と、 上記基板との対向側に、各上記第１の電極端子にそれぞ
れ対応させて、マトリクス状にかつ上記第１の電極端子
同士の間隔に比べて広い間隔でそれぞれ配設された複数
の第２の電極端子と、 対応する上記第１の電極端子及び上記第２の電極端子同
士を導電接続する導電接続手段と、 上記半導体素子の上記一面を固着するための第１の固着
面とを有し、上記半導体コネクタの各上記第１の電極端
子がそれぞれ上記半導体素子の対応する上記電極と接触
した状態で上記半導体素子の上記一面が上記半導体コネ
クタの上記第１の固着面に熱硬化性樹脂によつて固着さ
れることにより上記半導体素子及び上記半導体コネクタ
が一体化されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】上記半導体コネクタは、 上記第２の電極端子が上記第１の電極端子よりも大きく
形成されたことを特徴とする請求項８に記載の半導体装
置。 - 【請求項１０】上記半導体コネクタは、 各上記第１の電極端子は上記半導体素子に近接及び離反
する方向の弾力を有し、及び又は各上記第２の電極端子
は上記基板に近接及び離反する方向の弾力を有すること
を特徴とする請求項８に記載の半導体装置。 - 【請求項１１】上記半導体コネクタは、 各上記第１の電極端子同士及び又は第２の電極端子同士
の位置関係を保つように上記第１及び又は第２の電極端
子を保持する保持手段を具えることを特徴とする請求項
８に記載の半導体装置。 - 【請求項１２】上記半導体コネクタの上記第１及び又は
第２の電極端子は、 転動自在に保持された金属材からなるボールと、 上記ボールを上記半導体素子又は上記基板に近接する方
向に付勢する付勢手段とを具えることを特徴とする請求
項８に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】上記半導体コネクタは、 上記基板の各上記電極が形成された一面を固着するため
の第２の固着面を有し、当該第２の固着面に熱可塑性樹
脂が塗布されたことを特徴とする請求項８に記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318296A JPH09199644A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 半導体コネクタ及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318296A JPH09199644A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 半導体コネクタ及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199644A true JPH09199644A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12103514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318296A Pending JPH09199644A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 半導体コネクタ及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6697261B2 (en) | 1998-07-01 | 2004-02-24 | Fujitsu Limited | Multileveled printed circuit board unit including substrate interposed between stacked bumps |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP2318296A patent/JPH09199644A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6697261B2 (en) | 1998-07-01 | 2004-02-24 | Fujitsu Limited | Multileveled printed circuit board unit including substrate interposed between stacked bumps |
| US7489518B2 (en) | 1998-07-01 | 2009-02-10 | Fujitsu Limited | Multileveled printed circuit board unit including substrate interposed between stacked bumps |
| US8089775B2 (en) | 1998-07-01 | 2012-01-03 | Fujitsu Limited | Multileveled printed circuit board unit including substrate interposed between stacked bumps |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040416 |