JPH0919505A - ガンの診断または治療装置用の光源装置 - Google Patents
ガンの診断または治療装置用の光源装置Info
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- JPH0919505A JPH0919505A JP7171098A JP17109895A JPH0919505A JP H0919505 A JPH0919505 A JP H0919505A JP 7171098 A JP7171098 A JP 7171098A JP 17109895 A JP17109895 A JP 17109895A JP H0919505 A JPH0919505 A JP H0919505A
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- pulse
- light source
- cancer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パルス光の尖頭値を確保が容易であるととも
に、パルス間隔の制御が容易なガンの診断または治療装
置用の光源装置を提供する。 【構成】 照射対象の特性に応じて、発光タイミング指
示回路２４０が、半導体レーザ１１０i （ｉ＝１〜Ｎ）
の点灯／非点灯を指示する点灯指示信号ＳＷi と、半導
体レーザ１１０i 相互の点灯タイミングを指示する遅延
指示信号ＤＬi とを生成し、スイッチ回路２２０i およ
び遅延回路２２０i へ出力する。基本タイミング回路２
１０から出力された基本タイミング信号は、こうして設
定されたスイッチ回路２２０i および遅延回路２２０i
を介して発光指示信号となり、光源部１００の半導体レ
ーザ１１０i を発振させる。半導体レーザ１１０i から
出力された光は、光伝送部３００に入力し、導波中に略
同一光路を進行する光パルス列とされた後、出力され、
照射対象物に照射される。
に、パルス間隔の制御が容易なガンの診断または治療装
置用の光源装置を提供する。 【構成】 照射対象の特性に応じて、発光タイミング指
示回路２４０が、半導体レーザ１１０i （ｉ＝１〜Ｎ）
の点灯／非点灯を指示する点灯指示信号ＳＷi と、半導
体レーザ１１０i 相互の点灯タイミングを指示する遅延
指示信号ＤＬi とを生成し、スイッチ回路２２０i およ
び遅延回路２２０i へ出力する。基本タイミング回路２
１０から出力された基本タイミング信号は、こうして設
定されたスイッチ回路２２０i および遅延回路２２０i
を介して発光指示信号となり、光源部１００の半導体レ
ーザ１１０i を発振させる。半導体レーザ１１０i から
出力された光は、光伝送部３００に入力し、導波中に略
同一光路を進行する光パルス列とされた後、出力され、
照射対象物に照射される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガンの診断または
治療を行う装置に使用されるガンの診断または治療装置
用の光源装置に属する。
治療を行う装置に使用されるガンの診断または治療装置
用の光源装置に属する。
【０００２】
【従来の技術】ガンの診断または治療装置として、ガン
に親和性をもち、かつ、所定の波長の光で励起されたと
きにガンを殺傷する効果を有する薬品を用い、この薬品
を含む細胞に所定の波長の光を照射して、ガンの診断ま
たは治療を行う装置に使用されるガンの診断または治療
装置が注目されている。
に親和性をもち、かつ、所定の波長の光で励起されたと
きにガンを殺傷する効果を有する薬品を用い、この薬品
を含む細胞に所定の波長の光を照射して、ガンの診断ま
たは治療を行う装置に使用されるガンの診断または治療
装置が注目されている。
【０００３】こうした方式を採用するガンの診断または
治療装置においては、所定の波長の光を出力する光源装
置が必須であり、こうした光源装置として、例えば、特
開昭６３−２３６４８号に開示されている光源装置があ
る。
治療装置においては、所定の波長の光を出力する光源装
置が必須であり、こうした光源装置として、例えば、特
開昭６３−２３６４８号に開示されている光源装置があ
る。
【０００４】この光源装置は、波長＝３０８ｎｍで強く
パルス発振するＸｅＣｌレーザ光により２種類の色素を
照射して得られる色素レーザ光を利用するものである。
パルス発振するＸｅＣｌレーザ光により２種類の色素を
照射して得られる色素レーザ光を利用するものである。
【０００５】そして、ガン細胞に親和性をもちかつ光に
より励起された時に蛍光発光または細胞を殺傷する性質
を有する薬品としてヘマトポルフィリン誘導体（以下Ｈ
ｐＤという）を用い、ＨｐＤが投与された細胞に光源装
置から出力される光を照射する。
より励起された時に蛍光発光または細胞を殺傷する性質
を有する薬品としてヘマトポルフィリン誘導体（以下Ｈ
ｐＤという）を用い、ＨｐＤが投与された細胞に光源装
置から出力される光を照射する。
【０００６】ＨｐＤを光により励起し、ガン細胞を殺傷
させる過程において、ＸｅＣｌレーザ光で６３０ｎｍに
発振波長のある色素レーザをＨｐＤに照射すると、Ｈｐ
Ｄは励起されて、基底状態Ｓ0 から励起状態Ｓ1 に遷移
する。次の段階で、このＳ1状態のエネルギーはＨｐＤ
の他のエネルギー状態Ｔ1 を介して細胞中の酸素にエネ
ルギーを伝達する。酸素は、このエネルギーによって一
重項状態に励起されて活性化される。そして、活性化酸
素は組織に作用し、細胞を壊死させる。
させる過程において、ＸｅＣｌレーザ光で６３０ｎｍに
発振波長のある色素レーザをＨｐＤに照射すると、Ｈｐ
Ｄは励起されて、基底状態Ｓ0 から励起状態Ｓ1 に遷移
する。次の段階で、このＳ1状態のエネルギーはＨｐＤ
の他のエネルギー状態Ｔ1 を介して細胞中の酸素にエネ
ルギーを伝達する。酸素は、このエネルギーによって一
重項状態に励起されて活性化される。そして、活性化酸
素は組織に作用し、細胞を壊死させる。
【０００７】上記過程において励起状態Ｓ1 に励起され
たＨｐＤが下位のエネルギー状態である基底状態Ｓ0 に
緩和する過程が存在する。このＳ1 →Ｓ0 という緩和過
程の緩和時間（数ｎＳｅｃと言われている）内により短
い時間間隔でレーザ光をＨｐＤに照射すればより、深い
部位までレーザ光が到達できる。この原理を実現するた
め、この光源装置では、色素レーザの光を複数の半透鏡
と複数の全反射鏡または複数の半透鏡と複数の全反射プ
リズムからなる小間隔パルス発生部に導光し、小間隔パ
ルスを得ている。
たＨｐＤが下位のエネルギー状態である基底状態Ｓ0 に
緩和する過程が存在する。このＳ1 →Ｓ0 という緩和過
程の緩和時間（数ｎＳｅｃと言われている）内により短
い時間間隔でレーザ光をＨｐＤに照射すればより、深い
部位までレーザ光が到達できる。この原理を実現するた
め、この光源装置では、色素レーザの光を複数の半透鏡
と複数の全反射鏡または複数の半透鏡と複数の全反射プ
リズムからなる小間隔パルス発生部に導光し、小間隔パ
ルスを得ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のガンの診断また
は治療装置用の光源装置は上記のように構成されるの
で、以下のような問題点があった。
は治療装置用の光源装置は上記のように構成されるの
で、以下のような問題点があった。
【０００９】（１） パルスの尖頭値が小さくなる すなわち、小間隔パルス発生部に導入されたレーザ光は
一部を透過して出射し、残りを内部で反射し、またその
一部を取出しながら小間隔パルス光を発生させているた
め、元のレーザ光に較べ、パルスの尖頭値が小さくなる
欠点がある。
一部を透過して出射し、残りを内部で反射し、またその
一部を取出しながら小間隔パルス光を発生させているた
め、元のレーザ光に較べ、パルスの尖頭値が小さくなる
欠点がある。
【００１０】（２） 小間隔パルスの間隔の設定が難し
い すなわち、パルス間隔の設定は内部の反射鏡の距離によ
り決まるため、間隔の変更には機械的な反射鏡の移動、
調整が必要である。
い すなわち、パルス間隔の設定は内部の反射鏡の距離によ
り決まるため、間隔の変更には機械的な反射鏡の移動、
調整が必要である。
【００１１】本発明は、上記を鑑みてなされたものであ
り、パルス光の尖頭値を確保が容易であるとともに、パ
ルス間隔の制御が容易なガンの診断または治療装置用の
光源装置を提供することを目的とする。
り、パルス光の尖頭値を確保が容易であるとともに、パ
ルス間隔の制御が容易なガンの診断または治療装置用の
光源装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のガンの診断また
は治療装置用の光源装置は、ガンに親和性をもち、か
つ、所定の波長の光で励起されたときにガンを殺傷する
効果を有する薬品を用い、この薬品を含む細胞に所定の
波長の光を照射して、ガンの診断または治療を行う装置
に使用されるガンの診断または治療装置用の光源装置で
あって、（ａ）所定の波長を有する光を夫々発生する、
独立駆動可能な複数のパルス光源を備える光源部と、
（ｂ）薬品が所定の波長の光で励起された後に下位のエ
ネルギ状態に遷移する緩和時間よりも短いパルス間隔で
の光源部としての光パルス列の発生を複数のパルス光源
に指示するパルス列制御部とを備えることを特徴とす
る。
は治療装置用の光源装置は、ガンに親和性をもち、か
つ、所定の波長の光で励起されたときにガンを殺傷する
効果を有する薬品を用い、この薬品を含む細胞に所定の
波長の光を照射して、ガンの診断または治療を行う装置
に使用されるガンの診断または治療装置用の光源装置で
あって、（ａ）所定の波長を有する光を夫々発生する、
独立駆動可能な複数のパルス光源を備える光源部と、
（ｂ）薬品が所定の波長の光で励起された後に下位のエ
ネルギ状態に遷移する緩和時間よりも短いパルス間隔で
の光源部としての光パルス列の発生を複数のパルス光源
に指示するパルス列制御部とを備えることを特徴とす
る。
【００１３】ここで、光パルス列の夫々の光パルスの尖
頭光強度値は互いに略同一である、ことを特徴としても
よい。この場合、複数のパルス光源は互いに略同一の
尖頭光強度値の光パルスを夫々出力し、同時にパルス
光を出力するパルス光源の数は光パルス列の夫々の光パ
ルスに関して同一であることを特徴としてもよい。
頭光強度値は互いに略同一である、ことを特徴としても
よい。この場合、複数のパルス光源は互いに略同一の
尖頭光強度値の光パルスを夫々出力し、同時にパルス
光を出力するパルス光源の数は光パルス列の夫々の光パ
ルスに関して同一であることを特徴としてもよい。
【００１４】また、時間的に後に出力される光パルス列
の光パルスほど尖頭光強度値が増加することを特徴とし
てもよい。この場合、複数のパルス光源は互いに略同
一の尖頭光強度値の光パルスを夫々出力し、同時にパ
ルス光を出力する前記パルス光源の数は時間的に後に出
力される光パルスほど増加することを特徴としてもよ
い。また、光パルス列における光パルスの尖頭光強度値
の時間的な増加は指数関数的増加であることを特徴とし
てもよい。
の光パルスほど尖頭光強度値が増加することを特徴とし
てもよい。この場合、複数のパルス光源は互いに略同
一の尖頭光強度値の光パルスを夫々出力し、同時にパ
ルス光を出力する前記パルス光源の数は時間的に後に出
力される光パルスほど増加することを特徴としてもよ
い。また、光パルス列における光パルスの尖頭光強度値
の時間的な増加は指数関数的増加であることを特徴とし
てもよい。
【００１５】また、複数のパルス光源から夫々出力され
た光パルスを入力して、略同一の光路に出力する光伝送
部を更に備えることを特徴としてもよい。
た光パルスを入力して、略同一の光路に出力する光伝送
部を更に備えることを特徴としてもよい。
【００１６】また、光源部は、パルス列制御部の制御に
よらず連続光を発生する連続光光源を更に備える、こと
を特徴としてもよい。
よらず連続光を発生する連続光光源を更に備える、こと
を特徴としてもよい。
【００１７】ガンに親和性をもち、かつ、所定の波長の
光で励起されたときにガンを殺傷する効果を有する薬品
を用い、この薬品を含む細胞に所定の波長の光を照射し
て、ガンの診断または治療を行う装置に使用される、本
発明のガンの診断または治療装置用の光源装置では、ま
ず、光パルス列制御部が、光源部として発生する光パル
ス列のパルス間隔が薬品が所定の波長の光で励起された
後に下位のエネルギ状態に遷移する緩和時間よりも短く
なる態様で、光源部の各パルス光源ごとに、発光タイミ
ングを指示する駆動指示信号（発光指示信号）を通知す
る。
光で励起されたときにガンを殺傷する効果を有する薬品
を用い、この薬品を含む細胞に所定の波長の光を照射し
て、ガンの診断または治療を行う装置に使用される、本
発明のガンの診断または治療装置用の光源装置では、ま
ず、光パルス列制御部が、光源部として発生する光パル
ス列のパルス間隔が薬品が所定の波長の光で励起された
後に下位のエネルギ状態に遷移する緩和時間よりも短く
なる態様で、光源部の各パルス光源ごとに、発光タイミ
ングを指示する駆動指示信号（発光指示信号）を通知す
る。
【００１８】駆動指示信号を受けた光源部の各パルス光
源は、駆動指示信号に応じた発光タイミングで光パルス
を発生する。
源は、駆動指示信号に応じた発光タイミングで光パルス
を発生する。
【００１９】ここで、同時に発光するパルス光源は１つ
とは限らず、都度、必要な尖頭光強度に応じて複数のパ
ルス光源の同時発光とすることが可能である。こうした
機能の実現にあたっては、複数のパルス光源は互いに略
同一の尖頭光強度値の光パルスを夫々出力することとす
ることが、同時に発光させるパルス光源の数のみの制御
で光パルス列の各光パルスの尖頭光強度値を制御できる
ので好適である。
とは限らず、都度、必要な尖頭光強度に応じて複数のパ
ルス光源の同時発光とすることが可能である。こうした
機能の実現にあたっては、複数のパルス光源は互いに略
同一の尖頭光強度値の光パルスを夫々出力することとす
ることが、同時に発光させるパルス光源の数のみの制御
で光パルス列の各光パルスの尖頭光強度値を制御できる
ので好適である。
【００２０】こうして、光源部から出力された光パルス
列が当該薬品が投与された細胞に照射される。この場
合、複数のパルス光源から夫々出力された光パルスを入
力して、当該薬品が投与された細胞へ向かう略同一の光
路に出力する光伝送部を備えることにより、光を照射し
たい細胞への照射効率が向上して好適である。
列が当該薬品が投与された細胞に照射される。この場
合、複数のパルス光源から夫々出力された光パルスを入
力して、当該薬品が投与された細胞へ向かう略同一の光
路に出力する光伝送部を備えることにより、光を照射し
たい細胞への照射効率が向上して好適である。
【００２１】早期ガンにおいては腫瘍深さが３〜４ｍｍ
と浅いため、その腫瘍深さに到達する光パルスの光頭値
になるようパルス光源を単一または複数個を同時に発光
させ、上記緩和時間内に同一尖頭値の光を順次発光させ
る。
と浅いため、その腫瘍深さに到達する光パルスの光頭値
になるようパルス光源を単一または複数個を同時に発光
させ、上記緩和時間内に同一尖頭値の光を順次発光させ
る。
【００２２】また、進行ガンにおいては、腫瘍が大きく
深いため、特に深さ方向に対し、上記ガン親和性物質の
滞留が指数関数的に減少する。この現象を補い、光パル
スの深達性を高めるため光源からのパルス光の第１番目
は早期ガンでの場合の尖頭値と同様の値になる様単一ま
たは複数個を同時に発光させ、第２番目以後は上記緩和
時間内に第１番目の尖頭値から指数関数的に増加する様
複数個の発光数を増加させる。
深いため、特に深さ方向に対し、上記ガン親和性物質の
滞留が指数関数的に減少する。この現象を補い、光パル
スの深達性を高めるため光源からのパルス光の第１番目
は早期ガンでの場合の尖頭値と同様の値になる様単一ま
たは複数個を同時に発光させ、第２番目以後は上記緩和
時間内に第１番目の尖頭値から指数関数的に増加する様
複数個の発光数を増加させる。
【００２３】なお、連続光光源を別途用意し、光パルス
列を連続光に重畳して照射することが可能である。
列を連続光に重畳して照射することが可能である。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の説明に先立
って、本発明の光源装置を利用したガンの診断または治
療の概要を説明する。
って、本発明の光源装置を利用したガンの診断または治
療の概要を説明する。
【００２５】光パルス列の発生に先立って、ガンに親和
性をもち、特定波長の光で励起されたときガンを殺傷す
る効果を有する薬品をガン細胞に投与する。こうした薬
品として、例えばＡＴＸ−Ｓ１０（東洋薄荷工業（株）
製）がある。以後、薬品としてＡＴＸ−Ｓ１０を使用し
たとして説明する。なお、ＡＴＸ−Ｓ１０における特定
波長は略６７０ｎｍである。
性をもち、特定波長の光で励起されたときガンを殺傷す
る効果を有する薬品をガン細胞に投与する。こうした薬
品として、例えばＡＴＸ−Ｓ１０（東洋薄荷工業（株）
製）がある。以後、薬品としてＡＴＸ−Ｓ１０を使用し
たとして説明する。なお、ＡＴＸ−Ｓ１０における特定
波長は略６７０ｎｍである。
【００２６】ＡＴＸ−Ｓ１０がガン細胞に投与された
後、本発明の装置によって照射対象物であるガン細胞に
光照射が行われる。図１は、本実施例の装置でのガン治
療の機序の説明図である。図１に示すように、ＡＴＸ−
Ｓ１０は、波長＝６７０ｎｍの光の照射により励起され
て、エネルギ状態Ｓ0 からエネルギ状態Ｓ1 遷移する。
エネルギ状態Ｓ1 では、他のエネルギー状態Ｔ1 を介し
て細胞中の酸素（Ｏ2 ）にエネルギが伝達される。酸素
は、伝達されたエネルギにより励起されて、一重項酸素
に遷移し、活性化される。この活性化酸素は組織に作用
し、細胞を壊死させる。これによりガンの治療が可能と
なる。
後、本発明の装置によって照射対象物であるガン細胞に
光照射が行われる。図１は、本実施例の装置でのガン治
療の機序の説明図である。図１に示すように、ＡＴＸ−
Ｓ１０は、波長＝６７０ｎｍの光の照射により励起され
て、エネルギ状態Ｓ0 からエネルギ状態Ｓ1 遷移する。
エネルギ状態Ｓ1 では、他のエネルギー状態Ｔ1 を介し
て細胞中の酸素（Ｏ2 ）にエネルギが伝達される。酸素
は、伝達されたエネルギにより励起されて、一重項酸素
に遷移し、活性化される。この活性化酸素は組織に作用
し、細胞を壊死させる。これによりガンの治療が可能と
なる。
【００２７】ところで、本発明者らは実験の結果、以下
の知見を得た。上述の過程においては、光の組織深達度
は組織の表面に近い部位に限られる。実験によればＡＴ
Ｘ−Ｓ１０は波長＝６７０ｎｍの光により、組織の表面
近いに部位が励起され、エネルギ状態Ｓ0 （基底状態）
からエネルギ状態Ｓ1 に遷移後、ガン殺傷過程Ｔ1 への
遷移と、元の基底状態Ｓ0 への緩和過程に分れる。この
基底状態Ｓ0 への緩和時間は、生体中で１０ｎｓｅｃ前
後であり、この時間内に次のレーザパルスを照射すれば
第１のパルスによる組織の表面に近い部位は透明状態と
なり、第２、第３のレーザ光はより奥の組織に到達でき
る。
の知見を得た。上述の過程においては、光の組織深達度
は組織の表面に近い部位に限られる。実験によればＡＴ
Ｘ−Ｓ１０は波長＝６７０ｎｍの光により、組織の表面
近いに部位が励起され、エネルギ状態Ｓ0 （基底状態）
からエネルギ状態Ｓ1 に遷移後、ガン殺傷過程Ｔ1 への
遷移と、元の基底状態Ｓ0 への緩和過程に分れる。この
基底状態Ｓ0 への緩和時間は、生体中で１０ｎｓｅｃ前
後であり、この時間内に次のレーザパルスを照射すれば
第１のパルスによる組織の表面に近い部位は透明状態と
なり、第２、第３のレーザ光はより奥の組織に到達でき
る。
【００２８】本発明は、上記実験で確かめられた知見を
具現化するものである。
具現化するものである。
【００２９】以下、添付図面を参照して本発明のガンの
診断または治療装置用の光源装置の実施の形態を説明す
る。なお、図面の説明にあたって同一の要素には同一の
符号を付し、重複する説明を省略する。
診断または治療装置用の光源装置の実施の形態を説明す
る。なお、図面の説明にあたって同一の要素には同一の
符号を付し、重複する説明を省略する。
【００３０】（第１実施形態）図２は、本発明に係るガ
ンの治療装置用の光源装置の第１実施形態の構成図であ
る。図２に示すように、この装置は、（ａ）出力強度＝
５００ｍＷで波長＝６７０ｎｍの光を夫々発生するＮ個
の半導体レーザ１１０1 〜１１０N と、半導体レーザ１
１０1 〜１１０N の夫々に個別に電流を供給する、電流
の供給／非供給が夫々制御可能な電源１２０1 〜１２０
N とを備えるパルス光源部１００と、（ｂ）光源部１０
０へ半導体レーザ１１０1 〜１１０N の発光タイミング
を通知する光パルス列制御部２００と、（ｃ）光源部１
００から出力された光を合成して、光パルス列を出力す
る光伝送部３００とを備える。
ンの治療装置用の光源装置の第１実施形態の構成図であ
る。図２に示すように、この装置は、（ａ）出力強度＝
５００ｍＷで波長＝６７０ｎｍの光を夫々発生するＮ個
の半導体レーザ１１０1 〜１１０N と、半導体レーザ１
１０1 〜１１０N の夫々に個別に電流を供給する、電流
の供給／非供給が夫々制御可能な電源１２０1 〜１２０
N とを備えるパルス光源部１００と、（ｂ）光源部１０
０へ半導体レーザ１１０1 〜１１０N の発光タイミング
を通知する光パルス列制御部２００と、（ｃ）光源部１
００から出力された光を合成して、光パルス列を出力す
る光伝送部３００とを備える。
【００３１】パルス列制御部２００は、半導体レーザ
１１０1 〜１１０N の点灯／非点灯を指示する点灯指示
信号ＳＷ1 〜ＳＷN と、半導体レーザ１１０1 〜１１０
N 相互の点灯タイミングを指示する遅延指示信号ＤＬ1
〜ＤＬN を出力する発光タイミング指示回路２４０と、
半導体レーザ１１０1 〜１１０N への点灯指示にあた
っての周期＝Ｔのパルス列信号である基本タイミング信
号を発生する発振器を備える基本タイミング回路２１０
と、基本タイミング回路２１０から出力された基本タ
イミング信号を夫々入力するとともに、点灯指示信号Ｓ
Ｗ1 〜ＳＷN を夫々入力し、点灯指示信号ＳＷ1 〜ＳＷ
N に応じて基本タイミング信号の通過／非通過を制御す
るスイッチ回路２２０1 〜２２０N と、スイッチ回路
２２０1〜２２０N を通過した基本タイミング信号を夫
々入力するとともに、遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN を入
力し、遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN で指示された遅延時
間だけ基本タイミング信号を遅延させて遅延信号を出力
する遅延回路２３０1 〜２３０N とを備える。
１１０1 〜１１０N の点灯／非点灯を指示する点灯指示
信号ＳＷ1 〜ＳＷN と、半導体レーザ１１０1 〜１１０
N 相互の点灯タイミングを指示する遅延指示信号ＤＬ1
〜ＤＬN を出力する発光タイミング指示回路２４０と、
半導体レーザ１１０1 〜１１０N への点灯指示にあた
っての周期＝Ｔのパルス列信号である基本タイミング信
号を発生する発振器を備える基本タイミング回路２１０
と、基本タイミング回路２１０から出力された基本タ
イミング信号を夫々入力するとともに、点灯指示信号Ｓ
Ｗ1 〜ＳＷN を夫々入力し、点灯指示信号ＳＷ1 〜ＳＷ
N に応じて基本タイミング信号の通過／非通過を制御す
るスイッチ回路２２０1 〜２２０N と、スイッチ回路
２２０1〜２２０N を通過した基本タイミング信号を夫
々入力するとともに、遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN を入
力し、遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN で指示された遅延時
間だけ基本タイミング信号を遅延させて遅延信号を出力
する遅延回路２３０1 〜２３０N とを備える。
【００３２】光伝送部３００は、半導体レーザ１１０
1 〜１１０N ごとに設置され、半導体レーザ１１０1 〜
１１０N の夫々から出射されたパルス光を集光する光学
系３１０1 〜３１０N と、光学系３１０1 〜３１０N
で集光されたパルス光を入力し、パルス光を時間的に合
成して光パルス列とするとともに、光パルス列を照射対
象物付近まで導波する光ファイバ３２０とを備える。
1 〜１１０N ごとに設置され、半導体レーザ１１０1 〜
１１０N の夫々から出射されたパルス光を集光する光学
系３１０1 〜３１０N と、光学系３１０1 〜３１０N
で集光されたパルス光を入力し、パルス光を時間的に合
成して光パルス列とするとともに、光パルス列を照射対
象物付近まで導波する光ファイバ３２０とを備える。
【００３３】光学系３１０1 〜３１０N は、半導体レー
ザ１１０1 〜１１０N の夫々から出射された広がり角度
が大きなレーザ光を効率良く光ファイバ３２０に集光す
るレンズを備え、こうしたレンズとしてセルフォックマ
イクロレンズや球面レンズを用いて構成される。また、
光ファイバ３２０は、多分岐ファイバーで半導体レーザ
の個数（Ｎ個）だけ入力側が分岐され、出力側は１本に
まとめられた光ファイバを用いて構成される。
ザ１１０1 〜１１０N の夫々から出射された広がり角度
が大きなレーザ光を効率良く光ファイバ３２０に集光す
るレンズを備え、こうしたレンズとしてセルフォックマ
イクロレンズや球面レンズを用いて構成される。また、
光ファイバ３２０は、多分岐ファイバーで半導体レーザ
の個数（Ｎ個）だけ入力側が分岐され、出力側は１本に
まとめられた光ファイバを用いて構成される。
【００３４】本実施形態の装置は、以下のようにして、
ＡＴＸ−Ｓ１０が投与されたガン細胞に波長＝６７０ｎ
ｍの光パルス列を照射する。
ＡＴＸ−Ｓ１０が投与されたガン細胞に波長＝６７０ｎ
ｍの光パルス列を照射する。
【００３５】本実施形態の装置では、まず、照射対象の
特性（主に、ガンの進行度に伴うガン腫瘍の深さ）に応
じて、発光タイミング指示回路２４０が半導体１１０1
〜１１０N の点灯／非点灯を指示する点灯指示信号ＳＷ
1 〜ＳＷN と、半導体レーザ１１０1 〜１１０N 相互の
点灯タイミングを指示する遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN
とを生成し出力する。
特性（主に、ガンの進行度に伴うガン腫瘍の深さ）に応
じて、発光タイミング指示回路２４０が半導体１１０1
〜１１０N の点灯／非点灯を指示する点灯指示信号ＳＷ
1 〜ＳＷN と、半導体レーザ１１０1 〜１１０N 相互の
点灯タイミングを指示する遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN
とを生成し出力する。
【００３６】例えば、早期ガンにおいては腫瘍深さが３
〜４ｍｍと浅いため、尖頭出力が５００ｍＷの半導体レ
ーザ１１０1 〜１１０N の３〜４ｍｍの組織深達性があ
るため、半導体レーザ１１０1 〜１１０N をそれぞれ遅
延して発光させるべく、点灯指示信号ＳＷ1 〜ＳＷN と
遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN とを生成し出力する。すな
わち、基本タイミング回路２１０が発生する基本タイミ
ング信号の１周期中に点灯する数の分だけスイッチ回路
２２０1 〜２２０N を通過状態に設定する点灯指示信号
ＳＷ1 〜ＳＷN を出力するとともに、点灯する半導体レ
ーザの発光タイミングを、ＡＴＸ−Ｓ１０の基底状態Ｓ
0 への緩和時間は、生体中で１０ｎｓｅｃ前後であるこ
とを鑑みて、１ｎｓｅｃづつずらす設定を指示する遅延
指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN を出力する。
〜４ｍｍと浅いため、尖頭出力が５００ｍＷの半導体レ
ーザ１１０1 〜１１０N の３〜４ｍｍの組織深達性があ
るため、半導体レーザ１１０1 〜１１０N をそれぞれ遅
延して発光させるべく、点灯指示信号ＳＷ1 〜ＳＷN と
遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN とを生成し出力する。すな
わち、基本タイミング回路２１０が発生する基本タイミ
ング信号の１周期中に点灯する数の分だけスイッチ回路
２２０1 〜２２０N を通過状態に設定する点灯指示信号
ＳＷ1 〜ＳＷN を出力するとともに、点灯する半導体レ
ーザの発光タイミングを、ＡＴＸ−Ｓ１０の基底状態Ｓ
0 への緩和時間は、生体中で１０ｎｓｅｃ前後であるこ
とを鑑みて、１ｎｓｅｃづつずらす設定を指示する遅延
指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN を出力する。
【００３７】また、進行ガンの場合には、腫瘍が大きく
深いため、深部までレーザ光が到達させる設定を行う。
ところで、光ファイバ３２０から出射されたレーザ光は
光ファイバ３２０の開口数により決定される出射角をも
って拡散し照射される。したがって、照射面から深さ３
〜４ｍｍまでは早期ガンと同様で同じレーザのパワー密
度を照射すればよいが、深さ３〜４ｍｍを超えその倍の
６〜８ｍｍに光が到達するためには３〜４ｍｍの時の照
射密度の４倍の光エネルギがないと６〜８ｍｍの点での
パワー密度が早期の時の深さ３〜４ｍｍの点でのパワー
密度と同じにならない。同様に９〜１２ｍｍで到達する
ためには９倍の光エネルギが必要となる。
深いため、深部までレーザ光が到達させる設定を行う。
ところで、光ファイバ３２０から出射されたレーザ光は
光ファイバ３２０の開口数により決定される出射角をも
って拡散し照射される。したがって、照射面から深さ３
〜４ｍｍまでは早期ガンと同様で同じレーザのパワー密
度を照射すればよいが、深さ３〜４ｍｍを超えその倍の
６〜８ｍｍに光が到達するためには３〜４ｍｍの時の照
射密度の４倍の光エネルギがないと６〜８ｍｍの点での
パワー密度が早期の時の深さ３〜４ｍｍの点でのパワー
密度と同じにならない。同様に９〜１２ｍｍで到達する
ためには９倍の光エネルギが必要となる。
【００３８】また、ＡＴＸ−Ｓ１０が投与されたガン組
織では、ＡＴＸ−Ｓ１０の励起状態Ｓ1 から基底状態Ｓ
0 への緩和時間内に、次のレーザパルスを照射すれば第
１のパルスによる組織の表面に近い部位が透明状態とな
り、第２、第３のレーザ光はより奥の組織に到達でき
る。
織では、ＡＴＸ−Ｓ１０の励起状態Ｓ1 から基底状態Ｓ
0 への緩和時間内に、次のレーザパルスを照射すれば第
１のパルスによる組織の表面に近い部位が透明状態とな
り、第２、第３のレーザ光はより奥の組織に到達でき
る。
【００３９】したがって、進行ガンの治療において９〜
１２ｍｍの深部にまで治療効果を及ぼすにあたっては、
例えば、深さ３〜４ｍｍまでの治療用に１個の半導体レ
ーザを発振させ、約１ｎＳ後に６〜８ｍｍの深度用に４
個の半導体レーザを同時に発振させ、更に約１ｎＳ後に
９〜１２ｍｍの深度用に９個の半導体レーザを発振させ
る設定を行う。
１２ｍｍの深部にまで治療効果を及ぼすにあたっては、
例えば、深さ３〜４ｍｍまでの治療用に１個の半導体レ
ーザを発振させ、約１ｎＳ後に６〜８ｍｍの深度用に４
個の半導体レーザを同時に発振させ、更に約１ｎＳ後に
９〜１２ｍｍの深度用に９個の半導体レーザを発振させ
る設定を行う。
【００４０】この設定を行うためには、スイッチ回路２
２０1 〜２２０N の内から１４個のスイッチ回路を点灯
指示信号ＳＷ1 〜ＳＷN によって通過設定とし、スイッ
チ回路２２０1 〜２２０N を通過した１４の発光指示信
号を１、４、９個の３グループとして、遅延指示信号Ｄ
Ｌ1 〜ＤＬN によって、１ｎｓｅｃづつ各グループの発
光指示信号の出力をずらす設定とする。
２０1 〜２２０N の内から１４個のスイッチ回路を点灯
指示信号ＳＷ1 〜ＳＷN によって通過設定とし、スイッ
チ回路２２０1 〜２２０N を通過した１４の発光指示信
号を１、４、９個の３グループとして、遅延指示信号Ｄ
Ｌ1 〜ＤＬN によって、１ｎｓｅｃづつ各グループの発
光指示信号の出力をずらす設定とする。
【００４１】スイッチ回路２２０1 〜２２０N の設定お
よび遅延回路２３０1 〜２３０N の設定の後、基本タイ
ミング回路２１０から出力された基本タイミング信号が
スイッチ回路２２０1 〜２２０N に入力し、通過設定が
されたスイッチ回路を介して信号が出力される。スイッ
チ回路２２０1 〜２２０N を介して出力された信号は遅
延回路２３０1 〜２３０N に入力し、各信号ごとに設定
された遅延時間だけ遅延が施された後、発光指示信号と
して出力される。
よび遅延回路２３０1 〜２３０N の設定の後、基本タイ
ミング回路２１０から出力された基本タイミング信号が
スイッチ回路２２０1 〜２２０N に入力し、通過設定が
されたスイッチ回路を介して信号が出力される。スイッ
チ回路２２０1 〜２２０N を介して出力された信号は遅
延回路２３０1 〜２３０N に入力し、各信号ごとに設定
された遅延時間だけ遅延が施された後、発光指示信号と
して出力される。
【００４２】パルス列制御部２００から出力された発光
指示信号は、光源部１００に入力すする。光源部１００
では、発光指示信号を電源１２０1 〜１２０N に入力
し、電源１２０1 〜１２０N が発光指示信号に応じて半
導体レーザ１１０1 〜１１０Nに電流を供給する。電流
が供給された半導体レーザ１１０1 〜１１０N は発振
し、波長＝６７０ｎｍの光を出射する。
指示信号は、光源部１００に入力すする。光源部１００
では、発光指示信号を電源１２０1 〜１２０N に入力
し、電源１２０1 〜１２０N が発光指示信号に応じて半
導体レーザ１１０1 〜１１０Nに電流を供給する。電流
が供給された半導体レーザ１１０1 〜１１０N は発振
し、波長＝６７０ｎｍの光を出射する。
【００４３】半導体レーザ１１０1 〜１１０N から出射
された光は、光伝送部３００に入力する。光伝送部３０
０では、光学系３１０1 〜３１０N で半導体レーザ１１
０1〜１１０N から出射された光を夫々入力し、光学系
３１０1 〜３１０N で光ファイバ３２０の入射側端面に
集光する。光ファイバ３２０は入力した光を導波し、１
本にまとめられた出力側端面から光パルス列を出射し、
照射対象物に光パルス列を照射する。
された光は、光伝送部３００に入力する。光伝送部３０
０では、光学系３１０1 〜３１０N で半導体レーザ１１
０1〜１１０N から出射された光を夫々入力し、光学系
３１０1 〜３１０N で光ファイバ３２０の入射側端面に
集光する。光ファイバ３２０は入力した光を導波し、１
本にまとめられた出力側端面から光パルス列を出射し、
照射対象物に光パルス列を照射する。
【００４４】図３は、本実施形態の装置の出射する光パ
ルス列の説明図である。図３（ａ）は早期ガンのように
腫瘍深さが３〜４ｍｍと浅いガンの治療の場合の光パル
ス列の説明図であり、図３（ｂ）は進行ガンのように腫
瘍深さが９〜１２ｍｍと深いガンの治療の場合の光パル
ス列の説明図である。図３（ａ）に示すように、腫瘍深
さが３〜４ｍｍと浅い場合には、同一強度のパルス光が
１ｎｓｅｃごとに所定数（図３（ａ）では４個）だけ並
んだ光パルス列を照射する。この結果、治療時間の短縮
が計られる。
ルス列の説明図である。図３（ａ）は早期ガンのように
腫瘍深さが３〜４ｍｍと浅いガンの治療の場合の光パル
ス列の説明図であり、図３（ｂ）は進行ガンのように腫
瘍深さが９〜１２ｍｍと深いガンの治療の場合の光パル
ス列の説明図である。図３（ａ）に示すように、腫瘍深
さが３〜４ｍｍと浅い場合には、同一強度のパルス光が
１ｎｓｅｃごとに所定数（図３（ａ）では４個）だけ並
んだ光パルス列を照射する。この結果、治療時間の短縮
が計られる。
【００４５】また、図３（ｂ）に示すように、腫瘍深さ
が９〜１２ｍｍと深い場合には、基準値、基準値の４
倍、基準値の９倍の強度のパルス光が１ｎｓｅｃごとに
並んだ光パルス列を照射する。この結果、腫瘍深部まで
光が効率的に到達し、治療効果の向上が図られる。
が９〜１２ｍｍと深い場合には、基準値、基準値の４
倍、基準値の９倍の強度のパルス光が１ｎｓｅｃごとに
並んだ光パルス列を照射する。この結果、腫瘍深部まで
光が効率的に到達し、治療効果の向上が図られる。
【００４６】（第２実施形態）図４は、本発明に係るガ
ンの治療装置用の光源装置の第２実施形態の構成図であ
る。本実施形態の装置は、早期ガンの治療を連続光照射
で行い、進行ガンの治療を連続光照射に加えてパルス光
を照射して行う装置である。
ンの治療装置用の光源装置の第２実施形態の構成図であ
る。本実施形態の装置は、早期ガンの治療を連続光照射
で行い、進行ガンの治療を連続光照射に加えてパルス光
を照射して行う装置である。
【００４７】図４に示すように、本実施形態の装置は、
第１実施形態の装置の光源部１００に替えて、更に、
連続的に電流を供給する電源１６０と、電源１６０か
ら電流の供給を受ける半導体レーザ１１０N+1 とを備え
る光源部１５０を使用する点と、第１実施形態の装置の
光伝送部３００に替えて、半導体レーザ１１０N+1か
ら出射された光を集光する光学系３１０N+1 を更に備え
るとともに、光学系３１０1 〜３１０N+1 で集光され
たパルス光を入力し、パルス光を時間的に合成して光パ
ルス列とするとともに、光パルス列を照射対象物付近ま
で導波する光ファイバ３６０とを備える光伝送部３５０
を採用する点が異なる。
第１実施形態の装置の光源部１００に替えて、更に、
連続的に電流を供給する電源１６０と、電源１６０か
ら電流の供給を受ける半導体レーザ１１０N+1 とを備え
る光源部１５０を使用する点と、第１実施形態の装置の
光伝送部３００に替えて、半導体レーザ１１０N+1か
ら出射された光を集光する光学系３１０N+1 を更に備え
るとともに、光学系３１０1 〜３１０N+1 で集光され
たパルス光を入力し、パルス光を時間的に合成して光パ
ルス列とするとともに、光パルス列を照射対象物付近ま
で導波する光ファイバ３６０とを備える光伝送部３５０
を採用する点が異なる。
【００４８】本実施形態の装置は、以下のようにして、
ＡＴＸ−Ｓ１０が投与されたガン細胞に波長＝６７０ｎ
ｍの光パルス列を照射する。
ＡＴＸ−Ｓ１０が投与されたガン細胞に波長＝６７０ｎ
ｍの光パルス列を照射する。
【００４９】早期ガンのように腫瘍深さが３〜４ｍｍと
浅い場合には、半導体レーザ１１０N+1 のみが光を出射
する。すなわち、パルス列制御部２００は動作せず、半
導体レーザ１１０1 〜１１０N は光を出射しない。
浅い場合には、半導体レーザ１１０N+1 のみが光を出射
する。すなわち、パルス列制御部２００は動作せず、半
導体レーザ１１０1 〜１１０N は光を出射しない。
【００５０】この場合、半導体レーザ１１０N+1 から出
射された連続光は、光伝送部３５０に入力する。光伝送
部３５０では、光学系３１０N+1 で半導体レーザ１１０
N+1から出射された光を夫々入力し、光学系３１０N+1
で光ファイバ３６０の入射側端面に集光する。光ファイ
バ３６０は入力した光を導波し、出力側端面から光パル
ス列を出射し、照射対象物に光パルス列を照射する。
射された連続光は、光伝送部３５０に入力する。光伝送
部３５０では、光学系３１０N+1 で半導体レーザ１１０
N+1から出射された光を夫々入力し、光学系３１０N+1
で光ファイバ３６０の入射側端面に集光する。光ファイ
バ３６０は入力した光を導波し、出力側端面から光パル
ス列を出射し、照射対象物に光パルス列を照射する。
【００５１】進行ガンのように腫瘍深さが深い場合に
は、半導体レーザ１１０N+1 が連続光を出射するのに加
えて、半導体レーザ１１０1 〜１１０N の内の選択され
た半導体レーザがパルス光を出射する。
は、半導体レーザ１１０N+1 が連続光を出射するのに加
えて、半導体レーザ１１０1 〜１１０N の内の選択され
た半導体レーザがパルス光を出射する。
【００５２】以後、腫瘍深さが９〜１２ｍｍの場合につ
いて説明する。この場合、発光タイミング指示回路２４
０が、スイッチ回路２２０1 〜２２０N の内から１３個
のスイッチ回路を点灯指示信号ＳＷ1 〜ＳＷN によって
通過設定とし、スイッチ回路２２０1 〜２２０N を通過
した１３の発光指示信号を４、９個の２グループとし
て、遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN によって、１ｎｓｅｃ
だけ各グループの発光指示信号の出力をずらす設定とす
る。
いて説明する。この場合、発光タイミング指示回路２４
０が、スイッチ回路２２０1 〜２２０N の内から１３個
のスイッチ回路を点灯指示信号ＳＷ1 〜ＳＷN によって
通過設定とし、スイッチ回路２２０1 〜２２０N を通過
した１３の発光指示信号を４、９個の２グループとし
て、遅延指示信号ＤＬ1 〜ＤＬN によって、１ｎｓｅｃ
だけ各グループの発光指示信号の出力をずらす設定とす
る。
【００５３】スイッチ回路２２０1 〜２２０N の設定お
よび遅延回路２３０1 〜２３０N の設定の後、基本タイ
ミング回路２１０から出力された基本タイミング信号が
スイッチ回路２２０1 〜２２０N に入力し、通過設定が
されたスイッチ回路を介して信号が出力される。スイッ
チ回路２２０1 〜２２０N を介して出力された信号は遅
延回路２３０1 〜２３０N に入力し、各信号ごとに設定
された遅延時間だけ遅延が施された後、発光指示信号と
して出力される。
よび遅延回路２３０1 〜２３０N の設定の後、基本タイ
ミング回路２１０から出力された基本タイミング信号が
スイッチ回路２２０1 〜２２０N に入力し、通過設定が
されたスイッチ回路を介して信号が出力される。スイッ
チ回路２２０1 〜２２０N を介して出力された信号は遅
延回路２３０1 〜２３０N に入力し、各信号ごとに設定
された遅延時間だけ遅延が施された後、発光指示信号と
して出力される。
【００５４】パルス列制御部２００から出力された発光
指示信号は、光源部１００に入力すする。光源部１００
では、発光指示信号を電源１２０1 〜１２０N に入力
し、電源１２０1 〜１２０N が発光指示信号に応じて半
導体レーザ１１０1 〜１１０Nに電流を供給する。電流
が供給された半導体レーザ１１０1 〜１１０N は発振
し、波長＝６７０ｎｍの光を出射する。
指示信号は、光源部１００に入力すする。光源部１００
では、発光指示信号を電源１２０1 〜１２０N に入力
し、電源１２０1 〜１２０N が発光指示信号に応じて半
導体レーザ１１０1 〜１１０Nに電流を供給する。電流
が供給された半導体レーザ１１０1 〜１１０N は発振
し、波長＝６７０ｎｍの光を出射する。
【００５５】半導体レーザ１１０1 〜１１０N+1 から出
射された光は、光伝送部３５０に入力する。光伝送部３
５０では、光学系３１０1 〜３１０N+1 で半導体レーザ
１１０1 〜１１０N+1 から出射された光を夫々入力し、
光学系３１０1 〜３１０N+1で光ファイバ３６０の入射
側端面に集光する。光ファイバ３６０は入力した光を導
波し、１本にまとめられた出力側端面から光パルス列を
出射し、照射対象物に光パルス列を照射する。
射された光は、光伝送部３５０に入力する。光伝送部３
５０では、光学系３１０1 〜３１０N+1 で半導体レーザ
１１０1 〜１１０N+1 から出射された光を夫々入力し、
光学系３１０1 〜３１０N+1で光ファイバ３６０の入射
側端面に集光する。光ファイバ３６０は入力した光を導
波し、１本にまとめられた出力側端面から光パルス列を
出射し、照射対象物に光パルス列を照射する。
【００５６】図５は、本実施形態の装置の出射する照射
光の説明図である。図５（ａ）は早期ガンのように腫瘍
深さが３〜４ｍｍと浅いガンの治療の場合の照射光の説
明図であり、図５（ｂ）は進行ガンのように腫瘍深さが
９〜１２ｍｍと深いガンの治療の場合の照射光の説明図
である。図５（ａ）に示すように、腫瘍深さが３〜４ｍ
ｍと浅い場合には、同一強度の連続光が照射対象物に照
射される。この結果、比較的浅い部位のガンの治療が行
われる。
光の説明図である。図５（ａ）は早期ガンのように腫瘍
深さが３〜４ｍｍと浅いガンの治療の場合の照射光の説
明図であり、図５（ｂ）は進行ガンのように腫瘍深さが
９〜１２ｍｍと深いガンの治療の場合の照射光の説明図
である。図５（ａ）に示すように、腫瘍深さが３〜４ｍ
ｍと浅い場合には、同一強度の連続光が照射対象物に照
射される。この結果、比較的浅い部位のガンの治療が行
われる。
【００５７】また、図５（ｂ）に示すように、腫瘍深さ
が９〜１２ｍｍと深い場合には、基準値強度の連続光に
加えて、基準値のパルス光換算値の４倍、基準値のパル
ス光換算値の９倍の強度のパルス光が１ｎｓｅｃごとに
並んだ照射光を照射する。この結果、腫瘍深部まで光が
効率的に到達し、治療効果の向上が図られる。
が９〜１２ｍｍと深い場合には、基準値強度の連続光に
加えて、基準値のパルス光換算値の４倍、基準値のパル
ス光換算値の９倍の強度のパルス光が１ｎｓｅｃごとに
並んだ照射光を照射する。この結果、腫瘍深部まで光が
効率的に到達し、治療効果の向上が図られる。
【００５８】本発明は、上記の実施形態に限定されるも
のではなく変形が可能である。例えば、上記の実施形態
では物質ＡＴＸ−Ｓ１０と６７０ｎｍの波長の光の組合
わせを採用したが、物質ＰＨＥと６３０ｎｍの波長の光
の組合わせ、物質ＮＰｅ６と６６４ｎｍの波長の光との
組合わせ、物質ＢＰＤと６９０ｎｍの波長の光との組合
わせ等とすることができる。
のではなく変形が可能である。例えば、上記の実施形態
では物質ＡＴＸ−Ｓ１０と６７０ｎｍの波長の光の組合
わせを採用したが、物質ＰＨＥと６３０ｎｍの波長の光
の組合わせ、物質ＮＰｅ６と６６４ｎｍの波長の光との
組合わせ、物質ＢＰＤと６９０ｎｍの波長の光との組合
わせ等とすることができる。
【００５９】また、上記の実施形態では治療用光源を説
明したが、この光源を組織に照射して得られる蛍光を利
用する蛍光診断のためにも用いることができる。こうし
た場合には、投与するする薬品として、ガン細胞に親和
性をもち、かつ光により励起された時に蛍光を発生する
薬品を使用する必要がある。
明したが、この光源を組織に照射して得られる蛍光を利
用する蛍光診断のためにも用いることができる。こうし
た場合には、投与するする薬品として、ガン細胞に親和
性をもち、かつ光により励起された時に蛍光を発生する
薬品を使用する必要がある。
【００６０】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明のガ
ンの診断または治療装置用の光源装置によれば、ガン細
胞に親和性をもち、かつ光により励起された時に細胞を
殺傷する性質を有する物質を用い、この物質を含む細胞
を光源装置により照射してガンの治療をする光源装置に
おいて、前記物質を含んだ部位に向かうレーザ光を前記
物質を含んだ生体組織がレーザ照射によりエネルギー励
起された後に、下位のエネルギー状態に緩和する緩和時
間より短い時間間隔でパルス光を発生するので、従来よ
り深い部位でのガン治療が可能となる。
ンの診断または治療装置用の光源装置によれば、ガン細
胞に親和性をもち、かつ光により励起された時に細胞を
殺傷する性質を有する物質を用い、この物質を含む細胞
を光源装置により照射してガンの治療をする光源装置に
おいて、前記物質を含んだ部位に向かうレーザ光を前記
物質を含んだ生体組織がレーザ照射によりエネルギー励
起された後に、下位のエネルギー状態に緩和する緩和時
間より短い時間間隔でパルス光を発生するので、従来よ
り深い部位でのガン治療が可能となる。
【００６１】また、ガン細胞に親和性をもち、かつ光に
より励起された時に蛍光などを発生する物質を用いるこ
とにより、表面だけではなく深い部位からの蛍光も得る
ことができるので、より正確な診断情報が得られる。
より励起された時に蛍光などを発生する物質を用いるこ
とにより、表面だけではなく深い部位からの蛍光も得る
ことができるので、より正確な診断情報が得られる。
【図１】本発明の実施形態の装置でのガン治療の機序の
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明に係るガンの治療装置用の光源装置の第
１実施形態の構成図である。
１実施形態の構成図である。
【図３】第１実施形態の光源装置による照射光の説明図
である。
である。
【図４】本発明に係るガンの治療装置用の光源装置の第
２実施形態の構成図である。
２実施形態の構成図である。
【図５】第２実施形態の光源装置による照射光の説明図
である。
である。
１００，１５０…光源部、１１０…半導体レーザ、１２
０，１６０…電源、２００…パルス列制御部、２１０…
基本タイミング回路、２２０…スイッチ回路、２３０…
遅延回路、２４０…発光タイミング指示回路、３００，
３５０…光伝送部、３１０…光学系、３２０，３６０…
光ファイバ。
０，１６０…電源、２００…パルス列制御部、２１０…
基本タイミング回路、２２０…スイッチ回路、２３０…
遅延回路、２４０…発光タイミング指示回路、３００，
３５０…光伝送部、３１０…光学系、３２０，３６０…
光ファイバ。
Claims (8)
- 【請求項１】 ガンに親和性をもち、かつ、所定の波長
の光で励起されたときにガンを殺傷する効果を有する薬
品を用い、この薬品を含む細胞に前記所定の波長の光を
照射して、ガンの診断または治療を行う装置に使用され
るガンの診断または治療装置用の光源装置であって、 前記所定の波長を有する光を夫々発生する、独立駆動可
能な複数のパルス光源を備える光源部と、 前記薬品が前記所定の波長の光で励起された後に下位の
エネルギ状態に遷移する緩和時間よりも短いパルス間隔
での前記光源部としての光パルス列の発生を前記複数の
パルス光源に指示するパルス列制御部と、 を備えることを特徴とするガンの診断または治療装置用
の光源装置。 - 【請求項２】 前記光パルス列の夫々の光パルスの尖頭
光強度値は互いに略同一である、ことを特徴とする請求
項１記載のガンの診断または治療装置用の光源装置。 - 【請求項３】 前記複数のパルス光源は互いに略同一の
尖頭光強度値の光パルスを夫々出力し、同時にパルス光
を出力する前記パルス光源の数は前記光パルス列の夫々
の光パルスに関して同一である、ことを特徴とする請求
項２記載のガンの診断または治療装置用の光源装置。 - 【請求項４】 時間的に後に出力される前記光パルス列
の光パルスほど尖頭光強度値が増加する、ことを特徴と
する請求項１記載のガンの診断または治療装置用の光源
装置。 - 【請求項５】 前記複数のパルス光源は互いに略同一の
尖頭光強度値の光パルスを夫々出力し、同時にパルス光
を出力する前記パルス光源の数は時間的に後に出力され
る光パルスほど増加する、ことを特徴とする請求項４記
載のガンの診断または治療装置用の光源装置。 - 【請求項６】 前記光パルス列における光パルスの尖頭
光強度値の時間的な増加は指数関数的増加である、こと
を特徴とする請求項４記載のガンの診断または治療装置
用の光源装置。 - 【請求項７】 前記複数のパルス光源から夫々出力され
た光パルスを入力して、略同一の光路に出力する光伝送
部を更に備える、ことを特徴とする請求項１記載のガン
の診断または治療装置用の光源装置。 - 【請求項８】 前記光源部は、前記パルス列制御部の制
御によらず連続光を発生する連続光光源を更に備える、
ことを特徴とする請求項１記載のガンの診断または治療
装置用の光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171098A JPH0919505A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | ガンの診断または治療装置用の光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171098A JPH0919505A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | ガンの診断または治療装置用の光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0919505A true JPH0919505A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15916956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7171098A Pending JPH0919505A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | ガンの診断または治療装置用の光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0919505A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616815B2 (en) | 1998-06-22 | 2003-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of decomposing halogenated aliphatic hydrocarbon compounds or aromatic compounds and apparatus to be used for the same as well as method of clarifying exhaust gas and apparatus to be used for the same |
| JP2006071596A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 光波妨害装置 |
-
1995
- 1995-07-06 JP JP7171098A patent/JPH0919505A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616815B2 (en) | 1998-06-22 | 2003-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of decomposing halogenated aliphatic hydrocarbon compounds or aromatic compounds and apparatus to be used for the same as well as method of clarifying exhaust gas and apparatus to be used for the same |
| JP2006071596A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 光波妨害装置 |
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