JPH09194688A - 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 銅合金製のリードフレームに搭載された半導
体素子を、非晶質シリカ粉より線膨張率の大きいガラス
粉を含む無機充填材、エポキシ樹脂及び硬化剤を配合し
てなる封止材用エポキシ樹脂組成物を用いて封止した半
導体装置の、吸湿電気信頼性が改善できる封止材用エポ
キシ樹脂組成物を提供する。また、吸湿電気信頼性の優
れた半導体装置を提供する。 【解決手段】 封止材用エポキシ樹脂組成物の発明は、
ガラス粉１００重量部中の、酸化カリウム及び酸化ナト
リウム成分の合計重量が、５重量部以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等の封止に
使用される封止材用エポキシ樹脂組成物及びこの封止材
用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置などの電子部品の封止方法と
して、セラミックや、熱硬化性樹脂を用いる方法が、従
来より行われている。なかでも、エポキシ樹脂組成物に
よる封止が、経済性及び性能のバランスより好ましく、
広く行われている。このエポキシ樹脂組成物により封止
された半導体装置は、例えば金属製リードフレームのダ
イパッド上に半導体素子を搭載し、その半導体素子とリ
ードフレームを電気的に接続し、半導体素子の全体及び
リードフレームの一部を、封止材用エポキシ樹脂組成物
（以下単に封止材と記す）で封止して形成されている。
従来上記リードフレームとしては、線膨張率が半導体素
子（線膨張率３〜４ｐｐｍ／℃）に近い、４２アロイ合
金製のリードフレーム（線膨張率５〜７ｐｐｍ／℃）を
用い、封止材としては、封止材の線膨張率を半導体素子
及び４２アロイ合金製のリードフレームに近づけること
を目標に、封止材中に線膨張率が小さい非晶質シリカを
７０％以上高充填したものが用いられている。

【０００３】近年の高度情報化社会の進展と、半導体の
進歩により、半導体装置に付与する機能が増え、集積度
や動作速度が年々高まっており、半導体装置の大型化と
消費電力の増加を招いている。そのため、リードフレー
ムとして、熱伝導率が高く、電気伝導性が良好な、銅合
金製のリードフレームを使用することが多くなってい
る。また、銅合金製のリードフレームは、４２アロイ合
金製のリードフレームと比較してコストが安く、ますま
す種々の半導体装置で使用される傾向にある。

【０００４】しかし、この銅合金製のリードフレームの
線膨張率（１６〜１８ｐｐｍ／℃）は、４２アロイ合金
製のリードフレームとは大きく異なるため、銅合金製の
リードフレームに搭載された半導体素子を封止する封止
材には、４２アロイ合金製のリードフレームに搭載され
た半導体素子を封止する封止材とは異なる性能が求めら
れている。この銅合金製のリードフレームに搭載された
半導体素子を封止する封止材の線膨張率を、４２アロイ
合金用ほどに小さくすると、封止材の硬化物とリードフ
レームの線膨張率の差が大きくなり、半導体装置の熱応
力による不具合を検査するヒートショック試験や、ヒー
トサイクル試験において、封止材の硬化物とリードフレ
ームの間等にクラック等の不良が発生するため、封止材
中に含有する非晶質シリカを減らして線膨張率をやや大
きくしているのが一般である。

【０００５】一方半導体装置は、封止材の硬化物の吸湿
が原因である、リフロー処理等のハンダ付け処理の加熱
により、封止材の硬化物と半導体素子の間や、封止材の
硬化物とダイパッドの間等にクラックが発生する不良が
発生しやすい。この吸湿耐熱性を解決する対策として、
エポキシ樹脂と比較して吸湿量が低い充填材を高充填す
る方法が有効であるが、上記封止材中に含有する非晶質
シリカを減らした銅合金製のリードフレームに搭載され
た半導体素子を封止する封止材の場合、吸湿耐熱性が不
十分であった。

【０００６】そこで、例えば、特開平７−２０６９８３
号に記載されているような、線膨張率が非晶質シリカよ
り大きいガラス粉等の無機充填材を含有することにより
改良する方法が検討されている。しかし、ガラス粉を含
有した場合、半導体装置を吸湿させた状態で長い時間電
気を印加すると半導体素子の回路が腐食し、ショート不
良を発生する場合があり、吸湿時の電気信頼性の更なる
改良が必要であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、銅合金製のリードフレームに搭載された半導体素
子を、ガラス粉を含有した封止材（封止材用エポキシ樹
脂組成物）を用いて封止した半導体装置の、吸湿電気信
頼性が改善できる封止材を提供することにある。またそ
の封止材を用いた、吸湿電気信頼性の優れた半導体装置
を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
封止材は、非晶質シリカ粉より線膨張率の大きいガラス
粉を含む無機充填材、エポキシ樹脂及び硬化剤を配合し
てなる封止材において、上記ガラス粉１００重量部中
の、酸化カリウム及び酸化ナトリウム成分の合計重量
が、５重量部以下であることを特徴とする。

【０００９】本発明の請求項２に係る封止材は、請求項
１記載の封止材において、ガラス粉の平均粒径が、０．
０１〜１００μｍであることを特徴とする。

【００１０】本発明の請求項３に係る封止材は、請求項
１又は請求項２記載の封止材において、無機充填材１０
０重量部中に、上記ガラス粉を１０〜１００重量部含む
ことを特徴とする。

【００１１】本発明の請求項４に係る封止材は、請求項
１から請求項３のいずれかに記載の封止材において、ガ
ラス粉の形状が、球状であることを特徴とする。

【００１２】本発明の請求項５に係る封止材は、請求項
１から請求項４のいずれかに記載の封止材において、ガ
ラス粉１００重量部中の、酸化カリウム及び酸化ナトリ
ウム成分の合計重量が、１重量部以下であることを特徴
とする。

【００１３】本発明の請求項６に係る封止材は、請求項
１から請求項５のいずれかに記載の封止材において、エ
ポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ樹脂を含有してい
ることを特徴とする。

【００１４】本発明の請求項７に係る封止材は、請求項
１から請求項６のいずれかに記載の封止材において、エ
ポキシ樹脂が、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を
含有していることを特徴とする。

【００１５】本発明の請求項８に係る半導体装置は、請
求項１から請求項７のいずれかに記載の封止材を用い
て、銅合金製リードフレームに搭載された半導体素子を
封止してなることを特徴とする。

【００１６】前記課題を解決するため、発明者らは種々
検討を重ねた結果、ガラス粉中の酸化カリウム及び酸化
ナトリウム成分の含有比率が吸湿電気信頼性低下の原因
の一つであることを見い出した。そのため、発明者らは
吸湿電気信頼性が低下し難い、ガラス粉中の酸化カリウ
ム及び酸化ナトリウム成分の含有比率を見い出し課題を
解決した。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の封止材は、少なくとも非
晶質シリカ粉より線膨張率の大きいガラス粉を含む無機
充填材、エポキシ樹脂及び硬化剤を配合してなる。

【００１８】一般にガラスは、二酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）
成分以外に、各種の成分を含んでいる。この各種の成分
の種類と量を変えることで、ガラスの線膨張率を変える
ことが可能であるため、充填材の量を増やしても封止材
の線膨張率が、所望の線膨張率以下にならないように調
整することが可能となる。なお、この各種の成分のう
ち、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ ）及び酸化ナトリウム（Ｎa₂
Ｏ）成分の合計重量が、ガラス粉１００重量部に対し、
５重量部以下であることが重要であり、より好ましくは
１重量部以下である。５重量部を越えると、吸湿電気信
頼性が低下し問題となる。なお、１重量部以下の場合、
非晶質シリカのみを無機充填材として用い、ガラスを用
いない場合と同様の吸湿電気信頼性を得ることができ、
特に好ましい。封止材の硬化物が吸湿すると、酸化カリ
ウム及び酸化ナトリウムから金属イオンが溶出し、この
金属イオンが半導体素子の回路間に腐食を起こすと考え
られる。

【００１９】なお、封止剤にガラス粉中に含む酸化カリ
ウム及び酸化ナトリウム成分の合計重量が異なる複数の
ガラス粉を配合した場合、複数のガラス粉の各々の重量
比率に応じた平均値を、その封止剤の酸化カリウム及び
酸化ナトリウム成分の合計重量とする。

【００２０】また、ガラス粉の平均粒径が、０．０１〜
１００μｍであることが好ましい。０．０１μｍ未満及
び１００μｍを越える場合は、半導体素子やリードフレ
ーム等を封止するとき、成形性が低下する場合があり問
題となる。また、ガラス粉の形状を大きく分けると、破
砕状及び球状に分けられるが、球状の場合破砕状と比較
して、より多くのガラス粉を封止材に充填することがで
き好ましい。

【００２１】なお、無機充填材としては、ガラス粉のみ
を配合していることに限定するものではなく、更に必要
に応じて結晶シリカ、非晶質シリカ、アルミナ、マグネ
シア、酸化チタン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウ
ム、窒化ケイ素、タルク、ケイ酸カルシウム等を配合し
ていてもよい。上記無機充填材は、２種類以上を併用し
てもよい。なお、ガラス粉を全無機充填材１００重量部
中に、１０〜１００重量部含むことが好ましい。１０重
量部未満の場合は、封止材の線膨張率を、所望の値に調
整する効果が低くなる。

【００２２】本発明の封止材中の無機充填材の配合割合
は、とくに限定しないが、封止材１００重量部中に、８
０〜９５重量部、より好ましくは８５〜９５重量部含む
ことが好ましく、また、封止材の硬化物の線膨張率（５
０〜１００℃）が９〜２０ｐｐｍ／℃の範囲となるよう
に無機充填材を配合することが好ましい。８０重量部未
満の場合は、封止材の硬化物の吸湿耐熱性が低下しやす
く、９５重量部を越える場合は、成形性が低下しやす
い。また、封止材の硬化物の線膨張率が９ｐｐｍ／℃未
満の場合は、銅合金製のリードフレームと封止材の硬化
物との線膨張率の差が大きくなり、リードフレームと封
止材の硬化物の間にクラックが発生しやすくなり、ま
た、２０ｐｐｍ／℃を越える場合は、半導体素子と封止
材の硬化物との線膨張率の差が大きくなり半導体素子と
封止材の硬化物の間にクラックが発生しやすくなる。

【００２３】なお、本発明で使用する無機充填剤は、樹
脂との分散性を良好にし、さらに樹脂との化学結合を強
固にするために、アルコシシランや、エポキシシラン
や、アミノシラン等のカップリング剤で表面処理するこ
とが好ましい。この表面処理方法としては、予めカップ
リング剤を無機充填剤の表面に噴霧等の方法を用いて供
給して処理した後、樹脂分と配合してもよく、また、樹
脂分にカップリング剤を混合してから無機充填剤を混練
するという、いわゆるインテグラルブレンド法によって
もよい。

【００２４】本発明で使用するエポキシ樹脂としては特
に限定するものではなく、例えばオルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン
型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポ
キシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂等が挙げられ、これら
を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。な
お、下記式（ａ）で表わされるビフェニル型エポキシ樹
脂を含有する場合、硬化したとき靱性が高いエポキシ樹
脂のため、耐ハンダクラック性が向上し好ましく、また
硬化するときの粘度を低下させる樹脂のため、半導体素
子やリードフレーム等を封止するとき、成形性が向上し
好ましい。なお式（ａ）中Ｒ¹,Ｒ²,Ｒ³,Ｒ⁴ は水素又は
メチル基を表す。

【００２５】

【化１】

【００２６】また、エポキシ樹脂として下記式（ｂ）で
表わされるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含有
する場合、封止材の硬化物の吸湿率を低下することがで
き好ましい。なお式（ｂ）中ｎは０又は正の数を表す。

【００２７】

【化２】

【００２８】本発明で使用する硬化剤としては、エポキ
シ樹脂と反応して硬化させるものであれば特に限定する
ものではなく、例えばフェノールノボラック樹脂及びそ
の誘導体、クレゾールノボラック樹脂及びその誘導体、
モノまたはジヒドロキシナフタレンノボラック樹脂及び
その誘導体、フェノール類やナフトール類とｐ−キシレ
ンの縮合体、ジシクロペンタジエンとフェノールの共重
合体等のフェノール系硬化剤や、アミン系硬化剤や、酸
無水物等が挙げられる。上記硬化剤は、単独で用いて
も、２種類以上を併用してもよい。フェノール系硬化剤
を用いた場合、封止材の硬化物の吸湿率を低下すること
ができ好ましい。その配合量としては、通常エポキシ樹
脂に対して、当量比で０．１〜１０の範囲で配合され
る。

【００２９】本発明の封止材には、必要に応じて、硬化
促進剤、離型剤、着色剤、低応力化剤、イオントラップ
剤及び難燃剤等を配合させることもできる。硬化促進剤
としては例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，
０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、ベンジル
ジメチルアミン等の三級アミン化合物、２−メチルイミ
ダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−
フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミ
ダゾール等のイミダゾール化合物、トリフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン等の有機ホスフィン化合物
等が挙げられる。離型剤としては例えば、カルナバワッ
クス、ステアリン酸、モンタン酸、カルボキシル基含有
ポリオレフィン等が挙げられる。着色剤としては例え
ば、カーボンブラック、酸化チタン等が挙げられる。低
応力化剤としては例えば、シリコーンゲル、シリコーン
ゴム、シリコーンオイル等が挙げられる。難燃剤として
は例えば、三酸化アンチモン、ハロゲン化合物、リン化
合物等が挙げられる。これらの硬化促進剤、離型剤、着
色剤、低応力化剤、イオントラップ剤及び難燃剤等は２
種類以上を併用することもできる。なお、封止材中に、
難燃剤、着色剤等として無機物を配合した場合、無機充
填材の重量部の計算に当たっては、無機充填材に加えて
計算する。

【００３０】本発明の封止材は、均一に混合され、混練
されていることが好ましい。混練の方法としては例え
ば、ロール、ニーダー、ミキサー等を用いて加熱して行
われ、その後冷却、粉砕するなどの方法で封止材は製造
される。

【００３１】

【実施例】

（実施例１〜実施例１０、比較例１〜比較例６、参考
例）封止材として、下記の３種類のエポキシ樹脂、３種
類の硬化剤、５種類の無機充填材、２種類の硬化促進
剤、離型剤、着色剤、カップリング剤及び難燃剤を表１
〜表３に示す重量比で配合した。なお、表１〜表３の中
で、充填材比率は、封止材の１００重量部に対する、無
機充填材と難燃剤の合計の重量部を表し、ガラス粉の比
率は、無機充填材の合計１００重量部に対する、ガラス
粉の重量部を表し、Ｋ₂Ｏ ＋ Ｎａ₂Ｏ比率は、ガラス粉
１００重量部に対する、酸化カリウム及び酸化ナトリウ
ム成分の合計重量部を表す。 ・エポキシ樹脂ア：上記式（ａ）で表され、Ｒ¹,Ｒ²,Ｒ
³,Ｒ⁴ が全て水素であるビフェニル型エポキシ樹脂［油
化シェル社製、商品名ＹＸ４０００Ｈ］ ・エポキシ樹脂イ：上記式（ｂ）で表されるジシクロペ
ンタジエン型エポキシ樹脂［大日本インキ社製、商品名
ＥＸＡ７２００］ ・エポキシ樹脂ウ：テトラブロモビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂 ・硬化剤カ：フェノール樹脂［住金化工社製、商品名Ｈ
Ｅ−１５］ ・硬化剤キ：フェノール樹脂［三井東圧社製、商品名Ｖ
Ｒ９３００］ ・硬化剤ク：フェノール樹脂［群栄化学社製、商品名Ｐ
ＳＭ６２００］ ・無機充填剤サ：非晶質シリカ［電気化学工業社製、商
品名ＦＢ７４］ ・無機充填剤シ：非晶質シリカ［電気化学工業社製、商
品名ＦＢ３０］ ・無機充填剤ス：非晶質シリカ［龍森社製、商品名ＳＯ
２５Ｒ］ ・無機充填剤タ：線膨張率 ６ｐｐｍ／℃、平均粒径
２５μｍ、球状及び酸化カリウム及び酸化ナトリウム成
分の合計重量がガラス粉１００重量部に対して０．５重
量部であるガラス粉［東芝バロティーニ社製、商品名Ｅ
ＧＢ７３１］ ・無機充填剤チ：線膨張率 ６ｐｐｍ／℃、平均粒径
２５μｍ、球状及び酸化カリウム及び酸化ナトリウム成
分の合計重量がガラス粉１００重量部に対して１４重量
部であるガラス粉［東芝バロティーニ社製、商品名ＧＢ
７３１］ ・硬化促進剤ナ：２−フェニルイミダゾール ・硬化促進剤ニ：トリフェニルホスフィン ・カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン ・離型剤：カルナバワックス ・着色剤：カーボンブラック ・難燃剤：三酸化アンチモン

【００３２】

【表１】

【００３３】

【表２】

【００３４】

【表３】

【００３５】なお、上記カップリング剤は、あらかじめ
無機充填剤サ〜チに直接噴霧して表面処理した後、配合
した。

【００３６】上記の各原料を混合した後、加熱ロールを
用いて、温度８５℃で５分間混練し、次いで冷却した。
その後、粉砕して封止材を得た。

【００３７】（評価）実施例１〜実施例１０、比較例１
〜比較例６及び参考例で得られた封止材をトランスファ
ー成型機を用いて、１７５℃の温度で９０秒成形した
後、１７５℃の温度で６時間後硬化して封止して評価用
サンプルを作製した。得られた評価用サンプルの吸湿電
気信頼性、吸湿ハンダクラック性、耐温度サイクル性、
吸湿率及び線膨張率を下記の方法で測定した。

【００３８】吸湿電気信頼性としては、窒化珪素のパッ
シベーション膜を持った３μｍ、５μｍ、１０μｍ幅の
回路を形成した２×３×０．４ｍｍの半導体素子を厚み
１５０μｍの銅合金［三菱電機社製、品番ＭＦ２０２］
製のリードフレームに銀ペーストで接着した後、１６ピ
ンＤＩＰ型評価用サンプルを上記方法で封止して作製し
た。次いでこの評価用サンプル８個を、２５Ｖのバイア
ス電圧を印加した状態で１３８．５℃／８５％ＲＨの条
件で処理し、評価用サンプルのうち４個の上記回路が腐
食してショートが発生するまでの時間を求めた。

【００３９】吸湿ハンダクラック性としては、９．６×
９．６×０．４ｍｍの半導体素子を厚み１５０μｍの銅
合金［三菱電機社製、品番ＭＦ２０２］製のリードフレ
ームに銀ペーストで接着した後、２８×２８×３．２ｍ
ｍの１６０ピンＱＦＰ型評価用サンプルを上記方法で作
製した。次いでこの評価用サンプル８個を８５℃／８５
％ＲＨの条件で１６８時間処理した後、最高温度が２４
５℃のハンダリフロー装置で加熱した。次いで評価用サ
ンプルのダイパッドと封止材の硬化物の剥離状態を超音
波探査装置（キャノン社製、Ｍ−７００ＩＩ）を用いて
観察し、ダイパッド面積の１０％以上に剥離が発生した
ものを不良とした。また、その評価で合格の評価用サン
プルを半分に切断し、切断面を研磨した後、顕微鏡でダ
イパッドの端部から発止するクラックの有無及び大きさ
を観察した。クラックの大きさが７５μｍ以上のものも
不良とした。

【００４０】耐温度サイクル性は、耐ハンダクラック性
の評価と同様の評価用サンプルを作製し、次いでこの評
価用サンプル８個を温度サイクル試験機で、−６０℃３
０分及び１５０℃３０分の処理を１サイクルとし、５０
０サイクル処理した。次いで評価用サンプルを耐ハンダ
クラック性と同様の方法で超音波探査装置及び顕微鏡を
用いて評価した。

【００４１】吸湿率は、直径５０ｍｍ厚み３ｍｍの円盤
型評価用サンプルを上記方法で作製した後、１２５℃の
温度で１６時間乾燥し、次いで８５℃／８５％ＲＨの条
件で７２時間処理した後、１２５℃の温度で１６時間乾
燥した直後の重量との差を測定して増加率を計算して求
めた。

【００４２】線膨張率は、直径５ｍｍ長さ２０ｍｍの円
柱型評価用サンプルを上記方法で作製した後、熱機械測
定（ＴＭＡ）装置（理学電機社製、ＴＡＳ２００）を用
いて、５０〜１００℃の間の線膨張率を求めた。

【００４３】（評価結果）結果は表１〜表３に示したよ
うに、各実施例は各比較例と比較して吸湿電気信頼性が
良好であることが確認された。特に、ガラス粉１００重
量部中の酸化カリウム及び酸化ナトリウム成分の合計重
量が、１重量部以下である実施例１及び実施例４〜実施
例１０は、耐温度サイクル性が、アルカリ粉を配合して
いない参考例と同等であり、特に良好であることが確認
された。

【００４４】また、各実施例は参考例と比較して吸湿ハ
ンダクラック性及び耐温度サイクル性が良好であり、各
比較例と同等であることが確認された。

【００４５】

【発明の効果】本発明の請求項１から請求項７に係る封
止材（封止材用エポキシ樹脂組成物）は、ガラス粉１０
０重量部中の、酸化カリウム及び酸化ナトリウム成分の
合計重量が５重量部以下であるため、この封止材を用い
て封止をすると、吸湿電気信頼性が優れた半導体装置が
得られる。

【００４６】本発明の請求項３に係る封止材を用いて封
止をすると、特に吸湿電気信頼性が優れた半導体装置が
得られる。

【００４７】本発明の請求項８に係る半導体装置は、ガ
ラス粉１００重量部中の、酸化カリウム及び酸化ナトリ
ウム成分の合計重量が５重量部以下である封止材を用い
ているため、吸湿電気信頼性の優れた半導体装置とな
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非晶質シリカ粉より線膨張率の大きいガ
   ラス粉を含む無機充填材、エポキシ樹脂及び硬化剤を配
   合してなる封止材用エポキシ樹脂組成物において、上記
   ガラス粉１００重量部中の、酸化カリウム及び酸化ナト
   リウム成分の合計重量が、５重量部以下であることを特
   徴とする封止材用エポキシ樹脂組成物。
2. 【請求項２】 ガラス粉の平均粒径が、０．０１〜１０
   ０μｍであることを特徴とする、請求項１記載の封止材
   用エポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】 無機充填材１００重量部中に、上記ガラ
   ス粉を１０〜１００重量部含むことを特徴とする請求項
   １又は請求項２記載の封止材用エポキシ樹脂組成物。
4. 【請求項４】 ガラス粉の形状が、球状であることを特
   徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の封止
   材用エポキシ樹脂組成物。
5. 【請求項５】 ガラス粉１００重量部中の、酸化カリウ
   ム及び酸化ナトリウム成分の合計重量が、１重量部以下
   であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれ
   かに記載の封止材用エポキシ樹脂組成物。
6. 【請求項６】 エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ
   樹脂を含有していることを特徴とする請求項１から請求
   項５のいずれかに記載の封止材用エポキシ樹脂組成物。
7. 【請求項７】 エポキシ樹脂が、ジシクロペンタジエン
   型エポキシ樹脂を含有していることを特徴とする請求項
   １から請求項６のいずれかに記載の封止材用エポキシ樹
   脂組成物。
8. 【請求項８】 請求項１から請求項７のいずれかに記載
   の封止材用エポキシ樹脂組成物を用いて、銅合金製リー
   ドフレームに搭載された半導体素子を封止してなる半導
   体装置。