JPH09194295A - 炉に固体材料を供給するためのシステム - Google Patents

炉に固体材料を供給するためのシステム

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JPH09194295A
JPH09194295A JP8289845A JP28984596A JPH09194295A JP H09194295 A JPH09194295 A JP H09194295A JP 8289845 A JP8289845 A JP 8289845A JP 28984596 A JP28984596 A JP 28984596A JP H09194295 A JPH09194295 A JP H09194295A
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feed tube
tube
solid material
crucible
furnace
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JP8289845A
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Dick S Williams
ディック・エス・ウィリアムス
William L Luter
ウィリアム・エル・ルター
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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt

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  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体材料をるつぼ上の同じ高さであるが異な
る半径位置に供給できる固体材料供給システムを提供す
る。 【解決手段】 固体材料を溶融炉に供給するシステム
は、るつぼの上で選択した半径位置に配置するためのロ
ーターが取り付けられた、炉内に部分的に位置する供給
チューブを有する。ローターは、熱膨張および収縮を補
償する構造であり、いずれの操作温度においても供給チ
ューブを自由に動かせ、また、粒状物により生じる動作
不能を防止する構造である。供給チューブは、固体材料
がコントロールされて閉塞しないで流れるように形成さ
れる。供給チューブと出口の形状はるつぼ内に円筒形状
のストリームを落下させる形状である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には炉に材
料を供給するためのシステム、特に固体材料を溶融する
炉に材料を供給するための固体材料を供給するためのシ
ステムに関する。
【0002】
【従来の技術】本発明は、半導体材料を製造する分野に
おいて特に用いられるが、その分野に限定されるもので
はない。半導体材料を製造する最も一般的な製造方法
は、チョコラルスキー(Czochralski)法であり、この
方法では、高純度の多結晶シリコン(ポリシリコン、po
lysilicon)のソース材料(原料、 source material)が
炉(即ち、結晶成長炉)の中のるつぼ(坩堝、 crucibl
e)で溶融され、メルト(溶融物、 melt)が生成する。
この溶融プロセスが一旦完結すると、引っ張りワイヤ
(pull wire)の端に取り付けた種結晶を下げて回転し
ているるつぼの中のメルトと接触させる。次に、この種
結晶をソース材料からゆっくり引き上げて種結晶の周囲
で固化する単結晶のインゴットを形成する。
【0003】1またはそれ以上のインゴットを形成する
ためにある量が取り出された後、このソース材料を補給
または交換する必要がある。ソース材料の交換は、炉の
シャットダウンを伴う場合があり、この場合、るつぼお
よび残っているソース材料を取り出して、炉に新たなる
つぼを配置する。新しい固体のソース材料がるつぼに配
置されて溶融される。必要な固体ソース材料の全てを供
給して一度にるつぼにおいてメルトを形成しないのがよ
り良い。炉の中で溶融が既に始まった後に、いくらかの
固体のソース材料をるつぼに入れるのが好ましい。この
供給方法を達成するには、炉の外部にある多結晶シリコ
ンのソースから炉内に延びる供給システムが必要であ
る。
【0004】現在では、固定式シュート(fixed chut
e)を有する供給システムがあり、このシュートは、固
体のソース材料をるつぼに供給するために、炉の中でる
つぼの開いた頂部に延びている。しかしながら、種結晶
を下げてるつぼの中央でメルトと接触させるために、ま
た、るつぼから上向きにインゴットを引き出すために空
間が必要であるので、この固定シュートは、るつぼの片
側に配置する必要がある。従って、シュートにより供給
される固体材料は、るつぼの中央またはその付近には供
給されないことになるが、メルトを最初に形成する場合
には、この中央供給が最も望ましい。
【0005】炉の中で延びて、また、引っ込む望遠鏡式
シュート(telescoping chute)も有り、これは、初期
のメルト形成時にるつぼの中央にシュートの端部を配置
し、また、結晶引き上げ工程のために中央からシュート
を取り去るようになっている。しかしながら、この望遠
鏡式シュートは、炉の中で同じ高さの複数の半径方向位
置でメルトに固体ソース材料を供給することができな
い。固体材料がシュートを流下するには、炉の中央に向
かって下方向の角度が必ず必要である。従って、シュー
トを引っ込めると、その出口端部はメルトの上方で益々
高い位置に移動する。固体材料は、メルトに入る時には
ね散り易く、また、多結晶シリコンはるつぼから外には
ね出易いので、メルトの遥か上方の位置から固体材料を
供給することは望ましくない。従って、実際には、望遠
鏡式シュートは、るつぼで種々の半径方向位置から選択
して固体ソース材料を供給することができない。これを
操作するには、望遠鏡式シュートは、床から比較的高い
位置に配置された固体ソース材料のフィードを保持する
ホッパーを必要とするが、これではホッパーに到達する
のが困難となる。
【0006】メルトの補給は、インゴットをメルトから
引き上げる時と実際には同時に行なう場合があり、これ
には、結晶引き上げの過程の間および/または連続する
結晶引き上げ同士の間に、固体、典型的にはペレット状
のソース材料(例えば、流動床多結晶シリコン、fluid
bed polysilicon)をメルトに添加することが含まれ
る。このようにして、炉がまだ運転中である時に、ソー
ス材料を補給する。従って、炉をシャットダウンする必
要がなく、るつぼが必要な頻度で交換される。当然であ
るが、補給はメルトの交換に代わるものではなく、むし
ろ、交換が必要となる前にメルトの有効寿命を延ばすた
めに使用できるものであることを理解されたい。
【0007】補給は、固体ソース材料をるつぼの中央の
上方のある位置だけに供給する供給システムでは実施で
きない。中央空間は、結晶の引き上げのために空けたま
まにしておく必要がある。現在では、るつぼの開いた頂
部の半径外側部分に固定式シュートが配置される。しか
しながら、これらのシュートは、るつぼの中央近辺に固
体のソース材料を供給するのがより良いメルトの交換に
使用できるという融通性を持たない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従って、現在、固体ソ
ース材料をるつぼ上の同じ高さであるが異なる半径位置
に供給することができる固体ソース材料を供給するシス
テムが必要とされている。更に、固体ソース材料の流れ
が詰まらず、固体材料がるつぼに落下する時に、固体ソ
ース材料が垂直な下向きの速度成分のみを実質的に有す
る供給システムも必要である。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の幾つかの目的お
よび特徴の中で、固体ソース材料をるつぼに落下させる
半径方向位置を変えるように選択的に調節できるように
すること;るつぼの上で同じ高さを維持しながら、半径
方向の調節ができるような供給システムを提供するこ
と;半径方向の調節を可能にする要素の実質的な温度変
動に拘わらず、半径方向の調節ができるような供給シス
テムを提供すること;供給システムの可動要素において
粒状物およびダストがたまる結果として、ジャムを起こ
す(jam、例えば詰まったり、動かなくなる)傾向が実
質的に減るような供給システムを提供すること;粒状物
およびダストが可動要素を通過できるような供給システ
ムを提供すること;粒状固体材料をフィードチューブお
よび供給チューブ内に実質的に含むような供給システム
を提供すること;および使用が容易であるような供給シ
ステムを提供することに着目できる。
【0010】一般的に、本発明の原理に基づいて構成さ
れる固体材料を溶融する場合に使用する炉システムは、
炉シェルを有して成り、この炉シェルはその内部を実質
的に隔離する。溶融すべき固体材料を保持するために炉
シェルの内部に配置するるつぼは、その頂部を経由して
材料を受容するような構造になっている。炉シェルの熱
源は、るつぼを加熱し、固体材料を溶融する。流動可能
な固体材料を供給する固体材料供給システム(solid ma
terial delivery system)は、一般的にるつぼの上方で
炉シェル内に少なくとも部分的に配置された供給チュー
ブ(delivery tube)を有して成る。この供給チューブ
は出口を有し、炉シェルの外側のソース(材料源)から
固体材料を受け取るような構造になっている。炉シェル
に対して相対的にスウィング動作(swing motion、回転
または振り動作)するために手段が供給チューブに配置
され、その動作により、るつぼの頂部に対して相対的に
供給チューブの出口の半径位置を選択的に変えることが
できる(即、軸回転できる)。供給チューブの出口を半
径方向に選択的に位置決めするように、アクチュエータ
ーが供給チューブのスウィング動作を始動させる。
【0011】本発明のもう1つの要旨では、供給チュー
ブは、センターライン(中心線)を有する上方端部分お
よびその上方端部分から横方向外向きにある角度で延び
るセンターラインを有する角度付き部分を有して成る。
上方端部分のセンターラインと角度付き部分のセンター
ラインとの間の角度は、90°に固体材料の安息角より
大きい角度を加えたものである。
【0012】本発明の更にもう1つの要旨では、供給チ
ューブは、上方部分、上方部分からある角度で横方向外
向きに延びる角度付き部分および角度付き部分からある
角度でほぼ下向きに延びる出口部分を有して成る。出口
部分の長さの直径に対する割合は、少なくとも約1であ
る。
【0013】本発明の更にもう1つの要旨では、供給チ
ューブは、上方部分、上方部分からある角度で横方向外
向きに延びる角度付き部分および角度付き部分から有る
角度でほぼ下向きに延びる出口部分を有して成る。この
角度付き部分は、出口部分より拡がった球根状(ふくら
んだ)端部(bulbous end)を有する。
【0014】本発明の他の目的および特徴は、部分的に
は明らかであり、また、部分的には以下において指摘す
る。
【0015】
【発明の実施の形態】図面、特に図1を参照すると、引
用番号10により一般的に示される結晶成長炉を示して
いるが、これは、半導体ウエハーを製造するために加工
される単結晶半導体インゴット(図示せず)を成長させ
るために使用する種類のものである。結晶成長炉に取り
付けられた(引用番号12により一般的に示される)固
体材料供給システムは、ペレットまたは粒状形態の高純
度の多結晶シリコンを炉10に供給できる。ここで説明
する態様は、流動床多結晶シリコンを使用する場合を引
用する。しかしながら、流動できる他の粒状形態の多結
晶シリコンも使用できると理解すべきである。同時に、
炉10および供給システム12は、好ましい態様におい
て、炉システムを構成すると理解すべきである。ここで
説明する好ましい態様は半導体製造に関するが、本発明
の原理はもっと広範な用途を有すると理解すべきであ
る。
【0016】結晶成長炉10は、炉の内部を周囲の環境
から実質的に隔離できるシェル14を含む。シェル14
の中に引き上げチャンバー16および結晶成長チャンバ
ー18が形成され、これらは相互に隔離できる。結晶成
長チャンバー18内のるつぼ20は、固体の多結晶シリ
コンおよび溶融したシリコンにより形成されるメルトを
保持できる。るつぼ20は好ましくは石英で作られ、る
つぼ内で保持される多結晶シリコンを汚染しないように
なっており、また、るつぼの頂部はその中に固体シリコ
ンを受け入れるために開いている。るつぼ20は、シェ
ル14内で回転させるためにターンテーブル22により
支持される。グラファイトヒーターならびにるつぼ20
およびターンテーブル22に隣接する断熱材を、それぞ
れ、図1にて24および26で示している。ここで説明
する炉10は、チョコラルスキー法により単一の結晶シ
リコンの結晶を成長させるために当該分野において周知
である種類のものである。そのような炉の例は、ケイエ
ックス社(Kayex Corporation)(ジェネラル・シグナ
ル・コーポレイション(General Signal Corporation)
のユニット、ニューヨーク州、ロチェスター(Rocheste
r))により製造されているハムコ(Hamco)・モデル2
000CGである。
【0017】流動床多結晶シリコン供給システム12
は、貯蔵ホッパー30から結晶成長炉10のシェル14
を経由してるつぼ20に多結晶シリコンを供給する。ホ
ッパー30は既知の構造のものであり、ホッパーからの
多結晶シリコンの流れを計量することができ、ホッパー
内の多結晶シリコンの純度を(例えば石英をライニング
することにより)維持できる。従って、ホッパー30の
出口部分のみを図示している。供給システム12および
ホッパー30は、周辺環境から隔離でき、炉10内のメ
ルトまたは環境の汚染を防止できる。流動床多結晶シリ
コンは、固体であるが、ホッパー30から供給システム
12を通ってるつぼ20に重力で流れることができる。
【0018】図1および図2を参照すると、供給システ
ム12は供給チューブ(一般的に32で示す)を有して
成り、これは、結晶成長炉10のシェル14の外部の位
置から炉への口34を通ってその内部に延びている。こ
の供給チューブ32は上方部分(一般的に36で示
す)、上方部分からある角度で延びる角度付き部分38
および出口部分40を有して成る(図8参照)。出口部
分40はるつぼ20の開口頂部の上に配置され、るつぼ
内に流動床多結晶シリコンを落下させる。供給チューブ
32の上方端部42はベル形状で外向きに広がり、フィ
ードチューブ(feedtube)44の下方端部分を受容する
ようになっている。フィードチューブ44は、ホッパー
30まで上方に延び、流動床多結晶シリコンをホッパー
から供給チューブまで供給するようになっている。供給
チューブ32は、好ましい態様では石英から作られる
が、特定の用途に応じてシリコンまたは他の適当な材料
からできていてよい。フィードチューブ44は石英から
できているが、他の適当な材料、例えばケイ素(シリコ
ン)またはシリコン被覆グラファイトからできていても
よい。
【0019】ローター(回転機構、rotor)アッセンブ
リハウジング50内に配置されたローターアッセンブリ
(一般的に48で示す)が供給チューブ32に配置さ
れ、それにより、一般的に垂直である軸の回りでシェル
14に対してチューブがスウィング動作をするようにな
っている。このスウィング動作により、図1において示
す実線および破線にて示す供給チューブのように、供給
チューブ32の出口部分40の半径位置をるつぼ20に
対して選択的に変更できるようになっている。ローター
アッセンブリハウジング50は、適当な締結手段、例え
ばボルト52により入口部分34に取り付けられる。ロ
ーターアッセンブリ48は、ローター(一般的に54に
て示す)を含み、これは、第1シーブ(sheave、綱車)
56および第2シーブ(全体を引用番号58で示す)を
有して成り、これらの間において、ローターの周囲で間
隔を隔てて配置された3つのベアリングローラー(bear
ingroller)60の周状縁部分を受容する空間が規定さ
れる(図4参照)。このベアリングローラー60は、ロ
ーターアッセンブリハウジング50に取り付けられて、
実質的に平行な軸を有する回転軸62でハウジングに対
して回転するようになっており、ローター54はその中
央軸の回りで回転できる。好ましい態様では、ベアリン
グローラー60は強靭な耐熱性プラスチックでできてい
るが、他の適当な材料に代えてもよい。供給チューブ3
2は、(一般的に64で示す)スリーブにより第1シー
ブ56に接続され、ローター54と一緒に回転するよう
になっている(より詳細には後述する)。
【0020】第1シーブ56は中央のチューブ状ハブ部
分66および外向きに突出する環状フランジ68を有
し、第2シーブ58に対して対向するように位置する。
第2シーブは、ハブ部分66の上方部分を中央開口部を
介して滑動的に受容する。ハブ部分66の下方部分は、
シェル14の入口部分34に配置されたチューブ状アダ
プター70内の向かい合う孔内に延びている。アダプタ
ー70は、ローターアッセンブリハウジング50に溶接
され、ハウジングの一部を構成する。このアダプター7
0および入口部分34は、冷却液体が循環するチャンネ
ル72を有する。第1シーブ56のフランジ68の下側
にある溝内に受容される封止リング74により、アダプ
ター70との封止を維持しながら、第1シーブがロータ
ーアッセンブリハウジング50に対して回転できる。
【0021】第2シーブ58は、第2シーブにある穴を
通って延び、第2プーリーには固定的に接続されていな
い締結手段76(1つのみ図示)により第1プーリーに
接続される。各締結手段の下方端部は第1シーブ56の
穴にネジにより受容され、第1プーリーに固定して接続
される。第2シーブ58の穴において向かい合う孔に入
れられたベルビルワッシャー(belleville washer、皿
形ワッシャー)78は、締結手段76のヘッドを上向き
にバイアスし(bias、片寄らせようとし)、これが第1
シーブ56および第2シーブ58を相互に向かって引っ
張り、ベアリングローラー60を押し付ける。第1シー
ブ56および第2シーブ58のより大きい範囲の動作が
必要であれば、締結手段76のヘッドの下で向かい合う
孔において複数のベルビルワッシャー(図示せず)を使
用してよい。本発明から逸脱することなく、ベルビルワ
ッシャー以外のスプリング要素を使用することも可能で
あると理解すべきである。第1シーブ56および第2シ
ーブ58ならびにベアリングローラー60の周囲は、相
補的にはすに切られ(角度が付けられ)、第1シーブ5
6および第2シーブ58がベアリングローラーと回転可
能に係合できる。従って、炉10からの熱のためにロー
ター54が膨張すると、第1シーブ56および第2シー
ブ58はベルビルワッシャー78のスプリングの力に抗
して更に離れるように動作することにより力を平衡させ
ることができ、その結果、ローターはベアリングローラ
ー60に対して動かなくならない。ローターの膨張およ
び収縮に関係なく、ベアリングローラー60の配置によ
ってローター54の回転軸は一定のままである(即ち、
供給チューブ32の上方部分36のセンターラインと同
軸である)。
【0022】第2シーブ58にボルト84(1つのみを
図示)により堅固に接続されたギヤプレート(gear pla
te)82は、シャフト88の下方端部に配置された駆動
ギヤ(drive gear)86と噛み合わされている。このシ
ャフト88は、ベアリング87によりローターアッセン
ブリハウジング50に配置され、ハウジングに対して回
転するようになっている。ローターアッセンブリハウジ
ング50の溝に配置されたO−リング89は、シャフト
88との真空封止を保持する。シャフト88は、ロータ
ーアッセンブリハウジング50の外部に延び、そこで、
その上方端部において、オペレーター(図示せず)が握
って回転させるように配置されたハンドル90に接続さ
れている。ハンドル90および駆動ギヤ86は、図示し
た態様では「アクチュエーター」を構成する。供給チュ
ーブ32は、ハンドル90を回転することによりるつぼ
20の上で選択された半径位置に向かってスウィングさ
せることができる。炉10のシェル14内にあるるつぼ
20の上の供給チューブ32の位置は、シェルの覗き窓
92(図1参照)を用いて視覚的に、またはハンドル9
0の下でローターアッセンブリハウジング50の外部に
張り付けたマーク(図示せず)により決めることができ
る。
【0023】ローターアッセンブリ48は、熱膨張およ
び収縮を補償できるだけでなく、流動床多結晶シリコン
からのダストおよび粒状物が集まることにより生じるジ
ャム、作動不能(例えばロック)を避けることができ
る。供給システム12を周期的に遮断する場合、結晶成
長炉10は、ローターアッセンブリハウジング50の上
にあるプレート98によって配置されたボールバルブ9
6によりホッパーから隔離する。供給システム12が開
いた状態にある場合、フィードチューブ44がボールバ
ルブ96を通って延び、供給チューブ32のベル形状上
方端部42においてつながっている(いわゆるドッキン
グ(docking)した状態となる)。供給システム12を
閉じてホッパーから炉10を隔離するには、フィードチ
ューブ44を供給チューブ32からボールバルブ96の
丁度上の位置まで軸方向に引き出す。
【0024】フィードチューブ44は、ボールバルブ9
6から外にボールバルブ96から上方向に整列プレート
(alignment plate)100、継手102およびチュー
ブ状部材104を通って長手方向に膨張および収縮可能
なベローズ(蛇腹、bellows)106内に延びる。継手
102は、フィードチューブ44の周囲に環状の溝10
8を有し、これは、ダストおよび漏洩する流動床多結晶
シリコンを捕捉してフィードチューブが動かなくなる
(またはジャムする)のを防止するスピル・トラップ
(spill trap、こぼれたもの用のトラップ)として作用
する。継手102は、シールリング110によりチュー
ブ部材104に封止的に接続されている。フィードチュ
ーブ44の上方端部(図示せず)は、フィードチューブ
の軸方向の移動ができるようにキャリー・プレート(支
持プレート)112(図1参照)に操作可能に接続され
ている。このキャリー・プレート112は、下方端部が
整列プレート100に取り付けられたアライメント・ロ
ッド(alignment rod)116にスライダー(slider)
114により接続されている。キャリー・プレート11
2の上方では、フィードチューブは、もう1つのベロー
ズ117およびホッパー30に接続されたもう1つの継
手119を通って延びる。このキャリー・プレート11
2は、スライダー114に接続されたアクチュエーター
(図示せず)により上下方向に移動でき、供給チューブ
32のつながった状態(図2、ドッキング状態)とボー
ルバルブの直ぐ上で間隔を隔てたつながっていない状態
(図3、非ドッキング状態)との間でフィードチューブ
44を移動させることができる。
【0025】ボールバルブ96およびローターアッセン
ブリ48の操作は多結晶シリコンペレットおよびダスト
の存在に対して敏感である。フィードチューブ44と供
給チューブ32との間の接続部は、多結晶シリコンがボ
ールバルブ96および/またはローターアッセンブリ4
8の中に洩れ出す主たる部位である。石英は、細かい許
容誤差内に維持することはできないので、フィードチュ
ーブ44と供給チューブ32の内壁との間に有る程度の
空間を残す必要がある。フィードチューブ44と供給チ
ューブ32との間の最小限の空間は、最も大きい粒状の
流動床多結晶シリコンの寸法が供給チューブ内に戻るこ
とができるのに十分な大きさである必要がある。供給チ
ューブ32の上方端部42から漏れ出すダストおよび粒
子は、できるだけ減らすのが好ましい。従って、フィー
ドチューブ44が供給チューブ32内に延びる距離は、
接続部からのダストの漏れ出しを最小限にするように選
択されている。流動床多結晶シリコンは、非常に弾性を
有し、従って、動き出すとコントロールすることが困難
である。図9に示すように、フィードチューブ44が供
給チューブ32の上方端部42に挿入される距離Dは、
フィードチューブの外側表面と供給チューブの内側表面
との間の最大の半径方向間隔Sの約30倍であるのが好
ましい。図示した例では、最大半径方向間隔Sは約2.
5mmであり、フィードチューブ44が供給チューブ3
2に挿入される距離Dは約75mmである。最大半径方
向間隔Sは、供給チューブ32を通って送られる材料の
最大粒子寸法より大きくなるように選択するのが好まし
い。
【0026】フィードチューブ44の下方端部と上方端
部42の角度付き内側表面との間のギャップGは、最小
限であるのが好ましい。しかしながら、石英要素を形成
する現在の技術に固有の誤差のためにギャップをゼロに
はできない。好ましくは、ギャップGは最小の粒子の寸
法より小さく、これは、大まかには最大の粒子の寸法の
大まかには1/10である。別の言い方をすれば、ギャ
ップGの寸法は、最大の半径方向間隔Sの1/10の寸
法にほぼ等しい。勿論、多結晶シリコンは、ダストおよ
びより小さい寸法の他の粒状物を含むが、ギャップは、
多結晶シリコンの最も小さい形成されたペレットの寸法
より小さい必要がある。好ましい態様では、フィードチ
ューブの外径は、上方端部より下の供給チューブの内径
にほぼ等しく、またはそれより供給チューブの材料の許
容誤差に等しい量だけ小さくてもよい。
【0027】流動床多結晶シリコンの幾らかがフィード
チューブ44および供給チューブ32から逃げることを
避けることはできない。逃げた多結晶シリコンが石英供
給チューブ32と供給システム12の何らかの取り付け
た要素との間で溜まる場合、供給チューブが動かなくな
ることになり、その半径的調節が阻害される。本発明で
は、ダストが供給チューブ32の周囲でローターアッセ
ンブリ内に溜まるのではなく、ローターアッセンブリ4
8を通って降下できる。この点に関して、スリーブ64
が供給チューブ32を保持して結合状態で回転できるよ
うな構造になっており、他方、流動床多結晶シリコン
は、ローターアッセンブリ48を通ってスリーブと供給
チューブとの間で流れることができる。このスリーブ6
4は、その上方端部付近にフランジ120を有し、これ
は、第1シーブ56のハブ(hub、中心)部分66にある
反対側の穴に載置され、ハブ部分にネジ122(1つの
みを図示)により接続されている。図5において理解で
きるように、スリーブ64は、一般的にその長手方向に
延びる間隔を隔てて配置された内側リブ(筋状物、ri
b)124を有する。このリブ124は、供給チューブ
の上方部分36の部分と係合するが、これは非常に小さ
い表面積の係合である。図5から理解できるように、隣
接するリブ124は、その間で比較的大きい空間を規定
し、これは、逃げた流動床多結晶シリコンが供給チュー
ブ32とスリーブとの間でスリーブ64を通過できるよ
うにする。
【0028】供給チューブ32は、ローターアッセンブ
リ48に対して緊密な接続を達成しながら、逃げた流動
床多結晶シリコンが流れることができるように形成され
ている。スリーブ64の内側リブ124は、上方部分3
6で2つの軸方向に離れた位置において供給チューブ3
2に係合する。第1位置は、供給チューブ32のベル形
状上方端部42の外側表面にある。第2位置は、例えば
供給チューブ32に石英リングを融着するような、適当
な方法で形成された下方部分126の外側表面にある。
供給チューブ32の外径は、その上方部分36に沿って
変化するが、上方端部42より下方の内径は、出口部分
140まで実質的に一定のままである。ベル形状上方端
部42と下方端部126との間の中間部分128はより
小さい外径を有し、リブ124に接触しない。2つの離
れた位置における供給チューブ32とのリブ124の接
触は、スリーブ64が上方部分36を垂直状態で保持し
て、ローター54内で供給チューブが斜めになるのを防
止するのを助ける。しかしながら、供給チューブ32お
よびスリーブ64の上に位置する領域の大部分の間には
実質的な空間が存在し、流動床多結晶シリコンが供給チ
ューブの外側でスリーブを通過できるようになってい
る。
【0029】供給チューブ32のスリーブ64へのリリ
ース(取り外し)可能な接続は、供給チューブに半径方
向で突出する3つのペグ(peg、 栓状物)132(図7
参照)およびスリーブの下方端部の3つの逆J字形状ス
ロット(一般的に134で示す)(図10参照)を有し
て成るコネクター要素を有する差し込み式接続部を用い
て達成される。ペグ132は、供給チューブの周囲で角
度的に離れた位置にて供給チューブ32の中間部分に配
置され、スリーブ64に装着した場合、逆J字形状スロ
ット134の先部分136に載置される。スリーブ64
から供給チューブ32を外すには、チューブ32を引き
上げてペグ132を先部分136から移動させ、ペグが
スロットのまっすぐな部分138に来るように回転し、
その後、下げてスリーブの外に出す。新しい供給チュー
ブのスリーブ64への接続は、上述の工程を逆に実施す
ることにより行う。
【0030】供給チューブ32は、多結晶シリコンの閉
塞または漏れを伴うことなく、流動床多結晶シリコンが
流れるのを容易ならしめ、また、その出口部分40から
実質的に円柱状のストリームで多結晶シリコンを落下さ
せる構造である。供給チューブ32の内径が上方端部4
2の下方で実質的に一定であることにより、非常に弾性
の多結晶シリコンがリバウンドして(はね返って)供給
チューブの開口した上方端部から出るのを防止するのを
助長する。内径が変化することにより、チューブ32を
通る多結晶シリコンの流れの方向に当たる表面が提供さ
れ、そのために、これらの表面から多結晶シリコンがリ
バウンドしてしまうことになるであろう。図示した態様
では、供給チューブ32の内径は実質的に上方端部42
から出口部分40まで変化しない。好ましくは、内径
は、ホッパー30から落下させた時に、多結晶シリコン
粒子がリバウンドする距離より大きい距離で一定である
(例えば内径の10倍またはそれ以上である)。
【0031】図6に示すように、供給チューブの上方部
分36は、供給チューブをローターアッセンブリ48に
装着した場合に、ほぼ垂直方向に向くセンターラインC
1を有する。角度付き部分38のセンターラインC2
は、上方部分36のセンターラインC1から角度αで横
方向外向きに延びる。センターラインの間の角度αは、
90°+流動床多結晶シリコンの安息角よりいくらか大
きい角度に等しい。安息角は、材料が流れ出す前に自体
支持できる(自立性の)角度で最大のものであり、流動
床多結晶シリコンの場合はおおまかに26°である。角
度付き部分38が水平方向(線Hにより示す)と為す角
度βは、安息角より大きいが、安息角+約10°より小
さくなるように選択するのが好ましい。角度βは、約5
°以下の量だけ安息角より大きいのがより好ましく、約
2°以下の量だけ安息角より大きいのが最も好ましい。
従って、角度付き部分38は、ローターアッセンブリ4
8により保持される場合、角度付き部分にある流動床多
結晶シリコンが、角度付き部分を初めて流下し始める水
平方向からの角度βで支持されるような構造である。
【0032】図8を参照すると、供給チューブ32の出
口部分40は、センターラインC3を有し、これは、角
度付き部分38のセンターラインC2に対してある角度
で一般的に下向きに延びる。好ましくは、この出口部分
のセンターラインC3はほぼ垂直方向に向いている。理
解できるように、出口部分40は、角度付き部分38の
端部から相当下向きに突出する。出口部分40の直径に
対する長さの比は、少なくとも約1、好ましくはそれよ
り幾らか大きい。出口部分40が長くなっていることに
より、実質的に円柱状に流れるように供給チューブ32
からるつぼ20に流動床多結晶シリコンを再度向き決め
することができる。
【0033】流動床多結晶シリコンの流れのコントロー
ルは、供給チューブ32の角度付き部分38にあるバル
ブ状(例えば球根状)端部140により容易になる。こ
の球根状端部140は、角度付き部分38のセンターラ
インC2と出口部分40のセンターラインC3の交点に
おいて中心を有し、角度付き部分の内側半径に均しい半
径Rを有する一般的に球状のセクションである。球根状
端部140の寸法および形状は、流動床多結晶シリコン
が殆ど専ら下向きの速度を有するように再度向き決めす
るのを助長し、出口部分40における閉塞を防止する。
【0034】るつぼ20内に多結晶シリコンの比較的大
きい塊を配置することにより、るつぼ20内で多結晶シ
リコンのメルトを最初に生成する。結晶成長炉のシェル
14の内部は、真空圧力に減圧され、アルゴンのような
不活性気体が内部で循環される。グラファイトヒーター
24を可動させて塊を加熱し、それにより、塊が溶融し
始める。塊が幾らか溶融すると、追加の多結晶シリコン
を供給システム12により加える。最初、図3に示すよ
うに、ボールバルブ96を閉じて、フィードチューブ4
4をボールバルブの上方に位置させる。不活性気体雰囲
気においてホッパー30および供給システム12を真空
圧力にし、ボールバルブを開く。図2に示すように、フ
ィードチューブ44を下げて供給チューブ32のベル形
状上方端部42にドッキング状態、即ち、つながった状
態とする。
【0035】ハンドル90を回すことにより、るつぼ2
0の開口頂部に対して選択した半径位置で出口部分40
を配置するように供給チューブ32をスウィングさせ
る。典型的には、出口部分40は、(図1に示すよう
に)るつぼ20のほぼ中央上の配置させる。次に、流動
床多結晶シリコンをホッパー30からフィードチューブ
44に、更に、供給チューブ32に落下させてるつぼ2
0に供給する。フィードチューブ44が供給チューブ3
2に挿入される距離Dにより、流動床多結晶シリコンが
供給チューブから逃げるのが防止される。しかしなが
ら、フィードチューブ44または供給チューブ32から
逃げる多結晶シリコンの粒子は、スリーブ64と供給チ
ューブとの間でローターアッセンブリ48を通って流れ
ることができる。このように、多結晶シリコンは、ロー
ターアッセンブリ48内で容易にたまらず、更にロータ
ーアッセンブリの作動不能が防止される。
【0036】供給チューブ32に入る多結晶シリコン
は、チューブの角度付き部分38を穏やかに流下する
が、閉塞は生じない。それは、角度付き部分が水平方向
と為す角度βが材料の安息角より大きいからである。供
給チューブ32の出口部分40および球根状部分140
は、多結晶シリコンを垂直パス(通路)に再度向き決め
し、その結果、多結晶シリコンは、実質的に円柱状スト
リームで出口部分を出る。このようにすると、流動床多
結晶シリコンは、るつぼ20からはね出る可能性は殆ど
なくなる。また、球根状部分は、出口部分40における
閉塞を防止する。
【0037】メルトが完了すると、ハンドル90を用い
てるつぼ20の開口頂部の周囲部分を越えて供給チュー
ブ32をスウィングさせることができる。このようにす
ると、成長チャンバー18の中央は、メルトから単結晶
シリコンインゴットを成長させるために開口した状態と
なる。供給チューブ32は、るつぼ20の開口頂部の周
辺部分付近に配置することもでき、複数の結晶を成長さ
せる過程(「連続再供給チョコラルスキー(Continuous
Recharge Czochralski)」)においてメルトに流動床
多結晶シリコンを更に加えることができる。るつぼ20
の開口頂部でのいずれかの半径位置への供給チューブ3
2の動きは、同じ水平面内に出口部分40の端部を維持
した状態で、達成できる。従って、多結晶シリコンは、
半径位置に関係なく、るつぼ20上に同じ高さから落下
させることができる。更に、供給チューブ32の動作の
ためには、炉10内において最小限の空間が必要となる
だけである。
【0038】上述の事項に鑑み、本発明の上述の目的が
達成され、また、他の有利な結果も達成できることが理
解されよう。本発明の範囲から逸脱することなく、上述
の構成において種々の変更を為し得るので、上述の説明
または添付図面に示した全ての事項は例示であって、限
定する意味のものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、固体材料供給システムを含む炉シス
テムの前面の模式的立面図であり、炉システムのシェル
の一部分を切除して内部構造が判るようにしてある。
【図2】 図2は、炉システムの拡大した部分的な垂直
断面であり、材料供給構造における供給システムの詳細
を示す。
【図3】 図3は、炉システムの拡大した部分的な垂直
断面であり、閉じた状態の供給システムを示す。
【図4】 図4は、図2の線4−4により示される見方
をした場合の供給システムのギヤプレートおよび駆動ギ
ヤの模式的平面図である。
【図5】 図5は、図2の線5−5を含む面の断面を示
す。
【図6】 図6は、内部構造を示すために部分的に切除
した供給システムの供給チューブの立面図である。
【図7】 図7は、図6の線7−7を含む面の断面を示
す。
【図8】 図8は、供給チューブの部分的な垂直断面で
あり、その出口端部を示す。
【図9】 図9は、供給チューブにおいてつながってい
る供給システムのフィードチューブの拡大した部分図で
ある。
【図10】 図10は、内部構造を示すために部分的に
切除した供給システムのスリーブの立面図である。
【符号の説明】
10…結晶成長炉、12…多結晶シリコン供給システ
ム、14…シェル、16…引き上げチャンバー、18…
結晶成長チャンバー、20…るつぼ、22…ターンテー
ブル、24…グラファイトヒーター、26…断熱材、3
0…ホッパー、32…供給チューブ、34…入口部分、
36…上方部分、38…角度付き部分、40…出口部
分、42…上方端部、44…フィードチューブ、48…
ローターアッセンブリ、50…ローターアッセンブリハ
ウジング、52…ボルト、54…ローター、56…第1
シーブ、58…第2シーブ、60…ベアリングローラ
ー、62…回転軸、64…スリーブ、66…ハブ部分、
68…環状フランジ、70…アダプター、72…チャン
ネル、74…封止リング、76…締結手段、78…ベル
ビルワッシャー、82…ギヤプレート、84…ボルト、
86…駆動ギヤ、87…ベアリング、88…シャフト、
89…O−リング、90…ハンドル、92…覗き窓、9
6…ボールバルブ、98…プレート、100…整列プレ
ート、102…継手、104…チューブ状部材、106
…ベローズ、108…溝、110…シールリング、11
2…キャリー・プレート、114…スライダー、116
…アライメント・ロッド、117…ベローズ、119…
継手、120…フランジ、122…ネジ、124…内側
リブ、126…下方部分、128…中間部分、132…
ペグ、134…逆J字形状スロット、136…逆J字形
状スロットの先部分、138…スロットのまっすぐな部
分、140…球根状部分、C1…センターライン、C2
…センターライン、C3…センターライン。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固体材料をソースからそれを溶融するた
    めの炉に供給するための固体材料供給システムであっ
    て、 炉は、炉シェルの内部を実質的に隔離するための炉シェ
    ルを有し、溶融すべき固体材料を保持するためにるつぼ
    が炉シェル内に配置され、るつぼはその頂部を介して材
    料を受け取るような構造であり、また、るつぼを加熱す
    るために熱源が炉シェル内に配置された固体材料供給シ
    ステムであって、 供給システムの供給チューブは、一般的にるつぼの上方
    で炉シェル内において少なくとも部分的に配置されるよ
    うになっており、供給チューブは出口を有し、炉シェル
    の外部のソースから固体材料を受け取る構造であり、 炉シェルに対してスウィング動作させるように、取付手
    段が供給チューブを取り付けることができ、そのスウィ
    ング動作によって、るつぼの頂部に対する供給チューブ
    の出口の半径位置を選択的に変更でき、 アクチュエーターが供給チューブの出口を選択的に半径
    方向に位置させるように、供給チューブのスウィング動
    作を起こす構造であることを特徴とするシステム。
  2. 【請求項2】 取付手段は、供給チューブの一部分を軸
    の回りで回転するように取り付け、この取付手段は、炉
    の運転により生じる熱的な力によって取付手段が変形す
    るのを補償して、炉の全ての操作温度においてスウィン
    グ動作ができるように供給チューブが自由であるように
    維持するように構成されている請求項1記載のシステ
    ム。
  3. 【請求項3】 該取付手段は、 接合状態で回転できるように供給チューブの一部分に操
    作可能に接続されたローターが、ローターが自由に回転
    できる状態を保持するように取付手段の熱的変形を補償
    する構造であり、 ベアリング手段が炉シェルに対して回転するようにロー
    ターを支持し、 ローターが第1シーブおよび第2シーブを有して成り、
    これらの間でベアリング手段の一部分を受容するように
    シーブの間で空間を規定するような構造であり、第1シ
    ーブおよび第2シーブはその間の空間の寸法を変えるよ
    うに相対的な動作ができ、 バイアス手段が第1シーブおよび第2シーブを相互に向
    かってバイアスさせ、 該ベアリング手段は、実質的に平行な軸の回りで回転す
    るように取り付けた複数のホイール(wheel、 車状物)
    を有して成り、これらホイールは、各ホイールの一部分
    がローターの第1シーブと第2シーブとの間で受容され
    てそれらと係合することを特徴とする請求項2記載のシ
    ステム。
  4. 【請求項4】 該取付手段は、そのジャム防止手段が該
    取付手段において粒状固体材料が蓄積するのを防止する
    ことを特徴とする請求項1記載のシステム。
  5. 【請求項5】 該ジャム防止手段は、 そのスリーブが、粒状の固体材料が該取付手段を通過す
    ることを許容しながら、スリーブとの接合回転をするた
    めに供給チューブを保持するような構造であり、 このスリーブは、供給チューブに係合するように、スリ
    ーブの長手方向に延びる間隔を隔てて離れた内側リブを
    有し、 隣接するリブは、供給チューブとスリーブとの間で粒状
    固体材料がスリーブを通過するように空間をリブの間で
    規定することを特徴とし、供給チューブは、 そのベル形状上方端部が、スリーブの一端に一般的に隣
    接するスリーブの内側リブに係合する外側表面を有し、 下方部分が、スリーブの反対の端部に一般的に隣接する
    スリーブの内側リブに係合する外側表面を有し、 供給チューブの上方端部と下方部分との間の中間部分
    は、いずれの部分でもスリーブの内側リブから空間を隔
    てて隔たっていることを特徴とする請求項4記載のシス
    テム。
  6. 【請求項6】 供給チューブは、 供給チューブの角度付き部分が該取付手段から横方向外
    向きかつ下向きに延び、該角度付き部分が水平方向とな
    す下向きの角度が固体材料の安息角より大きく、固体材
    料の安息角+約5°より小さくなるように、角度付き部
    分が該取付手段により保持されていることを特徴とする
    請求項1記載のシステム。
  7. 【請求項7】 供給チューブは、 供給チューブの角度付き部分がセンターラインを有し、
    供給チューブの出口部分が、角度付き部分のセンターラ
    インに対して一般的に下向きに延びるセンターラインを
    有し、出口部分の直径に対する長さの割合は少なくとも
    約1であることを特徴とする請求項1記載のシステム。
  8. 【請求項8】 供給チューブの角度付き部分は、出口部
    分より広がった球根状端部を有し、この球根状端部は、
    出口部分および角度付き部分のセンターラインの交差点
    に中心を有し、角度付き部分の半径に等しい半径を有す
    る一般的に球状のセクションであることを特徴とする請
    求項7記載のシステム。
  9. 【請求項9】 固体材料のソースは、固体材料をソース
    から供給チューブに供給するためのフィードチューブに
    よって供給チューブに操作可能に接続され、フィードチ
    ューブは、それが供給チューブの上方端部内に延びるつ
    ながった状態と、フィードチューブが供給チューブの上
    方端部から隔たっているつながっていない状態との間で
    一般的に軸方向の動作をするように配置されていること
    を特徴とする請求項1記載のシステム。
  10. 【請求項10】 供給チューブの上方端部は、一般的に
    ベル形状であり、 供給チューブのベル形状上方端部の下方の供給チューブ
    の内径は、供給チューブの内径の約10倍に等しい距離
    にわたって実質的に一定であり、 供給チューブの上方端部の内側表面およびフィードチュ
    ーブの外側表面は、ソース材料の最大粒子寸法より大き
    くなるように選択された最大半径間隔をつながった状態
    で有し、 つながった状態におけるフィードチューブは、該最大半
    径間隔の約30倍に等しい距離で供給チューブの上方端
    部内に挿入され、 つながった状態におけるフィードチューブと供給チュー
    ブとの間の最も小さいギャップは、最大半径間隔の1/
    10にほぼ等しく成るように選択され、 フィードチューブの外径は、上方端部の下方の供給チュ
    ーブの内径にほぼ等しい量より供給チューブの材料の許
    容誤差に等しい量だけ少ない請求項9記載のシステム。
  11. 【請求項11】 固体材料を溶融する、炉内のるつぼに
    固体材料を供給するための固体材料供給システムに使用
    するための供給チューブであって、センターラインを有
    する上方部分および該上方部分からある角度で横断方向
    外向きに延びるセンターラインを有する角度付き部分を
    有して成り、上方部分のセンターラインと角度付き部分
    のセンターラインとの間の角度は、90°+(固体材料
    の安息角より大きいが、安息角+約10°より小さい
    量)であるチューブ。
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