JPH09191003A - Dry etching method and apparatus - Google Patents
Dry etching method and apparatusInfo
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- JPH09191003A JPH09191003A JP344396A JP344396A JPH09191003A JP H09191003 A JPH09191003 A JP H09191003A JP 344396 A JP344396 A JP 344396A JP 344396 A JP344396 A JP 344396A JP H09191003 A JPH09191003 A JP H09191003A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はドライエッチング方
法とその装置に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dry etching method and an apparatus therefor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】薄膜デバイスの製造工程などで使用され
るドライエッチング装置の反応室構造は、エッチング特
性を決定する大きな要因である。2. Description of the Related Art The reaction chamber structure of a dry etching apparatus used in the manufacturing process of thin film devices is a major factor in determining etching characteristics.
【０００３】従来のドライエッチング装置は図２に示す
ように構成されている。チャンバー４の内部には、アル
ミナリング３ａ，３ｂを介して電極２ａ，２ｂが配置さ
れ、電極２ａの上に試料１を載置し、電極２ａ，２ｂの
間に高周波電源５から電力が供給されている。アルミナ
リング３ａと電極２ａの一部にかけて配設されたリング
６は、電極２ａの保護ならびに試料１の位置決めのため
に設けられている。A conventional dry etching apparatus is constructed as shown in FIG. Electrodes 2a and 2b are arranged inside the chamber 4 through alumina rings 3a and 3b, the sample 1 is placed on the electrode 2a, and power is supplied from a high frequency power source 5 between the electrodes 2a and 2b. ing. The ring 6 provided over the alumina ring 3a and a part of the electrode 2a is provided for protecting the electrode 2a and positioning the sample 1.
【０００４】リング６の材質は、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分と
して含むセラミックス材料が使用されている。このよう
な構成では、試料１のエッチングの際にリング６がエッ
チングまたはスパッタされて発生した反応生成物が飛散
して、図３に示すように試料１の上の外周部にこの反応
生成物Ａが堆積する。この結果、試料１に堆積した反応
生成物Ａが被エッチング膜の不必要なマスクになって、
試料１の外周部周辺に形成される製品の歩留まりを著し
く低下させるという問題がある。As the material of the ring 6, a ceramic material containing Al 2 O 3 as a main component is used. In such a configuration, the reaction product generated by etching or sputtering the ring 6 during the etching of the sample 1 scatters, and the reaction product A is formed on the outer peripheral portion on the sample 1 as shown in FIG. Is deposited. As a result, the reaction product A deposited on the sample 1 becomes an unnecessary mask of the film to be etched,
There is a problem that the yield of products formed around the outer peripheral portion of the sample 1 is significantly reduced.
【０００５】そこで従来では、図４に示すように石英製
のリング６ａを使用したものが見られる。石英製のリン
グ６ａがエッチングされて生成する反応生成物は、気化
して排気されやすく、試料１に堆積することがなく、試
料１を良好にエッチングすることが可能であり、製品の
歩留まりが向上する。Therefore, in the related art, as shown in FIG. 4, a ring 6a made of quartz is used. The reaction product generated by etching the quartz ring 6a is easily vaporized and exhausted, does not deposit on the sample 1, and the sample 1 can be etched well, and the product yield is improved. To do.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、石英製
のリング６ａはプラズマに対する耐性が小さいために消
耗が早く、多大なコストがかかることを余儀なくされて
いた。However, since the quartz ring 6a has a low resistance to plasma, it is consumed quickly and requires a great deal of cost.
【０００７】本発明はリングがエッチングされて試料の
上に生成する残滓を抑止して製品の歩留まりを向上さ
せ、かつリングのコストを低減できるドライエッチング
方法とドライエッチング装置を提供することを目的とす
る。An object of the present invention is to provide a dry etching method and a dry etching apparatus capable of suppressing the residue generated on the sample by etching the ring to improve the product yield and reduce the cost of the ring. To do.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、電極の上に試料を載置し、前記電極の露出部
分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベースリ
ングの少なくとも一部を前記ベースリングとは異種の材
料で作られたカバーリングで保護した状態で前記試料を
エッチングするドライエッチング方法。According to the dry etching method of the present invention, a sample is placed on an electrode, at least a part of an exposed portion of the electrode is protected by a base ring, and at least a part of the base ring is protected. A dry etching method in which the sample is etched while being protected by a cover ring made of a material different from the base ring.
【０００９】また本発明のドライエッチング方法は、電
極の上に試料を載置し、前記電極の露出部分の少なくと
も一部をベースリングで保護し、ベースリングの少なく
とも一部を前記ベースリングの材料よりもエッチングレ
ートの高い材料で作られたカバーリングで保護した状態
で前記試料をエッチングすることを特徴とする。In the dry etching method of the present invention, a sample is placed on an electrode, at least a part of an exposed portion of the electrode is protected by a base ring, and at least a part of the base ring is made of a material for the base ring. The sample is etched while being protected by a cover ring made of a material having a higher etching rate.
【００１０】また本発明のドライエッチング装置は、電
極の上に試料を載置し、これをドライエッチングする装
置であって、載置された試料と当接する部分を除いて少
なくとも一部を被うベースリングと、ベースリングの少
なくとも一部を被うとともに前記ベースリングとは異種
材料で作られたカバーリングとを設けたことを特徴とす
る。The dry etching apparatus of the present invention is an apparatus for placing a sample on an electrode and performing dry etching on the sample, and at least a part of the dry etching apparatus is covered except for a portion in contact with the placed sample. A base ring and a cover ring which covers at least a part of the base ring and is made of a material different from that of the base ring are provided.
【００１１】また本発明のドライエッチング装置は、電
極の上に試料を載置し、これをドライエッチングする装
置であって、載置された試料と当接する部分を除いて少
なくとも一部を被うベースリングと、ベースリングの少
なくとも一部を被うとともに前記ベースリングの材料よ
りもエッチングレートの高い材料で作られたカバーリン
グとを設けたことを特徴とする。Further, the dry etching apparatus of the present invention is an apparatus for placing a sample on an electrode and performing dry etching on the sample, and at least a part of the apparatus is covered except for a portion abutting the placed sample. A base ring and a cover ring which covers at least a part of the base ring and is made of a material having an etching rate higher than that of the material of the base ring are provided.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明のドライエッチング
方法を具体的な実施の形態に基づいて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The dry etching method of the present invention will be described below based on specific embodiments.
【００１３】図１は本発明のドライエッチング方法を実
現するドライエッチング装置の反応室を示している。試
料１の上の被エッチング膜としての単結晶Ｓｉ膜または
多結晶Ｓｉ膜またはＳｉＯ2 膜またはＳｉＮ膜などをド
ライエッチングする場合、チャンバー４の内部には、ア
ルミナリング３ａ，３ｂを介して電極２ａ，２ｂが配置
され、電極２ａの上に試料１を載置し、電極２ａ，２ｂ
の間に高周波電源５から電力が供給されている。アルミ
ナリング３ａと電極２ａの一部にかけて配設されたベー
スリング７はプラズマ耐性の高いＡｌ2 Ｏ3 を主成分と
して含むセラミックス材料が使用されており、電極２ａ
の保護のために設けられている。FIG. 1 shows a reaction chamber of a dry etching apparatus which realizes the dry etching method of the present invention. When a single crystal Si film, a polycrystalline Si film, a SiO 2 film, a SiN film, or the like as the film to be etched on the sample 1 is dry-etched, the electrode 2a is provided inside the chamber 4 via the alumina rings 3a and 3b. , 2b are arranged, the sample 1 is placed on the electrode 2a, and the electrodes 2a, 2b
Power is supplied from the high frequency power supply 5 during the period. The base ring 7 provided over the alumina ring 3a and a part of the electrode 2a is made of a ceramic material containing Al 2 O 3 having high plasma resistance as a main component.
It is provided for the protection of.
【００１４】ベースリング７の上には、ベースリング７
の保護ならびに試料１の位置決めのために、ＳｉＯ2 ，
ＳｉＣ，ＳｉＮなどのシリコン化合物で作られたカバー
リング８が設けられている。Above the base ring 7, the base ring 7
To protect the sample and to position the sample 1, SiO 2 ,
A cover ring 8 made of a silicon compound such as SiC or SiN is provided.
【００１５】このように構成したため、チャンバー４に
反応ガスを流しながら試料１のドライエッチングを実施
すると、ベースリング７はカバーリング８で保護されて
いるためエッチングされにくい。カバーリング８はエッ
チングされてしまうが、ベースリング８に比べてエッチ
ングレートが高く反応生成物の蒸気圧が高いため、反応
生成物は反応ガスに伴われてチャンバー４から排気され
易く、試料１の上に堆積する残滓を抑止して製品の歩留
まりが向上するとともに、ベースリングのコストも低減
できた。With this configuration, when the sample 1 is dry-etched while the reaction gas is flowing in the chamber 4, the base ring 7 is protected by the cover ring 8 and is therefore difficult to be etched. Although the cover ring 8 is etched, since the etching rate is higher and the vapor pressure of the reaction product is higher than that of the base ring 8, the reaction product is easily exhausted from the chamber 4 along with the reaction gas. The residue on the top was suppressed and the product yield was improved, and the base ring cost was also reduced.
【００１６】上記の実施の形態のベースリング７には、
プラズマ耐性の高いＡｌ2 Ｏ3 を主成分として含むセラ
ミックスを使用したが、Ａｌベースをアルマイト処理し
たＡｌアルマイトや、Ａｌベースにアルミナを溶射した
Ａｌアルミナ溶射など、エッチングレートが極めて極め
て低い材料を使用できる。The base ring 7 of the above-mentioned embodiment includes
Ceramics containing Al 2 O 3 as the main component, which has high plasma resistance, were used, but materials with extremely low etching rate such as Al alumite obtained by alumite-treating the Al base and Al alumina sprayed by spraying alumina on the Al base are used. it can.
【００１７】上記の実施の形態では、カバーリング８に
はプラズマに曝されて生成する反応生成物が気化しやす
いＳｉＯ2 ，ＳｉＣ，ＳｉＮなどのシリコン化合物を使
用したが、Ｓｉ単結晶またはポリイミド、全芳香族ポリ
エステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテル
サルホンなどの熱可塑性の耐熱樹脂を使用することもで
きる。In the above-described embodiment, the cover ring 8 is made of a silicon compound such as SiO 2 , SiC, or SiN in which the reaction product generated by exposure to plasma is easily vaporized. It is also possible to use thermoplastic heat-resistant resins such as wholly aromatic polyester, polyether ether ketone, and polyether sulfone.
【００１８】なお、ベースリング７は試料１を固定する
ためのクランプであってもよい。The base ring 7 may be a clamp for fixing the sample 1.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上のように本発明のドライエッチング
方法によれば、電極の上に試料を載置し、前記電極の露
出部分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベー
スリングの少なくとも一部を前記ベースリングとは異種
の材料で作られたカバーリングで保護した状態で前記試
料をエッチングするので、ベースリングがエッチングさ
れて基板上に生成する残滓を抑止して製品の歩留まりを
向上させ、リングのコストを低減することができるなど
の経済的効果が望める。As described above, according to the dry etching method of the present invention, the sample is placed on the electrode, and at least a part of the exposed portion of the electrode is protected by the base ring. Since the sample is etched while the part is protected by a cover ring made of a material different from that of the base ring, residue produced when the base ring is etched and formed on the substrate is suppressed to improve product yield. Economical effects such as reduction of ring cost can be expected.
【図１】本発明のドライエッチング方法の実施に使用す
るドライエッチング装置の反応室構造の主要部を示す断
面図FIG. 1 is a sectional view showing a main part of a reaction chamber structure of a dry etching apparatus used for carrying out a dry etching method of the present invention.
【図２】従来のドライエッチング装置の反応室構造を示
す断面図FIG. 2 is a sectional view showing a reaction chamber structure of a conventional dry etching apparatus.
【図３】従来の問題点を説明する反応室の要部の拡大図FIG. 3 is an enlarged view of a main part of a reaction chamber for explaining conventional problems.
【図４】別の従来例を示す反応室の要部の拡大図FIG. 4 is an enlarged view of a main part of a reaction chamber showing another conventional example.
１ 試料 ２ａ，２ｂ 電極 ３ａ，３ｂ 電極とチャンバーを分離するアルミナリ
ング ４ チャンバー ５ 高周波電源 ７ ベースリング ８ カバーリング1 sample 2a, 2b electrode 3a, 3b alumina ring for separating electrode and chamber 4 chamber 5 high frequency power supply 7 base ring 8 cover ring
Claims (7)
出部分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベー
スリングの少なくとも一部を前記ベースリングとは異種
の材料で作られたカバーリングで保護した状態で前記試
料をエッチングするドライエッチング方法。1. A sample is placed on an electrode, at least a part of an exposed portion of the electrode is protected by a base ring, and at least a part of the base ring is made of a material different from that of the base ring. A dry etching method in which the sample is etched while being protected by a cover ring.
出部分の少なくとも一部をベースリングで保護し、ベー
スリングの少なくとも一部を前記ベースリングの材質よ
りもエッチングレートの高い材料で作られたカバーリン
グで保護した状態で前記試料をエッチングするドライエ
ッチング方法。2. A material is placed on an electrode, at least a part of an exposed portion of the electrode is protected by a base ring, and at least a part of the base ring has a higher etching rate than the material of the base ring. A dry etching method in which the sample is etched while being protected by a cover ring made in.
ｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜の何れかをエッチングする請求項
１，請求項２記載のドライエッチング方法。3. A sample single crystal Si film, polycrystalline Si film, S
The dry etching method according to claim 1, wherein either the iO 2 film or the SiN film is etched.
エッチングする装置であって、載置された試料と当接す
る部分を除いて少なくとも一部を被うベースリングと、
ベースリングの少なくとも一部を被うとともに前記ベー
スリングとは異種の材料で作られたカバーリングとを設
けたドライエッチング装置。4. An apparatus for placing a sample on an electrode and dry-etching the sample, the base ring covering at least a part except a portion contacting the placed sample,
A dry etching apparatus which covers at least a part of a base ring and is provided with a cover ring made of a material different from that of the base ring.
エッチングする装置であって、載置された試料と当接す
る部分を除いて少なくとも一部を被うベースリングと、
ベースリングの少なくとも一部を被うとともに前記ベー
スリングの材料よりもエッチングレートの高い材質で作
られたカバーリングとを設けたドライエッチング装置。5. A device for placing a sample on an electrode and dry-etching the sample, the base ring covering at least a part except a portion abutting the mounted sample,
A dry etching apparatus provided with a cover ring which covers at least a part of the base ring and is made of a material having an etching rate higher than that of the material of the base ring.
または熱可塑性の耐熱樹脂を主成分とする材質で作った
請求項４，請求項５記載のドライエッチング装置。6. The dry etching apparatus according to claim 4, wherein the cover ring is made of a material containing Si single crystal, Si compound or thermoplastic heat resistant resin as a main component.
て含むセラミックスまたはアルマイト処理を施したＡｌ
を用いた請求項４，請求項５，請求項６記載のドライエ
ッチング装置。7. A ceramic containing Al 2 O 3 as a main component or an alumite-treated Al base ring.
The dry etching apparatus according to claim 4, claim 5, or claim 6 using.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP344396A JPH09191003A (en) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | Dry etching method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP344396A JPH09191003A (en) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | Dry etching method and apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09191003A true JPH09191003A (en) | 1997-07-22 |
Family
ID=11557500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP344396A Pending JPH09191003A (en) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | Dry etching method and apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09191003A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0940844A2 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-08 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit fabrication |
| US7837828B2 (en) | 2003-03-12 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate supporting structure for semiconductor processing, and plasma processing device |
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| JP2013254902A (en) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Panasonic Corp | Tray, plasma processing apparatus, plasma processing method, and cover member |
| JP2017506817A (en) * | 2014-01-30 | 2017-03-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Gas containment assembly for removing shadow frame |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP344396A patent/JPH09191003A/en active Pending
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| US11773489B2 (en) | 2014-01-30 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Gas confiner assembly for eliminating shadow frame |
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