JPH05121362A - Ecr plasma processor - Google Patents
Ecr plasma processorInfo
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- JPH05121362A JPH05121362A JP3306666A JP30666691A JPH05121362A JP H05121362 A JPH05121362 A JP H05121362A JP 3306666 A JP3306666 A JP 3306666A JP 30666691 A JP30666691 A JP 30666691A JP H05121362 A JPH05121362 A JP H05121362A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＥＣＲプラズマ処理装
置、特にＥＣＲプラズマ発生室と、プラズマ化学反応に
より基板表面に膜を形成しあるいはエッチングするＥＣ
Ｒプラズマ反応室からなるＥＣＲプラズマ処理装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ECR plasma processing apparatus, particularly an ECR plasma generating chamber and an EC for forming or etching a film on a substrate surface by a plasma chemical reaction.
The present invention relates to an ECR plasma processing apparatus including an R plasma reaction chamber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路装置の高集積化、素子の
微細化に伴ってＥＣＲプラズマＣＶＤやＥＣＲプラズマ
エッチングが半導体集積回路装置の製造に不可欠な技術
となりつつある。そこで、ＥＣＲプラズマＣＶＤやＥＣ
Ｒプラズマエッチングを行うＥＣＲプラズマ処理装置の
従来例をその概略断面図である図４に従って説明する。2. Description of the Related Art With the high integration of semiconductor integrated circuit devices and miniaturization of elements, ECR plasma CVD and ECR plasma etching are becoming indispensable techniques for manufacturing semiconductor integrated circuit devices. Therefore, ECR plasma CVD and EC
A conventional example of an ECR plasma processing apparatus for performing R plasma etching will be described with reference to FIG. 4, which is a schematic sectional view thereof.
【０００３】従来のＥＣＲプラズマ処理装置は、図４に
示されるように、大まかにいえばＥＣＲプラズマ発生室
４とプラズマＣＶＤ室６からなる。より具体的には、マ
イクロ波（２．４５ＧＨz ）１をＥＣＲプラズマ発生室
４へ導入する導波管２をコイル３で囲み、Ｎ2 Ｏ及びＡ
ｒ１０をプラズマ発生室４へ供給し、磁界とマイクロ波
により電子サイクトロトロン共鳴を誘発させることによ
って高密度プラズマをＥＣＲプラズマ発生室４内に発生
させ、このプラズマ１２をプラズマ引き出し窓５を通し
てＥＣＲプラズマ反応室（以下「チャンバー」と言う）
６へ送り、一方、成膜のための原料ガス（例えばＳｉＨ
4 ）を原料ガスリング７を介してチェンバー６へ送り、
イオン及び電子の衝突効果によって反応ガスを活性化
し、半導体ウェハ８表面に所定の膜を成膜するものであ
る。A conventional ECR plasma processing apparatus, as shown in FIG. 4, roughly comprises an ECR plasma generation chamber 4 and a plasma CVD chamber 6. More specifically, surrounds the waveguide 2 for introducing a microwave (2.45 GHz z) 1 to ECR plasma generation chamber 4 by the coil 3, N 2 O and A
r10 is supplied to the plasma generation chamber 4, and high-density plasma is generated in the ECR plasma generation chamber 4 by inducing electron cyclotron resonance by a magnetic field and a microwave, and this plasma 12 is passed through the plasma extraction window 5 to generate ECR plasma. Reaction chamber (hereinafter referred to as "chamber")
6, while the source gas for film formation (eg SiH
4 ) is sent to the chamber 6 through the raw material gas ring 7,
The reaction gas is activated by the collision effect of ions and electrons to form a predetermined film on the surface of the semiconductor wafer 8.
【０００４】プラズマ発生室４の内壁は石英コート１３
が施されており、ＳＵＳからのＣｒｒ、Ｆｅ、Ｎｉ等の
汚染、パーティクルの発生の防止を行う。又、μ波導入
部には石英製の窓がついている。半導体ウェハ８は試料
台（サセプター）９に支持されている。このようなＥＣ
Ｒプラズマ処理装置を用いたＥＣＲ−ＣＶＤ、エッチン
グ法は電子サイクロトロン共鳴を応用しているので電力
吸収効率が高く、又、磁場による閉じ込め効果があり、
高密度のプラズマ発生を可能とするという大きな特長を
有する。従って、最近のウェハーの大口径化に伴うプロ
セス装置の枚葉式への移行にも対応できるという利点も
ある。The inner wall of the plasma generating chamber 4 is a quartz coat 13
To prevent the contamination of Crr, Fe, Ni, etc. from SUS and the generation of particles. Further, a window made of quartz is attached to the μ wave introducing portion. The semiconductor wafer 8 is supported by a sample table (susceptor) 9. EC like this
ECR-CVD using the R plasma processing apparatus and the etching method apply electron cyclotron resonance, so that the power absorption efficiency is high and there is a confinement effect by the magnetic field.
It has the great feature of enabling high density plasma generation. Therefore, there is also an advantage that it is possible to cope with the shift to the single-wafer type process equipment due to the recent increase in the diameter of the wafer.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＥＣ
Ｒプラズマ処理装置には半導体ウェハの表面に形成され
た例えば絶縁膜にパーティクルが付着するという無視で
きない問題があった。この問題について詳細に説明する
と次のとおりである。即ち、図４に示すような従来のＥ
ＣＲプラズマ処理装置での成膜での原料ガスがチャンバ
ー６全体に広がるため、半導体ウェハ８表面に反応生成
物が堆積するだけでなく、チャンバー内壁１１の内面そ
の他プラズマ引き出し窓５のまわり、サセプター９のそ
れぞれの露出面にも同様に堆積して膜を形成する。そし
て、その膜が適時剥離し、問題のパーティクルとなって
半導体ウェハ８の表面に付着する。By the way, the conventional EC
The R plasma processing apparatus has a non-negligible problem that particles adhere to, for example, an insulating film formed on the surface of a semiconductor wafer. The details of this problem are as follows. That is, the conventional E as shown in FIG.
Since the raw material gas in the film formation in the CR plasma processing apparatus spreads over the entire chamber 6, not only the reaction products are deposited on the surface of the semiconductor wafer 8, but also the inner surface of the chamber inner wall 11 and other portions around the plasma extraction window 5 and the susceptor 9 are formed. Similarly, a film is formed by depositing on each exposed surface. Then, the film is peeled off at a proper time, and becomes a particle in question and adheres to the surface of the semiconductor wafer 8.
【０００６】そのパーティクルの発生原因と考えられる
チャンバー６内面に形成される膜の剥離は、成膜時のプ
ラズマ中に存在するイオン及び電子の衝突によりチャン
バー６内の温度が上昇し、成膜後の温度効果によって生
ずる堆積膜とＳＵＳ３０８等からなるチャンバー６内壁
１１の下地金属との熱収縮率に差があることと、温度変
化によるものと考えられる。そして、半導体ウェハ８表
面に形成された膜上にパーティクルが付着すると、それ
が絶縁破壊、リーク等の問題を起し、歩留り低下、信頼
性低下を招く。特に、近年、ＵＬＳＩの開発において、
高集積化に伴い、微細化加工技術及びクリーン化技術へ
の要求は、益々厳しいものになってきており、約２００
〜３５０℃の低温で絶縁膜その他を平坦に成膜できるＥ
ＣＲプラズマ処理装置を用いる工程においても、上記パ
ーティクルの問題が看過されないこというまでもない。The peeling of the film formed on the inner surface of the chamber 6, which is considered to be the cause of the particles, is caused by the collision of ions and electrons present in the plasma at the time of film formation, which causes the temperature inside the chamber 6 to rise and It is considered that there is a difference in the thermal contraction rate between the deposited film caused by the temperature effect of 1) and the underlying metal of the inner wall 11 of the chamber 6 made of SUS308 or the like, and that it is due to the temperature change. Then, if particles adhere to the film formed on the surface of the semiconductor wafer 8, they cause problems such as dielectric breakdown and leaks, leading to a decrease in yield and a decrease in reliability. Especially in the recent development of ULSI,
With high integration, the demands for miniaturization processing technology and cleaning technology have become more and more severe, and about 200
E can form flat films such as insulating films at temperatures as low as ~ 350 ° C.
Needless to say, the problem of particles cannot be overlooked even in the process using the CR plasma processing apparatus.
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ＥＣＲプラズマ処理装置においてＥ
ＣＲプラズマ反応室内の基板表面にパーティクルが付着
しないようにすることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and in the ECR plasma processing apparatus, E
The purpose is to prevent particles from adhering to the substrate surface in the CR plasma reaction chamber.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明ＥＣＲプラズマ処
理装置は、ＥＣＲプラズマ反応室の少なくとも上記基板
の表面上のプラズマ化学反応の生じる部分の近傍に、表
面に凹凸がある防着部を設けてなることを特徴とする。
尚、本明細書において、防着部とはパーティクルが付着
することによってＥＣＲプラズマ処理される基板へのパ
ーティクルの付着を防ぐものを指す。In the ECR plasma processing apparatus of the present invention, an adhesion preventing portion having an uneven surface is provided at least in the vicinity of a portion where a plasma chemical reaction occurs on the surface of the substrate in the ECR plasma reaction chamber. It is characterized by
In the present specification, the deposition preventing portion refers to a portion which prevents particles from adhering to the substrate subjected to ECR plasma processing due to the particles adhering thereto.
【０００９】[0009]
【作用】本発明ＥＣＲプラズマ処理装置によれば、ＥＣ
Ｒプラズマ反応室内で発生した反応生成物が防着部の凹
凸のある表面に付着し、剥れにくくなるので、ＥＣＲプ
ラズマ処理中あるいはその前後に反応生成物の一部が落
下、浮遊して基板表面に付着することを防止することが
でき、基板表面に付着するパーティクル数を少なくでき
る。According to the ECR plasma processing apparatus of the present invention, EC
Since the reaction products generated in the R plasma reaction chamber adhere to the uneven surface of the deposition-inhibiting portion and are less likely to peel off, some of the reaction products fall and float during or before and after the ECR plasma treatment to cause the substrate to float. It is possible to prevent the particles from adhering to the surface and reduce the number of particles adhering to the surface of the substrate.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明ＥＣＲプラズマ処理装置を図示
実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）
は本発明ＥＣＲプラズマ処理装置の一つの実施例を示す
もので、（Ａ）は概略断面図、（Ｂ）は防着部の一部を
示す拡大断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の矢視図である。本実
施例は、図４に示した従来例とは防着部を有するという
点で大きく異なるが、それ以外の点では共通し、その共
通する点については既に説明済みなので説明を省略し、
相違する点についてのみ説明する。また、各図において
共通する部分には同一の符号を付与した。The ECR plasma processing apparatus of the present invention will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments. 1A to 1C
Shows one embodiment of the ECR plasma processing apparatus of the present invention, (A) is a schematic sectional view, (B) is an enlarged sectional view showing a part of the deposition-preventing portion, and (C) is an arrow of (B). It is a perspective view. The present embodiment is largely different from the conventional example shown in FIG. 4 in that it has a deposition-preventing portion, but it is common in other points, and the common points have already been described, and the description thereof will be omitted.
Only the differences will be described. In addition, the same reference numerals are given to common portions in each drawing.
【００１１】１４は防着部で、半導体ウェハ（基板）８
を指示するサセプタと、プラズマ引き出し窓５との間の
空間、即ち、半導体ウェハ８上方のＥＣＲプラズマ化学
反応が行われる空間を囲むように形成されており、下に
行く程大径になるようなテーパーがついた円筒形を有
し、例えばアルミナＡｌ2 Ｏ3 からなり、陽極酸化法に
より形成される。Reference numeral 14 denotes a deposition preventing portion, which is a semiconductor wafer (substrate) 8
Is formed so as to surround the space between the susceptor for instructing and the plasma extraction window 5, that is, the space above the semiconductor wafer 8 where the ECR plasma chemical reaction takes place, and the diameter becomes larger toward the bottom. It has a tapered cylindrical shape and is made of, for example, alumina Al 2 O 3 and is formed by an anodic oxidation method.
【００１２】該防着部１４は、内表面に、例えば六角形
を多数蜂の巣状に配設したパターンの突起１５が一体に
形成されている。１６、１６、…は突起１５を形成する
ことにより生じた凹部である。即ち、防着部１４は内表
面に、突起１５を形成することにより凹凸が設けられて
いる。The adhesion-preventing portion 14 is integrally formed on its inner surface with projections 15 having a pattern in which a large number of hexagons are arranged in a honeycomb shape. , 16 are concave portions formed by forming the protrusions 15. That is, the deposition-preventing portion 14 is provided with irregularities by forming the protrusions 15 on the inner surface.
【００１３】このようなＥＣＲプラズマ処理装置を用い
て、半導体ウェハ８表面に例えば二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜を成長させたりするのである。その成長条件の
一例を示す。 ガス供給量：ＳｉＨ4 （ガスリング７により供給）／Ｎ
2 ＝２０／３５ＳＣＣＭ ＲＦパワー：４００Ｗ マイクロ波（２．４５ＧＨZ ）パワー：１０００Ｗ 圧力：０．１Ｐａ（８×１０-4Ｔｏｒｒ） 生成時間：９分By using such an ECR plasma processing apparatus, for example, silicon dioxide (Si
The O 2 ) film is grown. An example of the growth condition is shown. Gas supply rate: SiH 4 (supplied by gas ring 7) / N
2 = 20 / 35SCCM RF Power: 400W microwave (2.45 GHz Z) Power: 1000W Pressure: 0.1Pa (8 × 10 -4 Torr ) generation time: 9 minutes
【００１４】このようにしてプラズマ処理を行った場合
においても反応生成物１２が半導体ウェハ８の表面以外
のところに付着することは避け得ないが、しかし、半導
体ウェハ８の表面以外のところに付着するパーティクル
のほとんどは防着部１４の内表面に付着する。そして、
防着部１４の内表面に付着したパーティクルは、付着し
た内表面に凹凸があるので平面に付着した場合と異なり
こびりついた状態になり剥離しにくい。従って、処理を
終えてＥＣＲプラズマ処理装置から取り出した半導体ウ
ェハ８の表面に付着したパーティクルの数を従来よりも
相当に少なくすることができる。尚、防着部１４は交換
可能なので、付着した反応生成物１２が厚くなると交換
すれば良い。It is unavoidable that the reaction product 12 adheres to a portion other than the surface of the semiconductor wafer 8 even when the plasma treatment is performed in this manner, but it adheres to a portion other than the surface of the semiconductor wafer 8. Most of the particles that adhere adhere to the inner surface of the deposition-preventing portion 14. And
The particles adhered to the inner surface of the deposition-inhibitory portion 14 are in a sticky state unlike the case of adhering to a flat surface because the adhered inner surface has irregularities, and are difficult to peel off. Therefore, the number of particles adhering to the surface of the semiconductor wafer 8 taken out from the ECR plasma processing apparatus after finishing the processing can be considerably reduced as compared with the conventional case. Since the deposition-preventing portion 14 is replaceable, it may be replaced when the attached reaction product 12 becomes thick.
【００１５】図２は本発明ＥＣＲプラズマ処理装置の別
の実施例の防着部の一部を示す拡大断面図である。本実
施例は防着部１４の内部にヒーター１７を設けたもので
あり、それ以外の点では図１の実施例と異なるところは
ない。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the deposition preventing portion of another embodiment of the ECR plasma processing apparatus of the present invention. In the present embodiment, the heater 17 is provided inside the deposition-inhibitory portion 14, and in other respects there is no difference from the embodiment of FIG.
【００１６】ヒーター１７は成膜後の温度低下を防止す
るために設けたもので、防着部１４を常に例えば４００
℃に加熱する。このようなヒーター１７を設けて常時防
着部１４を適宜な温度、例えば４００℃に加熱しておけ
れば、ＥＣＲプラズマ処理中にプラズマ中のイオン及び
電子の衝突によって上昇したチャンバー６内の温度がＥ
ＣＲプラズマ処理の停止によって急激に低下しても防着
部１４の表面には急激な温度変化は生じない。従って、
反応生成物（例えばＳｉＯ2）と防着部１４との間に熱
膨張係数の違いがあっても反応生成物の剥れがほとんど
なくなり、パーティクルの発生数を更に少なくすること
ができる。尚、防着部１４の内部にヒーターを設けず、
外部のランプ等の熱源で防着部１４を加熱するようにし
ても良い。The heater 17 is provided in order to prevent a temperature drop after film formation, and the deposition-preventing portion 14 is always set to, for example, 400.
Heat to ℃. If such a heater 17 is provided and the deposition-preventing portion 14 is constantly heated to an appropriate temperature, for example, 400 ° C., the temperature in the chamber 6 increased by collision of ions and electrons in plasma during ECR plasma processing. Is E
Even if the temperature drops sharply due to the stop of the CR plasma treatment, no sudden temperature change occurs on the surface of the deposition-preventing portion 14. Therefore,
Even if there is a difference in thermal expansion coefficient between the reaction product (for example, SiO 2 ) and the deposition-preventing portion 14, the reaction product hardly peels off, and the number of particles generated can be further reduced. In addition, without providing a heater inside the deposition-inhibitory portion 14,
The deposition preventing portion 14 may be heated by a heat source such as an external lamp.
【００１７】図３は本発明ＥＣＲプラズマ処理装置の更
に別の実施例を示す概略断面図である。本実施例は、チ
ャンバー６の内径を防着部１４の外径と略同程度に狭
め、防着部１４をチャンバー６内の内壁面に設けたもの
である。尚、防着部１４の断面形状、凹凸のある内表面
の形状は図１（Ｂ）、（Ｃ）と同一であるので図示を省
略した。FIG. 3 is a schematic sectional view showing still another embodiment of the ECR plasma processing apparatus of the present invention. In this embodiment, the inner diameter of the chamber 6 is narrowed to approximately the same as the outer diameter of the deposition-inhibiting portion 14, and the deposition-inhibiting portion 14 is provided on the inner wall surface of the chamber 6. The cross-sectional shape of the deposition-preventing portion 14 and the shape of the inner surface having irregularities are the same as those shown in FIGS.
【００１８】本実施例によっても図１に示した実施例に
よる場合と同様に、反応生成物１２が半導体ウェハ８の
表面以外のところに付着することは避け得ないが、しか
し、半導体ウェハ８の表面以外のところに付着するパー
ティクルのほとんどは防着部１４の内表面に付着する。
そして、防着部１４の内表面に付着したパーティクル
は、付着した内表面に凹凸があるので平面に付着した場
合と異なりこびりついた状態になり剥離しにくい。従っ
て、処理を終えてＥＣＲプラズマ処理装置から取り出し
た半導体ウェハ８の表面にプラズマ処理により付着した
パーティクルの数を従来よりも相当に少なくすることが
できる。According to this embodiment, as in the case of the embodiment shown in FIG. 1, it is unavoidable that the reaction product 12 adheres to a place other than the surface of the semiconductor wafer 8, but the semiconductor wafer 8 does not. Most of the particles that adhere to areas other than the surface adhere to the inner surface of the deposition-inhibitory portion 14.
The particles adhering to the inner surface of the deposition-inhibitory portion 14 have a sticky state unlike the case of adhering to a flat surface because the adhered inner surface has irregularities, and are difficult to peel off. Therefore, the number of particles adhered to the surface of the semiconductor wafer 8 taken out from the ECR plasma processing apparatus after the processing by the plasma processing can be considerably reduced as compared with the conventional case.
【００１９】しかも、チャンバー６の内部面積が小さく
なっているので、チャンバー６の防着部１４以外の部分
に付着する反応生成物の絶対量が少なくなり、延いては
半導体ウェハ８表面に付着するパーティクルの絶対数も
少なくできる。また、チャンバー６の内面積を小さくす
ることにより排気速度の向上、高真空化を図ることがで
きるという利点ももたらす。Moreover, since the internal area of the chamber 6 is small, the absolute amount of the reaction product attached to the portion of the chamber 6 other than the deposition-preventing portion 14 is small, and eventually to the surface of the semiconductor wafer 8. The absolute number of particles can be reduced. Further, by reducing the inner area of the chamber 6, there is an advantage that the exhaust speed can be improved and the vacuum can be increased.
【００２０】尚、図３に示すＥＣＲプラズマ処理装置に
おいても、図２に示すように防着部１４内にヒーター１
７を設けて温度低下を防止することによりパーティクル
数のより一層の減少を図るようにしても良い。また、防
着部１４の内部にヒーターを設けず、外部のランプ等の
熱源で防着部１４を加熱するようにしても良い。ところ
で、防着部１４はチャンバー６の内壁と別体に形成され
交換可能にされているが、チャンバー６と一体に形成し
ても良い。この場合、反応生成物が厚くなったら、チャ
ンバー６の内表面を洗浄すれば良い。Even in the ECR plasma processing apparatus shown in FIG. 3, the heater 1 is provided in the deposition-preventing portion 14 as shown in FIG.
The number of particles may be further reduced by providing 7 to prevent the temperature from decreasing. Further, the heater may not be provided inside the deposition-inhibiting portion 14, and the deposition-inhibiting portion 14 may be heated by a heat source such as an external lamp. By the way, although the deposition-inhibitory portion 14 is formed separately from the inner wall of the chamber 6 and is replaceable, it may be formed integrally with the chamber 6. In this case, when the reaction product becomes thick, the inner surface of the chamber 6 may be washed.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明ＥＣＲプラズマ処理装置は、ＥＣ
Ｒプラズマ反応室の少なくとも上記基板の表面上のプラ
ズマ化学反応の生じる部分の近傍に、表面に凹凸がある
防着部を設けてなることを特徴とするものである。従っ
て、本発明ＥＣＲプラズマ処理装置によれば、反応生成
物が防着部の凹凸のある表面に付着し、剥れにくくなる
ので、ＥＣＲプラズマ処理中あるいはその前後に反応生
成物の一部が落下、浮遊して基板表面に付着することを
防止することができ、基板表面に付着するパーティクル
数を少なくできる。According to the ECR plasma processing apparatus of the present invention, the EC
An R-plasma reaction chamber is provided with an adhesion-preventing portion having a surface irregularity at least in the vicinity of a portion where a plasma chemical reaction occurs on the surface of the substrate. Therefore, according to the ECR plasma processing apparatus of the present invention, the reaction product adheres to the uneven surface of the deposition-inhibiting portion and is less likely to peel off, so that a part of the reaction product falls during or before the ECR plasma processing. It is possible to prevent the particles from floating and adhering to the surface of the substrate and reduce the number of particles adhering to the surface of the substrate.
【図１】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明ＥＣＲプラズマ処理
装置の一つの実施例を示すもので、（Ａ）はＥＣＲプラ
ズマ処理装置の概略断面図、（Ｂ）は防着部の一部を示
す拡大断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の矢視図である。1A to 1C show one embodiment of an ECR plasma processing apparatus of the present invention, FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of the ECR plasma processing apparatus, and FIG. FIG. 3C is an enlarged cross-sectional view showing a part, and FIG.
【図２】本発明ＥＣＲプラズマ処理装置の別の実施例の
防着部の一部を示す拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a deposition-preventing portion of another embodiment of the ECR plasma processing apparatus of the present invention.
【図３】本発明ＥＣＲプラズマ処理装置の更に別の実施
例の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of still another embodiment of the ECR plasma processing apparatus of the present invention.
【図４】従来例の概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a conventional example.
４ ＥＣＲプラズマ発生室 ６ ＥＣＲプラズマ反応室（チャンバー） ８ 基板（半導体ウェハ） １４ 防着部 4 ECR plasma generation chamber 6 ECR plasma reaction chamber (chamber) 8 substrate (semiconductor wafer) 14 deposition prevention part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 7454−4Ｍ 21/31 Ｃ 8518−4Ｍ Ｈ０５Ｈ 1/18 9014−2Ｇ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 21/205 7454-4M 21/31 C 8518-4M H05H 1/18 9014-2G
Claims (1)
反応により基板表面に膜を形成しあるいはエッチングす
るＥＣＲプラズマ反応室からなるＥＣＲプラズマ処理装
置において、 上記ＥＣＲプラズマ反応室の少なくとも上記基板の表面
上のプラズマ化学反応の生じる部分の近傍に、表面に凹
凸がある防着部を設けてなることを特徴とするＥＣＲプ
ラズマ処理装置1. An ECR plasma processing apparatus comprising an ECR plasma generation chamber and an ECR plasma reaction chamber for forming or etching a film on a substrate surface by a plasma chemical reaction, wherein at least the surface of the substrate is at least in the ECR plasma reaction chamber. An ECR plasma processing apparatus characterized in that an adhesion preventing portion having an uneven surface is provided in the vicinity of a portion where a plasma chemical reaction occurs.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3306666A JPH05121362A (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Ecr plasma processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3306666A JPH05121362A (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Ecr plasma processor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121362A true JPH05121362A (en) | 1993-05-18 |
Family
ID=17959858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3306666A Pending JPH05121362A (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Ecr plasma processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121362A (en) |
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