JPH09190648A - Optical recording medium and its production - Google Patents

Optical recording medium and its production

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JPH09190648A
JPH09190648A JP8002379A JP237996A JPH09190648A JP H09190648 A JPH09190648 A JP H09190648A JP 8002379 A JP8002379 A JP 8002379A JP 237996 A JP237996 A JP 237996A JP H09190648 A JPH09190648 A JP H09190648A
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JP
Japan
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substrate
layer
recording medium
optical recording
hard coat
Prior art date
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Application number
JP8002379A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunio Takada
國夫 高田
Akio Koganei
昭雄 小金井
Kazuoki Motomiya
一興 本宮
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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  • Laminated Bodies (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To produce an optical recording medium having excellent recording and reproducing characteristics at a high yield and a low cost. SOLUTION: This recording medium has a hard coating layer 32, at least a dielectric layer 33, a recording layer 34 and a protective layer 35 on the groove surface side of the substrate. At this time, the substrate 31 is introduced into a vacuum chamber 3 right after the substrate is molded by an injection molding method where the hard coating layer 32 is formed on the substrate surface by using a plasma CVD method. The respective layers on the groove surface side of the substrate are formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体および
その製造方法に関する。特に、基板表面にハードコート
層が形成された光磁気記録媒体、およびその製造方法に
関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical recording medium and a method for manufacturing the same. In particular, it relates to a magneto-optical recording medium having a hard coat layer formed on the surface of a substrate, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンピュータメモリや画像情報メ
モリとして大容量かつ高速な記録媒体が求められるよう
になってきた。これらの要望に応える記録媒体としてレ
ーザー光を用いて記録再生する光ディスク(光記録媒
体)がさかんに開発されている。その中でも特に有望な
ものは光磁気記録媒体と相変化型光記録媒体である。
2. Description of the Related Art In recent years, a large-capacity and high-speed recording medium has been required as a computer memory or an image information memory. As a recording medium that meets these demands, an optical disk (optical recording medium) for recording / reproducing using laser light has been actively developed. Among them, particularly promising are magneto-optical recording media and phase-change type optical recording media.

【0003】図3に、これら光記録媒体の代表的な膜構
成の断面図を示す。記録媒体の構成は、一般的には、ハ
ードコート層(32)/基板(31)/下地保護層(下
地誘電体層(33))/記録層(34)/上地保護層
(上地誘電体層(35))/反射層(36)/オーバー
コート層(37)、又はハードコート層/基板/下地保
護層(下地誘電体層)/記録層/上地保護層(上地誘電
体層)/オーバーコート層、の構成が選ばれる。ここ
で、反射層とオーバーコート層は必要により設けられる
ものである。
FIG. 3 shows a sectional view of a typical film structure of these optical recording media. The structure of the recording medium is generally a hard coat layer (32) / substrate (31) / underlayer protective layer (underlayer dielectric layer (33)) / recording layer (34) / upper layer protective layer (upper layer dielectric). Body layer (35) / reflection layer (36) / overcoat layer (37) or hard coat layer / substrate / underlayer protective layer (underlayer dielectric layer) / recording layer / upper layer protective layer (upper layer dielectric layer) ) / Overcoat layer. Here, the reflective layer and the overcoat layer are provided as needed.

【0004】光磁気記録媒体は、偏光されたレーザー光
を磁性体表面に当てて、その磁化の向きによって反射さ
れてくるレーザー光の偏光面の回転方向が異なる性質
(磁気カー効果)を利用して情報を記録再生するもので
あり、このカー回転角が大きいものほど大きなC/N比
が得られる。光学的な干渉効果によってカー回転角の増
加(エンハンス効果)を図るために、一般的には磁気記
録層(34)と基板(31)との間に透明な誘電体層
(下地誘電体層(33))を付加している。
The magneto-optical recording medium utilizes a property (magnetic Kerr effect) in which polarized laser light is applied to the surface of a magnetic material and the direction of rotation of the polarization plane of the reflected laser light is different depending on the direction of its magnetization. Information is recorded / reproduced by using this method, and the larger the Kerr rotation angle, the larger the C / N ratio can be obtained. In order to increase the Kerr rotation angle (enhancement effect) by an optical interference effect, a transparent dielectric layer (underlying dielectric layer () is generally provided between the magnetic recording layer (34) and the substrate (31). 33)) is added.

【0005】一方、相変化型光記録媒体は、レーザー光
を記録薄膜に照射し、加熱、急冷却によって薄膜を非結
晶状態にして記録を行い、さらにレーザー光により加
熱、徐冷することで消去を行って、情報を記録再生する
ものである。この相変化型記録媒体においても、光学的
なエンハンス効果をもたせるために、基板(31)と記
録層(34)の間に誘電体層(下地誘電体層(33))
を設ける。
On the other hand, the phase change type optical recording medium is erased by irradiating a recording thin film with a laser beam, heating and rapid cooling to make the thin film in an amorphous state for recording, and further heating and slow cooling with a laser beam. And recording / reproducing information. Also in this phase change recording medium, in order to have an optical enhancing effect, a dielectric layer (underlying dielectric layer (33)) is provided between the substrate (31) and the recording layer (34).
Is provided.

【0006】このような誘電体層は干渉効果によるエン
ハンス効果の他に、記録層(34)を保護する保護膜と
しての役割も有しており、一般的には記録層(34)を
挟むように設けられている(下地・上地保護層(33、
35))。また、さらに干渉効果を高めるために最上層
に金属製の反射層(36)を付加したものも多く見られ
る。
[0006] Such a dielectric layer also has a role as a protective film for protecting the recording layer (34) in addition to the enhancing effect due to the interference effect. Generally, the dielectric layer should sandwich the recording layer (34). Provided on the base (upper / upper protective layer (33,
35)). Further, in many cases, a metal reflective layer (36) is added to the uppermost layer in order to further enhance the interference effect.

【0007】さらに、これらの光記録媒体は長期にわた
ってデータの保存性能が求められることから、一般的に
は最上層にスピンコート等により樹脂からなるオーバー
コート層(37)が形成される。
Further, since these optical recording media are required to have data storage performance for a long period of time, an overcoat layer (37) made of resin is generally formed on the uppermost layer by spin coating or the like.

【0008】また、使用時の操作の際に基板表面にキズ
が入り記録されたデータが読めなくなったり書き込めな
くなったりするのを防止するために、基板表面にもスピ
ンコート等により樹脂からなるハードコート層(32)
が形成されている。
Further, in order to prevent the recorded data from becoming unreadable or unwritable due to scratches on the substrate surface at the time of operation during use, the substrate surface is coated with a hard coat made of resin by spin coating or the like. Layer (32)
Are formed.

【0009】従来の光記録媒体の製造プロセスでは、成
膜品におけるピンホール欠陥を防止するために、基板を
成形後、純水洗浄器により基板を洗浄し、クリーン乾燥
機または基板脱気装置により十分に乾燥・脱気処理を行
ってから真空成膜装置に導入し、スパッタリング等によ
り上記誘電体層や記録層等の各層を成膜していた。そし
てこれらの成膜後にスピンコータで基板表面に樹脂ハー
ドコート剤を塗布し紫外線で硬化させてハードコート層
を形成し、さらに基板のグルーブ面側にオーバコート剤
を塗布し紫外線で硬化させて樹脂オーバコート層を形成
するといったプロセスがとられていた。
In the conventional manufacturing process of an optical recording medium, in order to prevent a pinhole defect in a film-formed product, after the substrate is molded, the substrate is washed with a deionized water cleaning device and then a clean dryer or a substrate degassing device is used. After sufficiently drying and degassing, the film was introduced into a vacuum film forming apparatus, and each layer such as the dielectric layer and the recording layer was formed by sputtering or the like. After these films are formed, a resin coater is applied on the substrate surface with a spin coater and cured with ultraviolet rays to form a hard coat layer, and an overcoat agent is applied on the groove side of the substrate and cured with ultraviolet rays to cure the resin. A process such as forming a coat layer has been taken.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光記録媒体の製造プロセスには次のような問題点があっ
た。
However, the conventional manufacturing process of the optical recording medium has the following problems.

【0011】従来の光記録媒体の製造方法においては、
射出成形された基板をストッカーに一旦保存し、純水洗
浄器で基板を十分洗浄した後、クリーン乾燥機等に入れ
て基板を十分乾燥させ、次いで真空成膜機に投入し、ス
パッタリング等により誘電体層や記録層等の各層の成膜
が行われていた。そのため、基板ストッカー、純水洗浄
器、クリーン乾燥機などのコストのかかる装置が必要で
あり、かなりの製造コストがかかっていた。
In the conventional method of manufacturing an optical recording medium,
Once the injection-molded substrate is stored in the stocker and thoroughly washed with a deionized water cleaner, put it in a clean dryer etc. to fully dry the substrate, then put it in a vacuum film-forming machine and perform dielectric treatment by sputtering etc. The respective layers such as the body layer and the recording layer have been formed. Therefore, a costly device such as a substrate stocker, a deionized water cleaner, and a clean dryer is required, resulting in a considerable manufacturing cost.

【0012】また、従来の光記録媒体の製造プロセス
は、成形された基板のグルーブ面側に誘電体層や記録層
等の各層を形成した後、スピンコーターによって基板表
面側にハードコート剤を塗布し、紫外線で硬化させてハ
ードーコート層を形成していた。しかしこのプロセスで
は、ハードコート層が形成されるまでに多くのハンドリ
ングが行われ工程が多いため、基板が汚染される機会が
多く、その結果、基板表面にブツ欠陥が発生し歩留まり
を極端に悪化させていた。
In the conventional manufacturing process of an optical recording medium, after forming each layer such as a dielectric layer and a recording layer on the groove surface side of a molded substrate, a hard coat agent is applied to the substrate surface side by a spin coater. Then, it was cured with ultraviolet rays to form a hard coat layer. However, in this process, many handling steps are performed before the hard coat layer is formed, and there are many steps, so the substrate is often contaminated, and as a result, a spot defect occurs on the substrate surface and the yield is extremely deteriorated. I was letting it.

【0013】これを改善すべく、ハードコート層の成膜
工程を、誘電体層や記録層等の各層の成膜工程前に実施
する工夫がなされた(特開平6−96482号公報)。
しかしながらこの方法では、基板を成形してからスピン
コートが完了するまで大気中に放置しているので基板が
吸水し、そのためスピンコートが終った後に数時間の脱
気処理を必要としていた。この脱気処理はクリーンなN
2雰囲気の乾燥機もしくは真空脱気装置により実施する
必要があり、装置はかなり高価なものを要し装置的にコ
スト高であった。また脱気に時間がかかるため、基板収
容数が多くなり、装置も大型化し、クリーンルームのス
ペースもかなり必要であった。
In order to improve this, it has been devised to carry out the film forming process of the hard coat layer before the film forming process of each layer such as the dielectric layer and the recording layer (JP-A-6-96482).
However, in this method, since the substrate is left in the atmosphere until the spin coating is completed until the spin coating is completed, the substrate absorbs water, which requires degassing for several hours after the spin coating is completed. This degassing process is clean N
It was necessary to carry out with a two- atmosphere dryer or a vacuum deaeration device, and the device required a fairly expensive one and the cost was high. Further, since deaeration takes time, the number of substrates to be accommodated increases, the apparatus becomes large, and the space of the clean room is considerably required.

【0014】そこで、これらの装置や工程数を減らすた
めに、基板の成形後直ちに真空チャンバ内に基板を導入
して成膜を行うことが試みられた。しかし、基板表面に
スパッタリング等でハードコート層を形成しようとして
もスパッタレートが遅いため時間がかかりすぎ処理能力
が低い。また、この膜に硬度をもたせるためには300
〜1000nm程度の膜厚が必要であるがこの膜厚では
応力がかかりすぎて膜にクラックが入ってしまう場合が
ある。そのため、基板の成形後直ちに真空チャンバ内に
基板を導入してスパッタリング等によりハードコート層
を成膜することは実用的ではなかった。
Therefore, in order to reduce the number of these devices and the number of steps, it has been attempted to introduce the substrate into the vacuum chamber immediately after forming the substrate to form a film. However, even if an attempt is made to form the hard coat layer on the surface of the substrate by sputtering or the like, it takes a long time because the sputtering rate is slow, and the processing ability is low. Also, in order to give this film hardness, 300
Although a film thickness of about 1000 nm is required, stress may be applied too much at this film thickness and the film may be cracked. Therefore, it was not practical to introduce the substrate into the vacuum chamber immediately after forming the substrate and form the hard coat layer by sputtering or the like.

【0015】そこで本発明の目的は、上記の問題を解決
し、基板表面上に、ブツ欠陥・クラック等の発生の少な
い良好なハードコート層の成膜が可能であり、且つ歩留
まりが高く製造コストが低い光記録媒体の製造方法、及
びこの方法により製造された記録再生特性の優れた光記
録媒体を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to solve the above problems, to form a good hard coat layer on the surface of a substrate with few defects such as spots and cracks, and to have a high yield and a high manufacturing cost. To provide a method for producing an optical recording medium having a low optical density, and an optical recording medium produced by this method and having excellent recording and reproducing characteristics.

【0016】[0016]

【問題点を解決するための手段】本発明者らは、上記の
目的を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明
を完成した。
[Means for Solving the Problems] The present inventors have completed the present invention as a result of various studies in order to achieve the above object.

【0017】第1の発明は、基板表面側にハードコート
層を有し、基板グルーブ面側に少なくとも誘電体層、記
録層および保護層を有する光記録媒体において、前記ハ
ードコート層がプラズマCVD法により形成されたもの
であることを特徴とする光記録媒体に関する。
The first invention is an optical recording medium having a hard coat layer on the substrate surface side and at least a dielectric layer, a recording layer and a protective layer on the substrate groove surface side, wherein the hard coat layer is a plasma CVD method. The present invention relates to an optical recording medium characterized by being formed by

【0018】第2の発明は、基板上にプラズマCVD法
によりハードコート層を形成するときの基板表面温度が
120℃以下である第1の発明の光記録媒体に関する。
The second invention relates to the optical recording medium of the first invention, wherein the substrate surface temperature when the hard coat layer is formed on the substrate by the plasma CVD method is 120 ° C. or lower.

【0019】第3の発明は、基板が高分子樹脂材料から
なる第1又は第2の発明の光記録媒体に関する。
The third invention relates to the optical recording medium of the first or second invention, wherein the substrate is made of a polymer resin material.

【0020】第4の発明は、基板が、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、ポリメチルメタクリレートから選
ばれる高分子樹脂材料からなる第1又は第2の発明の光
記録媒体に関する。
A fourth invention relates to the optical recording medium of the first or second invention, wherein the substrate is made of a polymer resin material selected from polycarbonate, polyolefin and polymethylmethacrylate.

【0021】第5の発明は、基板表面側にハードコート
層を有し、基板グルーブ面側に少なくとも誘電体層、記
録層および保護層を有する光記録媒体の製造方法におい
て、基板を射出成形法で成形した後、直ちに大気真空置
換チャンバに導入し、この基板表面に前記ハードコート
層をプラズマCVD法を用いて形成し、次いで基板グル
ーブ面側の各層を形成することを特徴とする光記録媒体
の製造方法に関する。
A fifth aspect of the present invention is a method for manufacturing an optical recording medium having a hard coat layer on the substrate surface side and at least a dielectric layer, a recording layer and a protective layer on the substrate groove surface side. An optical recording medium characterized by being immediately introduced into an atmospheric vacuum displacement chamber after being molded by (1), forming the hard coat layer on the surface of the substrate by a plasma CVD method, and then forming each layer on the groove side of the substrate. Manufacturing method.

【0022】第6の発明は、基板上にプラズマCVD法
によりハードコート層を形成するときの基板表面温度が
120℃以下である第5の発明の光記録媒体の製造方法
に関する。
The sixth invention relates to the method for producing an optical recording medium of the fifth invention, wherein the substrate surface temperature when the hard coat layer is formed on the substrate by the plasma CVD method is 120 ° C. or lower.

【0023】第7の発明は、射出成形法で基板を成形し
てから大気真空置換チャンバに基板を導入するまでの時
間が3分以内である第5又は第6の発明の光記録媒体の
製造方法に関する。
The seventh invention is the production of the optical recording medium of the fifth or sixth invention, wherein the time from the molding of the substrate by the injection molding method to the introduction of the substrate into the atmospheric vacuum displacement chamber is within 3 minutes. Regarding the method.

【0024】第8の発明は、基板が高分子樹脂材料から
なる第5、第6又は第7の発明の光記録媒体の製造方法
に関する。
An eighth invention relates to a method of manufacturing the optical recording medium of the fifth, sixth or seventh invention, wherein the substrate is made of a polymer resin material.

【0025】第9の発明は、基板の材料として、ポリカ
ーボネート、ポリオレフィン、ポリメチルメタクリレー
トから選ばれる高分子樹脂材料を用いる第5、第6又は
第7の発明の光記録媒体の製造方法に関する。
The ninth invention relates to a method for manufacturing the optical recording medium of the fifth, sixth or seventh invention, wherein a polymer resin material selected from polycarbonate, polyolefin and polymethylmethacrylate is used as the material of the substrate.

【0026】第10の発明は、第5〜第9のいずれかの
発明の方法により製造された光記録媒体に関する。
The tenth invention relates to an optical recording medium manufactured by the method of any one of the fifth to ninth inventions.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.

【0028】図1に、本発明に用いるマイクロ波プラズ
マCVD装置の概略図を示す。
FIG. 1 shows a schematic view of a microwave plasma CVD apparatus used in the present invention.

【0029】1は基板を設置するための基板ホルダー、
2はプラズマを発生させるプラズマチャンバ、3は成膜
チャンバ、4は環状マイクロ波導波管、5はマイクロ波
電源、6はスロット管、7は第1のガス導入手段、8は
第2のガス導入手段、9はコンダクタンスバルブ、10
はターボ分子ポンプである。
1 is a substrate holder for setting a substrate,
Reference numeral 2 is a plasma chamber for generating plasma, 3 is a film forming chamber, 4 is an annular microwave waveguide, 5 is a microwave power source, 6 is a slot tube, 7 is a first gas introduction means, and 8 is a second gas introduction. Means, 9 is a conductance valve, 10
Is a turbo molecular pump.

【0030】図1にはプラズマ発生手段として環状マイ
クロ波導波管(4)を用いたものを示したが、基板から
隔離可能でイオン入射の少ないプラズマを発生できる手
段なら他の装置構成でも適用可能である。例えば、直結
型、矩形導波管、アプリケータ、リジターノコイル、ヘ
リカルアンテナ等のマイクロ波導入手段や、円筒マグネ
トロン電極、有磁場ヘリカルコイル等の高周波導入手段
などが適用できる。
FIG. 1 shows the one in which the annular microwave waveguide (4) is used as the plasma generating means, but any other device configuration can be applied as long as it is a means capable of generating a plasma which can be isolated from the substrate and has a small amount of ion incidence. Is. For example, a microwave coupling means such as a direct connection type, a rectangular waveguide, an applicator, a rigidano coil or a helical antenna, a high frequency introducing means such as a cylindrical magnetron electrode or a magnetic field helical coil can be applied.

【0031】次に、図1及び図2を用いて本発明の製造
プロセスを説明する。
Next, the manufacturing process of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0032】まず、成形機(21)で基板を成形し、成
形された基板をできるだけ短い時間内、好ましくは3分
以内に、基板搬送路(22)及びゲートバルブ(23)
位置を通して大気真空置換チャンバ(24)内に導入す
る。
First, the substrate is molded by the molding machine (21), and the molded substrate is conveyed within the shortest possible time, preferably within 3 minutes, and the substrate transfer path (22) and the gate valve (23).
It is introduced into the atmospheric vacuum displacement chamber (24) through the location.

【0033】次いで順次、真空プロセスチャンバ(2
5)、マイクロ波プラズマCVD装置(26)の成膜チ
ャンバ(3)へ基板を送り、基板表面にハードコート層
を形成する。成膜チャンバ(3)内には、第2のガス
(例えばSiH4ガス)を第2のガス導入手段(8)に
より導入し、同時にプラズマチャンバ(2)内に、プラ
ズマ発生用の第1のガス(例えばArガス、N2ガス)
を第1のガス導入手段(7)により導入する。
Next, the vacuum process chamber (2
5), the substrate is sent to the film forming chamber (3) of the microwave plasma CVD apparatus (26) to form a hard coat layer on the surface of the substrate. A second gas (for example, SiH 4 gas) is introduced into the film forming chamber (3) by the second gas introducing means (8), and at the same time, the first gas for plasma generation is introduced into the plasma chamber (2). Gas (eg Ar gas, N 2 gas)
Is introduced by the first gas introduction means (7).

【0034】続いて、排気系に設けられたコンダクタン
スバルブ(9)を調整し、プラズマチャンバ(2)及び
成膜チャンバ(3)内を10mTorr程度に調整する。マ
イクロ波電源より2〜3KW程度の電力をマイクロ波導
波管(4)に供給する。マイクロ波導波管のスリットか
らマイクロ波エネルギーを成膜チャンバ(3)内に導入
することによってプラズマチャンバ(2)内に高密度な
プラズマを発生させ、前記第1のガスを励起、分解し、
成膜チャンバ(3)内に引き込み、そして成膜チャンバ
に導入された第2のガス(例えばSiH4ガス)を効率
よく分解・反応させる。これにより、気相反応および基
板表面における反応で、ハードコート層が成膜チャンバ
(3)内に配置された基板表面側に形成される。
Then, the conductance valve (9) provided in the exhaust system is adjusted to adjust the inside of the plasma chamber (2) and the film forming chamber (3) to about 10 mTorr. Electric power of about 2 to 3 KW is supplied to the microwave waveguide (4) from the microwave power source. Microwave energy is introduced into the film forming chamber (3) from the slit of the microwave waveguide to generate high-density plasma in the plasma chamber (2) to excite and decompose the first gas,
The second gas (for example, SiH 4 gas) introduced into the film forming chamber (3) and introduced into the film forming chamber is efficiently decomposed and reacted. Thereby, the hard coat layer is formed on the substrate surface side disposed in the film forming chamber (3) by the vapor phase reaction and the reaction on the substrate surface.

【0035】その後、基板を、真空を破ることなく連続
的にスパッタチャンバ(27)に送り、スパッタガン
(28)により基板グルーブ面側に下地保護層(下地誘
電体層)、記録層、上地保護層、必要により反射層やオ
ーバーコート層を順次形成する。
Thereafter, the substrate is continuously sent to the sputter chamber (27) without breaking the vacuum, and the underlayer protective layer (underlayer dielectric layer), the recording layer and the overlayer are formed on the substrate groove surface side by the sputter gun (28). A protective layer and, if necessary, a reflective layer and an overcoat layer are sequentially formed.

【0036】以上の工程の終了後、基板取り出し位置
(29)から基板を大気中へ取りだして次工程へ送る。
After the above steps are completed, the substrate is taken out from the substrate take-out position (29) into the atmosphere and sent to the next step.

【0037】次に、本発明の光記録媒体の構成について
図3を用いて説明する。
Next, the structure of the optical recording medium of the present invention will be described with reference to FIG.

【0038】本発明の光記録媒体の構成は、前述の従来
の光記録媒体と同様な構成をとることができる。一般的
には、ハードコート層(32)/基板(31)/下地保
護層(下地誘電体層(33))/記録層(34)/上地
保護層(上地誘電体層(35))/反射層(36)/オ
ーバーコート層(37)、又はハードコート層/基板/
下地保護層(下地誘電体層)/記録層/上地保護層(上
地誘電体層)/オーバーコート層、の構成が選ばれる。
ここで、反射層とオーバーコート層は必要により設けら
れるものである。また記録層は、例えば記録用磁性層と
書き込み用磁性層からなる多層構造としてもよい。
The structure of the optical recording medium of the present invention can be the same as that of the above-mentioned conventional optical recording medium. Generally, a hard coat layer (32) / substrate (31) / underlayer protective layer (underlayer dielectric layer (33)) / recording layer (34) / upper protective layer (upper dielectric layer (35)) / Reflective layer (36) / Overcoat layer (37) or Hard coat layer / Substrate /
The constitution of the underlayer protective layer (underlayer dielectric layer) / recording layer / upper layer protective layer (upper layer dielectric layer) / overcoat layer is selected.
Here, the reflective layer and the overcoat layer are provided as needed. The recording layer may have a multi-layer structure including, for example, a recording magnetic layer and a writing magnetic layer.

【0039】本発明の光記録媒体の基板(31)として
は、高分子樹脂樹脂材料からなるものが好ましい。具体
的には、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリメチ
ルメタクリレート等が挙げられる。
The substrate (31) of the optical recording medium of the present invention is preferably made of a polymer resin material. Specific examples include polycarbonate, polyolefin, and polymethylmethacrylate.

【0040】成膜時の昇温による基板の変形を避けるた
めに、好ましくは150℃以下、より好ましくは120
℃以下の範囲で成膜を行う。
In order to avoid deformation of the substrate due to temperature rise during film formation, the temperature is preferably 150 ° C. or lower, more preferably 120 ° C.
The film is formed within the range of ℃ or less.

【0041】本発明における好適なハードコート層(3
2)の材料としては、Si34、SiC、SiO、Si
2等が挙げられる。
A preferred hard coat layer (3
The material of 2) is Si 3 N 4 , SiC, SiO, Si
Examples include O 2 and the like.

【0042】堆積膜の形成用ガスとしては、上記のSi
系ハードコート層を形成する場合、Si含有の第2のガ
ス(原料ガス)としては、SiH4、SiH6等の無機シ
ラン類、テトラエチルシラン(TES)、トトラメチル
シラン(TMS)、ジメチルシラン(DMS)、テトラ
エトキシシラン(TEOS)、テトラメトキシシラン
(TMOS)等の有機シラン類、SiF4、Si2F6、
SiHF3、SiH22、SiCl4、Si2Cl6、Si
HCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、SiCl22
等のハロシラン類などの常温常圧でガス状態であるもの
又は容易にガス化するものが挙げられる。
As the gas for forming the deposited film, the above Si is used.
In the case of forming the system hard coat layer, as the Si-containing second gas (raw material gas), inorganic silanes such as SiH 4 and SiH 6 , tetraethylsilane (TES), totramethylsilane (TMS), dimethylsilane ( DMS), tetraethoxysilane (TEOS), tetramethoxysilane (TMOS) and other organic silanes, SiF 4 , Si 2 F 6,
SiHF 3 , SiH 2 F 2 , SiCl 4 , Si 2 Cl 6 , Si
HCl 3 , SiH 2 Cl 2 , SiH 3 Cl, SiCl 2 F 2
Examples thereof include those that are in a gas state at room temperature and atmospheric pressure or that are easily gasified, such as halosilanes.

【0043】また、この場合の第1のガス(反応ガス)
としては、N2、NH3、N24、ヘキサメチルジシラザ
ン(HMDS)、O2、O3、H2O、NO、N2O、NO
2、C22、CO、CO2等が挙げられる。
Further, in this case, the first gas (reaction gas)
The, N 2, NH 3, N 2 H 4, hexamethyldisilazane (HMDS), O 2, O 3, H 2 O, NO, N 2 O, NO
2 , C 2 H 2 , CO, CO 2 and the like.

【0044】[0044]

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明する
が、本発明はこれらに限定するものではない。
EXAMPLES The present invention will be further described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

【0045】実施例1 図1に示すマイクロ波プラズマCVD装置を用い、基板
表面にSiCからなるハードコート層を形成した光磁気
記録媒体を作製した。なお、マイクロ波プラズマCVD
装置は、図1に示すような環状マイクロ波導波管(4)
を備えた環状波導波管マイクロ波CVD装置を用いた。
Example 1 Using the microwave plasma CVD apparatus shown in FIG. 1, a magneto-optical recording medium having a hard coat layer made of SiC formed on the surface of a substrate was produced. In addition, microwave plasma CVD
The device consists of an annular microwave waveguide (4) as shown in FIG.
An annular wave waveguide microwave CVD apparatus equipped with was used.

【0046】基板は、ポリカーボネート樹脂を用い、射
出成形法によりプリグルーブの付いた直径86mm、板厚
1.2mmの基板を作製した。ポリカーボネート樹脂は三
菱瓦斯化学製ユービロンH4000を用い、射出成形機
は住友重機製DISK5M3成形機を使用した。
As the substrate, a substrate having a diameter of 86 mm and a plate thickness of 1.2 mm with a pre-groove was prepared by injection molding using a polycarbonate resin. Ubilon H4000 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. was used as the polycarbonate resin, and DISK5M3 molding machine manufactured by Sumitomo Heavy Industries was used as the injection molding machine.

【0047】成形後3分以内に、基板を大気真空置換チ
ャンバへ送り、真空プロセスチャンバへ導入した。
Within 3 minutes after molding, the substrate was sent to the atmospheric vacuum displacement chamber and introduced into the vacuum process chamber.

【0048】真空プロセスチャンバへ導入された基板
は、マイクロ波プラズマCVD装置の成膜チャンバ
(3)内に移送し、基板表面に厚さ300nmのSiC
膜(ハードコート層)を形成した。
The substrate introduced into the vacuum process chamber is transferred into the film forming chamber (3) of the microwave plasma CVD apparatus, and the substrate surface is covered with SiC having a thickness of 300 nm.
A film (hard coat layer) was formed.

【0049】続いて、スパッタチャンバへ真空を破るこ
となく送り、基板グルーブ面側にマグネトロンスパッタ
法により厚さ88nmの下地誘電体層、厚さ10nmの
再生用磁性層(GdFeCo)及び厚さ20nmの記録
用磁性層(TbFeCo)を順次形成し、さらにその上
に厚さ30nmの上地誘電体層を形成し、最後に厚さ6
0nmの反射層(Al膜)を真空を破ることなく連続し
て形成した。
Then, the vacuum was sent to the sputtering chamber without breaking the vacuum, and a base dielectric layer having a thickness of 88 nm, a reproducing magnetic layer (GdFeCo) having a thickness of 10 nm, and a thickness of 20 nm were formed on the substrate groove surface side by a magnetron sputtering method. A magnetic recording layer (TbFeCo) is sequentially formed, and an upper dielectric layer having a thickness of 30 nm is further formed thereon, and finally a thickness of 6 is formed.
A 0 nm reflective layer (Al film) was continuously formed without breaking the vacuum.

【0050】ハードコート層の成膜条件は次の通りであ
る。 以上のようにして得られた光磁気記録媒体について、そ
のハードコート層の特性、及び記録再生特性を表1に示
す。なお、ハードコート層の応力は圧縮応力状態におけ
る値、膜厚分布は有効領域半径(R24〜R40mm)内
での変化率、剥離数は5mm角のクロスハッチテストにお
ける剥離数(25箇所における)である。
The conditions for forming the hard coat layer are as follows. Table 1 shows the characteristics of the hard coat layer and the recording / reproducing characteristics of the magneto-optical recording medium obtained as described above. The stress of the hard coat layer is the value in the compressive stress state, the film thickness distribution is the change rate within the effective area radius (R24 to R40 mm), and the peeling number is the peeling number (at 25 points) in the 5 mm square crosshatch test. is there.

【0051】実施例2 図1に示すマイクロ波プラズマCVD装置を用い、基板
表面にSi34からなるハードコート層を形成した光磁
気記録媒体を作製した。なお、マイクロ波プラズマCV
D装置は、図1に示すような環状マイクロ波導波管
(4)を備えた環状導波管マイクロ波CVD装置を用い
た。
Example 2 Using the microwave plasma CVD apparatus shown in FIG. 1, a magneto-optical recording medium having a hard coat layer made of Si 3 N 4 formed on the surface of a substrate was produced. In addition, microwave plasma CV
As the apparatus D, an annular waveguide microwave CVD apparatus provided with an annular microwave waveguide (4) as shown in FIG. 1 was used.

【0052】基板は、ポリカーボネート樹脂を用い、射
出成形法によりプリグルーブの付いた直径86mm、板厚
1.2mmの基板を作製した。ポリカーボネート樹脂は三
菱瓦斯化学製ユービロンH4000を用い、射出成形機
は住友重機製DISK5M3成形機を使用した。
A polycarbonate resin was used as a substrate, and a substrate with a pregroove having a diameter of 86 mm and a plate thickness of 1.2 mm was prepared by an injection molding method. Ubilon H4000 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. was used as the polycarbonate resin, and DISK5M3 molding machine manufactured by Sumitomo Heavy Industries was used as the injection molding machine.

【0053】成形後3分以内に、基板を大気真空置換チ
ャンバへ送り、真空プロセスチャンバへ導入した。
Within 3 minutes after molding, the substrate was sent to the atmospheric vacuum displacement chamber and introduced into the vacuum process chamber.

【0054】真空プロセスチャンバへ投入された基板
は、マイクロ波プラズマCVD装置の成膜チャンバ
(3)内に移送し、基板表面に厚さ300nmのSi3
4膜(ハードコート層)を形成した。
[0054] substrate that is put into the vacuum process chamber, and transferred to a deposition chamber (3) of the microwave plasma CVD apparatus, Si 3 having a thickness of 300nm on the substrate surface
An N 4 film (hard coat layer) was formed.

【0055】続いて、スパッタチャンバへ真空を破るこ
となく送り、基板グルーブ面側にマグネトロンスパッタ
法により厚さ75nmの下地誘電体層、厚さ10nmの
再生用磁性層(GdFeCo)及び厚さ20nmの記録
用磁性層(TbFeCo)を順次形成し、さらにその上
に厚さ30nmの上地誘電体層を形成し、最後に厚さ6
0nmの反射層(Al膜)を真空を破ることなく連続し
て形成した。
Subsequently, the vacuum was sent to the sputtering chamber without breaking the vacuum, and a base dielectric layer having a thickness of 75 nm, a reproducing magnetic layer (GdFeCo) having a thickness of 10 nm, and a thickness of 20 nm were formed on the substrate groove surface side by a magnetron sputtering method. A magnetic recording layer (TbFeCo) is sequentially formed, and an upper dielectric layer having a thickness of 30 nm is further formed thereon, and finally a thickness of 6 is formed.
A 0 nm reflective layer (Al film) was continuously formed without breaking the vacuum.

【0056】ハードコート層の成膜条件は次の通りであ
る。 以上のようにして得られた光磁気記録媒体について、そ
のハードコート層の特性、及び記録再生特性を表1に示
す。
The conditions for forming the hard coat layer are as follows. Table 1 shows the characteristics of the hard coat layer and the recording / reproducing characteristics of the magneto-optical recording medium obtained as described above.

【0057】実施例3 図1に示すマイクロ波プラズマCVD装置を用い、基板
表面にSiO2からなるハードコート層を形成した光磁
気磁気記録媒体を作製した。なお、マイクロ波プラズマ
CVD装置は、図1に示すような環状マイクロ波導波管
(4)を用いた環状導波管マイクロ波CVD装置を用い
た。
Example 3 Using the microwave plasma CVD apparatus shown in FIG. 1, a magneto-optical recording medium having a hard coat layer made of SiO 2 formed on the surface of a substrate was produced. As the microwave plasma CVD apparatus, an annular waveguide microwave CVD apparatus using an annular microwave waveguide (4) as shown in FIG. 1 was used.

【0058】基板は、ポリカーボネート樹脂を用い、射
出成形法によりプリグルーブの付いた直径130mm、板
厚1.2mmの基板を作製した。ポリカーボネート樹脂は
三菱瓦斯化学製ユービロンH4000を用い、射出成形
機は住友重機製DISK5M3成形機を使用した。
As the substrate, a substrate having a diameter of 130 mm and a plate thickness of 1.2 mm with a pregroove was prepared by injection molding using a polycarbonate resin. Ubilon H4000 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. was used as the polycarbonate resin, and DISK5M3 molding machine manufactured by Sumitomo Heavy Industries was used as the injection molding machine.

【0059】成形後3分以内に、基板を大気真空置換チ
ャンバへ送り、真空プロセスチャンバへ導入した。
Within 3 minutes after molding, the substrate was sent to the atmospheric vacuum displacement chamber and introduced into the vacuum process chamber.

【0060】真空プロセスチャンバへ導入された基板
は、マイクロ波プラズマCVD装置の成膜チャンバ
(3)内に移送し、基板表面に厚さ300nmのSiO
2膜を形成した。
The substrate introduced into the vacuum process chamber is transferred into the film forming chamber (3) of the microwave plasma CVD apparatus, and SiO 2 having a thickness of 300 nm is formed on the surface of the substrate.
Two films were formed.

【0061】続いて、スパッタチャンバへ真空を破るこ
となく送り、基板グルーブ面側にマグネトロンスパッタ
法により厚さ110nmの下地誘電体層および厚さ20
nmの記録用磁性層(TbFeCo)を形成し、さらに
その上に厚さ30nmの上地誘電体層を形成し、最後に
厚さ60nmの反射層(Al膜)を真空を破ることなく
連続して形成した。
Then, the vacuum is sent to the sputtering chamber without breaking the vacuum, and a base dielectric layer having a thickness of 110 nm and a thickness of 20 are formed on the substrate groove surface side by a magnetron sputtering method.
nm recording magnetic layer (TbFeCo) is formed, and a 30 nm thick top dielectric layer is further formed thereon, and finally a reflection layer (Al film) having a thickness of 60 nm is continuously formed without breaking the vacuum. Formed.

【0062】ハードコート層の成膜条件は次の通りであ
る。 以上のようにして得られた光磁気記録媒体について、そ
のハードコート層の特性、及び記録再生特性を表1に示
す。
The film forming conditions for the hard coat layer are as follows. Table 1 shows the characteristics of the hard coat layer and the recording / reproducing characteristics of the magneto-optical recording medium obtained as described above.

【0063】実施例4 図1に示すマイクロ波プラズマCVD装置を用い、基板
表面にSiCからなるハードコート層を形成し、記録層
としてSb−Te系膜を形成した相変化型光記録媒体を
作製した。なお、マイクロ波プラズマCVD装置は、図
1に示すような環状マイクロ波導波管(4)を備えた環
状導波管マイクロ波CVD装置を用いた。
Example 4 Using the microwave plasma CVD apparatus shown in FIG. 1, a phase change type optical recording medium in which a hard coat layer made of SiC was formed on the surface of a substrate and an Sb-Te based film was formed as a recording layer was prepared. did. As the microwave plasma CVD apparatus, an annular waveguide microwave CVD apparatus including an annular microwave waveguide (4) as shown in FIG. 1 was used.

【0064】基板は、ポリカーボネート樹脂を用い、射
出成形法によりプリグルーブの付いた直径86mm、板厚
1.2mmの基板を作製した。ポリカーボネート樹脂は三
菱瓦斯化学製ユービロンH4000を用い、射出成形機
は住友重機製DISK5M3成形機を使用した。
A polycarbonate resin was used as the substrate, and a substrate having a diameter of 86 mm and a plate thickness of 1.2 mm with a pregroove was prepared by an injection molding method. Ubilon H4000 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. was used as the polycarbonate resin, and DISK5M3 molding machine manufactured by Sumitomo Heavy Industries was used as the injection molding machine.

【0065】成形後3分以内に、基板を大気真空置換チ
ャンバへ送り、真空プロセスチャンバへ導入した。
Within 3 minutes after molding, the substrate was sent to the atmospheric vacuum displacement chamber and introduced into the vacuum process chamber.

【0066】真空プロセスチャンバへ導入された基板
は、マイクロ波プラズマCVD装置の成膜チャンバ
(3)内に移送し、基板表面に厚さ300nmのSiC
膜(ハードコート層)を形成した。
The substrate introduced into the vacuum process chamber is transferred into the film forming chamber (3) of the microwave plasma CVD apparatus, and a 300 nm thick SiC film is formed on the surface of the substrate.
A film (hard coat layer) was formed.

【0067】続いて、スパッタチャンバへ真空を破るこ
となく送り、基板グルーブ面側にマグネトロンスパッタ
法により厚さ88nmの下地誘電体層および厚さ20n
mの記録層(Sb−Te系膜)を順次形成した。さらに
その上に厚さ30nmの上地誘電体層を形成し、最後に
厚さ60nmの反射層(Al膜)を真空を破ることなく
連続して形成した。
Then, the vacuum is sent to the sputtering chamber without breaking the vacuum, and a base dielectric layer having a thickness of 88 nm and a thickness of 20 n are formed on the substrate groove surface side by a magnetron sputtering method.
m recording layers (Sb-Te based films) were sequentially formed. Further, an upper dielectric layer having a thickness of 30 nm was formed thereon, and finally, a reflecting layer (Al film) having a thickness of 60 nm was continuously formed without breaking vacuum.

【0068】ハードコート層の成膜条件は次の通りであ
る。 以上のようにして得られた相変化型光記録媒体につい
て、そのハードコート層の特性、及び記録再生特性を表
1に示す。
The conditions for forming the hard coat layer are as follows. Table 1 shows the characteristics of the hard coat layer and the recording / reproducing characteristics of the phase-change optical recording medium obtained as described above.

【0069】比較例1 枚葉式スパッタ装置を用いたDCスパッタ法により、S
34からなるハードコート層を形成した光磁気記録媒
体を作製した。
Comparative Example 1 By the DC sputtering method using a single-wafer sputtering apparatus, S
A magneto-optical recording medium having a hard coat layer made of i 3 N 4 was prepared.

【0070】基板は、ポリカーボネート樹脂を用い、射
出成形法によりプリグルーブの付いた直径86mm、板厚
1.2mmのものを作製した。ポリカーボネート樹脂は三
菱瓦斯化学製ユービロンH4000を用い、射出成形機
は住友重機製DISK5M3成形機を使用した。
A substrate having a diameter of 86 mm and a plate thickness of 1.2 mm with a pre-groove was prepared by injection molding using a polycarbonate resin. Ubilon H4000 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. was used as the polycarbonate resin, and DISK5M3 molding machine manufactured by Sumitomo Heavy Industries was used as the injection molding machine.

【0071】成形後3分以内に真空プロセスチャンバへ
基板を導入し、基板表面上にSiターゲットとN2ガス
を用いた反応性スパッタ法を用いて誘電体保護層を30
0nmの厚さで形成した。
The substrate was introduced into the vacuum process chamber within 3 minutes after molding, and a dielectric protective layer was formed on the surface of the substrate by reactive sputtering using a Si target and N 2 gas.
It was formed with a thickness of 0 nm.

【0072】その反対側の基板グループ面上には、Si
ターゲットとN2ガスを用いた反応性スパッタ法を用い
て厚さ85nmの誘電体保護層を形成し、マグネトロン
スパッタ法により厚さ10nmの再生用磁性層(GdF
eCo)及び厚さ20nmの記録用磁性層(TbFeC
o)を形成し、さらにその上に上記反応性スパッタ法に
より厚さ30nmの上地誘電体層を形成し、最後にマグ
ネトロンスパッタ法により厚さ60nmの反射層(Al
膜)を真空を破ることなく連続して形成した。
On the opposite side of the substrate group surface, Si
A dielectric protective layer having a thickness of 85 nm is formed by a reactive sputtering method using a target and N 2 gas, and a reproducing magnetic layer (GdF) having a thickness of 10 nm is formed by a magnetron sputtering method.
eCo) and recording magnetic layer (TbFeC) with a thickness of 20 nm
o), a 30 nm thick top dielectric layer is further formed thereon by the above reactive sputtering method, and finally, a reflection layer (Al layer having a thickness of 60 nm is formed by the magnetron sputtering method).
The film was continuously formed without breaking the vacuum.

【0073】ハードコート層の成膜条件は次の通りであ
る。 以上のようにして得られたハードコート層の特性を表1
に示す。また、この光磁気記録媒体の記録再生特性を測
定しようとしたがフォーカスがかからず信号特性(飽和
C/N比)を評価することができなかった。
The film forming conditions for the hard coat layer are as follows. The characteristics of the hard coat layer obtained as described above are shown in Table 1.
Shown in Further, it was attempted to measure the recording / reproducing characteristics of this magneto-optical recording medium, but the focus was not applied and the signal characteristics (saturation C / N ratio) could not be evaluated.

【0074】比較例2 基板の成形後から大気真空置換チャンバへの導入時間を
4分に変えた以外は、実施例1と同様にして光磁気記録
媒体を製造した。得られた光磁気記録媒体のハードコー
ト層の特性および記録再生特性を表1に示す。
Comparative Example 2 A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the introduction time into the atmospheric vacuum displacement chamber after the molding of the substrate was changed to 4 minutes. Table 1 shows the characteristics of the hard coat layer and the recording / reproducing characteristics of the obtained magneto-optical recording medium.

【0075】比較例3 基板の成形後から大気真空置換チャンバへの導入時間を
6分に変えた以外は、実施例1と同様にして光磁気記録
媒体を製造した。得られた光磁気記録媒体のハードコー
ト層の特性および記録再生特性を表1に示す。
Comparative Example 3 A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the introduction time into the atmospheric vacuum displacement chamber after the molding of the substrate was changed to 6 minutes. Table 1 shows the characteristics of the hard coat layer and the recording / reproducing characteristics of the obtained magneto-optical recording medium.

【0076】比較例4 基板の成膜時の温度を121℃に変えた以外は、実施例
1と同様にして光磁気記録媒体を製造した。得られた光
磁気記録媒体のハードコート層の特性および記録再生特
性を表1に示す。
Comparative Example 4 A magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the temperature at the time of film formation on the substrate was changed to 121 ° C. Table 1 shows the characteristics of the hard coat layer and the recording / reproducing characteristics of the obtained magneto-optical recording medium.

【0077】[0077]

【表1】 [Table 1]

【0078】[0078]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の方法ではプラズマCVD法を用いてハードコート層を
形成するため、膜応力が小さな膜を比較的低温でしかも
高速で形成することが可能であり、そのため、基板成形
直後に真空チャンバ内に基板を導入しても良好な膜特性
を有するハードコート層を形成することができる。
As is clear from the above description, in the method of the present invention, the hard coat layer is formed by using the plasma CVD method. Therefore, a film having a small film stress can be formed at a relatively low temperature and at a high speed. Therefore, even if the substrate is introduced into the vacuum chamber immediately after forming the substrate, the hard coat layer having good film characteristics can be formed.

【0079】これにより、記録再生特性の優れた光記録
媒体を作製することができる。
As a result, an optical recording medium having excellent recording / reproducing characteristics can be manufactured.

【0080】さらに、基板ストッカー、純水洗浄器、ク
リーンなN2雰囲気の乾燥機もしくは真空脱気装置等の
装置コストの高い装置が不要となり且つ工程数も低減す
るため、光記録媒体の製造コストを大幅に下げることが
できる。
Furthermore, since a high-cost device such as a substrate stocker, a pure water cleaning device, a dryer in a clean N 2 atmosphere, or a vacuum degassing device is not required and the number of steps is reduced, the manufacturing cost of the optical recording medium is reduced. Can be significantly reduced.

【0081】加えて、誘電体層や記録層等の成膜前にハ
ードコート層を形成することができるようになったた
め、基板表面が汚染されることがなく、基板表面のブツ
欠陥等が減少し、歩留まりを極端に向上させることがで
きるようになった。
In addition, since the hard coat layer can be formed before forming the dielectric layer, the recording layer, etc., the substrate surface is not contaminated, and the spot defects on the substrate surface are reduced. However, it has become possible to improve the yield extremely.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に用いるマイクロ波プラズマCVD装置
の概略図である。
FIG. 1 is a schematic view of a microwave plasma CVD apparatus used in the present invention.

【図2】本発明の光記録媒体の製造プロセスの説明図で
ある。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a manufacturing process of the optical recording medium of the present invention.

【図3】従来および本発明の光記録媒体の代表的な膜構
成を表す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a typical film configuration of a conventional optical recording medium and an optical recording medium of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板ホルダー 2 プラズマチャンバ 3 成膜チャンバ 4 環状マイクロ波導波管 5 マイクロ波電源 6 スロット管 7 第1のガス導入手段 8 第2のガス導入手段 9 コンダクタンスバルブ 10 ターボ分子ポンプ 21 成形機 22 基板搬送路 23 ゲートバルブ 24 大気真空置換チャンバ 25 真空プロセスチャンバ 26 マイクロ波プラズマCVD装置 27 スパッタチャンバ 28 スパッタガン 29 基板取り出し位置 31 基板 32 ハードコート層 33 下地保護層(下地誘電体層) 34 記録層 35 上地保護層(上地誘電体層) 36 反射層 37 オーバーコート層 1 substrate holder 2 plasma chamber 3 film forming chamber 4 annular microwave waveguide 5 microwave power source 6 slot tube 7 first gas introducing means 8 second gas introducing means 9 conductance valve 10 turbo molecular pump 21 molding machine 22 substrate transfer Route 23 Gate valve 24 Atmospheric vacuum displacement chamber 25 Vacuum process chamber 26 Microwave plasma CVD device 27 Sputter chamber 28 Sputter gun 29 Substrate removal position 31 Substrate 32 Hard coat layer 33 Underlayer protective layer (underlayer dielectric layer) 34 Recording layer 35 Ground protection layer (upper dielectric layer) 36 Reflective layer 37 Overcoat layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11B 5/84 7303−5D G11B 5/84 5/85 7303−5D 5/85 C 7/26 531 7303−5D 7/26 531 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location G11B 5/84 7303-5D G11B 5/84 5/85 7303-5D 5/85 C 7/26 531 7303-5D 7/26 531

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板表面側にハードコート層を有し、基
板グルーブ面側に少なくとも誘電体層、記録層および保
護層を有する光記録媒体において、前記ハードコート層
がプラズマCVD法により形成されたものであることを
特徴とする光記録媒体。
1. An optical recording medium having a hard coat layer on the substrate surface side and at least a dielectric layer, a recording layer and a protective layer on the substrate groove surface side, wherein the hard coat layer is formed by a plasma CVD method. An optical recording medium characterized by being a thing.
【請求項2】 基板上にプラズマCVD法によりハード
コート層を形成するときの基板表面温度が120℃以下
である請求項1記載の光記録媒体。
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the substrate surface temperature when the hard coat layer is formed on the substrate by the plasma CVD method is 120 ° C. or lower.
【請求項3】 基板が高分子樹脂材料からなる請求項1
又は2記載の光記録媒体。
3. The substrate according to claim 1, which is made of a polymer resin material.
Or the optical recording medium of 2.
【請求項4】 基板が、ポリカーボネート、ポリオレフ
ィン、ポリメチルメタクリレートから選ばれる高分子樹
脂材料からなる請求項1又は2記載の光記録媒体。
4. The optical recording medium according to claim 1, wherein the substrate is made of a polymer resin material selected from polycarbonate, polyolefin and polymethylmethacrylate.
【請求項5】 基板表面側にハードコート層を有し、基
板グルーブ面側に少なくとも誘電体層、記録層および保
護層を有する光記録媒体の製造方法において、基板を射
出成形法で成形した後、直ちに大気真空置換チャンバに
導入し、この基板表面に前記ハードコート層をプラズマ
CVD法を用いて形成し、次いで基板グルーブ面側の各
層を形成することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
5. A method of manufacturing an optical recording medium having a hard coat layer on the surface side of a substrate and having at least a dielectric layer, a recording layer and a protective layer on the groove side of the substrate, after molding the substrate by injection molding. A method for manufacturing an optical recording medium, which comprises immediately introducing the film into an atmospheric vacuum displacement chamber, forming the hard coat layer on the surface of the substrate by a plasma CVD method, and then forming each layer on the groove side of the substrate.
【請求項6】 基板上にプラズマCVD法によりハード
コート層を形成するときの基板表面温度が120℃以下
である請求項5記載の光記録媒体の製造方法。
6. The method for producing an optical recording medium according to claim 5, wherein the substrate surface temperature when the hard coat layer is formed on the substrate by the plasma CVD method is 120 ° C. or lower.
【請求項7】 射出成形法で基板を成形してから大気真
空置換チャンバに基板を導入するまでの時間が3分以内
である請求項5又は6記載の光記録媒体の製造方法。
7. The method for producing an optical recording medium according to claim 5, wherein the time from the molding of the substrate by the injection molding method to the introduction of the substrate into the atmospheric vacuum displacement chamber is within 3 minutes.
【請求項8】 基板が高分子樹脂材料からなる請求項
5、6又は7記載の光記録媒体の製造方法。
8. The method for manufacturing an optical recording medium according to claim 5, 6 or 7, wherein the substrate is made of a polymer resin material.
【請求項9】 基板の材料として、ポリカーボネート、
ポリオレフィン、ポリメチルメタクリレートから選ばれ
る高分子樹脂材料を用いる請求項5、6又は7記載の光
記録媒体の製造方法。
9. The substrate material is polycarbonate,
The method for producing an optical recording medium according to claim 5, 6 or 7, wherein a polymer resin material selected from polyolefin and polymethylmethacrylate is used.
【請求項10】 請求項5〜9のいずれか1項に記載の
方法により製造された光記録媒体。
10. An optical recording medium manufactured by the method according to claim 5.
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