JPH09189681A - 質量分析装置 - Google Patents
質量分析装置Info
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- JPH09189681A JPH09189681A JP8003612A JP361296A JPH09189681A JP H09189681 A JPH09189681 A JP H09189681A JP 8003612 A JP8003612 A JP 8003612A JP 361296 A JP361296 A JP 361296A JP H09189681 A JPH09189681 A JP H09189681A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】イオントラップ質量分析部用のダンピングガス
やイオン源用の噴霧ガスの測定時の消費量を減らし、装
置規模が大きくなるのを防ぐ。 【解決手段】ひとつのガス供給源からイオントラップ質
量分析部とイオン源に分岐してガスを供給し、分岐後の
ガス経路にそれぞれ独立に圧力制御機構を設ける。
やイオン源用の噴霧ガスの測定時の消費量を減らし、装
置規模が大きくなるのを防ぐ。 【解決手段】ひとつのガス供給源からイオントラップ質
量分析部とイオン源に分岐してガスを供給し、分岐後の
ガス経路にそれぞれ独立に圧力制御機構を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、混合物の分離分析
に有効な液体クロマトグラフィー（Liquid Chromat
ography:ＬＣ）と質量分析法（Mass Spectrometry：Ｍ
Ｓ）とを結合した装置、すなわち液体クロマトグラフィ
ー／質量分析法（Liquid Chromatography／Mass Spectr
ometry、以下ＬＣ／ＭＳと省略する)に代表されるよう
に、液体中に存在する混合試料を分離した後、イオン化
して質量分析計に導入して、質量分析を行う装置の装置
構成に関する。また、溶液試料を連続的に導入して、イ
オン化／質量分析を行うフローインジェクション分析を
行う方法に関する。
に有効な液体クロマトグラフィー（Liquid Chromat
ography:ＬＣ）と質量分析法（Mass Spectrometry：Ｍ
Ｓ）とを結合した装置、すなわち液体クロマトグラフィ
ー／質量分析法（Liquid Chromatography／Mass Spectr
ometry、以下ＬＣ／ＭＳと省略する)に代表されるよう
に、液体中に存在する混合試料を分離した後、イオン化
して質量分析計に導入して、質量分析を行う装置の装置
構成に関する。また、溶液試料を連続的に導入して、イ
オン化／質量分析を行うフローインジェクション分析を
行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、質量分析の分野では、新しい分析
装置としてイオントラップ質量分析部を用いた装置が有
望視されており、ＬＣ／ＭＳ等に応用されている。以
下、イオントラップ質量分析部を有するＬＣ／ＭＳ等を
ＬＣ／ＩＴＭＳ等と記す。その一例は、アナレティカ・
シミカ・アクタ，１９８９年，２２５巻，２５頁に記載
されている。また、ＬＣ／ＩＴＭＳのイオン源の１つ
に、ソニックスプレーイオン化法がある。その一例は、
アナレティカル・ケミストリー，１９９４年，２４巻，
４５５７頁に記載がある。
装置としてイオントラップ質量分析部を用いた装置が有
望視されており、ＬＣ／ＭＳ等に応用されている。以
下、イオントラップ質量分析部を有するＬＣ／ＭＳ等を
ＬＣ／ＩＴＭＳ等と記す。その一例は、アナレティカ・
シミカ・アクタ，１９８９年，２２５巻，２５頁に記載
されている。また、ＬＣ／ＩＴＭＳのイオン源の１つ
に、ソニックスプレーイオン化法がある。その一例は、
アナレティカル・ケミストリー，１９９４年，２４巻，
４５５７頁に記載がある。
【０００３】参考のためＬＣ／ＩＴＭＳの代表的な装置
構成について図１に、ソニックスプレーイオン化法のイ
オン源を図２に示す。
構成について図１に、ソニックスプレーイオン化法のイ
オン源を図２に示す。
【０００４】図１は、ＬＣ／ＩＴＭＳの代表的な装置構
成である。送液系１−１から溶出してくる溶液中の試料
は、テフロンチューブ１−２を通してイオン源１−３に
導入される。イオン源１−３で生成した試料分子に関す
るイオンは、噴霧ガス供給源１−４から導入された噴霧
ガスにより微細化し脱溶媒が進む。第１電極１−５，第
２電極１−６からなる差動排気部を通して高真空下の質
量分析部に導入される。差動排気部は真空ポンプ１−７
により、質量分析部は真空ポンプ１−８により排気され
ている。
成である。送液系１−１から溶出してくる溶液中の試料
は、テフロンチューブ１−２を通してイオン源１−３に
導入される。イオン源１−３で生成した試料分子に関す
るイオンは、噴霧ガス供給源１−４から導入された噴霧
ガスにより微細化し脱溶媒が進む。第１電極１−５，第
２電極１−６からなる差動排気部を通して高真空下の質
量分析部に導入される。差動排気部は真空ポンプ１−７
により、質量分析部は真空ポンプ１−８により排気され
ている。
【０００５】第２電極１−６から導入されたイオンは、
収束効果とゲート効果を備えた静電レンズ１−９を通過
して、２つのエンドキャップ電極１−１０，１−１１と
リング電極１−１２からなるイオントラップ質量分析部
の内部に導入される。イオントラップ質量分析部は他の
質量分析計と異なり、高周波電圧を用いてイオントラッ
プ質量分析部の内部にイオンを一定時間閉じ込める。そ
の後、高周波電圧を走査することによって、イオントラ
ップ質量分析部の内部に閉じ込められたイオンを質量順
に取り出し、それを検出器１−１３で検出する。
収束効果とゲート効果を備えた静電レンズ１−９を通過
して、２つのエンドキャップ電極１−１０，１−１１と
リング電極１−１２からなるイオントラップ質量分析部
の内部に導入される。イオントラップ質量分析部は他の
質量分析計と異なり、高周波電圧を用いてイオントラッ
プ質量分析部の内部にイオンを一定時間閉じ込める。そ
の後、高周波電圧を走査することによって、イオントラ
ップ質量分析部の内部に閉じ込められたイオンを質量順
に取り出し、それを検出器１−１３で検出する。
【０００６】イオントラップ質量分析部の内部には、ダ
ンピングガス供給源１−１４からキャピラリ１−１５を
通して反応性の低いダンピングガスが導入される。ダン
ピングガスにより、イオントラップ質量分析部の内部
は、０.３ から３ミリトール程度の真空度に保たれてい
る。上記のように質量分析されたイオンは、検出後、増
幅されて、データ処理装置に転送される。このデータ処
理装置では、得られた信号は通常マススペクトルとして
表示される。
ンピングガス供給源１−１４からキャピラリ１−１５を
通して反応性の低いダンピングガスが導入される。ダン
ピングガスにより、イオントラップ質量分析部の内部
は、０.３ から３ミリトール程度の真空度に保たれてい
る。上記のように質量分析されたイオンは、検出後、増
幅されて、データ処理装置に転送される。このデータ処
理装置では、得られた信号は通常マススペクトルとして
表示される。
【０００７】図２は、ソニックスプレーイオン化法のイ
オン源である。試料は、送液系２−１からフューズドシ
リカキャピラリ２−２，ステンレスキャピラリ２−３を
通してイオン化領域２−４に送られる。噴霧ガスは噴霧
ガス供給源２−５より導入され、ステンレスキャピラリ
２−３の先端近傍で、それらの外側からイオン化領域２
−４へと流出する。噴霧ガスは、その速度がイオン化領
域２−４でほぼ音速に達するように圧力がかけられる。
試料は、イオン化領域で噴霧ガスと衝突して微細化し、
イオン化した後、第１電極２−６を通して質量分析装置
の内部に取り込まれる。
オン源である。試料は、送液系２−１からフューズドシ
リカキャピラリ２−２，ステンレスキャピラリ２−３を
通してイオン化領域２−４に送られる。噴霧ガスは噴霧
ガス供給源２−５より導入され、ステンレスキャピラリ
２−３の先端近傍で、それらの外側からイオン化領域２
−４へと流出する。噴霧ガスは、その速度がイオン化領
域２−４でほぼ音速に達するように圧力がかけられる。
試料は、イオン化領域で噴霧ガスと衝突して微細化し、
イオン化した後、第１電極２−６を通して質量分析装置
の内部に取り込まれる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、以下のような課題があげられる。
は、以下のような課題があげられる。
【０００９】通常、ＬＣ／ＩＴＭＳでは、外部からイオ
ントラップ質量分析部の内部へと入射されるイオンの軌
道の収束を促進するため、イオントラップ質量分析部の
内部に反応性が低く且つイオンに比べて質量数の小さい
ダンピングガスを導入する。ダンピングガスを導入する
ことによって、イオントラップ質量分析部の内部ではイ
オンの粒子とダンピングガスの粒子との弾性衝突が生
じ、イオンはその速度を奪われる。その結果、イオンの
軌道の収束は促進される。イオンの軌道の収束が効果的
に行われれば、イオンの閉じ込め効率が向上し、検出効
率が向上する。以上より、ＬＣ／ＩＴＭＳの測定にダン
ピングガスは必要不可欠なものとなっている。
ントラップ質量分析部の内部へと入射されるイオンの軌
道の収束を促進するため、イオントラップ質量分析部の
内部に反応性が低く且つイオンに比べて質量数の小さい
ダンピングガスを導入する。ダンピングガスを導入する
ことによって、イオントラップ質量分析部の内部ではイ
オンの粒子とダンピングガスの粒子との弾性衝突が生
じ、イオンはその速度を奪われる。その結果、イオンの
軌道の収束は促進される。イオンの軌道の収束が効果的
に行われれば、イオンの閉じ込め効率が向上し、検出効
率が向上する。以上より、ＬＣ／ＩＴＭＳの測定にダン
ピングガスは必要不可欠なものとなっている。
【００１０】一方、ＬＣ／ＩＴＭＳのイオン源のうち、
大気圧化学イオン化法，イオンスプレー法，ソニックス
プレーイオン化法によるイオン源では、イオン化やイオ
ン化後の脱溶媒の促進にガス噴霧が用いられる。これら
は、送液系の出口近傍において同軸方向に気体を噴出し
たり、第１電極から送液系の出口方向に向けることで、
微細化，脱溶媒の促進，イオン化等が起こる。このた
め、イオンスプレー法やソニックスプレー法ではイオン
化に噴霧ガスが必要不可欠なものとなっている。
大気圧化学イオン化法，イオンスプレー法，ソニックス
プレーイオン化法によるイオン源では、イオン化やイオ
ン化後の脱溶媒の促進にガス噴霧が用いられる。これら
は、送液系の出口近傍において同軸方向に気体を噴出し
たり、第１電極から送液系の出口方向に向けることで、
微細化，脱溶媒の促進，イオン化等が起こる。このた
め、イオンスプレー法やソニックスプレー法ではイオン
化に噴霧ガスが必要不可欠なものとなっている。
【００１１】これらダンピングガスと噴霧ガスは、用い
るガスの種類が異なることや、使用する圧力が異なるこ
とから、現在は装置に別個に組み込まれている。このた
め、ガス供給源（例えばボンベ）が１つの装置に少なく
とも２本必要になる。この結果、コストが高くつき、装
置規模も大きくなってしまう。
るガスの種類が異なることや、使用する圧力が異なるこ
とから、現在は装置に別個に組み込まれている。このた
め、ガス供給源（例えばボンベ）が１つの装置に少なく
とも２本必要になる。この結果、コストが高くつき、装
置規模も大きくなってしまう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題である、ひとつ
の装置にふたつのガス供給源が必要となることを解決す
る手段として、以下のような方法が考えられる。
の装置にふたつのガス供給源が必要となることを解決す
る手段として、以下のような方法が考えられる。
【００１３】まず、イオントラップ質量分析部用のダン
ピングガスとイオン源用の噴霧ガスに同種のガスを用い
る。ＬＣ／ＩＴＭＳの場合はＧＣ／ＩＴＭＳ（Gas Chro
matography／Mass Spectrometry)の場合と比較すると質
量数の大きい試料をも測定対象とするため、通常、噴霧
ガスで用いる窒素をダンピングガスとして用いることが
可能となる。これによってガス供給源をひとつにするこ
とができる。
ピングガスとイオン源用の噴霧ガスに同種のガスを用い
る。ＬＣ／ＩＴＭＳの場合はＧＣ／ＩＴＭＳ（Gas Chro
matography／Mass Spectrometry)の場合と比較すると質
量数の大きい試料をも測定対象とするため、通常、噴霧
ガスで用いる窒素をダンピングガスとして用いることが
可能となる。これによってガス供給源をひとつにするこ
とができる。
【００１４】次に、イオントラップ質量分析部とイオン
源で使用するガスの圧力が異なるので、ガス供給源から
のガス経路が行き先別に分岐した後、それぞれの導入路
ごとに圧力制御機構（例えば減圧弁）を設ける。これに
より、ひとつのガス供給源から異なる場所への供給を、
それぞれ異なる圧力で行うことができる。
源で使用するガスの圧力が異なるので、ガス供給源から
のガス経路が行き先別に分岐した後、それぞれの導入路
ごとに圧力制御機構（例えば減圧弁）を設ける。これに
より、ひとつのガス供給源から異なる場所への供給を、
それぞれ異なる圧力で行うことができる。
【００１５】これらにより、コストの低下や装置規模の
縮小が実現できる。
縮小が実現できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図３は、本発明を実施するための
ＬＣ／ＩＴＭＳの代表的な装置構成である。送液系３−
１から溶出してくる溶液中の試料は、テフロンチューブ
３−２を通してイオン源３−３に導入される。イオン源
３−３で生成した試料分子に関するイオンは、第１電極
３−４，第２電極３−５からなる差動排気部を通して高
真空下の質量分析部に導入される。差動排気部は真空ポ
ンプ３−６により、質量分析部は真空ポンプ３−７によ
り排気されている。第２電極３−５から導入されたイオ
ンは、収束効果とゲート効果を備えた静電レンズ３−８
を通過して、２つのエンドキャップ電極３−９，３−１
０とリング電極３−１１からなるイオントラップ質量分
析部の内部に導入される。
ＬＣ／ＩＴＭＳの代表的な装置構成である。送液系３−
１から溶出してくる溶液中の試料は、テフロンチューブ
３−２を通してイオン源３−３に導入される。イオン源
３−３で生成した試料分子に関するイオンは、第１電極
３−４，第２電極３−５からなる差動排気部を通して高
真空下の質量分析部に導入される。差動排気部は真空ポ
ンプ３−６により、質量分析部は真空ポンプ３−７によ
り排気されている。第２電極３−５から導入されたイオ
ンは、収束効果とゲート効果を備えた静電レンズ３−８
を通過して、２つのエンドキャップ電極３−９，３−１
０とリング電極３−１１からなるイオントラップ質量分
析部の内部に導入される。
【００１７】イオントラップ質量分析部は他の質量分析
計と異なり、高周波電圧を用いてイオントラップ質量分
析部の内部にイオンを一定時間閉じ込める。その後、高
周波電圧を走査することによって、イオントラップ質量
分析部の内部に閉じ込められたイオンを質量順に取り出
し、それを検出器３−１２で検出する。
計と異なり、高周波電圧を用いてイオントラップ質量分
析部の内部にイオンを一定時間閉じ込める。その後、高
周波電圧を走査することによって、イオントラップ質量
分析部の内部に閉じ込められたイオンを質量順に取り出
し、それを検出器３−１２で検出する。
【００１８】ガス供給源３−１３からは、反応性の低い
ガスが、コネクタ３−１４によって分岐した配管３−１
５，３−１６を通してそれぞれイオン源３−３とイオン
トラップ質量分析部に供給される。配管３−１５，３−
１６には、それぞれ配管内のガス圧を制御する減圧弁３
−１７，３−１８と圧力計３−１９，３−２０が設けら
れていて、イオン源３−３に向かうガスとイオントラッ
プ質量分析部に向かうガスの圧力が独立に制御できる。
これにより、イオン源ではソニックスプレーイオン化
法，イオンスプレー法の各々のイオン化に最適な流量と
なるようなガス圧に設定できる。また同時に、イオント
ラップ質量分析部ではその内部がイオンを閉じ込めるの
に最適な真空度となるようなガス圧に設定できる。
ガスが、コネクタ３−１４によって分岐した配管３−１
５，３−１６を通してそれぞれイオン源３−３とイオン
トラップ質量分析部に供給される。配管３−１５，３−
１６には、それぞれ配管内のガス圧を制御する減圧弁３
−１７，３−１８と圧力計３−１９，３−２０が設けら
れていて、イオン源３−３に向かうガスとイオントラッ
プ質量分析部に向かうガスの圧力が独立に制御できる。
これにより、イオン源ではソニックスプレーイオン化
法，イオンスプレー法の各々のイオン化に最適な流量と
なるようなガス圧に設定できる。また同時に、イオント
ラップ質量分析部ではその内部がイオンを閉じ込めるの
に最適な真空度となるようなガス圧に設定できる。
【００１９】上記のように質量分析されたイオンは、検
出後、増幅されて、データ処理装置に転送される。この
データ処理装置では、得られた信号は通常マススペクト
ルとして表示される。ガスは窒素またはヘリウムを用い
る。
出後、増幅されて、データ処理装置に転送される。この
データ処理装置では、得られた信号は通常マススペクト
ルとして表示される。ガスは窒素またはヘリウムを用い
る。
【００２０】図４は、本発明を実施するためのイオン源
の一例であるイオンスプレー法のイオン源の断面図を示
している。試料は、送液系４−１からテフロンチューブ
４−２，ステンレスキャピラリ４−３を通してイオン化
領域４−４に送られる。噴霧ガスはガス供給源４−５よ
り分岐した配管を通って導入され、ステンレスキャピラ
リ４−３の先端近傍で、それらの外側からイオン化領域
４−４へと噴出する。ステンレスキャピラリ４−３と第
１電極４−６の間には数キロボルトの電圧がかかってお
り、ステンレスキャピラリの先端より試料はイオン化し
て大気圧中へと放出される。試料は、イオン化領域で噴
霧ガスと衝突することにより微細化や脱溶媒が進み、第
１電極４−６を通して質量分析装置の内部に取り込まれ
る。流出するガスの圧力は、圧力計４−８によってモニ
タされ、イオン化効率が最適になるように減圧弁４−７
によって調整される。
の一例であるイオンスプレー法のイオン源の断面図を示
している。試料は、送液系４−１からテフロンチューブ
４−２，ステンレスキャピラリ４−３を通してイオン化
領域４−４に送られる。噴霧ガスはガス供給源４−５よ
り分岐した配管を通って導入され、ステンレスキャピラ
リ４−３の先端近傍で、それらの外側からイオン化領域
４−４へと噴出する。ステンレスキャピラリ４−３と第
１電極４−６の間には数キロボルトの電圧がかかってお
り、ステンレスキャピラリの先端より試料はイオン化し
て大気圧中へと放出される。試料は、イオン化領域で噴
霧ガスと衝突することにより微細化や脱溶媒が進み、第
１電極４−６を通して質量分析装置の内部に取り込まれ
る。流出するガスの圧力は、圧力計４−８によってモニ
タされ、イオン化効率が最適になるように減圧弁４−７
によって調整される。
【００２１】図５は、本発明を実施するためのイオン源
の一例であるソニックスプレーイオン化法のイオン源の
断面図を示している。試料は、送液系５−１からフュー
ズドシリカキャピラリ５−２，ステンレスキャピラリ５
−３を通してイオン化領域５−４に送られる。噴霧ガス
はガス供給源５−５より分岐した配管を通って導入さ
れ、ステンレスキャピラリ５−３の先端近傍で、それら
の外側からイオン化領域５−４へと噴出する。試料は、
イオン化領域で噴霧ガスと衝突して微細化し、イオン化
した後、第１電極５−６を通して質量分析装置の内部に
取り込まれる。流出するガスの圧力は、圧力計５−８に
よってモニタされ、イオン化効率が最も最適になるよう
に、つまり流出するガスの速度がほぼ音速となるように
減圧弁５−７によって調整される。
の一例であるソニックスプレーイオン化法のイオン源の
断面図を示している。試料は、送液系５−１からフュー
ズドシリカキャピラリ５−２，ステンレスキャピラリ５
−３を通してイオン化領域５−４に送られる。噴霧ガス
はガス供給源５−５より分岐した配管を通って導入さ
れ、ステンレスキャピラリ５−３の先端近傍で、それら
の外側からイオン化領域５−４へと噴出する。試料は、
イオン化領域で噴霧ガスと衝突して微細化し、イオン化
した後、第１電極５−６を通して質量分析装置の内部に
取り込まれる。流出するガスの圧力は、圧力計５−８に
よってモニタされ、イオン化効率が最も最適になるよう
に、つまり流出するガスの速度がほぼ音速となるように
減圧弁５−７によって調整される。
【００２２】図６は、本発明を実施するためのイオン源
の一例である大気圧化学イオン化法のイオン源の断面図
を示している。試料は、送液系６−１からステンレスキ
ャピラリ６−２を通して気化部６−３に送られ気化す
る。気化部６−３はヒーター６−４によって摂氏２００
度から２５０度に熱されている。気化した試料６−７は
霧化部６−５によって霧化される。霧化部６−５はヒー
ター６−６によって摂氏３００度から３５０度に熱され
ている。噴霧ガスはガス供給源６−９より分岐した配管
を通って導入され、霧化部６−５内に噴出する。試料
は、霧化部６−５で噴霧ガスと衝突することにより微細
化や脱溶媒が進み、コロナ放電領域でイオン化する。コ
ロナ放電領域では、２から３キロボルトの電圧がかかっ
た針電極６−８と第１電極６−１０の細孔の先端との間
でコロナ放電が起こっており、大気圧中の物質をイオン
化する。イオン化した物質は試料と化学反応を起こし、
その結果、試料がイオン化される。イオン化された試料
は第１電極６−１０を通して質量分析装置の内部に取り
込まれる。流出するガスの圧力は、圧力計６−１２によ
ってモニタされ、イオン化効率が最も最適になるよう
に、つまり流出するガスの速度がほぼ音速となるように
減圧弁６−１１によって調整される。
の一例である大気圧化学イオン化法のイオン源の断面図
を示している。試料は、送液系６−１からステンレスキ
ャピラリ６−２を通して気化部６−３に送られ気化す
る。気化部６−３はヒーター６−４によって摂氏２００
度から２５０度に熱されている。気化した試料６−７は
霧化部６−５によって霧化される。霧化部６−５はヒー
ター６−６によって摂氏３００度から３５０度に熱され
ている。噴霧ガスはガス供給源６−９より分岐した配管
を通って導入され、霧化部６−５内に噴出する。試料
は、霧化部６−５で噴霧ガスと衝突することにより微細
化や脱溶媒が進み、コロナ放電領域でイオン化する。コ
ロナ放電領域では、２から３キロボルトの電圧がかかっ
た針電極６−８と第１電極６−１０の細孔の先端との間
でコロナ放電が起こっており、大気圧中の物質をイオン
化する。イオン化した物質は試料と化学反応を起こし、
その結果、試料がイオン化される。イオン化された試料
は第１電極６−１０を通して質量分析装置の内部に取り
込まれる。流出するガスの圧力は、圧力計６−１２によ
ってモニタされ、イオン化効率が最も最適になるよう
に、つまり流出するガスの速度がほぼ音速となるように
減圧弁６−１１によって調整される。
【００２３】図７は、本発明を実施するためのイオン源
の一例であるイオンスプレー法のイオン源のうち、ガス
を試料の送液方向とは逆方向に噴出させるイオン源の断
面図で示している。試料は、送液系７−１からテフロン
チューブ，ステンレスキャピラリ７−２を通してイオン
化領域７−３に送られる。噴霧ガスはガス供給源７−４
より分岐した配管を通って導入され、第１電極７−７の
中心近傍の細孔のまわりからイオン化領域７−３へと噴
出する。ステンレスキャピラリ７−２と第１電極７−７
の間には数キロボルトの電圧がかかっており、ステンレ
スキャピラリの先端より試料はイオン化して大気圧中へ
と放出される。試料は、イオン化領域で噴霧ガス７−５
と衝突することにより微細化や脱溶媒が進み、第１電極
７−７を通して質量分析装置の内部に取り込まれる。流
出するガスの圧力は、圧力計７−９によってモニタさ
れ、イオン化効率が最適になるように減圧弁７−８によ
って調整される。
の一例であるイオンスプレー法のイオン源のうち、ガス
を試料の送液方向とは逆方向に噴出させるイオン源の断
面図で示している。試料は、送液系７−１からテフロン
チューブ，ステンレスキャピラリ７−２を通してイオン
化領域７−３に送られる。噴霧ガスはガス供給源７−４
より分岐した配管を通って導入され、第１電極７−７の
中心近傍の細孔のまわりからイオン化領域７−３へと噴
出する。ステンレスキャピラリ７−２と第１電極７−７
の間には数キロボルトの電圧がかかっており、ステンレ
スキャピラリの先端より試料はイオン化して大気圧中へ
と放出される。試料は、イオン化領域で噴霧ガス７−５
と衝突することにより微細化や脱溶媒が進み、第１電極
７−７を通して質量分析装置の内部に取り込まれる。流
出するガスの圧力は、圧力計７−９によってモニタさ
れ、イオン化効率が最適になるように減圧弁７−８によ
って調整される。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、イオントラップ質量分
析部を有する質量分析装置で用いるガス供給源をひとつ
にすることができる。これにより装置規模を縮小でき、
コスト面での改善が図れる。
析部を有する質量分析装置で用いるガス供給源をひとつ
にすることができる。これにより装置規模を縮小でき、
コスト面での改善が図れる。
【図１】従来のＬＣ／ＩＴＭＳの装置構成のブロック
図。
図。
【図２】ソニックスプレーイオン化法のイオン源の断面
図。
図。
【図３】本発明の一実施例の装置構成を示すブロック
図。
図。
【図４】本発明の一実施例のイオン源の断面図。
【図５】本発明の一実施例のイオン源の断面図。
【図６】本発明の一実施例のイオン源の断面図。
【図７】本発明の一実施例のイオン源の断面図。
３−１…送液系、３−２…テフロンチューブ、３−３…
イオン源、３−４…第１電極、３−５…第２電極、３−
６，３−７…真空ポンプ、３−８…静電レンズ、３−
９，３−１０…エンドキャップ電極、３−１１…リング
電極、３−１２…検出器、３−１５，３−１６…キャピ
ラリ、３−１３…ガス供給源、３−１４…コネクタ、３
−１７，３−１８…減圧弁、３−１９，３−２０…圧力
計。
イオン源、３−４…第１電極、３−５…第２電極、３−
６，３−７…真空ポンプ、３−８…静電レンズ、３−
９，３−１０…エンドキャップ電極、３−１１…リング
電極、３−１２…検出器、３−１５，３−１６…キャピ
ラリ、３−１３…ガス供給源、３−１４…コネクタ、３
−１７，３−１８…減圧弁、３−１９，３−２０…圧力
計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平林 集 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 平林 由紀子 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 小泉 英明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】ガスを用いて試料溶液を噴霧することが可
能な構成のイオン源と、２つの対向するエンドキャップ
電極と該エンドキャップ電極間の空間を囲むように配置
される１つのリング電極から構成されるイオントラップ
質量分析部とを少なくとも有する質量分析装置におい
て、イオントラップ質量分析部の内部に導入するダンピ
ングガスとイオン源で試料を噴霧する噴霧ガスが、同一
のガスであることを特徴とする質量分析装置。 - 【請求項２】ガスを用いて試料溶液を噴霧することが可
能な構成のイオン源と、２つの対向するエンドキャップ
電極と該エンドキャップ電極間の空間を囲むように配置
される１つのリング電極から構成されるイオントラップ
質量分析部とを少なくとも有する質量分析装置におい
て、イオントラップ質量分析部の内部に導入するダンピ
ングガスとイオン源で試料を噴霧する噴霧ガスが、同一
のガスであり、且つ同一のガス供給源より供給されるこ
とを特徴とする質量分析装置。 - 【請求項３】上記イオン源が、イオンスプレー法を用い
ていることを特徴とする請求項１または２に記載の質量
分析装置。 - 【請求項４】上記イオン源が、ソニックスプレーイオン
化法を用いていることを特徴とする請求項１または２に
記載の質量分析装置。 - 【請求項５】上記イオン源が、大気圧化学イオン化法を
用いていることを特徴とする請求項１または２に記載の
質量分析装置。 - 【請求項６】上記イオン源において、噴霧ガスを試料溶
液の送液方向と同方向に流すことを特徴とする請求項３
から５に記載の質量分析装置。 - 【請求項７】上記イオン源において、ガスを試料溶液の
送液方向と逆方向に流すことを特徴とする請求項３から
５に記載の質量分析装置。 - 【請求項８】上記ガス供給源から供給され、イオン源方
向とイオントラップ質量分析部方向に分岐するガスの経
路上において、それぞれ独立な圧力制御機構が設けられ
ることを特徴とする請求項２から７に記載の質量分析装
置。 - 【請求項９】上記ガス供給源から供給され、イオン源方
向とイオントラップ質量分析部方向に分岐するガスの経
路上において、それぞれ独立な圧力計測機構が設けられ
ることを特徴とする請求項８に記載の質量分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003612A JPH09189681A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003612A JPH09189681A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 質量分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09189681A true JPH09189681A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11562323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8003612A Pending JPH09189681A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09189681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004501482A (ja) * | 2000-04-18 | 2004-01-15 | ウォーターズ・インヴェストメンツ・リミテッド | 改良されたエレクトロスプレー及び他のｌｃ／ｍｓインターフェース |
| CN105551928A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-05-04 | 中国计量科学研究院 | 高效的分子离子反应质谱简易装置及其操作方法 |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP8003612A patent/JPH09189681A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004501482A (ja) * | 2000-04-18 | 2004-01-15 | ウォーターズ・インヴェストメンツ・リミテッド | 改良されたエレクトロスプレー及び他のｌｃ／ｍｓインターフェース |
| JP4812219B2 (ja) * | 2000-04-18 | 2011-11-09 | ウォーターズ・テクノロジーズ・コーポレーション | 改良されたエレクトロスプレー及び他のｌｃ／ｍｓインターフェース |
| CN105551928A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-05-04 | 中国计量科学研究院 | 高效的分子离子反应质谱简易装置及其操作方法 |
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