JPH09185849A

JPH09185849A - 光ディスク、光ディスク用原盤及び光ディスク用原盤製造方法

Info

Publication number: JPH09185849A
Application number: JP29056696A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Takemoto; 宏之竹本; Mitsuo Arima; 光雄有馬
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 1997-07-15

Abstract

(57)【要約】【課題】２．６ＧＢの記録容量を有する光ディスクに
おいて、ピット毎のアシンメトリの制御の容易化、再生
信号レベルの安定化、再生信号の品質向上、エラーレー
トの低減を図る。【解決手段】長さの異なるピット毎に単位面積あたり
の露光量を変えて原盤（スタンパ）を作製する。最短ピ
ット（２Ｔ）と長ピット（５Ｔ〜８Ｔ）について、単位
面積あたりの露光量の差を５％程度とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報信号の記録媒
体となる光ディスク、この光ディスクの製造に用いる光
ディスク用原盤及びこの光ディスク用原盤の製造方法に
関する技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、情報信号の記録媒体となる光ディ
スクが提案されている。この光ディスクは、光透過性を
有するポリカーボネイトの如き透明合成樹脂材料により
形成されたディスク基板を有して構成され、該ディスク
基板上にレーザ光を集束させることにより高密度の情報
信号の記録再生を行えるようにしたものである。このよ
うな光ディスクは、オーディオ信号用の記録媒体とし
て、また、コンピュータ装置におけるデータ用の記録媒
体として用いられている。

【０００３】このような光ディスクには、専ら再生専用
として用いられるもの（いわゆるＲＯＭディスク）、情
報信号の追記録が可能となされたもの及び情報信号の書
換え（すなわち、情報信号の消去及び記録）が可能とな
されたものがある。

【０００４】この光ディスクは、光ディスク用原盤（ス
タンパ）の製造工程、該光ディスク用原盤を用いての上
記ディスク基板の製造工程、該ディスク基板上に金属や
磁性材料の薄膜を被着形成する成膜工程及び後工程等の
工程を経て作製される。

【０００５】上記光ディスク用原盤の製造工程は、図１
に示すように、ガラス基板１上にレジスト層２を被着形
成し、図２及び図３に示すように、該レジスト層２上に
レーザ光４の露光によりグルーブ用凹部３及びピット用
凹部５を形成し、図４に示すように、これらグルーブ用
凹部３及びピット用凹部５が形成されたレジスト層２上
に対する鍍金処理により金属板として光ディスク用原盤
（スタンパ）６を形成し、図５に示すように、該光ディ
スク用原盤６の裏面を平面状に研磨し、図６に示すよう
に、該光ディスク用原盤６より該レジスト層２を除去す
ることにより完了するものである。

【０００６】上記光ディスク用原盤６を用いることによ
り、射出成形によって、光ディスクのディスク基板を大
量に作製することができる。なお、上記光ディスク用原
盤６の品質は、作製されるディスク基板の品質に大きな
影響を与える。

【０００７】上記光ディスク用原盤６には、凹凸の窪み
（光ディスク上のピットやグルーブに対応するもの）に
より情報信号が記録されている。この情報信号の記録変
調方式としては、マーク長変調方式（ピット長変調方
式：ＰＷＭ）がある。このマーク長変調方式は、従来よ
り用いられているマーク間変調方式（ピットポジション
変調方式：ＰＰＭ）がピットの間隔のみにより情報を示
すのに対して、ピットの始端と終端との両エッジを検出
することとして、マーク（ピットのある部分の長さ）と
スペース（ピットのない部分の長さ）の双方により情報
を示すようにしたものであり、より高密度の情報記録を
可能とするものである。現在、マーク長変調方式を採用
して、記録容量が２．６ＧＢ（ギガバイト）の光磁気デ
ィスクが作製されている。

【０００８】マーク間変調（ＰＰＭ）方式は、従来の比
較的記録密度の低い光ディスクで採用されている。この
変調方式は、ピットの間隔を情報と対応させており、同
一半径（同一線速度）ではピット形状は同じである。そ
のため、この方式を採用した光ディスクを製造するため
のディスク原盤は、半径方向にのみ、ピットの露光エネ
ルギー密度を変化させて作製されている。

【０００９】これに対して、上記マーク長変調（ＰＷ
Ｍ）方式を使用する場合においては、ピットの長さの制
御が重要となる。例えば、２．６ＧＢ容量の光磁気ディ
スクにおいては、ＲＬＬ（１−７）のマーク長変調（Ｐ
ＷＭ）方式が採用されており、アドレスやデータなどの
各種情報は、２Ｔ乃至８Ｔ（Ｔは基準クロックの長さ）
のマーク及びスペースに変換され、マーク部分はピット
として光ディスク上に形成される。

【００１０】マーク長変調（ＰＷＭ）方式を使用した光
ディスクよりデータを復調、再生する場合には、この光
ディスクにレーザ光（再生ビーム）を集光させて照射
し、このレーザ光のピットからの反射光であるＲＦ再生
信号を所定の基準レベルにより２値化し、この立ち上が
り部分と立ち下がり部分とからマーク長及びスペース長
を検出する。このとき、マーク間変調（ＰＰＭ）におい
てはピット底部を検出するのに対し、マーク長変調（Ｐ
ＷＭ）方式においては、ピット側面を検出する。このと
き、マーク長及びスペース長の変位（バラツキ）は、デ
ータエラーに影響する。

【００１１】上記ＲＦ再生信号を２値化するための上記
基準レベルは、最短ピット（上述の２．６ＧＢ容量の光
磁気ディスクでは２Ｔ）の繰り返しパターンの中心レベ
ル（ＲＦ再生信号でのマークレベルとスペースレベルの
中心値）に設定される。したがって、どの長さのパター
ンでも、この中心レベルを合わせる必要がある。この中
心レベルのズレを表す指標の一つがアシンメトリであ
る。このアシンメトリが大きいと、マーク長及びスペー
ス長の変位につながり、データエラーに悪影響を与える
ことになる。

【００１２】また、一般に、上記光ディスクに照射され
るレーザ光の分解能以下のパターンにおいては、このレ
ーザ光の反射光は、回折の影響を受ける。そのため、上
記レーザ光の分解能以下のマークまたはスペースについ
ては、上記ＲＦ再生信号のレベルが変化する。したがっ
て、このような場合には、隣接ピットからの回折の影響
をも考慮してピットを形成する必要がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のアシ
ンメトリを低減する方法としては、光ディスク用原盤の
製造工程において、ピット用凹部の長さに応じて側面と
底面との露光量をそれぞれ変化させ、長いピット用凹部
の底部でのオーバーハングの発生を避けつつ、ピット用
凹部の側面の形状を長短同じにする方法が提案されてい
る。一般には、長いピット用凹部は、短いピット用凹部
に比べて底部でオーバーハングが発生しやすいため、露
光量を下げて形成する。しかし、単に露光量を下げる
と、ピット用凹部の側面の形状が変わってくるので、側
面と底面との露光量をそれぞれ変化させることに、この
方法の意義がある。

【００１４】しかしながら、この方法を採用した場合に
おいては、ピット露光量を制御するためのフォーマッタ
の回路系が複雑になり、電気系ノイズの混入が懸念され
る。また、再生ビームの分解能によっては、ビームの回
折により、ピットの側面の形状が同一でも再生信号レベ
ルが一致するとは限らない。

【００１５】すなわち、マーク長変調（ＰＷＭ）方式を
採用し、記憶容量が例えば２．６ＧＢ程度である高密度
の情報記録がなされた光ディスクにおいては、ピット側
面を安定に作製することに加え、再生ビームの分解能に
応じてピット側面の形状をパターン毎に変化させて最適
化していく必要がある。ところが、これまでは、上記再
生ビームの回折及び隣接ピットからの回折光の影響によ
るＲＦ再生信号のレベルの変動状態が不明であったた
め、この光ディスクを作製するための光ディスク用原盤
を作製する際、上記レジスト層における最長ピットに対
応する凹部についての最適露光条件が不明であった。

【００１６】なお、従来のマーク間変調（ＰＰＭ）方式
におけるピットでは、全てのピットに対応する凹部につ
いて固定パワーで露光していたため、長さの異なるピッ
ト毎に露光条件を変化させることができず、アシンメト
リも数％程度までしか抑えることができなかった。

【００１７】したがって、マーク長変調（ＰＷＭ）方式
を採用し記憶容量が例えば２．６ＧＢ程度である高密度
の情報記録がなされる光ディスクにおいては、ピット作
製の自由度が狭かった。

【００１８】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提
案されるものであって、例えば２．６ＧＢ程度の記録容
量を有する高密度記録の光ディスクにおいて、マーク長
及びスペース長の変位のバラツキを低減するため、ピッ
トの回折光の影響をアシンメトリによって定量化し、ピ
ット毎のアシンメトリの制御の容易化、ＲＦ再生信号の
レベルの安定化、ＲＦ再生信号の品質向上、エラーレー
トの低減という課題を解決しようとするものである。

【００１９】また、本発明は、例えば２．６ＧＢ程度の
記録容量を有し、ピット毎のアシンメトリの制御が容易
化され、ＲＦ再生信号のレベルが安定化され、ＲＦ再生
信号の品質が向上され、エラーレートが低減された光デ
ィスクを作製することができる光ディスク製造方法の提
供という課題を解決しようとするものである。

【００２０】そして、本発明は、上記光ディスク製造方
法を実施するために必要となる光ディスク用原盤の提供
という課題を解決しようとするものである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明に係る光ディスクは、射出成形時に光ディス
ク用原盤に形成された凸部を転写された凹部であるピッ
トを有して作製された光ディスクであって、上記光ディ
スク用原盤は、基板上に被着されレーザ光の露光により
凹部が形成されたレジスト層上における鍍金処理により
該レジスト層の凹部に対応して上記凸部を有して作製さ
れた金属製の光ディスク用原盤であって、該レジスト層
の凹部であって最短ピットに対応するものと該レジスト
層の凹部であって長ピットに対応するものとにおいて単
位面積あたりの該レーザ光の露光量の差が略々５％とな
されて作製されたものであることとしたものである。

【００２２】また、本発明に係る光ディスク用原盤は、
基板上に被着されレーザ光の露光により光ディスク上の
ピットに対応する凹部が形成されたレジスト層上におけ
る鍍金処理により該レジスト層の凹部に対応する凸部を
有して作製された金属製の光ディスク用原盤であって、
該レジスト層の凹部は、この凹部毎に単位面積あたりの
該レーザ光の露光量が異ならせられて形成されたもので
あることとしたものである。

【００２３】さらに、本発明は、上記光ディスク用原盤
において、上記レジスト層上の凹部は、最短ピットに対
応するものと長ピットに対応するものとにおいて単位面
積あたりのレーザ光の露光量の差が略々５％となされて
形成されたものであることとしたものである。

【００２４】そして、本発明に係る光ディスク用原盤
は、基板上に被着されレーザ光の露光により光ディスク
上のピットに対応する凹部が形成されたレジスト層上に
おける鍍金処理により該レジスト層の凹部に対応する凸
部を有して作製された金属製の光ディスク用原盤であっ
て、最短ピットの繰り返しパターンの中心レベルに対す
る該最短ピットよりも長いピットの繰り返しパターンの
中心レベルのずれ量を示すアシンメトリが、この光ディ
スク用原盤の中心よりの距離に応じて異なることとした
ものである。

【００２５】また、本発明は、上記光ディスク用原盤に
おいて、上記光ディスクの内周側に対応する中心よりの
距離が３０ｍｍ付近の位置において、アシンメトリが−
２．５％乃至＋７．５％であることとしたものである。

【００２６】さらに、本発明は、上記光ディスク用原盤
において、上記光ディスクの外周側に対応する中心より
の距離が６０ｍｍ付近の位置において、アシンメトリが
−７．５％乃至＋２．５％であることとしたものであ
る。

【００２７】そして、本発明は、上記光ディスク用原盤
において、上記光ディスクの内周側に対応する位置より
該光ディスクの外周側に対応する位置に向けて、アシン
メトリを単調に減少させることとしたものである。

【００２８】そして、本発明に係る光ディスク用原盤製
造方法は、基板上にレジスト層を被着形成し、このレジ
スト層にレーザ光を露光することにより光ディスク上の
ピットに対応する凹部を形成し、該レジスト層上に鍍金
処理を施し、この鍍金処理により形成された金属板より
該レジスト層を除去して該レジスト層の凹部に対応する
凸部を有する金属製の光ディスク用原盤を作製する光デ
ィスク用原盤製造方法であって、上記レジスト層におけ
る凹部の形成は、最短ピットに対応する凹部と長ピット
に対応する凹部とにおいて単位面積あたりの上記レーザ
光の露光量の差を略々５％として形成することとしたも
のである。

【００２９】また、本発明に係る光ディスク用原盤製造
方法は、基板上にレジスト層を被着形成し、このレジス
ト層にレーザ光を露光することにより光ディスク上のピ
ットに対応する凹部を形成し、該レジスト層上に鍍金処
理を施し、この鍍金処理により形成された金属板より該
レジスト層を除去して該レジスト層の凹部に対応する凸
部を有する金属製の光ディスク用原盤を作製する光ディ
スク用原盤製造方法であって、上記レジスト層における
凹部の形成は、光ディスクの内周側に対応する位置に形
成される凹部と該光ディスクの外周側に対応する位置に
形成される凹部とにおいて、単位面積あたりの上記レー
ザ光の露光量の差を５％以内として形成したものであ
る。

【００３０】さらに、本発明に係る光ディスク用原盤製
造方法は、基板上にレジスト層を被着形成し、このレジ
スト層にレーザ光を露光することにより光ディスク上の
ピットに対応する凹部を形成し、該レジスト層上に鍍金
処理を施し、この鍍金処理により形成された金属板より
該レジスト層を除去して該レジスト層の凹部に対応する
凸部を有する金属製の光ディスク用原盤を作製する光デ
ィスク用原盤製造方法であって、上記レジスト層におけ
る凹部の形成は、光ディスク上の最短のピットを形成す
るための凹部と該光ディスク上の最長のピットを形成す
るための凹部とにおいて、単位面積あたりの上記レーザ
光の露光量の差を５％以内として形成したものである。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。

【００３２】本発明に係る光ディスクは、本発明に係る
光ディスク用原盤（スタンパ）製造方法による該光ディ
スク用原盤の製造工程、該光ディスク用原盤を用いての
上記ディスク基板の製造工程、該ディスク基板上に金属
や磁性材料の薄膜を被着形成する成膜工程及び後工程等
の工程を経て作製される。

【００３３】上記光ディスク用原盤の製造工程は、図１
に示すように、カップリング材を含んだガラス基板１上
にレジスト層２を被着形成し、図２に示すように、該基
板を回転操作しつつ該レジスト層２上にレーザ光４の露
光によりグルーブ用凹部３及びピット用凹部５を形成
し、図３に示すように、アルカリの現像液にて露光部を
除去し、図４に示すように、これらグルーブ用凹部３及
びピット用凹部５が形成されたレジスト層２上に対する
鍍金処理により金属板として本発明に係る光ディスク用
原盤（スタンパ）６を形成し、図５に示すように、該光
ディスク用原盤６の裏面を平面状に研磨し、図６示すよ
うに、該光ディスク用原盤６より該レジスト層２を除去
することにより完了される。

【００３４】上記ディスク基板は、上記光ディスク用原
盤６を射出成形用の金型内にセットして用いることによ
り、光透過性を有するポリカーボネイトの如き透明合成
樹脂材料により射出成形によって、大量に作製すること
ができる。

【００３５】上記レジスト層２に対する露光は、図７に
示すように、光ディスク原盤作製装置によって行われ
る。この光ディスク原盤作製装置においては、露光用光
源（レーザ）９より発せられたレーザ光は、第１の光学
変調素子（ＭＯＤ１）１０を経て、第１のビームスプリ
ッタ（ＢＳ１）１１に入射される。この第１のビームス
プリッタ１１により反射された第１のレーザ光は、第１
のレンズ（Ｌ１）１３、第２の光学変調素子（ＭＯＤ
２）１４、第３のレンズ（Ｌ３）１５を経て、第３のビ
ームスプリッタ（ＢＳ３）１６に入射される。

【００３６】一方、上記第１のビームスプリッタ１１を
透過した第２のレーザ光は、第２のビームスプリッタ
（ＢＳ２）１２を経て、第２のレンズ（Ｌ２）１７、第
３の光学変調素子（ＭＯＤ３）１８、第４のレンズ（Ｌ
４）１９を経て、第４のビームスプリッタ（ＢＳ４）２
０に入射される。

【００３７】上記第３のビームスプリッタ（ＢＳ３）１
６に入射された第１のレーザ光は、第５のレンズ（Ｌ
５）２１、第４の光学変調素子（ＭＯＤ４）２２、第６
のレンズ（Ｌ６）２３を経て、第２のミラー（Ｍ２）２
４により反射されて、ビーム合成プリズム（ＢＳＴ）２
５に入射される。

【００３８】一方、上記第４のビームスプリッタ（ＢＳ
４）２０に入射された第２のレーザ光は、上記ビーム合
成プリズム（ＢＳＴ）２５に入射される。

【００３９】上記ビーム合成プリズム（ＢＳＴ）２５に
入射された各レーザ光は、第７のレンズ（Ｌ７）及び第
１のミラー（Ｍ１）２７を経て、収差を補正された状態
で、対物レンズ（ＯＢＬ）２８に入射される。この対物
レンズ（ＯＢＬ）２８に入射されたレーザ光は、上記レ
ジスト層２上に集光して照射される。

【００４０】上記第１及び第２のレーザ光は、それぞ
れ、上記ピット用凹部５及び上記グルーブ用凹部３を露
光により形成するためのものである。上記第１の光学変
調素子（ＭＯＤ１）１０は、露光中における上記レジス
ト層２の線速度に応じて、このレジスト層２上における
露光量の単位面積あたりのエネルギー密度を調整する光
学変調素子である。この光ディスク原盤作製装置におい
ては、上記第１の光学変調素子（ＭＯＤ１）１０に接続
された外部メモリの情報に従い、各線速度に対し、任意
のエネルギー密度での露光が可能である。この第１の光
学変調素子（ＭＯＤ１）１０を通過したレーザ光は、直
流成分である。

【００４１】上記第２及び第３の光学変調素子（ＭＯＤ
２，ＭＯＤ３）１４，１８は、プリフォーマット情報に
合わせて、レーザ光の透過率を変化させる光学変調素子
である。プリフォーマット情報は、フォーマッタ（Form
atter）から出力され、上記第２及び第３の光学変調素
子（ＭＯＤ２，ＭＯＤ３）１４，１８に供給される。上
記プリフォーマット情報のパルスの電圧振幅を変化させ
ると、上記第２及び第３の光学変調素子（ＭＯＤ２，Ｍ
ＯＤ３）１４，１８を透過するレーザ光の光量が変化す
るため、これにより、上記レジスト層２における上記グ
ルーブ用凹部３及び上記ピット用凹部５に対応する露光
量を変化させることができる。上記フォーマッタにおい
ては、各パルス長に応じて、出力電圧の振幅を変化させ
ることができるため、これを用いることにより、露光の
際、ピット用凹部の長短に応じてエネルギー密度を変化
させることが可能である。

【００４２】そして、このようにして作製した光ディス
ク用原盤を用いて作製される光ディスクを再生する際に
おける隣接ピットからの回折光の影響を検討するため、
最も回折の影響を受け易い最短ピット（２Ｔ）につい
て、隣接部に様々なデータパターンを形成し、回折光の
影響によるＲＦ再生信号レベルの変動を検討した。

【００４３】そして、本発明においては、上記レジスト
層２における上記ピット用凹部５の形成は、最短ピット
（２Ｔ）に対応する凹部と長ピット（５Ｔ乃至８Ｔ）に
対応する凹部とにおいて、単位面積あたりの上記レーザ
光の露光量を異ならせることとし、この露光量の差を数
％（略々５％）とした。

【００４４】また、光ディスク用原盤においては、ピッ
ト用凹部に対する露光量のエネルギー密度を変化させれ
ば、光ディスク上に形成されるピットの形状が変わり、
その反射光であるＲＦ再生振幅を変化するため、アシン
メトリも変化させることが可能である。本発明において
は、上記光ディスク原盤作製装置において、以下の条件
で露光し、アシンメトリを変化させた。

【００４５】（１）上記第１の光学変調素子（ＭＯＤ
１）１０により、露光時のガラス基板１の線速度をパラ
メータに露光量を変化させる。

【００４６】（２）フォーマッタから出力される２Ｔ乃
至８Ｔの制御パルスの電圧振幅を変化させ、各ピット用
凹部毎にエネルギー密度を変化させる（この場合、フォ
ーマッタから出力される制御パルスは矩形波である）。

【００４７】（３）上記（１）及び上記（２）を組合わ
せる。

【００４８】

【実施例】

〔実施例１〕上述のようにして、２．６ＧＢの記録容量
を有する光磁気ディスク用の光ディスク用原盤を作製し
た。データパターンは、Ｔを基準クロックとして、 (1)２Ｔのマーク（mark）−２Ｔのスペース（space）の
繰り返し (2)８Ｔのマーク（mark）−２Ｔのスペース（space）の
繰り返し (3)２Ｔのマーク（mark）−８Ｔのスペース（space）の
繰り返し (4)５Ｔのマーク（mark）−２Ｔのスペース（space）の
繰り返し (5)２Ｔのマーク（mark）−５Ｔのスペース（space）の
繰り返しの５種類とした。

【００４９】上記ピット用凹部５を形成する上記第１の
レーザ光が透過する上記第２の光学変調素子（ＭＯＤ
２）１４の制御パルスの振幅を変化させ、上記(1)の２
Ｔのマークに対応するピット用凹部５についての露光量
を基準に、上記(2)乃至(5)の２Ｔ、５Ｔ及び８Ｔのマー
クに対応するピット用凹部５についての露光量を８５％
乃至１１０％とした。

【００５０】このようにして作製したディスク用原盤を
用いてディスク基板を作製し、さらに、このディスク基
板を用いて光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディ
スクについて、再生光として波長が６８０ｎｍのレーザ
光を用い、ＮＡ（開口数）が０．５５の対物レンズを用
いて、評価を行った。評価基準としては、アシンメトリ
を用いる。このアシンメトリは、図８及び以下の〔数
１〕乃至〔数３〕に示すように、２Ｔピットのアシンメ
トリ（２Ｔ Asymmetry）は、

【００５１】

【数１】

【００５２】で示され、また、５Ｔピット及び８Ｔピッ
トのアシンメトリ（５Ｔ／８Ｔ Asymmetry）は、

【００５３】

【数２】

【００５４】で示される。なお、Ｖ₀は、

【００５５】

【数３】

【００５６】で示される。ここで、Ｖ₁₁は、〔２Ｔのマ
ーク−２Ｔのスペース〕とのデータパターンにおけるＲ
Ｆ再生信号波形のローレベルである。Ｖ₁₂は、〔２Ｔの
マーク−２Ｔのスペース〕とのデータパターンにおける
ＲＦ再生信号波形のハイレベルである。Ｖ₂₁は、〔２Ｔ
のマーク−５Ｔ／８Ｔのスペース〕とのデータパターン
におけるＲＦ再生信号波形のローレベルである。Ｖ
₂₂は、〔２Ｔのマーク−５Ｔ／８Ｔのスペース〕とのデ
ータパターンにおけるＲＦ再生信号波形のハイレベルで
ある。Ｖ₃₁は、〔５Ｔ／８Ｔのマーク−２Ｔのスペー
ス〕とのデータパターンにおけるＲＦ再生信号波形のロ
ーレベルである。Ｖ₃₂は、〔５Ｔ／８Ｔのマーク−２Ｔ
のスペース〕とのデータパターンにおけるＲＦ再生信号
波形のハイレベルである。

【００５７】評価結果によれば、図９及び図１０に示す
ように、２Ｔピットについて、ＲＦ再生信号のレベルの
変化は、隣接スペースが５Ｔでも８Ｔでも同程度であ
る。すなわち、光学的に見て、５Ｔ乃至８Ｔの長さは再
生光の分解能以上であるため、２Ｔピットに対する回折
の影響は同程度であるといえる。また、長いマークの近
傍の短いスペースのＲＦ再生信号のレベルを大きくする
ためには、長ピット（５Ｔ乃至８Ｔ）についての上記レ
ジスト層２における露光量を短ピット（２Ｔ）について
の露光量に比して低くすることが効果的である。

【００５８】すなわち、上記ディスク用原盤の作製工程
において、最短ピット（２Ｔ）に対応するピット用凹部
５についての露光量に対して、長ピット（５Ｔ乃至８
Ｔ）に対応するピット用凹部５についての露光量を５％
程度低くすることにより、ＲＦ再生信号のアシンメトリ
を合わせることができる。

【００５９】〔実施例２〕この実施例では、光ディスク
のアシンメトリを評価するため、光ディスク用原盤にお
いて、ピット用凹部に対する露光量を露光線速度及びピ
ット用凹部の長さ（ピット長）に応じて変化させ、回転
数３０００ｒｐｍ、再生波長６８０ｎｍ、対物レンズの
開口数（ＮＡ）０．５５、平行偏光のレーザ光で再生し
たときのピットのアシンメトリがおよそ−１０％乃至＋
１０％となるような、容量２．６ＧＢの光ディスク用原
盤及び光ディスクを作製した。なお、光ディスク用原盤
については、直接光学的に評価することはできないの
で、評価には、複製光ディスク（２Ｐディスク：いわゆ
る２Ｐ法により作製したディスク）を用いた。

【００６０】アシンメトリは、以下の〔数４〕、〔数
５〕及び〔数６〕に示すように、容量２．６ＧＢの光デ
ィスクにおける最短ピットである２Ｔと最長ピットであ
る８Ｔの再生信号の平均レベルの差を、この変調方式で
の最大振幅（Ｓ（スペース）−Ｍ（マーク）の振幅のＰ
ｅａｋ−Ｐｅａｋ）で規格化したものである。

【００６１】

【数４】

【００６２】

【数５】

【００６３】

【数６】

【００６４】評価結果においては、図１１乃至図１３に
示すように、光ディスク用原盤のアシンメトリと光ディ
スクのアシンメトリとは同じにならない。これは、評価
に用いた２Ｐディスクと光磁気ディスクとの作製方法の
違いに起因するためで、この関係は、図１１乃至図１３
中の〔数７〕、〔数８〕及び〔数９〕で示すように、（１）半径（すなわち、光ディスク用原盤の中心よりの
距離）Ｒ＝３０ｍｍ（露光線速度２．８３ｍ／sec）で
は、〔数７〕ｙ＝−１．２３６１＋０．６８９１９ｘ（２）半径Ｒ＝４５ｍｍ（露光線速度４．２４ｍ／se
c）では、〔数８〕ｙ＝０．２２４８２＋０．５１７２４ｘ（３）半径Ｒ＝６０ｍｍ（露光線速度５．６５ｍ／se
c）では、〔数９〕ｙ＝１．１８５３＋０．４３００９ｘとなっており、光ディスクのアシンメトリ量を光ディス
ク用原盤に対する露光エネルギーを変化させることで制
御可能であることがわかる。

【００６５】ここで、光ディスクのアシンメトリ量が各
露光線速度で最小になるのは、光ディスク用原盤でのア
シンメトリ量が、半径Ｒが３０ｍｍで１．７９％、半径
Ｒが４５ｍｍで０．４３％、半径Ｒが６０ｍｍで２．７
６％となるときである。このときの２Ｔ乃至８Ｔピット
に対応するピット用凹部に対する露光エネルギーの差
は、５％以内であった。

【００６６】次に、光ディスク用原盤と光ディスクとの
アシンメトリの関係を各線速度（この場合、回転数が一
定のため、半径に比例する）毎に見ると、各線速度によ
っても関係が異なっていることがわかる。この違いの量
は、再生ビームの分解能に起因するものと考えられる。
各線速度に対する光ディスク用原盤の最適アシンメトリ
量の関係を示したものが図１４及びこの図１４中の〔数
１０〕である。この、〔数１０〕ｙ＝６．３７４５−１．６１３５ｘが満足されるとき、内周部における露光エネルギー密度
を基準として、外周部における露光エネルギー密度の差
は、５％以内であった。

【００６７】以上のようなアシンメトリを指針とし、光
ディスク用原盤の作製工程において、各ピット用凹部に
対する露光量を制御すれば、完成された光ディスクにお
いて、アシンメトリを最小にできる。

【００６８】すなわち、記録容量が２．６ＭＢの光磁気
ディスク用原盤において、該光磁気ディスクでのアシン
メトリを±２．５％とするためには、内周部（半径３０
ｍｍ位置）（露光線速度２．８３ｍ／sec）における露
光量を、およそ−２．５％乃至＋７．５％、外周部（半
径６０ｍｍ位置）（露光線速度５．６５ｍ／sec）にお
ける露光量を、およそ−７．５％乃至＋２．５％程度と
することにより、該光磁気ディスクにおけるアシンメト
リを最小にすればよいことがわかる。また、内周部より
外周部に至る間の位置においては、上記〔数１０〕に示
されるように、一定量でアシンメトリを減少（単調減
少）させていけばよいことがわかる。

【００６９】

【発明の効果】上述のように、本発明に係る光ディス
ク、光ディスク製造方法及び光ディスク用原盤において
は、基板上に被着形成したレジスト層にレーザ光を露光
することによりこのレジスト層に光ディスク上のピット
に対応する凹部を形成し、該レジスト層上に鍍金処理を
施しこの鍍金処理により形成された金属板より該レジス
ト層を除去して該レジスト層の凹部に対応する凸部を有
する金属製の光ディスク用原盤を作製するにあたって、
該レジスト層における凹部の形成を、最短ピットに対応
する凹部と長ピットに対応する凹部とにおいて単位面積
あたりの上記レーザ光の露光量の差を略々５％として形
成することとした。

【００７０】これにより、本発明は、例えば２．６ＧＢ
程度の記録容量を有する高密度記録の光ディスクにおい
て、マーク長及びスペース長の変位のバラツキを低減す
るため、ピットの回折光の影響をアシンメトリによって
定量化し、ピット毎のアシンメトリの制御の容易化、Ｒ
Ｆ再生信号のレベルの安定化、ＲＦ再生信号の品質向
上、エラーレートの低減という課題を解決することがで
きるものである。

【００７１】また、本発明においては、光ディスク用原
盤におけるアシンメトリを制御することにより、光ディ
スクのピットにおけるアシンメトリを最小にすること
で、該ピットによって形成されたデータ及びアドレスの
再生信号を安定したものとし、データの再生信号の品質
を向上させることができる。

【００７２】そして、本発明は、例えば２．６ＧＢ程度
の記録容量を有し、ピット毎のアシンメトリの制御が容
易化され、ＲＦ再生信号のレベルが安定化され、ＲＦ再
生信号の品質が向上され、エラーレートが低減された光
ディスクを作製することができる光ディスク製造方法を
提供することができるものである。

【００７３】さらに、本発明は、上記光ディスク製造方
法を実施するために必要となる光ディスク用原盤を提供
することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ディスク用原盤の製造工程であ
って、基板及びレジスト層を示す縦断面図である。

【図２】上記光ディスク用原盤の製造工程であって、レ
ジスト層への露光中の状態を示す縦断面図である。

【図３】上記光ディスク用原盤の製造工程であって、露
光によりレジスト層に凹部が完成された状態を示す縦断
面図である。

【図４】上記光ディスク用原盤の製造工程であって、凹
部が完成されたレジスト層上に鍍金処理がなされた状態
を示す縦断面図である。

【図５】上記光ディスク用原盤の製造工程であって、鍍
金処理により形成された金属板の裏面が研磨された状態
を示す縦断面図である。

【図６】上記光ディスク用原盤の製造工程であって、鍍
金処理により形成された金属板よりレジスト層が除去さ
れた状態を示す縦断面図である。

【図７】上記光ディスク用原盤を製造するための装置の
構成を示すブロック図である。

【図８】本発明に係る光ディスクにおけるアシンメトリ
の定義を示すグラフである。

【図９】上記光ディスクにおいて、最短ピット（２Ｔ）
のアシンメトリを示すグラフである。

【図１０】上記光ディスクにおいて、長ピット（５Ｔ乃
至８Ｔ）のアシンメトリを示すグラフである。

【図１１】上記光ディスク用原盤におけるアシンメトリ
と上記光ディスクにおけるアシンメトリとの関係（半径
３０ｍｍ位置におけるもの）を示すグラフである。

【図１２】上記光ディスク用原盤におけるアシンメトリ
と上記光ディスクにおけるアシンメトリとの関係（半径
４５ｍｍ位置におけるもの）を示すグラフである。

【図１３】上記光ディスク用原盤におけるアシンメトリ
と上記光ディスクにおけるアシンメトリとの関係（半径
６０ｍｍ位置におけるもの）を示すグラフである。

【図１４】線速度と光ディスク用原盤におけるアシンメ
トリの最適値との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１基板、２レジスト層、３クルー部用凹部、４
レーザ光、５ピット用凹部、６光ディスク用原盤、
７グルーブ用凸部、８ピット用凸部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】射出成形時に光ディスク用原盤に形成さ
れた凸部を転写された凹部であるピットを有して作製さ
れた光ディスクであって、上記光ディスク用原盤は、基板上に被着されレーザ光の
露光により凹部が形成されたレジスト層上における鍍金
処理により該レジスト層の凹部に対応して上記凸部を有
して作製された金属製の光ディスク用原盤であって、該
レジスト層の凹部であって最短ピットに対応するものと
該レジスト層の凹部であって長ピットに対応するものと
において単位面積あたりの該レーザ光の露光量の差が略
々５％となされて作製されたものである光ディスク。
【請求項２】基板上に被着されレーザ光の露光により
光ディスク上のピットに対応する凹部が形成されたレジ
スト層上における鍍金処理により該レジスト層の凹部に
対応する凸部を有して作製された金属製の光ディスク用
原盤であって、該レジスト層の凹部は、この凹部毎に単
位面積あたりの該レーザ光の露光量が異ならせられて形
成されたものである光ディスク用原盤。
【請求項３】レジスト層上の凹部は、最短ピットに対
応するものと長ピットに対応するものとにおいて単位面
積あたりのレーザ光の露光量の差が略々５％となされて
形成されたものである請求項２記載の光ディスク用原
盤。
【請求項４】基板上に被着されレーザ光の露光により
光ディスク上のピットに対応する凹部が形成されたレジ
スト層上における鍍金処理により該レジスト層の凹部に
対応する凸部を有して作製された金属製の光ディスク用
原盤であって、最短ピットの繰り返しパターンの中心レ
ベルに対する該最短ピットよりも長いピットの繰り返し
パターンの中心レベルのずれ量を示すアシンメトリが、
この光ディスク用原盤の中心よりの距離に応じて異なる
こととなされた光ディスク用原盤。
【請求項５】光ディスクの内周側に対応する中心より
の距離が３０ｍｍ付近の位置において、アシンメトリが
−２．５％乃至＋７．５％であることとなされた請求項
４記載の光ディスク用原盤。
【請求項６】光ディスクの外周側に対応する中心より
の距離が６０ｍｍ付近の位置において、アシンメトリが
−７．５％乃至＋２．５％であることとなされた請求項
４記載の光ディスク用原盤。
【請求項７】光ディスクの内周側に対応する位置より
該光ディスクの外周側に対応する位置に向けて、アシン
メトリが単調に減少することとなされた請求項４記載の
光ディスク用原盤。
【請求項８】基板上にレジスト層を被着形成し、この
レジスト層にレーザ光を露光することにより光ディスク
上のピットに対応する凹部を形成し、該レジスト層上に
鍍金処理を施し、この鍍金処理により形成された金属板
より該レジスト層を除去して該レジスト層の凹部に対応
する凸部を有する金属製の光ディスク用原盤を作製する
光ディスク用原盤製造方法であって、上記レジスト層における凹部の形成は、最短ピットに対
応する凹部と長ピットに対応する凹部とにおいて単位面
積あたりの上記レーザ光の露光量の差を略々５％として
形成するものである光ディスク用原盤製造方法。
【請求項９】基板上にレジスト層を被着形成し、この
レジスト層にレーザ光を露光することにより光ディスク
上のピットに対応する凹部を形成し、該レジスト層上に
鍍金処理を施し、この鍍金処理により形成された金属板
より該レジスト層を除去して該レジスト層の凹部に対応
する凸部を有する金属製の光ディスク用原盤を作製する
光ディスク用原盤製造方法であって、上記レジスト層に
おける凹部の形成は、光ディスクの内周側に対応する位
置に形成される凹部と該光ディスクの外周側に対応する
位置に形成される凹部とにおいて、単位面積あたりの上
記レーザ光の露光量の差を５％以内として形成するもの
である光ディスク用原盤製造方法。
【請求項１０】基板上にレジスト層を被着形成し、こ
のレジスト層にレーザ光を露光することにより光ディス
ク上のピットに対応する凹部を形成し、該レジスト層上
に鍍金処理を施し、この鍍金処理により形成された金属
板より該レジスト層を除去して該レジスト層の凹部に対
応する凸部を有する金属製の光ディスク用原盤を作製す
る光ディスク用原盤製造方法であって、上記レジスト層
における凹部の形成は、光ディスク上の最短のピットを
形成するための凹部と該光ディスク上の最長のピットを
形成するための凹部とにおいて、単位面積あたりの上記
レーザ光の露光量の差を５％以内として形成するもので
ある光ディスク用原盤製造方法。