JPH09185078A - Liquid crystal element and production of this liquid element - Google Patents
Liquid crystal element and production of this liquid elementInfo
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- JPH09185078A JPH09185078A JP35412895A JP35412895A JPH09185078A JP H09185078 A JPH09185078 A JP H09185078A JP 35412895 A JP35412895 A JP 35412895A JP 35412895 A JP35412895 A JP 35412895A JP H09185078 A JPH09185078 A JP H09185078A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を利用して種
々の情報を表示する液晶素子及び該液晶素子の製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal element that uses liquid crystal to display various information and a method for manufacturing the liquid crystal element.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、液晶素子は種々提案されてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, various liquid crystal elements have been proposed.
【0003】図1は、その一例を示す図であり、液晶素
子P1 は一対の電極基板1a,1bを備えている。これ
らの電極基板1a,1bはシール材2によって貼り合わ
されており、基板間隙には液晶3が挟持されている。FIG. 1 is a view showing an example thereof, and the liquid crystal element P 1 is provided with a pair of electrode substrates 1a and 1b. These electrode substrates 1a and 1b are bonded together by a sealing material 2, and a liquid crystal 3 is sandwiched between the substrate substrates.
【0004】ところで、これらの電極基板1a,1b
は、それぞれガラス基板5a,5bを有しており、それ
ぞれのガラス基板5a,5bの表面には、駆動電極とし
ての透明電極6a,…,6b,…がストライプ状に多数
形成されている。また、透明電極6a,…,6b,…は
絶縁膜7a,7bによって被覆されており、絶縁膜7
a,7bの表面には、100〜500Å厚さの配向制御
膜9a,9bが形成されている。そして、これらの配向
制御膜9a,9bの表面にはラビング処理が施されてい
る。By the way, these electrode substrates 1a, 1b
Have glass substrates 5a and 5b, respectively, and a large number of transparent electrodes 6a, ..., 6b, ... As drive electrodes are formed in stripes on the surfaces of the glass substrates 5a and 5b. The transparent electrodes 6a, ..., 6b, ... Are covered with insulating films 7a, 7b.
Alignment control films 9a and 9b having a thickness of 100 to 500 Å are formed on the surfaces of a and 7b. The surfaces of these alignment control films 9a and 9b are rubbed.
【0005】上述した透明電極6a,…,6b,…には
所定の信号が印加され、液晶素子P1 が種々の情報を表
示するように構成されている。[0005] Transparent electrodes 6a described above, ..., 6b, ... predetermined signal is applied to the liquid crystal element P 1 is configured to display various information.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の透明
電極6a,…,6b,…は1000〜2000Å程度の
厚さに形成されているため(図2参照)、配向制御膜9
a,9bの表面にはある程度の段差が生じていた。した
がって、ラビング処理を均一に行なえず、注入した液晶
3に配向欠陥が発生してしまい、画像の表示品質が悪く
なるという問題があった。また、ラビング布が、所定以
上の力で段差に擦り付けられて劣化し易くなり、ラビン
グ布の均一性管理が困難で、ラビング布の頻繁な交換に
よりラビング処理の作業性が低下してしまうという問題
もあった。さらに、上述した段差が、液晶3を注入する
際の抵抗となるという問題もあった。Since the above-mentioned transparent electrodes 6a, ..., 6b, ... Are formed to a thickness of about 1000 to 2000Å (see FIG. 2), the alignment control film 9 is formed.
There was some level difference on the surfaces of a and 9b. Therefore, there is a problem that the rubbing process cannot be performed uniformly, alignment defects are generated in the injected liquid crystal 3, and the display quality of the image deteriorates. In addition, the rubbing cloth is rubbed against the step by a predetermined force or more and easily deteriorates, it is difficult to control the uniformity of the rubbing cloth, and the workability of the rubbing process is deteriorated due to frequent replacement of the rubbing cloth. There was also. Further, there is a problem that the above-mentioned step becomes a resistance when the liquid crystal 3 is injected.
【0007】なお、液晶素子には、図3(a) や(b) に示
すように、透明電極6a,…,6b,…の表面に500
〜3000Å程度の厚さの金属電極10a,…,10
b,…を形成し、電圧波形の遅延を回避するようにした
ものがあるが、このようなものにあっては配向制御膜の
段差がより一層大きくなり、上述した問題が特に顕著で
あった。In the liquid crystal element, as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), the transparent electrodes 6a, ..., 6b ,.
Metal electrodes 10a, ..., 10 with a thickness of about 3000 Å
There is a structure in which b, ... Are formed to avoid the delay of the voltage waveform. However, in such a structure, the step of the alignment control film is further increased, and the above-mentioned problem is particularly remarkable. .
【0008】そこで、本発明は、配向欠陥の発生を防止
し良好な表示品質をもつ液晶素子及び該液晶素子の製造
方法を提供することを目的とするものである。Therefore, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal element having good display quality by preventing the occurrence of alignment defects and a method for manufacturing the liquid crystal element.
【0009】また、本発明は、ラビング布の劣化を少な
くしてラビング布の均一性管理を容易にすると共にラビ
ング作業の効率化が可能な液晶素子及び該液晶素子の製
造方法を提供することを目的とするものである。Further, the present invention provides a liquid crystal device capable of reducing deterioration of the rubbing cloth, facilitating the uniformity control of the rubbing cloth, and improving the efficiency of the rubbing work, and a method of manufacturing the liquid crystal device. It is intended.
【0010】さらに、本発明は、液晶の注入作業が容易
な液晶素子及び該液晶素子の製造方法を提供することを
目的とするものである。A further object of the present invention is to provide a liquid crystal element in which the operation of injecting liquid crystal is easy and a method of manufacturing the liquid crystal element.
【0011】またさらに、本発明は、電圧波形の遅延を
防止する液晶素子及び該液晶素子の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。Still another object of the present invention is to provide a liquid crystal element for preventing delay of voltage waveform and a method for manufacturing the liquid crystal element.
【0012】また、本発明は、金属電極の腐食や断線を
防止する液晶素子及び該液晶素子の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。Another object of the present invention is to provide a liquid crystal element which prevents corrosion and disconnection of a metal electrode and a method of manufacturing the liquid crystal element.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、離間して配置された一対の基
板と、それぞれの基板にストライプ状に多数形成された
駆動電極と、前記一対の基板の間に配置された液晶と、
を備えた液晶素子において、前記駆動電極相互の間隙に
絶縁部を埋設し、かつ、前記駆動電極及び前記絶縁部に
よりほぼ平坦な面を形成した、ことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a pair of substrates that are spaced apart from each other, and a plurality of drive electrodes formed in stripes on each substrate. A liquid crystal disposed between the pair of substrates,
In the liquid crystal element having the above-mentioned, the insulating portion is embedded in the gap between the drive electrodes, and a substantially flat surface is formed by the drive electrode and the insulating portion.
【0014】この場合、前記各駆動電極を、透明電極
と、該透明電極に沿って該透明電極に接触するように配
置した金属電極と、によってそれぞれ構成し、かつ、前
記駆動電極及び前記絶縁部によりほぼ平坦な面を形成す
るようにしてもよい。そして、前記透明電極、前記金属
電極及び前記絶縁部が、いずれも前記基板の表面に隙間
なくほぼ等しい厚さで形成されることに基づき、ほぼ平
坦な面を形成するようにしてもよい。また、前記透明電
極が、前記基板の表面に前記金属電極よりも厚く形成さ
れると共に、表面に凹部を有し、かつ、前記金属電極
が、該金属電極の底面及び少なくとも一方の側面が前記
透明電極に接触するように前記凹部に埋設されて、前記
透明電極と共にほぼ平坦な面を形成する、ようにしても
よい。例えば、前記透明電極が断面略L字状に形成さ
れ、前記金属電極が、前記透明電極に埋設されて、断面
が略四角形の駆動電極を前記透明電極と共に形成し、か
つ、前記凹部に埋設された前記金属電極の底面及び1つ
の側面が、前記透明電極に接触された、ようにしてもよ
い。また、前記透明電極が断面略コ字状に形成され、前
記金属電極が、前記透明電極に埋設されて、断面が略四
角形の駆動電極を前記透明電極と共に形成し、かつ、該
凹部に埋設された前記金属電極の底面及び2つの側面
が、前記透明電極に接触された、ようにしてもよい。In this case, each of the drive electrodes is constituted by a transparent electrode and a metal electrode arranged along the transparent electrode so as to come into contact with the transparent electrode, and the drive electrode and the insulating portion are formed. May form a substantially flat surface. Then, the transparent electrode, the metal electrode, and the insulating portion may all be formed on the surface of the substrate to have substantially the same thickness without a gap, so that a substantially flat surface may be formed. Further, the transparent electrode is formed on the surface of the substrate to be thicker than the metal electrode and has a recess on the surface, and the metal electrode has a bottom surface of the metal electrode and at least one side surface of the transparent electrode. It may be embedded in the recess so as to contact the electrode, and may form a substantially flat surface together with the transparent electrode. For example, the transparent electrode is formed in a substantially L-shaped cross section, the metal electrode is embedded in the transparent electrode, a drive electrode having a substantially rectangular cross section is formed together with the transparent electrode, and the drive electrode is embedded in the recess. The bottom surface and one side surface of the metal electrode may be in contact with the transparent electrode. Further, the transparent electrode is formed in a substantially U-shaped cross section, the metal electrode is embedded in the transparent electrode, a drive electrode having a substantially square cross section is formed together with the transparent electrode, and the drive electrode is embedded in the recess. The bottom surface and two side surfaces of the metal electrode may be in contact with the transparent electrode.
【0015】なお、前記透明電極が、非晶質成分を含む
ITOから、或はかかるITOを経て形成された、よう
にしてもよい。また、前記駆動電極と前記絶縁部とによ
って形成される面が、20nm以下の段差を有する、よ
うにすると好ましい。The transparent electrode may be formed of ITO containing an amorphous component or through the ITO. Further, it is preferable that the surface formed by the drive electrode and the insulating portion has a step of 20 nm or less.
【0016】一方、本発明に係る液晶素子の製造方法
は、基板の表面に駆動電極をストライプ状に形成する駆
動電極形成工程と、該駆動電極の形成された一対の基板
を離間した状態に貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、
これら一対の基板の間隙に液晶を注入する液晶注入工程
と、を備えた液晶素子の製造方法において、前記駆動電
極とほぼ等しい厚さの絶縁部を、前記駆動電極相互の間
隙に埋設する絶縁部形成工程を備え、前記駆動電極形成
工程にて、レジストを用いてエッチングすることに基づ
き前記駆動電極をストライプ状にパターニングし、か
つ、前記絶縁部形成工程にて、前記レジストを剥離しな
い状態で絶縁膜を成膜し、その後前記レジストを剥離す
ることにより前記絶縁部を形成する、ことを特徴とす
る。On the other hand, in the method of manufacturing a liquid crystal element according to the present invention, a drive electrode forming step of forming drive electrodes in a stripe shape on a surface of a substrate and a pair of substrates on which the drive electrodes are formed are attached in a separated state. A substrate bonding step to match,
A liquid crystal injecting step of injecting liquid crystal into a gap between the pair of substrates, wherein an insulating part having a thickness substantially equal to that of the drive electrode is embedded in a gap between the drive electrodes. A drive electrode forming step, the drive electrode is patterned into stripes by etching with a resist in the drive electrode forming step, and insulation is performed in the insulating portion forming step without removing the resist. It is characterized in that the insulating portion is formed by forming a film and then peeling off the resist.
【0017】この場合、前記駆動電極形成工程が、金属
電極をストライプ状に形成する金属電極形成工程と、成
膜した透明電極膜をストライプ状にパターニングするこ
とにより透明電極を形成する透明電極形成工程と、から
なり、かつ、これらの電極形成工程を実施することによ
り、前記金属電極と、該金属電極に沿って該金属電極に
接触するように配置された前記透明電極と、によって前
記駆動電極を構成する、ようにすると好ましい。また、
その場合、前記金属電極形成工程にて、第1のレジスト
を用いてエッチングすることに基づき前記金属電極をス
トライプ状にパターニングし、前記透明電極形成工程に
て、前記第1のレジストを剥離すると共に、第2のレジ
ストを用いてエッチングすることに基づき前記透明電極
をストライプ状にパターニングし、かつ、前記絶縁部形
成工程を、前記第2のレジストを剥離しない状態で実施
する、ようにしてもよい。なお、これらの場合に、前記
金属電極形成工程にて、前記金属電極を前記基板の表面
に直接形成し、前記透明電極形成工程にて、前記透明電
極を前記金属電極とほぼ等しい厚みとなるように前記基
板の表面に直接形成し、前記絶縁部形成工程にて、前記
絶縁部を前記金属電極及び前記透明電極とほぼ等しい厚
みとなるように前記基板の表面に直接形成し、かつ、前
記透明電極、前記金属電極及び前記絶縁部が、ほぼ平坦
な面を形成してもよい。また、前記透明電極形成工程
が、前記金属電極形成工程の前に実施して前記基板の表
面全体に透明電極膜を形成する第1の透明電極形成工程
と、前記金属電極形成工程の後に実施して、前記金属電
極の少なくとも一方の側面に接触するような形状の透明
電極を形成する第2の透明電極形成工程と、からなり、
前記金属電極形成工程にて、前記透明電極膜の表面に前
記金属電極が形成され、かつ、前記金属電極が、該金属
電極の底面及び少なくとも一方の側面が前記透明電極に
接触するように配置された、ようにしてもよい。例え
ば、前記第1及び第2の透明電極形成工程によって、前
記透明電極が断面略L字状に形成され、前記金属電極
が、前記透明電極に埋設された状態となって断面が略四
角形の駆動電極を前記透明電極と共に構成する、ように
してもよい。また、前記第1及び第2の透明電極形成工
程によって、前記透明電極が断面略コ字状に形成され、
前記金属電極が、前記透明電極に埋設された状態となっ
て断面が略四角形の駆動電極を前記透明電極と共に構成
する、ようにしてもよい。In this case, the drive electrode forming step includes a metal electrode forming step of forming a metal electrode in a stripe shape and a transparent electrode forming step of forming a transparent electrode by patterning the formed transparent electrode film in a stripe shape. And by performing these electrode forming steps, the drive electrode is formed by the metal electrode and the transparent electrode arranged so as to contact the metal electrode along the metal electrode. It is preferable to configure. Also,
In that case, in the metal electrode forming step, the metal electrode is patterned into stripes based on etching using the first resist, and in the transparent electrode forming step, the first resist is peeled off. The transparent electrode may be patterned into stripes based on etching using the second resist, and the insulating portion forming step may be performed without removing the second resist. . In these cases, in the metal electrode forming step, the metal electrode is directly formed on the surface of the substrate, and in the transparent electrode forming step, the transparent electrode has substantially the same thickness as the metal electrode. Directly on the surface of the substrate, in the step of forming the insulating portion, the insulating portion is formed directly on the surface of the substrate so as to have substantially the same thickness as the metal electrode and the transparent electrode, and The electrode, the metal electrode, and the insulating portion may form a substantially flat surface. Further, the transparent electrode forming step is performed before the metal electrode forming step and is performed after the first transparent electrode forming step of forming a transparent electrode film on the entire surface of the substrate, and after the metal electrode forming step. And a second transparent electrode forming step of forming a transparent electrode having a shape that is in contact with at least one side surface of the metal electrode,
In the metal electrode forming step, the metal electrode is formed on the surface of the transparent electrode film, and the metal electrode is arranged such that the bottom surface and at least one side surface of the metal electrode are in contact with the transparent electrode. You may do so. For example, in the first and second transparent electrode forming steps, the transparent electrode is formed into a substantially L-shaped cross section, the metal electrode is embedded in the transparent electrode, and the driving section has a substantially rectangular cross section. The electrode may be configured with the transparent electrode. Further, the transparent electrode is formed into a substantially U-shaped cross section by the first and second transparent electrode forming steps,
The metal electrode may be embedded in the transparent electrode to form a drive electrode having a substantially rectangular cross section together with the transparent electrode.
【0018】一方、前記金属電極形成工程にて、前記金
属電極をスパッタリング法、若しくは蒸着により形成す
る、ようにしてもよい。また、前記透明電極形成工程に
おける透明電極膜の成膜を、前記第1のレジストが硬化
しない低温条件で行なう、ようにすると好ましい。さら
に、前記絶縁部形成工程における絶縁膜の成膜を、前記
第2のレジストが硬化しない低温条件で行なう、ように
すると好ましい。またさらに、前記第1のレジスト及び
前記第2のレジストがポジ型レジストである、ようにし
てもよい。On the other hand, in the step of forming the metal electrode, the metal electrode may be formed by a sputtering method or vapor deposition. Further, it is preferable that the transparent electrode film is formed in the transparent electrode forming step under a low temperature condition where the first resist is not cured. Further, it is preferable that the insulating film is formed in the insulating portion forming step under a low temperature condition where the second resist is not cured. Furthermore, the first resist and the second resist may be positive resists.
【0019】なお、以上構成に基づき、駆動電極相互の
間隙に絶縁部を埋設して、前記駆動電極及び前記絶縁部
によりほぼ平坦な面を形成するため、その面に配向制御
膜を形成しても、該配向制御膜の表面は同様に平坦とな
り、大きな段差は生じない。したがって、該配向制御膜
の表面にラビング布を擦り付けてラビング処理をして
も、ラビング処理を均一に行なえ、配向欠陥の発生を防
止でき、良好な表示品質をもつ液晶素子を得ることがで
きる。また、ラビング布の劣化も少なくなり、ラビング
布の均一性管理が容易となる。そして、ラビング布を頻
繁に交換する必要がなく、ラビングの生産性低下を防止
できる。さらに、液晶の厚さも均一となり、セル厚のミ
クロな変化によるクロマト効果も減少する。またさら
に、液晶の注入抵抗も下がり、注入をするプロセスの良
品率が上がる、若しくは注入時間の短縮化も可能とな
る。Based on the above structure, an insulating portion is embedded in the gap between the drive electrodes, and a substantially flat surface is formed by the drive electrode and the insulating portion. Therefore, an alignment control film is formed on the surface. However, the surface of the orientation control film is also flat and a large step is not generated. Therefore, even if the rubbing treatment is performed by rubbing the rubbing cloth on the surface of the alignment control film, the rubbing treatment can be performed uniformly, the occurrence of alignment defects can be prevented, and a liquid crystal element having good display quality can be obtained. In addition, the deterioration of the rubbing cloth is reduced, and the uniformity of the rubbing cloth is easily managed. Further, it is not necessary to frequently replace the rubbing cloth, and it is possible to prevent the rubbing productivity from being lowered. Furthermore, the thickness of the liquid crystal becomes uniform, and the chromatographic effect due to microscopic changes in cell thickness is reduced. Further, the injection resistance of the liquid crystal is also lowered, the non-defective rate of the injection process is increased, or the injection time can be shortened.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、図面に沿って、本発明の実
施の形態について説明する。なお、図1に示すものと同
一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same parts as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【0021】まず、本発明の第1の実施の形態につい
て、図4に沿って説明する。First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0022】本実施の形態に係る液晶素子P2 は、図4
に示すように、一対の電極基板20a,20bを備えて
おり、これらの電極基板20a,20bの間には多数の
スペーサ粒子21,…が介装されて、基板間隙が規定さ
れている。また、この基板間隙には、フッ素系カイラル
をもつ強誘電性液晶22が注入されている。The liquid crystal element P 2 according to this embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a pair of electrode substrates 20a and 20b are provided, and a large number of spacer particles 21, ... Are interposed between these electrode substrates 20a and 20b to define the substrate gap. Further, a ferroelectric liquid crystal 22 having a fluorine-based chiral is injected into this substrate gap.
【0023】ところで、電極基板20a,20bを構成
するガラス基板5a,5bの表面には、駆動電極23
a,…,23b,…がストライプ状に多数形成されてお
り、単純マトリクスを構成している。そして、各1本の
駆動電極23bは、透明電極25bと金属電極26bと
によって構成されており、これらの電極25b,26b
は、いずれも断面が略四角形で帯状をし、側面どうしが
良好に接触するように基板5bの表面に形成されてい
る。また、これらの電極25b,26bの厚みは、いず
れも1500Åと等しく設定されており、これらの電極
25b,26bによって形成される駆動電極23bの表
面がほぼ平坦となるように設定されている。By the way, the driving electrodes 23 are formed on the surfaces of the glass substrates 5a and 5b constituting the electrode substrates 20a and 20b.
A large number of a, ..., 23b, ... Are formed in a stripe shape to form a simple matrix. Each one drive electrode 23b is composed of a transparent electrode 25b and a metal electrode 26b, and these electrodes 25b, 26b.
All have a substantially quadrangular cross section and are band-shaped, and are formed on the surface of the substrate 5b so that their side surfaces are in good contact with each other. The thickness of each of the electrodes 25b and 26b is set equal to 1500Å, and the surface of the drive electrode 23b formed by the electrodes 25b and 26b is set to be substantially flat.
【0024】なお、他方の駆動電極23a,…も駆動電
極23b,…と同様の構造である。すなわち、各1本の
駆動電極23aは、図5(i) に示すように、透明電極2
5aと金属電極26aとによって構成されており、これ
らの電極25a,26aは、いずれも断面が略四角形で
帯状をし、側面どうしが良好に接触するように基板5a
の表面に形成されている。また、これらの電極25a,
26aの厚みは、いずれも1500Åと等しく設定され
ており、これらの電極25a,26aによって形成され
る駆動電極23aの表面がほぼ平坦となるように設定さ
れている。The other drive electrodes 23a, ... Have the same structure as the drive electrodes 23b ,. That is, one drive electrode 23a is provided for each transparent electrode 2a as shown in FIG.
5a and a metal electrode 26a. These electrodes 25a, 26a each have a substantially quadrangular cross section and have a strip shape, and the substrate 5a is arranged so that its side surfaces are in good contact with each other.
Is formed on the surface. In addition, these electrodes 25a,
The thickness of 26a is set equal to 1500Å, and the surface of the drive electrode 23a formed by these electrodes 25a and 26a is set to be substantially flat.
【0025】なお、透明電極25a,…,25b,…
は、好ましくは、いずれも非晶質ITOを必要に応じて
アニーリングすることにより形成されている。また、金
属電極26a,…,26b,…は、MoTa合金/Al
SiCu/MoTa合金の3層構造をしており、各層の
厚みは300Å/1000Å/200Åである。The transparent electrodes 25a, ..., 25b ,.
Are preferably formed by annealing amorphous ITO as necessary. Further, the metal electrodes 26a, ..., 26b ,.
It has a three-layer structure of SiCu / MoTa alloy, and the thickness of each layer is 300Å / 1000Å / 200Å.
【0026】一方、隣接する駆動電極23a,23a相
互の間隙には、1600Åの厚さの絶縁部27aが埋設
されており(図5(i) 参照)、駆動電極23b,23b
相互の間隙には、1600Åの厚さの絶縁部27bが埋
設されている(図4参照)。なお、これらの絶縁部27
a,27bは、SiNによって形成されている。この絶
縁部27a,…,27b,…の形成により、ガラス基板
5aの表面には透明電極25a,…、金属電極26a,
…、及び絶縁部27a,…が隙間なく配置され、他方の
ガラス基板5bの表面には透明電極25b,…、金属電
極26b,…、及び絶縁部27b,…が隙間なく配置さ
れることとなる。On the other hand, an insulating portion 27a having a thickness of 1600Å is buried in the gap between the adjacent drive electrodes 23a, 23a (see FIG. 5 (i)), and the drive electrodes 23b, 23b.
Insulating portions 27b having a thickness of 1600Å are embedded in the mutual gaps (see FIG. 4). In addition, these insulating parts 27
a and 27b are made of SiN. By forming the insulating portions 27a, ..., 27b, ..., On the surface of the glass substrate 5a, the transparent electrodes 25a ,.
, And insulating portions 27a, ... Are arranged without a gap, and the transparent electrodes 25b, ..., Metal electrodes 26b, ..., and insulating portions 27b, .. are arranged without a gap on the surface of the other glass substrate 5b. .
【0027】つまり、本実施の形態においては、駆動電
極23a,…,23b,…の各表面はほぼ平坦であり、
かつ、駆動電極23a,…,23b,…の相互の間隙に
は、駆動電極23a,…,23b,…とほぼ等しい厚さ
の絶縁27a,…,27b,…が埋設されているため、
透明電極25a,…、金属電極26a,…、及び絶縁部
27a,…は、20nm以下の段差を有するほぼ平坦な
面Aを形成し、他方の透明電極25b,…、金属電極2
6b,…、及び絶縁部27b,…は、20nm以下の段
差を有するほぼ平坦な面Aを形成することとなる。That is, in the present embodiment, the surfaces of the drive electrodes 23a, ..., 23b, ... Are almost flat,
And, since the drive electrodes 23a, ..., 23b, ... Are embedded in the mutual gaps, the insulating electrodes 27a ,.
The transparent electrodes 25a, ..., The metal electrodes 26a, .. and the insulating portions 27a, ..... Form a substantially flat surface A having a step of 20 nm or less, and the other transparent electrode 25b ,.
6b, ..., And the insulating parts 27b, .. will form a substantially flat surface A having a step of 20 nm or less.
【0028】また、上述した面A,Aには、厚さが20
0Åの配向制御膜9a,9bが形成されている。The surfaces A and A described above have a thickness of 20.
Alignment control films 9a and 9b of 0Å are formed.
【0029】次に、液晶素子P2 の製造方法について、
図5(a) 〜(i) に沿って説明する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal element P 2 will be described.
A description will be given with reference to FIGS.
【0030】本実施の形態における液晶素子の製造方法
は、駆動電極形成工程と、絶縁部形成工程と、配向制御
膜形成工程と、基板貼り合わせ工程と、液晶注入工程と
を有している。以下、それぞれについて説明する。 (駆動電極形成工程)本実施の形態においては、駆動電
極形成工程は、金属電極26a,…,26b,…を形成
する金属電極形成工程と、透明電極25a,…,25
b,…を形成する透明電極形成工程と、を有している。
そして、これらの工程においては、所定の材料からなる
薄膜をスパッタリング法等を用いて成膜し、レジストを
用いて露光・エッチングを行ない、金属電極26a,
…,26b,…と透明電極25a,…,25b,…とか
らなる駆動電極23a,…,23b,…を形成する。以
下、一方の電極基板20aについて各工程の詳細を説明
する。 (金属電極形成工程)まず、MoTa合金/AlSiC
u/MoTa合金からなる3層の金属薄膜30を、スパ
ッタリング法若しくは蒸着によってガラス基板5aの表
面に形成する(図5(a) 参照)。なお、金属薄膜30の
厚さは1500Åとする。The method for manufacturing a liquid crystal element according to the present embodiment has a drive electrode forming step, an insulating portion forming step, an alignment control film forming step, a substrate bonding step, and a liquid crystal injecting step. Hereinafter, each will be described. (Drive Electrode Forming Step) In the present embodiment, the drive electrode forming step includes the metal electrode forming step of forming the metal electrodes 26a, ..., 26b, ... and the transparent electrodes 25a ,.
and a transparent electrode forming step of forming b, ...
Then, in these steps, a thin film made of a predetermined material is formed using a sputtering method or the like, and exposure / etching is performed using a resist to remove the metal electrode 26a,
, 26b, ... And transparent electrodes 25a, ..., 25b ,. Hereinafter, the details of each step of the one electrode substrate 20a will be described. (Metal electrode forming step) First, MoTa alloy / AlSiC
A three-layer metal thin film 30 made of a u / MoTa alloy is formed on the surface of the glass substrate 5a by a sputtering method or vapor deposition (see FIG. 5 (a)). The thickness of the metal thin film 30 is 1500Å.
【0031】次に、この金属薄膜30の表面にストライ
プ形状のポジ型レジスト(第1のレジスト)31,…を
所定のピッチで形成する(同図(b) 参照)。このポジ型
レジスト31,…は、レジストを金属薄膜30の表面全
面に均一に塗布し、露光マスクを利用して露光し、さら
にエッチングすることにより、パターニングされる。Next, stripe-shaped positive resists (first resists) 31, ... Are formed on the surface of the metal thin film 30 at a predetermined pitch (see FIG. 3B). The positive resist 31, ... Is patterned by uniformly applying the resist on the entire surface of the metal thin film 30, exposing it using an exposure mask, and further etching.
【0032】さらに、露光及びエッチング処理を施して
金属薄膜30のパターニングを行ない、ポジ型レジスト
31,…に被覆されていない部分の金属薄膜30を除去
する。これにより、ガラス基板5aの表面に直接ストラ
イプ状に形成された金属電極26a,…を得る(同図
(c) 参照)。 (透明電極形成工程)次に、ポジ型レジスト31,…を
剥離しない状態で、かつポジ型レジスト31,…が硬化
しない低温条件で、スパッタリング法により非晶質IT
O薄膜(a−ITO、透明電極膜)32を成膜する(同
図(d) 参照)。なお、成膜条件は以下の通りとした。す
なわち、 装置 ;日電アネルバ製ILC3949 ターゲット ;三井金属製ITOターゲット 搬送スピード;220 mm/min 圧力 ;2×10-3Torr O2 流量 ;0.5 sccm Ar流量 ;150 sccm 設定温度 ;室温 放電電力 ;2.0 kW 膜厚 ;1600 Å 上述のように成膜されたITO薄膜32は、ポジ型レジ
スト31,…を剥離してリフトオフを行ない、さらにポ
ジ型レジスト(第2のレジスト)33,…を用いてエッ
チングすることに基づき、ストライプ状にパターニング
され、透明電極25a,…が形成される。Further, the metal thin film 30 is subjected to patterning by exposure and etching to remove the metal thin film 30 in a portion not covered with the positive type resists 31, .... As a result, the metal electrodes 26a, ... Formed in a stripe shape directly on the surface of the glass substrate 5a are obtained (see FIG.
(c)). (Transparent Electrode Forming Step) Next, the amorphous IT is formed by a sputtering method under the condition that the positive resists 31, ... Are not peeled off and the positive resists 31 ,.
An O thin film (a-ITO, transparent electrode film) 32 is formed (see FIG. 3D). The film forming conditions were as follows. That is, the apparatus; ILC3949 target manufactured by Nichiden Anelva; ITO target manufactured by Mitsui Kinzoku; transport speed; 220 mm / min pressure; 2 × 10 −3 Torr O 2 flow rate; 0.5 sccm Ar flow rate; 150 sccm set temperature; room temperature discharge power; 2.0 kW film thickness; 1600 Å The ITO thin film 32 formed as described above peels off the positive resist 31, ... And lifts off, and further positive resist (second resist) 33 ,. Based on the etching used, the transparent electrodes 25a, ... Are formed by patterning in stripes.
【0033】すなわち、リフトオフを行なうことによ
り、ポジ型レジスト31,…と、該レジスト31,…の
部分のITO薄膜32を除去する(同図(e) 参照)。That is, by performing lift-off, the positive type resists 31, ... And the ITO thin film 32 in the portions of the resists 31, ... Are removed (see FIG. 8E).
【0034】さらに、他方のポジ型レジスト33,…
を、同図(f) に示すように、ITO薄膜32の一部及び
金属電極26a,…を覆うようにストライプ状に形成
し、このレジスト33,…を利用してエッチングし、ポ
ジ型レジスト33,…にて被覆されずに露出されている
部分の除去を行なう(同図(g) 参照)。Further, the other positive type resist 33, ...
Is formed in a stripe shape so as to cover a part of the ITO thin film 32 and the metal electrodes 26a, ... As shown in FIG. 6 (f), the positive resist 33 is etched by using the resist 33 ,. Then, remove the exposed part that is not covered with, (See (g) in the figure).
【0035】これにより、ストライプ状の透明電極25
a,…が得られる。As a result, the stripe-shaped transparent electrode 25 is formed.
a, ... Is obtained.
【0036】なお、本実施の形態においては、非晶質I
TO薄膜32のエッチング特性は、メタルエッチング特
性に近付けている。また、ポジ型レジスト33,…の厚
さは2μmとした。In this embodiment, the amorphous I
The etching characteristics of the TO thin film 32 are close to the metal etching characteristics. Further, the thickness of the positive resist 33, ... Is set to 2 μm.
【0037】また、本工程においては、成膜条件を精密
に制御してITO薄膜32の厚さを1600Åとし、金
属電極26a,…の厚さよりも100Åだけ厚くなるよ
うにした。これは、透明電極25a,…の膜厚は後工程
のアニールを経て100Å程度減少するので、完成した
製品において、透明電極25a,…の厚さと金属電極2
6a,…の厚さとをほぼ等しくするためである。Further, in this process, the film forming conditions are precisely controlled so that the thickness of the ITO thin film 32 is 1600 Å, which is 100 Å thicker than the metal electrodes 26a, .... This is because the film thickness of the transparent electrodes 25a, ... Is reduced by about 100Å after annealing in the subsequent process, so that the thickness of the transparent electrodes 25a ,.
This is for making the thicknesses of 6a, ...
【0038】なお、透明電極25a,…を形成しても、
ポジ型レジスト33,…の剥離は行なわず、次の絶縁部
形成工程を実施する。 (絶縁部形成工程)本工程においては、金属電極26
a,…や透明電極25a,…とほぼ等しい厚さの絶縁部
27a,…が、駆動電極相互の間隙に埋設される。Even if the transparent electrodes 25a, ... Are formed,
The next insulating portion forming step is performed without peeling off the positive type resists 33, .... (Insulating portion forming step) In this step, the metal electrode 26
.. and transparent electrodes 25a, ... Insulating portions 27a, ..
【0039】すなわち、レジスト33,…を剥離しない
状態で、スパッタリング法によって、SiNから成る絶
縁薄膜35を形成する(同図(h) 参照)。なお、絶縁薄
膜35のスパッタリングでは、ターゲット材料にSiを
使用し、DCスパッタを用い、雰囲気ガスとして窒素ガ
スを用いた。また、基板の加熱を行なうことなく成膜条
件を低温とし、ポジ型レジスト33,…に硬化熱量を与
えないようにした。That is, the insulating thin film 35 made of SiN is formed by the sputtering method in a state where the resists 33, ... Are not peeled off (see FIG. 6 (h)). In the sputtering of the insulating thin film 35, Si was used as the target material, DC sputtering was used, and nitrogen gas was used as the atmosphere gas. Further, the film formation conditions were set to a low temperature without heating the substrate so that the positive resists 33 ,.
【0040】さらに、リフトオフを実施し、ポジ型レジ
スト33,…、及び該レジスト33,…の部分の絶縁薄
膜35を剥離した(同図(i) 参照)。これにより、絶縁
部27a,…が基板5aの表面に直接形成される。Further, lift-off was carried out to remove the positive type resists 33, ... And the insulating thin film 35 in the resists 33, .. (See FIG. 1 (i)). As a result, the insulating portions 27a, ... Are directly formed on the surface of the substrate 5a.
【0041】なお、この絶縁部27a,…の形成は、1
回で行なっても良く、或は2回に分けて行なっても良
い。そして、2回に分けて絶縁部27a,…を形成した
場合には、基板の加熱温度を抑えることができ、透明電
極等への悪影響を抑えることができる。 (配向制御膜形成工程)そして、これらの透明電極25
a,…、金属電極26a,…、及び絶縁27a,…の表
面Aに、配向制御膜9a(日立化成製LQ1802)を
200Åの厚さに形成し、ナイロン布でラビングを行な
った。The formation of the insulating portions 27a, ...
It may be performed once, or may be divided into two times. Then, when the insulating portions 27a, ... Are formed twice, the heating temperature of the substrate can be suppressed, and adverse effects on the transparent electrodes and the like can be suppressed. (Alignment control film forming step) Then, these transparent electrodes 25
The orientation control film 9a (LQ1802 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having a thickness of 200 Å was formed on the surfaces A of the metal electrodes 26a, ..., And the insulating electrodes 27a ,.
【0042】以上の各工程を経て一方の電極基板20a
が形成されるが、同様の工程により他方の電極基板20
bも製造する。 (基板貼り合わせ工程)次に、いずれか一方の電極基板
20a又は20bの表面にスペーサ粒子21,…を散布
し、シール材2を塗布し、2枚の電極基板20a,20
bを貼り合わせる。 (液晶注入工程)その後、一対の基板5a,5bの間隙
に強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶22を注入
する。Through the above steps, one electrode substrate 20a
However, the other electrode substrate 20 is formed by the same process.
b is also manufactured. (Substrate bonding step) Next, spacer particles 21, ... Are sprinkled on the surface of either one of the electrode substrates 20a or 20b, the sealing material 2 is applied, and the two electrode substrates 20a, 20b.
Stick b together. (Liquid Crystal Injection Step) After that, the chiral smectic liquid crystal 22 having ferroelectricity is injected into the gap between the pair of substrates 5a and 5b.
【0043】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。Next, the effect of this embodiment will be described.
【0044】本実施の形態によれば、金属電極26a,
…,26b,…が透明電極25a,…,25b,…に沿
って配置されて駆動信号を伝達するため、電圧波形の遅
延の問題が解消される。According to this embodiment, the metal electrodes 26a,
, 26b, ... Are arranged along the transparent electrodes 25a, .., 25b, ... To transmit the drive signal, so that the problem of voltage waveform delay is solved.
【0045】なお、金属電極26a,…,26b,…を
成膜する際の基板温度が高ければ、結晶性が良好となり
ライン抵抗が下がる反面、析出物の発生やレジストの硬
化等の問題があるが、本実施の形態においては該基板温
度を120℃程度とすることにより、これらの問題を解
決した上でライン抵抗を低減している。If the substrate temperature at the time of forming the metal electrodes 26a, ..., 26b, ... Is high, the crystallinity is good and the line resistance is low, but there are problems such as the generation of precipitates and the hardening of the resist. However, in the present embodiment, by setting the substrate temperature to about 120 ° C., these problems are solved and the line resistance is reduced.
【0046】また、透明電極25a,…、金属電極26
a,…、及び絶縁部27a,…によって平坦な面Aが形
成され、他方の透明電極25b,…、金属電極26b,
…、及び絶縁部27b,…によって平坦な面Aが形成さ
れるため、これらの面上に形成される配向制御膜9a,
9bの表面も平坦となり、大きな段差は生じない。な
お、本発明者が触針式荒さ計で実測したところ、P−V
(Peak to Valley)で、120Åの基板
が得られていることを確認した。Further, transparent electrodes 25a, ..., Metal electrodes 26
, and the insulating portions 27a, ... Form a flat surface A, and the other transparent electrodes 25b ,.
, And the insulating portions 27b, ... form a flat surface A, so that the orientation control films 9a, 9a formed on these surfaces,
The surface of 9b is also flat, and a large step does not occur. In addition, when the present inventor actually measured with a stylus type roughness meter, it was found that PV
It was confirmed by (Peak to Valley) that a substrate of 120 Å was obtained.
【0047】したがって、以下のような効果が得られ
る。Therefore, the following effects can be obtained.
【0048】すなわち、配向制御膜9a,9bの表面に
大きな段差が生じないことから、ラビング処理を均一に
行なえる。その結果、注入した液晶22に配向欠陥はほ
とんど発生せず、良好な表示品質をもつ液晶素子を得る
ことができる。That is, since no large step is formed on the surfaces of the orientation control films 9a and 9b, the rubbing process can be performed uniformly. As a result, alignment defects are hardly generated in the injected liquid crystal 22, and a liquid crystal element having good display quality can be obtained.
【0049】また、配向制御膜9a,9bの表面に大き
な段差が生じないことから、ラビング布の劣化も少なく
なり、ラビング布の均一性管理が容易となる。そして、
ラビング布を頻繁に交換する必要がなく、その分ラビン
グ処理の作業性が向上される。Further, since a large step is not formed on the surfaces of the orientation control films 9a and 9b, the rubbing cloth is less deteriorated and the uniformity of the rubbing cloth is easily controlled. And
It is not necessary to frequently change the rubbing cloth, and the workability of the rubbing process is improved accordingly.
【0050】さらに、配向制御膜9a,9bの表面に大
きな段差が生じないことから、液晶層の厚さも均一とな
り、セル厚のミクロな変化によるクロマト効果も減少
し、液晶22の注入抵抗も下がり、注入をするプロセス
の良品率が上がる、若しくは注入時間の短縮化も可能と
なる。Furthermore, since no large step is formed on the surfaces of the orientation control films 9a and 9b, the thickness of the liquid crystal layer becomes uniform, the chromatographic effect due to the micro change of the cell thickness decreases, and the injection resistance of the liquid crystal 22 also decreases. In addition, the non-defective rate of the injection process can be increased, or the injection time can be shortened.
【0051】ついで、図6(a) 〜(j) に沿って、本発明
の他の実施の形態について説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 (a) to 6 (j).
【0052】本実施の形態に係る液晶素子は、図6(j)
に示す電極基板50を2つ備えており、これら一対の電
極基板50,50の間隙には、上述した実施の形態と同
様に、多数のスペーサ粒子(不図示)や強誘電性を示す
カイラルスメクチック液晶(同じく不図示)が配置され
ている。The liquid crystal element according to the present embodiment is shown in FIG.
2 are provided in the gap between the pair of electrode substrates 50, 50, and a large number of spacer particles (not shown) and a chiral smectic exhibiting ferroelectricity are provided in the gap between the pair of electrode substrates 50, 50. A liquid crystal (also not shown) is arranged.
【0053】また、電極基板50を構成するガラス基板
51の表面には、駆動電極52,…がストライプ状に多
数形成されており、各1本の駆動電極52は、1本の透
明電極53と1本の金属電極55とによって構成されて
いる。このうち、透明電極53は、断面形状が略L字状
となるようにガラス基板51の表面に形成されており、
厚肉部53aと薄肉部53bとによって、厚肉部53a
の側方(すなわち、薄肉部53bの上方)に凹部が形成
されている。なお、厚肉部53aの厚さは1600Å
で、薄肉部53bの厚さは200Åに設定されている。
また、透明電極53,…は、上述実施の形態と同様に、
好ましくは非晶質ITOを必要に応じてアニーリングす
ることにより形成されている。A large number of drive electrodes 52, ... Are formed in stripes on the surface of the glass substrate 51 which constitutes the electrode substrate 50. Each drive electrode 52 is formed with one transparent electrode 53. It is composed of one metal electrode 55. Of these, the transparent electrode 53 is formed on the surface of the glass substrate 51 so as to have a substantially L-shaped cross section.
By the thick portion 53a and the thin portion 53b, the thick portion 53a
A concave portion is formed laterally (that is, above the thin portion 53b). The thickness of the thick portion 53a is 1600Å
Then, the thickness of the thin portion 53b is set to 200Å.
Further, the transparent electrodes 53, ...
Preferably, it is formed by annealing amorphous ITO as needed.
【0054】さらに、金属電極55は、透明電極53の
凹部に埋設されて、その一側面と底面とが透明電極53
に接触し、かつ透明電極53と共に断面が略四角形の駆
動電極52を構成している。またさらに、この金属電極
55,…は、MoTa合金/AlSiCu/MoTa合
金の3層構造をしており、各層の厚みは100Å/90
0Å/400Åで、総厚が1400Åとなるように規定
されている。そして、本実施の形態においては、透明電
極53の厚肉部53aと薄肉部53bとの肉厚差が14
00Åであるため、透明電極53と金属電極55とによ
ってほぼ平坦な面Bが形成されることとなる。Further, the metal electrode 55 is embedded in the recess of the transparent electrode 53, and one side surface and the bottom surface thereof are transparent electrode 53.
And the transparent electrode 53 constitutes a drive electrode 52 having a substantially rectangular cross section. Further, the metal electrodes 55, ... Have a three-layer structure of MoTa alloy / AlSiCu / MoTa alloy, and the thickness of each layer is 100Å / 90.
It is specified as 0Å / 400Å and the total thickness is 1400Å. In the present embodiment, the thickness difference between the thick portion 53a and the thin portion 53b of the transparent electrode 53 is 14
Since it is 00Å, a substantially flat surface B is formed by the transparent electrode 53 and the metal electrode 55.
【0055】一方、駆動電極52,…相互の間隙には、
SiOX からなる絶縁部56,…が埋設されており、ガ
ラス基板51の表面には透明電極53,…、金属電極5
5,…、及び絶縁部56,…が隙間なく配置されること
となる。また、絶縁部56,…の厚さは、駆動電極5
2,…の厚さに等しくなるように1600Åに設定され
ており、絶縁部56,…と駆動電極52,…とによっ
て、20nm以下の段差を有するほぼ平坦な面Bが形成
されている。さらに、この面Bには、厚さが200Åの
配向制御膜(不図示)が形成されている。On the other hand, in the gap between the drive electrodes 52, ...
Insulating portion 56 made of SiO X, ... are embedded, transparent electrode 53 on the surface of the glass substrate 51, ..., the metal electrode 5
5, and the insulating portions 56, ... Are arranged without a gap. Further, the thickness of the insulating portions 56, ...
The thickness is set to 1600 Å so as to be equal to the thickness of 2, ..., And the substantially flat surface B having a step of 20 nm or less is formed by the insulating portions 56 ,. Further, on this surface B, an orientation control film (not shown) having a thickness of 200Å is formed.
【0056】次に、液晶素子の製造方法について、図6
(a) 〜(j) に沿って説明する。Next, the manufacturing method of the liquid crystal element will be described with reference to FIG.
Explanation will be given along (a) to (j).
【0057】本実施の形態における液晶素子の製造方法
は、駆動電極形成工程と、絶縁部形成工程と、配向制御
膜形成工程と、基板貼り合わせ工程と、液晶注入工程と
を有している。以下、各工程について説明する。 (駆動電極形成工程)本実施の形態においては、駆動電
極形成工程は、 (1) 基板51の表面全体に非晶質ITO薄膜60を形
成する薄肉部形成工程(第1の透明電極形成工程) (2) 該薄肉部形成工程の後に実施されて、非晶質IT
O薄膜60の表面に金属電極55,…を形成する金属電
極形成工程 (3) 該金属電極形成工程の後に実施されて、金属電極
55,…の一方の側面に接触するような形状の透明電極
53,…を形成する厚肉部形成工程(第2の透明電極形
成工程) とからなり、断面略L字状の透明電極53,…が、薄肉
部形成工程と厚肉部形成工程とによって形成される。つ
まり、本実施の形態においては、透明電極形成工程は、
薄肉部形成工程と厚肉部形成工程とからなる。 (薄肉部形成工程)まず、非晶質ITO薄膜(透明電極
膜)60を、スパッタリング法によりガラス基板51の
表面に成膜する(同図(a) 参照)。なお、放電電力を
0.3kWとした以外は、装置やターゲット等の成膜条
件は、上述した実施の形態とほぼ同様とした。そして、
非晶質ITO薄膜60の厚さを200Åとした。 (金属電極形成工程)次に、非晶質ITO薄膜60の表
面に、MoTa合金/AlSiCu/MoTa合金から
なる3層の金属薄膜61を、スパッタリング法若しくは
蒸着によって非晶質ITO薄膜60の表面に形成する
(同図(b) 参照)。なお、各層の厚みを100Å/90
0Å/400Åとし、金属薄膜61の総厚を1400Å
とする。The method of manufacturing a liquid crystal element according to the present embodiment has a drive electrode forming step, an insulating portion forming step, an alignment control film forming step, a substrate bonding step, and a liquid crystal injecting step. Hereinafter, each step will be described. (Drive Electrode Forming Step) In the present embodiment, the drive electrode forming step is (1) a thin portion forming step of forming the amorphous ITO thin film 60 on the entire surface of the substrate 51 (first transparent electrode forming step) (2) Amorphous IT is performed after the thin portion forming step.
A metal electrode forming step of forming the metal electrodes 55, ... On the surface of the O thin film 60 (3) A transparent electrode having a shape to be contacted with one side surface of the metal electrodes 55 ,. And a thick portion forming step (second transparent electrode forming step) to form a transparent electrode 53 having a substantially L-shaped cross section by the thin portion forming step and the thick portion forming step. To be done. That is, in the present embodiment, the transparent electrode forming step is
It includes a thin portion forming step and a thick portion forming step. (Thin Section Forming Step) First, an amorphous ITO thin film (transparent electrode film) 60 is formed on the surface of the glass substrate 51 by a sputtering method (see FIG. 3A). The film forming conditions of the apparatus, the target, and the like were almost the same as those in the above-described embodiment, except that the discharge power was 0.3 kW. And
The thickness of the amorphous ITO thin film 60 was set to 200Å. (Metal Electrode Forming Step) Next, a three-layer metal thin film 61 composed of MoTa alloy / AlSiCu / MoTa alloy is formed on the surface of the amorphous ITO thin film 60 by sputtering or vapor deposition. It is formed (see Figure (b)). The thickness of each layer is 100Å / 90
0Å / 400Å, total thickness of the metal thin film 61 is 1400Å
And
【0058】そして、この金属薄膜61の表面に、スト
ライプ形状のポジ型レジスト(第1のレジスト)62,
…を所定のピッチで形成する(同図(c) 参照)。さら
に、露光し、酢酸、リン酸、硝酸の混酸を用いてエッチ
ング処理を行ない、ポジ型レジスト62,…に被覆され
ていない部分の金属薄膜61を除去する(同図(d) 参
照)。これにより、非晶質ITO薄膜60の表面にスト
ライプ状に形成された金属電極55,…を得る。 (厚肉部形成工程)その後、レジスト62,…を剥離し
ない状態で、かつレジスト62,…が硬化しない低温条
件で、スパッタリング法により非晶質ITO薄膜63を
1500Åの厚さに成膜する(同図(e) 参照)。Then, on the surface of the metal thin film 61, a stripe-shaped positive resist (first resist) 62,
Are formed at a predetermined pitch (see (c) in the figure). Further, exposure is performed and etching is performed using a mixed acid of acetic acid, phosphoric acid and nitric acid to remove the metal thin film 61 in the portion not covered with the positive type resists 62, ... (See FIG. 3D). As a result, the metal electrodes 55, ... Formed in stripes on the surface of the amorphous ITO thin film 60 are obtained. (Thick portion forming step) Thereafter, an amorphous ITO thin film 63 having a thickness of 1500 Å is formed by a sputtering method under the condition that the resists 62, ... Are not peeled off and the resists 62 ,. (See Figure (e)).
【0059】上述のように成膜されたITO薄膜63
は、レジスト62,…を剥離してリフトオフを行ない
(同図(f) 参照)、さらにポジ型レジスト(第2のレジ
スト)65,…を用いてエッチングすることに基づき
(同図(g) 及び(h) 参照)、ストライプ状にパターニン
グされ、透明電極53,…が形成される。The ITO thin film 63 formed as described above
Are removed by lift-off by peeling off the resists 62, ... (Refer to (f) in the same figure), and etching is performed using a positive type resist (second resist) 65 ,. (see (h)), the transparent electrodes 53, ... Are formed by patterning in stripes.
【0060】すなわち、リフトオフを行なうことによ
り、ポジ型レジスト62,…と、該レジスト62,…の
部分のITO薄膜63を除去する(同図(f) 参照)。That is, by performing lift-off, the positive type resists 62, ... And the ITO thin film 63 on the resists 62, ... Are removed (see FIG. 6 (f)).
【0061】さらに、別のポジ型レジスト65,…を、
同図(g) に示すように、ITO薄膜63の一部及び金属
電極55,…を覆うように一定のピッチで形成する。そ
して、露光をした後に、ヨウ化水素酸により非晶質IT
O薄膜63をエッチングして、ポジ型レジスト65,…
にて被覆されずに露出されている部分の除去を行なう
(同図(h) 参照)。これにより、ストライプ状の透明電
極53,…が形成される。Further, another positive type resist 65, ...
As shown in FIG. 6G, the ITO thin film 63 is formed at a constant pitch so as to cover a part thereof and the metal electrodes 55, .... Then, after the exposure, an amorphous IT is formed by hydroiodic acid.
By etching the O thin film 63, a positive resist 65, ...
Remove the part that is not covered with and is exposed (see (h) in the figure). As a result, stripe-shaped transparent electrodes 53, ... Are formed.
【0062】また、本工程においては、成膜条件を精密
に制御してITO薄膜63の厚さを1500Åとし、透
明電極53,…が、金属電極55a,…の表面から10
0Åだけ突出するようにしている。これは、透明電極5
3,…の膜厚は後工程のアニールを経て100Å程度減
少するので、完成した製品において、透明電極53,…
の表面が金属電極55,…の表面と共にほぼ平坦な面を
形成するようにするためである。In this process, the film forming conditions are precisely controlled to set the thickness of the ITO thin film 63 to 1500 Å, and the transparent electrodes 53, ... 10 from the surface of the metal electrodes 55a ,.
It is designed to project by 0Å. This is the transparent electrode 5
Since the film thicknesses of 3, ... Are reduced by about 100Å after annealing in the subsequent process, the transparent electrodes 53 ,.
This is to form a substantially flat surface with the surfaces of the metal electrodes 55, ....
【0063】なお、透明電極53,…を形成しても、ポ
ジ型レジスト65,…の剥離は行なわず、次の絶縁部形
成工程を実施する。 (絶縁部形成工程)次に、スパッタリング法によって、
SiOX から成る絶縁薄膜66を、1600Åの厚さに
形成する(同図(i) 参照)。Even if the transparent electrodes 53, ... Are formed, the positive resists 65, .. (Insulating part forming step) Next, by a sputtering method,
An insulating thin film 66 made of SiO x is formed to a thickness of 1600 Å (see (i) in the figure).
【0064】なお、絶縁薄膜66を形成するに際して
は、基板の加熱は行なうことなく成膜条件を低温とし、
レジスト65,…が硬化しないようにした。When the insulating thin film 66 is formed, the substrate is not heated and the film forming condition is set to low temperature.
The resists 65, ... Are prevented from hardening.
【0065】さらに、リフトオフを実施し、ポジ型レジ
スト65,…、及び該レジスト65,…の部分の絶縁薄
膜66を剥離した(同図(j) 参照)。これにより、絶縁
部56,…が基板51の表面に直接形成される。 (配向制御膜形成工程)そして、これらの透明電極5
3,…、金属電極55,…、及び絶縁部56,…の表面
Bに、TaOスパッタ膜を900Åの厚さに形成し、さ
らにTiSiOXスピンコート膜を500Åの厚さに形
成し、さらに配向制御膜(日立化成製LQ1802)を
200Åの厚さに形成し、ナイロン布でラビングを行な
った。これにより、電極基板50が形成される。 (基板貼り合わせ工程)次に、電極基板50の表面にス
ペーサ粒子を散布し、シール材を塗布し、2枚の電極基
板50,50を貼り合わせる。 (液晶注入工程)その後、一対の基板50,50の間隙
に強誘電性液晶を注入する。Further, lift-off was carried out to remove the positive type resists 65, ... And the insulating thin film 66 in the resists 65 ,. As a result, the insulating portions 56, ... Are directly formed on the surface of the substrate 51. (Alignment control film forming step) And these transparent electrodes 5
3, ..., Metal electrodes 55, ..., And the surface B of the insulating portion 56, .. A TaO sputtered film is formed to a thickness of 900 Å, and a TiSiO x spin coat film is formed to a thickness of 500 Å, and further oriented. A control film (LQ1802 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was formed to a thickness of 200Å and rubbed with a nylon cloth. Thereby, the electrode substrate 50 is formed. (Substrate Bonding Step) Next, spacer particles are dispersed on the surface of the electrode substrate 50, a sealing material is applied, and the two electrode substrates 50, 50 are bonded together. (Liquid Crystal Injection Step) After that, ferroelectric liquid crystal is injected into the gap between the pair of substrates 50, 50.
【0066】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。Next, the effect of the present embodiment will be described.
【0067】本実施の形態によれば、各透明電極53,
…の断面形状が略L字状であり、各金属電極55,…
が、その一側面と底面とを各透明電極53,…と接触す
るように配置されているため、各金属電極55,…と各
透明電極53,…との接触面積が増大され、その結果こ
れらの電極の接触抵抗が低減され、液晶素子の表示品質
が向上されるという効果を奏する。According to the present embodiment, each transparent electrode 53,
The cross-sectional shape of ... Is substantially L-shaped, and each metal electrode 55 ,.
However, since one side surface and the bottom surface are arranged so as to contact the respective transparent electrodes 53, ..., The contact area between the respective metal electrodes 55, ... And the respective transparent electrodes 53 ,. The contact resistance of the electrode is reduced, and the display quality of the liquid crystal element is improved.
【0068】また、本実施の形態によれば、上述した実
施の形態と同様の効果を奏する。Further, according to the present embodiment, the same effect as that of the above-mentioned embodiments can be obtained.
【0069】すなわち、本実施の形態によれば、金属電
極55,…が透明電極53,…に沿って配置されて駆動
信号を伝達するため、電圧波形の遅延の問題が解消され
る。That is, according to the present embodiment, since the metal electrodes 55, ... Are arranged along the transparent electrodes 53, ... And transmit the drive signal, the problem of the delay of the voltage waveform is solved.
【0070】なお、金属電極55,…を成膜する際の基
板温度が高ければ、結晶性が良好となりライン抵抗が下
がる反面、析出物の発生やレジストの効果等の問題があ
るが、本実施の形態においては該基板温度を120℃程
度とすることにより、これらの問題を解決した上でライ
ン抵抗を低減している。If the substrate temperature at the time of depositing the metal electrodes 55, ... Is high, the crystallinity is good and the line resistance is low, but there are problems such as the generation of precipitates and the effect of the resist. In this mode, the substrate resistance is set to about 120 ° C. to solve these problems and reduce the line resistance.
【0071】また、透明電極53,…、金属電極55,
…、及び絶縁部56,…によって平坦な面Bが形成され
るため、これらの面上に形成される配向制御膜の表面も
平坦となり、大きな段差は生じない。なお、本発明者が
触針式荒さ計で実測したところ、P−Vで180Åとな
った。Further, the transparent electrodes 53, ..., The metal electrodes 55,
.. and the insulating portions 56, ... Form a flat surface B, so that the surface of the orientation control film formed on these surfaces is also flat and a large step is not generated. In addition, when the present inventor actually measured with a stylus type roughness meter, it was 180 Å in PV.
【0072】したがって、以下のような効果が得られ
る。Therefore, the following effects can be obtained.
【0073】すなわち、配向制御膜の表面に大きな段差
が生じないことから、ラビング処理を均一に行なえる。
その結果、注入した液晶に配向欠陥はほとんど発生せ
ず、良好な表示品質をもつ液晶素子を得ることができ
る。That is, since a large step is not formed on the surface of the orientation control film, the rubbing process can be performed uniformly.
As a result, almost no alignment defects occur in the injected liquid crystal, and a liquid crystal element having good display quality can be obtained.
【0074】また、配向制御膜の表面に大きな段差が生
じないことから、ラビング布の劣化も少なくなり、ラビ
ング布の均一性管理が容易となる。そして、ラビング布
を頻繁に交換する必要がなく、その分ラビング処理の作
業性が向上される。Further, since a large step is not formed on the surface of the orientation control film, deterioration of the rubbing cloth is reduced and the uniformity of the rubbing cloth is easily controlled. Further, it is not necessary to frequently change the rubbing cloth, and the workability of the rubbing process is improved accordingly.
【0075】さらに、配向制御膜の表面に大きな段差が
生じないことから、液晶層の厚さも均一となり、セル厚
のミクロな変化によるクロマト効果も減少し、液晶の注
入抵抗も下がり、注入をするプロセスの良品率が上が
る、若しくは注入時間の短縮化も可能となる。Further, since a large step is not formed on the surface of the orientation control film, the thickness of the liquid crystal layer becomes uniform, the chromatographic effect due to the micro change of the cell thickness is reduced, the injection resistance of the liquid crystal is lowered, and the injection is performed. The non-defective rate of the process can be increased or the injection time can be shortened.
【0076】ついで、図7(a) 〜(j) に沿って、本発明
の他の実施の形態について説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 (a) to 7 (j).
【0077】本実施の形態に係る液晶素子は、図7(j)
に示す電極基板70を2つ備えており、これら一対の電
極基板70,70の間隙には、上述した実施の形態と同
様に、多数のスペーサ粒子(不図示)や強誘電性を示す
カイラルスメクチック液晶(同じく不図示)が配置され
ている。The liquid crystal element according to the present embodiment is shown in FIG.
2 are provided, and a large number of spacer particles (not shown) and a chiral smectic exhibiting ferroelectricity are provided in the gap between the pair of electrode substrates 70, 70, as in the above-described embodiment. A liquid crystal (also not shown) is arranged.
【0078】また、電極基板70を構成するガラス基板
71の表面には、駆動電極72,…がストライプ状に多
数形成されており、各1本の駆動電極72は、1本の透
明電極73と1本の金属電極75とによって構成されて
いる。このうち、透明電極73は、断面形状が略コ字状
となるようにガラス基板71の表面に形成されており、
表面に凹部を有している。なお、透明電極73,…は、
上述実施の形態と同様に非晶質ITOを必要に応じてア
ニーリングすることにより形成されている。A large number of drive electrodes 72, ... Are formed in stripes on the surface of the glass substrate 71 that constitutes the electrode substrate 70. Each drive electrode 72 and one transparent electrode 73. It is composed of one metal electrode 75. Of these, the transparent electrode 73 is formed on the surface of the glass substrate 71 so that the cross-sectional shape is a substantially U shape.
It has a recess on the surface. The transparent electrodes 73, ...
Similar to the above-described embodiment, it is formed by annealing amorphous ITO as needed.
【0079】さらに、金属電極75は、透明電極73の
凹部に埋設されて、その2つの側面と底面とが透明電極
73に接触し、かつ透明電極73と共に断面が略四角形
の駆動電極72を構成している。そして、金属電極75
と透明電極73とは、ほぼ平坦な面を形成している。Further, the metal electrode 75 is embedded in the recess of the transparent electrode 73, two side surfaces and the bottom surface of which are in contact with the transparent electrode 73, and together with the transparent electrode 73, the drive electrode 72 having a substantially rectangular cross section is formed. doing. And the metal electrode 75
The transparent electrode 73 and the transparent electrode 73 form a substantially flat surface.
【0080】一方、駆動電極72,72相互の間隙には
絶縁部76が埋設されており、ガラス基板71の表面に
は、駆動電極72,…と絶縁部76,…とが隙間なく配
置されることとなる。On the other hand, an insulating portion 76 is embedded in the gap between the drive electrodes 72, 72, and the drive electrodes 72, ... And the insulating portions 76 ,. It will be.
【0081】なお、透明電極73,…、金属電極75,
…、及び絶縁部76,…は、それらがほぼ平坦な面Cを
形成するような厚さに形成されており、該面Cには配向
制御膜(不図示)が形成されている。The transparent electrodes 73, ..., The metal electrodes 75,
, And insulating portions 76, ... Are formed to a thickness such that they form a substantially flat surface C, and an orientation control film (not shown) is formed on the surface C.
【0082】本発明では、上述した電極基板の形成をカ
ラー液晶表示素子に適用することができる。即ち、基板
上にR,G,B等の各色のカラーフィルタ膜及びその平
坦化層を形成した後、上述した透明電極や絶縁層の形成
を行なうことができる。In the present invention, the above-mentioned formation of the electrode substrate can be applied to a color liquid crystal display element. That is, after forming the color filter film of each color of R, G, B and the like and the flattening layer thereof on the substrate, the above-mentioned transparent electrode and insulating layer can be formed.
【0083】次に、液晶素子の製造方法について、図7
(a) 〜(j) に沿って説明する。Next, the manufacturing method of the liquid crystal element will be described with reference to FIG.
Explanation will be given along (a) to (j).
【0084】本実施の形態における液晶素子の製造方法
は、図6に示したものとほぼ同様であり、薄肉部形成工
程(第1の透明電極形成工程)と、金属電極形成工程
と、厚肉部形成工程(第2の透明電極形成工程)とから
なる駆動電極形成工程を有しており、その他に、絶縁部
形成工程と、配向制御膜形成工程と、基板貼り合わせ工
程と、液晶注入工程とを有している。また、薄肉部形成
工程と厚肉部形成工程とによって透明電極形成工程が構
成されている。The method of manufacturing the liquid crystal element in the present embodiment is almost the same as that shown in FIG. 6, and includes a thin portion forming step (first transparent electrode forming step), a metal electrode forming step, and a thick wall forming step. And a drive electrode forming step including a part forming step (second transparent electrode forming step), and an insulating part forming step, an alignment control film forming step, a substrate bonding step, and a liquid crystal injecting step. And have. Further, the transparent electrode forming step is constituted by the thin portion forming step and the thick portion forming step.
【0085】ただ、本実施の形態においては、厚肉部形
成工程においてポジ型レジスト(第2のレジスト)6
5,…を形成する位置が上述した実施の形態のものと異
なり、各ポジ型レジスト65,…は、各金属電極75,
…と、各金属電極75,…の両側の非晶質ITO薄膜6
3と、を覆うように配置されている。これにより、各透
明電極73,…を断面略コ字状に形成している。However, in this embodiment, the positive resist (second resist) 6 is used in the thick portion forming step.
The position where 5, ... Is formed is different from that of the above-described embodiment, each positive resist 65 ,.
, And the amorphous ITO thin film 6 on both sides of each metal electrode 75.
3 and 3 are arranged so as to cover them. As a result, the transparent electrodes 73, ... Are formed in a substantially U-shaped cross section.
【0086】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。Next, the effect of this embodiment will be described.
【0087】一般に、非晶質ITO薄膜のエッチング特
性をメタルエッチング特性に近付けたとしても、レジス
トのパターン欠陥や、ゴミ等から、非晶質ITO薄膜を
エッチングする工程においてAl合金等にメタル腐食が
発生し、金属電極の内部抵抗が増大したり、最悪の場合
には金属電極が断線してしまうという問題があった。Generally, even if the etching characteristic of the amorphous ITO thin film is brought close to the metal etching characteristic, metal corrosion occurs in the Al alloy or the like in the step of etching the amorphous ITO thin film due to pattern defects of the resist, dust, and the like. However, there is a problem in that the internal resistance of the metal electrode increases, and in the worst case, the metal electrode is disconnected.
【0088】しかし、本実施の形態によれば、金属電極
75,…が透明電極73,…の内部に埋設されているた
め、金属電極75,…にメタル腐食や断線が発生しにく
いという効果がある。However, according to the present embodiment, since the metal electrodes 75, ... Are embedded inside the transparent electrodes 73, .., the metal electrodes 75 ,. is there.
【0089】また、本実施の形態によれば、透明電極7
3,…の断面形状が略コ字状であり、各金属電極75,
…が、その両側面と底面とを各透明電極73,…と接触
するように配置されているため、各金属電極75,…と
各透明電極73,…との接触面積が増大され、その結果
これらの電極の接触抵抗が低減され、液晶素子の表示品
質が向上されるという効果を奏する。Further, according to the present embodiment, the transparent electrode 7
The cross-sectional shape of 3, ... Is substantially U-shaped, and each metal electrode 75,
, Are arranged so that the both side surfaces and the bottom surface thereof are in contact with the respective transparent electrodes 73, ... Therefore, the contact area between the respective metal electrodes 75 ,. The contact resistance of these electrodes is reduced, and the display quality of the liquid crystal element is improved.
【0090】さらに、本実施の形態においても、上述し
た他の実施の形態と同様の効果が得られる。Further, also in this embodiment, the same effect as that of the other embodiments described above can be obtained.
【0091】すなわち、本実施の形態によれば、金属電
極75,…が透明電極73,…に沿って配置されて駆動
信号を伝達するため、電圧波形の遅延の問題が解消され
る。That is, according to the present embodiment, since the metal electrodes 75, ... Are arranged along the transparent electrodes 73, ... And transmit the drive signal, the problem of voltage waveform delay is solved.
【0092】なお、金属電極75,…を成膜する際の基
板温度が高ければ、結晶性が良好となりライン抵抗が下
がる反面、析出物の発生やレジストの硬化等の問題があ
るが、本実施の形態においては該基板温度を120℃程
度とすることにより、これらの問題を解決した上でライ
ン抵抗を低減している。If the substrate temperature at the time of forming the metal electrodes 75, ... Is high, the crystallinity is good and the line resistance is lowered, but on the other hand, there are problems such as the generation of precipitates and the hardening of the resist. In this mode, the substrate resistance is set to about 120 ° C. to solve these problems and reduce the line resistance.
【0093】また、透明電極73,…、金属電極75,
…、及び絶縁部76,…によって平坦な面Cが形成され
るため、これらの面上に形成される配向制御膜の表面も
平坦となり、大きな段差は生じない。したがって、以下
のような効果が得られる。Further, transparent electrodes 73, ..., Metal electrodes 75,
.. and the insulating portions 76, ... Form a flat surface C, so that the surface of the orientation control film formed on these surfaces is also flat and a large step is not generated. Therefore, the following effects can be obtained.
【0094】すなわち、配向制御膜の表面に大きな段差
が生じないことから、ラビング処理を均一に行なえる。
その結果、注入した液晶に配向欠陥はほとんど発生せ
ず、良好な表示品質をもつ液晶素子を得ることができ
る。That is, since a large step is not formed on the surface of the orientation control film, the rubbing process can be performed uniformly.
As a result, almost no alignment defects occur in the injected liquid crystal, and a liquid crystal element having good display quality can be obtained.
【0095】また、配向制御膜の表面に大きな段差が生
じないことから、ラビング布の劣化も少なくなり、ラビ
ング布の均一性管理が容易となる。そして、ラビング布
を頻繁に交換する必要がなく、その分ラビング処理の作
業性が向上される。Further, since a large step is not formed on the surface of the orientation control film, deterioration of the rubbing cloth is reduced and the uniformity of the rubbing cloth is easily controlled. Further, it is not necessary to frequently change the rubbing cloth, and the workability of the rubbing process is improved accordingly.
【0096】さらに、配向制御膜の表面に大きな段差が
生じないことから、液晶層の厚さも均一となり、セル厚
のミクロな変化によるクロマト効果も減少し、液晶の注
入抵抗も下がり、注入をするプロセスの良品率が上が
る、若しくは注入時間の短縮化も可能となる。Furthermore, since the surface of the orientation control film does not have a large step, the thickness of the liquid crystal layer becomes uniform, the chromatographic effect due to microscopic changes in cell thickness is reduced, and the injection resistance of the liquid crystal is also lowered to perform injection. The non-defective rate of the process can be increased or the injection time can be shortened.
【0097】なお、上述した各実施の形態においては、
本発明を、表面感受性の高いラビングにより配向を得る
強誘電性液晶に適用するものとしたが、もちろんこれに
限る必要はなく、TN,STN,TFTに適用するよう
にしても良い。また、斜方蒸着のように、ラビング以外
の異方性を付与する表面しゅうしょく法により配向を得
る技術に適用しても良く、その場合においても、膜の均
一形成、液晶注入の容易さ、セル厚の均一性等の効果が
得られる。In each of the above embodiments,
Although the present invention is applied to a ferroelectric liquid crystal that obtains orientation by rubbing with high surface sensitivity, the invention is not limited to this and may be applied to TN, STN, and TFT. Further, it may be applied to a technique of obtaining an orientation by a surface impregnation method that imparts anisotropy other than rubbing, such as oblique vapor deposition, and even in that case, uniform film formation, ease of liquid crystal injection, Effects such as uniformity of cell thickness can be obtained.
【0098】[0098]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る液晶
素子によると、駆動電極及び絶縁部によりほぼ平坦な面
が形成されるため、その面に配向制御膜を形成しても、
該配向制御膜の表面は同様に平坦となり、大きな段差は
生じない。したがって、該配向制御膜の表面にラビング
布を擦り付けてラビング処理をしても、ラビング処理を
均一に行なえ、配向欠陥の発生を防止でき、良好な表示
品質をもつ液晶素子を得ることができる。また、ラビン
グ布の劣化も少なくなり、ラビング布の均一性管理が容
易となる。そして、ラビング布を頻繁に交換する必要が
なく、ラビングの生産性低下を防止できる。さらに、液
晶の厚さも均一となり、セル厚のミクロな変化によるク
ロマト効果も減少する。またさらに、液晶の注入抵抗も
下がり、注入をするプロセスの良品率が上がる、若しく
は注入時間の短縮化も可能となる。As described above, according to the liquid crystal element of the present invention, a substantially flat surface is formed by the drive electrode and the insulating portion. Therefore, even if an alignment control film is formed on that surface,
Similarly, the surface of the orientation control film is flat and no large step is generated. Therefore, even if the rubbing treatment is performed by rubbing the rubbing cloth on the surface of the alignment control film, the rubbing treatment can be performed uniformly, the occurrence of alignment defects can be prevented, and a liquid crystal element having good display quality can be obtained. In addition, the deterioration of the rubbing cloth is reduced, and the uniformity of the rubbing cloth is easily managed. Further, it is not necessary to frequently replace the rubbing cloth, and it is possible to prevent the rubbing productivity from being lowered. Furthermore, the thickness of the liquid crystal becomes uniform, and the chromatographic effect due to microscopic changes in cell thickness is reduced. Further, the injection resistance of the liquid crystal is also lowered, the non-defective rate of the injection process is increased, or the injection time can be shortened.
【0099】また、各駆動電極を、透明電極と、該透明
電極に沿って該透明電極に接触するように配置した金属
電極と、によってそれぞれ構成した場合には、電圧波形
の遅延が解消される。Further, when each drive electrode is composed of a transparent electrode and a metal electrode arranged along the transparent electrode so as to contact the transparent electrode, the delay of the voltage waveform is eliminated. .
【0100】さらに、透明電極の凹部に金属電極を埋設
させて駆動電極を形成した場合には、透明電極と金属電
極との接触面積を増大させて接触抵抗を低減でき、液晶
素子の表示品質が向上されるという効果を奏する。Further, when the drive electrode is formed by embedding the metal electrode in the recess of the transparent electrode, the contact area between the transparent electrode and the metal electrode can be increased to reduce the contact resistance, and the display quality of the liquid crystal element is improved. The effect is improved.
【0101】またさらに、透明電極を断面略コ字状に形
成して、該コ字状の断面により形成される凹部に金属電
極を埋設させて駆動電極を形成した場合には、金属電極
の底面及び2つの側面が透明電極と接触し、透明電極と
金属電極との接触面積をさらに増大できる。また、金属
電極にメタル腐食や断線が発生しにくい。Furthermore, when the transparent electrode is formed in a substantially U-shaped cross section and the drive electrode is formed by embedding the metal electrode in the recess formed by the U-shaped cross section, the bottom surface of the metal electrode Further, the two side surfaces contact the transparent electrode, and the contact area between the transparent electrode and the metal electrode can be further increased. Further, metal corrosion or disconnection is unlikely to occur on the metal electrode.
【図1】液晶素子の一般的構造を説明するための断面
図。FIG. 1 is a sectional view illustrating a general structure of a liquid crystal element.
【図2】透明電極の形状を説明するための詳細断面図。FIG. 2 is a detailed cross-sectional view for explaining the shape of a transparent electrode.
【図3】金属電極を配した他の構造例を説明するための
詳細断面図であり、(a) は金属電極が透明電極の表面の
みに形成されているもの、(b) は金属電極が透明電極と
ガラス基板とにわたって形成されているもの、を示す
図。FIG. 3 is a detailed cross-sectional view for explaining another structural example in which a metal electrode is arranged, (a) shows a metal electrode formed only on the surface of a transparent electrode, and (b) shows a metal electrode. The figure which shows what is formed over a transparent electrode and a glass substrate.
【図4】本発明に係る液晶素子の構造を説明するための
断面図。FIG. 4 is a sectional view for explaining the structure of the liquid crystal element according to the present invention.
【図5】本発明に係る液晶素子の製造方法、特に電極基
板の製造方法を説明するための図。FIG. 5 is a diagram for explaining a method of manufacturing a liquid crystal element according to the present invention, particularly a method of manufacturing an electrode substrate.
【図6】本発明に係る液晶素子の製造方法、特に電極基
板の製造方法を説明するための図。FIG. 6 is a diagram for explaining a method for manufacturing a liquid crystal element according to the present invention, particularly a method for manufacturing an electrode substrate.
【図7】本発明に係る液晶素子の製造方法、特に電極基
板の製造方法を説明するための図。FIG. 7 is a diagram for explaining a method for manufacturing a liquid crystal element according to the present invention, particularly a method for manufacturing an electrode substrate.
5a,5b ガラス基板 22 強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶
(液晶) 23a,…,23b,… 駆動電極 25a,…,25b,… 透明電極 26a,…,26b,… 金属電極 27a,…,27b,… 絶縁部 31,… ポジ型レジスト(第1のレジスト) 32 非晶質ITO薄膜(透明電極膜) 33,… ポジ型レジスト(第2のレジスト) 35 絶縁薄膜(絶縁膜) 51 ガラス基板 52,… 駆動電極 53,… 透明電極 55,… 金属電極 56,… 絶縁部 62,… ポジ型レジスト(第1のレジスト) 63 非晶質ITO薄膜(透明電極膜) 65,… ポジ型レジスト(第2のレジスト) 66 絶縁薄膜(絶縁膜) 71 ガラス基板 72,… 駆動電極 73,… 透明電極 75,… 金属電極 76,… 絶縁部 A 平坦な面 B 平坦な面 C 平坦な面 P2 液晶素子5a, 5b Glass substrate 22 Chiral smectic liquid crystal (liquid crystal) 23a, ..., 23b, ... Driving electrode 25a, ..., 25b, ... Transparent electrode 26a, ..., 26b, ... Metal electrode 27a ,. Insulating portion 31, Positive resist (first resist) 32 Amorphous ITO thin film (transparent electrode film) 33, Positive resist (second resist) 35 Insulating thin film (insulating film) 51 Glass substrate 52, Drive electrode 53, transparent electrode 55, metal electrode 56, insulating part 62, positive resist (first resist) 63 amorphous ITO thin film (transparent electrode film) 65, positive resist (second resist) Resist) 66 insulating thin film (insulating film) 71 glass substrate 72, ... drive electrode 73, ... transparent electrode 75, ... metal electrode 76, ... insulation part A flat surface B flat surface C Flat surface P 2 Liquid crystal element
Claims (19)
ぞれの基板にストライプ状に多数形成された駆動電極
と、前記一対の基板の間に配置された液晶と、を備えた
液晶素子において、 前記駆動電極相互の間隙に絶縁部を埋設し、かつ、 前記駆動電極及び前記絶縁部によりほぼ平坦な面を形成
した、 ことを特徴とする液晶素子。1. A liquid crystal device comprising: a pair of substrates arranged apart from each other; a plurality of drive electrodes formed in stripes on each substrate; and a liquid crystal arranged between the pair of substrates. A liquid crystal element, wherein an insulating portion is embedded in a gap between the drive electrodes, and a substantially flat surface is formed by the drive electrode and the insulating portion.
電極に沿って該透明電極に接触するように配置した金属
電極と、によってそれぞれ構成し、かつ、 前記駆動電極及び前記絶縁部によりほぼ平坦な面を形成
した、 ことを特徴とする請求項1記載の液晶素子。2. Each of the drive electrodes is configured by a transparent electrode and a metal electrode arranged along the transparent electrode so as to be in contact with the transparent electrode, and the drive electrode and the insulating portion are provided. The liquid crystal element according to claim 1, wherein a substantially flat surface is formed.
縁部が、いずれも前記基板の表面に隙間なくほぼ等しい
厚さで形成されることに基づき、ほぼ平坦な面を形成し
た、 ことを特徴とする請求項2記載の液晶素子。3. The transparent electrode, the metal electrode, and the insulating portion are all formed on the surface of the substrate to have substantially the same thickness without a gap, so that a substantially flat surface is formed. The liquid crystal element according to claim 2.
金属電極よりも厚く形成されると共に、表面に凹部を有
し、かつ、 前記金属電極が、該金属電極の底面及び少なくとも一方
の側面が前記透明電極に接触するように前記凹部に埋設
されて、前記透明電極と共にほぼ平坦な面を形成する、 ことを特徴とする請求項2記載の液晶素子。4. The transparent electrode is formed on the surface of the substrate to be thicker than the metal electrode, and has a recess on the surface, and the metal electrode has a bottom surface and at least one side surface of the metal electrode. 3. The liquid crystal element according to claim 2, wherein the liquid crystal element is embedded in the recess so as to contact the transparent electrode, and forms a substantially flat surface together with the transparent electrode.
れ、 前記金属電極が、前記透明電極に埋設されて、断面が略
四角形の駆動電極を前記透明電極と共に形成し、かつ、 前記凹部に埋設された前記金属電極の底面及び1つの側
面が、前記透明電極に接触された、 ことを特徴とする請求項4記載の液晶素子。5. The transparent electrode is formed to have a substantially L-shaped cross section, the metal electrode is embedded in the transparent electrode to form a drive electrode having a substantially rectangular cross section together with the transparent electrode, and the recessed portion. The liquid crystal element according to claim 4, wherein a bottom surface and one side surface of the metal electrode embedded in the transparent electrode are in contact with the transparent electrode.
れ、 前記金属電極が、前記透明電極に埋設されて、断面が略
四角形の駆動電極を前記透明電極と共に形成し、かつ、 該凹部に埋設された前記金属電極の底面及び2つの側面
が、前記透明電極に接触された、 ことを特徴とする請求項4記載の液晶素子。6. The transparent electrode is formed in a substantially U-shaped cross section, the metal electrode is embedded in the transparent electrode to form a drive electrode having a substantially rectangular cross section together with the transparent electrode, and the recessed portion. 5. The liquid crystal element according to claim 4, wherein the bottom surface and the two side surfaces of the metal electrode embedded in are in contact with the transparent electrode.
Oから形成された、 ことを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項記載の
液晶素子。7. The IT in which the transparent electrode contains an amorphous component.
7. The liquid crystal device according to claim 2, wherein the liquid crystal device is formed of O. 7.
成される面が、20nm以下の段差を有する、 ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の
液晶素子。8. The liquid crystal element according to claim 1, wherein a surface formed by the drive electrode and the insulating portion has a step difference of 20 nm or less.
形成する駆動電極形成工程と、該駆動電極の形成された
一対の基板を離間した状態に貼り合わせる基板貼り合わ
せ工程と、これら一対の基板の間隙に液晶を注入する液
晶注入工程と、を備えた液晶素子の製造方法において、 前記駆動電極とほぼ等しい厚さの絶縁部を、前記駆動電
極相互の間隙に埋設する絶縁部形成工程を備え、 前記駆動電極形成工程にて、レジストを用いてエッチン
グすることに基づき前記駆動電極をストライプ状にパタ
ーニングし、かつ、 前記絶縁部形成工程にて、前記レジストを剥離しない状
態で絶縁膜を成膜し、その後前記レジストを剥離するこ
とにより前記絶縁部を形成する、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。9. A drive electrode forming step of forming drive electrodes in a stripe shape on the surface of a substrate, a substrate attaching step of attaching a pair of substrates on which the drive electrodes are formed in a separated state, and a pair of these substrates. A liquid crystal injecting step of injecting liquid crystal into the gap between the driving electrodes, the method comprising: In the drive electrode forming step, the drive electrode is patterned into stripes based on etching with a resist, and in the insulating portion forming step, an insulating film is formed without removing the resist. Then, the insulating portion is formed by peeling off the resist, and the method for producing a liquid crystal element.
ストライプ状に形成する金属電極形成工程と、成膜した
透明電極膜をストライプ状にパターニングすることによ
り透明電極を形成する透明電極形成工程と、からなり、
かつ、 これらの電極形成工程を実施することにより、前記金属
電極と、該金属電極に沿って該金属電極に接触するよう
に配置された前記透明電極と、によって前記駆動電極を
構成する、 ことを特徴とする請求項9記載の液晶素子の製造方法。10. The drive electrode forming step includes a metal electrode forming step of forming a metal electrode in a stripe shape, and a transparent electrode forming step of forming a transparent electrode by patterning the formed transparent electrode film in a stripe shape. Consists of,
And, by carrying out these electrode forming steps, the drive electrode is constituted by the metal electrode and the transparent electrode arranged so as to come into contact with the metal electrode along the metal electrode. 10. The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 9, which is characterized in that.
ジストを用いてエッチングすることに基づき前記金属電
極をストライプ状にパターニングし、 前記透明電極形成工程にて、前記第1のレジストを剥離
すると共に、第2のレジストを用いてエッチングするこ
とに基づき前記透明電極をストライプ状にパターニング
し、かつ、 前記絶縁部形成工程を、前記第2のレジストを剥離しな
い状態で実施する、 ことを特徴とする請求項10記載の液晶素子の製造方
法。11. In the metal electrode forming step, the metal electrode is patterned into stripes based on etching using a first resist, and in the transparent electrode forming step, the first resist is peeled off. In addition, the transparent electrode is patterned into a stripe shape based on etching using the second resist, and the insulating portion forming step is performed in a state where the second resist is not peeled off. The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 10.
電極を前記基板の表面に直接形成し、 前記透明電極形成工程にて、前記透明電極を前記金属電
極とほぼ等しい厚みとなるように前記基板の表面に直接
形成し、 前記絶縁部形成工程にて、前記絶縁部を前記金属電極及
び前記透明電極とほぼ等しい厚みとなるように前記基板
の表面に直接形成し、かつ、 前記透明電極、前記金属電極及び前記絶縁部が、ほぼ平
坦な面を形成した、 ことを特徴とする請求項10又は11記載の液晶素子の
製造方法。12. The metal electrode is formed directly on the surface of the substrate in the metal electrode forming step, and the transparent electrode is formed to have a thickness substantially equal to that of the metal electrode in the transparent electrode forming step. Directly formed on the surface of the substrate, in the insulating portion forming step, the insulating portion is directly formed on the surface of the substrate so as to have substantially the same thickness as the metal electrode and the transparent electrode, and the transparent electrode, The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 10 or 11, wherein the metal electrode and the insulating portion form a substantially flat surface.
極形成工程の前に実施して前記基板の表面全体に透明電
極膜を形成する第1の透明電極形成工程と、前記金属電
極形成工程の後に実施して、前記金属電極の少なくとも
一方の側面に接触するような形状の透明電極を形成する
第2の透明電極形成工程と、からなり、 前記金属電極形成工程にて、前記透明電極膜の表面に前
記金属電極が形成され、かつ、 前記金属電極が、該金属電極の底面及び少なくとも一方
の側面が前記透明電極に接触するように配置された、 ことを特徴とする請求項10又は11記載の液晶素子の
製造方法。13. The first transparent electrode forming step of forming the transparent electrode film on the entire surface of the substrate by performing the transparent electrode forming step before the metal electrode forming step, and the metal electrode forming step. And a second transparent electrode forming step of forming a transparent electrode having a shape such that the transparent electrode is in contact with at least one side surface of the metal electrode. The metal electrode is formed on the surface, and the metal electrode is arranged so that the bottom surface and at least one side surface of the metal electrode are in contact with the transparent electrode. Manufacturing method of liquid crystal element of.
によって、前記透明電極が断面略L字状に形成され、 前記金属電極が、前記透明電極に埋設された状態となっ
て断面が略四角形の駆動電極を前記透明電極と共に構成
する、 ことを特徴とする請求項13記載の液晶素子の製造方
法。14. The transparent electrode is formed into a substantially L-shaped cross section by the first and second transparent electrode forming steps, and the metal electrode is embedded in the transparent electrode to have a substantially cross section. 14. The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 13, wherein a rectangular drive electrode is formed together with the transparent electrode.
によって、前記透明電極が断面略コ字状に形成され、 前記金属電極が、前記透明電極に埋設された状態となっ
て断面が略四角形の駆動電極を前記透明電極と共に構成
する、 ことを特徴とする請求項13記載の液晶素子の製造方
法。15. The transparent electrode is formed into a substantially U-shaped cross section by the first and second transparent electrode forming steps, and the metal electrode is embedded in the transparent electrode to have a substantially cross section. 14. The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 13, wherein a rectangular drive electrode is formed together with the transparent electrode.
電極をスパッタリング法、若しくは蒸着により形成す
る、 ことを特徴とする請求項10乃至15のいずれか1項記
載の液晶素子の製造方法。16. The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 10, wherein the metal electrode is formed by a sputtering method or vapor deposition in the metal electrode forming step.
極膜の成膜を、前記第1のレジストが硬化しない低温条
件で行なう、 ことを特徴とする請求項11乃至16のいずれか1項記
載の液晶素子の製造方法。17. The liquid crystal according to claim 11, wherein the transparent electrode film is formed in the transparent electrode forming step under a low temperature condition where the first resist is not cured. Device manufacturing method.
成膜を、前記第2のレジストが硬化しない低温条件で行
なう、 ことを特徴とする請求項11乃至17のいずれか1項記
載の液晶素子の製造方法。18. The liquid crystal device according to claim 11, wherein the insulating film is formed in the insulating portion forming step under a low temperature condition in which the second resist is not cured. Manufacturing method.
ジストがポジ型レジストである、 ことを特徴とする請求項11乃至18のいずれか1項記
載の液晶素子の製造方法。19. The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 11, wherein the first resist and the second resist are positive resists.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35412895A JPH09185078A (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Liquid crystal element and production of this liquid element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35412895A JPH09185078A (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Liquid crystal element and production of this liquid element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09185078A true JPH09185078A (en) | 1997-07-15 |
Family
ID=18435488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35412895A Pending JPH09185078A (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Liquid crystal element and production of this liquid element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09185078A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000148043A (en) * | 1998-09-10 | 2000-05-26 | Sharp Corp | Electrode substrate and its production as well as liquid crystal display element |
JP2015536023A (en) * | 2012-11-30 | 2015-12-17 | エルジー・ケム・リミテッド | Conductive substrate and manufacturing method thereof |
JP2016517136A (en) * | 2013-08-01 | 2016-06-09 | エルジー・ケム・リミテッド | TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE, TRANSPARENT ELECTRODE CONTAINING TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE |
-
1995
- 1995-12-29 JP JP35412895A patent/JPH09185078A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000148043A (en) * | 1998-09-10 | 2000-05-26 | Sharp Corp | Electrode substrate and its production as well as liquid crystal display element |
JP2015536023A (en) * | 2012-11-30 | 2015-12-17 | エルジー・ケム・リミテッド | Conductive substrate and manufacturing method thereof |
JP2016517136A (en) * | 2013-08-01 | 2016-06-09 | エルジー・ケム・リミテッド | TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE, TRANSPARENT ELECTRODE CONTAINING TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE |
US9750131B2 (en) | 2013-08-01 | 2017-08-29 | Lg Chem, Ltd. | Transparent conductive laminate, transparent electrode including transparent conductive laminate, and method for manufacturing transparent conductive laminate |
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