JPH09181684A - 電気吸収型変調器付き振幅変調装置 - Google Patents
電気吸収型変調器付き振幅変調装置Info
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- JPH09181684A JPH09181684A JP8281065A JP28106596A JPH09181684A JP H09181684 A JPH09181684 A JP H09181684A JP 8281065 A JP8281065 A JP 8281065A JP 28106596 A JP28106596 A JP 28106596A JP H09181684 A JPH09181684 A JP H09181684A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｎ個の状態（Ｎは２以上）を有する電気信号
（Ｓ）によって光信号（Ｌ）を振幅変調するための装置
を提供する。 【解決手段】 本発明によれば、この装置は、第二入力
部の上流側に整形手段（１）を備え、その一つの入力部
が、Ｎ状態の電気信号（Ｓ）を受け取り、その出力が、
前記Ｎ状態の電気信号のレベルが所定のしきい値を超え
たのに応答して前記Ｎ個の状態のうちの一つの状態から
別の状態に移行し、前記Ｎ状態の電気信号野レベルがこ
の所定のしきい値を下回ったのに応答して前記別の状態
からＮ個の状態のうちの前記一つの状態に移行する。所
定のしきい値は、前記一つの状態と前記別の状態の対に
関連し、この二つの状態がそれぞれとるレベルの間に含
まれ、それらのレベルとは異なるレベルを有する。
（Ｓ）によって光信号（Ｌ）を振幅変調するための装置
を提供する。 【解決手段】 本発明によれば、この装置は、第二入力
部の上流側に整形手段（１）を備え、その一つの入力部
が、Ｎ状態の電気信号（Ｓ）を受け取り、その出力が、
前記Ｎ状態の電気信号のレベルが所定のしきい値を超え
たのに応答して前記Ｎ個の状態のうちの一つの状態から
別の状態に移行し、前記Ｎ状態の電気信号野レベルがこ
の所定のしきい値を下回ったのに応答して前記別の状態
からＮ個の状態のうちの前記一つの状態に移行する。所
定のしきい値は、前記一つの状態と前記別の状態の対に
関連し、この二つの状態がそれぞれとるレベルの間に含
まれ、それらのレベルとは異なるレベルを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に光学信号
を伝送のため電気信号で振幅変調するための変調器に関
する。より詳細には、本発明は、文献では、ＡＳＫ（振
幅シフトキーイング）変調と呼ばれるＮ状態（Ｎ≧２）
振幅変調で動作するかかる装置に関する。
を伝送のため電気信号で振幅変調するための変調器に関
する。より詳細には、本発明は、文献では、ＡＳＫ（振
幅シフトキーイング）変調と呼ばれるＮ状態（Ｎ≧２）
振幅変調で動作するかかる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置は通常、レーザ光源で発生
された光信号を第一入力部で受け取り、Ｎ状態変調用電
気信号を第二入力部で受け取る電気吸収型（electro-ab
sorption）変調器を使用する。この装置は、振幅変調さ
れた光信号を出力部に発生する。変調用電気信号が二進
信号のとき、変調済み光信号ＳＭ（ｔ）の振幅Ａ（ｔ）
は、電気吸収型変調器の出力において、光信号の角周波
数をωとしてＳＭ（ｔ）＝Ａ（ｔ）・ｃｏｓ（ω・ｔ）
となり、二進電気信号が「０」状態すなわち第一状態
か、それとも「１」状態すなわち第二状態かに応じて、
二つの状態Ａ（ｔ）＝０とＡ（ｔ）＝Ａｍａｘの一方を
とる。
された光信号を第一入力部で受け取り、Ｎ状態変調用電
気信号を第二入力部で受け取る電気吸収型（electro-ab
sorption）変調器を使用する。この装置は、振幅変調さ
れた光信号を出力部に発生する。変調用電気信号が二進
信号のとき、変調済み光信号ＳＭ（ｔ）の振幅Ａ（ｔ）
は、電気吸収型変調器の出力において、光信号の角周波
数をωとしてＳＭ（ｔ）＝Ａ（ｔ）・ｃｏｓ（ω・ｔ）
となり、二進電気信号が「０」状態すなわち第一状態
か、それとも「１」状態すなわち第二状態かに応じて、
二つの状態Ａ（ｔ）＝０とＡ（ｔ）＝Ａｍａｘの一方を
とる。
【０００３】図１において、デカルトダイアグラム（di
agramme cartesien）の第一象限は、変調用の二進電気
信号の電圧Ｖを時間ｔの関数として表し、第二象限は、
電気吸収型変調器の出力における変調済み光信号の出力
Ｐを変調用電気信号の電圧Ｖの関数として表した曲線Ｃ
を示し、第三象限は、第一象限に示した変調用の二進電
気信号が変調器の変調入力部に加えられたときの、変調
器の出力における変調済み光信号の出力Ｐを時間ｔの関
数として示す。変調用二進電気信号の二進要素すなわち
ビットは、各要素の立上りと立下りが傾いた、ほぼ台形
の形状を有する。変調器から出された変調済み光信号の
エンベロープをアイダイアグラム（diagramme de loei
l）Ｏ２の形で表した図は、変調用電気信号をやはりア
イダイアグラムＯ１の形で表した図の、曲線Ｃに関する
二重投影によって作成される。
agramme cartesien）の第一象限は、変調用の二進電気
信号の電圧Ｖを時間ｔの関数として表し、第二象限は、
電気吸収型変調器の出力における変調済み光信号の出力
Ｐを変調用電気信号の電圧Ｖの関数として表した曲線Ｃ
を示し、第三象限は、第一象限に示した変調用の二進電
気信号が変調器の変調入力部に加えられたときの、変調
器の出力における変調済み光信号の出力Ｐを時間ｔの関
数として示す。変調用二進電気信号の二進要素すなわち
ビットは、各要素の立上りと立下りが傾いた、ほぼ台形
の形状を有する。変調器から出された変調済み光信号の
エンベロープをアイダイアグラム（diagramme de loei
l）Ｏ２の形で表した図は、変調用電気信号をやはりア
イダイアグラムＯ１の形で表した図の、曲線Ｃに関する
二重投影によって作成される。
【０００４】この図を検討すると、変調用電気信号の二
進要素が平均電圧レベルＸ１に関して対称的なアイダイ
アグラムを形成する場合、変調済み光信号のエンベロー
プのアイダイアグラムＯ２は非対称形であり、エンベロ
ーブの立上り及び立下りは最大出力レベルＰｍａｘと最
小出力レベルＰｍｉｎの真中のレベルで交差しない。こ
の非対称性のため、受信エラー率が与えられている場合
に、変調済み光信号が通過できる最大距離に限度があ
る。
進要素が平均電圧レベルＸ１に関して対称的なアイダイ
アグラムを形成する場合、変調済み光信号のエンベロー
プのアイダイアグラムＯ２は非対称形であり、エンベロ
ーブの立上り及び立下りは最大出力レベルＰｍａｘと最
小出力レベルＰｍｉｎの真中のレベルで交差しない。こ
の非対称性のため、受信エラー率が与えられている場合
に、変調済み光信号が通過できる最大距離に限度があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、特に有利な二進電気信号による光信号の振幅変調の
装置を提供することにより、前記の不都合を改善するこ
とを狙いとする。
は、特に有利な二進電気信号による光信号の振幅変調の
装置を提供することにより、前記の不都合を改善するこ
とを狙いとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そのために、Ｎ個の状態
（Ｎは２以上）を有する電気信号によって光信号を振幅
変調するための装置であって、変調すべき前記光信号を
受け取る第一入力部と、変調用電気信号を受け取る第二
入力部とを備える変調器と、本発明によれば、前記装置
は第二入力部の上流側に整形手段を備え、前記整形手段
の入力部が前記Ｎ状態の電気信号を受け取り、前記整形
手段の出力が、前記Ｎ状態の電気信号のレベルが所定の
しきい値を超えたのに応答して前記Ｎ個の状態のうちの
一つの状態から別の状態に移行し、また前記Ｎ状態の電
気信号のレベルが前記所定のしきい値を下回ったのに応
答して前記別の状態からＮ個の状態のうちの前記一つの
状態に移行し、前記所定のしきい値が、前記一つの状態
と別の状態の組合せに関連付けられ、この二つの状態が
とるレベルの間にあってそれらとは異なるレベルを有す
ることを特徴とする。
（Ｎは２以上）を有する電気信号によって光信号を振幅
変調するための装置であって、変調すべき前記光信号を
受け取る第一入力部と、変調用電気信号を受け取る第二
入力部とを備える変調器と、本発明によれば、前記装置
は第二入力部の上流側に整形手段を備え、前記整形手段
の入力部が前記Ｎ状態の電気信号を受け取り、前記整形
手段の出力が、前記Ｎ状態の電気信号のレベルが所定の
しきい値を超えたのに応答して前記Ｎ個の状態のうちの
一つの状態から別の状態に移行し、また前記Ｎ状態の電
気信号のレベルが前記所定のしきい値を下回ったのに応
答して前記別の状態からＮ個の状態のうちの前記一つの
状態に移行し、前記所定のしきい値が、前記一つの状態
と別の状態の組合せに関連付けられ、この二つの状態が
とるレベルの間にあってそれらとは異なるレベルを有す
ることを特徴とする。
【０００７】一実施形態によれば、Ｎ状態の電気信号
は、第一状態と第二状態を有する二状態二進電気信号で
あり、前記整形手段の出力が、前記二進電気信号のレベ
ルが所定のしきい値を超えたのに応答して第一状態から
第二状態に移行し、また前記二進電気信号のレベルが前
記所定のしきい値を下回ったのに応答して前記第二状態
から前記第一状態に移行する。
は、第一状態と第二状態を有する二状態二進電気信号で
あり、前記整形手段の出力が、前記二進電気信号のレベ
ルが所定のしきい値を超えたのに応答して第一状態から
第二状態に移行し、また前記二進電気信号のレベルが前
記所定のしきい値を下回ったのに応答して前記第二状態
から前記第一状態に移行する。
【０００８】この実施形態では、前記整形手段は、二入
力ＯＲゲートの形であり、前記二つの入力のうちの一方
が前記二進電気信号を受け取り、前記二つの入力のうち
の他方が、前記第一状態となり、前記所定のしきい値が
前記ＯＲゲートの基準電圧に対応する。
力ＯＲゲートの形であり、前記二つの入力のうちの一方
が前記二進電気信号を受け取り、前記二つの入力のうち
の他方が、前記第一状態となり、前記所定のしきい値が
前記ＯＲゲートの基準電圧に対応する。
【０００９】この整形手段は、前記二進電気信号を非反
転入力部で受け取り、基準電圧を反転入力部で受け取る
比較器の形にすることもできる。
転入力部で受け取り、基準電圧を反転入力部で受け取る
比較器の形にすることもできる。
【００１０】典型的には、光信号はレーザ光源によって
発生される。
発生される。
【００１１】さらに、整形手段の出力は、直列に配置さ
れた増幅器とＴバイアスを介して電気吸収型変調器の第
二入力部に加えることができる。
れた増幅器とＴバイアスを介して電気吸収型変調器の第
二入力部に加えることができる。
【００１２】本発明のその他の特徴及び利点は、添付の
対応する図面を参照しながら以下の説明を読めばより明
らかになるであろう。
対応する図面を参照しながら以下の説明を読めばより明
らかになるであろう。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下の説明は、Ｎ＝２状態の電気
信号である二進電気信号による光信号の変調について考
察するだけに限ったものであるが、本発明は、Ｎが２以
上の任意の数の状態をもつ電気信号による変調に拡張で
きることに当業者なら理解するであろう。
信号である二進電気信号による光信号の変調について考
察するだけに限ったものであるが、本発明は、Ｎが２以
上の任意の数の状態をもつ電気信号による変調に拡張で
きることに当業者なら理解するであろう。
【００１４】図２を参照すると、本発明による二進電気
信号によって光信号を振幅変調するための装置は、本発
明を構成する整形回路１と、電気吸収型変調器４または
マッハチェンダ（ＭＡＣＨ−ＺＥＮＤＥＲ）、レーザ光
源５と、好ましくは増幅器２及びＴバイアス３とを備え
る。電気吸収型変調器４の第一入力部はレーザ光源５か
ら供給された光信号Ｌを受け取る。変調器４の第二入力
部は変調信号Ｍを受け取る。入力二進電気信号Ｓは、整
形回路１を介してこの第二入力部に加えられ、さらに場
合によっては整形回路と並列に配置された増幅器２及び
Ｔバイアス３に加えられる。Ｔ３は適切な動作ゾーンに
おける変調器４のバイアスを可能にする。整形回路１
は、したがって第二入力部の上流側に配置され、加算器
１０と二入力ＯＲゲート１１を縦続接続した形で備え、
ＯＲゲートの出力部は増幅器２の入力部に接続されてい
る。入力二進電気信号Ｓは加算器１０の第一入力部に加
えられ、この加算器の第二入力部は基準電圧Ｖｒｅｆを
受け取る。この加算器１０の一入力部はＯＲゲート１１
の第一入力部に接続されている。このゲート１１の第二
入力部は「０」状態を受け取る。
信号によって光信号を振幅変調するための装置は、本発
明を構成する整形回路１と、電気吸収型変調器４または
マッハチェンダ（ＭＡＣＨ−ＺＥＮＤＥＲ）、レーザ光
源５と、好ましくは増幅器２及びＴバイアス３とを備え
る。電気吸収型変調器４の第一入力部はレーザ光源５か
ら供給された光信号Ｌを受け取る。変調器４の第二入力
部は変調信号Ｍを受け取る。入力二進電気信号Ｓは、整
形回路１を介してこの第二入力部に加えられ、さらに場
合によっては整形回路と並列に配置された増幅器２及び
Ｔバイアス３に加えられる。Ｔ３は適切な動作ゾーンに
おける変調器４のバイアスを可能にする。整形回路１
は、したがって第二入力部の上流側に配置され、加算器
１０と二入力ＯＲゲート１１を縦続接続した形で備え、
ＯＲゲートの出力部は増幅器２の入力部に接続されてい
る。入力二進電気信号Ｓは加算器１０の第一入力部に加
えられ、この加算器の第二入力部は基準電圧Ｖｒｅｆを
受け取る。この加算器１０の一入力部はＯＲゲート１１
の第一入力部に接続されている。このゲート１１の第二
入力部は「０」状態を受け取る。
【００１５】加算器１０の出力部で、Ｓ’＝Ｓ＋Ｖｒｅ
ｆで定義される信号Ｓ’が発生する。二進信号Ｓの
「１」状態に対応する電圧Ｖｍａｘで表すと、ＯＲゲー
ト１１の出力は、Ｓ’≧Ｖｍａｘ／２、すなわちＳ＋Ｖ
ｒｅｆ≧Ｖｍａｘ／２、すなわちＳ≧Ｖｒｅｆ’の場合
に、「０」状態から「１」状態に移行し、Ｓ’≦Ｖｍａ
ｘ／２、すなわちＳ＋Ｖｒｅｆ≦Ｖｍａｘ／２、すなわ
ちＳ≦Ｖｒｅｆ’の場合に、「１」状態から「０」状態
に移行する。
ｆで定義される信号Ｓ’が発生する。二進信号Ｓの
「１」状態に対応する電圧Ｖｍａｘで表すと、ＯＲゲー
ト１１の出力は、Ｓ’≧Ｖｍａｘ／２、すなわちＳ＋Ｖ
ｒｅｆ≧Ｖｍａｘ／２、すなわちＳ≧Ｖｒｅｆ’の場合
に、「０」状態から「１」状態に移行し、Ｓ’≦Ｖｍａ
ｘ／２、すなわちＳ＋Ｖｒｅｆ≦Ｖｍａｘ／２、すなわ
ちＳ≦Ｖｒｅｆ’の場合に、「１」状態から「０」状態
に移行する。
【００１６】次に図４Ａ及び図４Ｂを参照して整形回路
１の機能について説明する。これらの図では、「１」及
び「０」の状態の二進要素を重ねてある。
１の機能について説明する。これらの図では、「１」及
び「０」の状態の二進要素を重ねてある。
【００１７】整形回路１の出力ＳＴは、入力二進信号Ｓ
の立上り６のレベルがＶｒｅｆを超えるとき、「０」状
態から「１」状態に移行する。同様に、整形回路１の出
力ＳＴは、入力二進信号Ｓの立下り７のレベルがＶｒｅ
ｆを下回るとき、「１」状態から「０」状態に移行す
る。信号ＳＴの立上り６’と立下り７’は、アイダイア
グラム型の図で、非中央レベルで交差する点８’を有す
るという性質をもち、一方入力二進信号Ｓは、それぞれ
「０」状態と「１」状態に対応するレベルに関して真中
である立上り６と立下り７の交差する点８を有する。
の立上り６のレベルがＶｒｅｆを超えるとき、「０」状
態から「１」状態に移行する。同様に、整形回路１の出
力ＳＴは、入力二進信号Ｓの立下り７のレベルがＶｒｅ
ｆを下回るとき、「１」状態から「０」状態に移行す
る。信号ＳＴの立上り６’と立下り７’は、アイダイア
グラム型の図で、非中央レベルで交差する点８’を有す
るという性質をもち、一方入力二進信号Ｓは、それぞれ
「０」状態と「１」状態に対応するレベルに関して真中
である立上り６と立下り７の交差する点８を有する。
【００１８】したがって、光信号Ｌの変調用の二進電気
信号ＳＴは、場合によっては増幅器２と変換器３の後
に、立上りと立下りの間に移動した交差点をもつ修正ア
イダイアグラムを有し、それが電気吸収型変調器４（図
１）の非線性特性を補償することになる。図４Ｃに示す
ように、電気吸収型変調器の出力部では、ほぼ対称形の
変調済み光信号のエンベローブのアイダイアグラムが得
られ、これは、受信エラー率が与えられた場合、変調済
み光信号が通過できる最大距離を提供する。
信号ＳＴは、場合によっては増幅器２と変換器３の後
に、立上りと立下りの間に移動した交差点をもつ修正ア
イダイアグラムを有し、それが電気吸収型変調器４（図
１）の非線性特性を補償することになる。図４Ｃに示す
ように、電気吸収型変調器の出力部では、ほぼ対称形の
変調済み光信号のエンベローブのアイダイアグラムが得
られ、これは、受信エラー率が与えられた場合、変調済
み光信号が通過できる最大距離を提供する。
【００１９】実際には、基準電圧Ｖｒｅｆ’は、ほぼ対
称形の変調済み信号のエンベローブのアイダイアグラム
が得られるように調節しなければならない。この電圧Ｖ
ｒｅｆ’はもちろんそれぞれ「０」状態と「１」状態に
関連するレベルの間に含まれ、これらの状態と異なる。
称形の変調済み信号のエンベローブのアイダイアグラム
が得られるように調節しなければならない。この電圧Ｖ
ｒｅｆ’はもちろんそれぞれ「０」状態と「１」状態に
関連するレベルの間に含まれ、これらの状態と異なる。
【００２０】図３に示すように、本発明の他の変形形態
によれば、整形回路１は単一のＯＲゲート１２の形をと
ることができ、この分極電圧はＶｒｅｆ’に調整され
る。このＯＲゲートは入力二進電気信号Ｓを第一入力部
で受け取り、「０」状態を第二入力部で受け取る。この
ゲートは、Ｓ≧Ｖｒｅｆ’のとき、「０」状態から
「１」状態に移行し、Ｓ≦Ｖｒｅｆ’のとき、「１」状
態から「０」状態に移行する。
によれば、整形回路１は単一のＯＲゲート１２の形をと
ることができ、この分極電圧はＶｒｅｆ’に調整され
る。このＯＲゲートは入力二進電気信号Ｓを第一入力部
で受け取り、「０」状態を第二入力部で受け取る。この
ゲートは、Ｓ≧Ｖｒｅｆ’のとき、「０」状態から
「１」状態に移行し、Ｓ≦Ｖｒｅｆ’のとき、「１」状
態から「０」状態に移行する。
【００２１】さらに別の変形形態によれば、整形回路
は、入力二進電気信号を非反転入力部で受け取り、基準
電圧を反転入力部で受け取る、比較器の形とすることが
できる。
は、入力二進電気信号を非反転入力部で受け取り、基準
電圧を反転入力部で受け取る、比較器の形とすることが
できる。
【００２２】実際には、本発明は、入力二進電気信号Ｓ
の周波数が例えば、２．５ＧＨｚと高い場合に特に有利
なことが明らかである。ただし、あらゆる周波数に適用
可能である。
の周波数が例えば、２．５ＧＨｚと高い場合に特に有利
なことが明らかである。ただし、あらゆる周波数に適用
可能である。
【００２３】本発明はＮ状態の二進電気信号による変調
に拡張することができる。その場合は、電気信号レベル
が所定のしきい値を超えたのに応答して一つの出力部が
Ｎ個の状態のうちの一つの状態から別の状態に移行し、
電気信号のレベルが所定のしきい値を下回ったのに応答
してこの別の状態から前記一つの状態に移行する、整形
手段を設けることが必要である。その場合、それぞれの
しきい値は、Ｎ状態信号において遷移が可能な状態の対
それぞれ関連する。このしきい値は、当該の二つの状態
の間に含まれ、これらの状態がとるレベルとは異なるレ
ベルを有する。
に拡張することができる。その場合は、電気信号レベル
が所定のしきい値を超えたのに応答して一つの出力部が
Ｎ個の状態のうちの一つの状態から別の状態に移行し、
電気信号のレベルが所定のしきい値を下回ったのに応答
してこの別の状態から前記一つの状態に移行する、整形
手段を設けることが必要である。その場合、それぞれの
しきい値は、Ｎ状態信号において遷移が可能な状態の対
それぞれ関連する。このしきい値は、当該の二つの状態
の間に含まれ、これらの状態がとるレベルとは異なるレ
ベルを有する。
【図１】電気吸収型変調器の伝達関数の非線形性を示す
ためのデカルトダイアグラムである。
ためのデカルトダイアグラムである。
【図２】本発明の第一の実施形態による、光信号を二進
電気信号で振幅変調するための装置を示す図である。
電気信号で振幅変調するための装置を示す図である。
【図３】本発明の第二の実施形態による、光信号を二進
電気信号で振幅変調するための装置を示す図である。
電気信号で振幅変調するための装置を示す図である。
【図４Ａ】入力二進電気信号、本発明に従って変調二進
電気信号に変換された二進電気信号、及び本発明に従っ
て電気吸収型変調器の出力部で得られる変調済み光信号
のエンベロープのタイミング図である。
電気信号に変換された二進電気信号、及び本発明に従っ
て電気吸収型変調器の出力部で得られる変調済み光信号
のエンベロープのタイミング図である。
【図４Ｂ】入力二進電気信号、本発明に従って変調二進
電気信号に変換された二進電気信号、及び本発明に従っ
て電気吸収型変調器の出力部で得られる変調済み光信号
のエンベロープのタイミング図である。
電気信号に変換された二進電気信号、及び本発明に従っ
て電気吸収型変調器の出力部で得られる変調済み光信号
のエンベロープのタイミング図である。
【図４Ｃ】力二進電気信号、本発明に従って変調二進電
気信号に変換された二進電気信号、及び本発明に従って
電気吸収型変調器の出力部で得られる変調済み光信号の
エンベロープのタイミング図である。
気信号に変換された二進電気信号、及び本発明に従って
電気吸収型変調器の出力部で得られる変調済み光信号の
エンベロープのタイミング図である。
１ 整形回路 ２ 増幅器 ３ Ｔバイアス ４ 電気吸収型変調器 ５ レーザ光源 １０ 加算器 １１ ＯＲゲート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/28 10/26 10/14
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｎ個の状態（Ｎは２以上）を有する電気
信号（Ｓ）によって光信号（Ｌ）を振幅変調するための
装置であって、 変調すべき前記光信号（Ｌ）を第一入力部で受け取り、
変調用電気信号（Ｍ）を第二入力部で受け取る変調器
（４）を備えており、 第二入力部の上流側に整形手段（１）を備え、前記整形
手段の入力部が前記Ｎ状態の電気信号（Ｓ）を受け取
り、前記整形手段の出力が、前記Ｎ状態の電気信号のレ
ベルが所定のしきい値（Ｖｒｅｆ’）を超えたのに応答
して前記Ｎ個の状態のうちの一つの状態から別の状態に
移行し、また前記Ｎ状態の電気信号のレベルが前記所定
のしきい値を下回ったのに応答して前記別の状態からＮ
個の状態のうちの前記一つの状態に移行し、前記所定の
しきい値が、前記一つの状態と別の状態の組合せに関連
付けられ、この二つの状態がとるレベルの間にあってそ
れらとは異なるレベルを有することを特徴とする装置。 - 【請求項２】 前記Ｎ状態の電気信号（Ｓ）が第一状態
と第二状態を有する二状態二進電気信号であり、前記整
形手段（１）の出力が、前記二進電気信号（Ｓ）のレベ
ルが所定のしきい値（Ｖｒｅｆ’）を超えたのに応答し
て第一状態（「０」）から第二状態（「１」）に移行
し、また前記二進電気信号のレベルが前記所定のしきい
値（Ｖｒｅｆ’）を下回ったのに応答して前記第二状態
（「１」）から前記第一状態（「０」）に移行すること
を特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記整形手段が二入力ＯＲゲート（１
２）の形であり、前記二つの入力のうちの一方が前記二
進電気信号（Ｓ）を受け取り、前記二つの入力のうちの
他方が、前記第一状態（「０」）となり、前記所定のし
きい値が前記ＯＲゲートの基準電圧に対応することを特
徴とする請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記整形手段が、前記二進電気信号を非
反転入力部で受け取り、基準電圧を反転入力部で受け取
る比較器の形であることを特徴とする請求項２に記載の
装置。 - 【請求項５】 前記光信号がレーザ光源（５）によって
発生されることを特徴とする請求項１から４のいずれか
一項に記載の装置。 - 【請求項６】 前記整形手段の出力が、増幅器（２）を
介して変調器の前記第二入力部に加えられることを特徴
とする請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項７】 前記整形手段の出力が、Ｔバイアス
（３）を介して変調器の前記第二入力部に加えられるこ
とを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の
装置。 - 【請求項８】 変調器（４）が電気吸収型変調器である
ことを特徴とする請求項１から７いずれか一項に記載の
装置。
Applications Claiming Priority (2)
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| FR9512436 | 1995-10-23 |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH09181684A true JPH09181684A (ja) | 1997-07-11 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JPH09181684A (ja) |
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