JPH09179096A - アクティブマトリックス型液晶表示パネル - Google Patents
アクティブマトリックス型液晶表示パネルInfo
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- JPH09179096A JPH09179096A JP34053095A JP34053095A JPH09179096A JP H09179096 A JPH09179096 A JP H09179096A JP 34053095 A JP34053095 A JP 34053095A JP 34053095 A JP34053095 A JP 34053095A JP H09179096 A JPH09179096 A JP H09179096A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 互いに対向配置される透明基板の位置合わせ
の裕度を大きくでき、かつ、映像信号線とこの映像信号
線に隣接する他の電極との間に短絡欠陥が発生した際
に、その発見および修復を容易する。 【解決手段】 横電界方式のアクティブマトリックス型
液晶表示パネルにおいて、液晶層の光透過の遮蔽はその
液晶層に電界が形成されていない際になされる構成とな
っているとともに、映像信号線とこの映像信号線と隣接
配置される他の電極との間の領域を絶縁膜を介してその
一部が重なる様に導電層が形成され、この導電層は透明
材料で形成されている。
の裕度を大きくでき、かつ、映像信号線とこの映像信号
線に隣接する他の電極との間に短絡欠陥が発生した際
に、その発見および修復を容易する。 【解決手段】 横電界方式のアクティブマトリックス型
液晶表示パネルにおいて、液晶層の光透過の遮蔽はその
液晶層に電界が形成されていない際になされる構成とな
っているとともに、映像信号線とこの映像信号線と隣接
配置される他の電極との間の領域を絶縁膜を介してその
一部が重なる様に導電層が形成され、この導電層は透明
材料で形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリッ
クス型液晶表示パネルに係り、特に、横電界方式と称さ
れるアクティブマトリックス型液晶表示パネルに関す
る。
クス型液晶表示パネルに係り、特に、横電界方式と称さ
れるアクティブマトリックス型液晶表示パネルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称されるアクティブマトリ
ックス型液晶表示パネルは、液晶層を介して互いに対向
して配置される透明基板のうち、その一方の液晶側の単
位画素に相当する領域面に、表示用電極と基準電極とが
備えられ、この表示用電極と基準電極との間において透
明基板と平行に発生させる電界によって該液晶層透過す
る光を変調させるようにしたものである。
ックス型液晶表示パネルは、液晶層を介して互いに対向
して配置される透明基板のうち、その一方の液晶側の単
位画素に相当する領域面に、表示用電極と基準電極とが
備えられ、この表示用電極と基準電極との間において透
明基板と平行に発生させる電界によって該液晶層透過す
る光を変調させるようにしたものである。
【０００３】そして、該透明基板面には、その各画素領
域の境界部において形成された、各画素毎の薄膜トラン
ジスタと、ｘ方向に並設された薄膜トランジスタを一括
してオンさせるための走査信号線と、オンされた薄膜ト
ランジスタを介して前記表示用電極に映像信号を供給す
るための映像信号線と、前記基準電極に基準信号を供給
するための基準信号線等を備えている。
域の境界部において形成された、各画素毎の薄膜トラン
ジスタと、ｘ方向に並設された薄膜トランジスタを一括
してオンさせるための走査信号線と、オンされた薄膜ト
ランジスタを介して前記表示用電極に映像信号を供給す
るための映像信号線と、前記基準電極に基準信号を供給
するための基準信号線等を備えている。
【０００４】このような構成からなる液晶表示パネル
は、たとえば特許出願公表平５−５０５２４７号公報、
特公昭６３−２１９０７号公報、および特開平６−１６
０８７８号公報等に詳述されている。
は、たとえば特許出願公表平５−５０５２４７号公報、
特公昭６３−２１９０７号公報、および特開平６−１６
０８７８号公報等に詳述されている。
【０００５】そして、このような構成からなる液晶表示
パネルにおいて、液晶層を介した他方の透明基板の該液
晶層側の面に形成される遮光膜は、一方の透明基板面に
互いに隣接配置される映像信号線とたとえば基準電極と
の間の領域を充分に覆うようにして形成されるのが必須
の構成となっていた。
パネルにおいて、液晶層を介した他方の透明基板の該液
晶層側の面に形成される遮光膜は、一方の透明基板面に
互いに隣接配置される映像信号線とたとえば基準電極と
の間の領域を充分に覆うようにして形成されるのが必須
の構成となっていた。
【０００６】けだし、表示用電極と基準電極との間にお
いて本来の表示に関係する電界の他に、映像信号線と基
準電極との間に本来の表示とは関係のない電界が発生し
てしまうからである。
いて本来の表示に関係する電界の他に、映像信号線と基
準電極との間に本来の表示とは関係のない電界が発生し
てしまうからである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このことから、半導体
材料からなる薄膜トランジスタへの光照射による特性劣
化を防止する等のために設けられた遮光膜において、上
述したように、映像信号線と基準電極との間の領域を充
分に覆わなければならないという規制が加わることか
ら、他の透明基板との位置合わせにかなりの精度が要求
されるという問題点が指摘されていた。
材料からなる薄膜トランジスタへの光照射による特性劣
化を防止する等のために設けられた遮光膜において、上
述したように、映像信号線と基準電極との間の領域を充
分に覆わなければならないという規制が加わることか
ら、他の透明基板との位置合わせにかなりの精度が要求
されるという問題点が指摘されていた。
【０００８】このため、映像信号線と基準電極とを絶縁
膜を介して互いに重畳させることによって、それらの間
の領域を形成しないようにした構成のもの、あるいは、
隣接配置される映像信号線と基準電極との間を絶縁膜を
介して金属導電層で覆う構成のものが、それぞれ本出願
人によって提案されるに至っている。
膜を介して互いに重畳させることによって、それらの間
の領域を形成しないようにした構成のもの、あるいは、
隣接配置される映像信号線と基準電極との間を絶縁膜を
介して金属導電層で覆う構成のものが、それぞれ本出願
人によって提案されるに至っている。
【０００９】しかし、前者の場合には、互いに重畳配置
される映像信号線と基準電極との間に介在される絶縁膜
の絶縁不良による短絡欠陥の発生が免れ得なかったとい
う問題が残存されていた。
される映像信号線と基準電極との間に介在される絶縁膜
の絶縁不良による短絡欠陥の発生が免れ得なかったとい
う問題が残存されていた。
【００１０】また、後者の場合には、前者のような短絡
欠陥の発生は抑制できるが、なんらかの原因で映像信号
線と基準電極との間に短絡欠陥の発生が生じた際には、
前記金属導電層が不透明材料であるがために該短絡欠陥
の発見が困難となり、ひいては、その修復の作業が困難
であったという問題が残存していた。
欠陥の発生は抑制できるが、なんらかの原因で映像信号
線と基準電極との間に短絡欠陥の発生が生じた際には、
前記金属導電層が不透明材料であるがために該短絡欠陥
の発見が困難となり、ひいては、その修復の作業が困難
であったという問題が残存していた。
【００１１】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、互いに対向配置される透明
基板の位置合わせの裕度を大きくでき、かつ、映像信号
線とこの映像信号線に隣接する他の電極との間に短絡欠
陥が発生した際に、その発見および修復を容易にできる
アクティブマトリックス液晶表示パネルを提供すること
にある。
たものであり、その目的は、互いに対向配置される透明
基板の位置合わせの裕度を大きくでき、かつ、映像信号
線とこの映像信号線に隣接する他の電極との間に短絡欠
陥が発生した際に、その発見および修復を容易にできる
アクティブマトリックス液晶表示パネルを提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１３】液晶層を介して互いに対向して配置される
透明基板のうち、その一方あるいは双方の液晶側の単位
画素に相当する領域面に、表示用電極と基準電極とが備
えられ、この表示用電極と基準電極との間において透明
基板と平行に発生させる電界によって該液晶層透過する
光を変調させるようにしたものであって、前記表示用電
極は、走査信号線への走査信号の供給によってオンする
スイッチング素子を介して映像信号線からの映像信号が
供給されるとともに、前記基準電極は、基準信号線から
の基準信号が供給され、ノーマリブラックの表示モード
であるアクティブマトリックス型液晶表示パネルにおい
て、映像信号線とこの映像信号線と隣接配置される他の
電極との間の領域に、絶縁膜を介して前記映像信号線と
該映像信号線に、隣接する他の電極にその一部が重なる
様に導電層が形成され、この導電層は透明材料で形成さ
れていることを特徴とする。
透明基板のうち、その一方あるいは双方の液晶側の単位
画素に相当する領域面に、表示用電極と基準電極とが備
えられ、この表示用電極と基準電極との間において透明
基板と平行に発生させる電界によって該液晶層透過する
光を変調させるようにしたものであって、前記表示用電
極は、走査信号線への走査信号の供給によってオンする
スイッチング素子を介して映像信号線からの映像信号が
供給されるとともに、前記基準電極は、基準信号線から
の基準信号が供給され、ノーマリブラックの表示モード
であるアクティブマトリックス型液晶表示パネルにおい
て、映像信号線とこの映像信号線と隣接配置される他の
電極との間の領域に、絶縁膜を介して前記映像信号線と
該映像信号線に、隣接する他の電極にその一部が重なる
様に導電層が形成され、この導電層は透明材料で形成さ
れていることを特徴とする。
【００１４】このように構成したアクティブマトリック
ス型液晶表示パネルは、映像信号線とこの映像信号線と
隣接配置される他の電極との間の領域に、絶縁膜を介し
て前記映像信号線と該映像信号線に、隣接する他の電極
にその一部が重なる様に導電層が形成されることによっ
て、映像信号線および他の電極によって発生する電界
は、前記導電膜側に終端してしまい、液晶層側にまで及
んで形成されることがなくなる。
ス型液晶表示パネルは、映像信号線とこの映像信号線と
隣接配置される他の電極との間の領域に、絶縁膜を介し
て前記映像信号線と該映像信号線に、隣接する他の電極
にその一部が重なる様に導電層が形成されることによっ
て、映像信号線および他の電極によって発生する電界
は、前記導電膜側に終端してしまい、液晶層側にまで及
んで形成されることがなくなる。
【００１５】換言すれば、前記導電膜の存在によって、
映像信号線とこの映像信号線と隣接配置される他の電極
との間の領域は、その電位を等価とすることができるよ
うになる。
映像信号線とこの映像信号線と隣接配置される他の電極
との間の領域は、その電位を等価とすることができるよ
うになる。
【００１６】そして、この導電膜は透明材料で形成され
ているために、たとえ映像信号線とこの映像信号線に隣
接配置される他の電極との間に短絡欠陥の発生が生じた
際にあっても、該導電膜を介して短絡欠陥の発見が容易
となり、ひいては、その修復の作業が簡単になる。
ているために、たとえ映像信号線とこの映像信号線に隣
接配置される他の電極との間に短絡欠陥の発生が生じた
際にあっても、該導電膜を介して短絡欠陥の発見が容易
となり、ひいては、その修復の作業が簡単になる。
【００１７】さらに、液晶層の光透過の遮蔽は、いわゆ
るノーマリブラックの構造となっていることから、前記
導電膜が形成されている部分は遮光膜の機能を合わせも
つようになる。
るノーマリブラックの構造となっていることから、前記
導電膜が形成されている部分は遮光膜の機能を合わせも
つようになる。
【００１８】このことから、映像信号線が形成されてい
る透明基板と対向配置される他の透明基板側の遮光膜
は、前記映像信号線の延在方向と直交する方向に延在し
て形成でき、互いに対向配置される透明基板の位置合わ
せの際の裕度を大きくできるようになる。
る透明基板と対向配置される他の透明基板側の遮光膜
は、前記映像信号線の延在方向と直交する方向に延在し
て形成でき、互いに対向配置される透明基板の位置合わ
せの際の裕度を大きくできるようになる。
【００１９】したがって、互いに対向配置される透明基
板の位置合わせの裕度を大きくでき、かつ、映像信号線
とこの映像信号線に隣接する他の電極との間に短絡欠陥
が発生した際に、その発見および修復を容易にできるよ
うになる。
板の位置合わせの裕度を大きくでき、かつ、映像信号線
とこの映像信号線に隣接する他の電極との間に短絡欠陥
が発生した際に、その発見および修復を容易にできるよ
うになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるアクティブマ
トリックス型液晶表示パネルの各実施例について説明を
する。
トリックス型液晶表示パネルの各実施例について説明を
する。
【００２１】実施例１．まず、図２に示すように、液晶
表示パネル１があり、この液晶表示パネル１の液晶層を
介して互いに対向配置される透明基板１Ａ、１Ｂのうち
一方の透明基板１Ａの液晶側の面に、そのｘ方向（行方
向）に延在しｙ方向（列方向）に並設される走査信号線
２および基準信号線４とが形成されている。
表示パネル１があり、この液晶表示パネル１の液晶層を
介して互いに対向配置される透明基板１Ａ、１Ｂのうち
一方の透明基板１Ａの液晶側の面に、そのｘ方向（行方
向）に延在しｙ方向（列方向）に並設される走査信号線
２および基準信号線４とが形成されている。
【００２２】この場合、同図では、透明基板１Ａの上方
から、基準信号線４、この基準信号線と比較的大きく離
間された走査信号線２、この走査信号線２と近接された
基準信号線４、この基準信号線４と比較的大きく離間さ
れた走査信号線２、…というように順次配置されてい
る。
から、基準信号線４、この基準信号線と比較的大きく離
間された走査信号線２、この走査信号線２と近接された
基準信号線４、この基準信号線４と比較的大きく離間さ
れた走査信号線２、…というように順次配置されてい
る。
【００２３】そして、これら走査信号線２および基準信
号線４とそれぞれ絶縁されてｙ方向に延在しｘ方向に並
設される映像信号線３が形成されている。
号線４とそれぞれ絶縁されてｙ方向に延在しｘ方向に並
設される映像信号線３が形成されている。
【００２４】ここで、走査信号線２、基準信号線４、お
よび映像信号線３のそれぞれによって囲まれる矩形状の
比較的広い面積の各領域において単位画素が形成される
領域となり、これら各単位画素がマトリックス状に配置
されて表示面を構成するようになっている。なお、これ
ら各画素領域における詳細な構成は、後に詳述する。
よび映像信号線３のそれぞれによって囲まれる矩形状の
比較的広い面積の各領域において単位画素が形成される
領域となり、これら各単位画素がマトリックス状に配置
されて表示面を構成するようになっている。なお、これ
ら各画素領域における詳細な構成は、後に詳述する。
【００２５】そして、液晶表示パネル１には、その外部
回路として垂直走査回路５および映像信号駆動回路６が
備えられ、該垂直走査回路５によって前記走査信号線２
のそれぞれに順次走査信号（電圧）が供給され、そのタ
イミングに合わせて映像信号駆動回路６から映像信号線
３に映像信号（電圧）を供給するようになっている。
回路として垂直走査回路５および映像信号駆動回路６が
備えられ、該垂直走査回路５によって前記走査信号線２
のそれぞれに順次走査信号（電圧）が供給され、そのタ
イミングに合わせて映像信号駆動回路６から映像信号線
３に映像信号（電圧）を供給するようになっている。
【００２６】垂直走査回路５および映像信号駆動回路６
は、液晶駆動電源回路７から電源が供給されているとと
もに、ＣＰＵ８からの画像情報がコントローラ９によっ
てそれぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力さ
れるようになっている。
は、液晶駆動電源回路７から電源が供給されているとと
もに、ＣＰＵ８からの画像情報がコントローラ９によっ
てそれぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力さ
れるようになっている。
【００２７】また、上述した構成の液晶表示パネル１に
は、特に基準信号線４が設けられ、この基準信号線４に
印加される基準電圧信号も液晶駆動電源回路７から供給
されるようになっている。
は、特に基準信号線４が設けられ、この基準信号線４に
印加される基準電圧信号も液晶駆動電源回路７から供給
されるようになっている。
【００２８】図１は、前記単位画素の一実施例を示す平
面図である（図２の点線で囲んだ領域に相当する）。な
お、図１のIV−IV線における断面図を図４に、V−V線に
おける断面図を図５に、VI−VI線における断面図を図６
に示している。
面図である（図２の点線で囲んだ領域に相当する）。な
お、図１のIV−IV線における断面図を図４に、V−V線に
おける断面図を図５に、VI−VI線における断面図を図６
に示している。
【００２９】図１は、この実施例で特に設けられたたと
えばＩＴＯからなる導電層１００が形成されたものとな
っているが、その下層における構成を先に説明する関係
上、この導電層１００が形成されていない図３に基づい
て、まず説明する。
えばＩＴＯからなる導電層１００が形成されたものとな
っているが、その下層における構成を先に説明する関係
上、この導電層１００が形成されていない図３に基づい
て、まず説明する。
【００３０】図３において、透明基板１Ａの主表面に、
ｘ方向に延在する基準信号線４と、この基準信号線４と
離間されかつ平行に走査信号線２が形成されている。
ｘ方向に延在する基準信号線４と、この基準信号線４と
離間されかつ平行に走査信号線２が形成されている。
【００３１】ここで、基準信号線４には２本の基準電極
１４が一体に形成されている。これら２本の基準電極１
４は、隣接する一対の後述する映像信号線３とで形成さ
れる画素領域のｙ方向辺、すなわち前記それぞれの映像
信号線３に近接して（−）ｙ方向に走査信号線２の近傍
にまで延在されて形成されている。
１４が一体に形成されている。これら２本の基準電極１
４は、隣接する一対の後述する映像信号線３とで形成さ
れる画素領域のｙ方向辺、すなわち前記それぞれの映像
信号線３に近接して（−）ｙ方向に走査信号線２の近傍
にまで延在されて形成されている。
【００３２】そして、これら走査信号線２、基準信号線
４、および基準電極１４が形成された透明基板１Ａの表
面にはこれら走査信号線２等をも被ってたとえばシリコ
ン窒化膜からなる絶縁膜１５（図４、図５、図６参照）
が形成されている。この絶縁膜１５は、後述する映像信
号線３に対しては走査信号線２および基準信号線４との
交差部に対する層間絶縁膜として、薄膜トランジスタＴ
ＦＴの形成領域に対してはゲート絶縁膜として、蓄積容
量Ｃｓｔｇの形成領域に対しては誘電体膜として機能す
るようになっている。
４、および基準電極１４が形成された透明基板１Ａの表
面にはこれら走査信号線２等をも被ってたとえばシリコ
ン窒化膜からなる絶縁膜１５（図４、図５、図６参照）
が形成されている。この絶縁膜１５は、後述する映像信
号線３に対しては走査信号線２および基準信号線４との
交差部に対する層間絶縁膜として、薄膜トランジスタＴ
ＦＴの形成領域に対してはゲート絶縁膜として、蓄積容
量Ｃｓｔｇの形成領域に対しては誘電体膜として機能す
るようになっている。
【００３３】この絶縁膜１５の表面には、まず、その薄
膜トランジスタＴＦＴの形成領域において半導体層１６
が形成されている。この半導体層１６はたとえばアモル
ファスＳｉからなり、走査信号線２上において隣接する
映像信号線３のほぼ中央部分に重畳して形成されてい
る。これにより、走査信号線２の一部が薄膜トランジス
タＴＦＴのゲート電極を兼ねた構成となっている。
膜トランジスタＴＦＴの形成領域において半導体層１６
が形成されている。この半導体層１６はたとえばアモル
ファスＳｉからなり、走査信号線２上において隣接する
映像信号線３のほぼ中央部分に重畳して形成されてい
る。これにより、走査信号線２の一部が薄膜トランジス
タＴＦＴのゲート電極を兼ねた構成となっている。
【００３４】そして、このようにして形成された絶縁膜
１５の表面には、図３に示すように、そのｙ方向に延在
しｘ方向に並設される映像信号線３が形成されている。
１５の表面には、図３に示すように、そのｙ方向に延在
しｘ方向に並設される映像信号線３が形成されている。
【００３５】そして、映像信号線３は、薄膜トランジス
タＴＦＴの前記半導体層１６の表面の一部にまで延在さ
れて形成されたドレイン電極３Ａが一体となって備えら
れている。
タＴＦＴの前記半導体層１６の表面の一部にまで延在さ
れて形成されたドレイン電極３Ａが一体となって備えら
れている。
【００３６】さらに、画素領域における絶縁膜１５の表
面には表示電極１８が形成されている。この表示電極１
８は前記基準電極１４の間を走行するようにして形成さ
れている。すなわち、表示電極１８は、その一端が前記
薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１８Ａを兼ね、そ
のまま（＋）ｙ方向に延在されて基準信号線４上に至
り、さらに基準信号線４上においてその走行方向の両側
に若干延在するＴ字形状となっている。
面には表示電極１８が形成されている。この表示電極１
８は前記基準電極１４の間を走行するようにして形成さ
れている。すなわち、表示電極１８は、その一端が前記
薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１８Ａを兼ね、そ
のまま（＋）ｙ方向に延在されて基準信号線４上に至
り、さらに基準信号線４上においてその走行方向の両側
に若干延在するＴ字形状となっている。
【００３７】この場合、表示電極１８の基準信号線４に
重畳される部分は、前記基準信号線４との間に誘電体膜
としての前記絶縁膜１５を備える蓄積容量Ｃｓｔｇを構
成している。この蓄積容量Ｃｓｔｇは、たとえば薄膜ト
ランジスタＴＦＴがオフした際に表示電極１８に映像情
報を長く蓄積させる効果を奏するようになっている。
重畳される部分は、前記基準信号線４との間に誘電体膜
としての前記絶縁膜１５を備える蓄積容量Ｃｓｔｇを構
成している。この蓄積容量Ｃｓｔｇは、たとえば薄膜ト
ランジスタＴＦＴがオフした際に表示電極１８に映像情
報を長く蓄積させる効果を奏するようになっている。
【００３８】なお、前述した薄膜トランジスタＴＦＴの
ドレイン電極３Ａとソース電極１８Ａとの界面に相当す
る半導体層１６の表面にはリン（Ｐ）がドープされて高
濃度層となっており、これにより前記各電極におけるオ
ーミックコンタクトを図っている。この場合、半導体層
１６の表面の全域には前記高濃度層が形成されており、
前記各電極を形成した後に、該電極をマスクとして該電
極形成領域以外の高濃度層をエッチングするようにして
上記の構成とすることができる。
ドレイン電極３Ａとソース電極１８Ａとの界面に相当す
る半導体層１６の表面にはリン（Ｐ）がドープされて高
濃度層となっており、これにより前記各電極におけるオ
ーミックコンタクトを図っている。この場合、半導体層
１６の表面の全域には前記高濃度層が形成されており、
前記各電極を形成した後に、該電極をマスクとして該電
極形成領域以外の高濃度層をエッチングするようにして
上記の構成とすることができる。
【００３９】そして、このように薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、映像信号線３、表示電極１８、および蓄積容量Ｃｓ
ｔｇが形成された絶縁膜１５の上面にはたとえばシリコ
ン窒化膜からなる保護膜１９（図４、図５、図６参照）
が形成され、この保護膜１９の上面には、上述したよう
に、本実施例で特に設けられたたとえばＩＴＯからなる
導電層１００が形成されている。
Ｔ、映像信号線３、表示電極１８、および蓄積容量Ｃｓ
ｔｇが形成された絶縁膜１５の上面にはたとえばシリコ
ン窒化膜からなる保護膜１９（図４、図５、図６参照）
が形成され、この保護膜１９の上面には、上述したよう
に、本実施例で特に設けられたたとえばＩＴＯからなる
導電層１００が形成されている。
【００４０】すなわち、図１に示すように、映像信号線
３とこの映像信号線３と隣接配置される基準電極１４と
の間の領域に、前記保護膜１９を介して前記映像信号線
と、該映像信号線に隣接する他の電極にその一部が重な
る導電層１００がＩＴＯによって形成されている。そし
て、この導電層１００は、映像信号線３に沿った他の画
素領域に及んで延在され、その辺部は基準電極１４上に
（保護膜１９を介して）重畳されている。
３とこの映像信号線３と隣接配置される基準電極１４と
の間の領域に、前記保護膜１９を介して前記映像信号線
と、該映像信号線に隣接する他の電極にその一部が重な
る導電層１００がＩＴＯによって形成されている。そし
て、この導電層１００は、映像信号線３に沿った他の画
素領域に及んで延在され、その辺部は基準電極１４上に
（保護膜１９を介して）重畳されている。
【００４１】このように構成した導電層１００は、この
液晶表示パネル１において後述するようにいわゆるノー
マリブラック方式を採用することと相俟って、多大な効
果を奏するようになるが、この効果については後に詳述
する。
液晶表示パネル１において後述するようにいわゆるノー
マリブラック方式を採用することと相俟って、多大な効
果を奏するようになるが、この効果については後に詳述
する。
【００４２】そして、このような導電層１００が形成さ
れた保護膜１９の上面には、該導電層１００をも被って
配向膜２０が形成され（図４、５、６参照）、これによ
り液晶表示パネル１の下側基板を構成している。なお、
この下側基板の液晶層側と反対側の面には偏光板２１が
配置されている。
れた保護膜１９の上面には、該導電層１００をも被って
配向膜２０が形成され（図４、５、６参照）、これによ
り液晶表示パネル１の下側基板を構成している。なお、
この下側基板の液晶層側と反対側の面には偏光板２１が
配置されている。
【００４３】さらに、上側基板となる透明基板１Ｂの液
晶側の部分には遮光膜２２が形成されている。
晶側の部分には遮光膜２２が形成されている。
【００４４】この遮光膜２２は、通常において各画素領
域の周辺に相当する領域に形成されるが、この実施例に
おいては、特に、図１の一点鎖線部に相当する領域に形
成されている。すなわち、前記導電層１００が形成され
ている領域には遮光膜２２を敢えて形成しないようにな
っている。この理由は、後に詳述するがノーマリブラッ
ク方式の採用によって前記導電層１００が遮光膜２２の
機能をも有するようになることに基づいている。
域の周辺に相当する領域に形成されるが、この実施例に
おいては、特に、図１の一点鎖線部に相当する領域に形
成されている。すなわち、前記導電層１００が形成され
ている領域には遮光膜２２を敢えて形成しないようにな
っている。この理由は、後に詳述するがノーマリブラッ
ク方式の採用によって前記導電層１００が遮光膜２２の
機能をも有するようになることに基づいている。
【００４５】このため、透明基板１Ｂ側に形成された遮
光膜２２は、前記薄膜トランジスタＴＦＴへ直接光が照
射されるのを防止するための機能と、前記導電膜１００
とともに表示コントラストの向上を図る機能とを備える
ものとなっている。
光膜２２は、前記薄膜トランジスタＴＦＴへ直接光が照
射されるのを防止するための機能と、前記導電膜１００
とともに表示コントラストの向上を図る機能とを備える
ものとなっている。
【００４６】さらに、図４に示すように、遮光膜２２
（図示されていない）が形成された透明基板１Ｂの液晶
層側の面には、カラーフィルタ２３が形成され、このカ
ラーフィルタ２３はｘ方向に隣接する画素領域における
それとは異なった色を備えるとともに、それぞれ映像信
号線３上において境界部を有するようになっている。ま
た、このようにカラーフィルタ２３が形成された面には
樹脂膜等からなる平坦膜２４が形成され、この平坦膜２
４の表面には配向膜２５が形成されている。なお、この
上側基板の液晶層側と反対側の面には偏光板２６が配置
されている。
（図示されていない）が形成された透明基板１Ｂの液晶
層側の面には、カラーフィルタ２３が形成され、このカ
ラーフィルタ２３はｘ方向に隣接する画素領域における
それとは異なった色を備えるとともに、それぞれ映像信
号線３上において境界部を有するようになっている。ま
た、このようにカラーフィルタ２３が形成された面には
樹脂膜等からなる平坦膜２４が形成され、この平坦膜２
４の表面には配向膜２５が形成されている。なお、この
上側基板の液晶層側と反対側の面には偏光板２６が配置
されている。
【００４７】ここで、透明基板１Ａ側に形成された配向
膜２０と偏光板２１、透明基板１Ｂ側に形成された配向
膜２５と偏光板２６との関係を図７を用いて説明する。
膜２０と偏光板２１、透明基板１Ｂ側に形成された配向
膜２５と偏光板２６との関係を図７を用いて説明する。
【００４８】表示用電極１８と基準電極１４との間に印
加される電界の方向２０７に対して、配向膜２０および
２５のいずれのラビング方向２０８の角度はφＬＣとな
っている。また、一方の偏光板２１の偏光透過軸方向２
０９の角度はφＰとなっている。他方の偏光板２６の偏
光透過軸は、φＰと直交している。また、φＬＣ＝φＰ
となっている。また、液晶層ＬＣとしては、誘電率異方
性Δεが正でその値が７．３（１ｋＨｚ）、屈折率異方
性Δｎが０．０７３（５８９ｎｍ、２０℃）のネマチッ
ク液晶の組成物を用いている。
加される電界の方向２０７に対して、配向膜２０および
２５のいずれのラビング方向２０８の角度はφＬＣとな
っている。また、一方の偏光板２１の偏光透過軸方向２
０９の角度はφＰとなっている。他方の偏光板２６の偏
光透過軸は、φＰと直交している。また、φＬＣ＝φＰ
となっている。また、液晶層ＬＣとしては、誘電率異方
性Δεが正でその値が７．３（１ｋＨｚ）、屈折率異方
性Δｎが０．０７３（５８９ｎｍ、２０℃）のネマチッ
ク液晶の組成物を用いている。
【００４９】このような関係からなる配向膜２０、２５
と偏光板２１、２６等の構成は、いわゆるノーマリブラ
ックモードと称されるもので、液晶層ＬＣ内に透明基板
１Ａと平行な電界Ｅを発生せしめることにより、該液晶
層ＬＣに光を透過するようになっている。
と偏光板２１、２６等の構成は、いわゆるノーマリブラ
ックモードと称されるもので、液晶層ＬＣ内に透明基板
１Ａと平行な電界Ｅを発生せしめることにより、該液晶
層ＬＣに光を透過するようになっている。
【００５０】この実施例のように示した液晶表示パネル
は、映像信号線３と基準電極１４との間の領域に、保護
膜１９を介して前記映像信号線と、該映像信号線に隣接
する基準電極にその一部が重なる様に、導電層１００が
形成されることによって、映像信号線３および基準電極
１４によって発生する電界は、前記導電膜１００側に終
端してしまい、液晶層側にまで及んで形成されることが
なくなる。
は、映像信号線３と基準電極１４との間の領域に、保護
膜１９を介して前記映像信号線と、該映像信号線に隣接
する基準電極にその一部が重なる様に、導電層１００が
形成されることによって、映像信号線３および基準電極
１４によって発生する電界は、前記導電膜１００側に終
端してしまい、液晶層側にまで及んで形成されることが
なくなる。
【００５１】換言すれば、前記導電膜１００の存在によ
って、映像信号線３と基準電極１４は、液晶層にとっ
て、その電位を等価とすることができるようになる。
って、映像信号線３と基準電極１４は、液晶層にとっ
て、その電位を等価とすることができるようになる。
【００５２】そして、この導電膜１００はＩＴＯからな
る透明材料で形成されているために、たとえ映像信号線
３と基準電極１４との間に短絡欠陥の発生が生じた際に
あっても、該導電膜１００を介して短絡欠陥の発見が容
易となり、ひいては、その修復の作業が簡単になる。
る透明材料で形成されているために、たとえ映像信号線
３と基準電極１４との間に短絡欠陥の発生が生じた際に
あっても、該導電膜１００を介して短絡欠陥の発見が容
易となり、ひいては、その修復の作業が簡単になる。
【００５３】さらに、液晶層の光透過の遮蔽はその液晶
層に電界が形成されていない際になされるいわゆるノー
マリブラックの構造となっていることから、前記導電膜
１００が形成されている部分は遮光膜の機能を合わせも
つようになる。
層に電界が形成されていない際になされるいわゆるノー
マリブラックの構造となっていることから、前記導電膜
１００が形成されている部分は遮光膜の機能を合わせも
つようになる。
【００５４】このことから、映像信号線３が形成されて
いる透明基板１Ａと対向配置される他の透明基板１Ｂ側
の遮光膜２２は、前記映像信号線３の延在方向と直交す
る方向に延在して形成でき、互いに対向配置される透明
基板１Ｂの位置合わせの際の裕度を大きくできるように
なる。
いる透明基板１Ａと対向配置される他の透明基板１Ｂ側
の遮光膜２２は、前記映像信号線３の延在方向と直交す
る方向に延在して形成でき、互いに対向配置される透明
基板１Ｂの位置合わせの際の裕度を大きくできるように
なる。
【００５５】したがって、互いに対向配置される透明基
板１Ａ、１Ｂの位置合わせの裕度を大きくでき、かつ、
映像信号線３と基準電極１４との間に短絡欠陥が発生し
た際に、その発見および修復を容易にできるようにな
る。
板１Ａ、１Ｂの位置合わせの裕度を大きくでき、かつ、
映像信号線３と基準電極１４との間に短絡欠陥が発生し
た際に、その発見および修復を容易にできるようにな
る。
【００５６】上述した実施例では、映像信号線に沿って
形成された導電層１００の辺部は基準電極１４上に（保
護膜１９を介して）重畳させて形成したものである。し
かし、この構成は開口率の向上を図らんとしたものであ
り、必ずしもこれに限定されることはない。
形成された導電層１００の辺部は基準電極１４上に（保
護膜１９を介して）重畳させて形成したものである。し
かし、この構成は開口率の向上を図らんとしたものであ
り、必ずしもこれに限定されることはない。
【００５７】また、上述した実施例では、映像信号線３
と基準電極１４との間に導電層１００を形成するように
したものである。しかし、たとえば表示用電極１８等が
映像信号線３と隣接配置されるような構造のものにあっ
ては、これらの間に導電層１００を設けるようにしても
よいことはいうまでもない。要は、映像信号線３とこの
映像信号線と隣接配置される他の電極との間において適
用できるようになる。
と基準電極１４との間に導電層１００を形成するように
したものである。しかし、たとえば表示用電極１８等が
映像信号線３と隣接配置されるような構造のものにあっ
ては、これらの間に導電層１００を設けるようにしても
よいことはいうまでもない。要は、映像信号線３とこの
映像信号線と隣接配置される他の電極との間において適
用できるようになる。
【００５８】さらに、上述した実施例では、導電層１０
０の材料としてＩＴＯを用いたものであるが、これに限
定されることはなく、たとえば、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3等
であってもよく、また、これらのうち２種以上を積層さ
せて形成させたものであってもよいことはいうまでもな
い。
０の材料としてＩＴＯを用いたものであるが、これに限
定されることはなく、たとえば、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3等
であってもよく、また、これらのうち２種以上を積層さ
せて形成させたものであってもよいことはいうまでもな
い。
【００５９】なお、上述した液晶表示パネルとして、そ
の映像信号線３、走査信号線２、および基準信号線４の
それぞれの端子は、たとえば電触等の対策からＩＴＯ等
の透明材料で形成しているものがある。この場合におい
て、前記導電層１００の形成の際に同時に前記端子を形
成することによって製造工程の低減を図ることができる
ようになる。
の映像信号線３、走査信号線２、および基準信号線４の
それぞれの端子は、たとえば電触等の対策からＩＴＯ等
の透明材料で形成しているものがある。この場合におい
て、前記導電層１００の形成の際に同時に前記端子を形
成することによって製造工程の低減を図ることができる
ようになる。
【００６０】実施例２．図８に示すように、導電層１０
０は、各画素領域毎に分断されて、すなわち各画素領域
毎に独立して形成されるようになっている。
０は、各画素領域毎に分断されて、すなわち各画素領域
毎に独立して形成されるようになっている。
【００６１】このことは、それぞれの画素領域におい
て、導電膜１００と映像信号線３と基準電極１４とが同
時に短絡しない限り、換言すれば、導電膜１００と映像
信号線３とのみの短絡、あるいは導電膜１００と基準電
極１４とのみの短絡はなんら支障がないことを意味し、
実施例１と比較した場合に、歩留まりの向上が図れると
いう効果を奏する。
て、導電膜１００と映像信号線３と基準電極１４とが同
時に短絡しない限り、換言すれば、導電膜１００と映像
信号線３とのみの短絡、あるいは導電膜１００と基準電
極１４とのみの短絡はなんら支障がないことを意味し、
実施例１と比較した場合に、歩留まりの向上が図れると
いう効果を奏する。
【００６２】実施例３．図９に示すように、導電層１０
０は、各画素領域毎に独立して形成されているととも
に、この導電層１００と遮光膜２２とで平面的に観た場
合に格子状パターンが形成できるように、前記導電層１
００の映像信号線３に沿った長さを最小限に抑えるよう
にしたものである。
０は、各画素領域毎に独立して形成されているととも
に、この導電層１００と遮光膜２２とで平面的に観た場
合に格子状パターンが形成できるように、前記導電層１
００の映像信号線３に沿った長さを最小限に抑えるよう
にしたものである。
【００６３】このようにすることによって、導電層１０
０の面積を小さくでき、導電膜１００と映像信号線３と
基準電極１４との同時短絡の確率を小さくできる。した
がって、歩留まりの向上が図れるようになる。
０の面積を小さくでき、導電膜１００と映像信号線３と
基準電極１４との同時短絡の確率を小さくできる。した
がって、歩留まりの向上が図れるようになる。
【００６４】上述したそれぞれの実施例は、そのいずれ
においても導電膜１００を映像信号線３とこの映像信号
線３と隣接される他の電極の上層に設けたものである。
しかし、下層側に設けても同様の効果を奏する。映像信
号線３およびこの映像信号線３と隣接される他の電極と
から発生する電界は、その大部分が導電膜１００側に終
端するようになり、液晶層側には残りの僅かな部分しか
発生しなくなるからである。
においても導電膜１００を映像信号線３とこの映像信号
線３と隣接される他の電極の上層に設けたものである。
しかし、下層側に設けても同様の効果を奏する。映像信
号線３およびこの映像信号線３と隣接される他の電極と
から発生する電界は、その大部分が導電膜１００側に終
端するようになり、液晶層側には残りの僅かな部分しか
発生しなくなるからである。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によるアクティブマトリックス型液晶表示パネル
によれば、互いに対向配置される透明基板の位置合わせ
の裕度を大きくでき、かつ、映像信号線とこの映像信号
線に隣接する他の電極との間に短絡欠陥が発生した際
に、その発見および修復を容易にできるようになる。
本発明によるアクティブマトリックス型液晶表示パネル
によれば、互いに対向配置される透明基板の位置合わせ
の裕度を大きくでき、かつ、映像信号線とこの映像信号
線に隣接する他の電極との間に短絡欠陥が発生した際
に、その発見および修復を容易にできるようになる。
【図１】本発明によるアクティブマトリックス型液晶表
示パネルの一実施例を示す要部平面図である。
示パネルの一実施例を示す要部平面図である。
【図２】本発明によるアクティブマトリックス型液晶表
示パネルが適用される液晶表示装置の一実施例を示す概
略構成図である。
示パネルが適用される液晶表示装置の一実施例を示す概
略構成図である。
【図３】本発明によるアクティブマトリックス型液晶表
示パネルの一実施例を示す要部説明図である。
示パネルの一実施例を示す要部説明図である。
【図４】図１のIV−IV線における断面図である。
【図５】図１のV−V線における断面図である。
【図６】図１のVI−VI線における断面図である。
【図７】本発明によるアクティブマトリックス型液晶表
示パネルがノーマリブラック方式を採用していることの
説明図である。
示パネルがノーマリブラック方式を採用していることの
説明図である。
【図８】本発明によるアクティブマトリックス型液晶表
示パネルの他の実施例を示す要部平面図である。
示パネルの他の実施例を示す要部平面図である。
【図９】本発明によるアクティブマトリックス型液晶表
示パネルの他の実施例を示す要部平面図である。
示パネルの他の実施例を示す要部平面図である。
２……走査信号線、３……映像信号線、４……基準信号
線、１４……基準電極、１８……表示用電極、２２……
遮光膜、１００……導電層。
線、１４……基準電極、１８……表示用電極、２２……
遮光膜、１００……導電層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦沢 啓一郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内
Claims (10)
- 【請求項１】 液晶層を介して互いに対向して配置され
る透明基板のうち、その一方あるいは双方の液晶側の単
位画素に相当する領域面に、表示用電極と基準電極とが
備えられ、この表示用電極と基準電極との間において透
明基板と平行に発生させる電界によって該液晶層透過す
る光を変調させるようにしたものであって、 前記表示用電極は、走査信号線への走査信号の供給によ
ってオンするスイッチング素子を介して映像信号線から
の映像信号が供給されるとともに、前記基準電極は、基
準信号線からの基準信号が供給され、ノーマリブラック
の表示モードであるアクティブマトリックス型液晶表示
パネルにおいて、 映像信号線とこの映像信号線と隣接配置される他の電極
との間の領域に、絶縁膜を介して前記映像信号線と該映
像信号線に、隣接する他の電極にその一部が重なる様に
導電層が形成され、この導電層は透明材料で形成されて
いることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表
示パネル。 - 【請求項２】 前記導電層は、その画素領域側の辺部が
前記絶縁膜を介して前記他の電極上に重畳されているこ
とを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス
型液晶表示パネル。 - 【請求項３】 前記導電層は、映像信号線に沿った他の
画素領域に及んで延在されていることを特徴とする請求
項１記載のアクティブマトリッスク型液晶表示パネル。 - 【請求項４】 映像信号線が形成されている透明基板と
対向配置される他の透明基板側の遮光膜は、前記映像信
号線の延在方向と直交する方向に延在して形成され、少
なくとも薄膜トランジスタへの光照射を遮蔽するように
して形成されていることを特徴とする請求項３記載のア
クティブマトリッスク型液晶表示パネル。 - 【請求項５】 前記導電層は、映像信号線に沿った他の
画素領域毎にそれぞれ分離されて形成されていることを
特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス型液
晶表示パネル。 - 【請求項６】 映像信号線が形成されている透明基板と
対向配置される他の透明基板側の遮光膜は、少なくとも
薄膜トランジスタへの光照射を遮蔽するように前記映像
信号線の延在方向と直交する方向に延在して形成され、 この遮光膜と各画素領域における前記導電層とで平面的
に観た場合に格子状パターンが形成できるように、前記
導電層の映像信号線に沿った長さを最小限に抑えている
ことを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリック
ス型液晶表示パネル。 - 【請求項７】 前記導電膜は、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2
Ｏ3のうちいずれかが選択されたもの、あるいは選択さ
れた２種以上を積層させて形成されていることを特徴と
する請求項１、２、３、５、記載のうちいずれか記載の
アクティブマトリックス型液晶表示パネル。 - 【請求項８】 前記導電膜を形成する際に、その材料に
よって映像信号線、走査信号線、基準信号線にそれぞれ
各信号を供給するための端子を同時に形成することを特
徴とする請求項７記載のアクティブマトリックス型液晶
表示パネルの製造方法。 - 【請求項９】 前記導電膜の下層に映像信号線およびこ
の映像信号線に隣接する他の電極が形成されていること
を特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス型
液晶表示パネル。 - 【請求項１０】 前記導電膜の上層に映像信号線および
この映像信号線に隣接する他の電極が形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリックス
型液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34053095A JP3583534B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アクティブマトリックス型液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34053095A JP3583534B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アクティブマトリックス型液晶表示パネル |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003432910A Division JP3592706B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | アクティブマトリックス型液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09179096A true JPH09179096A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3583534B2 JP3583534B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=18337874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34053095A Expired - Lifetime JP3583534B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アクティブマトリックス型液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3583534B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396556B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Liquid crystal display |
| JP2004151744A (ja) * | 2003-12-26 | 2004-05-27 | Hitachi Displays Ltd | アクティブマトリックス型液晶表示パネル |
| US6787829B2 (en) | 2000-04-05 | 2004-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | LCD panel |
| US7700949B2 (en) | 2004-10-06 | 2010-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, method for manufacturing the same, liquid crystal display having the substrate, and method for manufacturing the liquid crystal display |
| US10768495B2 (en) | 2017-03-03 | 2020-09-08 | Japan Display Inc. | Display device having a first electrode with an opening overlapping with a second electrode |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05203994A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-08-13 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| WO1995025291A1 (fr) * | 1994-03-17 | 1995-09-21 | Hitachi, Ltd. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides a matrice active |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP34053095A patent/JP3583534B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH05203994A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-08-13 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
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| US10768495B2 (en) | 2017-03-03 | 2020-09-08 | Japan Display Inc. | Display device having a first electrode with an opening overlapping with a second electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3583534B2 (ja) | 2004-11-04 |
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