JPH09176656A - マイクロ波を利用した石炭加熱装置 - Google Patents
マイクロ波を利用した石炭加熱装置Info
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- JPH09176656A JPH09176656A JP7341599A JP34159995A JPH09176656A JP H09176656 A JPH09176656 A JP H09176656A JP 7341599 A JP7341599 A JP 7341599A JP 34159995 A JP34159995 A JP 34159995A JP H09176656 A JPH09176656 A JP H09176656A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】安定した石炭の均一加熱を行うことが可能なマ
イクロ波を利用した石炭加熱装置を提供する。 【解決手段】密閉函形状とした金属製の加熱容器2と、
この加熱容器を構成する第1の壁2Aに接続し、照射口
4aから周波数を915MHZ〜2450MHZの範囲に設
定したマイクロ波を加熱容器内部に導入する導波管4
と、加熱容器内に配設された絶縁体からなる仕切り板1
0とを備えている。また、第1の壁2Aと対向する第2
の壁2Bとの間の奥行き寸法を400mm以下に設定し、
第1及び第2の壁2A、2B間に、前記照射口の中心か
ら200mm以内に前記加熱容器を構成する他の壁2C〜
2Fを形成する。そして、前記仕切り板を、前記照射口
から50mm以上離れた位置に配設して前記加熱容器内を
2つの空間を設けて仕切り、一方の空間を照射空間6と
し、他方の空間を石炭が装填される装填室8とする。
イクロ波を利用した石炭加熱装置を提供する。 【解決手段】密閉函形状とした金属製の加熱容器2と、
この加熱容器を構成する第1の壁2Aに接続し、照射口
4aから周波数を915MHZ〜2450MHZの範囲に設
定したマイクロ波を加熱容器内部に導入する導波管4
と、加熱容器内に配設された絶縁体からなる仕切り板1
0とを備えている。また、第1の壁2Aと対向する第2
の壁2Bとの間の奥行き寸法を400mm以下に設定し、
第1及び第2の壁2A、2B間に、前記照射口の中心か
ら200mm以内に前記加熱容器を構成する他の壁2C〜
2Fを形成する。そして、前記仕切り板を、前記照射口
から50mm以上離れた位置に配設して前記加熱容器内を
2つの空間を設けて仕切り、一方の空間を照射空間6と
し、他方の空間を石炭が装填される装填室8とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば冶金、高炉
用のコークスを製造する際に好適なマイクロ波を利用し
た石炭加熱装置に関する。
用のコークスを製造する際に好適なマイクロ波を利用し
た石炭加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】冶金、高炉用のコークスは、高炉に装入
した時の空隙率が高くなるように不定形状となることが
望ましい。この不定形状のコークスを非微粘結炭を多量
に使用して製造する方法は、種々開発されており、例え
ば、特開平7−166166号公報に記載されている技
術(以下、先行技術1と称する)は、強粘結炭と非微粘
結炭とを混合した配合炭を、軟化温度を回る温度域まで
急速加熱し、次いでマイクロ波加熱により軟化温度まで
急速加熱した後圧密成形を行い、引き続き乾留処理して
冶金用コークスを製造する技術であり、マイクロ波加熱
により配合炭の内部からの加熱が可能となる。
した時の空隙率が高くなるように不定形状となることが
望ましい。この不定形状のコークスを非微粘結炭を多量
に使用して製造する方法は、種々開発されており、例え
ば、特開平7−166166号公報に記載されている技
術(以下、先行技術1と称する)は、強粘結炭と非微粘
結炭とを混合した配合炭を、軟化温度を回る温度域まで
急速加熱し、次いでマイクロ波加熱により軟化温度まで
急速加熱した後圧密成形を行い、引き続き乾留処理して
冶金用コークスを製造する技術であり、マイクロ波加熱
により配合炭の内部からの加熱が可能となる。
【0003】また、特開昭52−44322号公報に記
載されている技術(以下、先行技術2と称する)は、電
磁波(マイクロ波)を配合炭に照射し、配合炭自身を発
熱せしめて乾留を行いコークス化する方法であり、配合
炭自身の発熱により乾留をおこなうので製造されるコー
クスを均質とすることができる。さらに、特開昭58−
32683号公報に記載されている技術(以下、先行技
術3と称する)は、配合炭(非粘結炭及び微粘結炭を混
合したもの)に結合剤を加えて加圧成形したのち、成形
炭を高温乾留して成形コークスを製造する方法におい
て、加圧成形後の成形炭に、周波数が20MHZ〜3GHZ
の電磁波(マイクロ波)を照射して成形炭の表面部を固
化したのち、高温乾留する方法であり、品質良好な成型
コークスを歩留りよく製造することができる。
載されている技術(以下、先行技術2と称する)は、電
磁波(マイクロ波)を配合炭に照射し、配合炭自身を発
熱せしめて乾留を行いコークス化する方法であり、配合
炭自身の発熱により乾留をおこなうので製造されるコー
クスを均質とすることができる。さらに、特開昭58−
32683号公報に記載されている技術(以下、先行技
術3と称する)は、配合炭(非粘結炭及び微粘結炭を混
合したもの)に結合剤を加えて加圧成形したのち、成形
炭を高温乾留して成形コークスを製造する方法におい
て、加圧成形後の成形炭に、周波数が20MHZ〜3GHZ
の電磁波(マイクロ波)を照射して成形炭の表面部を固
化したのち、高温乾留する方法であり、品質良好な成型
コークスを歩留りよく製造することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先願技
術1は、マイクロ波の照射方法によっては配合炭の加熱
に不均一が生じ、昇温効果が不十分となるおそれがあ
る。また、先願技術2、3も、マイクロ波の照射による
配合炭の加熱均一性について何等具体的な技術を開示し
ておらず、加熱効果が不十分となるおそれがある。
術1は、マイクロ波の照射方法によっては配合炭の加熱
に不均一が生じ、昇温効果が不十分となるおそれがあ
る。また、先願技術2、3も、マイクロ波の照射による
配合炭の加熱均一性について何等具体的な技術を開示し
ておらず、加熱効果が不十分となるおそれがある。
【0005】そこで、本発明は、上記先行技術の未解決
の課題に着目してなされたものであり、安定した石炭の
均一加熱を行うことが可能なマイクロ波を利用した石炭
加熱装置を提供することを目的としている。
の課題に着目してなされたものであり、安定した石炭の
均一加熱を行うことが可能なマイクロ波を利用した石炭
加熱装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項1記載のマイクロ波を利用した石炭
加熱装置は、密閉函状に形成された金属製の加熱容器
と、この加熱容器を構成する第1の壁に接続し、且つ前
記第1の壁に形成した照射口から周波数を915MHZ〜
2450MHZの範囲に設定したマイクロ波を前記加熱容
器内部に導入する導波管と、前記加熱容器内に配設され
た絶縁体からなる仕切り板とを備え、前記第1の壁と対
向する第2の壁との間の奥行き寸法を400mm以下に設
定し、これら第1及び第2の壁間に、前記照射口の中心
から200mm以内に前記加熱容器を構成する他の壁を形
成するとともに、前記仕切り板を、前記照射口から50
mm以上離れた位置に配設して前記加熱容器内を2つの空
間を設けて仕切り、一方の空間を前記照射口と連通する
照射空間とし、他方の空間を石炭が装填される装填室と
した。
に、本発明の請求項1記載のマイクロ波を利用した石炭
加熱装置は、密閉函状に形成された金属製の加熱容器
と、この加熱容器を構成する第1の壁に接続し、且つ前
記第1の壁に形成した照射口から周波数を915MHZ〜
2450MHZの範囲に設定したマイクロ波を前記加熱容
器内部に導入する導波管と、前記加熱容器内に配設され
た絶縁体からなる仕切り板とを備え、前記第1の壁と対
向する第2の壁との間の奥行き寸法を400mm以下に設
定し、これら第1及び第2の壁間に、前記照射口の中心
から200mm以内に前記加熱容器を構成する他の壁を形
成するとともに、前記仕切り板を、前記照射口から50
mm以上離れた位置に配設して前記加熱容器内を2つの空
間を設けて仕切り、一方の空間を前記照射口と連通する
照射空間とし、他方の空間を石炭が装填される装填室と
した。
【0007】また、請求項2記載のマイクロ波を利用し
た石炭加熱装置は、長手方向の一端側から他端側に向け
て装填された石炭が移動する金属製の加熱容器と、この
加熱容器の互いに対向する一対の壁に接続し、各壁に形
成した照射口から周波数を915MHZ〜2450MHZの
範囲に設定したマイクロ波を前記加熱容器内部に導入す
る複数の導波管と、前記加熱容器内に配設された絶縁体
からなる一対の仕切り板とを備え、前記互いに対向する
一対の壁間の距離を400mm以下とし、これら一対の壁
の長手方向に、互いに隣合う距離を400mm以内に設定
して前記複数の導波管を接続するとともに、前記一対の
仕切り板を、一対の壁からそれぞれ50mm以上離れた位
置に配設して前記加熱容器内を3つの空間を設けて仕切
り、それら空間を、前記照射口と連通する2つの照射空
間と、一対の仕切り板間に石炭を装填する装填室とし
た。
た石炭加熱装置は、長手方向の一端側から他端側に向け
て装填された石炭が移動する金属製の加熱容器と、この
加熱容器の互いに対向する一対の壁に接続し、各壁に形
成した照射口から周波数を915MHZ〜2450MHZの
範囲に設定したマイクロ波を前記加熱容器内部に導入す
る複数の導波管と、前記加熱容器内に配設された絶縁体
からなる一対の仕切り板とを備え、前記互いに対向する
一対の壁間の距離を400mm以下とし、これら一対の壁
の長手方向に、互いに隣合う距離を400mm以内に設定
して前記複数の導波管を接続するとともに、前記一対の
仕切り板を、一対の壁からそれぞれ50mm以上離れた位
置に配設して前記加熱容器内を3つの空間を設けて仕切
り、それら空間を、前記照射口と連通する2つの照射空
間と、一対の仕切り板間に石炭を装填する装填室とし
た。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1実
施形態であるバッチ式の石炭加熱装置を示すものであ
り、直方体形状に形成された金属製の加熱容器2と、こ
の加熱容器2と接続する一本の導波管4と、この加熱容
器2内部を導波管の照射口4aと連通する照射空間6と
石炭を装填する装填室8との2つの空間に仕切る仕切り
板10とを備え、マイクロ波発振装置(図示せず)で発
生した所定周波数のマイクロ波は、導波管4に導かれて
照射口4aから照射空間6に照射されるようになってい
る。
て、図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1実
施形態であるバッチ式の石炭加熱装置を示すものであ
り、直方体形状に形成された金属製の加熱容器2と、こ
の加熱容器2と接続する一本の導波管4と、この加熱容
器2内部を導波管の照射口4aと連通する照射空間6と
石炭を装填する装填室8との2つの空間に仕切る仕切り
板10とを備え、マイクロ波発振装置(図示せず)で発
生した所定周波数のマイクロ波は、導波管4に導かれて
照射口4aから照射空間6に照射されるようになってい
る。
【0009】すなわち、図2は加熱容器2の側面視断面
図を示し、図3は加熱容器3の平面視断面図を示すもの
であり、加熱容器2は、互いに対向配置された金属製の
第1側壁2A及び第2側壁2B、第3側壁2C及び第4
側壁2Dと、これら側壁2A〜2Dの上下縁部に一体形
成された金属製の上板2E及び底板2Fとで構成されて
いる。そして、第1側壁2Aの中央部に矩形状の開口部
が形成されており、この開口部に導波管4の照射口4a
が接続している。ここで、第3側壁2C及び第4側壁2
Dは、照射口4aの開口部中心Pから等距離の位置に配
設されている。また、上板2E及び底板2Fも、開口部
中心Pから等距離の位置に配設されている。
図を示し、図3は加熱容器3の平面視断面図を示すもの
であり、加熱容器2は、互いに対向配置された金属製の
第1側壁2A及び第2側壁2B、第3側壁2C及び第4
側壁2Dと、これら側壁2A〜2Dの上下縁部に一体形
成された金属製の上板2E及び底板2Fとで構成されて
いる。そして、第1側壁2Aの中央部に矩形状の開口部
が形成されており、この開口部に導波管4の照射口4a
が接続している。ここで、第3側壁2C及び第4側壁2
Dは、照射口4aの開口部中心Pから等距離の位置に配
設されている。また、上板2E及び底板2Fも、開口部
中心Pから等距離の位置に配設されている。
【0010】そして、第1側壁2Aから第2側壁2B側
に向けて平行に離間した位置に石英、アルミナ等の絶縁
材料からなる仕切り板10が配設されている。これによ
り、加熱容器2内部には、照射口4aと連通する照射空
間6と、仕切り板10、他の側壁2B、2C、2D、上
板2E、下板2Fとで囲まれた装填室8とが形成され
る。
に向けて平行に離間した位置に石英、アルミナ等の絶縁
材料からなる仕切り板10が配設されている。これによ
り、加熱容器2内部には、照射口4aと連通する照射空
間6と、仕切り板10、他の側壁2B、2C、2D、上
板2E、下板2Fとで囲まれた装填室8とが形成され
る。
【0011】次に、表1及び表2に示すように、形状寸
法の異なる複数の石炭加熱装置を使用して石炭の加熱特
性について検証した。なお、マイクロ波発振装置の出力
は1KWとし、マイクロ波の周波数は915MHZ〜245
0MHZの範囲とした。また、装填室8内に複数の熱電対
を配設し、仕切り板10近傍の温度、第2側壁2B近傍
の温度、さらには装填室8中央部の温度等、複数の位置
において装填されている石炭の加熱温度を測定する。ま
た、装填室8内には、豪州微粘結炭が300℃まで予熱
された状態で装填されており、さらに30℃まで加熱し
た後に最高温度と最低温度を測定するものとする。
法の異なる複数の石炭加熱装置を使用して石炭の加熱特
性について検証した。なお、マイクロ波発振装置の出力
は1KWとし、マイクロ波の周波数は915MHZ〜245
0MHZの範囲とした。また、装填室8内に複数の熱電対
を配設し、仕切り板10近傍の温度、第2側壁2B近傍
の温度、さらには装填室8中央部の温度等、複数の位置
において装填されている石炭の加熱温度を測定する。ま
た、装填室8内には、豪州微粘結炭が300℃まで予熱
された状態で装填されており、さらに30℃まで加熱し
た後に最高温度と最低温度を測定するものとする。
【0012】さらに、表1及び表2では、第1側壁2A
と第2側壁2Bの間の距離を奥行き寸法Uとし、第3側
壁2Cと第4側壁2Dとの間の距離を幅寸法Wとし、上
板2Eと下板2Fとの間の距離を高さ寸法Tとしてい
る。また、第1側壁2Aと仕切り板10との間の距離を
仕切り板距離Sとしている。そして、高さ寸法Tの欄に
おいて括弧内で示す数値は、照射口4aの開口部中心P
から上板2E又は下板2Fまでの距離を示している。ま
た、幅寸法Wの欄における括弧内で示す数値は、照射口
4aの開口部中心Pから第3側壁2C又は第4側壁2D
までの距離を示している。
と第2側壁2Bの間の距離を奥行き寸法Uとし、第3側
壁2Cと第4側壁2Dとの間の距離を幅寸法Wとし、上
板2Eと下板2Fとの間の距離を高さ寸法Tとしてい
る。また、第1側壁2Aと仕切り板10との間の距離を
仕切り板距離Sとしている。そして、高さ寸法Tの欄に
おいて括弧内で示す数値は、照射口4aの開口部中心P
から上板2E又は下板2Fまでの距離を示している。ま
た、幅寸法Wの欄における括弧内で示す数値は、照射口
4aの開口部中心Pから第3側壁2C又は第4側壁2D
までの距離を示している。
【0013】
【表1】
【0014】
【表2】
【0015】上記表1及び表2の結果から、奥行き寸法
Uを400mm以内に設定し、高さ寸法T及び幅寸法Wを
400mm以内に設定し、さらに、仕切り板距離Sを50
mm以上とした石炭加熱装置A〜E(表1に示した石炭加
熱装置)が温度差をほとんど発生せず、石炭を均一に加
熱することが明らかになった。すなわち、導波管4の照
射口4aから周波数が915MHZ〜2450MHZの範囲
に設定したマイクロ波が照射されると、仕切り板10及
び加熱容器2を介して装填室8内の石炭が加熱される
が、奥行き寸法Uを400mmを越える値に設定すると
(例えば奥行き寸法Uを500mmに設定した加熱容器F
を参照)、仕切り板10と第2側壁2Bとの距離が長す
ぎるので、第2側壁2B側の石炭が充分に加熱されず温
度差が大きくなる。
Uを400mm以内に設定し、高さ寸法T及び幅寸法Wを
400mm以内に設定し、さらに、仕切り板距離Sを50
mm以上とした石炭加熱装置A〜E(表1に示した石炭加
熱装置)が温度差をほとんど発生せず、石炭を均一に加
熱することが明らかになった。すなわち、導波管4の照
射口4aから周波数が915MHZ〜2450MHZの範囲
に設定したマイクロ波が照射されると、仕切り板10及
び加熱容器2を介して装填室8内の石炭が加熱される
が、奥行き寸法Uを400mmを越える値に設定すると
(例えば奥行き寸法Uを500mmに設定した加熱容器F
を参照)、仕切り板10と第2側壁2Bとの距離が長す
ぎるので、第2側壁2B側の石炭が充分に加熱されず温
度差が大きくなる。
【0016】また、高さ寸法Tを400mmを越える値に
設定すると(例えば高さ寸法Tを500mmに設定した石
炭加熱装置Gを参照)、照射口4aの開口部中心Pと上
板2E又は下板2Fとの距離が長すぎるので、上板2E
側又は下板2F側の石炭が充分に加熱されず温度差が大
きくなる。また、幅寸法Tを400mmを越える値に設定
すると(例えば幅寸法Tを500mmに設定した石炭加熱
装置H)、照射口4aの開口部中心Pと第3側壁2C又
は第4側壁2Dとの距離が長すぎるので、第3側壁2C
側又は第4側壁2D側の石炭が充分に加熱されず温度差
が大きくなる。
設定すると(例えば高さ寸法Tを500mmに設定した石
炭加熱装置Gを参照)、照射口4aの開口部中心Pと上
板2E又は下板2Fとの距離が長すぎるので、上板2E
側又は下板2F側の石炭が充分に加熱されず温度差が大
きくなる。また、幅寸法Tを400mmを越える値に設定
すると(例えば幅寸法Tを500mmに設定した石炭加熱
装置H)、照射口4aの開口部中心Pと第3側壁2C又
は第4側壁2Dとの距離が長すぎるので、第3側壁2C
側又は第4側壁2D側の石炭が充分に加熱されず温度差
が大きくなる。
【0017】さらに、仕切り板距離Sを50mmを下回る
値にすると(例えば仕切り板距離S40mmに設定した石
炭加熱装置I)、照射口4aとの距離が近い仕切り板1
0が局部的に加熱されて仕切り板10側の石炭の温度が
上昇するので、温度差が大きくなる。このように、本実
施形態では、奥行き寸法Uを400mm以内に設定し、高
さ寸法T及び幅寸法Wを400mmに設定し、さらに、仕
切り板距離Sを50mm以上とした石炭加熱装置が、装填
室8内に装填している石炭を均一に加熱することができ
る。
値にすると(例えば仕切り板距離S40mmに設定した石
炭加熱装置I)、照射口4aとの距離が近い仕切り板1
0が局部的に加熱されて仕切り板10側の石炭の温度が
上昇するので、温度差が大きくなる。このように、本実
施形態では、奥行き寸法Uを400mm以内に設定し、高
さ寸法T及び幅寸法Wを400mmに設定し、さらに、仕
切り板距離Sを50mm以上とした石炭加熱装置が、装填
室8内に装填している石炭を均一に加熱することができ
る。
【0018】次に、図4から図5に示すものは、本発明
の第2実施形態を示すものである。本実施形態は、石炭
の加熱処理を連続的に行うことが可能な連続式石炭加熱
装置であり、上部から石炭が装填され、下部から加熱処
理済みの石炭が搬出される上下方向に延在した金属製の
加熱容器20と、この加熱容器2の互いに対向する側壁
20A、20Bと接続する複数の導波管22と、各導波
管22の照射口22aと連通する2つの照射空間24と
石炭を装填する装填室26との3つの空間に加熱容器2
0内部を仕切る一対の仕切り板28とを備える。
の第2実施形態を示すものである。本実施形態は、石炭
の加熱処理を連続的に行うことが可能な連続式石炭加熱
装置であり、上部から石炭が装填され、下部から加熱処
理済みの石炭が搬出される上下方向に延在した金属製の
加熱容器20と、この加熱容器2の互いに対向する側壁
20A、20Bと接続する複数の導波管22と、各導波
管22の照射口22aと連通する2つの照射空間24と
石炭を装填する装填室26との3つの空間に加熱容器2
0内部を仕切る一対の仕切り板28とを備える。
【0019】すなわち、加熱容器20は、上下方向に延
在する矩形筒状の長尺体として形成されている。そし
て、この加熱容器20の互いに対向する第1側壁20
A、第1側壁20Bには複数の開口部が形成されてお
り、これら開口部にそれぞれ導波管22の照射口22a
が接続している。そして、第1側壁20A側に接続する
導波管22は、図4に示すように、第1側壁20Aの長
手方向に沿って所定の間隔T1 をあけて接続されている
とともに、図5に示すように、水平方向にも所定間隔T
2 をあけて接続されている。また、第2側壁20B側に
接続する導波管22も、図4及び図5に示すように、第
1側壁20Bの長手方向に沿って所定の間隔T1 をあ
け、水平方向にも所定間隔T 2 をあけて接続されてい
る。
在する矩形筒状の長尺体として形成されている。そし
て、この加熱容器20の互いに対向する第1側壁20
A、第1側壁20Bには複数の開口部が形成されてお
り、これら開口部にそれぞれ導波管22の照射口22a
が接続している。そして、第1側壁20A側に接続する
導波管22は、図4に示すように、第1側壁20Aの長
手方向に沿って所定の間隔T1 をあけて接続されている
とともに、図5に示すように、水平方向にも所定間隔T
2 をあけて接続されている。また、第2側壁20B側に
接続する導波管22も、図4及び図5に示すように、第
1側壁20Bの長手方向に沿って所定の間隔T1 をあ
け、水平方向にも所定間隔T 2 をあけて接続されてい
る。
【0020】そして、第1側壁2A、第2側壁2B側か
ら平行に離間した位置に、石英、アルミナ等の絶縁材料
からなる一対の仕切り板28が配設されている。これに
より、加熱容器20内部には、照射口22aと連通する
2つの照射空間22が形成されるとともに、上部から装
填された石炭が徐々に降下する装填室26が形成され
る。
ら平行に離間した位置に、石英、アルミナ等の絶縁材料
からなる一対の仕切り板28が配設されている。これに
より、加熱容器20内部には、照射口22aと連通する
2つの照射空間22が形成されるとともに、上部から装
填された石炭が徐々に降下する装填室26が形成され
る。
【0021】次に、表3及び表4に示すように、形状寸
法の異なる複数の石炭加熱装置を使用して石炭の加熱特
性について検証した。なお、第1実施形態と同様に、マ
イクロ波発振装置の出力は1KWとし、マイクロ波の周波
数は915MHZ〜2450MHZの範囲とした。また、装
填室26内に複数の熱電対を配設し、仕切り板28近
傍、装填室26中央部などの温度を測定する。そして、
毎分1cmの速度で装填室26内を降下する石炭の温度特
性を検証する。さらに、装填室26内の石炭は300℃
まで予熱されており、さらに30℃まで加熱した後に最
高温度と最低温度を測定するものとする。
法の異なる複数の石炭加熱装置を使用して石炭の加熱特
性について検証した。なお、第1実施形態と同様に、マ
イクロ波発振装置の出力は1KWとし、マイクロ波の周波
数は915MHZ〜2450MHZの範囲とした。また、装
填室26内に複数の熱電対を配設し、仕切り板28近
傍、装填室26中央部などの温度を測定する。そして、
毎分1cmの速度で装填室26内を降下する石炭の温度特
性を検証する。さらに、装填室26内の石炭は300℃
まで予熱されており、さらに30℃まで加熱した後に最
高温度と最低温度を測定するものとする。
【0022】また、表1及び表2では、第1側壁20
A、第2側壁20Bに接続する導波管22の長手方向の
間隔T1 、水平方向の間隔T2 を、隣接導波管の寸法と
している。また、互いに水平方向に対向している導波管
22の間隔を、対向導波管の寸法L1 としている。さら
に、第1側壁20A又は第2側壁20Bと仕切り板28
との間の距離を仕切り板距離S1 としている。
A、第2側壁20Bに接続する導波管22の長手方向の
間隔T1 、水平方向の間隔T2 を、隣接導波管の寸法と
している。また、互いに水平方向に対向している導波管
22の間隔を、対向導波管の寸法L1 としている。さら
に、第1側壁20A又は第2側壁20Bと仕切り板28
との間の距離を仕切り板距離S1 としている。
【0023】
【表3】
【0024】
【表4】
【0025】上記表3及び表4の結果から、隣接導波管
の寸法T1 、T2 を400mm以内に設定し、対向導波管
の寸法L1 を400mm以内に設定し、さらに、仕切り板
距離S1 を50mm以上とした石炭加熱装置J〜M(表3
に示した石炭加熱装置)が温度差をほとんど発生せず、
石炭を均一に加熱することが明らかになった。すなわ
ち、導波管22の照射口22aから周波数が915MHZ
〜2450MHZの範囲に設定したマイクロ波が照射され
ると、一対の仕切り板28及び加熱容器20を介して装
填室26内の石炭が加熱されるが、隣接導波管の寸法T
1 、T2を400mmを越える値に設定すると(例えば隣
接導波管の寸法T1 、T2 を500mmに設定した石炭加
熱装置Nを参照)、仕切り板28又は加熱容器20から
熱量が充分に伝達されない低温領域が存在してしまうの
で、温度差が大きくなる。
の寸法T1 、T2 を400mm以内に設定し、対向導波管
の寸法L1 を400mm以内に設定し、さらに、仕切り板
距離S1 を50mm以上とした石炭加熱装置J〜M(表3
に示した石炭加熱装置)が温度差をほとんど発生せず、
石炭を均一に加熱することが明らかになった。すなわ
ち、導波管22の照射口22aから周波数が915MHZ
〜2450MHZの範囲に設定したマイクロ波が照射され
ると、一対の仕切り板28及び加熱容器20を介して装
填室26内の石炭が加熱されるが、隣接導波管の寸法T
1 、T2を400mmを越える値に設定すると(例えば隣
接導波管の寸法T1 、T2 を500mmに設定した石炭加
熱装置Nを参照)、仕切り板28又は加熱容器20から
熱量が充分に伝達されない低温領域が存在してしまうの
で、温度差が大きくなる。
【0026】また、対向導波管の寸法L1 を400mmを
越えた値に設定すると(例えば対向導波管の寸法L1 を
500mmに設定した石炭加熱装置Qを参照)、上記と同
様に、仕切り板28又は加熱容器20から熱量が充分に
伝達されない低温領域が存在してしまうので、温度差が
大きくなる。さらに、仕切り板距離S1 を50mmを下回
る値にすると(例えば仕切り板距離S1 を40mmに設定
した石炭加熱装置R)、照射口22aとの距離が近い仕
切り板28が局部的に加熱されて仕切り板28側の石炭
の温度が上昇するので、温度差が大きくなる。
越えた値に設定すると(例えば対向導波管の寸法L1 を
500mmに設定した石炭加熱装置Qを参照)、上記と同
様に、仕切り板28又は加熱容器20から熱量が充分に
伝達されない低温領域が存在してしまうので、温度差が
大きくなる。さらに、仕切り板距離S1 を50mmを下回
る値にすると(例えば仕切り板距離S1 を40mmに設定
した石炭加熱装置R)、照射口22aとの距離が近い仕
切り板28が局部的に加熱されて仕切り板28側の石炭
の温度が上昇するので、温度差が大きくなる。
【0027】このように、本実施形態では、隣接導波管
の寸法T1 、T2 を400mm以内に設定し、対向導波管
の寸法L1 を400mm以内に設定し、さらに、仕切り板
距離S1 を50mm以上とした石炭加熱装置が、装填室2
8内に連続的に装填された石炭を均一に加熱することが
できる。
の寸法T1 、T2 を400mm以内に設定し、対向導波管
の寸法L1 を400mm以内に設定し、さらに、仕切り板
距離S1 を50mm以上とした石炭加熱装置が、装填室2
8内に連続的に装填された石炭を均一に加熱することが
できる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項1
記載のマイクロ波を利用した石炭加熱装置は、第1の壁
と対向する第2の壁との間の奥行き寸法を400mm以下
に設定し、これら第1及び第2の壁間に、前記照射口の
中心から200mm以内に前記加熱容器を構成する他の壁
を形成するとともに、前記仕切り板を、前記照射口から
50mm以上離れた位置に配設して前記加熱容器内を2つ
の空間を設けて仕切り、一方の空間を前記照射口と連通
する照射空間とし、他方の空間を石炭が装填される装填
室としたことにより、局部的な低温領域又は高温領域を
発生せずに石炭を均一に加熱することができるので、良
質のコークスを製造することができる。
記載のマイクロ波を利用した石炭加熱装置は、第1の壁
と対向する第2の壁との間の奥行き寸法を400mm以下
に設定し、これら第1及び第2の壁間に、前記照射口の
中心から200mm以内に前記加熱容器を構成する他の壁
を形成するとともに、前記仕切り板を、前記照射口から
50mm以上離れた位置に配設して前記加熱容器内を2つ
の空間を設けて仕切り、一方の空間を前記照射口と連通
する照射空間とし、他方の空間を石炭が装填される装填
室としたことにより、局部的な低温領域又は高温領域を
発生せずに石炭を均一に加熱することができるので、良
質のコークスを製造することができる。
【0029】また、本発明の請求項1記載のマイクロ波
を利用した石炭加熱装置は、互いに対向する一対の壁間
の距離を400mm以下とし、これら一対の壁の長手方向
に、互いに隣合う距離を400mm以内に設定して前記複
数の導波管を接続するとともに、前記一対の仕切り板
を、一対の壁からそれぞれ50mm以上離れた位置に配設
して前記加熱容器内を3つの空間を設けて仕切り、前記
照射口と連通する2つの照射空間と、一対の仕切り板間
に位置する石炭を装填する装填室としたことにより、局
部的な低温領域又は高温領域を発生せずに石炭を均一に
連続加熱することができるので、製造量を増大させて良
質のコークスを製造することができる。
を利用した石炭加熱装置は、互いに対向する一対の壁間
の距離を400mm以下とし、これら一対の壁の長手方向
に、互いに隣合う距離を400mm以内に設定して前記複
数の導波管を接続するとともに、前記一対の仕切り板
を、一対の壁からそれぞれ50mm以上離れた位置に配設
して前記加熱容器内を3つの空間を設けて仕切り、前記
照射口と連通する2つの照射空間と、一対の仕切り板間
に位置する石炭を装填する装填室としたことにより、局
部的な低温領域又は高温領域を発生せずに石炭を均一に
連続加熱することができるので、製造量を増大させて良
質のコークスを製造することができる。
【図1】本発明の第1実施形態を示す斜視図である。
【図2】第1実施形態の側面視断面図を示すものであ
る。
る。
【図3】第1実施形態の平面視断面図を示すものであ
る。
る。
【図4】本発明の第2実施形態を示す側面視要部断面図
である。
である。
【図5】図4におけるV −V 線矢視図である。
2、20 加熱容器 2A 第1の壁 4、22 導波管 10、28 仕切り板 2B 第2の壁 4a、22a 照射口 6、24 照射空間 8、26 装填室 20A、20B 互いに対向する一対の壁
Claims (2)
- 【請求項1】 密閉函状に形成された金属製の加熱容器
と、この加熱容器を構成する第1の壁に接続し、且つ前
記第1の壁に形成した照射口から周波数を915MHZ〜
2450MHZの範囲に設定したマイクロ波を前記加熱容
器内部に導入する導波管と、前記加熱容器内に配設され
た絶縁体からなる仕切り板とを備え、 前記第1の壁と対向する第2の壁との間の奥行き寸法を
400mm以下に設定し、これら第1及び第2の壁間に、
前記照射口の中心から200mm以内に前記加熱容器を構
成する他の壁を形成するとともに、 前記仕切り板を、前記照射口から50mm以上離れた位置
に配設して前記加熱容器内を2つの空間を設けて仕切
り、一方の空間を前記照射口と連通する照射空間とし、
他方の空間を石炭が装填される装填室としたことを特徴
とするマイクロ波を利用した石炭加熱装置。 - 【請求項2】 長手方向の一端側から他端側に向けて装
填された石炭が移動する金属製の加熱容器と、この加熱
容器の互いに対向する一対の壁に接続し、各壁に形成し
た照射口から周波数を915MHZ〜2450MHZの範囲
に設定したマイクロ波を前記加熱容器内部に導入する複
数の導波管と、前記加熱容器内に配設された絶縁体から
なる一対の仕切り板とを備え、 前記互いに対向する一対の壁間の距離を400mm以下と
し、 これら一対の壁の長手方向に、互いに隣合う距離を40
0mm以内に設定して前記複数の導波管を接続するととも
に、 前記一対の仕切り板を、一対の壁からそれぞれ50mm以
上離れた位置に配設して前記加熱容器内を3つの空間を
設けて仕切り、それら空間を、前記照射口と連通する2
つの照射空間と、一対の仕切り板間に石炭を装填する装
填室としたことを特徴とするマイクロ波を利用した石炭
加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7341599A JPH09176656A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | マイクロ波を利用した石炭加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7341599A JPH09176656A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | マイクロ波を利用した石炭加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09176656A true JPH09176656A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18347332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7341599A Pending JPH09176656A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | マイクロ波を利用した石炭加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09176656A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009204609A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-09-10 | Jfe Steel Corp | 石炭の膨張性試験方法 |
US20110192989A1 (en) * | 2008-06-19 | 2011-08-11 | Isaac Yaniv | System and method for treatment of materials by electromagnetic radiation (emr) |
CN103698411A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-02 | 辽宁工程技术大学 | 一种利用微波提高煤层气解吸效率的装置及方法 |
US9184593B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-11-10 | Microcoal Inc. | Method and apparatus for storing power from irregular and poorly controlled power sources |
US9810480B2 (en) | 2015-06-12 | 2017-11-07 | Targeted Microwave Solutions Inc. | Methods and apparatus for electromagnetic processing of phyllosilicate minerals |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP7341599A patent/JPH09176656A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009204609A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-09-10 | Jfe Steel Corp | 石炭の膨張性試験方法 |
US20110192989A1 (en) * | 2008-06-19 | 2011-08-11 | Isaac Yaniv | System and method for treatment of materials by electromagnetic radiation (emr) |
US9184593B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-11-10 | Microcoal Inc. | Method and apparatus for storing power from irregular and poorly controlled power sources |
CN103698411A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-02 | 辽宁工程技术大学 | 一种利用微波提高煤层气解吸效率的装置及方法 |
US9810480B2 (en) | 2015-06-12 | 2017-11-07 | Targeted Microwave Solutions Inc. | Methods and apparatus for electromagnetic processing of phyllosilicate minerals |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060822 |