JPH09167593A - Ion implantation device - Google Patents

Ion implantation device

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Publication number
JPH09167593A
JPH09167593A JP7348105A JP34810595A JPH09167593A JP H09167593 A JPH09167593 A JP H09167593A JP 7348105 A JP7348105 A JP 7348105A JP 34810595 A JP34810595 A JP 34810595A JP H09167593 A JPH09167593 A JP H09167593A
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JP
Japan
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substrate
ion beam
electrostatic chuck
ion implantation
plate
Prior art date
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Application number
JP7348105A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tei Kawai
禎 河合
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To significantly reduce contamination of a plate due to spattering particles. SOLUTION: A plate holding means for holding a plate 6 is constituted by using a electrostatic chuck 20 by which the plate 6 is adsorbed by means of static electricity. And, the ion implantation device is provided with a neutralization unit 30a for generating a plasma 34, supplying it to the vicinity of an ion beam 2 to be irradiated on the plate 6 on the electrostatic chuck 20 or in the vicinity of the plate 6, and neutralizing positive charge on the plate 6 together with ion beam irradiation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、基板保持手段に
保持された基板にイオンビームを照射してイオン注入を
行うイオン注入装置に関し、より具体的には、その基板
保持手段からのスパッタ粒子が基板に入り込むことを防
止する手段に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus for irradiating a substrate held by a substrate holding means with an ion beam to perform ion implantation. More specifically, the sputtered particles from the substrate holding means are It relates to means for preventing entry into a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、従来のイオン注入装置の一例を
示す概略図である。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic view showing an example of a conventional ion implantation apparatus.

【0003】このイオン注入装置においては、基板(例
えばウェーハ)6を支持するベース8、基板6の周縁部
をベース8に向けて押し付けるクランパー10およびば
ね12によって、基板保持手段を構成している。クラン
パー10は、図示例のようにリング状の場合もあるし、
多点の場合もある。ベース8およびクランパー10は、
アルミニウム等の金属によって作られており、図示例の
ようにビーム電流計測器14を経由して、または直接、
アースされている。基板6に入るイオンビーム2等によ
る電荷は、ベース8(およびこの例ではビーム電流計測
器14)を経由してアースに流れる。
In this ion implanter, a substrate holding means is constituted by a base 8 for supporting a substrate (for example, a wafer) 6, a clamper 10 for pressing the peripheral edge of the substrate 6 toward the base 8 and a spring 12. The clamper 10 may have a ring shape as illustrated, or
There may be multiple points. The base 8 and clamper 10 are
It is made of metal such as aluminum, and can be directly passed through the beam current measuring device 14 as shown in the figure, or directly.
It is grounded. The charges due to the ion beam 2 and the like entering the substrate 6 flow to the ground via the base 8 (and the beam current measuring device 14 in this example).

【0004】このような基板保持手段を、通常は、真空
容器内に設けられたファラデーケージ4内に配置し、そ
こで、基板6にイオンビーム2を照射して当該基板6に
イオン注入を行う。このファラデーケージ4は、ベース
8等と共にビーム電流計測器14に接続されている。但
し、ファラデーケージ4を設けない場合もあり、その場
合は図中の符号4を真空容器と考えれば良く、またビー
ム電流計測器14はベース8に接続される。
Such a substrate holding means is usually arranged in a Faraday cage 4 provided in a vacuum container, and the substrate 6 is irradiated with an ion beam 2 to implant ions in the substrate 6. The Faraday cage 4 is connected to the beam current measuring device 14 together with the base 8 and the like. However, the Faraday cage 4 may not be provided in some cases, and in that case, reference numeral 4 in the drawing may be considered as a vacuum container, and the beam current measuring device 14 is connected to the base 8.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
おける注入動作においては、イオンビーム2が基板6の
全面に照射(注入)されるように、イオンビーム2と基
板6とは相対的に走査される。例えば、基板6を固定
しておいてイオンビーム2をXY方向に電気的に走査す
る、イオンビーム2を固定しておいて基板6をXY方
向に機械的に走査する、またはイオンビーム2の電気
的な走査と基板6の機械的な走査とを併用する。いずれ
の場合も、基板6の全面に確実にイオンビーム2を照射
する必要上、イオンビーム2が基板6を少しはみ出すよ
うに走査され(これをオーバースキャンと言う)、この
時、基板6の周縁部を押さえているクランパー10にも
イオンビーム2が当たることになる。
In the implantation operation in the above-mentioned ion implantation apparatus, the ion beam 2 and the substrate 6 are relatively scanned so that the ion beam 2 is irradiated (implanted) on the entire surface of the substrate 6. It For example, the substrate 6 is fixed and the ion beam 2 is electrically scanned in the XY directions, the ion beam 2 is fixed and the substrate 6 is mechanically scanned in the XY directions, or the ion beam 2 is electrically scanned. Scanning and mechanical scanning of the substrate 6 are used together. In either case, since the entire surface of the substrate 6 needs to be reliably irradiated with the ion beam 2, the ion beam 2 is scanned so as to slightly protrude from the substrate 6 (this is called overscan), and at this time, the peripheral edge of the substrate 6 is detected. The ion beam 2 will also hit the clamper 10 holding the part.

【0006】このクランパー10へのイオンビーム2の
衝突によってクランパー10はスパッタされてスパッタ
粒子16が発生し、このスパッタ粒子16が基板6に入
り込む。このようなスパッタ粒子16が基板6に入り込
むと基板6の表面が汚染されるため、イオン注入におい
ては、特に微細化が進む超LSIの製造等においては、
このような汚染を極力防ぐ必要がある。
The impact of the ion beam 2 on the clamper 10 causes the clamper 10 to be sputtered to generate sputtered particles 16 which enter the substrate 6. When such sputtered particles 16 enter the substrate 6, the surface of the substrate 6 is contaminated. Therefore, in ion implantation, particularly in the manufacture of ultra LSIs, which are becoming finer,
It is necessary to prevent such pollution as much as possible.

【0007】そこで従来は、クランパー10から発生す
るスパッタ粒子16を低減するために、基板6の全周
を押さえるのではなく部分的に押さえる、またはクラ
ンパー10の内周部を、図示とは逆にビーム入口側が尖
った逆ナイフエッジにする、等の構造を工夫するとか、
クランパー10の材質を、基板6を構成する半導体に
対してできるだけ害の少ない材質にする、またはその
ような材質をクランパー10の表面に被覆する、等のス
パッタ粒子16の源の材質を選択する、等の手段によっ
て対応してきた。
Therefore, conventionally, in order to reduce the sputtered particles 16 generated from the clamper 10, the substrate 6 is partially pressed instead of pressed, or the inner peripheral portion of the clamper 10 is reversed. Or to devise a structure such as a reverse knife edge with a sharp beam entrance side,
The material of the sputter particles 16 is selected such that the material of the clamper 10 is a material that is least harmful to the semiconductor forming the substrate 6, or the surface of the clamper 10 is covered with such material. And so on.

【0008】しかしながら、そのような手段では、スパ
ッタ粒子16による基板6の汚染をある程度は低減する
ことができても、クランパー10からスパッタ粒子16
が発生する以上、スパッタ粒子16による基板6の汚染
を大幅に低減することはできない。
However, even if the contamination of the substrate 6 by the sputtered particles 16 can be reduced to some extent by such means, the sputtered particles 16 from the clamper 10 can be reduced.
As a result, the contamination of the substrate 6 by the sputtered particles 16 cannot be significantly reduced.

【0009】そこでこの発明は、スパッタ粒子による基
板の汚染を大幅に低減することを主たる目的とする。
Therefore, the main object of the present invention is to significantly reduce the contamination of the substrate by sputtered particles.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン注入装置は、基板保持手段を、基
板を静電気によって吸着する静電チャックを用いて構成
し、かつ、プラズマまたは電子を発生させてそれを、こ
の静電チャックに保持された基板の近傍または当該基板
に照射されるイオンビームの近傍に供給して、イオンビ
ーム照射に伴う基板上での正電荷を中和する中和装置を
設けたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the ion implantation apparatus of the present invention, the substrate holding means is constituted by using an electrostatic chuck that attracts the substrate by static electricity, and plasma or electrons are generated. Neutralization to generate and supply it to the vicinity of the substrate held by this electrostatic chuck or to the vicinity of the ion beam irradiated on the substrate to neutralize the positive charge on the substrate due to the irradiation of the ion beam. A device is provided.

【0011】上記構成によれば、基板の保持を静電チャ
ックによる吸着によって行うことができるので、従来例
においてスパッタ粒子の源になっていたクランパーは、
この発明では不要になる。従って、クランパーからのス
パッタ粒子はこの発明では本質的に存在せず、それ故、
スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に低減することが
できる。
According to the above structure, since the substrate can be held by adsorption by the electrostatic chuck, the clamper which has been the source of sputtered particles in the conventional example is
It becomes unnecessary in this invention. Therefore, sputtered particles from the clamper are essentially absent in this invention, and therefore
Contamination of the substrate due to sputtered particles can be significantly reduced.

【0012】しかし、静電チャックの表面は一般的に絶
縁体であり、基板はそこに周囲から電気的に絶縁されて
保持されることになるため、そのままでは、基板に照射
されたイオンビームの正電荷が基板に蓄積され、所定の
イオン注入が行えなくなる等の不具合が発生する。そこ
でこの発明では、そのような正電荷を中和する上記のよ
うな中和装置を設けた。これによって、基板に対する所
定のイオン注入を支障なく行うことができる。
However, since the surface of the electrostatic chuck is generally an insulator and the substrate is held there while being electrically insulated from the surroundings, the substrate of the ion beam irradiated to the substrate is left as it is. Positive charges are accumulated on the substrate, which causes a problem such that predetermined ion implantation cannot be performed. Therefore, in the present invention, the above neutralizing device for neutralizing such positive charges is provided. As a result, predetermined ion implantation into the substrate can be performed without any trouble.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1は、この発明に係るイオン注
入装置の一例を示す概略図である。図4の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
1 is a schematic diagram showing an example of an ion implantation apparatus according to the present invention. Parts that are the same as or correspond to those in the conventional example of FIG.

【0014】この実施例においては、前述した基板6を
保持する基板保持手段を、基板6を静電気によって吸着
する静電チャック20を用いて構成しており、それをこ
の例では前述したファラデーケージ4内に配置してい
る。
In this embodiment, the substrate holding means for holding the above-mentioned substrate 6 is constructed by using an electrostatic chuck 20 for attracting the substrate 6 by static electricity, which in this example is the Faraday cage 4 mentioned above. It is placed inside.

【0015】静電チャックには、電極が二つの双極型
と、電極が一つの単極型とがあるが、前者の方が吸着力
が強いので好ましい。この実施例の静電チャック20
も、双極型であり、例えばセラミックのような絶縁体2
2内の表面近くに、共に半円形をした二つの電極24お
よび25が相対向して円形を成すように埋め込まれてい
る。この静電チャック20は、この例では金属製のベー
ス26に支持されており、このベース26は、この例で
は前述したビーム電流計測器14を経由してアースされ
ている。
The electrostatic chuck is classified into a bipolar type having two electrodes and a monopolar type having one electrode. The former type is preferable because it has a stronger adsorption force. The electrostatic chuck 20 of this embodiment
Is also bipolar and is an insulator 2 such as a ceramic
Two electrodes 24 and 25, each having a semicircular shape, are embedded near the surface in 2 so as to face each other and form a circular shape. The electrostatic chuck 20 is supported by a metal base 26 in this example, and the base 26 is grounded via the beam current measuring instrument 14 described above in this example.

【0016】図示しない直流電源から、一方の電極(例
えば電極24)に正電圧が、他方の電極(例えば電極2
5)に負電圧が印加される。これによって、基板6と電
極24、25間に正負の電荷が溜まり、その間に働くク
ーロン力によって基板6が吸着保持される。その状態
で、基板6にイオンビーム2を照射してイオン注入を行
うことができる。
From a DC power source (not shown), a positive voltage is applied to one electrode (eg electrode 24) and the other electrode (eg electrode 2) is applied.
A negative voltage is applied to 5). As a result, positive and negative charges are accumulated between the substrate 6 and the electrodes 24 and 25, and the substrate 6 is adsorbed and held by the Coulomb force acting between them. In that state, the substrate 6 can be irradiated with the ion beam 2 to perform ion implantation.

【0017】上記構成によれば、基板6の保持を静電チ
ャック20による吸着によって行うことができるので、
従来例においてスパッタ粒子の源になっていたクランパ
ーは、ここでは不要になる。従って、クランパーからの
スパッタ粒子はここでは本質的に存在せず、それ故、ス
パッタ粒子による基板6の汚染を大幅に低減することが
できる。
According to the above structure, since the substrate 6 can be held by adsorption by the electrostatic chuck 20,
The clamper, which has been the source of sputtered particles in the conventional example, is unnecessary here. Therefore, sputtered particles from the clamper are essentially absent here, and therefore contamination of the substrate 6 by sputtered particles can be significantly reduced.

【0018】しかし、静電チャック20の表面は上記の
ように絶縁体22であり、基板6はそこに周囲から電気
的に絶縁されて保持されることになるため、そのままで
は、基板6に照射されたイオンビーム2の正電荷の流出
先がなく、この正電荷が基板6に蓄積され、所定のイオ
ン注入が行えなくなる等の不具合が発生する。例えば、
基板6は、イオンビーム2の持つエネルギーに相当する
高い電位にまで充電され、この電位がイオンビーム2の
飛来を妨げるため、基板6に所定のイオン注入を行うこ
とができなくなる。また、基板6とその付近との間でブ
レークダウンが起こり、基板6等が損傷を受けることも
ある。
However, since the surface of the electrostatic chuck 20 is the insulator 22 as described above and the substrate 6 is held there while being electrically insulated from the surroundings, the substrate 6 is directly irradiated with the irradiation. There is no outflow destination of the positive charges of the ion beam 2 thus generated, and the positive charges are accumulated in the substrate 6 to cause a problem that predetermined ion implantation cannot be performed. For example,
The substrate 6 is charged to a high potential corresponding to the energy of the ion beam 2, and this potential prevents the ion beam 2 from flying, so that it becomes impossible to perform predetermined ion implantation on the substrate 6. Further, breakdown may occur between the substrate 6 and its vicinity, and the substrate 6 and the like may be damaged.

【0019】そこでこの発明では、プラズマまたは電子
を発生させてそれを、静電チャック20に保持された基
板6の近傍または当該基板6に照射されるイオンビーム
2の近傍に供給して、イオンビーム2の照射に伴う基板
6上での正電荷を中和する中和装置を設けている。これ
によって、基板6に対する所定のイオン注入を支障なく
行うことができる。
Therefore, in the present invention, plasma or electrons are generated and supplied to the vicinity of the substrate 6 held by the electrostatic chuck 20 or the vicinity of the ion beam 2 with which the substrate 6 is irradiated to generate the ion beam. A neutralization device is provided to neutralize the positive charges on the substrate 6 due to the irradiation of 2. As a result, predetermined ion implantation into the substrate 6 can be performed without any trouble.

【0020】この中和装置の例を詳述すると、図1の実
施例では、静電チャック20の上流側付近に位置するフ
ァラデーケージ4の側面に、中和装置30aを設けてい
る。この中和装置30aは、プラズマ34を生成するプ
ラズマ生成部32を有していて、そこで生成したプラズ
マ34を、ファラデーケージ4内を通過するイオンビー
ム2の近傍または静電チャック20上の基板6の近傍に
供給するように構成されている。
To explain the example of this neutralizer in detail, in the embodiment of FIG. 1, the neutralizer 30a is provided on the side surface of the Faraday cage 4 located near the upstream side of the electrostatic chuck 20. The neutralization apparatus 30 a has a plasma generation unit 32 that generates plasma 34, and the plasma 34 generated there is near the ion beam 2 passing through the Faraday cage 4 or the substrate 6 on the electrostatic chuck 20. Is configured to supply to the vicinity of.

【0021】イオンビーム2は、空間電荷効果によって
正の電位を有しており、このイオンビーム2の近傍に供
給されたプラズマ34中の電子は、この正電位によって
イオンビーム2中に引き込まれてイオンビーム2と共に
基板6に入射して、または基板6の正帯電による正電位
に引かれて基板6に直接入射して、イオンビーム照射に
伴う基板6上での正電荷を中和する。
The ion beam 2 has a positive potential due to the space charge effect, and the electrons in the plasma 34 supplied near the ion beam 2 are drawn into the ion beam 2 by this positive potential. It is incident on the substrate 6 together with the ion beam 2 or is directly attracted to the substrate 6 by being drawn to a positive potential due to the positive charging of the substrate 6 to neutralize the positive charge on the substrate 6 due to the irradiation of the ion beam.

【0022】その場合、プラズマ生成部32に、図示の
向きまたはその逆向きにバイアス電源38を接続して、
プラズマ生成部32のファラデーケージ4またはアース
に対する電位を、所定の範囲内、例えば−50V〜+5
0V程度の範囲内で制御するようにしても良く、そのよ
うにすれば、基板6に到達する電子の量等を制御するこ
とができるので、上記中和作用を制御することができ
る。36は絶縁物である。
In this case, a bias power source 38 is connected to the plasma generating section 32 in the direction shown in the drawing or in the opposite direction,
The potential of the plasma generation unit 32 with respect to the Faraday cage 4 or the ground is set within a predetermined range, for example, −50 V to +5.
The neutralization may be controlled within a range of about 0 V, and by doing so, the amount of electrons reaching the substrate 6 and the like can be controlled, so that the neutralizing action can be controlled. 36 is an insulator.

【0023】図2の実施例では、静電チャック20の上
流側付近に位置するファラデーケージ4の側面に、中和
装置30bを設けている。この中和装置30bは、電子
(熱電子)42発生用のフィラメント40とそれを加熱
するフィラメント電源44とを有していて、フィラメン
ト40から発生させた電子42を、ファラデーケージ4
内を通過するイオンビーム2の近傍または静電チャック
20上の基板6の近傍に供給するように構成されてい
る。
In the embodiment of FIG. 2, a neutralizing device 30b is provided on the side surface of the Faraday cage 4 located near the upstream side of the electrostatic chuck 20. The neutralizer 30b has a filament 40 for generating electrons (thermoelectrons) 42 and a filament power source 44 for heating the filament 40, and the electrons 42 generated from the filament 40 are supplied to the Faraday cage 4
It is configured to be supplied in the vicinity of the ion beam 2 passing through the inside or in the vicinity of the substrate 6 on the electrostatic chuck 20.

【0024】この電子42は、イオンビーム2の正電位
によってイオンビーム2中に引き込まれてイオンビーム
2と共に基板6に入射して、または基板6の正帯電によ
る正電位に引かれて基板6に直接入射して、イオンビー
ム照射に伴う基板6上での正電荷を中和する。
The electrons 42 are drawn into the ion beam 2 by the positive potential of the ion beam 2 and are incident on the substrate 6 together with the ion beam 2, or are drawn to the positive potential by the positive charging of the substrate 6 to the substrate 6. Direct incidence is made to neutralize the positive charges on the substrate 6 due to ion beam irradiation.

【0025】この実施例の場合も、フィラメント40
に、図示の向きまたはその逆向きにバイアス電源38を
接続して、フィラメント40のファラデーケージ4また
はアースに対する電位を、所定の範囲内、例えば−50
V〜+50V程度の範囲内で制御するようにしても良
く、そのようにすれば、基板6に到達する電子42の量
等を制御することができるので、上記中和作用を制御す
ることができる。
Also in this embodiment, the filament 40
To the Faraday cage 4 or the ground by connecting the bias power source 38 in the direction shown in the figure or in the opposite direction to a predetermined range, for example, -50.
The neutralization may be controlled within the range of about V to +50 V. In such a case, the amount of the electrons 42 reaching the substrate 6 and the like can be controlled, so that the neutralizing action can be controlled. .

【0026】図3の実施例では、静電チャック20の上
流側近傍に中和装置30cを設けている。この中和装置
30cは、静電チャック20に保持された基板6の近傍
にガス48を供給する1本または複数本のガス供給パイ
プ46を有している。ガス48は例えば不活性ガスであ
る。
In the embodiment of FIG. 3, a neutralizing device 30c is provided near the upstream side of the electrostatic chuck 20. The neutralization device 30 c has one or a plurality of gas supply pipes 46 that supply the gas 48 near the substrate 6 held by the electrostatic chuck 20. The gas 48 is, for example, an inert gas.

【0027】基板6の近傍にガス48を供給しながら基
板6にイオンビーム2を照射すると、そのガス分子にイ
オンビーム2が衝突してそれを電離させて、基板6の表
面近傍にプラズマ50が生成される。このプラズマ50
中の電子は、基板6の正帯電による正電位に引かれて基
板6に入射し、イオンビーム照射に伴う基板6上での正
電荷を中和する。
When the substrate 6 is irradiated with the ion beam 2 while supplying the gas 48 to the vicinity of the substrate 6, the gas molecules collide with the ion beam 2 to ionize it, and a plasma 50 is generated near the surface of the substrate 6. Is generated. This plasma 50
The electrons inside are attracted to the positive potential due to the positive charging of the substrate 6 and enter the substrate 6, and neutralize the positive charges on the substrate 6 due to the irradiation of the ion beam.

【0028】このプラズマ50の端部はガス供給パイプ
46に接触するので、このプラズマ50の電位は、ガス
供給パイプ46の電位によって制御することができる。
そこでこの実施例の場合も、ガス供給パイプ46に、図
示の向きまたはその逆向きにバイアス電源38を接続し
て、ガス供給パイプ46のファラデーケージ4またはア
ースに対する電位を、所定の範囲内、例えば−50V〜
+50V程度の範囲内で制御するようにしても良く、そ
のようにすれば、プラズマ50の電位を制御してそこか
ら基板6に供給される電子の量等を制御することができ
るので、上記中和作用を制御することができる。
Since the end of the plasma 50 contacts the gas supply pipe 46, the potential of the plasma 50 can be controlled by the potential of the gas supply pipe 46.
Therefore, in the case of this embodiment as well, the bias power source 38 is connected to the gas supply pipe 46 in the direction shown in the drawing or in the opposite direction so that the potential of the gas supply pipe 46 with respect to the Faraday cage 4 or the ground is within a predetermined range, for example. -50V ~
The voltage may be controlled within a range of about +50 V. In that case, the potential of the plasma 50 can be controlled to control the amount of electrons supplied to the substrate 6 or the like from the above. The summing action can be controlled.

【0029】なお、上記のような中和装置30a〜30
cの内の二つまたは三つを組み合わせて設けても良く、
そのようにすれば、よりきめ細かく、かつより確実に、
イオンビーム照射に伴う基板6上での正電荷を中和する
ことができる。
The neutralizing devices 30a to 30 as described above are used.
Two or three of c may be provided in combination,
By doing so, it will be more detailed and more reliable,
It is possible to neutralize the positive charges on the substrate 6 due to the ion beam irradiation.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板の
保持を静電チャックによる吸着によって行うことができ
るので、従来例においてスパッタ粒子の源になっていた
クランパーは、この発明では不要になる。従って、クラ
ンパーからのスパッタ粒子はこの発明では本質的に存在
せず、それ故、スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に
低減することができる。
As described above, according to the present invention, since the substrate can be held by adsorption by the electrostatic chuck, the clamper which is the source of the sputtered particles in the conventional example becomes unnecessary in the present invention. Become. Therefore, sputtered particles from the clamper are essentially absent in the present invention, and therefore contamination of the substrate by sputtered particles can be greatly reduced.

【0031】しかも、静電チャックの表面は一般的に絶
縁体であり、基板はそこに周囲から電気的に絶縁されて
保持されることになるため、そのままでは、基板に照射
されたイオンビームの正電荷が基板に蓄積され、所定の
イオン注入が行えなくなる等の不具合が発生するけれど
も、この発明では、そのような正電荷を中和する上記の
ような中和装置を設けたので、これによって、基板に対
する所定のイオン注入を支障なく行うことができる。
Moreover, the surface of the electrostatic chuck is generally an insulator, and the substrate is held there while being electrically insulated from the surroundings. Although a positive charge is accumulated on the substrate, and a problem such as the inability to perform predetermined ion implantation occurs, the present invention provides the above-mentioned neutralizing device for neutralizing such a positive charge. Therefore, predetermined ion implantation into the substrate can be performed without any trouble.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に係るイオン注入装置の一例を示す概
略図である。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of an ion implantation apparatus according to the present invention.

【図2】この発明に係るイオン注入装置の他の例を示す
概略図である。
FIG. 2 is a schematic view showing another example of the ion implantation apparatus according to the present invention.

【図3】この発明に係るイオン注入装置の更に他の例を
示す概略図である。
FIG. 3 is a schematic view showing still another example of the ion implantation apparatus according to the present invention.

【図4】従来のイオン注入装置の一例を示す概略図であ
る。
FIG. 4 is a schematic view showing an example of a conventional ion implantation apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 イオンビーム 6 基板 20 静電チャック 30a〜30c 中和装置 34 プラズマ 42 電子 48 ガス 50 プラズマ 2 Ion beam 6 Substrate 20 Electrostatic chuck 30a-30c Neutralizer 34 Plasma 42 Electron 48 Gas 50 Plasma

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空中で、基板保持手段に保持された基
板にイオンビームを照射して当該基板にイオン注入を行
うイオン注入装置において、前記基板保持手段を、基板
を静電気によって吸着する静電チャックを用いて構成
し、かつ、プラズマまたは電子を発生させてそれを、こ
の静電チャックに保持された基板の近傍または当該基板
に照射されるイオンビームの近傍に供給して、イオンビ
ーム照射に伴う基板上での正電荷を中和する中和装置を
設けたことを特徴とするイオン注入装置。
1. An ion implantation apparatus for irradiating a substrate held by a substrate holding means with an ion beam to implant ions in the substrate in a vacuum, wherein the substrate holding means is electrostatically attracted to the substrate by static electricity. It is configured by using a chuck, and plasma or electrons are generated and supplied to the vicinity of the substrate held by this electrostatic chuck or the vicinity of the ion beam irradiated to the substrate for ion beam irradiation. An ion implantation apparatus comprising a neutralization device for neutralizing a positive charge on the accompanying substrate.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11144671A (en) * 1997-11-06 1999-05-28 Hitachi Ltd Ion implanting apparatus
JP2001185503A (en) * 1999-12-24 2001-07-06 Nec Corp Semiconductor thin film modifying device
KR100460800B1 (en) * 1997-07-03 2005-05-19 삼성전자주식회사 Plasma treatment apparatus and its residue removal plate manufacturing method
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