JPH09167593A - Ion implantation device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、基板保持手段に
保持された基板にイオンビームを照射してイオン注入を
行うイオン注入装置に関し、より具体的には、その基板
保持手段からのスパッタ粒子が基板に入り込むことを防
止する手段に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus for irradiating a substrate held by a substrate holding means with an ion beam to perform ion implantation. More specifically, the sputtered particles from the substrate holding means are It relates to means for preventing entry into a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は、従来のイオン注入装置の一例を
示す概略図である。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic view showing an example of a conventional ion implantation apparatus.
【０００３】このイオン注入装置においては、基板（例
えばウェーハ）６を支持するベース８、基板６の周縁部
をベース８に向けて押し付けるクランパー１０およびば
ね１２によって、基板保持手段を構成している。クラン
パー１０は、図示例のようにリング状の場合もあるし、
多点の場合もある。ベース８およびクランパー１０は、
アルミニウム等の金属によって作られており、図示例の
ようにビーム電流計測器１４を経由して、または直接、
アースされている。基板６に入るイオンビーム２等によ
る電荷は、ベース８（およびこの例ではビーム電流計測
器１４）を経由してアースに流れる。In this ion implanter, a substrate holding means is constituted by a base 8 for supporting a substrate (for example, a wafer) 6, a clamper 10 for pressing the peripheral edge of the substrate 6 toward the base 8 and a spring 12. The clamper 10 may have a ring shape as illustrated, or
There may be multiple points. The base 8 and clamper 10 are
It is made of metal such as aluminum, and can be directly passed through the beam current measuring device 14 as shown in the figure, or directly.
It is grounded. The charges due to the ion beam 2 and the like entering the substrate 6 flow to the ground via the base 8 (and the beam current measuring device 14 in this example).
【０００４】このような基板保持手段を、通常は、真空
容器内に設けられたファラデーケージ４内に配置し、そ
こで、基板６にイオンビーム２を照射して当該基板６に
イオン注入を行う。このファラデーケージ４は、ベース
８等と共にビーム電流計測器１４に接続されている。但
し、ファラデーケージ４を設けない場合もあり、その場
合は図中の符号４を真空容器と考えれば良く、またビー
ム電流計測器１４はベース８に接続される。Such a substrate holding means is usually arranged in a Faraday cage 4 provided in a vacuum container, and the substrate 6 is irradiated with an ion beam 2 to implant ions in the substrate 6. The Faraday cage 4 is connected to the beam current measuring device 14 together with the base 8 and the like. However, the Faraday cage 4 may not be provided in some cases, and in that case, reference numeral 4 in the drawing may be considered as a vacuum container, and the beam current measuring device 14 is connected to the base 8.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
おける注入動作においては、イオンビーム２が基板６の
全面に照射（注入）されるように、イオンビーム２と基
板６とは相対的に走査される。例えば、基板６を固定
しておいてイオンビーム２をＸＹ方向に電気的に走査す
る、イオンビーム２を固定しておいて基板６をＸＹ方
向に機械的に走査する、またはイオンビーム２の電気
的な走査と基板６の機械的な走査とを併用する。いずれ
の場合も、基板６の全面に確実にイオンビーム２を照射
する必要上、イオンビーム２が基板６を少しはみ出すよ
うに走査され（これをオーバースキャンと言う）、この
時、基板６の周縁部を押さえているクランパー１０にも
イオンビーム２が当たることになる。In the implantation operation in the above-mentioned ion implantation apparatus, the ion beam 2 and the substrate 6 are relatively scanned so that the ion beam 2 is irradiated (implanted) on the entire surface of the substrate 6. It For example, the substrate 6 is fixed and the ion beam 2 is electrically scanned in the XY directions, the ion beam 2 is fixed and the substrate 6 is mechanically scanned in the XY directions, or the ion beam 2 is electrically scanned. Scanning and mechanical scanning of the substrate 6 are used together. In either case, since the entire surface of the substrate 6 needs to be reliably irradiated with the ion beam 2, the ion beam 2 is scanned so as to slightly protrude from the substrate 6 (this is called overscan), and at this time, the peripheral edge of the substrate 6 is detected. The ion beam 2 will also hit the clamper 10 holding the part.
【０００６】このクランパー１０へのイオンビーム２の
衝突によってクランパー１０はスパッタされてスパッタ
粒子１６が発生し、このスパッタ粒子１６が基板６に入
り込む。このようなスパッタ粒子１６が基板６に入り込
むと基板６の表面が汚染されるため、イオン注入におい
ては、特に微細化が進む超ＬＳＩの製造等においては、
このような汚染を極力防ぐ必要がある。The impact of the ion beam 2 on the clamper 10 causes the clamper 10 to be sputtered to generate sputtered particles 16 which enter the substrate 6. When such sputtered particles 16 enter the substrate 6, the surface of the substrate 6 is contaminated. Therefore, in ion implantation, particularly in the manufacture of ultra LSIs, which are becoming finer,
It is necessary to prevent such pollution as much as possible.
【０００７】そこで従来は、クランパー１０から発生す
るスパッタ粒子１６を低減するために、基板６の全周
を押さえるのではなく部分的に押さえる、またはクラ
ンパー１０の内周部を、図示とは逆にビーム入口側が尖
った逆ナイフエッジにする、等の構造を工夫するとか、
クランパー１０の材質を、基板６を構成する半導体に
対してできるだけ害の少ない材質にする、またはその
ような材質をクランパー１０の表面に被覆する、等のス
パッタ粒子１６の源の材質を選択する、等の手段によっ
て対応してきた。Therefore, conventionally, in order to reduce the sputtered particles 16 generated from the clamper 10, the substrate 6 is partially pressed instead of pressed, or the inner peripheral portion of the clamper 10 is reversed. Or to devise a structure such as a reverse knife edge with a sharp beam entrance side,
The material of the sputter particles 16 is selected such that the material of the clamper 10 is a material that is least harmful to the semiconductor forming the substrate 6, or the surface of the clamper 10 is covered with such material. And so on.
【０００８】しかしながら、そのような手段では、スパ
ッタ粒子１６による基板６の汚染をある程度は低減する
ことができても、クランパー１０からスパッタ粒子１６
が発生する以上、スパッタ粒子１６による基板６の汚染
を大幅に低減することはできない。However, even if the contamination of the substrate 6 by the sputtered particles 16 can be reduced to some extent by such means, the sputtered particles 16 from the clamper 10 can be reduced.
As a result, the contamination of the substrate 6 by the sputtered particles 16 cannot be significantly reduced.
【０００９】そこでこの発明は、スパッタ粒子による基
板の汚染を大幅に低減することを主たる目的とする。Therefore, the main object of the present invention is to significantly reduce the contamination of the substrate by sputtered particles.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン注入装置は、基板保持手段を、基
板を静電気によって吸着する静電チャックを用いて構成
し、かつ、プラズマまたは電子を発生させてそれを、こ
の静電チャックに保持された基板の近傍または当該基板
に照射されるイオンビームの近傍に供給して、イオンビ
ーム照射に伴う基板上での正電荷を中和する中和装置を
設けたことを特徴とする。In order to achieve the above object, in the ion implantation apparatus of the present invention, the substrate holding means is constituted by using an electrostatic chuck that attracts the substrate by static electricity, and plasma or electrons are generated. Neutralization to generate and supply it to the vicinity of the substrate held by this electrostatic chuck or to the vicinity of the ion beam irradiated on the substrate to neutralize the positive charge on the substrate due to the irradiation of the ion beam. A device is provided.
【００１１】上記構成によれば、基板の保持を静電チャ
ックによる吸着によって行うことができるので、従来例
においてスパッタ粒子の源になっていたクランパーは、
この発明では不要になる。従って、クランパーからのス
パッタ粒子はこの発明では本質的に存在せず、それ故、
スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に低減することが
できる。According to the above structure, since the substrate can be held by adsorption by the electrostatic chuck, the clamper which has been the source of sputtered particles in the conventional example is
It becomes unnecessary in this invention. Therefore, sputtered particles from the clamper are essentially absent in this invention, and therefore
Contamination of the substrate due to sputtered particles can be significantly reduced.
【００１２】しかし、静電チャックの表面は一般的に絶
縁体であり、基板はそこに周囲から電気的に絶縁されて
保持されることになるため、そのままでは、基板に照射
されたイオンビームの正電荷が基板に蓄積され、所定の
イオン注入が行えなくなる等の不具合が発生する。そこ
でこの発明では、そのような正電荷を中和する上記のよ
うな中和装置を設けた。これによって、基板に対する所
定のイオン注入を支障なく行うことができる。However, since the surface of the electrostatic chuck is generally an insulator and the substrate is held there while being electrically insulated from the surroundings, the substrate of the ion beam irradiated to the substrate is left as it is. Positive charges are accumulated on the substrate, which causes a problem such that predetermined ion implantation cannot be performed. Therefore, in the present invention, the above neutralizing device for neutralizing such positive charges is provided. As a result, predetermined ion implantation into the substrate can be performed without any trouble.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン注
入装置の一例を示す概略図である。図４の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。1 is a schematic diagram showing an example of an ion implantation apparatus according to the present invention. Parts that are the same as or correspond to those in the conventional example of FIG.
【００１４】この実施例においては、前述した基板６を
保持する基板保持手段を、基板６を静電気によって吸着
する静電チャック２０を用いて構成しており、それをこ
の例では前述したファラデーケージ４内に配置してい
る。In this embodiment, the substrate holding means for holding the above-mentioned substrate 6 is constructed by using an electrostatic chuck 20 for attracting the substrate 6 by static electricity, which in this example is the Faraday cage 4 mentioned above. It is placed inside.
【００１５】静電チャックには、電極が二つの双極型
と、電極が一つの単極型とがあるが、前者の方が吸着力
が強いので好ましい。この実施例の静電チャック２０
も、双極型であり、例えばセラミックのような絶縁体２
２内の表面近くに、共に半円形をした二つの電極２４お
よび２５が相対向して円形を成すように埋め込まれてい
る。この静電チャック２０は、この例では金属製のベー
ス２６に支持されており、このベース２６は、この例で
は前述したビーム電流計測器１４を経由してアースされ
ている。The electrostatic chuck is classified into a bipolar type having two electrodes and a monopolar type having one electrode. The former type is preferable because it has a stronger adsorption force. The electrostatic chuck 20 of this embodiment
Is also bipolar and is an insulator 2 such as a ceramic
Two electrodes 24 and 25, each having a semicircular shape, are embedded near the surface in 2 so as to face each other and form a circular shape. The electrostatic chuck 20 is supported by a metal base 26 in this example, and the base 26 is grounded via the beam current measuring instrument 14 described above in this example.
【００１６】図示しない直流電源から、一方の電極（例
えば電極２４）に正電圧が、他方の電極（例えば電極２
５）に負電圧が印加される。これによって、基板６と電
極２４、２５間に正負の電荷が溜まり、その間に働くク
ーロン力によって基板６が吸着保持される。その状態
で、基板６にイオンビーム２を照射してイオン注入を行
うことができる。From a DC power source (not shown), a positive voltage is applied to one electrode (eg electrode 24) and the other electrode (eg electrode 2) is applied.
A negative voltage is applied to 5). As a result, positive and negative charges are accumulated between the substrate 6 and the electrodes 24 and 25, and the substrate 6 is adsorbed and held by the Coulomb force acting between them. In that state, the substrate 6 can be irradiated with the ion beam 2 to perform ion implantation.
【００１７】上記構成によれば、基板６の保持を静電チ
ャック２０による吸着によって行うことができるので、
従来例においてスパッタ粒子の源になっていたクランパ
ーは、ここでは不要になる。従って、クランパーからの
スパッタ粒子はここでは本質的に存在せず、それ故、ス
パッタ粒子による基板６の汚染を大幅に低減することが
できる。According to the above structure, since the substrate 6 can be held by adsorption by the electrostatic chuck 20,
The clamper, which has been the source of sputtered particles in the conventional example, is unnecessary here. Therefore, sputtered particles from the clamper are essentially absent here, and therefore contamination of the substrate 6 by sputtered particles can be significantly reduced.
【００１８】しかし、静電チャック２０の表面は上記の
ように絶縁体２２であり、基板６はそこに周囲から電気
的に絶縁されて保持されることになるため、そのままで
は、基板６に照射されたイオンビーム２の正電荷の流出
先がなく、この正電荷が基板６に蓄積され、所定のイオ
ン注入が行えなくなる等の不具合が発生する。例えば、
基板６は、イオンビーム２の持つエネルギーに相当する
高い電位にまで充電され、この電位がイオンビーム２の
飛来を妨げるため、基板６に所定のイオン注入を行うこ
とができなくなる。また、基板６とその付近との間でブ
レークダウンが起こり、基板６等が損傷を受けることも
ある。However, since the surface of the electrostatic chuck 20 is the insulator 22 as described above and the substrate 6 is held there while being electrically insulated from the surroundings, the substrate 6 is directly irradiated with the irradiation. There is no outflow destination of the positive charges of the ion beam 2 thus generated, and the positive charges are accumulated in the substrate 6 to cause a problem that predetermined ion implantation cannot be performed. For example,
The substrate 6 is charged to a high potential corresponding to the energy of the ion beam 2, and this potential prevents the ion beam 2 from flying, so that it becomes impossible to perform predetermined ion implantation on the substrate 6. Further, breakdown may occur between the substrate 6 and its vicinity, and the substrate 6 and the like may be damaged.
【００１９】そこでこの発明では、プラズマまたは電子
を発生させてそれを、静電チャック２０に保持された基
板６の近傍または当該基板６に照射されるイオンビーム
２の近傍に供給して、イオンビーム２の照射に伴う基板
６上での正電荷を中和する中和装置を設けている。これ
によって、基板６に対する所定のイオン注入を支障なく
行うことができる。Therefore, in the present invention, plasma or electrons are generated and supplied to the vicinity of the substrate 6 held by the electrostatic chuck 20 or the vicinity of the ion beam 2 with which the substrate 6 is irradiated to generate the ion beam. A neutralization device is provided to neutralize the positive charges on the substrate 6 due to the irradiation of 2. As a result, predetermined ion implantation into the substrate 6 can be performed without any trouble.
【００２０】この中和装置の例を詳述すると、図１の実
施例では、静電チャック２０の上流側付近に位置するフ
ァラデーケージ４の側面に、中和装置３０ａを設けてい
る。この中和装置３０ａは、プラズマ３４を生成するプ
ラズマ生成部３２を有していて、そこで生成したプラズ
マ３４を、ファラデーケージ４内を通過するイオンビー
ム２の近傍または静電チャック２０上の基板６の近傍に
供給するように構成されている。To explain the example of this neutralizer in detail, in the embodiment of FIG. 1, the neutralizer 30a is provided on the side surface of the Faraday cage 4 located near the upstream side of the electrostatic chuck 20. The neutralization apparatus 30 a has a plasma generation unit 32 that generates plasma 34, and the plasma 34 generated there is near the ion beam 2 passing through the Faraday cage 4 or the substrate 6 on the electrostatic chuck 20. Is configured to supply to the vicinity of.
【００２１】イオンビーム２は、空間電荷効果によって
正の電位を有しており、このイオンビーム２の近傍に供
給されたプラズマ３４中の電子は、この正電位によって
イオンビーム２中に引き込まれてイオンビーム２と共に
基板６に入射して、または基板６の正帯電による正電位
に引かれて基板６に直接入射して、イオンビーム照射に
伴う基板６上での正電荷を中和する。The ion beam 2 has a positive potential due to the space charge effect, and the electrons in the plasma 34 supplied near the ion beam 2 are drawn into the ion beam 2 by this positive potential. It is incident on the substrate 6 together with the ion beam 2 or is directly attracted to the substrate 6 by being drawn to a positive potential due to the positive charging of the substrate 6 to neutralize the positive charge on the substrate 6 due to the irradiation of the ion beam.
【００２２】その場合、プラズマ生成部３２に、図示の
向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を接続して、
プラズマ生成部３２のファラデーケージ４またはアース
に対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０Ｖ〜＋５
０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良く、そのよ
うにすれば、基板６に到達する電子の量等を制御するこ
とができるので、上記中和作用を制御することができ
る。３６は絶縁物である。In this case, a bias power source 38 is connected to the plasma generating section 32 in the direction shown in the drawing or in the opposite direction,
The potential of the plasma generation unit 32 with respect to the Faraday cage 4 or the ground is set within a predetermined range, for example, −50 V to +5.
The neutralization may be controlled within a range of about 0 V, and by doing so, the amount of electrons reaching the substrate 6 and the like can be controlled, so that the neutralizing action can be controlled. 36 is an insulator.
【００２３】図２の実施例では、静電チャック２０の上
流側付近に位置するファラデーケージ４の側面に、中和
装置３０ｂを設けている。この中和装置３０ｂは、電子
（熱電子）４２発生用のフィラメント４０とそれを加熱
するフィラメント電源４４とを有していて、フィラメン
ト４０から発生させた電子４２を、ファラデーケージ４
内を通過するイオンビーム２の近傍または静電チャック
２０上の基板６の近傍に供給するように構成されてい
る。In the embodiment of FIG. 2, a neutralizing device 30b is provided on the side surface of the Faraday cage 4 located near the upstream side of the electrostatic chuck 20. The neutralizer 30b has a filament 40 for generating electrons (thermoelectrons) 42 and a filament power source 44 for heating the filament 40, and the electrons 42 generated from the filament 40 are supplied to the Faraday cage 4
It is configured to be supplied in the vicinity of the ion beam 2 passing through the inside or in the vicinity of the substrate 6 on the electrostatic chuck 20.
【００２４】この電子４２は、イオンビーム２の正電位
によってイオンビーム２中に引き込まれてイオンビーム
２と共に基板６に入射して、または基板６の正帯電によ
る正電位に引かれて基板６に直接入射して、イオンビー
ム照射に伴う基板６上での正電荷を中和する。The electrons 42 are drawn into the ion beam 2 by the positive potential of the ion beam 2 and are incident on the substrate 6 together with the ion beam 2, or are drawn to the positive potential by the positive charging of the substrate 6 to the substrate 6. Direct incidence is made to neutralize the positive charges on the substrate 6 due to ion beam irradiation.
【００２５】この実施例の場合も、フィラメント４０
に、図示の向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を
接続して、フィラメント４０のファラデーケージ４また
はアースに対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０
Ｖ〜＋５０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良
く、そのようにすれば、基板６に到達する電子４２の量
等を制御することができるので、上記中和作用を制御す
ることができる。Also in this embodiment, the filament 40
To the Faraday cage 4 or the ground by connecting the bias power source 38 in the direction shown in the figure or in the opposite direction to a predetermined range, for example, -50.
The neutralization may be controlled within the range of about V to +50 V. In such a case, the amount of the electrons 42 reaching the substrate 6 and the like can be controlled, so that the neutralizing action can be controlled. .
【００２６】図３の実施例では、静電チャック２０の上
流側近傍に中和装置３０ｃを設けている。この中和装置
３０ｃは、静電チャック２０に保持された基板６の近傍
にガス４８を供給する１本または複数本のガス供給パイ
プ４６を有している。ガス４８は例えば不活性ガスであ
る。In the embodiment of FIG. 3, a neutralizing device 30c is provided near the upstream side of the electrostatic chuck 20. The neutralization device 30 c has one or a plurality of gas supply pipes 46 that supply the gas 48 near the substrate 6 held by the electrostatic chuck 20. The gas 48 is, for example, an inert gas.
【００２７】基板６の近傍にガス４８を供給しながら基
板６にイオンビーム２を照射すると、そのガス分子にイ
オンビーム２が衝突してそれを電離させて、基板６の表
面近傍にプラズマ５０が生成される。このプラズマ５０
中の電子は、基板６の正帯電による正電位に引かれて基
板６に入射し、イオンビーム照射に伴う基板６上での正
電荷を中和する。When the substrate 6 is irradiated with the ion beam 2 while supplying the gas 48 to the vicinity of the substrate 6, the gas molecules collide with the ion beam 2 to ionize it, and a plasma 50 is generated near the surface of the substrate 6. Is generated. This plasma 50
The electrons inside are attracted to the positive potential due to the positive charging of the substrate 6 and enter the substrate 6, and neutralize the positive charges on the substrate 6 due to the irradiation of the ion beam.
【００２８】このプラズマ５０の端部はガス供給パイプ
４６に接触するので、このプラズマ５０の電位は、ガス
供給パイプ４６の電位によって制御することができる。
そこでこの実施例の場合も、ガス供給パイプ４６に、図
示の向きまたはその逆向きにバイアス電源３８を接続し
て、ガス供給パイプ４６のファラデーケージ４またはア
ースに対する電位を、所定の範囲内、例えば−５０Ｖ〜
＋５０Ｖ程度の範囲内で制御するようにしても良く、そ
のようにすれば、プラズマ５０の電位を制御してそこか
ら基板６に供給される電子の量等を制御することができ
るので、上記中和作用を制御することができる。Since the end of the plasma 50 contacts the gas supply pipe 46, the potential of the plasma 50 can be controlled by the potential of the gas supply pipe 46.
Therefore, in the case of this embodiment as well, the bias power source 38 is connected to the gas supply pipe 46 in the direction shown in the drawing or in the opposite direction so that the potential of the gas supply pipe 46 with respect to the Faraday cage 4 or the ground is within a predetermined range, for example. -50V ~
The voltage may be controlled within a range of about +50 V. In that case, the potential of the plasma 50 can be controlled to control the amount of electrons supplied to the substrate 6 or the like from the above. The summing action can be controlled.
【００２９】なお、上記のような中和装置３０ａ〜３０
ｃの内の二つまたは三つを組み合わせて設けても良く、
そのようにすれば、よりきめ細かく、かつより確実に、
イオンビーム照射に伴う基板６上での正電荷を中和する
ことができる。The neutralizing devices 30a to 30 as described above are used.
Two or three of c may be provided in combination,
By doing so, it will be more detailed and more reliable,
It is possible to neutralize the positive charges on the substrate 6 due to the ion beam irradiation.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板の
保持を静電チャックによる吸着によって行うことができ
るので、従来例においてスパッタ粒子の源になっていた
クランパーは、この発明では不要になる。従って、クラ
ンパーからのスパッタ粒子はこの発明では本質的に存在
せず、それ故、スパッタ粒子による基板の汚染を大幅に
低減することができる。As described above, according to the present invention, since the substrate can be held by adsorption by the electrostatic chuck, the clamper which is the source of the sputtered particles in the conventional example becomes unnecessary in the present invention. Become. Therefore, sputtered particles from the clamper are essentially absent in the present invention, and therefore contamination of the substrate by sputtered particles can be greatly reduced.
【００３１】しかも、静電チャックの表面は一般的に絶
縁体であり、基板はそこに周囲から電気的に絶縁されて
保持されることになるため、そのままでは、基板に照射
されたイオンビームの正電荷が基板に蓄積され、所定の
イオン注入が行えなくなる等の不具合が発生するけれど
も、この発明では、そのような正電荷を中和する上記の
ような中和装置を設けたので、これによって、基板に対
する所定のイオン注入を支障なく行うことができる。Moreover, the surface of the electrostatic chuck is generally an insulator, and the substrate is held there while being electrically insulated from the surroundings. Although a positive charge is accumulated on the substrate, and a problem such as the inability to perform predetermined ion implantation occurs, the present invention provides the above-mentioned neutralizing device for neutralizing such a positive charge. Therefore, predetermined ion implantation into the substrate can be performed without any trouble.
【図１】この発明に係るイオン注入装置の一例を示す概
略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of an ion implantation apparatus according to the present invention.
【図２】この発明に係るイオン注入装置の他の例を示す
概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing another example of the ion implantation apparatus according to the present invention.
【図３】この発明に係るイオン注入装置の更に他の例を
示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing still another example of the ion implantation apparatus according to the present invention.
【図４】従来のイオン注入装置の一例を示す概略図であ
る。FIG. 4 is a schematic view showing an example of a conventional ion implantation apparatus.
２ イオンビーム ６ 基板 ２０ 静電チャック ３０ａ〜３０ｃ 中和装置 ３４ プラズマ ４２ 電子 ４８ ガス ５０ プラズマ 2 Ion beam 6 Substrate 20 Electrostatic chuck 30a-30c Neutralizer 34 Plasma 42 Electron 48 Gas 50 Plasma
Claims (1)
板にイオンビームを照射して当該基板にイオン注入を行
うイオン注入装置において、前記基板保持手段を、基板
を静電気によって吸着する静電チャックを用いて構成
し、かつ、プラズマまたは電子を発生させてそれを、こ
の静電チャックに保持された基板の近傍または当該基板
に照射されるイオンビームの近傍に供給して、イオンビ
ーム照射に伴う基板上での正電荷を中和する中和装置を
設けたことを特徴とするイオン注入装置。1. An ion implantation apparatus for irradiating a substrate held by a substrate holding means with an ion beam to implant ions in the substrate in a vacuum, wherein the substrate holding means is electrostatically attracted to the substrate by static electricity. It is configured by using a chuck, and plasma or electrons are generated and supplied to the vicinity of the substrate held by this electrostatic chuck or the vicinity of the ion beam irradiated to the substrate for ion beam irradiation. An ion implantation apparatus comprising a neutralization device for neutralizing a positive charge on the accompanying substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7348105A JPH09167593A (en) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Ion implantation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7348105A JPH09167593A (en) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Ion implantation device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167593A true JPH09167593A (en) | 1997-06-24 |
Family
ID=18394776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7348105A Pending JPH09167593A (en) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Ion implantation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167593A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11144671A (en) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | Ion implanting apparatus |
| JP2001185503A (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nec Corp | Semiconductor thin film modifying device |
| KR100460800B1 (en) * | 1997-07-03 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | Plasma treatment apparatus and its residue removal plate manufacturing method |
| JP2008028405A (en) * | 2007-08-07 | 2008-02-07 | Nec Corp | Semiconductor thin-film reforming apparatus |
| CN104988468A (en) * | 2015-07-27 | 2015-10-21 | 哈尔滨工业大学 | Device for injection and deposition of metal plasma immersion ions on insulating material and injecting and depositing method using device |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP7348105A patent/JPH09167593A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460800B1 (en) * | 1997-07-03 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | Plasma treatment apparatus and its residue removal plate manufacturing method |
| JPH11144671A (en) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | Ion implanting apparatus |
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| CN104988468A (en) * | 2015-07-27 | 2015-10-21 | 哈尔滨工业大学 | Device for injection and deposition of metal plasma immersion ions on insulating material and injecting and depositing method using device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |