JPH09162179A - プラズマエッチング設備におけるエンドポイントの検出装置 - Google Patents
プラズマエッチング設備におけるエンドポイントの検出装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応室内のプラズマとブラケットとの間に設
けられた電界の強さを減少させて工程副産物の吸着によ
る濁化現象を防ぐことができるプラズマエッチング設備
におけるエンドポイントの検出装置を提供する。 【解決手段】 反応室１０の壁に具備された感知窓と、
前記感知窓２０を介してエッチング工程中に生成された
光を反応室１０の外部の測定手段５０へ伝達する光学ケ
ーブル３０と、前記反応室壁１２の外側面に装着されて
前記感知窓２０と前記光学ケーブル３０とを固定するブ
ラケット４０とを備えるプラズマエッチング設備におけ
るエンドポイントの検出装置において、前記感知窓２０
は反応室外部に突出するように固設し、かつ前記感知窓
２０と前記ブラケット４０との間に所定の空間を確保し
て取り付けられることを特徴とする。
けられた電界の強さを減少させて工程副産物の吸着によ
る濁化現象を防ぐことができるプラズマエッチング設備
におけるエンドポイントの検出装置を提供する。 【解決手段】 反応室１０の壁に具備された感知窓と、
前記感知窓２０を介してエッチング工程中に生成された
光を反応室１０の外部の測定手段５０へ伝達する光学ケ
ーブル３０と、前記反応室壁１２の外側面に装着されて
前記感知窓２０と前記光学ケーブル３０とを固定するブ
ラケット４０とを備えるプラズマエッチング設備におけ
るエンドポイントの検出装置において、前記感知窓２０
は反応室外部に突出するように固設し、かつ前記感知窓
２０と前記ブラケット４０との間に所定の空間を確保し
て取り付けられることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマエッチング
設備におけるエンドポイントの検出装置に関し、より詳
しくは反応室内のプラズマとブラケットとの間に設けら
れた電界の強さを減少させて工程の副産物の吸着による
濁化減少を防ぐことによってエンドポイント測定の信頼
性を確保することができるプラズマエッチング設備にお
けるエンドポイントの検出装置に関する。
設備におけるエンドポイントの検出装置に関し、より詳
しくは反応室内のプラズマとブラケットとの間に設けら
れた電界の強さを減少させて工程の副産物の吸着による
濁化減少を防ぐことによってエンドポイント測定の信頼
性を確保することができるプラズマエッチング設備にお
けるエンドポイントの検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子製造工程の中でエッ
チング工程は感光膜現像工程が終わった後、感光膜の下
方に成長または蒸着させた薄膜等を工程の目的により選
択的に取り除く工程であり、エッチング方式としては化
学薬品による湿式とガスを利用する乾式方式とに分けら
れる。
チング工程は感光膜現像工程が終わった後、感光膜の下
方に成長または蒸着させた薄膜等を工程の目的により選
択的に取り除く工程であり、エッチング方式としては化
学薬品による湿式とガスを利用する乾式方式とに分けら
れる。
【０００３】特に、プラズマエッチングは乾式エッチン
グの一つの方法であり、特定のガス、例えばＣＦ4等の
フッ素化合物を真空状態の反応室内に少量の酸素などを
添加して詰め込み、両電極間で高周波エネルギーを加え
ると強い電界が形成される。この際、プラズマガスの中
で電気的な衝撃により気体混合物はイオン化して反応性
が非常に強い活性ラジカルＦに分離され、前記ラジカル
Ｆはエッチングされる薄膜の原子、すなわちシリコンＳ
ｉおよびその化合物等と反応してＳｉＦ4のような揮発
性化合物が生成されてエッチングを進行させる。
グの一つの方法であり、特定のガス、例えばＣＦ4等の
フッ素化合物を真空状態の反応室内に少量の酸素などを
添加して詰め込み、両電極間で高周波エネルギーを加え
ると強い電界が形成される。この際、プラズマガスの中
で電気的な衝撃により気体混合物はイオン化して反応性
が非常に強い活性ラジカルＦに分離され、前記ラジカル
Ｆはエッチングされる薄膜の原子、すなわちシリコンＳ
ｉおよびその化合物等と反応してＳｉＦ4のような揮発
性化合物が生成されてエッチングを進行させる。
【０００４】かかるプラズマエッチングのような乾式エ
ッチングのみならず、湿式エッチングをも含んで全般的
なエッチング工程においては、工程の目的を達成するた
めのいろいろな変数、例えばエッチングの速度調節、サ
イドエッチングの調節、レジストの耐久性など、求めら
れるエッチング特性の中でも何よりもエッチングのエン
ドポイントを正確に感知する方法が講じられるべきであ
る。
ッチングのみならず、湿式エッチングをも含んで全般的
なエッチング工程においては、工程の目的を達成するた
めのいろいろな変数、例えばエッチングの速度調節、サ
イドエッチングの調節、レジストの耐久性など、求めら
れるエッチング特性の中でも何よりもエッチングのエン
ドポイントを正確に感知する方法が講じられるべきであ
る。
【０００５】より具体的に、エッチングのエンドポイン
トとは、エッチングが進行されるにつれて、薄膜がなく
なりシリコン基板や他の薄膜が露出されるエッチングの
終了時点を言うもので、この測定方法はいろいろな方法
が現在採用されているが、例えば、湿式エッチングに主
に使われる方法としてはエッチングされる薄膜の色変化
や状態変化による方法と、エッチングしようとする薄膜
の厚さとエッチング速度とを比較してエッチング時間を
決定する方法などがある。
トとは、エッチングが進行されるにつれて、薄膜がなく
なりシリコン基板や他の薄膜が露出されるエッチングの
終了時点を言うもので、この測定方法はいろいろな方法
が現在採用されているが、例えば、湿式エッチングに主
に使われる方法としてはエッチングされる薄膜の色変化
や状態変化による方法と、エッチングしようとする薄膜
の厚さとエッチング速度とを比較してエッチング時間を
決定する方法などがある。
【０００６】そして、乾式エッチングにおいては薄膜の
屈折率の差を光学的に測定して決定する方法、活性ラジ
カルの濃度変化を分析して決定する方法、エッチング反
応から発生される副産物を分析して決定する方法、その
他プラズマインピーダンスの変化により感知する方法な
どが使われている。
屈折率の差を光学的に測定して決定する方法、活性ラジ
カルの濃度変化を分析して決定する方法、エッチング反
応から発生される副産物を分析して決定する方法、その
他プラズマインピーダンスの変化により感知する方法な
どが使われている。
【０００７】従来のエッチング工程設備に採用されたエ
ンドポイント検出装置の一つの実施例が図１に概略的に
示されている。
ンドポイント検出装置の一つの実施例が図１に概略的に
示されている。
【０００８】まず、図１において、従来の装置は内部に
未図示の被加工体すなわち、ウェーハが安置されて電極
の間において反応ガスが供給されたあと、高周波エネル
ギーによりエッチングが進行する真空状態の反応室１
と、前記反応室１の一側壁１ａには工程進行中に発生す
る光を感知することができるように挟着された、例え
ば、石英（Ｑｕａｒｔｚ）材質の透明な板状からなる感
知窓２と、前記反応室１の外部には感知窓２を介して工
程中に発生する光を感知してエッチングのエンドポイン
トを検出する測定手段５と、前記感知窓２に近接して前
記測定手段５によって工程中に発生する光を伝達する光
学ケーブル３と、前記反応室の壁１ａの外側面には感知
窓２と光学ケーブル３を固定させるように取り付けられ
ているブラケット４とを備えて成る。
未図示の被加工体すなわち、ウェーハが安置されて電極
の間において反応ガスが供給されたあと、高周波エネル
ギーによりエッチングが進行する真空状態の反応室１
と、前記反応室１の一側壁１ａには工程進行中に発生す
る光を感知することができるように挟着された、例え
ば、石英（Ｑｕａｒｔｚ）材質の透明な板状からなる感
知窓２と、前記反応室１の外部には感知窓２を介して工
程中に発生する光を感知してエッチングのエンドポイン
トを検出する測定手段５と、前記感知窓２に近接して前
記測定手段５によって工程中に発生する光を伝達する光
学ケーブル３と、前記反応室の壁１ａの外側面には感知
窓２と光学ケーブル３を固定させるように取り付けられ
ているブラケット４とを備えて成る。
【０００９】このような従来の装置では、反応室１内の
プラズマから発光する光を透明な感知窓２を介して検出
するが、前記感知窓２はエッチングが進行する程濁るよ
うになって光の透過率が劣るようになる。
プラズマから発光する光を透明な感知窓２を介して検出
するが、前記感知窓２はエッチングが進行する程濁るよ
うになって光の透過率が劣るようになる。
【００１０】これは反応室１内においてエッチング中に
発生する副産物（Ｂｙｐｒｏｄｕｃｔ；Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ）などがプラズマに比べて相対的に温度が低い反応室
の壁１ａや前記感知窓２に吸着するためである。
発生する副産物（Ｂｙｐｒｏｄｕｃｔ；Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ）などがプラズマに比べて相対的に温度が低い反応室
の壁１ａや前記感知窓２に吸着するためである。
【００１１】また、エッチングの進行のためにウェーハ
の供給枚数が多ければ多い程、大略２０００枚以上にな
ると前記感知窓２に副産物による異物の沈積化が増加し
て光の透過率もやはり低下する。
の供給枚数が多ければ多い程、大略２０００枚以上にな
ると前記感知窓２に副産物による異物の沈積化が増加し
て光の透過率もやはり低下する。
【００１２】つまり、このような減少により光学ケーブ
ル３に伝達される光の強度が低くなってエンドポイント
の検出状態が不安定となる問題点があった。
ル３に伝達される光の強度が低くなってエンドポイント
の検出状態が不安定となる問題点があった。
【００１３】そこで、前記感知窓２の濁化減少を改善す
るために、図２に示しているように、前記感知窓２の構
造を前記ブラケット４側へ後退するように変更すること
ができるが、このような構造では前記反応室１内のプラ
ズマは多くの正イオンおよび負イオンに帯電している状
態で、前記ブラケット４はアースされた状態であるので
電圧の差が出来て、前記反応室１内の前記プラズマとブ
ラケット４間に電界（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｆｉｅｌｄ）
が形成される。
るために、図２に示しているように、前記感知窓２の構
造を前記ブラケット４側へ後退するように変更すること
ができるが、このような構造では前記反応室１内のプラ
ズマは多くの正イオンおよび負イオンに帯電している状
態で、前記ブラケット４はアースされた状態であるので
電圧の差が出来て、前記反応室１内の前記プラズマとブ
ラケット４間に電界（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｆｉｅｌｄ）
が形成される。
【００１４】しかし、このように形成された電界はその
強さが前記ブラケット４とプラズマ間の距離が短くなる
につれ、もっと大きくなるので前記反応室１内において
工程中に発生した光が前記感知窓２を介して前記光学ケ
ーブル３に伝達される過程において、図３に示されてい
るように、プラズマスパイキング（Ｐｌａｓｍａ Ｓｐ
ｉｋｉｎｇ）（Ｐ）現象が生じて前記感知窓２側へプラ
ズマが引き込まれるようになるので、工程の副産物の吸
着を妨げるには、特に大きな影響を及ぼすことが出来な
いという他の問題点とを含んでいる。
強さが前記ブラケット４とプラズマ間の距離が短くなる
につれ、もっと大きくなるので前記反応室１内において
工程中に発生した光が前記感知窓２を介して前記光学ケ
ーブル３に伝達される過程において、図３に示されてい
るように、プラズマスパイキング（Ｐｌａｓｍａ Ｓｐ
ｉｋｉｎｇ）（Ｐ）現象が生じて前記感知窓２側へプラ
ズマが引き込まれるようになるので、工程の副産物の吸
着を妨げるには、特に大きな影響を及ぼすことが出来な
いという他の問題点とを含んでいる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は
前述の問題点を解消するために提案されたものであり、
本発明の目的は反応室内のプラズマとブラケットとの間
に設けられた電界の強さを減少させて工程副産物の吸着
による感知窓の濁化現象を防ぐことができるプラズマエ
ッチング設備におけるエンドポイントの検出装置を提供
することにある。
前述の問題点を解消するために提案されたものであり、
本発明の目的は反応室内のプラズマとブラケットとの間
に設けられた電界の強さを減少させて工程副産物の吸着
による感知窓の濁化現象を防ぐことができるプラズマエ
ッチング設備におけるエンドポイントの検出装置を提供
することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明によるプラズマエッチング設備における
エンドポイントの検出装置は、反応室の壁に具備された
感知窓と、前記感知窓を介してエッチング工程中に生成
された光を反応室の外部の測定手段へ伝達する光学ケー
ブルと、前記反応室壁の外側面に装着されて前記感知窓
と前記光学ケーブルとを固定するブラケットとを備える
プラズマエッチング設備におけるエンドポイントの検出
装置において、前記感知窓は反応室の外部に突出するよ
うに固設し、かつ前記ブラケットは反応室内のプラズマ
との間に形成される電界の強さを減らすことが出来るよ
うに前記感知窓と前記ブラケットとの間に所定の空間を
確保して取り付けられることを特徴とする。
るための本発明によるプラズマエッチング設備における
エンドポイントの検出装置は、反応室の壁に具備された
感知窓と、前記感知窓を介してエッチング工程中に生成
された光を反応室の外部の測定手段へ伝達する光学ケー
ブルと、前記反応室壁の外側面に装着されて前記感知窓
と前記光学ケーブルとを固定するブラケットとを備える
プラズマエッチング設備におけるエンドポイントの検出
装置において、前記感知窓は反応室の外部に突出するよ
うに固設し、かつ前記ブラケットは反応室内のプラズマ
との間に形成される電界の強さを減らすことが出来るよ
うに前記感知窓と前記ブラケットとの間に所定の空間を
確保して取り付けられることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の望ましい実施例を
添付された図面に基づきさらに詳しく説明する。図４は
本発明によるエッチング設備に採用されるエンドポイン
トの検出装置を概略示した縦断面図であり、図５は図４
におけるＢ部拡大断面図である。
添付された図面に基づきさらに詳しく説明する。図４は
本発明によるエッチング設備に採用されるエンドポイン
トの検出装置を概略示した縦断面図であり、図５は図４
におけるＢ部拡大断面図である。
【００１８】図４及び図５において、本発明の装置は反
応室１０の内部に未図示の被加工体すなわち、ウェーハ
が安置されて電極の間において反応ガスが供給された
後、高周波エネルギーによりプラズマＰの中でエッチン
グ工程が進行するとき、前記反応室１０の一側壁１２に
は、例えば、石英（Ｑｕａｒｔｚ）材質の透明な板状か
らなる感知窓２０が工程進行中に発生する光を感知する
ことができるように挟まれるが、前記反応室１０の外側
に突出するようにし、後述するブラケット４０によって
取付けられるものである。
応室１０の内部に未図示の被加工体すなわち、ウェーハ
が安置されて電極の間において反応ガスが供給された
後、高周波エネルギーによりプラズマＰの中でエッチン
グ工程が進行するとき、前記反応室１０の一側壁１２に
は、例えば、石英（Ｑｕａｒｔｚ）材質の透明な板状か
らなる感知窓２０が工程進行中に発生する光を感知する
ことができるように挟まれるが、前記反応室１０の外側
に突出するようにし、後述するブラケット４０によって
取付けられるものである。
【００１９】また、前記反応室１０の外部には前記感知
窓２０を通して工程中に発生する光の波長を感知してエ
ッチングのエンドポイントを検出する測定手段５０が具
備され、該測定手段５０により工程中に発生する光を伝
達する光学ケーブル３０が前記感知窓２０の突出部２２
に近接して後述するブラケット４０で固設される。
窓２０を通して工程中に発生する光の波長を感知してエ
ッチングのエンドポイントを検出する測定手段５０が具
備され、該測定手段５０により工程中に発生する光を伝
達する光学ケーブル３０が前記感知窓２０の突出部２２
に近接して後述するブラケット４０で固設される。
【００２０】前記反応室１０の壁１２の外側面には前記
感知窓２０と前記光学ケーブル３０を一緒に固定する前
記ブラケット４０が取り付けられるが、前記ブラケット
４０は前記感知窓２０と所定距離Ｌだけ離隔されて一定
の空間を確保するようにする。
感知窓２０と前記光学ケーブル３０を一緒に固定する前
記ブラケット４０が取り付けられるが、前記ブラケット
４０は前記感知窓２０と所定距離Ｌだけ離隔されて一定
の空間を確保するようにする。
【００２１】これは前記反応室１０内のプラズマＰとブ
ラケット４０との間に設けられる電界の強さを減らすこ
とによって前述のプラズマスパイキング（Ｐｌａｓｍａ
Ｓｐｉｋｉｎｇ）現象が発生することを防止して、図
６に示しているように、前記反応室１０の中を正常なプ
ラズマ状態に維持するためである。
ラケット４０との間に設けられる電界の強さを減らすこ
とによって前述のプラズマスパイキング（Ｐｌａｓｍａ
Ｓｐｉｋｉｎｇ）現象が発生することを防止して、図
６に示しているように、前記反応室１０の中を正常なプ
ラズマ状態に維持するためである。
【００２２】さらに、前記ブラケット４０の材質を電気
的な伝導度が低い、すなわち電気的な抵抗が高いものと
すれば、前記反応室１０のプラズマＰと前記ブラケット
４０間の電界の強さを下げることができるから望まし
い。ちなみに、望ましくは０．０１Ω以上の抵抗体を使
ったら良い。
的な伝導度が低い、すなわち電気的な抵抗が高いものと
すれば、前記反応室１０のプラズマＰと前記ブラケット
４０間の電界の強さを下げることができるから望まし
い。ちなみに、望ましくは０．０１Ω以上の抵抗体を使
ったら良い。
【００２３】また、たとえ前記ブラケット４０が電気的
な抵抗が低い材質であってもやはり前記反応室１０内の
プラズマＰとの間に設けられる電界の強さを減らすこと
ができるように、前記感知窓２０との距離Ｌが出来る限
り遠く離れるように設置されなければならない。望まし
くは５ｍｍ以上の空間を確保する方が良い。
な抵抗が低い材質であってもやはり前記反応室１０内の
プラズマＰとの間に設けられる電界の強さを減らすこと
ができるように、前記感知窓２０との距離Ｌが出来る限
り遠く離れるように設置されなければならない。望まし
くは５ｍｍ以上の空間を確保する方が良い。
【００２４】一方、前記感知窓２０の厚さＴも前記反応
室１０のプラズマＰと前記ブラケット４０との間に設け
られる電界の強さを減らすことができるように、なるべ
く厚くすることが望ましい。すなわち、その厚さは少な
くとも１０ｍｍ以上であればよい。
室１０のプラズマＰと前記ブラケット４０との間に設け
られる電界の強さを減らすことができるように、なるべ
く厚くすることが望ましい。すなわち、その厚さは少な
くとも１０ｍｍ以上であればよい。
【００２５】
【発明の効果】このような本発明による装置はエッチン
グ工程が進行する過程において、前記感知窓２０の突出
部２２に工程の副産物の吸着が減ることになり、前記感
知窓２０の濁化現象を防ぐことにより、前記光学ケーブ
ル３０を通した光が円滑に伝達されてエンドポイントの
検出がより正確になると同時に、前記反応室１０内のプ
ラズマＰと前記ブラケット４０間に設けられる電界の強
さも著しく減少させることによってプラズマＰの状態を
正常に維持して前記感知窓２０の外部突出による欠陥を
解消することができる。
グ工程が進行する過程において、前記感知窓２０の突出
部２２に工程の副産物の吸着が減ることになり、前記感
知窓２０の濁化現象を防ぐことにより、前記光学ケーブ
ル３０を通した光が円滑に伝達されてエンドポイントの
検出がより正確になると同時に、前記反応室１０内のプ
ラズマＰと前記ブラケット４０間に設けられる電界の強
さも著しく減少させることによってプラズマＰの状態を
正常に維持して前記感知窓２０の外部突出による欠陥を
解消することができる。
【００２６】つまり、本発明によるエンドポイントの検
出の信頼性を確保するようになって、プラズマの安定性
の維持など、ひいては工程の不良を未然に防止し製品の
品質及び生産性の向上を図る効果が大きい。
出の信頼性を確保するようになって、プラズマの安定性
の維持など、ひいては工程の不良を未然に防止し製品の
品質及び生産性の向上を図る効果が大きい。
【図１】 従来のエッチング設備に採用されるエンドポ
イントの検出装置を概略示した縦断面図である。
イントの検出装置を概略示した縦断面図である。
【図２】 従来の他のエッチング設備に採用されるエン
ドポイントの検出装置を概略示した縦断面図である。
ドポイントの検出装置を概略示した縦断面図である。
【図３】 図２の横断面図であり、プラズマの異常現象
を示した図面である。
を示した図面である。
【図４】 本発明によるエッチング設備に採用されるエ
ンドポイントの検出装置を概略示した縦断面図である。
ンドポイントの検出装置を概略示した縦断面図である。
【図５】 図４におけるＢ部の拡大断面図である。
【図６】 図４の横断面図であり、プラズマの正常な作
用状態を示した図面である。
用状態を示した図面である。
１０ 反応室 １２ 反応室の壁 ２０ 感知窓 ３０ 光学ケーブル ４０ ブラケット ５０ 測定手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 昌植 大韓民国京畿道水原市勸善區細柳１洞485 −19番地
Claims (7)
- 【請求項１】 反応室の壁に具備された感知窓と、該感
知窓を介してエッチング工程中に生成された光を反応室
の外部の測定手段へ伝達する光学ケーブルと、前記反応
室壁の外側面に装着されて前記感知窓と前記光学ケーブ
ルとを固定するブラケットとを備えるプラズマエッチン
グ設備におけるエンドポイントの検出装置において、 前記感知窓は反応室の外部に突出するように固設し、か
つ前記ブラケットは反応室内のプラズマとの間に設けら
れる電界の強さを減らすことができるように前記感知窓
を前記ブラケットとの間に所定の空間を確保して取り付
けられることを特徴とするプラズマエッチング設備にお
けるエンドポイントの検出装置。 - 【請求項２】 前記ブラケットは反応室内のプラズマと
の間に設けられる電界の強さを減らすことができるよう
に電気的抵抗が高い材質を用いることを特徴とする請求
項１記載のプラズマエッチング設備におけるエンドポイ
ントの検出装置。 - 【請求項３】 前記ブラケットはその電気的抵抗が０．
０１Ω以上であることを特徴とする請求項２記載のプラ
ズマエッチング設備におけるエンドポイントの検出装
置。 - 【請求項４】 前記ブラケットは電気的抵抗が低い材質
を用いる時は反応室内のプラズマとの間に設けられる電
界の強さを減らすことができるように感知窓との距離が
遠く離れるように設置されることを特徴とする請求項１
記載のプラズマエッチング設備におけるエンドポイント
の検出装置。 - 【請求項５】 前記ブラケットは感知窓との距離が少な
くとも５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項４記載
のプラズマエッチング設備におけるエンドポイントの検
出設備。 - 【請求項６】 前記感知窓は反応室内のプラズマとブラ
ケットとの間に設けられる電界の強さを減らすことがで
きるようにその厚さを厚く形成することを特徴とする請
求項１記載のプラズマエッチング設備におけるエンドポ
イントの検出装置。 - 【請求項７】 前記感知窓は少なくとも１０ｍｍ以上の
厚さを持つことを特徴とする請求項６記載のプラズマエ
ッチング設備におけるエンドポイントの検出装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950049160A KR0159224B1 (ko) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 플라즈마 에칭 설비에서의 엔드 포인트 검출 장치 |
| KR199549160 | 1995-12-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162179A true JPH09162179A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3148128B2 JP3148128B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=19439526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18780696A Expired - Lifetime JP3148128B2 (ja) | 1995-12-13 | 1996-07-17 | プラズマエッチング設備におけるエンドポイントの検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5748297A (ja) |
| JP (1) | JP3148128B2 (ja) |
| KR (1) | KR0159224B1 (ja) |
| TW (1) | TW301041B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030027153A (ko) * | 2001-09-13 | 2003-04-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치의 광케이블 구조 |
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| US6390019B1 (en) * | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
| US6261851B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Optimization of CMP process by detecting of oxide/nitride interface using IR system |
| US6673199B1 (en) | 2001-03-07 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity |
| TWI238680B (en) * | 2002-09-30 | 2005-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing system and method |
| JP2006501620A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システムとともに光学系を使用するための装置及び方法 |
| KR100488541B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2005-05-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
| KR100963518B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2010-06-15 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마에 의한 기판 공정의 정보 검출 장치 |
| KR100500474B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 식각 설비용 반응 종료점 검출기 |
| JP5161469B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-03-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US7616297B2 (en) * | 2007-03-29 | 2009-11-10 | United Microelectronics Corp. | Detachable detection window and detecting system |
| US9997325B2 (en) | 2008-07-17 | 2018-06-12 | Verity Instruments, Inc. | Electron beam exciter for use in chemical analysis in processing systems |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290383A (en) * | 1991-03-24 | 1994-03-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma-process system with improved end-point detecting scheme |
-
1995
- 1995-12-13 KR KR1019950049160A patent/KR0159224B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-07-12 TW TW085108474A patent/TW301041B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-07-17 JP JP18780696A patent/JP3148128B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-06 US US08/761,788 patent/US5748297A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030027153A (ko) * | 2001-09-13 | 2003-04-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치의 광케이블 구조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5748297A (en) | 1998-05-05 |
| JP3148128B2 (ja) | 2001-03-19 |
| KR970052760A (ko) | 1997-07-29 |
| KR0159224B1 (ko) | 1999-02-01 |
| TW301041B (en) | 1997-03-21 |
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