JPH09153650A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH09153650A JPH09153650A JP7312307A JP31230795A JPH09153650A JP H09153650 A JPH09153650 A JP H09153650A JP 7312307 A JP7312307 A JP 7312307A JP 31230795 A JP31230795 A JP 31230795A JP H09153650 A JPH09153650 A JP H09153650A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きな透磁率，小さな保磁力と結晶性の優れ
た磁気バイアス層を形成し，ＳＮ比を大きく出力を安定
させる。 【解決手段】 凹溝２を設けた基板１上に磁気バイアス
層４，非磁性層５，磁性層６を順次積層した磁気抵抗膜
１０を有する。また，基板１と磁気バイアス層４の間に
Ｔａ又はＴｉからなるバッファ層を設ける。
た磁気バイアス層を形成し，ＳＮ比を大きく出力を安定
させる。 【解決手段】 凹溝２を設けた基板１上に磁気バイアス
層４，非磁性層５，磁性層６を順次積層した磁気抵抗膜
１０を有する。また，基板１と磁気バイアス層４の間に
Ｔａ又はＴｉからなるバッファ層を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，大きな信号・雑音
比（ＳＮ比）が得られる磁気抵抗素子に関する。磁気抵
抗効果を利用して磁場強度を検出する磁気抵抗素子は，
電子情報処理装置を構成する磁気装置の磁気センサとし
て，例えば磁気デスク装置における磁気記録の読み取り
用の磁気ヘッドとして用いられる。磁気抵抗素子は，記
録媒体から発生する磁場を直接に検知するため，高速か
つ高感度の読み取りができる。このため，高密度・高速
の磁気記録装置に利用される。
比（ＳＮ比）が得られる磁気抵抗素子に関する。磁気抵
抗効果を利用して磁場強度を検出する磁気抵抗素子は，
電子情報処理装置を構成する磁気装置の磁気センサとし
て，例えば磁気デスク装置における磁気記録の読み取り
用の磁気ヘッドとして用いられる。磁気抵抗素子は，記
録媒体から発生する磁場を直接に検知するため，高速か
つ高感度の読み取りができる。このため，高密度・高速
の磁気記録装置に利用される。
【０００２】しかし，記録密度の高集積化と読出速度の
高速化に伴う磁場強度の低下及び磁場変化の高速化は，
検出信号のＳＮ比の劣化を招来し，磁気装置の信頼性を
損なわせる。このため，高いＳＮ比を得ることができる
磁気抵抗素子が必要とされている。
高速化に伴う磁場強度の低下及び磁場変化の高速化は，
検出信号のＳＮ比の劣化を招来し，磁気装置の信頼性を
損なわせる。このため，高いＳＮ比を得ることができる
磁気抵抗素子が必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】従来の磁気抵抗素子について，磁気デス
ク装置に用いられる磁気ヘッドを例に説明する。
ク装置に用いられる磁気ヘッドを例に説明する。
【０００４】図２は，従来例斜視図であり，磁気ヘッド
の磁気検出部の構造を表している。なお，図２（ａ）は
磁気検出部の積層構造を，図１（ｂ）はその使用状態を
表している。
の磁気検出部の構造を表している。なお，図２（ａ）は
磁気検出部の積層構造を，図１（ｂ）はその使用状態を
表している。
【０００５】図２（ａ）を参照して，従来の磁気ヘッド
に用いられる磁気抵抗素子は，非磁性・絶縁性の基板１
上に順に積層された磁気バイアス層４，薄い非磁性層５
及び磁性層６からなる磁気抵抗膜１０を長方形に加工し
たパターンと，その長方形の磁気抵抗膜１０の両端部上
にそれぞれ延在する２つの反強磁性層７とを備える。
に用いられる磁気抵抗素子は，非磁性・絶縁性の基板１
上に順に積層された磁気バイアス層４，薄い非磁性層５
及び磁性層６からなる磁気抵抗膜１０を長方形に加工し
たパターンと，その長方形の磁気抵抗膜１０の両端部上
にそれぞれ延在する２つの反強磁性層７とを備える。
【０００６】磁性層６は，磁気抵抗効果を生ずる層であ
り，例えばＦｅ−Ｎｉ合金から構成される。磁気バイア
ス層４は，流れる電流により磁場を発生して磁性層６に
バイアス磁場を印加するために設けられ，透磁率が大き
く保磁力が小さな磁性材料，例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金から構成される。非磁性層５は非磁性の高抵抗導電
膜，例えばＴａ薄膜から構成される。２つの反強磁性層
７は，長方形の磁気抵抗膜１０の両端部上にそれぞれ設
けられ，磁性層６へ磁化容易軸を付加する他，磁性層６
へ電流を流すための電極として用いられる。通常これら
の磁性材料はスパッタ法又は蒸着法により堆積される。
り，例えばＦｅ−Ｎｉ合金から構成される。磁気バイア
ス層４は，流れる電流により磁場を発生して磁性層６に
バイアス磁場を印加するために設けられ，透磁率が大き
く保磁力が小さな磁性材料，例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金から構成される。非磁性層５は非磁性の高抵抗導電
膜，例えばＴａ薄膜から構成される。２つの反強磁性層
７は，長方形の磁気抵抗膜１０の両端部上にそれぞれ設
けられ，磁性層６へ磁化容易軸を付加する他，磁性層６
へ電流を流すための電極として用いられる。通常これら
の磁性材料はスパッタ法又は蒸着法により堆積される。
【０００７】なお，非磁性・絶縁性の基板は，例えばガ
ラス基板１ａ上にＡｌ2 Ｏ3 からなるアルミナ層１ｂを
設けたものが使用される。また，上記の磁性層６及び反
強磁性層７を覆うＡｌ2 Ｏ3 からなる保護層８が設けら
れ，磁気抵抗膜１０と保護層８とからなる積層膜１１が
基板１表面に形成される。
ラス基板１ａ上にＡｌ2 Ｏ3 からなるアルミナ層１ｂを
設けたものが使用される。また，上記の磁性層６及び反
強磁性層７を覆うＡｌ2 Ｏ3 からなる保護層８が設けら
れ，磁気抵抗膜１０と保護層８とからなる積層膜１１が
基板１表面に形成される。
【０００８】図２（ｂ）を参照して，上記積層膜１１を
備えた基板１の上下に，狭い空間を隔てて基板１の表裏
面に対向する２枚の磁気シールド層９が設けられる。こ
のシールド層９は，その外側の磁場の影響を遮断し，磁
気記録面の１ビットが記録された狭い領域から発生する
磁場のみを検出するために設けられる。
備えた基板１の上下に，狭い空間を隔てて基板１の表裏
面に対向する２枚の磁気シールド層９が設けられる。こ
のシールド層９は，その外側の磁場の影響を遮断し，磁
気記録面の１ビットが記録された狭い領域から発生する
磁場のみを検出するために設けられる。
【０００９】しかし，上述した従来の磁気抵抗素子で
は，スパッタにより堆積された磁気バイアス層４の透磁
率が低くかつ保磁力が大きいため，この磁気バイアス層
４を用いた磁気抵抗素子では十分な検出感度を得ること
が難しい。また，磁気バイアス層４の磁化容易軸が設計
方向からずれることがあり，検出感度を一層低下させ
る。さらに，積層膜１０パターン中の軟磁性膜に複数の
磁区が生成し，大きなバルクハウゼン効果を生ずる。こ
のため，従来の磁気抵抗素子では高いＳＮ比を得ること
が難しい。
は，スパッタにより堆積された磁気バイアス層４の透磁
率が低くかつ保磁力が大きいため，この磁気バイアス層
４を用いた磁気抵抗素子では十分な検出感度を得ること
が難しい。また，磁気バイアス層４の磁化容易軸が設計
方向からずれることがあり，検出感度を一層低下させ
る。さらに，積層膜１０パターン中の軟磁性膜に複数の
磁区が生成し，大きなバルクハウゼン効果を生ずる。こ
のため，従来の磁気抵抗素子では高いＳＮ比を得ること
が難しい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
磁気抵抗素子では，平坦な基板表面にアルミナ層を堆積
し，その上に堆積された磁気バイアス層が用いられてい
た。かかる磁気バイアス層は，透磁率及び保磁力の特性
が十分ではなく，また磁化容易軸方位のずれ及びバルク
ハウゼン効果を生ずる。このため，磁気バイアス層のこ
れらの劣悪な磁気特性のために，従来の磁気抵抗素子は
磁気検出感度が低くかつ雑音が大きいという問題があっ
た。
磁気抵抗素子では，平坦な基板表面にアルミナ層を堆積
し，その上に堆積された磁気バイアス層が用いられてい
た。かかる磁気バイアス層は，透磁率及び保磁力の特性
が十分ではなく，また磁化容易軸方位のずれ及びバルク
ハウゼン効果を生ずる。このため，磁気バイアス層のこ
れらの劣悪な磁気特性のために，従来の磁気抵抗素子は
磁気検出感度が低くかつ雑音が大きいという問題があっ
た。
【００１１】本発明は，基板表面のアルミナ層に凹溝を
もうけることにより，その上に堆積した磁気バイアス層
の磁気特性を改善し，ＳＮ比の良好な磁気抵抗素子を提
供することを目的とする。
もうけることにより，その上に堆積した磁気バイアス層
の磁気特性を改善し，ＳＮ比の良好な磁気抵抗素子を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の実施形態
斜視図であり，磁気ヘッドに用いられる磁気抵抗素子を
表している。なお，図１（ａ）は磁気抵抗素子の基板表
面の形状を，図１（ｂ）は磁気抵抗素子の磁気検出部の
積層構造を表している。
斜視図であり，磁気ヘッドに用いられる磁気抵抗素子を
表している。なお，図１（ａ）は磁気抵抗素子の基板表
面の形状を，図１（ｂ）は磁気抵抗素子の磁気検出部の
積層構造を表している。
【００１３】上記課題を解決するための本発明の第一の
構成は，図１を参照して，基板１表面上に磁気バイアス
層４，非磁性層５，磁性層６が順次積層された磁気抵抗
膜１０を有する磁気抵抗素子において，該基板１表面に
凹溝２が設けられていることを特徴として構成し，及
び，第二の構成は，第一の構成の磁気抵抗素子におい
て，該基板１表面と該磁気バイアス層４との間にＴａ又
はＴｉからなるバッファ層３が設けられ，該磁気バイア
ス層４は該バッファ層３表面に堆積されたスパッタ膜又
は蒸着膜からなることを特徴として構成する。
構成は，図１を参照して，基板１表面上に磁気バイアス
層４，非磁性層５，磁性層６が順次積層された磁気抵抗
膜１０を有する磁気抵抗素子において，該基板１表面に
凹溝２が設けられていることを特徴として構成し，及
び，第二の構成は，第一の構成の磁気抵抗素子におい
て，該基板１表面と該磁気バイアス層４との間にＴａ又
はＴｉからなるバッファ層３が設けられ，該磁気バイア
ス層４は該バッファ層３表面に堆積されたスパッタ膜又
は蒸着膜からなることを特徴として構成する。
【００１４】本発明の第一の構成では，図１（ａ）及び
（ｂ）を参照して，基板１表面に凹溝２が形成され，そ
の上に磁気バイアス層４が堆積される。本発明の発明者
は，かかる凹溝２を有する基板１上に堆積された磁気バ
イアス層４は，平坦な基板表面に堆積された場合に比
べ，透磁率が高くかつ保磁力が小さいことを実験により
明らかにした。
（ｂ）を参照して，基板１表面に凹溝２が形成され，そ
の上に磁気バイアス層４が堆積される。本発明の発明者
は，かかる凹溝２を有する基板１上に堆積された磁気バ
イアス層４は，平坦な基板表面に堆積された場合に比
べ，透磁率が高くかつ保磁力が小さいことを実験により
明らかにした。
【００１５】この透磁率の向上及び保磁力の低下の理由
は，磁気バイアス層４の結晶性又は配向度の向上による
ものと本発明の発明者は考えている。即ち，基板１表面
は通常は非晶質層，例えばスパッタにより形成されたア
ルミナ層１ｂから構成されている。このため，この非晶
質の基板１表面に堆積された磁気バイアス層４の結晶性
は劣悪であり，一般に配向度も劣悪である。これに対
し，磁気バイアス層としてＮｉ─Ｆｅを凹溝が形成され
た基板上にスパッタにより堆積した実験では，この磁気
バイアス層のθ−２θ回転により観測される（１１１）
Ｘ線回折線のピーク強度は，平板上に堆積したものより
大きい。さらに，このピーク強度の大きさに対応して，
透磁率が向上し，かつ保磁力が低下した。さらに，凹溝
２を設けることにより，磁気抵抗素子の雑音も減少し，
また磁気バイアス層の磁化容易軸方向が安定する。この
実験結果は，基板表面の凹溝の存在が，磁気バイアス層
の結晶性を向上させ若しくは結晶の配向度を向上させ，
又はその両者により，磁気特性を変えたことを示唆して
いる。なお，雑音の低下は磁気バイアス層４の結晶性の
向上に伴う磁気バイアス層４中の磁区の減少によるバル
クハウゼン効果の減少，及び磁化容易軸を電流と直角方
向に向けて安定して形成できることによると考察してい
る。
は，磁気バイアス層４の結晶性又は配向度の向上による
ものと本発明の発明者は考えている。即ち，基板１表面
は通常は非晶質層，例えばスパッタにより形成されたア
ルミナ層１ｂから構成されている。このため，この非晶
質の基板１表面に堆積された磁気バイアス層４の結晶性
は劣悪であり，一般に配向度も劣悪である。これに対
し，磁気バイアス層としてＮｉ─Ｆｅを凹溝が形成され
た基板上にスパッタにより堆積した実験では，この磁気
バイアス層のθ−２θ回転により観測される（１１１）
Ｘ線回折線のピーク強度は，平板上に堆積したものより
大きい。さらに，このピーク強度の大きさに対応して，
透磁率が向上し，かつ保磁力が低下した。さらに，凹溝
２を設けることにより，磁気抵抗素子の雑音も減少し，
また磁気バイアス層の磁化容易軸方向が安定する。この
実験結果は，基板表面の凹溝の存在が，磁気バイアス層
の結晶性を向上させ若しくは結晶の配向度を向上させ，
又はその両者により，磁気特性を変えたことを示唆して
いる。なお，雑音の低下は磁気バイアス層４の結晶性の
向上に伴う磁気バイアス層４中の磁区の減少によるバル
クハウゼン効果の減少，及び磁化容易軸を電流と直角方
向に向けて安定して形成できることによると考察してい
る。
【００１６】本発明の発明者は，このような結晶性又は
配向度の変化は，磁気バイアス層が凹溝の底面及び側面
に結晶構造を整合させて成長するためと考えている。従
って，凹溝は，少なくとも底面の一部が基板表面に平行
であって，かつ少なくとも側面の一部が基板表面に垂直
であることが，磁気特性の改善のために望ましい。勿
論，長形断面の凹溝とすることもできる。なお，凹溝は
基板表面を完全に横断して延在する必要はなく，基板表
面の途中で途切れる溝であってもよい。また，平面形状
が長方形であっても差支えない。
配向度の変化は，磁気バイアス層が凹溝の底面及び側面
に結晶構造を整合させて成長するためと考えている。従
って，凹溝は，少なくとも底面の一部が基板表面に平行
であって，かつ少なくとも側面の一部が基板表面に垂直
であることが，磁気特性の改善のために望ましい。勿
論，長形断面の凹溝とすることもできる。なお，凹溝は
基板表面を完全に横断して延在する必要はなく，基板表
面の途中で途切れる溝であってもよい。また，平面形状
が長方形であっても差支えない。
【００１７】本発明の第二の構成では，図１（ｂ）を参
照して，凹溝２が形成された基板１表面に，Ｔａ又はＴ
ｉ層をバッファ層３として堆積し，その上に磁気バイア
ス層４をスパッタ法又は蒸着法により堆積する。Ｔａ又
はＴｉ層からなるバッファ層３を基板１と磁気バイアス
層４との間に介在することで，磁気バイアス層４の結晶
性及び配向度をより向上することができる。従って，磁
気バイアス層４は，透磁率がより大きくかつ保磁力がよ
り小さくなり，さらに単磁区となりやすいことから，磁
気抵抗効果が大きくかつ雑音が少なくなり，磁気抵抗素
子のＳＮ比は優れたものとなる。
照して，凹溝２が形成された基板１表面に，Ｔａ又はＴ
ｉ層をバッファ層３として堆積し，その上に磁気バイア
ス層４をスパッタ法又は蒸着法により堆積する。Ｔａ又
はＴｉ層からなるバッファ層３を基板１と磁気バイアス
層４との間に介在することで，磁気バイアス層４の結晶
性及び配向度をより向上することができる。従って，磁
気バイアス層４は，透磁率がより大きくかつ保磁力がよ
り小さくなり，さらに単磁区となりやすいことから，磁
気抵抗効果が大きくかつ雑音が少なくなり，磁気抵抗素
子のＳＮ比は優れたものとなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明を磁気ヘッドに適用した実
施形態を参照して，詳細に説明する。図１（ａ）を参照
して，ガラス基板１ａの一面にアルミナ層１ｂをスパッ
タにより堆積する。堆積条件は，５mmTorrのＡｒ中でＲ
Ｆ出力５００Ｗとした。かかる方法で堆積されたアルミ
ナ層１ｂは，Ｘ線回折ピークが観察されず，非晶質であ
った。
施形態を参照して，詳細に説明する。図１（ａ）を参照
して，ガラス基板１ａの一面にアルミナ層１ｂをスパッ
タにより堆積する。堆積条件は，５mmTorrのＡｒ中でＲ
Ｆ出力５００Ｗとした。かかる方法で堆積されたアルミ
ナ層１ｂは，Ｘ線回折ピークが観察されず，非晶質であ
った。
【００１９】次いで，凹溝２を画定するレジストパター
ンをアルミナ層１ｂ表面にフォトリソグラフィにより形
成し，これをマスクとする逆スパッタによりアルミナ層
１ｂ表面に凹溝２を形成した。凹溝２は，幅２μｍ，間
隔２μｍで互いに平行する深さ５nmの平行溝とした。逆
スパッタは，５mmTorrのＡｒ中でＲＦ出力５００Ｗの条
件下で１分間行い，５nmの深さの凹溝２を形成した。
ンをアルミナ層１ｂ表面にフォトリソグラフィにより形
成し，これをマスクとする逆スパッタによりアルミナ層
１ｂ表面に凹溝２を形成した。凹溝２は，幅２μｍ，間
隔２μｍで互いに平行する深さ５nmの平行溝とした。逆
スパッタは，５mmTorrのＡｒ中でＲＦ出力５００Ｗの条
件下で１分間行い，５nmの深さの凹溝２を形成した。
【００２０】次いで，バッファ層３として，厚さ５nmの
Ｔａ層をスパッタ法により堆積した。堆積条件は，５mm
TorrのＡｒ中でＤＣ出力２００Ｗである。なお，Ｔａに
代えてＴｉとしても略同様の効果が得られる。また，こ
のバッファ層３の厚さは，磁気バイアス層４の結晶性及
び透磁率を改善する観点からは５nm以上あることが好ま
しく，一方，バッファ層に流れる電流を少なくして磁気
抵抗効果を大きくする観点からは１０nm以下であること
が好ましい。
Ｔａ層をスパッタ法により堆積した。堆積条件は，５mm
TorrのＡｒ中でＤＣ出力２００Ｗである。なお，Ｔａに
代えてＴｉとしても略同様の効果が得られる。また，こ
のバッファ層３の厚さは，磁気バイアス層４の結晶性及
び透磁率を改善する観点からは５nm以上あることが好ま
しく，一方，バッファ層に流れる電流を少なくして磁気
抵抗効果を大きくする観点からは１０nm以下であること
が好ましい。
【００２１】次いで，図１（ｂ）を参照して，磁気バイ
アス層４として，厚さ２０nmのＮｉ−Ｆｅ−Ｃｒ層をス
パッタ法により堆積した。堆積条件は，５mmTorrのＡｒ
中でＤＣ出力２００Ｗである。磁気バイアス層４の堆積
は，磁気バイアス層４に磁化容易軸を付加するため，基
板１面内方向の所定の方向，例えば凹溝２の延在方向に
磁場を印加した状態で行われる。
アス層４として，厚さ２０nmのＮｉ−Ｆｅ−Ｃｒ層をス
パッタ法により堆積した。堆積条件は，５mmTorrのＡｒ
中でＤＣ出力２００Ｗである。磁気バイアス層４の堆積
は，磁気バイアス層４に磁化容易軸を付加するため，基
板１面内方向の所定の方向，例えば凹溝２の延在方向に
磁場を印加した状態で行われる。
【００２２】かかる条件で製造した磁気バイアス層４に
ついて，Ｘ線回折及び透磁率を測定した結果，Ｎｉ3 Ｆ
ｅのＣｕα（１１１）回折線のピーク強度は６０００カ
ウント／分，透磁率は６５００であった。これは，凹溝
２の無い従来のＸ線回折ピーク強度の３００カウント／
分，透磁率３９００と比較して，Ｘ線回折ピーク強度で
略２２倍，透磁率で略１．５倍と改善されている。
ついて，Ｘ線回折及び透磁率を測定した結果，Ｎｉ3 Ｆ
ｅのＣｕα（１１１）回折線のピーク強度は６０００カ
ウント／分，透磁率は６５００であった。これは，凹溝
２の無い従来のＸ線回折ピーク強度の３００カウント／
分，透磁率３９００と比較して，Ｘ線回折ピーク強度で
略２２倍，透磁率で略１．５倍と改善されている。
【００２３】次いで，非磁性層５として，厚さ１０nmの
Ｔａ層をスパッタ法により堆積した。次いで，磁性層６
となる厚さ２０nmのＮｉ−Ｆｅ層をスパッタ層により堆
積した。スパッタ条件はいずれも磁気バイアス層４の上
記堆積条件と同じである。
Ｔａ層をスパッタ法により堆積した。次いで，磁性層６
となる厚さ２０nmのＮｉ−Ｆｅ層をスパッタ層により堆
積した。スパッタ条件はいずれも磁気バイアス層４の上
記堆積条件と同じである。
【００２４】次いで，磁気バイアス層４，非磁性層５及
び磁性層６を積層した磁気抵抗膜１０を長方形にパター
ニングした。次いで，磁気抵抗膜１０のパターニングの
中央部をマスクで覆いＦｅ−Ｍｎをスパッタし，その両
端上面に反強磁性層７を形成する。スパッタ条件は，５
mmTorrのＡｒ中でＲＦ出力５００Ｗである。この反強磁
性層７上には，通常の構成と同じく電極（図外）が設け
られ，さらに基板１上全面にＡｌ2 Ｏ3 からなる保護層
８が堆積される。また，その使用状態は従来法に説明し
たものと同様である。
び磁性層６を積層した磁気抵抗膜１０を長方形にパター
ニングした。次いで，磁気抵抗膜１０のパターニングの
中央部をマスクで覆いＦｅ−Ｍｎをスパッタし，その両
端上面に反強磁性層７を形成する。スパッタ条件は，５
mmTorrのＡｒ中でＲＦ出力５００Ｗである。この反強磁
性層７上には，通常の構成と同じく電極（図外）が設け
られ，さらに基板１上全面にＡｌ2 Ｏ3 からなる保護層
８が堆積される。また，その使用状態は従来法に説明し
たものと同様である。
【００２５】本発明の第二実施形態は，図１（ｂ）を参
照して，第一の実施形態におけるバッファ層３を除いた
構成に関する。本実施形態では，第一実施形態と同じ基
板１の表面に，バッファ層３を設けることなく，直接に
磁気バイアス層４を堆積する。その後の工程は全て第一
実施形態と同じである。
照して，第一の実施形態におけるバッファ層３を除いた
構成に関する。本実施形態では，第一実施形態と同じ基
板１の表面に，バッファ層３を設けることなく，直接に
磁気バイアス層４を堆積する。その後の工程は全て第一
実施形態と同じである。
【００２６】本実施形態により製造された磁気バイアス
層４のＸ線回折及び透磁率の測定結果は，Ｎｉ3 Ｆｅの
Ｃｕα（１１１）回折線のピーク強度は３５００カウン
ト／分，透磁率は４８００であった。これは，凹溝２の
無い従来のＸ線回折ピーク強度の３００カウント／分，
透磁率３９００と比較して，Ｘ線回折ピーク強度で略１
２倍，透磁率で略１．２倍と改善されている。
層４のＸ線回折及び透磁率の測定結果は，Ｎｉ3 Ｆｅの
Ｃｕα（１１１）回折線のピーク強度は３５００カウン
ト／分，透磁率は４８００であった。これは，凹溝２の
無い従来のＸ線回折ピーク強度の３００カウント／分，
透磁率３９００と比較して，Ｘ線回折ピーク強度で略１
２倍，透磁率で略１．２倍と改善されている。
【００２７】上述した構造を有する第一及び第二実施形
態の磁気抵抗素子は，雑音が小さくかつ安定した出力が
得られた。
態の磁気抵抗素子は，雑音が小さくかつ安定した出力が
得られた。
【００２８】
【発明の効果】上述したように本発明によれば，バイア
ス磁場を印加する磁気バイアス層は，高い透磁率，小さ
な保磁力及び安定な磁化容易軸を有し，また雑音が小さ
い磁気抵抗効果を有するから，雑音が小さくかつ出力の
大きさが安定した磁気抵抗素子を提供することができる
ので，磁気装置の性能向上に寄与するところが大きい。
ス磁場を印加する磁気バイアス層は，高い透磁率，小さ
な保磁力及び安定な磁化容易軸を有し，また雑音が小さ
い磁気抵抗効果を有するから，雑音が小さくかつ出力の
大きさが安定した磁気抵抗素子を提供することができる
ので，磁気装置の性能向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の実施形態斜視図
【図２】 従来例斜視図
１ 基板 １ａ ガラス基板 １ｂ アルミナ層 ２ 凹溝 ３ バッファ層 ４ 磁気バイアス層 ５ 非磁性層 ６ 磁性層 ７ 反強磁性層 ８ 保護層 ９ シールド層 １０ 磁気抵抗膜 １１ 積層膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板表面上に磁気バイアス層，非磁性
層，磁性層が順次積層された磁気抵抗膜を有する磁気抵
抗素子において，該基板表面に凹溝が設けられているこ
とを特徴とする磁気抵抗素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗素子において，
該基板表面と該磁気バイアス層との間にＴａ又はＴｉか
らなるバッファ層が設けられ，該磁気バイアス層は該バ
ッファ層表面に堆積されたスパッタ膜又は蒸着膜からな
ることを特徴とする磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7312307A JPH09153650A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7312307A JPH09153650A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153650A true JPH09153650A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18027680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7312307A Withdrawn JPH09153650A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7203038B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-04-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | GMR enhancing seedlayer for self pinned spin valves |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP7312307A patent/JPH09153650A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7203038B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-04-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | GMR enhancing seedlayer for self pinned spin valves |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |