JPH09153476A - Rotary-type substrate drying device - Google Patents
Rotary-type substrate drying deviceInfo
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- JPH09153476A JPH09153476A JP33807995A JP33807995A JPH09153476A JP H09153476 A JPH09153476 A JP H09153476A JP 33807995 A JP33807995 A JP 33807995A JP 33807995 A JP33807995 A JP 33807995A JP H09153476 A JPH09153476 A JP H09153476A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、基板を回転させ
ることにより乾燥する回転式基板乾燥装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rotary substrate drying device for drying a substrate by rotating it.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス
基板等の基板を乾燥する装置の一つとして、スピンドラ
イヤと呼称される回転式基板乾燥装置が使用されてい
る。この回転式基板乾燥装置は、基板をその表面が水平
となる姿勢で支持する支持手段を鉛直方向の軸芯周りで
高速に回転させることにより基板に付着した液滴を振り
切って除去するとともに、支持手段の周囲を囲うように
配設された円筒状の飛散防止用カップにより基板から飛
散する液滴を受け止めるように構成されている。2. Description of the Related Art As one of apparatuses for drying substrates such as semiconductor wafers and glass substrates for liquid crystal display panels, a rotary substrate drying apparatus called a spin dryer is used. In this rotary substrate drying device, a supporting means for supporting the substrate in a posture in which the surface is horizontal is rotated at high speed around a vertical axis to shake off and remove the droplets adhering to the substrate. It is configured to receive the droplets scattered from the substrate by a cylindrical scattering prevention cup arranged so as to surround the means.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このような回転式基板
乾燥装置においては、基板より飛散する液滴の一部が飛
散防止用カップの上端部を越えて飛散することにより、
例えば回転式基板乾燥装置の側方に配設された基板搬送
装置等を汚染してしまう場合がある。In such a rotary substrate dryer, a part of the liquid droplets scattered from the substrate is scattered over the upper end of the scattering prevention cup,
For example, the substrate transfer device or the like arranged on the side of the rotary substrate drying device may be contaminated.
【0004】このため、回転式基板乾燥装置の周囲に開
閉可能なシャッターを設け、搬送後の基板を回転して乾
燥する際には、このシャッターを閉じることにより、飛
散する液滴による汚染を防止する等の対策が必要とな
り、シャッター開閉のための余分な処理時間が必要とな
るばかりではなく、装置が複雑化するという問題点があ
る。For this reason, a shutter that can be opened and closed is provided around the rotary substrate drying device, and when the substrate after transportation is dried by rotation, the shutter is closed to prevent contamination by splashed droplets. However, there is a problem that not only an extra processing time for opening and closing the shutter is required but also the apparatus becomes complicated.
【0005】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたもので、基板からの液滴の飛散防止用カップ外への
飛散を確実に防止することのできる回転式基板乾燥装置
を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a rotary substrate drying device capable of reliably preventing droplets from a substrate from splashing out of a splash-preventing cup. To aim.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板をその表面が水平となる姿勢で支持する支持手
段を鉛直方向の軸芯周りで回転させることにより前記基
板に付着した液滴を振り切るとともに、前記基板より飛
散する液滴を前記支持手段の周囲を囲うように配設され
た円筒状の飛散防止用カップにより受け止める回転式基
板乾燥装置において、前記飛散防止用カップの高さを、
その位置における前記液滴の最大到達高さ以上の高さと
したことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, a liquid is attached to a substrate by rotating a supporting means for supporting the substrate in a posture in which the surface thereof is horizontal about a vertical axis. In a rotary substrate drying apparatus, which shakes off the droplets and receives the droplets scattered from the substrate by a cylindrical scattering prevention cup arranged so as to surround the periphery of the supporting means, the height of the scattering prevention cup To
It is characterized in that the height is equal to or higher than the maximum reaching height of the droplet at that position.
【0007】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、前記基板の表面における回転中心から
前記飛散防止用カップの上端部に至る仰角を10度以上
としている。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the elevation angle from the center of rotation on the surface of the substrate to the upper end portion of the shatterproof cup is 10 degrees or more.
【0008】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2いずれかに記載の発明において、前記支持手段を一定
時間だけ低速回転させた後高速回転させるものである。According to a third aspect of the invention, in the invention according to the first or second aspect, the supporting means is rotated at a low speed for a fixed time and then at a high speed.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいてこの発明の
実施の形態を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0010】まず、この発明に係る回転式基板乾燥装置
を適用する基板処理装置について説明する。図1は、こ
の発明に係る回転式基板乾燥装置を適用した基板処理装
置の平面図である。First, a substrate processing apparatus to which the rotary substrate drying apparatus according to the present invention is applied will be described. FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus to which a rotary substrate drying apparatus according to the present invention is applied.
【0011】この基板処理装置は、角形の液晶表示パネ
ル用ガラス基板に対して処理を行うものであり、基板搬
入部2と、この発明に係る回転式基板乾燥装置3と、基
板搬出部4と、基板搬送部5とを備える。This substrate processing apparatus performs processing on a rectangular glass substrate for a liquid crystal display panel, and includes a substrate loading section 2, a rotary substrate drying apparatus 3 according to the present invention, and a substrate unloading section 4. And a substrate transfer section 5.
【0012】基板搬入部2は、前段の処理液を使用した
処理工程より、純水等の処理液が付着した状態の基板W
を回転式基板乾燥装置3に搬入するためのものであり、
互いに同期して回転することにより基板Wを搬送する複
数の搬送ローラ12を備える。The substrate carry-in section 2 is a substrate W in a state in which a treatment liquid such as pure water has been attached since the treatment process using the treatment liquid in the preceding stage.
For carrying in the rotary substrate drying device 3,
A plurality of transport rollers 12 that transport the substrate W by rotating in synchronization with each other are provided.
【0013】回転式基板乾燥装置3は、後述するよう
に、基板Wを高速で回転させることにより基板Wを乾燥
するものであり、基板Wを保持して回転するスピンチャ
ック13と、基板Wの表面に気体を供給するための気体
供給手段14と、処理液の飛散防止用カップ15とを備
える。As will be described later, the rotary substrate drying device 3 is for drying the substrate W by rotating the substrate W at a high speed, and the spin chuck 13 for holding and rotating the substrate W and the substrate W. A gas supply means 14 for supplying gas to the surface and a cup 15 for preventing scattering of the processing liquid are provided.
【0014】基板搬出部4は、回転式基板乾燥装置3に
より乾燥処理を行った基板Wを後段の処理工程へ搬出す
るためのものであり、基板搬入部2と同様、互いに同期
して回転することにより基板Wを搬送する複数の搬送ロ
ーラ12を備える。The substrate unloading section 4 is for unloading the substrate W which has been dried by the rotary substrate drying device 3 to the subsequent processing step, and like the substrate unloading section 2, rotates in synchronization with each other. Accordingly, the plurality of transport rollers 12 that transport the substrate W are provided.
【0015】基板搬送部5は、基板搬入部2と、回転式
基板乾燥装置3と、基板搬出部4との間で基板Wを搬送
するためのものであり、基板搬入部2の搬送ローラ12
上に載置された基板Wを回転式基板乾燥装置3のスピン
チャック13上に搬送するための第1のチャック16
と、回転式基板乾燥装置3のスピンチャック13上に載
置された基板Wを基板搬出部4の搬送ローラ12上に搬
送するための第2のチャック17とを備える。第1、第
2のチャック16、17は、いずれもモータ18により
駆動を受ける同期ベルト19に連結されており、互いに
同期して図1における左右方向に移動する。The substrate carrying section 5 is for carrying the substrate W among the substrate carry-in section 2, the rotary substrate drying device 3 and the substrate carry-out section 4, and the carrying roller 12 of the substrate carry-in section 2.
A first chuck 16 for transporting the substrate W placed on the spin chuck 13 of the rotary substrate dryer 3.
And a second chuck 17 for transporting the substrate W placed on the spin chuck 13 of the rotary substrate drying device 3 onto the transport roller 12 of the substrate unloading unit 4. The first and second chucks 16 and 17 are both connected to a synchronous belt 19 driven by a motor 18, and move in the left-right direction in FIG. 1 in synchronization with each other.
【0016】次に、この発明に係る回転式基板乾燥装置
3について説明する。図2は、回転式基板乾燥装置3の
側面図であり、図3はその平面図である。Next, the rotary substrate drying device 3 according to the present invention will be described. FIG. 2 is a side view of the rotary substrate drying device 3, and FIG. 3 is a plan view thereof.
【0017】スピンチャック13は、互いに交差する2
本のアーム13a、13bより構成され、各アーム13
a、13bの先端部およびアーム13bの略中央部に
は、基板Wを下方から支持するための5本の支持ピン2
2が立設されている。また、各アーム13a、13bの
先端部には、基板Wの端縁に当接して基板Wを位置決め
するための8本の位置決めピン23が立設されている。
さらに、各アーム13a、13bが交差する部分には、
基板Wの裏面に窒素ガスと純水とを供給するための開口
部24が穿設されている。The spin chuck 13 has two crossing points.
Each arm 13 is composed of a book arm 13a, 13b.
Five support pins 2 for supporting the substrate W from below are provided at the tips of the a and 13b and the substantially central portion of the arm 13b.
2 are erected. In addition, eight positioning pins 23 for contacting the edge of the substrate W and positioning the substrate W are provided upright at the tips of the arms 13a and 13b.
Further, at the intersection of the arms 13a and 13b,
An opening 24 is formed on the back surface of the substrate W for supplying nitrogen gas and pure water.
【0018】スピンチャック13は、連結具25を介し
てモータ26の回転軸27と連結されており、モータ2
6の駆動により、そこに保持した基板Wと共に、鉛直方
向を向く回転軸27を軸芯として回転する。モータ26
の回転軸27としては中空軸が採用されており、この回
転軸27の中空部内には、基板Wの裏面に窒素ガスと純
水とを供給するための二重管28が配設されている。こ
の二重管28は、純水の供給管29および窒素ガスの供
給管32と接続されている。The spin chuck 13 is connected to a rotary shaft 27 of a motor 26 via a connecting tool 25, and the motor 2
By the driving of 6, the substrate W held there is rotated about the axis of rotation 27 that is oriented in the vertical direction. Motor 26
A hollow shaft is used as the rotating shaft 27 of the rotating shaft 27, and a double pipe 28 for supplying nitrogen gas and pure water to the back surface of the substrate W is arranged in the hollow portion of the rotating shaft 27. . The double pipe 28 is connected to a pure water supply pipe 29 and a nitrogen gas supply pipe 32.
【0019】気体供給手段14は、軸33を中心に揺動
可能な基部34と、基部34に支持され、管路36を介
して図示しない窒素ガスの供給源に連結するノズル35
とを有する。ノズル35は、図2において二点鎖線で示
すように、多段に屈曲した形状を有し、その基端は飛散
防止用カップ15の上端40を越えて基部34に連結さ
れている。また、ノズル35の先端は、図2、図3にお
いて二点鎖線で示す窒素ガスの供給位置に移動した場合
に、スピンチャック13に支持された基板Wの表面に数
mm程度まで近接する高さとなっている。The gas supply means 14 is swingable about a shaft 33, and a nozzle 35 supported by the base 34 and connected to a nitrogen gas supply source (not shown) through a conduit 36.
And As shown by the chain double-dashed line in FIG. 2, the nozzle 35 has a shape bent in multiple stages, and its base end is connected to the base portion 34 beyond the upper end 40 of the shatterproof cup 15. Further, the tip of the nozzle 35 has a height close to the surface of the substrate W supported by the spin chuck 13 up to about several mm when it is moved to the nitrogen gas supply position shown by the chain double-dashed line in FIGS. Has become.
【0020】気体供給手段14の基部34は、リンク機
構を介して飛散防止用カップ15の外側に配置されたエ
アシリンダ37と連結されている。このため、気体供給
手段14は、エアシリンダ37の駆動により、図2、図
3において実線で示す待機位置と二点鎖線で示す窒素ガ
スの供給位置との間を往復移動する。The base portion 34 of the gas supply means 14 is connected to an air cylinder 37 arranged outside the scattering prevention cup 15 via a link mechanism. Therefore, the gas supply means 14 is driven by the air cylinder 37 to reciprocate between the standby position shown by the solid line in FIGS. 2 and 3 and the nitrogen gas supply position shown by the chain double-dashed line.
【0021】飛散防止用カップ15は、スピンチャック
13により回転する基板Wから飛散する処理液の液滴の
外部への飛散を防止するためのものであり、スピンチャ
ック13の外周を覆う略円筒状の形状を有する。スピン
チャック13に支持された基板Wの表面に対する飛散防
止用カップ15の高さHは、基板Wの表面における回転
中心から飛散防止用カップ15の上端40に至る仰角θ
が約17度となるように設定されている。The scattering prevention cup 15 is for preventing scattering of droplets of the processing liquid scattered from the substrate W rotated by the spin chuck 13 to the outside, and has a substantially cylindrical shape that covers the outer periphery of the spin chuck 13. Has the shape of. The height H of the scattering prevention cup 15 with respect to the surface of the substrate W supported by the spin chuck 13 is determined by an elevation angle θ from the rotation center on the surface of the substrate W to the upper end 40 of the scattering prevention cup 15.
Is set to about 17 degrees.
【0022】この高さHは、平面視における飛散防止用
カップ15の上端40の位置において、基板Wより飛散
する処理液の液滴の最大到達高さ以上とすることが必要
となる。この高さHは、スピンチャック13の最大回転
速度や、後述する下降気流の大きさ等により適宜の値に
設定する必要があるが、本発明者らの研究により、この
高さHを、基板Wの表面における回転中心から飛散防止
用カップ15の上端40に至る仰角θが10度以上とな
るような値に設定することが好ましく、15度以上とな
るように設定することがより好ましいことが判明した。
なお、この高さHを過度に大きくすると、第1、第2の
チャック16、17による基板Wの搬送や気体供給手段
14による窒素ガスの供給の障害となるため、上記仰角
は45度程度以下とすることが好ましい。The height H needs to be equal to or higher than the maximum arrival height of the droplets of the processing liquid scattered from the substrate W at the position of the upper end 40 of the scattering prevention cup 15 in plan view. The height H needs to be set to an appropriate value depending on the maximum rotation speed of the spin chuck 13 and the size of the descending air flow to be described later. The elevation angle θ from the rotation center on the surface of W to the upper end 40 of the scattering prevention cup 15 is preferably set to a value that is 10 degrees or more, and more preferably 15 degrees or more. found.
Note that if the height H is excessively increased, it will hinder the transfer of the substrate W by the first and second chucks 16 and 17 and the supply of nitrogen gas by the gas supply means 14. Therefore, the elevation angle is about 45 degrees or less. It is preferable that
【0023】飛散防止用カップ15の内側下部には、基
板Wより飛散した処理液を排出するための4個の廃液口
38が、モータ26の回転軸27に対して周方向に略等
分に配設されている。また、廃液口38の内側には、4
個の排気口39が、モータ26の回転軸27に対して周
方向に略等分に配設されている。この排気口39は、飛
散防止用カップ15の内部を排気することにより飛散防
止用カップ15内に下降気流を形成し、基板Wから飛散
した処理液が飛散防止用カップ15と衝突することによ
り生じる微細な液滴(ミスト)を下降気流と共に系外に
排出するためのものである。At the inner lower part of the scattering prevention cup 15, four waste liquid outlets 38 for discharging the processing liquid scattered from the substrate W are circumferentially equally divided with respect to the rotation shaft 27 of the motor 26. It is arranged. In addition, inside the waste liquid port 38, 4
The individual exhaust ports 39 are arranged substantially equally in the circumferential direction with respect to the rotary shaft 27 of the motor 26. The exhaust port 39 is generated by exhausting the inside of the scattering prevention cup 15 to form a descending airflow in the scattering prevention cup 15, and the processing liquid scattered from the substrate W collides with the scattering prevention cup 15. It is for discharging fine droplets (mist) to the outside of the system together with the descending airflow.
【0024】次に、回転式基板乾燥装置3における基板
Wの乾燥工程について説明する。図4は、スピンチャッ
ク13の回転状態を示すタイムチャートである。Next, the step of drying the substrate W in the rotary substrate drying device 3 will be described. FIG. 4 is a time chart showing the rotation state of the spin chuck 13.
【0025】まず、基板搬入部2において、複数の搬送
ローラ12により、前段の処理工程より純水等の処理液
が付着した状態で搬送された基板Wを、第1のチャック
16により挟持して、回転式基板乾燥装置3のスピンチ
ャック13上に載置する。このとき、第1のチャック1
6には、図示しない処理液供給ノズルが付設されてお
り、搬送中の基板Wに純水等の処理液を供給して、基板
Wの搬送時に基板Wの表面が不均一な状態で乾燥するこ
とによる処理むらを防止する。First, in the substrate loading unit 2, the first chuck 16 holds the substrate W transported by the plurality of transport rollers 12 with the treatment liquid such as deionized water adhered thereto in the previous treatment step. , And is placed on the spin chuck 13 of the rotary substrate drying device 3. At this time, the first chuck 1
6, a processing liquid supply nozzle (not shown) is attached to supply a processing liquid such as deionized water to the substrate W being transferred, and the surface of the substrate W is dried in a non-uniform state when the substrate W is transferred. Prevent uneven processing due to the above.
【0026】基板Wがスピンチャック13の支持ピン2
2上に載置され、位置決めピン23による位置決めが完
了すれば、モータ26の駆動により、スピンチャック1
3を回転軸27を中心として例えば200rpm程度の
低速の回転数で回転させる。このとき、飛散防止用カッ
プ15内においては、排気口39から排気を行うことに
より、予め下降気流が形成されている。The substrate W is the support pin 2 of the spin chuck 13.
When the spin chuck 1 is placed on the spin chuck 1 and the positioning by the positioning pin 23 is completed, the spin chuck 1 is driven by the motor 26.
3 is rotated about the rotation shaft 27 at a low rotation speed of about 200 rpm, for example. At this time, in the scattering prevention cup 15, a downward airflow is formed in advance by exhausting air from the exhaust port 39.
【0027】なお、最初にスピンチャック13を低速で
回転させているのは、回転当初から基板Wを高速回転さ
せた場合においては、基板Wに付着した処理液が多量に
周囲に飛散して液跳を生ずるため、その処理液を予め基
板Wの端縁より流出させておくことを目的とするもので
ある。この時の回転数としては、基板Wの表面に付着し
た処理液を基板Wの端縁より流出し得るだけの遠心力を
生ずる回転数であればよく、例えば500rpm以下と
することが好ましい。また、この回転数を維持する時間
T1は、基板Wの表面に付着した処理液の多くが基板の
端縁より流出し得る時間であればよく、例えば1.5〜
3秒程度で十分である。It should be noted that the spin chuck 13 is rotated at a low speed first because when the substrate W is rotated at a high speed from the beginning of the rotation, a large amount of the processing liquid adhering to the substrate W is scattered around the liquid. Since the jumping occurs, the processing liquid is intended to flow out from the edge of the substrate W in advance. The rotation speed at this time may be any rotation speed that generates a centrifugal force that allows the processing liquid adhering to the surface of the substrate W to flow out from the edge of the substrate W, and is preferably 500 rpm or less, for example. Further, the time T1 for maintaining this rotation speed may be a time during which most of the processing liquid adhering to the surface of the substrate W can flow out from the edge of the substrate, for example, 1.5 to
About 3 seconds is sufficient.
【0028】この状態において、純水の供給管29より
二重管28に純水を供給し、この純水をスピンチャック
13の開口部24を介して基板Wの裏面に供給すること
により、基板Wの裏面を洗浄する。In this state, pure water is supplied from the pure water supply pipe 29 to the double pipe 28, and this pure water is supplied to the back surface of the substrate W through the opening 24 of the spin chuck 13 to obtain the substrate. Wash the backside of W.
【0029】時間T1が経過すれば、二重管28からの
純水の供給を停止する。そして、スピンチャック13の
回転速度を上昇させ、基板Wを高速で回転させる。この
時には、基板Wに付着した洗浄液を高速で振り切ること
ができるように、基板Wを例えば2000rpm程度の
回転数で回転させる。また、この回転数を持続する時間
T2は、例えば十数秒〜30秒程度とすることが好まし
い。When the time T1 has elapsed, the supply of pure water from the double pipe 28 is stopped. Then, the rotation speed of the spin chuck 13 is increased to rotate the substrate W at a high speed. At this time, the substrate W is rotated at a rotation speed of, for example, about 2000 rpm so that the cleaning liquid attached to the substrate W can be shaken off at high speed. Further, the time T2 during which the rotation speed is maintained is preferably, for example, about ten and several seconds to 30 seconds.
【0030】基板Wを高速で回転させた場合には、基板
Wの表面に残存している処理液の液滴が遠心力により基
板Wの表面より振り切られ、基板Wの表面から外側に向
かって飛散するが、飛散防止用カップ15の高さHは液
滴の最大到達高さ以上に設定されているため、この液滴
が飛散防止用カップ15の外側にまで到達することはな
い。このため、飛散防止用カップ15の外側にシャッタ
ー等を設けない場合においても処理液の外部への飛散を
完全に防止することができる。When the substrate W is rotated at a high speed, the droplets of the processing liquid remaining on the surface of the substrate W are shaken off from the surface of the substrate W by the centrifugal force, and are directed outward from the surface of the substrate W. Although scattered, the height H of the scattering prevention cup 15 is set to be equal to or higher than the maximum reaching height of the droplet, so that the droplet does not reach the outside of the scattering prevention cup 15. Therefore, it is possible to completely prevent the processing liquid from being scattered to the outside even when a shutter or the like is not provided outside the scattering prevention cup 15.
【0031】なお、基板Wを高速回転させた場合、基板
Wから飛散した処理液が飛散防止用カップ15に衝突す
ることにより、微細な液滴(ミスト)が発生するが、飛
散防止用カップ15内には排気口39により均一な下降
気流が形成されているため、この液滴は下降気流と共に
系外に排出され、飛散防止用カップ15から外部に拡散
することはない。特にこの実施の形態においては、4個
の排気口39を回転軸27に対して周方向に略等分に配
置していることから、飛散防止用カップ15内に均一な
下降流が形成され、微細な液滴を確実に排出することが
可能となる。When the substrate W is rotated at a high speed, the processing liquid scattered from the substrate W collides with the scattering prevention cup 15 to generate fine droplets (mist), but the scattering prevention cup 15 Since a uniform downward airflow is formed inside by the exhaust port 39, the liquid droplets are discharged out of the system together with the downward airflow, and do not diffuse from the shatterproof cup 15 to the outside. Particularly, in this embodiment, since the four exhaust ports 39 are arranged in the circumferential direction substantially equally with respect to the rotary shaft 27, a uniform downward flow is formed in the scattering prevention cup 15, It becomes possible to reliably discharge fine droplets.
【0032】続いて、エアシリンダ37の駆動により、
気体供給手段14のノズル35を図2および図3におい
て実線で示す待機位置から二点鎖線で示す気体供給位置
まで移動させる。これにより、ノズル35の先端がスピ
ンチャック13に保持されて回転する基板Wの表面にお
ける回転中心の上方数mm程度まで接近した位置に移動
する。この状態において、管路36からノズル35に対
して窒素ガスを供給することにより、回転する基板Wの
回転中心に向けて窒素ガスを吹き付ける。この窒素ガス
の供給により、基板Wの中心部付近に残存する洗浄液が
除去されると共にその乾燥が促進される。Then, by driving the air cylinder 37,
The nozzle 35 of the gas supply means 14 is moved from the standby position shown by the solid line in FIGS. 2 and 3 to the gas supply position shown by the chain double-dashed line. As a result, the tip of the nozzle 35 moves to a position approaching a few mm above the center of rotation on the surface of the substrate W held by the spin chuck 13 and rotating. In this state, the nitrogen gas is supplied from the conduit 36 to the nozzle 35, so that the nitrogen gas is blown toward the rotation center of the rotating substrate W. By supplying this nitrogen gas, the cleaning liquid remaining near the center of the substrate W is removed and its drying is promoted.
【0033】上述した基板Wの表面への窒素ガスの供給
と平行して、窒素ガスの供給管32より二重管28に窒
素ガスを供給し、この窒素ガスを二重管28からスピン
チャック13の開口部24を介して基板Wの裏面に吹き
付けることにより、基板Wの表面同様、基板Wの裏面の
乾燥を促進する。In parallel with the above-mentioned supply of nitrogen gas to the surface of the substrate W, nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply pipe 32 to the double pipe 28, and this nitrogen gas is supplied from the double pipe 28 to the spin chuck 13. By spraying on the back surface of the substrate W through the opening 24, the drying of the back surface of the substrate W is promoted like the front surface of the substrate W.
【0034】時間T2が経過し、基板Wの乾燥が終了す
れば、スピンチャック13の回転を停止させ、ノズル3
5を待機位置まで移動させる。そして、スピンチャック
13上の基板Wを、第2のチャック17により挟持して
基板搬出部4の搬送ローラ12上に載置し、搬送ローラ
12により後段の処理工程へ搬出する。When the time T2 has passed and the drying of the substrate W is completed, the spin chuck 13 is stopped from rotating and the nozzle 3
Move 5 to the standby position. Then, the substrate W on the spin chuck 13 is sandwiched by the second chuck 17 and placed on the transport roller 12 of the substrate unloading unit 4, and is transported by the transport roller 12 to the subsequent processing step.
【0035】上記実施の形態においては、この発明を基
板Wの乾燥工程に使用する回転式基板乾燥装置に適用し
た場合について述べたが、回転する基板Wの表面に洗浄
用ブラシを当接させて基板Wを洗浄する工程や、超音波
を付与した洗浄液を基板Wの表面に供給して基板Wを洗
浄する工程の後に、基板Wを回転して乾燥する、基板W
の洗浄機能をも備えた回転式基板乾燥装置にこの発明を
適用することも可能である。In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the rotary type substrate drying apparatus used in the step of drying the substrate W has been described, but the cleaning brush is brought into contact with the surface of the rotating substrate W. After the step of cleaning the substrate W or the step of supplying the cleaning liquid to which ultrasonic waves are applied to the surface of the substrate W to clean the substrate W, the substrate W is rotated and dried.
It is also possible to apply the present invention to a rotary substrate drying apparatus that also has the cleaning function.
【0036】また、上記実施の形態においては、スピン
チャック13の回転速度を200rpmから2000r
pmまで2段階で上昇させているが、この回転速度を低
速回転から高速回転に連続的に上昇させるようにしても
よい。Further, in the above-mentioned embodiment, the rotation speed of the spin chuck 13 is changed from 200 rpm to 2000 r.
Although the rotation speed is increased to pm in two steps, the rotation speed may be continuously increased from the low speed rotation to the high speed rotation.
【0037】さらに、上記実施の形態においては、角形
の液晶表示パネル用ガラス基板Wに対して処理を行う場
合について述べたが、半導体ウエハに対して処理を行う
装置にこの発明を適用することもできる。Further, in the above embodiment, the case where the processing is performed on the glass substrate W for the rectangular liquid crystal display panel has been described. However, the present invention can be applied to an apparatus for processing a semiconductor wafer. it can.
【0038】[0038]
【発明の効果】請求項1および2に記載の発明によれ
ば、基板から飛散する処理液の液滴を飛散防止用カップ
により確実に捕捉することが可能となる。このため、回
転式基板乾燥装置の周囲にシャッター等を配設する必要
がなくなり、簡易な構成で迅速に基板の乾燥を行うこと
ができる。According to the invention described in claims 1 and 2, it becomes possible to reliably capture the droplets of the processing liquid scattered from the substrate by the scattering prevention cup. Therefore, it is not necessary to dispose a shutter or the like around the rotary substrate drying device, and the substrate can be dried quickly with a simple configuration.
【0039】請求項3に記載の発明によれば、基板を低
速回転させた後に高速回転させることから、基板に多量
に付着した処理液を予め基板Wの端縁より流出させてお
くことが可能となり、多量の処理液が飛散することによ
る液跳の発生を防止することができる。According to the third aspect of the present invention, since the substrate is rotated at a low speed and then at a high speed, a large amount of the processing liquid adhering to the substrate can be made to flow out from the edge of the substrate W in advance. Therefore, it is possible to prevent the liquid jump from occurring due to the scattering of a large amount of the processing liquid.
【図1】この発明に係る回転式基板乾燥装置を適用した
基板処理装置の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus to which a rotary substrate drying apparatus according to the present invention is applied.
【図2】この発明に係る回転式基板乾燥装置の側面図で
ある。FIG. 2 is a side view of the rotary substrate drying apparatus according to the present invention.
【図3】図2の平面図である。FIG. 3 is a plan view of FIG. 2;
【図4】スピンチャックの回転状態を示すタイムチャー
トである。FIG. 4 is a time chart showing a rotation state of a spin chuck.
3 回転式基板乾燥装置 13 スピンチャック 15 飛散防止用カップ 26 モータ W 基板 θ 仰角 3 Rotating Substrate Drying Device 13 Spin Chuck 15 Scatter Prevention Cup 26 Motor W Substrate θ Elevation Angle
Claims (3)
する支持手段を鉛直方向の軸芯周りで回転させることに
より前記基板に付着した液滴を振り切るとともに、前記
基板より飛散する液滴を前記支持手段の周囲を囲うよう
に配設された円筒状の飛散防止用カップにより受け止め
る回転式基板乾燥装置において、 前記飛散防止用カップの高さを、その位置における前記
液滴の最大到達高さ以上の高さとしたことを特徴とする
回転式基板乾燥装置。1. A liquid droplet adhering to the substrate is shaken off by rotating a supporting means for supporting the substrate in a posture in which the surface thereof is horizontal, around a vertical axis, and liquid droplets scattered from the substrate are removed. In a rotary substrate drying device that receives a cylindrical anti-scattering cup arranged so as to surround the supporting means, the height of the anti-scattering cup is the maximum arrival height of the droplet at that position. A rotary substrate drying apparatus having the above height.
記飛散防止用カップの上端部に至る仰角を10度以上と
した請求項1に記載の回転式基板乾燥装置。2. The rotary substrate drying apparatus according to claim 1, wherein an elevation angle from the center of rotation on the surface of the substrate to the upper end portion of the scattering prevention cup is 10 degrees or more.
させた後、高速回転させる請求項1または2いずれかに
記載の回転式基板乾燥装置。3. The rotary substrate drying apparatus according to claim 1, wherein the supporting means is rotated at a low speed for a predetermined time and then at a high speed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33807995A JPH09153476A (en) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | Rotary-type substrate drying device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33807995A JPH09153476A (en) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | Rotary-type substrate drying device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09153476A true JPH09153476A (en) | 1997-06-10 |
Family
ID=18314712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33807995A Pending JPH09153476A (en) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | Rotary-type substrate drying device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09153476A (en) |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP33807995A patent/JPH09153476A/en active Pending
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