JPH09146260A

JPH09146260A - ウェーハ支持台表面上の粒子検知方法

Info

Publication number: JPH09146260A
Application number: JP23496296A
Authority: JP
Inventors: Kyoichi Suwa; 恭一諏訪; Ee Aiyaa Aran; エーアイヤーアラン
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-09-07
Filing date: 1996-09-05
Publication date: 1997-06-06
Also published as: US5698069A

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の技法では、支持台表面に付着した極微小
な汚染粒子を検知することが困難であった。【構成】粒子を検知するモアレ技法であって、ウェーハ
が第１の位置を占めるべき表面上の第１の位置に該ウェ
ーハを位置決めすることと、該ウェーハ上に第１のパタ
ーンを生成することと、該ウェーハを移動させること
と、該ウェーハを移動させてからは、第２のパターンを
該ウェーハ上に生成して、該第２のパターンを前記第１
のパターンと相互作用させることによってモアレパター
ンを生成し、該モアレパターンを検査して、該第１のパ
ターン生成中に該支持台表面上の粒子によって生じた該
ウェーハの物理的歪みに起因するモアレパターンの視覚
的歪みを識別する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本開示は半導体微小リソグラ
フィに関し、かつより詳しくは結像機器上の汚染粒子を
検知する検査技法に関する。

【０００２】

【従来技術】フォトマイクロリソグラフィの第１の目的
はできるだけ微細に精密な像を形成することである。極
めて微細なラインアンドスペースを有する高解像度の結
像によって微小サイズのチップ上に複雑な集積回路を製
作することが可能になっている。微細な精密さを要する
ときは、望ましからぬいかなる変動や歪みも受入れるこ
とはできない。

【０００３】半導体チップの製作に際して、ウェーハは
平坦な支持台表面、あるいはステージ上に位置決めさ
れ、マスクの像を該ウェーハに投影して化学的処理によ
り永続的な像を現出、生成する。もしも微小粒子がウェ
ーハ下の支持台表面上に付着すると、ウェーハが歪み、
それが原因で得られる像も歪むことになる。粒子は通常
ウェーハの局所領域を上向きに湾曲させ、ウェーハの上
面をやや伸張させる。この伸張した領域に投影された像
は、その後ウェーハが支持台表面から取り外されると収
縮して元の緩和状態に復帰する。またそのような湾曲部
には局所的に焦点外れの像が生じる可能性もある。

【０００４】このような歪みを生じさせるような粒子は
極めて微小なために従来の手法では容易に検出すること
ができない。それゆえ、支持台表面を清浄する必要かど
うか知るために時折検査を実施する必要がある。

【０００５】汚染粒子を検知する現行の技法としては、
基準格子をテストウェーハ上に印写して、該ウェーハを
処理して永続的な格子像を生成し、その結果得られる像
を検査する方法がある。この検査は一様な照明で行わ
れ、回折効果によりライン幅またはスペース幅に或る程
度の変動を検知することが可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この技
法では、或る種の極微の微小リソグラフィの適用では受
入れ難い歪みを生じさせるようなより微小な粒子を検知
するには効果が限定されていた。本発明は上記問題を考
慮してなされたものであって、支持台上に付着した汚染
粒子が極微小であっても確実に検知することができる方
法を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の粒子検知方法は、ウェーハが第１の位置を
占めるべき表面上の第１の位置に該ウェーハを位置決め
することと、該ウェーハ上に第１のパターンを生成する
ことと、該ウェーハを移動させることとを含む。さら
に、該ウェーハを移動させてからは、第２のパターンを
該ウェーハ上に生成して、該第２のパターンを前記第１
のパターンと相互作用させることによってモアレパター
ンを生成する。該モアレパターンを検査して該第１のパ
ターン生成中に該支持台表面上の粒子によって生成した
該ウェーハの物理的歪みに起因するモアレパターン内の
視覚的歪みを識別する。これらパターン群は線刻した平
行線であってもよく、かつ該第２のパターンを検査中に
移動して該モアレパターンを偏移させ歪みを広い領域に
亘って現出させることもできる。

【０００８】

【発明の実施の形態】第１図は精密像を半導体ウェーハ
１２の表面に写真リソグラフィで結像するステッパ１０
を示す。該ステッパは光源１６と投影レンズ２０とを含
む投影器１４を含む。光透過性および非光透過性部の像
を担持する脱着自在なレチクルないしマスク２２は投影
器内に位置決めされている。

【０００９】ステージないしウェーハ支持台２４はレン
ズ２０に面した平坦なウェーハ支持表面２６を有し、ウ
ェーハ支持台２４をレンズ下方に位置させることにより
該表面上のウェーハ１２に該レンズで結像することがで
きる。ウェーハ支持台２４は表面２６の平面内のＸ軸お
よびＹ軸上を自在に移動できる。かくして該ウェーハは
いわゆるステッピングを行い、レンズ２０がマスクの縮
小像の焦点を合わせながら、多数の集積回路の像が単一
ウェーハ上に転写される。ウェーハ支持台２４は表面２
６を介して、真空ポンプ（不図示）と連結した小孔（不
図示）のアレイを含み、ウェーハ全域をその表面に対し
て確実に引きつけて正確な焦点合わせを可能としてい
る。

【００１０】第２図に拡大して示したとおり、汚染粒子
３０がウェーハ１２と支持台表面２６との間に挟まれる
ことがあるかもしれない。ウェーハは一般に堅いもので
あるけれども、該粒子のためにやはり或る程度撓みを生
じる傾向がある。こうして隆起部３２は粒子の上方に発
生するが、それはその周辺領域が重力と吸引力との少な
くとも一方によって支持台表面に引き付けられるためで
ある。点状の粒子によって生じる典型的なウェーハの隆
起はふたつの領域、すなわち中心の凸形領域３４とそれ
を取り囲む環状の凹形裾野領域３６とを有する。その中
心領域は正の曲率を有するのでウェーハの上面４０は伸
張して凸形を呈する。また、環状のの裾野部は負の曲率
を有するためその上面は裾野状に圧縮されている。細長
い繊維ないし針状の破片が表面を汚染すると、横断面図
は第２図と同じようになるが、隆起部の方は部分的に凸
形円筒断面になるはずで、長い方の縁はそれぞれ凸形円
筒断面によって区画される。

【００１１】粒子３０を挟み込んだまま像が投影され、
ウェーハ上に形成された後、ウェーハを支持台２４から
取り外すと、このウェーハ上に形成された像が変化す
る。粒子に生じた変形は半導体材料の弾性限界内に在る
ので、ウェーハがステージから取り外した後に平坦な状
態に復帰するのである。このような事態が起こると、中
心領域３４内の像の縮尺は、伸張した表面が本来の状態
に復帰するにつれて小さくなってしまう。それとは反対
に裾野領域３６内の像の縮尺は、圧縮された表面が解放
されるにしたがって大きくなってしまう。ウェーハが
（焦点ずれは別として）粒子上で撓んでいたときには像
がその本来の大きさを保っていたのに、さらに処理して
利用するためにウェーハを取り外すと、像の縮尺が局所
的に歪んでしまうのである。

【００１２】ウェーハ支持台表面が清浄な環境に維持し
てあり、かつたびたび清拭して大部分の粒子を除去して
あっても、或る程度の粒子が検知されずに残留する可能
性が在る。検査工程を随時課して、例えば先行して処理
されたウェーハの微小断片の脱落に起因するような粒子
の支持台表面への付着の有無を確かめる。検査工程をた
びたび実行することにより汚染粒子の発生直後に粒子の
存在を指示して欠陥品の生産量を最小限に減らす。さも
なければ、この検査は、作業シフト交替時や多数のウェ
ーハの一括処理分のキャリアーがステッパから次の工程
のため取り外されたときなど、より長期の間隔で行われ
ることになる。後者のやり方は、汚染粒子が稀にしか起
きない場合には妥当である。また、作業シフトの最後の
検査で、ある作業シフト中に汚染粒子が存在したことが
わかったときでも、その粒子の場所を調べることができ
る。ついで当該シフトでの全製品を廃棄する代りに、歪
みの影響を被った集積回路だけを欠陥品として標識し、
各ウェーハ上の残存品は影響されてないものとして維持
される。

【００１３】好ましい検査工程としては、支持台表面に
正規の態様で載せたテストウェーハにテストパターンを
転写し、該テストウェーハを汚染の無い表面へ移し、照
明し、該転写済ウェーハに同様な検査パターンを転写ま
たは重ね合わせ、テストパターンと検査パターンとを視
覚的に干渉させてモアレパターンを発生させることが必
要である。

【００１４】第３図に示すように、テストパターン４２
は、それぞれが半ピッチないし中心間々隔に等しい幅を
有する複数のラインを平行に配列したものである。かく
して線幅はスペース幅に等しくなる。好ましい実施例で
は、ウェーハ上の線幅は０．５〜１．０μｍの範囲に在
ることが望ましい。それは縮小レンズによりマスクの像
が１／４に縮小されるので、そのマスクはほぼ２〜４μ
ｍの線幅を有することになる。これらの範囲より外の広
い数値範囲でも或る程度の応用には適しており、本発明
の原理から外れるものではない。該テストパターンはウ
ェーハ全域を被覆してもよく、さもなければウェーハ上
の単一の集積回路チップの面積を有する一区画だけを被
覆するのでもよいが、前者の場合にはテストパターン像
はステッピングして隣接し合う区画のマトリックスの形
で実質的にウェーハ全域を被覆する。

【００１５】第４図には、テストウェーハの一部分を示
し、そのテストウェーハは細長い粒子の上で結像され、
ついでウェーハ支持台から平坦で歪みの無い場所に移さ
れ、図示したように歪んだテストパターン４２’が発生
している。この歪みの例では汚染粒子により歪み域４４
が生じている。この歪み域は、粒子のほぼ真上に位置
し、前述の凸形領域３４と等価な中央域部分４６を有す
る。その外側の一対の裾野域部分５０は前述の凹形領域
３６と等価である。略述のために、パターンの歪み部分
を長方形に示したが、多くの場合それは円形である。例
示したのはどんなタイプの粒子で生じた歪みにも役に立
つモデルである。

【００１６】第５図では、この歪んだテストパターンを
検査パターン５２と重ね合わせて、広幅の平行ストライ
プないし縞５４として現れるモアレパターンを生成して
いる。この検査パターンはテストパターン４２と同じ線
幅とピッチとを有し、ウェーハ全域を検査するため実質
的にテストパターン全域を覆っている。モアレパターン
を生成するため、検査パターンはテストパターンに対し
て角度θだけ僅かに傾けられいる。このθは０度以上の
範囲であって鋭角となることが望ましい。小角θで傾け
ると、モアレ縞はパターンのピッチを（ラジアン単位
の）θで除算したのに等しい距離５６だけ離隔する。こ
の縞の間隔は鮮明に見るのに便利なほぼ５〜１５ｍｍの
範囲が好ましいが、その他の広い範囲でも他の応用に使
える場合があるはずである。

【００１７】モアレ縞は歪み域４４を通過する際著しく
歪み、凸凹状やジグザグ状を呈する。この縞の起伏は、
歪み４４が容易には視認できない程度であっても、振幅
６０を有する近似的に単一の完全な正弦波形ないし鋸歯
状波形として現出し、その波形は充分容易に視認できる
ものである。歪み域中の任意の線のずれ量はｄとして表
わせるはずである。この量は本例では中央域部分４６と
周辺域部分５０との間の境界で最大となるはずである。
モアレ縞の起伏の振幅６０はθで除算した最大ずれｄと
して算出できる。

【００１８】好ましい実施例では、テストパターンの間
隔と検査パターンの間隔とは同一であって、ずれ角θは
ゼロでない小さい値である。別の実施例では、両パター
ンのピッチは互いに異なり、ずれ角は０であって、モア
レ縞はパターン線に直角でなく平行に発生する。テスト
パターンの反転像である検査パターンを完全に整合させ
ても、歪みを現出することができる。歪んでいない転写
線ないし像はすべてそっくり検査パターンによって現出
されるが、他方いかなるずれも転写線間に現出する間隔
として視認されるはずである。

【００１９】前述の技法を静的な方面で捉えると、検査
パターンはテストパターンに関して固定されている方が
よい。この態様は、テストパターンがウェーハを支持台
表面上で偏移させた後、印写させることによるか、また
はウェーハを１８０＋θ度だけ回転することによるかし
て達せられる。歪みの原因粒子は未だ支持台表面上に残
存しているはずであるが、ウェーハの粒子の影響を受け
た部分は、別の表面のおそらく平坦な部分に移動してい
るはずである。こうすると検査パターンが粒子によって
歪まされた場所で第２のモアレパターンが生成される筈
である。両パターンを結像した後でウェーハを処理して
検査すればよい。

【００２０】この静的技法では、角度θを小さくして広
幅のモアレ縞と振幅を拡大した大きな起伏とを発生させ
ることより極めて小さい歪みを検知できるようにする
か、角度θを大きく取って縞間隔を狭くすることにより
局所的な小さい歪みがもしもモアレ縞の間の間隙に整合
しているとすると見落してしまうかもしれない危険を減
少させるようにするかのどちらに重点を置くか考慮しな
ければならない。このとちらかを決める行為で限定され
る危険を防止するためには動的技法を用いるとよい。

【００２１】この動的技法では、極めて小さい角度θを
用いて高い検知感度を得ており、しかも検査中に検査パ
ターン５２を試験パターン４２’に関して移動すること
によって隠れた歪みの発生を防止することができる。検
査パターンの移動でモアレ縞の移動が生じ、そのモアレ
縞はウェーハ全域を掃引していかなる場所の歪みも現出
させる。パターン線のピッチに等しい距離だけパターン
線と直角な方向に検査パターン５２を移動させることに
よって、モアレパターンはその縞の方向と直角に縞のピ
ッチと等しい量だけ偏移する。こうして僅かに移動させ
てやるだけでウェーハ全域を走査することができる。こ
の移動を一定速度でゆっくりと行えば鮮明な歪みが得る
ことができる。パターンの偏移の仕方は、静止したパタ
ーンの上方を望ましくは０．５〜１．０ヘルツの範囲の
周期で通過するように動かせばよい。

【００２２】検査パターンの移動は幾つかの方法中のい
ずれでも構わない。線刻した硝子格子を結像したウェー
ハに直接重ね合わせて、格子とウェーハとのどちらかを
移動させるようにしてもよい。さもなければウェーハを
検査パターンの投影像で照明し、検査パターンを移動す
るか、または検査パターンを静止しておいてその間ウェ
ーハを移動するようにしてもよい。

【００２３】第６図には検査パターン発生器６２を示
し、本器でテストパターンと同一ピッチを有する照明さ
れた平行線からなるパターン列６４を生成する。このパ
ターン列は充分広幅でウェーハ全域を被覆するのが望ま
しく、あるいは、２、３の縞を注視するのに充分なだけ
の大きさのウェーハの比較的小さい部分を被覆するだけ
でもよい。さもなければ、このパターン列を比較的狭い
縞状とし、このパターン列をウェーハ上でラスタ化した
ビデオ画像のように急速に繰り返し走査して、ウェーハ
１２全域を被覆する平行線からなる広域パターンの刻印
を創出することもできる。

【００２４】レーザダイオード６６で光源を提供し、ビ
ームスプリッタと反射鏡との組立体７０に向けビームを
送光する。その組立体７０はビームを２本の平行ビーム
成分７２と７４とに分割する。これらビーム成分は反射
鏡組立体７６の互いに異なる面に向けられる。反射鏡組
立体７６は、２つのビーム成分をウェーハと平行な同一
線上を互いに逆向きに操作自在な可動反射鏡８０、８２
にそれぞれ転向する。各反射鏡８０、８２は各ビーム成
分をウェーハのパターン列６４に向け、ビーム成分の光
学的干渉で所望のピッチを有する干渉線が生成される。
ビーム成分は異なる位置と方向とからウェーハに向けら
れ第２のパターンの干渉線を生じる。操作自在な反射鏡
８０、８２をビーム成分のウェーハと平行な分路に沿っ
て移動させることによって、パターン列の位置をウェー
ハを横切るように掃引することができる。

【００２５】動的に検査パターンを移動させるために、
第２のビーム成分７４の光路中に設けられた光透過性の
光学的楔８４を動かすことによって、第２のビーム成分
７４の位相をシフトさせる。これによりビーム成分７
２、７４間に位相差の変化が生じる。ビームが通過する
厚さが変化するように楔８４を動かすことにより、ビー
ム成分７４の光路長あるいは位相が次第にビーム成分７
４の光路長あるいは位相に対して変化する。この楔は充
分大きくてウェーハを検査する時間中連続して移動でき
るほどでなければならない。この楔を前後に往復運動さ
せることにより、検査パターンとモアレ縞とが同様に明
瞭な往復運動をするようになる。

【００２６】連続的な位相のシフトは周波数のシフトと
も見做すことができ、これはビームが通過する移動硝子
楔の厚さの増加（あるいは減少）はビームが進行すべき
距離の増加（あるいは減少）と等価だからである。こう
して、連続的な位相変化はドップラーシフトを生じ、楔
が動いている間に周波数を効果的に変化させる。

【００２７】第７図には、第６図の装置の変形を示し、
楔８４を代替手段で置換してビーム成分７４の周波数を
シフトさせる。１／４波長板８６が反射鏡７６と８２と
の間のビーム分路７４に置かれ、回転式の１／２波長板
８８が反射鏡８２の後方の分路中に置かれ、１／４波長
板９０が１／２波長板の後方に位置する。１／２波長板
８８はそれを通過するビームの分路と整合する軸上で回
転する。回転速度は所望する周波数シフトの１／２に等
しい周波数に設定してあり、それはモアレ縞の移動の周
期に対応する。

【００２８】前記発明は望ましい実施例を用いて説明し
たけれども、本発明をそれで限定する意図はない。

【００２９】

【本発明の効果】以上、本発明によれば、ウェーハ支持
台表面に付着した汚染粒子が極微細であっても確実に検
知するできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施例により作動可能なステ
ッパの単純化した側面図である。

【図２】第１図のステッパの一部の拡大断面図である。

【図３】本発明の好ましい実施例による第１の検査パタ
ーンの拡大平面図である。

【図４】本発明の好ましい実施例による歪んだ検査パタ
ーンの拡大平面図である。

【図５】本発明の好ましい実施例によるモアレパターン
の拡大平面図である。

【図６】本発明の別の第１実施例の模式図である。

【図７】本発明の別の第２実施例の模式図である。

【符号の説明】

１０ステッパ１２半導体ウェーハ１４投影器の組立体１６光源２０投影レンズ２２脱着自在なレチクルないしマスク２４ステージないしウェーハ支持要素２６平坦なウェーハ支持台表面３０汚染粒子３２隆起部３４凸形隆起領域３６凹形裾野領域４０ウェーハの上部４２試験パターン４２’ 歪んだ試験パターン４４歪み域５０周辺域部５２検査パターン６２検査パターン発生器６６レーザダイオード７０ビームスプリッタと反射鏡との組立体７２ビーム成分７４ビーム成分７６反射鏡組立体８０可動反射鏡８２可動反射鏡８８回転式２分の１波長板９０４分の１波長板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェーハ支持台表面上の粒子を検知する方
法であって、ウェーハを前記支持台表面上の第１の場所に位置決めす
るステップと、該第１の位置に在る前記ウェーハを用い、前記ウェーハ
上に第１のパターンを生成するステップと、前記ウェーハを移動させるステップと、前記ウェーハを移動させた後で、前記ウェーハ上に第２
のパターンを生成して、該第２のパターンを前記第１の
パターンと相互作用させることによって、モアレパター
ンを生成するステップと、前記モアレパターンを検査して、前記第１のパターンを
生成するときに前記支持台表面上の粒子によって生じた
前記ウェーハの物理的な歪みに起因する前記モアレパタ
ーンの視覚的な歪みを識別するステップとを含むことを
特徴とする粒子検知方法。
【請求項２】前記第１の位置に前記ウェーハを位置決め
するステップにおいて前記支持台表面上の粒子を被覆す
る前記ウェーハの第１の部分に撓みが生じ、前記ウェーハを移動させるステップは、前記ウェーハの
前記第１の部分を前記粒子から引き離し前記第１の部分
が前記第２のパターンの生成中は撓まないように前記ウ
ェーハを移動することを特徴とする請求項１に記載の方
法。
【請求項３】前記第２のパターンを生成するステップ
は、前記第１のパターンを元の該第１のパターンから或
る角度だけ傾けて再生成することを特徴とする請求項１
に記載の方法。
【請求項４】前記傾角が０．１０度以下であることを特
徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】前記第２のパターンを生成するステップ
は、平行線からなるパターン列を生成するステップを含
むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記第２のパターンを生成するステップ
は、線刻した格子を前記ウェーハに重ね合わせるステッ
プを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】前記第２のパターンを生成するステップ
は、該第２のパターンを印刻したマスクを介して光線を
投影するステップを含むことを特徴とする請求項５に記
載の方法。
【請求項８】前記第２のパターンを生成するステップ
が、光学特性の互いに異なる２つの光線を投影して、平
行線からなる干渉パターンを生成することを特徴とする
請求項１に記載の方法。
【請求項９】前記第２のパターンを生成するステップに
おいて、１つのレーザビームを２つの光線成分に分割
し、一方の光線成分の周波数を他方の成分に関してシフ
トすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】前記第２のパターンを生成するステップ
において、１つのレーザビームを２つの光線成分に分割
し、一方の光線成分の位相を他方の成分に関してシフト
することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】前記第１のパターンを写真リソグラフィ
で生成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】前記モアレパターンを検査するステップ
は、前記検査中に前記第２のパターンを前記第１のパタ
ーンに関して移動させることを特徴とする請求項１に記
載の方法。
【請求項１３】前記第２のパターンを移動させるステッ
プは、前記ウェーハを横切るように線刻格子を移動させ
ることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】前記第２のパターンが平行線からなるパ
ターン列を含み、かつ前記第２のパターンを移動させる
ステップは、該第２のパターンを該平行線から或る角度
傾けた方向に移動させることを特徴とする請求項１２に
記載の方法。
【請求項１５】前記第２のパターンを移動させるステッ
プは、該第２のパターンを該平行線と直角な方向に移動
させるステップを含むことを特徴とする請求項１５に記
載の方法。
【請求項１６】前記第２のパターンを移動させるステッ
プは、２本のビームの光線を前記ウェーハに投影するス
テップと、該ビーム中の一方の光学特性を変化させて移
動する干渉パターンを生成することを特徴とする請求項
１２に記載の方法。
【請求項１７】ウェーハ支持台表面上の粒子を検知する
方法であって、ウェーハを前記支持台表面上の第１の場所に位置決めす
るステップと、前記第１の位置に在る前記ウェーハを用い、該ウェーハ
上に互いに平行な複数の線刻の第１のパターンを生成す
るステップと、前記ウェーハを前記支持台表面から移動させるステップ
と、前記ウェーハを移動させた後で、互いに平行な複数の線
刻の第２のパターンを前記ウェーハ上に生成して、該第
２のパターンを該第１のパターンと相互作用させること
によってモアレパターンを生成するステップと、前記第２のパターンを該第１のパターンに関して移動さ
せ、該モアレパターンを偏移させるステップと、前記第２のパターンを移動させながら前記モアレパター
ンを検査して、前記第１のパターン生成時に該支持台表
面上の粒子によって生じた、該ウェーハの物理的歪みに
起因するモアレパターン内の視覚的歪みを識別するステ
ップとを含むことを特徴とする粒子検知方法。
【請求項１８】前記第１のパターンを生成するステップ
は、前記ウェーハに像を印写することを特徴とする請求
項１７に記載の方法。
【請求項１９】前記第２のパターンを生成するステップ
は、線刻した透明格子を前記ウェーハに重ね合わせるス
テップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方
法。
【請求項２０】前記第２のパターンを移動させるステッ
プは、前記ウェーハ上方で該格子を摺動するステップを
含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】前記第２のパターンを生成するステップ
は、光線をマスクを介して該ウェーハに投影するステッ
プを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】前記第２のパターンを生成するステップ
は、互いに異なる２波長の光線を該ウェーハに投影する
ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】前記第２のパターンを生成するステップ
は、光ビームを第１の成分と第２の成分とに分割し、該
ビーム成分の一方の振動数をシフトさせ、該ビーム成分
双方を該ウェーハに投影することを特徴とする請求項１
７に記載の方法。
【請求項２４】該ビーム成分の一方を回転する分数波長
板を介して通過させることを特徴とする請求項２３の前
記方法。
【請求項２５】該ビーム成分の一方を移動プリズムを介
して通過させることを特徴とする請求項２３に記載の方
法。
【請求項２６】前記第２のパターンが該第１のパターン
と同一ピッチを有することを特徴とする請求項１７に記
載の方法。
【請求項２７】前記第２のパターンが該第１のパターン
に対し鋭角をもって傾くことを特徴とする請求項１７に
記載の方法。
【請求項２８】前記第２のパターンを生成するステップ
は、互いに異なる２波長の光線を該ウェーハに投影する
ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。