JPH09145643A - 液晶パネルを構成する薄膜層に分布する不純物元素の分析方法およびこの分析方法で不純物元素が規定量以下であることを確認した薄膜層を用いて構成した液晶パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】多層薄膜構造の液晶パネルの配向膜表面から深
さ方向に分布するハロゲン系元素および硫黄等の不純物
の陰イオンの残留量を確認する。 【解決手段】少なくとも一対のガラス基板1A,1B の内面
の液晶層10A と接する最上層に配向膜6A,6B を成膜した
液晶パネルを構成する多層薄膜層に分布する主としてハ
ロゲン系元素および硫黄の分析方法として、前記配向膜
6A,6B の表面に１〜５０ｎｍ厚の銀薄膜を成膜し、３５
０〜４５０°Ｃで５〜３０分加熱した後、室温まで冷却
し、銀薄膜の形成面から薄膜層の深さ方向にイオンミリ
ングしながら元素分析により深さ方向に分布するハロゲ
ン系元素のうち塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂ
ｒ）、および硫黄（Ｓ）の分布強度とその分布厚を確認
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネルを構成
する薄膜層に分布する不純物元素の分析方法およびこの
分析方法で不純物元素が規定量以下であることを確認し
た薄膜層を用いて構成した液晶パネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種の画像処理機器やテレビジョ
ン受像機のディスプレイデバイスとして液晶表示装置が
多用されている。

【０００３】液晶表示装置を構成する液晶パネルにも種
々の形式のものが知られており、典型的には単純マトリ
クス型（所謂、ＳＴＮ等）とアクティブマトリクス型
（ＴＦＴ等）が主流となっている。

【０００４】図１は本発明を適用する液晶表示装置の一
例としてのＳＴＮ液晶表示装置を構成する液晶パネルの
基本構造を説明する部分断面図であって、１Ａは上ガラ
ス基板、１Ｂは下ガラス基板、２Ａは上偏光板、２Ａは
上偏光板、３Ａは導電ペースト、４Ａは上透明電極、４
Ｂは下透明電極、５Ａは上絶縁膜、５Ｂは下絶縁膜、６
Ａは上配向膜、６Ｂは下配向膜、７Ａはスペーサ、８Ａ
は反射板、９Ａはシール材、１０Ａは液晶層である。

【０００５】同図において、上ガラス基板１Ａおよび下
ガラス基板１Ｂには上透明電極４Ａの電極パターンおよ
び下透明電極４Ｂの電極パターンがそれぞれ形成され、
各電極パターン上に上絶縁膜５Ａおよび下絶縁膜５Ｂを
介して上配向膜６Ａおよび下配向膜６Ｂがそれぞれ被覆
されている。

【０００６】上記一対の配向膜（上配向膜６Ａと下配向
膜６Ｂ）の間には液晶層１０Ａが充填されてスペーサ７
Ａで上下のガラス基板１Ａと１Ｂのフャップが一様に保
持されている。

【０００７】上透明電極４Ａと下透明電極４Ｂとは導電
ペースト３Ａで電気的に接続され、液晶層１０Ａはシー
ル材９Ａで封止されている。

【０００８】また、上ガラス基板１Ａ上には上偏光板２
Ａが、下ガラス基板１Ｂ上には下偏光板２Ｂが積層さ
れ、下偏光板２Ｂ上にはさらに反射板８Ａが設けてあ
る。

【０００９】上偏光板２Ａと下偏光板２Ｂの偏光軸はそ
れぞれの電極（上透明電極４Ａと下透明電極４Ｂ）に隣
接する液晶分子軸（上配向膜６Ａと下配向膜６Ｂ）に対
して直交および平行となるように（ねじれ角α＝９０
度）配置される（例えば特公昭５１−１３６６６号公報
参照）。

【００１０】このようなねじれ角αが９０度の液晶パネ
ルを用いた液晶表示装置では、液晶層１０Ａに印加され
る電圧に対する液晶層の透過率の急峻性（γ）や視角特
性に問題があり、時分割数（走査電極の数に相当）は６
４が限界であった。

【００１１】しかし、近年の液晶表示装置に対する画質
の改善と表示情報量の増大に対処するため、液晶分子の
ねじれ角（α）を１８０度より大きくし、かつ複屈折効
果を利用することにより時分割駆動特性を改善して時分
割数を増大させたスーパーツイステッド複屈折効果型液
晶表示装置（ＳＢＥ−ＬＣＤ）（アプライド フィジッ
クス レター ４５，Ｎｏ．１０，１０２１，１９８４
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ，
Ｔ．Ｊ．Ｓｓｈｅｆｆｅｒ，Ｎｅｈｒｉｎｇ”Ａｎｅ
ｗ，ｈｉｇｈｌｙ ｍｕｌｔｉｐｌｅｘａｂｌｅ ｌｉ
ｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ”）参照）
が実用化されている。

【００１２】図２は本発明を適用する液晶表示装置のさ
らに他例としてのカラーＳＴＮ液晶パネルの構成を説明
する部分断面図であって、カラーフィルタにオーバコー
ト層を有しない形式の液晶パネルである。

【００１３】同図において、１１Ａはブラックマトリク
ス、１２Ｒは赤フィルタ、１２Ｇは緑フィルタ、１２Ｂ
は青フィルタ、図１と同一符号は同一部分に対応する。

【００１４】このカラーＳＴＮ液晶パネルは上ガラス基
板１Ａの内面にブラックマトリクス１１Ａで区画された
３色のカラーフィルタ（赤フィルタ１２Ｒ、緑フィルタ
１２Ｇ、青フィルタ１２Ｂ）が形成されている。その他
の構成は前記図１とほぼ同様である。

【００１５】図３は本発明を適用する液晶表示装置のさ
らに他例としてのカラーＳＴＮ液晶パネルの基本構造の
他例を説明する部分断面図であって、カラーフィルタに
オーバコート層を有した形式の液晶パネルである。

【００１６】このカラーＳＴＮ液晶パネルは３色のカラ
ーフィルタ（赤フィルタ１２Ｒ、緑フィルタ１２Ｇ、青
フィルタ１２Ｂ）の上に当該カラーフィルタの保護と平
滑機能を有するオーバコート層１３を形成した構成を除
いて前記図２と同一の構成である。

【００１７】図４は本発明を適用する液晶表示装置のさ
らに他例としてのＴＦＴ液晶パネルの構成を説明する部
分断面図であって、１４はＴＦＴ、１５はＳｉＯ膜、前
記図３と同一符号は同一部分に対応する。なお、ＴＦＴ
基板である下ガラス基板１ＢにはＴＦＴのゲート、ドレ
イン、その他の各種電極等がパターニングされている
が、ここでは説明を省略する。

【００１８】同図に示したＴＦＴ液晶パネルは、上ガラ
ス基板１Ａにブラックマトリクス１１Ａで区画された３
色のカラーフィルタ１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ（図示せ
ず）が形成され、下ガラス基板１Ｂにはアクティブ素子
である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４は画素毎に少な
くとも１つ宛配置されている。その他の構成はほぼ前記
図３と同様であるので、説明は省略する。

【００１９】なお、上記各液晶パネルにおける配向膜は
例えばポリイミドからなる高分子樹脂膜を用い、その表
面をラビング処理して上下の配向膜のラビング方向が１
８０°〜３６０°で交差するように配置される。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】上記した各種の液晶パ
ネルでは、上側ガラス基板１Ａと下側ガラス基板１Ｂの
それぞれに、所要の電極、絶縁膜、保護膜、その他の薄
膜を成膜し、その最上層には液晶層１０Ａと接する上側
配向膜６Ａ、６Ｂが成膜されている。

【００２１】これら多層化形成された複数の薄膜は、そ
れぞれドライプロセスまたはウエットプロセスで成膜さ
れ、その表面を清浄化処理した後、次の薄膜を順次成膜
される。

【００２２】しかし、上記清浄化処理した薄膜の表面お
よび表面から成膜パターンの深さ方向には、ある程度の
フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）等のハロゲ
ン系元素の陰イオン、あるいはハロゲン以外に硫黄
（Ｓ）の陰イオン等が残留している。

【００２３】これらのハロゲン系元素や硫黄等の陰イオ
ンが多層薄膜の表面および表面から深さ方向への分布量
が多いと、当該陰イオンが液晶表示特性に影響を及ぼし
て表示ムラが生じたり、あるいは時間の経過に伴って電
極パターンに腐食を招くという問題があった。

【００２４】従来は、このようなハロゲン系元素や硫黄
等の不純物の陰イオンの残留を確認する手法が開発され
ていないため、製品化後の液晶表示装置に上記したよう
な問題が発生することがあった。

【００２５】本発明の目的は上記従来技術の問題を解消
し、各種薄膜パターンを多層に成膜した薄膜構造の液晶
層と接する表面と表面から深さ方向に分布する上記ハロ
ゲン系元素および硫黄等の不純物の陰イオンの残留量が
規定値の範囲にあることを確認する分析方法と、この分
析方法で規定の範囲にあることを確認した上記各種薄膜
を成膜したガラス基板を用いて製作した液晶パネルを提
供することにある。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の第１の発明は、少なくとも一対の
ガラス基板の内面の液晶層と接する最上層に配向膜を成
膜した液晶パネルを構成する多層薄膜層に分布する主と
してハロゲン系元素および硫黄の分析方法として、前記
配向膜の表面に１〜５０ｎｍ厚の銀薄膜を成膜し、３５
０〜４５０°Ｃで５〜３０分加熱した後、室温まで冷却
し、前記銀薄膜の形成面から前記薄膜層の深さ方向にイ
オンミリングしながら元素分析により前記深さ方向に分
布する前記ハロゲン系元素のうち塩素（Ｃｌ）、フッ素
（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、および硫黄（Ｓ）の分布強度と
その分布厚を確認するようにしたことを特徴とする。

【００２７】また、請求項２に記載の第２の発明は、前
記配向膜の液晶層と接する最表面から前記ガラス基板の
外側へ酸素一次イオン（¹⁶Ｏ^- ）でミリングしながら、
前記ハロゲン系元素のうち塩素二次イオン（³⁵Ｃ
ｌ^- ）、フッ素二次イオン（¹⁹Ｆ^-）、臭素（⁷⁹Ｂ
ｒ^- ）および硫黄二次イオン（³²Ｓ^- ）の強度を質量分
析し、前記各二次イオンの分布ピーク強度が、当該各二
次イオン強度を分子とし、前記酸素一次イオンを分母と
したときの強度比が、前記液晶層と接する最表面からの
深さが１ｎｍから６００ｎｍの領域で、 （³⁵Ｃｌ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．３×１０³ 〜０．２×１０⁶ （¹⁹Ｆ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０³ 〜０．３×１０⁶ （⁷⁹Ｂｒ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０³ 〜０．３×１０⁶ （³²Ｓ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０² 〜０．３×１０⁵ となるように分布していることを確認することを特徴と
する。

【００２８】さらに、請求項３に記載の第３の発明は、
前記第２の発明の分析方法で確認したハロゲン系元素の
うち塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆｅ）、臭素（Ｂｒ）、お
よび硫黄（Ｓ）の分布を有する多層薄膜を成膜したガラ
ス基板を用いて製作した液晶パネルであることを特徴と
する。

【００２９】さらにまた、請求項４に記載の第４の発明
は、第３の発明の液晶パネルにおける前記ハロゲン系元
素の二次イオンのうち塩素二次イオン（³⁵Ｃｌ^- ）、フ
ッ素二次イオン（¹⁹Ｆ^- ）、臭素（⁷⁹Ｂｒ^- ）および硫
黄二次イオン（³²Ｓ^- ）の分布ピークの分布幅が１０ｎ
ｍ〜４００ｎｍの範囲にある多層薄膜を成膜したガラス
基板を用いたことを特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】上記第１の発明の構成において、
液晶パネルを構成すガラス基板に成膜された各種の薄膜
の最上層には液晶分子の配向方向を規制する配向膜が成
膜されている。この配向膜の表面から深さ方向すなわち
ガラス基板方向に存在するハロゲン系元素の陰イオンお
よび硫黄の陰イオンが所定の値の範囲内に有るか否かを
分析するために、前記配向膜の表面に１〜５０ｎｍ厚の
銀薄膜を成膜し、これを３５０〜４５０°Ｃで５〜３０
分加熱した後、室温まで冷却する。

【００３１】冷却した前記銀薄膜の形成面から前記薄膜
層の深さ方向にイオンミリングしながら元素分析により
前記深さ方向に分布する前記ハロゲン系元素のうち塩素
（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、および硫黄
（Ｓ）の分布強度とその分布厚を確認する。

【００３２】また、上記第２の発明の構成において、前
記イオンミリングを酸素一次イオン（¹⁶Ｏ^- ）を用いて
行い、前記ハロゲン系元素のうち塩素二次イオン（³⁵Ｃ
ｌ^-）、フッ素二次イオン（¹⁹Ｆ^- ）、臭素（⁷⁹Ｂ
ｒ^- ）および硫黄二次イオン（³²Ｓ^- ）の強度を質量分
析する。

【００３３】そして、前記各二次イオンの分布ピーク強
度が、当該各二次イオン強度を分子とし、前記酸素一次
イオンを分母としたときの強度比が、前記液晶層と接す
る最表面からの深さが１ｎｍから６００ｎｍの領域でど
のようになっているかを分析する。

【００３４】その結果から、塩素二次イオン（³⁵Ｃ
ｌ^- ）、フッ素二次イオン（¹⁹Ｆ^- ）、臭素（⁷⁹Ｂ
ｒ^- ）および硫黄二次イオン（³²Ｓ^- ）について、 （³⁵Ｃｌ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．３×１０³ 〜０．２×１０⁶ （¹⁹Ｆ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０³ 〜０．３×１０⁶ （⁷⁹Ｂｒ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０³ 〜０．３×１０⁶ （³²Ｓ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０² 〜０．３×１０⁵ となるように分布していることを確認した基板を液晶パ
ネルの製作用とする。

【００３５】さらに、上記第３の発明の構成において
は、前記第２の発明の分析方法で前記ハロゲン系元素の
うち塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、およ
び硫黄（Ｓ）の分布を有する多層薄膜を成膜したガラス
基板を良品とする。

【００３６】さらにまた、請求項４に記載の第４の発明
は、第３の発明の液晶パネルにおける前記ハロゲン系元
素の二次イオンのうち塩素二次イオン（³⁵Ｃｌ^- ）、フ
ッ素二次イオン（¹⁹Ｆ^- ）、臭素（⁷⁹Ｂｒ^- ）および硫
黄二次イオン（³²Ｓ^- ）の分布ピークの分布幅が１０ｎ
ｍ〜４００ｎｍの範囲にある多層薄膜を成膜したガラス
基板で液晶パネルを製作する。

【００３７】このように、本発明によるハロゲン系元素
および硫黄等の不純物の陰イオン分析方法によって、液
晶パネルのガラス基板に形成した多層の薄膜構造の表面
から深さ方向に分布する前記陰イオンの分布量を確認す
ることが可能となり、その分布量が所定の範囲内にある
ことを確認したガラス基板をもって液晶パネルを製作す
ることで、前記したような表示ムラや電極パネルの腐食
の発生が防止される。

【００３８】

【実施例】前記した各種の液晶パネルを構成するガラス
基板の表面に成膜される多層の薄膜構造の最上層である
配向膜の表面にスパッターまたは蒸着により銀（Ａｇ）
を１０ｎｍ〜５０ｎｍ形成する。

【００３９】これを大気中で３５０°〜４５０°、５分
〜３０分間加熱後、室温まで冷却して被検元素をそれぞ
れハロゲン化銀およぼ硫化銀の化合物に固定する。

【００４０】そして、上記銀薄膜形成面から深さ方向に
分布するハロゲン（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ）および硫黄（Ｓ）
の分析のため、液晶層と接する下側ガラス基板の内側か
らガラス基板の外側へ負（−）の酸素一次イオン（¹⁶Ｏ
^- ）でミリングしながら深さ方向に分布する上記ハロゲ
ン元素の負（−）の二次イオン（³⁵Ｃｌ^- ）、フッ素二
次イオン（¹⁹Ｆ^- ）、臭素（⁷⁹Ｂｒ^- ）および硫黄二次
イオン（³²Ｓ^- ）等の強度を二次イオン分析計で測定
し、それらが、 （³⁵Ｃｌ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．３×１０³ 〜０．２×１０⁶ （¹⁹Ｆ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０³ 〜０．３×１０⁶ （⁷⁹Ｂｒ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０³ 〜０．３×１０⁶ （³²Ｓ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０² 〜０．３×１０⁵ の範囲内にあるか否かを確認する。

【００４１】上記の範囲は表示ムラが発生せず、かつ長
時間動作させても電極の腐食を招かない値として実証し
たものである。

【００４２】図５は本発明による液晶パネルを構成する
薄膜層に分布する不純物元素を走査型質量分析計を用い
て分析したもののうちフッ素二次イオンの分布例の説明
図であって、横軸に銀膜表面からの深さ（ｎｍ）を、縦
軸に¹⁹Ｆ^- イオンの¹⁶Ｏ^- イオンに対する相対強度（¹⁹
Ｆ^- ／¹⁶Ｏ^- ）を、矢印はトップピークを示す。

【００４３】同図に示されたように、フッ素二次イオン
のトップピーク数が１０、縦軸に¹⁹Ｆ^- イオンの¹⁶Ｏ^-
イオンに対する相対強度（¹⁹Ｆ^- ／¹⁶Ｏ^- ）は表面から
深さ方向に１ｎｍ〜６００ｎｍの範囲において、１．０
５×１０⁴ 〜１．０３×１０⁵ にあり、この基板はその
フッ素二次イオンが規定の範囲内にあることが確認され
た。

【００４４】図６は本発明による液晶パネルを構成する
薄膜層に分布する不純物元素を走査型質量分析計を用い
て分析したもののうち塩素二次イオンの分布例の説明図
であって、横軸に銀膜表面からの深さ（ｎｍ）を、縦軸
に³⁵Ｃｌ^- イオンの¹⁶Ｏ^- イオンに対する相対強度（³⁵
Ｃｌ^- ／¹⁶Ｏ^- ）を、矢印はトップピークを示す。

【００４５】同図に示されたように、塩素二次イオンの
トップピーク数が７、縦軸に³⁵Ｃｌ^- イオンの¹⁶Ｏ^- イ
オンに対する相対強度（³⁵Ｃｌ^- ／¹⁶Ｏ^- ）は表面から
深さ方向に１ｎｍ〜６００ｎｍの範囲において、０．２
５×１０⁴ 〜１×１０⁵ にあり、この基板はその塩素二
次イオンが規定の範囲内にあることが確認された。

【００４６】図７は本発明による液晶パネルを構成する
薄膜層に分布する不純物元素を走査型質量分析計を用い
て分析したもののうち硫黄二次イオンの分布例の説明図
であって、横軸に銀膜表面からの深さ（ｎｍ）を、縦軸
に³²Ｓ^- イオンの¹⁶Ｏ^- イオンに対する相対強度（³²Ｓ
^- ／¹⁶Ｏ^- ）を、矢印はトップピークを示す。

【００４７】同図に示されたように、硫黄二次イオンの
トップピーク数が６、縦軸に³²Ｓ⁻イオンの^１６Ｏ^- イ
オンに対する相対強度（³²Ｓ^- ／¹⁶Ｏ^- ）は表面から深
さ方向に１ｎｍ〜６００ｎｍの範囲において、７×１０
³ 〜７×１０⁴ にあり、この基板はその硫黄二次イオン
が規定の範囲内にあることが確認された。

【００４８】図８は本発明において用いた走査型質量分
析計の構成例の説明図であって、２０はイオン銃、２１
はコンデンサレンズ、２２は対物絞り、２３は偏向電
極、２４は対物レンズ、２５は試料、２６は試料載置ス
テージ、２７はシールド電極、２８は二次イオン引き出
し電極、２９はαスリット、３０はセクタ電場形成電
極、３１はβスリット、３２はセクタ磁場形成磁極、３
３はコレクタスリット、３４はイオン検出器、３５は増
幅器、３６は記録計、３７はモニターＣＲＴ、３８は走
査電源、３９は光学顕微鏡、４０は二次荷電粒子検出
器、４１は増幅器、４２はスイッチである。

【００４９】この走査型質量分析計は株式会社日立製作
所製の「ＩＭＡ２形」で、イオン銃２０からの一次イオ
ンを二段の静電レンズ２１，２４で細く絞り、試料載置
ステージ２６に載置した試料２５を照射する。

【００５０】このとき、試料２５の表面で生じるスパッ
タリング現象に伴い、中性原子、二次イオン、二次電子
などが放出される。この放出粒子内の二次イオンを引き
出し電極２８で加速し、セクタ電場形成電極３０の電場
でエネルギーを分散した後、セクタ磁場形成磁極３２の
磁極で質量分散する。

【００５１】質量分散されたイオンはイオン検出器３４
で検出されイオン種の解析がなされる。

【００５２】なお、モニターＣＲＴ３７に表示されると
共に、記録計３６に記録される。このモニター時はイオ
ン流を偏向する偏向電極２３と同期させて走査電源を制
御する。

【００５３】また、二次荷電粒子検出器４０は試料２５
からの二次荷電粒子を検出して、これを増幅器４１、ス
イッチ４２を介してモニターＣＲＴ３７に表示される。

【００５４】光学顕微鏡３９は試料２５の載置位置の調
整、姿勢制御等を行う際に使用する。

【００５５】本発明の実施例では、イオン銃２０から発
射するイオン（一次イオン）として¹⁶Ｏ^- 、一次イオン
加速電圧１２ｋＶ、試料電流０．５μＡ、イオンビーム
径５００μｍφ、二次イオン加速電圧−３ｋＶとして分
析を行った。

【００５６】図９は本発明による液晶パネルを用いて構
成した液晶表示モジュールの構造例を説明する展開斜視
図である。

【００５７】この液晶表示モジュールＭＤＬは、ＳＨＤ
は上フレームである金属製のシールドケース、ＷＤは液
晶表示モジュールの有効画面を画定する表示窓、ＰＮＬ
は液晶表示素子からなる液晶表示パネル、ＰＣＢ１はド
レイン側回路基板、ＰＣＢ２はゲー側回路基板、ＰＣＢ
３はインターフェース回路基板、ＰＲＳはプリズムシー
ト、ＳＰＳは拡散シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反
射シート、ＬＰはバックライトＢＬのランプを構成する
蛍光管、ＬＳは反射シート、ＧＣはゴムブッシュ、ＬＰ
Ｃはランプケーブル、ＭＣＡは導光板ＧＬＢを設置する
開口ＭＯを有する下側ケース、ＪＮ１，２，３は回路基
板間を接続するジョイナ、ＴＣＰ１，２はテープキャリ
アパッケージ、ＩＮＳ１，２，３は絶縁シート、ＧＣは
ゴムクッション、ＢＡＴは両面粘着テープ、ＩＬＳは遮
光スペーサである。

【００５８】上記の各構成材は、金属製のシールドケー
スＳＨＤと下側ケースＭＣＡの間に積層されて挟持固定
されて液晶表示モジュールＭＤＬを構成する。

【００５９】液晶表示パネルＰＮＬは本発明によりその
ハロゲン系元素および硫黄等の不純物の多層薄膜構造内
での分布を分析して、それらが所定の範囲内にあること
を確認したガラス基板をを用いて構成されている。

【００６０】なお、液晶表示パネルＰＮＬの裏面には導
光板ＧＬＢに各種の光学シートを積層してなる背面照明
構造と蛍光管ＬＰとで構成したバックライトＢＬが設置
され、液晶表示パネルＰＮＬに形成された画像を照明し
て表示窓ＷＤに表示する。

【００６１】図１０は本発明による液晶セルを用いた液
晶表示モジュールを組み込んで構成した電子機器の一例
を説明する携帯型パソコンの外観図である。

【００６２】この携帯型パソコンは、キーボードを搭載
しホストＣＰＵを内蔵した本体部と液晶表示モジュール
ＭＤＬを実装しインバータ電源ＩＶを内蔵した表示部と
から構成され、両者はヒンジを連絡するケーブルにより
結合されている。

【００６３】また、表示部には各種の調整ボタンＣＴ、
ＴＣＯＮ、ＣＲ等が設けられており、キーボードとホス
トからの信号は矢印に示したように流れて表示部に表示
される。

【００６４】このように、本発明を適用して製造した液
晶表示モジュールを用いることにより、高画質の画像表
示を行う液晶表示装置を得ることができる。

【００６５】なお、本発明は上記した種類のハロゲン系
元素、および硫黄に限るものではなく、その他の各種元
素の分析に応用できるものである。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶パネルのガラス基板に形成した多層の薄膜構造の表
面から深さ方向に分布する前記陰イオンの分布量を確認
することが可能となり、その分布量が所定の範囲内にあ
ることを確認したガラス基板をもって液晶パネルを製作
することで、前記したような表示ムラや電極パネルの腐
食の発生が防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用する液晶表示装置の一例としての
ＳＴＮ液晶表示装置を構成する液晶パネルの基本構造を
説明する部分断面図である。

【図２】本発明を適用する液晶表示装置のさらに他例と
してのカラーＳＴＮ液晶パネルの構成を説明する部分断
面図であって、カラーフィルタにオーバコート層を有し
ない形式の液晶パネルである。

【図３】本発明を適用する液晶表示装置のさらに他例と
してのカラーＳＴＮ液晶パネルの基本構造の他例を説明
する部分断面図であって、カラーフィルタにオーバコー
ト層を有した形式の液晶パネルである。

【図４】本発明を適用する液晶表示装置のさらに他例と
してのＴＦＴ液晶パネルの構成を説明する部分断面図で
ある。

【図５】本発明による液晶パネルを構成する薄膜層に分
布する不純物元素を走査型質量分析計を用いて分析した
もののうち鉄二次イオンの分布例の説明図である。

【図６】本発明による液晶パネルを構成する薄膜層に分
布する不純物元素を走査型質量分析計を用いて分析した
もののうち塩素二次イオンの分布例の説明図である。

【図７】本発明による液晶パネルを構成する薄膜層に分
布する不純物元素を走査型質量分析計を用いて分析した
もののうち硫黄二次イオンの分布例の説明図である。

【図８】本発明において用いた走査型質量分析計の構成
例の説明図である。

【図９】本発明による液晶パネルを用いて構成した液晶
表示モジュールの構造例を説明する展開斜視図である。

【図１０】本発明による液晶セルを用いた液晶表示モジ
ュールを組み込んで構成した電子機器の一例を説明する
携帯型パソコンの外観図である。

【符号の説明】

１Ａ 上ガラス基板 １Ｂ 下ガラス基板 ２Ａ 上偏光板 ２Ａ 上偏光板 ３Ａ 導電ペースト ４Ａ 上透明電極 ４Ｂ 下透明電極 ５Ａ 上絶縁膜 ５Ｂ 下絶縁膜 ６Ａ 上配向膜 ６Ｂ 下配向膜 ７Ａ スペーサ ８Ａ 反射板 ９Ａ シール材 １０Ａ 液晶層 １１Ａ ブラックマトリクス １２Ｒ 赤フィルタ １２Ｇ 緑フィルタ １２Ｂ 青フィルタ １４ ＴＦＴ １５ ＳｉＯ膜 ２０ イオン銃 ２１ コンデンサレンズ ２２ 対物絞り ２３ 偏向電極 ２４ 対物レンズ ２５ 試料 ２６ 試料載置ステージ ２７ シールド電極 ２８ 二次イオン引き出し電極 ２９ αスリット ３０ セクタ電場形成電極 ３１ βスリット ３２ セクタ磁場形成磁極 ３３ コレクタスリット ３４ イオン検出器 ３５ 増幅器 ３６ 記録計 ３７ モニターＣＲＴ ３８ 走査電源 ３９ 光学顕微鏡 ４０ 二次荷電粒子検出器 ４１ 増幅器 ４２ スイッチ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森下 敏和 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 川越 弘美 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 渡辺 澄子 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも一対のガラス基板の内面の液晶
   層と接する最上層に配向膜を成膜した液晶パネルを構成
   する多層薄膜層に分布する主としてハロゲン系元素およ
   び硫黄の分析方法において、 前記配向膜の表面に１〜５０ｎｍ厚の銀薄膜を成膜し、
   ３５０〜４５０°Ｃで５〜３０分加熱した後、室温まで
   冷却し、前記銀薄膜の形成面から前記薄膜層の深さ方向
   にイオンミリングしながら元素分析により前記深さ方向
   に分布する前記ハロゲン系元素のうち塩素（Ｃｌ）、フ
   ッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、および硫黄（Ｓ）の分布強
   度とその分布厚を確認することを特徴とする不純物元素
   の分析方法。
2. 【請求項２】請求項１において、前記配向膜の液晶層と
   接する最表面から前記ガラス基板の外側へ酸素一次イオ
   ン（¹⁶Ｏ^- ）でミリングしながら、前記ハロゲン系元素
   のうち塩素二次イオン（³⁵Ｃｌ^- ）、フッ素二次イオン
   （¹⁹Ｆ^- ）、臭素（⁷⁹Ｂｒ^-）および硫黄二次イオン（
   ³²Ｓ^- ）の強度を質量分析し、前記各二次イオンの分布
   ピーク強度が、当該各二次イオン強度を分子とし、前記
   酸素一次イオンを分母としたときの強度比が、前記液晶
   層と接する最表面からの深さが１ｎｍから６００ｎｍの
   領域で、 （³⁵Ｃｌ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．３×１０³ 〜０．２×１０⁶ （¹⁹Ｆ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０³ 〜０．３×１０⁶ （⁷⁹Ｂｒ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０³ 〜０．３×１０⁶ （³²Ｓ^- ）／（¹⁶Ｏ^- ）＝０．２×１０² 〜０．３×１０⁵ となるように分布していることを確認することを特徴と
   する不純物元素の分析方法。
3. 【請求項３】請求項２に記載の分析方法で確認したハロ
   ゲン系元素のうち塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）、臭素
   （Ｂｒ）、および硫黄（Ｓ）の分布を有する多層薄膜を
   成膜したガラス基板を用いて製作した液晶パネル。
4. 【請求項４】請求項３において、前記ハロゲン系元素の
   二次イオンのうち塩素二次イオン（³⁵Ｃｌ^- ）、フッ素
   二次イオン（¹⁹Ｆ^- ）、臭素（⁷⁹Ｂｒ^- ）および硫黄二
   次イオン（³²Ｓ^- ）の分布ピークの分布幅が１０ｎｍ〜
   ４００ｎｍの範囲にある多層薄膜を成膜したガラス基板
   を用いて製作した液晶パネル。