JPH09138971A - Optical information recording medium and recording method for the same - Google Patents

Optical information recording medium and recording method for the same

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JPH09138971A
JPH09138971A JP8148626A JP14862696A JPH09138971A JP H09138971 A JPH09138971 A JP H09138971A JP 8148626 A JP8148626 A JP 8148626A JP 14862696 A JP14862696 A JP 14862696A JP H09138971 A JPH09138971 A JP H09138971A
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light
light absorbing
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laser
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雄治 新井
Emiko Hamada
恵美子 浜田
Ariake Shin
有明 辛
Takashi Ishiguro
隆 石黒
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical information recording medium for obtaining a reproduced signal having high modulation degree. SOLUTION: The optical information recording medium is formed with a light absorbing layer 2 for absorbing laser light directly or via an other layer on a translucent substrate 1, a light reflecting layer 3 for reflecting the laser light directly or via an other layer on the light absorbing layer 2 and pits 5 for reproducing data by irradiating it with the laser light. A layer on the translucent substrate 1 side adjacent to the light absorbing layer 2 in the pit 5 sections deforms and sections of the light absorbing layer 2 irradiated with the laser light decompose and the pits are formed in positions irradiated with the laser light. The light absorbing layer 2 generates heat by absorbing the laser light and simultaneously fuses, evaporates, sublimates, deforms or is changed in property. Or a portion of compositions constituting the light absorbing layer 2 diffuses or viscously flows to the layer adjacent to the light absorbing layer 2 and is mixed with or is partially compounded with components of the layer on the translucent substrate 1 side adjacent to the light absorbing layer 2. Or the boundary between the light absorbing layer 2 and the other layer adjacent thereto peels, gap parts are formed therein or air bubbles are generated in the light absorbing layer 2 and are remained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光により記
録されたピットを有する光情報記録媒体とその記録方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium having pits recorded by laser light and a recording method therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザ光の照射により、データを記録す
ることができる光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等
の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン
等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光の照射に
より、前記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等
の手段で、ピットを形成し、データを記録する。この記
録層を有する光情報記録媒体では、ピットを形成する際
の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするた
め、記録層の背後に空隙を設けることが一般に行なわれ
ている。具体的には例えば、空間部を挟んで2枚の基板
を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる
積層構造がとられる。この光情報記録媒体では、前記透
光性を有する基板1側からレーザ光を照射し、ピットを
形成する。そして、記録したデータを再生するときは、
前記基板1側から記録時よりパワーの弱いレーザ光を照
射し、前記ピットとそれ以外の部分との反射光の違いに
より、信号を読みとる。
2. Description of the Related Art An optical information recording medium capable of recording data by irradiating a laser beam has a recording layer including a metal layer such as Te, Bi and Mn and a dye layer such as cyanine, merocyanine and phthalocyanine. In addition, by irradiating the laser beam, the recording layer is deformed, sublimated, evaporated or modified to form pits, and data is recorded. In an optical information recording medium having this recording layer, a gap is generally provided behind the recording layer to facilitate deformation, sublimation, evaporation or denaturation of the recording layer when forming pits. . Specifically, for example, a laminated structure called an air sandwich structure in which two substrates are laminated with a space portion interposed therebetween is employed. In this optical information recording medium, laser light is irradiated from the transparent substrate 1 side to form pits. And when playing back the recorded data,
A laser beam having a weaker power than that at the time of recording is emitted from the substrate 1 side, and a signal is read according to a difference in reflected light between the pit and other portions.

【0003】一方、予めデータが記録され、その後のデ
ータの書き込みや消去ができない、いわゆるROM型光
情報記録媒体が情報処理や音響部門で既に広く実用化さ
れている。この種の光情報記録媒体は、前記のような記
録層を持たず、記録データを再生するためのピットを予
めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板の上に形
成し、この上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜から
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。
On the other hand, a so-called ROM type optical information recording medium in which data is recorded in advance and data cannot be written or erased thereafter has already been widely put to practical use in the information processing and acoustic departments. This type of optical information recording medium does not have the recording layer as described above, but pits for reproducing recorded data are formed in advance on a polycarbonate substrate by means of a press or the like, and Au, Ag are formed on the pit. A reflective layer made of a metal film of Cu, Al, or the like is formed and further covered with a protective layer.

【0004】このROM型光情報記録媒体で最も代表的
なものが音響部門や情報処理部門等で広く実用化されて
いるコンパクトディスク、いわゆるCDであり、このC
Dの記録、再生信号の仕様は、いわゆるCDフォーマッ
トとして規格化され、これに準拠する再生装置は、コン
パクトディスクプレーヤ(CDプレーヤ)として極めて
広く普及している。
The most typical one of the ROM type optical information recording media is a so-called CD, which is a compact disk widely put into practical use in the acoustic department, the information processing department and the like.
The specification of the recording and reproduction signals of D is standardized as a so-called CD format, and a reproduction apparatus conforming to this is very widely used as a compact disk player (CD player).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとしている課題】前記光情報記録媒
体は、例えば再生に際し、既に広く普及したCDと互換
性を有し、CDプレーヤで再生できることが強く望まれ
る。そのためには、変調度の大きい再生信号が得られる
光情報記録媒体が必要である。しかしながら、前記の光
情報記録媒体は、CDには無い記録層を有し、基板にで
はなく、記録層にピットを形成して記録する手段がとら
れる。さらに、この記録層にピットを形成するのを容易
にするための空隙層等を有することから、レーザ光の反
射率、再生信号の変調度等の点で再生信号がCDと異な
ってくる。特に、レーザ光を照射して形成するピット
は、プレスのように機械的に形成されるピットのように
明瞭でないため、大きな変調度がとりにくい。このた
め、いわゆるCDについての規格を定めた前記CDフォ
ーマットを満足することが困難であり、CDプレーヤで
再生可能な光ディスクを提供することができなかった。
本発明は、前記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、変調度の高い再生信号が得られる光
情報記録媒体を提供することにある。
It is strongly desired that the optical information recording medium has compatibility with, for example, a widely spread CD when being reproduced and can be reproduced by a CD player. For that purpose, an optical information recording medium capable of obtaining a reproduction signal having a large modulation degree is required. However, the above-mentioned optical information recording medium has a recording layer which is not found in a CD, and means for forming pits in the recording layer, not on the substrate, is used for recording. Further, since the recording layer has a void layer or the like for facilitating the formation of pits, the reproduction signal differs from the CD in terms of the reflectance of the laser beam, the modulation degree of the reproduction signal, and the like. In particular, a pit formed by irradiating a laser beam is not as clear as a pit formed mechanically like a press, so that it is difficult to obtain a large degree of modulation. For this reason, it is difficult to satisfy the above-mentioned CD format that defines the so-called CD standard, and it is not possible to provide an optical disc that can be played back by a CD player.
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide an optical information recording medium from which a reproduction signal having a high modulation degree can be obtained.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明では、第一に、透
光性基板の上に直接または他の層を介してレーザ光を吸
収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接または他の
層を介してレーザ光を反射する光反射層と、レーザ光の
照射によってデータを再生するためのピットが形成され
ている光情報記録媒体において、このピットの部分の光
吸収層と隣接する基板側の層が変形し、且つ光吸収層の
レーザ光を照射した部分が分解し、レーザ光が照射され
た位置にピットが形成されていることを特徴とする。さ
らに、このような光情報記録媒体の光吸収層にレーザ光
を照射し、そこに前記のようなピットを形成することを
特徴とするものである。
In the present invention, firstly, a light absorbing layer which absorbs laser light directly on a transparent substrate or through another layer, and a light absorbing layer directly on the light absorbing layer. Alternatively, in an optical information recording medium in which a light reflection layer that reflects laser light through another layer and a pit for reproducing data by irradiation of the laser light are formed, the pit portion is adjacent to the light absorption layer. The layer on the substrate side to be deformed is deformed, the portion of the light absorption layer irradiated with the laser light is decomposed, and a pit is formed at the position irradiated with the laser light. Further, the light absorption layer of such an optical information recording medium is irradiated with laser light to form the pits as described above.

【0007】ここで、光吸収層にレーザ光を照射するこ
とにより、光吸収層がレーザ光を吸収して発熱すると共
に、融解、蒸発、昇華、変形または変性している。或は
前記光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣接する層
に拡散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に隣接する
透光性基板側の層の成分と混合し、或は部分的に化合し
ている。或は前記光吸収層とこれに隣接する他の層との
界面が剥離し、そこに空隙部が形成されているか、或は
前記光吸収層の中に気泡が発生し、且つそれが残存して
いる。
Here, by irradiating the light absorption layer with laser light, the light absorption layer absorbs the laser light to generate heat, and is also melted, evaporated, sublimated, deformed or modified. Alternatively, a part of the components constituting the light absorption layer diffuses or viscously flows into a layer adjacent to the same layer, and this mixes with the components of the layer on the transparent substrate side adjacent to the light absorption layer, or Are partially compounded. Or, the interface between the light absorbing layer and another layer adjacent thereto is separated and a void is formed therein, or bubbles are generated in the light absorbing layer and remain. ing.

【0008】このような光情報記録媒体では、そのピッ
トにおいて、光吸収層と隣接する基板側の層が局部的に
変形していることにより、ピット部分とピット部分以外
との間に位相差が生じ、かつ、入射したレーザスポット
が散乱され、レーザ光の反射光量に大きな違いが生じ
る。そのため、再生信号の変調度を大きくとることがで
きる。
In such an optical information recording medium, in the pit, the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer is locally deformed, so that the phase difference between the pit portion and the portion other than the pit portion. The generated laser spot is scattered, and a large difference occurs in the amount of reflected laser light. Therefore, the modulation degree of the reproduced signal can be increased.

【0009】この場合において、ピット部分の基板側の
変形は、光吸収層側に凸状であると、凹状であると、波
状であるとを問わず、上述の作用は概ね同等である。さ
らに、ピット部分に前記のような変形に加えて、基板側
の層に局部的に光学特性が変わった光学特性変性部を有
していたり、光吸収層と同層に隣接する他の層との界面
部分に空隙が形成されていたり、ピットの部分の光吸収
層に微細な気泡が分散していると、これらによるレーザ
スポットの位相差、吸収、散乱等の作用により、ピット
の部分とピット以外の部分とのレーザ光の反射光量によ
り大きな違いが生じ、再生信号の変調度をより大きくと
ることができる。
In this case, the deformation of the pit portion on the substrate side is substantially the same regardless of whether it is convex, concave or wavy on the light absorption layer side. Further, in addition to the above-described deformation in the pit portion, the layer on the substrate side has an optical property modification portion in which the optical property is locally changed, or the light absorption layer and another layer adjacent to the same layer. If voids are formed at the interface of the pits or fine bubbles are dispersed in the light absorption layer at the pits, the action of phase difference, absorption, scattering, etc. of the laser spot by these causes the pits and the pits A large difference is caused by the reflected light amount of the laser light with respect to other portions, and the degree of modulation of the reproduction signal can be increased.

【0010】さらに、ピットの部分の光吸収層と隣接す
る基板側の層に、局部的に光学特性が変わった光学特性
変性部を有することにより、入射したレーザ光が前記光
学特性変性部で位相差、吸収、散乱等の作用により、ピ
ット以外の部分と、ピットの部分との光学的条件、特に
レーザ光の反射に大きな違いが生じ、前記第一の手段と
同様に、再生信号の変調度を大きくとることができる。
このように光吸収層に隣接する基板側の層を変形或は変
化させてピットを形成する光情報記録媒体では、光吸収
層の背後に密着して反射層を設けることができ、特に、
データを読みとる際の再生信号が例えばCDフォーマッ
トに適合する記録可能な光情報記録媒体が容易に得られ
る。
Further, the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer in the pit portion has an optical characteristic modification portion in which the optical characteristics are locally changed, so that the incident laser light is distributed at the optical characteristic modification portion. Due to the effects of phase difference, absorption, scattering, etc., a large difference occurs in the optical condition between the part other than the pit and the part of the pit, especially the reflection of the laser beam. Can be large.
In this way, in the optical information recording medium in which the pit is formed by deforming or changing the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer, the reflection layer can be provided in close contact with the back of the light absorption layer.
It is possible to easily obtain a recordable optical information recording medium in which a reproduction signal for reading data conforms to, for example, the CD format.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。本
発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、図1
〜図3に示す。同図において、1は、透光性を有する基
板、2は、その上に形成された光吸収層で、後述するよ
うに、照射されたレーザ光を吸収して発熱すると共に、
融解、蒸発、昇華、変形または変性し、レーザスポット
が照射された位置にピット5を形成するための層であ
る。図2は、レーザ光による記録前の状態を、図3は、
記録後の状態、すなわち、光学ピックアップ8からレー
ザ光7を光吸収層2に収束して照射した時に、透光性基
板1の表面が一部変形及び/または変化し、ピット5が
形成された状態を模式的に示す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described specifically and in detail with reference to the drawings. An example of a schematic structure of an optical information recording medium according to the present invention is shown in FIG.
3 to FIG. In the figure, 1 is a transparent substrate, and 2 is a light absorbing layer formed thereon, which absorbs irradiated laser light to generate heat, as will be described later.
It is a layer for melting, vaporizing, sublimating, deforming or modifying and forming pits 5 at the positions irradiated with the laser spots. FIG. 2 shows a state before recording with laser light, and FIG.
In the state after recording, that is, when the laser beam 7 is converged and irradiated from the optical pickup 8 onto the light absorption layer 2, the surface of the transparent substrate 1 is partially deformed and / or changed, and pits 5 are formed. The state is schematically shown.

【0012】光吸収層2にレーザ光7を照射したとき、
その照射部分がレーザ光7を吸収して発熱すると共に、
同照射部分が融解、分解し、同時にこれに隣接する層も
軟化、融解する。そして、前記光吸収層2を構成する成
分の一部が同層と隣接する層に拡散或は粘性流動し、こ
れが光吸収層2に隣接する透光性基板1側の層の成分と
混合し、部分的に化合する。これに伴って、光吸収層2
と隣接する層の表面に凸状の変形部分6が形成される。
こうした現象は、例えば、光吸収層2と隣接する一方の
層が金属層からなる光反射層3であり、隣接する他方の
層が樹脂層からなる透光性基板1である場合には、主と
して透光性基板1側で起こり易いが、光吸収層2との界
面側の変形は、光反射層3側にも生じることがある。な
お、前記変形部分6は、場合によっては、光吸収層2側
に波状の場合もあり、さらには、凹状である場合もあ
る。
When the light absorption layer 2 is irradiated with laser light 7,
The irradiated part absorbs the laser beam 7 and generates heat,
The irradiated portion melts and decomposes, and at the same time, the layer adjacent thereto also softens and melts. Then, a part of the components forming the light absorbing layer 2 diffuses or viscously flows into a layer adjacent to the same layer, and this mixes with the components of the layer on the transparent substrate 1 side adjacent to the light absorbing layer 2. , Partially combined. Along with this, the light absorption layer 2
A convex deformed portion 6 is formed on the surface of the layer adjacent to.
Such a phenomenon is mainly caused when, for example, one layer adjacent to the light absorption layer 2 is the light reflecting layer 3 made of a metal layer and the other adjacent layer is the transparent substrate 1 made of a resin layer. Although it is likely to occur on the transparent substrate 1 side, the deformation on the interface with the light absorbing layer 2 may also occur on the light reflecting layer 3 side. The deformed portion 6 may be wavy or concave on the side of the light absorption layer 2 in some cases.

【0013】透光性基板1は、レーザ光に対する透明度
の高い材料で、耐衝撃性に優れた主として樹脂により形
成されたもの、例えばポリカーボネート板、アクリル
板、エポキシ板等が用いられる。光吸収層2は、前記透
光性基板1側から入射したレーザ光を吸収して発熱する
と共に、融解、分解するもので、例えば、インドジカー
ボシアニン等のシアニン系色素を前記基板1の上または
その上に形成された他の層を介してスピンコート法等に
より形成される。反射層3は金属膜により形成され、例
えば、金、銀、銅、アルミニウムあるいはこれらを含む
合金膜等により形成される。保護層4は、透光性基板1
と同様の耐衝撃性に優れた樹脂により形成され、最も一
般的には紫外線硬化性樹脂をスピンコート法により塗布
し、これに紫外線を照射して硬化させることにより形成
される。この他、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコ
ーン系ハードコート樹脂等が一般に使用される。
The translucent substrate 1 is made of a material having high transparency to laser light and is mainly made of a resin having excellent impact resistance, such as a polycarbonate plate, an acrylic plate or an epoxy plate. The light absorption layer 2 absorbs the laser light incident from the transparent substrate 1 side to generate heat, and also melts and decomposes. For example, a cyanine dye such as indodicarbocyanine is formed on the substrate 1. Alternatively, it is formed by a spin coating method or the like via another layer formed thereon. The reflection layer 3 is formed of a metal film, for example, gold, silver, copper, aluminum, or an alloy film containing them. The protective layer 4 is the transparent substrate 1
It is formed of a resin having the same excellent impact resistance as described in 1., and most commonly, it is formed by applying an ultraviolet curable resin by a spin coating method and irradiating it with ultraviolet rays to cure it. In addition, epoxy resins, acrylic resins, silicone-based hard coat resins, and the like are generally used.

【0014】なお、この発明による光情報記録媒体にお
いて、前記光吸収層2の複素屈折率の実数部nabs とそ
の膜厚dabs と再生光の波長λとで与えられるρ=n
absabs/λが0.05≦ρ≦0.6であり、かつ前記
複素屈折率の虚部kabs が0.3以下であるのが望まし
い。これは、前記再生光に対する反射率を高くするため
であり、前記の条件を満足する場合は、高い反射率が得
られ、反射率70%以上というCDフォーマット等に定
められた規格特性を十分確保できる。
In the optical information recording medium according to the present invention, ρ = n given by the real part n abs of the complex refractive index of the light absorption layer 2, its film thickness d abs and the wavelength λ of the reproduction light.
It is preferable that abs d abs / λ is 0.05 ≦ ρ ≦ 0.6, and the imaginary part k abs of the complex refractive index is 0.3 or less. This is to increase the reflectance with respect to the reproduction light, and when the above conditions are satisfied, a high reflectance is obtained, and the reflectance of 70% or more is sufficiently secured as the standard characteristic defined in the CD format and the like. it can.

【0015】図4〜図8にレーザ光を照射して形成され
た上述のピット5の状態の例を模式的に示している。図
4は、ピット5の部分において、レーザ光7のスポット
を光吸収層2に照射する事により、光吸収層2と隣接す
る基板1に変形6が生じた状態を模式的に示している。
FIGS. 4 to 8 schematically show examples of the above-mentioned pit 5 formed by irradiating laser light. FIG. 4 schematically shows a state in which deformation 6 occurs in the substrate 1 adjacent to the light absorption layer 2 by irradiating the light absorption layer 2 with a spot of the laser light 7 in the pit 5.

【0016】これをより具体的に説明すると、図4
(a)は、光吸収層2にレーザスポットを照射したと
き、同層2の成分が融解、分解されると共に、透光性基
板1の前記光吸収層2との界面側が軟化し、これによっ
て光吸収層2の成分が透光性基板1側に拡散或は粘性流
動することにより、変形6が形成された場合を模式的に
示している。この変形6の部分は、同時に、光吸収層2
の成分が透光性基板1を構成する材料と局部的に混合
し、部分的に化合することにより、光吸収層2や透光性
基板1と光学的特性が異なるようになった光学特性変性
部12であることもある。
This will be described more specifically with reference to FIG.
(A) shows that when the light absorption layer 2 is irradiated with a laser spot, the components of the same layer 2 are melted and decomposed, and the interface side of the light transmissive substrate 1 with the light absorption layer 2 is softened. The case where the deformation 6 is formed by the components of the light absorption layer 2 diffusing or viscous flowing to the transparent substrate 1 side is schematically shown. At the same time, the portion of this modification 6 is the light absorption layer 2
The component (1) is locally mixed with the material forming the transparent substrate 1 and partially compounded, so that the optical characteristics of the light absorbing layer 2 and the transparent substrate 1 become different from those of the optical characteristics. It may be part 12.

【0017】ピット5を形成するため、光吸収層2にレ
ーザスポットを照射すると、その部分で光吸収層2を形
成する成分が局部的に発熱し、融解、分解するため、光
吸収層2の光学特性も局部的に変化するのが通例であ
る。さらに、こうした現象に伴い、物理的には図4
(b)で示すように、光吸収層2とこれに隣接する他の
層、例えば光反射層3との界面が剥離し、そこに空隙部
10が形成されたり、或は光吸収層2の中に気泡が発生
し、これが冷却後にも残存していることがある。
When the light absorption layer 2 is irradiated with a laser spot to form the pits 5, the components forming the light absorption layer 2 locally generate heat at that portion, and are melted and decomposed, so that the light absorption layer 2 is exposed. It is customary that the optical characteristics also change locally. Furthermore, as a result of such a phenomenon, physically
As shown in (b), the interface between the light absorption layer 2 and another layer adjacent to the light absorption layer 2, for example, the light reflection layer 3 is peeled off to form a void portion 10 therein, or Bubbles may be generated inside and remain after cooling.

【0018】前記のような空隙10は、光吸収層2のレ
ーザ光7の入射する側に隣接する層、例えば基板1側
が、光吸収層2の背後側の層、例えば光反射層3及び保
護層4側より比較的熱変形しやすく、光吸収層2との結
着性が、後者が前者に比べて悪い場合に形成できる。す
なわち、このような光情報記録媒体では、光吸収層2の
レーザ光7を照射したとき、既に述べたようにして光吸
収層2にエネルギーが発生し、基板1が変形6されると
同時に、光吸収層2の中にガスが発生し、これによって
結着性の悪い光吸収層2とそれに隣接する光反射層3と
の界面が剥離し、そこにガスが溜ることによって生じる
ものと考えられる。また、光吸収層2の内部で発生した
ガスは、気泡11となって残存する。
In the void 10 as described above, the layer adjacent to the side of the light absorption layer 2 on which the laser light 7 is incident, for example, the substrate 1 side, is the layer behind the light absorption layer 2, for example, the light reflection layer 3 and the protective layer. It can be formed when the latter is poorer in binding property with the light absorption layer 2 than the former, because it is relatively easily thermally deformed from the layer 4 side. That is, in such an optical information recording medium, when the laser beam 7 of the light absorbing layer 2 is irradiated, energy is generated in the light absorbing layer 2 as described above, and the substrate 1 is deformed 6 at the same time. It is considered that gas is generated in the light absorbing layer 2, whereby the interface between the light absorbing layer 2 having poor binding properties and the light reflecting layer 3 adjacent thereto is separated, and the gas is accumulated there. . Further, the gas generated inside the light absorption layer 2 remains as bubbles 11.

【0019】図4(c)と(d)は、透光性基板1側の
変形6の他の形状を示すもので、(c)は、凸状の変形
6の頂部が2つに割れた状態を示しており、(d)は、
凹凸が交互に繰り返される波状の変形6を示している。
これらの場合にも、前記のような空隙部10、気泡1
1、光学的変性部12が形成されることがあり得る。図
8は、透光性基板1の表面に形成されたトラッキング手
段であるところのプレグルーブ13に沿ってピット5を
形成するため、前記プレグルーブ13に沿って光吸収層
2にレーザスポットを照射した後、保護層4と光反射層
3を透光性基板1から剥離し、さらに同基板1の表面か
ら光吸収層2を除去した状態を模式的に示している。
4C and 4D show another shape of the deformation 6 on the transparent substrate 1 side, and in FIG. 4C, the top of the convex deformation 6 is split into two. Shows the state, (d) is
A wavy deformation 6 in which unevenness is alternately repeated is shown.
Also in these cases, the voids 10 and the bubbles 1 as described above.
1. The optically modified portion 12 may be formed. In FIG. 8, since the pits 5 are formed along the pre-groove 13 which is a tracking means formed on the surface of the transparent substrate 1, the light absorption layer 2 is irradiated with the laser spot along the pre-groove 13. After that, the protective layer 4 and the light reflection layer 3 are peeled from the translucent substrate 1, and the light absorption layer 2 is removed from the surface of the substrate 1 schematically.

【0020】さらに、STM(Scanning Tunneling Mic
roscope)を用いて、前記プレグルーブ13に沿う透光
性基板1の表面の状態を観察した例を、図9に示す。同
図では、チップ(探針)14のプレグルーブ13に沿う
方向、つまりトラッキング方向の移動距離を横軸にと
り、透光性基板1の表面の高度を縦軸にとって示してあ
る。同図(a)は、ピットの距離が10000オングス
トロームと比較的短い場合であり、ここでは高さ約20
0オングストロームの凸状の明瞭な変形6が形成されて
いることが理解できる。また、同図(b)は、ピットの
距離が40000オングストロームと比較的長い場合で
あり、ここでは高さ約200オングストロームの凸状の
変形6が認められるが、この変形の中間部がやや低くな
っており、変形6の峰が2つに分かれていることが分か
る。
Furthermore, STM (Scanning Tunneling Mic
FIG. 9 shows an example of observing the state of the surface of the transparent substrate 1 along the pre-groove 13 using a roscope). In the same figure, the horizontal axis represents the movement distance of the tip (probe) 14 along the pre-groove 13, that is, the tracking direction, and the vertical axis represents the height of the surface of the transparent substrate 1. FIG. 7A shows a case where the pit distance is relatively short, 10000 angstrom, and here, the height is about 20.
It can be seen that a convex and clear deformation 6 of 0 angstrom is formed. Further, FIG. 6B shows the case where the pit distance is relatively long as 40,000 angstroms, and a convex deformation 6 having a height of about 200 angstroms is recognized here, but the intermediate portion of this deformation is slightly low. It can be seen that the peak of Modification 6 is divided into two.

【0021】図5は、ピット5の部分における、光吸収
層2と隣接する透光性基板1の変形6が、光吸収層2に
対し、凹状に形成されている場合を模式的に示す。図5
(a)は、光吸収層2と光反射層3との境界に空隙10
が形成された場合を示しており、同図(b)は、前記空
隙10が形成されるのと同時に、光吸収層2の中に微細
な気泡11、11…が分散し、さらに変形6が形成され
た透光性基板1に、光吸収層2の分解成分が拡散し、こ
の成分と透光性基板1を構成する成分とが混合して、部
分的に化合し、光学特性変性部12が形成されている場
合を示している。さらに、同図(c)は、前記空隙10
が形成されるのと同時に、基板1と光吸収層2との間に
空隙10’が形成された場合を示している。
FIG. 5 schematically shows a case where the deformation 6 of the transparent substrate 1 adjacent to the light absorbing layer 2 in the pit 5 is formed in a concave shape with respect to the light absorbing layer 2. FIG.
(A) shows a void 10 at the boundary between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3.
In the same figure (b), the voids 10 are formed, and at the same time as the voids 10 are formed, fine bubbles 11, 11, ... The decomposed component of the light absorption layer 2 is diffused into the formed transparent substrate 1, and this component and the component of the transparent substrate 1 are mixed and partially combined to form the optical property modification portion 12. It shows the case where is formed. Further, FIG.
The figure shows the case where the void 10 ′ is formed between the substrate 1 and the light absorption layer 2 at the same time when the film is formed.

【0022】図6は、ピット5における変形6、6’
が、光吸収層2に隣接する双方の層に及んでいる場合を
示している。こうしたピットは、光吸収層2を挟む両側
の層、例えば基板1と光反射層2及び保護層4との熱変
形温度または硬度がほぼ同等である場合に形成されるこ
とが多い。図6(a)では、前記ピット5において、光
吸収層2と基板1との間に空隙10’が形成された場合
を、同図(b)は、光吸収層2と隣接する基板1及び光
反射層3との間の双方に空隙部10、10’が形成され
た場合を、同図(c)は、光吸収層2の中に微細な気泡
11、11…が分散している場合を各々示している。図
6(d)には、透光性基板1と光反射層3側の変形6、
6’が、何れも光吸収層2側に向かって凸状に形成され
ている状態を示している。
FIG. 6 shows deformations 6 and 6'in the pit 5.
Shows the case where it extends to both layers adjacent to the light absorption layer 2. Such pits are often formed when the layers on both sides of the light absorption layer 2, for example, the substrate 1 and the light reflection layer 2 and the protective layer 4 have substantially the same thermal deformation temperature or hardness. In FIG. 6A, in the pit 5, a space 10 ′ is formed between the light absorption layer 2 and the substrate 1, and in FIG. In the case where voids 10 and 10 'are formed on both sides of the light reflection layer 3, the figure (c) shows the case where fine bubbles 11, 11 ... Are dispersed in the light absorption layer 2. Are shown respectively. In FIG. 6D, the deformation 6 on the transparent substrate 1 and the light reflection layer 3 side,
6'indicates a state of being formed in a convex shape toward the light absorbing layer 2 side.

【0023】さらに図7は、光吸収層2に対して、レー
ザ光7が入射される側の層に、ピット5の部分において
他の部分と光学的特性の変わった光学特性変性部13を
有する場合である。この変性部13は、必ずレーザ光7
の入射側にあり、これが光吸収層2の内部に及ぶことが
多い。この場合、光吸収層2に隣接する層の変形6がみ
られることがあるが、光学特性変性部13の存在によ
り、変形が不明瞭であるのが一般的である。
Further, in FIG. 7, an optical characteristic modification portion 13 having an optical characteristic different from that of other portions in the pit 5 portion is provided in the layer on the side where the laser light 7 is incident with respect to the light absorption layer 2. This is the case. This modified portion 13 must be the laser light 7
Of the light absorption layer 2 and often extends to the inside of the light absorption layer 2. In this case, the deformation 6 of the layer adjacent to the light absorption layer 2 may be observed, but the deformation is generally unclear due to the presence of the optical property modification portion 13.

【0024】図7(a)は、光吸収層2に隣接する、例
えば基板1の部分に光学特性変性部13が形成された状
態を示し、同図(b)は、前記基板1から光吸収層2に
至って、その厚み方向に光学特性が漸次変化する状態を
示している。こうした各層の変性は、光吸収層2にレー
ザ光7が照射されたときに発生する熱の作用により、光
吸収層2や他の層が分解、反応、相互拡散することによ
り形成される。従って、このようなピット5は、光吸収
層2とこれに隣接する層とに、こうした作用を有する材
料を選択したときに形成される。
FIG. 7A shows a state in which the optical characteristic modifying portion 13 is formed adjacent to the light absorption layer 2, for example, the portion of the substrate 1, and FIG. It shows a state in which the optical characteristics gradually change to the layer 2 in the thickness direction. Such denaturation of each layer is formed by the action of heat generated when the light absorbing layer 2 is irradiated with the laser beam 7, whereby the light absorbing layer 2 and other layers are decomposed, reacted, and mutually diffused. Therefore, such pits 5 are formed when a material having such an action is selected for the light absorbing layer 2 and the layer adjacent thereto.

【0025】さらに、本発明の具体的な実施例につい
て、以下に説明する。 (実施例1)表面に幅0.8μm、深さ0.08μm、
ピッチ1.6μmのスパイラル状のプレグルーブ8が形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15
mmφのポリカーボネート基板1を射出成形法により成
形した。このポリカーボネート基板1のロックウェル硬
度ASTM D785は、M75(鉛筆硬度HBと同
等)であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6
kg/cm2、121℃であった。
Further, specific examples of the present invention will be described below. (Example 1) Width 0.8 μm, depth 0.08 μm on the surface,
Spiral pregroove 8 with a pitch of 1.6 μm, thickness 1.2 mm, outer diameter 120 mmφ, inner diameter 15
The mmφ polycarbonate substrate 1 was molded by an injection molding method. Rockwell hardness ASTM D785 of this polycarbonate substrate 1 is M75 (equivalent to pencil hardness HB), and heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6.
It was kg / cm 2 and 121 ° C.

【0026】光吸収層2を形成するための有機色素とし
て、0.65gの1,1’ジブチル3,3,3’,3’
テトラメチル4,5,4’,5’ジベンゾインドジカー
ボシアニンパークロレート(日本感光色素研究所製、品
番NK3219)を、ジアセトンアルコール溶剤10c
cに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピンコー
ト法により塗布し、膜厚130nmの光吸収層2を形成
した。
As an organic dye for forming the light absorption layer 2, 0.65 g of 1,1'dibutyl 3,3,3 ', 3'
Tetramethyl 4,5,4 ', 5' dibenzoindodicarbocyanine perchlorate (manufactured by Japan Photosensitive Dye Research Institute, product number NK3219) was added to diacetone alcohol solvent 10c.
It was dissolved in c and applied on the surface of the substrate 1 by a spin coating method to form a light absorption layer 2 having a film thickness of 130 nm.

【0027】次に、このディスクの直径45〜118m
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚80
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。この保護層4の硬化後のロックウ
ェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温
度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃
であった。
Next, the diameter of this disk is 45 to 118 m.
A film thickness of 80 is formed on the entire surface of the mφ area by the sputtering method.
An Au film having a thickness of 3 nm was formed, and the reflective layer 3 was formed. further,
An ultraviolet curable resin was spin-coated on the reflective layer 3 and irradiated with ultraviolet light to be cured, thereby forming a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the protective layer 4 is M90, and heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg / cm 2 , 135 ° C.
Met.

【0028】こうして得られた光ディスクに、波長78
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ(Aure
x XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I11
top が0.68、I3/Itop が0.35、ブロックエ
ラーレートBLERが1.2×10-2であった。
The optical disc thus obtained has a wavelength of 78
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 1.2 m / sec and a recording power of 6.0 mW to record an EFM signal. After that, this optical disk is put into a commercially available CD player (Aure
x XR-V73, reproduction light wavelength λ = 780 nm), the semiconductor laser reflectance was 72%, I 11 /
I top was 0.68, I 3 / I top was 0.35, and the block error rate BLER was 1.2 × 10 -2 .

【0029】CD規格では、反射率が70%以上、I11
/Itopが0.6以上、I3/Itopが0.3〜0.7、
ブロックエラーレートBLERが3×10-2以下と定め
られており、この実施例による光ディスクは、この規格
を満足している。さらにこの記録後の光ディスクの前記
保護層4と光反射層3とを剥離し、光吸収層2を溶剤で
洗浄、除去して、透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、ピット
の部分に凸状の変形が見られた。
According to the CD standard, the reflectance is 70% or more and I 11
/ I top is 0.6 or more, I 3 / I top is 0.3 to 0.7,
The block error rate BLER is defined to be 3 × 10 −2 or less, and the optical disc according to this embodiment satisfies this standard. Further, the protective layer 4 and the light reflection layer 3 of the optical disc after this recording are peeled off, the light absorption layer 2 is washed and removed with a solvent, and the surface of the light-transmissive substrate 1 is STM (scanned).
When observed with an ng Tunneling Microscope), a convex deformation was observed in the pit portion.

【0030】(実施例2)前記実施例1において、光吸
収層2と光反射層3との間に、エポキシ樹脂をスピンコ
ートし、膜厚100nmの硬質層を設けたこと以外は、
前記実施例1と同様にして、光ディスクを製作した。な
お、このエポキシ樹脂硬化後のロックウェル硬度AST
M D785はM90であり、熱変形温度ASTM D
648は、4.6kg/cm2、135℃であった。
(Example 2) In Example 1, except that the epoxy resin was spin-coated between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3 to form a hard layer having a film thickness of 100 nm.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. Rockwell hardness AST after curing this epoxy resin
M D785 is M90, heat distortion temperature ASTM D
648 was 4.6 kg / cm 2 and 135 ° C.

【0031】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、市販のCDプレーヤで再生したところ、前
記実施例1と同様の半導体レーザの反射率、再生信号出
力特性が得られ、さらにブロックエラーレートBLER
は、3.0×10-3であった。また、前記実施例1と同
様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1の表面を
STM(Scanning Tunneling Microscope)で観察した
ところ、凸状の変形部分6が認められた。この変形部分
6の中間はやや低くなっており、変形の峰が2つに分か
れていることが確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and the optical disc was reproduced by a commercially available CD player. As a result, a semiconductor laser reflection similar to that in Example 1 was performed. Rate, reproduced signal output characteristics, and block error rate BLER
Was 3.0 × 10 −3 . Further, when the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope) in the same manner as in Example 1, a convex deformed portion 6 was recognized. The middle of the deformed portion 6 was slightly low, and it was confirmed that the peak of deformation was divided into two.

【0032】(実施例3)前記実施例1において、光吸
収層2と光反射層3との間であって、光吸収層2の上面
に形成するエポキシ樹脂に代えて厚膜100nmのシリ
コンアクリル樹脂の硬質層を設け、この硬質層の上面に
エポキシ樹脂からなる20nmの結着層をそれぞれスピ
ンコート法により形成したこと以外は、前記実施例1と
同様にして、光ディスクを製作した。なお、シリコンア
クリル樹脂層の硬化後のロックウェル硬度ASTM D
785はM100であり、熱変形温度ASTM D64
8は、4.6kg/cm2、100℃であった。
(Example 3) In Example 1, in place of the epoxy resin formed on the upper surface of the light absorbing layer 2 between the light absorbing layer 2 and the light reflecting layer 3, a silicon acrylic film having a thick film of 100 nm was used. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a hard layer of resin was provided and a 20 nm binder layer made of epoxy resin was formed on the upper surface of the hard layer by spin coating. The Rockwell hardness ASTM D after curing the silicone acrylic resin layer
785 is M100, heat distortion temperature ASTM D64
8 was 4.6 kg / cm 2 and 100 ° C.

【0033】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例1と同じ
CDプレーヤ(Aurex XR−V73、再生光の波
長780nmで再生したところ、半導体レーザの反射率
が75%、I11/Itop が0.63、I3/Itop が0.
35、ブロックエラーレートBLERが2.5×10-3
であった。また、前記実施例1と同様にして、記録後の
光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanning T
unneling Microscope)で観察したところ、実施例1と
同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disk with a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 1, and then this optical disk was recorded in the same CD player (Aurex XR-V73, When reproduction was performed at a wavelength of 780 nm, the semiconductor laser had a reflectance of 75%, I 11 / I top was 0.63, and I 3 / I top was 0.
35, the block error rate BLER is 2.5 × 10 -3
Met. In addition, in the same manner as in Example 1, the STM (Scanning T
When observed with an unneling microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0034】(実施例4)前記実施例1において、光吸
収層2の上に、光反射層3として金とアンチモンとの
9:1の割合の合金膜を真空蒸着法で形成したこと、及
びこの反射層3の上に、エポキシ樹脂からなる20nm
の結着層を介して紫外線硬化樹脂からなる保護層4を形
成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、光ディ
スクを製作した。なお、前記光反射層3は、鉛筆硬度と
して「H」以上の硬度を有する。
Example 4 In Example 1, an alloy film of gold and antimony in a ratio of 9: 1 was formed as a light reflection layer 3 on the light absorption layer 2 by a vacuum evaporation method, and 20 nm made of epoxy resin on the reflective layer 3
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the protective layer 4 made of an ultraviolet curable resin was formed via the binding layer of 1. The light reflection layer 3 has a pencil hardness of “H” or higher.

【0035】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にして記録パワー6.2mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例1と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が72%、I11/Itop が0.62、I3/Itop が0.
32、ブロックエラーレートBLERが3.5×10-3
であった。また、前記実施例1と同様にして、記録後の
光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanning T
unneling Microscope)で観察したところ、実施例1と
同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 6.2 mW in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 1, and a semiconductor was obtained. The laser reflectance is 72%, I 11 / I top is 0.62, and I 3 / I top is 0.
32, block error rate BLER is 3.5 × 10 -3
Met. In addition, in the same manner as in Example 1, the STM (Scanning T
When observed with an unneling microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0036】(実施例5)前記実施例1において、ポリ
カーボネート基板1の光入射側上に紫外線硬化型ハード
コート樹脂をスピンコートし、厚さ1μmの基板保護層
を設け、プリグルーブを設けた面上に光吸収層2を形成
したこと、及びこの光吸収層2の上に、光反射層3とし
てイリジウムと金との3:1の割合の合金膜をスパッタ
リング法により形成したこと以外は、前記実施例1と同
様にして、光ディスクを製作した。なお、前記光反射層
3は、鉛筆硬度として「5H」以上の硬度を有する。
(Example 5) In Example 1, the surface of the polycarbonate substrate 1 on which the UV-curable hard coat resin is spin-coated on the light-incident side is provided with a substrate protective layer having a thickness of 1 µm and a pre-groove is provided. Except that the light absorption layer 2 is formed on the light absorption layer 2 and an alloy film of iridium and gold in the ratio of 3: 1 is formed on the light absorption layer 2 as the light reflection layer 3 by the sputtering method. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. The light reflection layer 3 has a pencil hardness of “5H” or more.

【0037】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、前記実施例1と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が70%、I11/I
top が0.62、I3/Itop が0.37、ブロックエラ
ーレートBLERが3.7×10-3であった。また、前
記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性
基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscop
e)で観察したところ、実施例1と同様の状態が確認さ
れた。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc in the same manner as in the first embodiment, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in the first embodiment, and the reflectance of the semiconductor laser was 70. %, I 11 / I
The top was 0.62, I 3 / I top was 0.37, and the block error rate BLER was 3.7 × 10 −3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the translucent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tunneling Microscoping).
When observed in e), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0038】(実施例6)前記実施例1において、光反
射層3を厚さ60nmの銀膜で形成したこと、その上に
シリコーン系ハードコート剤をスピンコートし、これを
加熱、硬化させて厚み3μmの硬質保護層4を形成した
以外は、前記実施例1と同様にして、光ディスクを製作
した。なお、前記保護層4は、鉛筆硬度として「HB」
以上の硬度を有する。
(Example 6) In Example 1, the light reflection layer 3 was formed of a silver film having a thickness of 60 nm, and a silicone hard coat agent was spin-coated on the silver film and heated and cured. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the hard protective layer 4 having a thickness of 3 μm was formed. The protective layer 4 has a pencil hardness of "HB".
It has the above hardness.

【0039】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が71%、I11/Itop
0.63、I3/Itop が0.35、ブロックエラーレー
トBLERが2.8×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1
の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で
観察したところ、実施例1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and thereafter the optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 1. The reflectance of the semiconductor laser was 71%. , I 11 / I top was 0.63, I 3 / I top was 0.35, and the block error rate BLER was 2.8 × 10 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the transparent substrate 1 of the optical disc after recording is performed.
When the surface of the sample was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0040】(実施例7)前記実施例1において、膜厚
50nmのAu膜を真空蒸着した光反射層3の上に、ジ
グリシジルエーテルで希釈したポリサルファイド添加エ
ポキシ樹脂をスピンコートして形成された30nmの結
着層を介してシリコーン系ハードコート剤をスピンコー
トし、これを加熱、硬化させて厚み3μmの硬質保護層
4を形成した以外は、前記実施例1と同様にして、光デ
ィスクを製作した。
(Embodiment 7) In Embodiment 1, the light-reflecting layer 3 is formed by vacuum-depositing an Au film having a thickness of 50 nm on the light-reflecting layer 3 and spin-coated with a polysulfide-added epoxy resin diluted with diglycidyl ether. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a silicone-based hard coat agent was spin-coated through a 30 nm binder layer, and this was heated and cured to form a hard protective layer 4 having a thickness of 3 μm. did.

【0041】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が72%、I11/Itop
0.65、I3/Itop が0.35、ブロックエラーレー
トBLERが2.5×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1
の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で
観察したところ、実施例1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and thereafter the optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 1. The reflectance of the semiconductor laser was 72%. , I 11 / I top was 0.65, I 3 / I top was 0.35, and the block error rate BLER was 2.5 × 10 −3 . Further, in the same manner as in Example 1, the transparent substrate 1 of the optical disc after recording is performed.
When the surface of the sample was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0042】(実施例8)前記実施例1において、1、
1’ジブチル3、3、3’、3’テトラメチル5、5’
ジエトキシインドジカーボシアニンアイオダイドを用い
て光吸収層2を形成したこと、光反射層3の上にエポキ
シ樹脂からなる100nmの硬質層を形成し、さらにこ
の上に紫外線硬化樹脂を10μm設けて、保護層4を形
成した以外は、前記実施例1と同様にして、光ディスク
を製作した。
Example 8 In the above Example 1, 1,
1'dibutyl 3,3,3 ', 3' tetramethyl 5,5 '
The light absorption layer 2 was formed using diethoxyindodicarbocyanine iodide, a 100 nm hard layer made of an epoxy resin was formed on the light reflection layer 3, and a UV curable resin was further provided thereon to a thickness of 10 μm. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the protective layer 4 was formed.

【0043】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が74%、I11/Itop
0.68、I3/Itop が0.34、ブロックエラーレー
トBLERが8.3×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1
の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で
観察したところ、実施例1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and thereafter the optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 1. The reflectance of the semiconductor laser was 74%. , I 11 / I top was 0.68, I 3 / I top was 0.34, and the block error rate BLER was 8.3 × 10 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the transparent substrate 1 of the optical disc after recording is performed.
When the surface of the sample was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0044】(実施例9)前記実施例1において、ポリ
カーボネート基板1の光入射側上に紫外線硬化型ハード
コート樹脂をスピンコートし、厚さ1μmの基板保護層
を設けたこと以外は、前記実施例1と同様にして、光デ
ィスクを製作した。こうして得られた光ディスクに、前
記実施例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、前記実施例1と同じCDプレーヤで
再生したところ、半導体レーザの反射率が70%、I11
/Itop が0.62、I3/Itop が0.37、ブロック
エラーレートBLERが1.3×10-2であった。ま
た、前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Mic
roscope)で観察したところ、実施例1と同様の状態が
確認された。
(Embodiment 9) The same operation as in the above Embodiment 1 except that an ultraviolet curable hard coat resin was spin-coated on the light incident side of the polycarbonate substrate 1 to form a substrate protective layer having a thickness of 1 μm. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and thereafter,
When this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 1, the semiconductor laser reflectance was 70% and I 11
/ I top was 0.62, I 3 / I top was 0.37, and the block error rate BLER was 1.3 × 10 -2 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording is subjected to STM (Scanning Tunneling Mic).
Observation with a roscope) confirmed the same state as in Example 1.

【0045】(実施例10)前記実施例1において、光
吸収層2と反射層3との間に、シクロヘキサンに溶解し
たポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ10nm
のポリブタジエン樹脂層を設けたこと以外は、前記実施
例1と同様にして、光ディスクを製作した。こうして得
られた光ディスクに、前記実施例1と同様にしてEFM
信号を記録し、その後、この光ディスクを、前記実施例
1と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72%、I11/Itop が0.65、I3/I
top が0.35、ブロックエラーレートBLERが8.
6×10-3であった。また、前記実施例1と同様にし
て、記録後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM
(Scanning Tunneling Microscope)で観察したとこ
ろ、実施例1と同様の状態が確認された。
Example 10 In Example 1, a polybutadiene resin dissolved in cyclohexane was spin-coated between the light absorption layer 2 and the reflection layer 3 to give a thickness of 10 nm.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the polybutadiene resin layer of 1 was provided. The optical disc obtained in this manner is processed by EFM in the same manner as in the first embodiment.
When a signal was recorded and then this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 1, the semiconductor laser reflectance was 72%, I 11 / I top was 0.65, and I 3 / I.
top is 0.35, block error rate BLER is 8.
It was 6 × 10 −3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM.
Observation with a (Scanning Tunneling Microscope) confirmed the same state as in Example 1.

【0046】(実施例11)前記実施例1において使用
したのと同じポリカーボネート基板1の表面にジイソブ
チルケトンで溶解したアクリル樹脂をスピンコートし、
厚み40nmの樹脂層(図示せず)を形成した。この樹
脂層のロックウェル硬度ASTM D785は、M85
であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg
/cm2、100℃であった。
Example 11 The same polycarbonate substrate 1 used in Example 1 was spin-coated with an acrylic resin dissolved in diisobutyl ketone,
A resin layer (not shown) having a thickness of 40 nm was formed. The Rockwell hardness ASTM D785 of this resin layer is M85.
And the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg.
/ Cm 2 and 100 ° C.

【0047】光吸収層2を形成するための有機色素とし
て、0.6gの1,1’ジプロピル,3,3,3’,
3’テトラメチル5,5’ジメトキシインドジカーボシ
アニンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤1
0ccに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピン
コート法により塗布し、膜厚120nmの光吸収層2を
形成した。この光吸収層2の複素屈折率の実数部nabs
とその膜厚dabs と再生光の波長λとで与えられるρ=
absabs/λは、0.41であり、かつ前記複素屈折
率の虚部kabs は0.02であった。
As an organic dye for forming the light absorption layer 2, 0.6 g of 1,1'dipropyl, 3,3,3 ',
3'tetramethyl 5,5 'dimethoxy indodicarbocyanine iodide and isopropyl alcohol solvent 1
It was dissolved in 0 cc, and this was applied onto the surface of the substrate 1 by a spin coating method to form a light absorption layer 2 having a film thickness of 120 nm. The real part n abs of the complex refractive index of the light absorption layer 2
And its film thickness d abs and the wavelength λ of the reproduction light, ρ =
n abs d abs / λ was 0.41 and the imaginary part k abs of the complex refractive index was 0.02.

【0048】次に、この上にシクロヘキサンに溶解した
シリコンアクリル樹脂をスピンコートし、厚さ100n
mの硬質層を形成した。この硬質層は、鉛筆硬度2H、
熱変形温度ASTM D648 4.6kg/cm2、1
20℃であった。硬質層の上にスパッタリング法によ
り、膜厚50nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成し
た。さらに、この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をス
ピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚
10μmの保護層4を形成した。この保護層4の硬化後
のロックウェル硬度ASTM D785はM90であ
り、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/c
2、135℃であった。
Next, a silicon acrylic resin dissolved in cyclohexane was spin-coated on the above to give a thickness of 100 n.
m hard layer was formed. This hard layer has a pencil hardness of 2H,
Heat distortion temperature ASTM D648 4.6 kg / cm 2 , 1
20 ° C. An Au film having a film thickness of 50 nm was formed on the hard layer by a sputtering method to form the reflective layer 3. Further, an ultraviolet curable resin was spin-coated on the reflective layer 3 and was irradiated with ultraviolet rays to be cured to form a protective layer 4 having a film thickness of 10 μm. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the protective layer 4 is M90, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg / c.
m was 2, 135 ° C..

【0049】こうして得られた光ディスクに、波長78
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー7.5mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで
再生したところ、半導体レーザの反射率が74%、I11
/Itop が0.62、I3/Itop が0.31、ブロック
エラーレートBLERが4.0×10-3であった。ま
た、前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Mic
roscope)で観察したところ、実施例1と同様の状態が
確認された。
The optical disc thus obtained has a wavelength of 78
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 1.2 m / sec and a recording power of 7.5 mW to record an EFM signal. Then, when this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 74% and I 11
/ I top was 0.62, I 3 / I top was 0.31, and the block error rate BLER was 4.0 × 10 −3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording is subjected to STM (Scanning Tunneling Mic).
Observation with a roscope) confirmed the same state as in Example 1.

【0050】(実施例12)前記実施例11において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと以外は、前記実施例11と同様に
して、光ディスクを製作した。こうして得られた光ディ
スクに、前記実施例11と同様にして記録パワー7.8
mWにてEFM信号を記録し、その後、この光ディスク
を、実施例11と同じCDプレーヤで再生したところ、
半導体レーザの反射率が73%、I11/Itopが0.6
2、I3/Itop が0.31、ブロックエラーレートBL
ERが3.4×10-3であった。また、前記実施例1と
同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1の表面
をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で観察し
たところ、実施例1と同様の状態が確認された。
(Twelfth Embodiment) In the eleventh embodiment,
Spin coat a silicon coating agent on the resin layer,
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11 except that a silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided and the light absorption layer 2 was formed thereon. The optical disk thus obtained was recorded with a recording power of 7.8 in the same manner as in Example 11.
When an EFM signal was recorded at mW and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11,
The reflectivity of the semiconductor laser is 73%, and I 11 / I top is 0.6.
2, I 3 / I top is 0.31, block error rate BL
The ER was 3.4 × 10 -3 . Further, when the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was observed by an STM (Scanning Tunneling Microscope) in the same manner as in Example 1, the same state as in Example 1 was confirmed.

【0051】(実施例13)前記実施例11において、
基板1としてガラス基板を用いたこと、及び反射層の上
に、トルエンとメチルエチルケトンの1:1の溶剤で溶
解したイソシアネート樹脂をスピンコート法にて形成さ
れた厚さ20nmの結着層を形成したこと以外は、前記
実施例11と同様にして、光ディスクを製作した。こう
して得られた光ディスクに、前記実施例11と同様にし
て記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その
後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I
11/Itopが0.65、I3/Itop が0.33、ブロッ
クエラーレートBLERが3.6×10-3であった。ま
た、前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Mic
roscope)で観察したところ、実施例1と同様の状態が
確認された。
(Embodiment 13) In the embodiment 11,
A glass substrate was used as the substrate 1, and a 20 nm-thick binder layer formed by spin coating an isocyanate resin dissolved in a 1: 1 solvent of toluene and methyl ethyl ketone was formed on the reflective layer. An optical disc was produced in the same manner as in Example 11 except for the above. An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc with a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 11, and then the optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11, and the reflection of the semiconductor laser was reflected. 72%, I
11 / I top was 0.65, I 3 / I top was 0.33, and the block error rate BLER was 3.6 × 10 −3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording is subjected to STM (Scanning Tunneling Mic).
Observation with a roscope) confirmed the same state as in Example 1.

【0052】(実施例14)前記実施例11において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、及び光反射層3の上に、ポリブ
タジエンをスピンコート法にて形成した厚さ20nmの
結着層を形成したこと以外は、前記実施例11と同様に
して、光ディスクを製作した。
(Embodiment 14) In the embodiment 11,
Spin coat a silicon coating agent on the resin layer,
A silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided, and the light absorption layer 2 was formed on the silicate layer, and a binding layer having a thickness of 20 nm formed by spin coating polybutadiene was formed on the light reflection layer 3. An optical disc was produced in the same manner as in Example 11 except for the above.

【0053】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が72%、I11/Itopが0.66、I3/Itop
0.35、ブロックエラーレートBLERが3.5×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc with a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 11, and the optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11, and the semiconductor was obtained. Laser reflectance is 72%, I 11 / I top is 0.66, I 3 / I top is 0.35, and block error rate BLER is 3.5 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0054】(実施例15)前記実施例11において、
樹脂層の厚みを20nmとしたこと、シリコンアクリル
樹脂層を設けないこと及び反射層3としてイリジウムと
金との1:9の割合の合金膜をスパッタリング法により
形成したこと以外は、前記実施例11と同様にして、光
ディスクを製作した。なお、前記合金膜の鉛筆硬度は2
Hであった。
(Fifteenth Embodiment) In the eleventh embodiment,
Example 11 except that the thickness of the resin layer was set to 20 nm, the silicon acrylic resin layer was not provided, and an alloy film of iridium and gold in the ratio of 1: 9 was formed as the reflective layer 3 by the sputtering method. An optical disk was manufactured in the same manner as in. The pencil hardness of the alloy film is 2
H.

【0055】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が71%、I11/Itopが0.63、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが3.3×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 11, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11. Laser reflectance is 71%, I 11 / I top is 0.63, I 3 / I top is 0.32, and block error rate BLER is 3.3 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0056】(実施例16)前記実施例11において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3としてイリジウムと金との1:9
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこと
以外は、前記実施例11と同様にして、光ディスクを製
作した。
(Example 16) In Example 11,
Spin coat a silicon coating agent on the resin layer,
A silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided, and the light absorption layer 2 was formed thereon, a silicon acrylic resin layer was not provided, and the reflective layer 3 was made of iridium and gold of 1: 9.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 11 except that the alloy film having the ratio of 1 was formed by the sputtering method.

【0057】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.8mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が71%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが2.8×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 11, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11. Laser reflectance is 71%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.32, and block error rate BLER is 2.8 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0058】(実施例17)前記実施例11において、
シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3と
してイリジウムと金との1:9の割合の合金膜をスパッ
タリング法により形成したこと、及び光反射層の上に、
ポリイソプレンをスピンコートして、厚さ20nmの結
着層を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂製の保護層4
を形成したこと以外は、前記実施例11と同様にして、
光ディスクを製作した。
(Embodiment 17) In the embodiment 11,
No silicon acrylic resin layer is provided, an alloy film of iridium and gold in a ratio of 1: 9 is formed as the reflective layer 3 by a sputtering method, and on the light reflective layer,
Polyisoprene is spin-coated to form a binder layer having a thickness of 20 nm, and a protective layer 4 made of an ultraviolet curable resin is formed on the binder layer.
In the same manner as in Example 11 except that
An optical disk was manufactured.

【0059】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.4mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が72%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが4.1×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 11, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11, and a semiconductor was obtained. Laser reflectance is 72%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.32, and block error rate BLER is 4.1 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0060】(実施例18)前記実施例11において、
シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3と
して厚さ50nmの銅膜を形成したこと、及び保護層4
としてジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノ
ール硬化型エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ5μm
のエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、前記実施例1
1と同様にして、光ディスクを製作した。なお、前記保
護層はロックウェル硬度ASTM D785がM110
であることから硬質層としての機能を有する。
(Embodiment 18) In Embodiment 11,
No silicon acrylic resin layer was provided, a copper film having a thickness of 50 nm was formed as the reflective layer 3, and the protective layer 4
As a bisphenol-curable epoxy resin diluted with diglycidyl ether solvent as a spin coat to a thickness of 5 μm
Example 1 except that the epoxy resin layer of No. 1 was formed.
An optical disc was manufactured in the same manner as in 1. The protective layer has a Rockwell hardness of ASTM D785 of M110.
Therefore, it has a function as a hard layer.

【0061】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が75%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが2.9×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 11, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11, and a semiconductor was obtained. Laser reflectance is 75%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 2.9 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0062】(実施例19)前記実施例11において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3として厚さ50nmの銅膜を形成
したこと、及び保護層4としてジグリシジルエーテル溶
剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピ
ンコートして厚さ5μmのエポキシ樹脂層を形成したこ
と以外は、前記実施例11と同様にして、光ディスクを
製作した。
Example 19 In the above Example 11,
Spin coat a silicon coating agent on the resin layer,
A silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided, a light absorbing layer 2 was formed thereon, a silicon acrylic resin layer was not provided, and a copper film having a thickness of 50 nm was formed as the reflecting layer 3, and a protective layer 4 An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 11 except that a bisphenol-curable epoxy resin diluted with a diglycidyl ether solvent was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 5 μm.

【0063】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが3.5×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 11, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11, and a semiconductor was obtained. Laser reflectance is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 3.5 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0064】(実施例20)前記実施例11において、
アクリル樹脂に発砲剤を混入し、シリコンアクリル樹脂
層を設けないこと及び反射層3として厚さ50nmの銅
膜を真空蒸着法で形成したこと、反射層の上に、トルエ
ンとメチルエチルケトンの6:4の溶剤で溶解したポリ
酢酸ビニル樹脂をスピンコートて形成した厚さ20nm
の結着層を介して保護層4を形成したこと、及び保護層
4としてジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェ
ノール硬化型エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ5μ
mのエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、前記実施例
11と同様にして、光ディスクを製作した。
(Embodiment 20) In the embodiment 11,
A foaming agent was mixed in the acrylic resin, a silicon acrylic resin layer was not provided, and a copper film having a thickness of 50 nm was formed as the reflective layer 3 by a vacuum deposition method. Toluene and methyl ethyl ketone 6: 4 were formed on the reflective layer. 20 nm thickness formed by spin coating polyvinyl acetate resin dissolved in the solvent
The protective layer 4 was formed via the tie layer, and the protective layer 4 was spin-coated with a bisphenol-curable epoxy resin diluted in a diglycidyl ether solvent to a thickness of 5 μm.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 11 except that the epoxy resin layer of m was formed.

【0065】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.4mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが3.6×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 11, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 11, and a semiconductor was obtained. Laser reflectivity is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 3.6 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0066】(実施例21)表面に幅0.8μm、深さ
0.08μm、ピッチ1.6μmのスパイラル状のプレ
グルーブ8が形成された厚さ1.2mm、外径120m
mφ、内径15mmφのガラス基板1の上に、光吸収層
2を形成するための有機色素として、0.5gの1,
1’,ジプロピル3,3,3’,3’テトラメチル5,
5’ジエトキシインドジカーボシアニンパークロレート
を、ジクロロエタン溶剤10ccに溶解し、これを前記
の基板1の表面に、スピンコート法により塗布し、膜厚
100nmの光吸収層2を形成した。
(Example 21) A spiral pregroove 8 having a width of 0.8 μm, a depth of 0.08 μm, and a pitch of 1.6 μm was formed on the surface, the thickness was 1.2 mm, and the outer diameter was 120 m.
As an organic dye for forming the light absorption layer 2 on the glass substrate 1 having mφ and an inner diameter of 15 mmφ, 0.5 g of 1,
1 ', dipropyl 3,3,3', 3 'tetramethyl 5,
5'diethoxyindodicarbocyanine perchlorate was dissolved in 10 cc of dichloroethane solvent, and this was coated on the surface of the substrate 1 by spin coating to form a light absorbing layer 2 having a thickness of 100 nm.

【0067】次に、このディスクの直径45〜118m
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚50
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上にメチルエチルケトンで溶解したウレ
タン樹脂を100nmの厚みにスピンコートし、緩衝層
を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。
Next, the diameter of this disc is 45 to 118 m.
A film thickness of 50 m
An Au film having a thickness of 3 nm was formed, and the reflective layer 3 was formed. further,
A urethane resin dissolved in methyl ethyl ketone was spin-coated on the reflective layer 3 to a thickness of 100 nm to form a buffer layer, and an ultraviolet-curable resin was spin-coated on the buffer layer, which was irradiated with ultraviolet rays to be cured. A protective layer 4 having a film thickness of 10 μm was formed.

【0068】こうして得られた光ディスクに、波長78
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー7.2mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ(Aure
x XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、半導体レーザの反射率が77%、I11
top が0.65、I3/Itop が0.33、ブロックエ
ラーレートBLERが3.0×10-3であった。また、
前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光
性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Microsc
ope)で観察したところ、実施例1と同様の状態が確認
された。
The optical disc thus obtained has a wavelength of 78
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 1.2 m / sec and a recording power of 7.2 mW to record an EFM signal. After that, this optical disk is put into a commercially available CD player (Aure
x XR-V73, reproduction light wavelength λ = 780 nm), the semiconductor laser reflectivity was 77%, I 11 /
I top was 0.65, I 3 / I top was 0.33, and the block error rate BLER was 3.0 × 10 −3 . Also,
In the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tunneling Microsc
As a result, the same state as in Example 1 was confirmed.

【0069】(実施例22)表面に幅0.8μm、深さ
0.08μm、ピッチ1.6μmのスパイラル状のプレ
グルーブ8が形成された厚さ1.2mm、外径120m
mφ、内径15mmφのポリカーボネート基板1を射出
成型した。光吸収層2を形成するための有機色素とし
て、0.5gの1,1’,ジプロピル3,3,3’,
3’テトラメチル5,5’ジエトキシインドジカーボシ
アニンパークロレートを、イソプロピルアルコール溶剤
10ccに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピ
ンコート法により塗布し、膜厚100nmの光吸収層2
を形成した。さらにこの上にSiO2 膜を40nmの厚
みにスパッタリング法で成膜した。
(Embodiment 22) A spiral pre-groove 8 having a width of 0.8 μm, a depth of 0.08 μm and a pitch of 1.6 μm is formed on the surface, a thickness of 1.2 mm and an outer diameter of 120 m.
A polycarbonate substrate 1 having an mφ and an inner diameter of 15 mmφ was injection molded. As an organic dye for forming the light absorption layer 2, 0.5 g of 1,1 ′, dipropyl 3,3,3 ′,
3'tetramethyl 5,5 'diethoxy indodicarbocyanine perchlorate was dissolved in 10 cc of isopropyl alcohol solvent, and this was applied on the surface of the substrate 1 by spin coating to form a light absorption layer having a thickness of 100 nm. Two
Was formed. Further, a SiO 2 film having a thickness of 40 nm was formed thereon by a sputtering method.

【0070】次に、このディスクの直径45〜118m
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚50
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上にメチルエチルケトンで溶解したウレ
タン樹脂を100nmの厚みにスピンコートし、緩衝層
を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。
Next, the diameter of this disc is 45 to 118 m.
A film thickness of 50 m
An Au film having a thickness of 3 nm was formed, and the reflective layer 3 was formed. further,
A urethane resin dissolved in methyl ethyl ketone was spin-coated on the reflective layer 3 to a thickness of 100 nm to form a buffer layer, and an ultraviolet curable resin was spin coated on the buffer layer, which was irradiated with ultraviolet rays to be cured. A protective layer 4 having a film thickness of 10 μm was formed.

【0071】こうして得られた光ディスクに、波長78
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.8mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ(Aure
x XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、半導体レーザの反射率が77%、I11
top が0.66、I3/Itop が0.36、ブロックエ
ラーレートBLERが3.5×10-3であった。また、
前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光
性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Microsc
ope)で観察したところ、実施例2と同様の状態が確認
された。
A wavelength of 78
An EFM signal was recorded by irradiating a 0 nm semiconductor laser with a linear velocity of 1.2 m / sec and a recording power of 6.8 mW. After that, this optical disk is put into a commercially available CD player (Aure
x XR-V73, reproduction light wavelength λ = 780 nm), the semiconductor laser reflectivity was 77%, I 11 /
I top was 0.66, I 3 / I top was 0.36, and the block error rate BLER was 3.5 × 10 −3 . Also,
In the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tunneling Microsc
ope), the same state as in Example 2 was confirmed.

【0072】(実施例23)前記実施例22において、
SiO2 膜をLPD法により形成したこと、及び光吸収
層2を形成する際のコーティング剤の溶剤としてジオキ
サン溶剤を用いたこと以外は、前記実施例22と同様に
して、光ディスクを製作した。こうして得られた光ディ
スクに、前記実施例22と同様にして記録パワー7.2
mWにてEFM信号を記録し、その後、この光ディスク
を、実施例22と同じCDプレーヤで再生したところ、
半導体レーザの反射率が77%、I11/Itopが0.6
6、I3/Itop が0.35、ブロックエラーレートBL
ERが4.0×10-3であった。また、前記実施例1と
同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1の表面
をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で観察し
たところ、実施例1と同様の状態が確認された。
(Example 23) In Example 22,
An optical disc was produced in the same manner as in Example 22 except that the SiO 2 film was formed by the LPD method and that the dioxane solvent was used as the solvent of the coating agent when forming the light absorption layer 2. The optical disc thus obtained was recorded with a recording power of 7.2 in the same manner as in Example 22.
When an EFM signal was recorded at mW and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 22,
Semiconductor laser reflectance is 77%, I 11 / I top is 0.6
6, I 3 / I top is 0.35, block error rate BL
The ER was 4.0 × 10 -3 . Further, when the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was observed by an STM (Scanning Tunneling Microscope) in the same manner as in Example 1, the same state as in Example 1 was confirmed.

【0073】(実施例24)前記実施例22において、
SiO2 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ100nmのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、反射層3として金とチタ
ンの9:1の割合による合金薄膜層を形成したこと、及
び光吸収層2と反射層3との間に、シクロヘキサンに溶
解したポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ12
0nmのポリブタジエン樹脂層を設けたこと以外は、前
記実施例22と同様にして、光ディスクを製作した。
(Embodiment 24) In the embodiment 22,
In place of the SiO 2 film, an epoxy resin dissolved in diglycidyl ether was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 100 nm, and as the reflection layer 3, an alloy thin film layer of gold and titanium in a ratio of 9: 1 And a polybutadiene resin dissolved in cyclohexane was spin-coated between the light absorption layer 2 and the reflection layer 3 to give a thickness of 12
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 22 except that a 0 nm polybutadiene resin layer was provided.

【0074】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例22と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例22と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが2.5×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 22, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 22, and a semiconductor was obtained. Laser reflectivity is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 2.5 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0075】(実施例25)前記実施例22において、
SiO2 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ100nmのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、反射層3として金とチタ
ンの9:1の割合による合金薄膜層を形成したこと、光
吸収層2と反射層3との間に、シクロヘキサンに溶解し
たポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ120n
mのポリブタジエン樹脂層を設けたこと、及び光反射層
と保護層4との結着性を高めるため、その間にビスフェ
ノール硬化型エポキシ樹脂を20nmの厚みにスピンコ
ートしたこと以外は、前記実施例22と同様にして、光
ディスクを製作した。
(Example 25) In the above Example 22,
In place of the SiO 2 film, an epoxy resin dissolved in diglycidyl ether was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 100 nm, and as the reflection layer 3, an alloy thin film layer of gold and titanium in a ratio of 9: 1 Is formed, a polybutadiene resin dissolved in cyclohexane is spin-coated between the light absorption layer 2 and the reflection layer 3 to give a thickness of 120 n.
m of the above Example 22 except that a polybutadiene resin layer having a thickness of m is provided and a bisphenol-curable epoxy resin is spin-coated to a thickness of 20 nm between the light reflecting layer and the protective layer 4 in order to enhance the binding property. An optical disk was manufactured in the same manner as in.

【0076】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例22と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例22と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが3.0×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 22, and a semiconductor was obtained. Laser reflectivity is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 3.0 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0077】(実施例26)前記実施例22において、
SiO2 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ100nmのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、このエポキシ樹脂層と反
射層3との間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジ
ェン樹脂をスピンコートし、厚さ120nmのポリブタ
ジエン樹脂層を設けたこと、及び保護層の膜厚を5μm
としたこと以外は、前記実施例22と同様にして、光デ
ィスクを製作した。
(Example 26) In Example 22,
Instead of the SiO 2 film, an epoxy resin dissolved in diglycidyl ether was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 100 nm. The epoxy resin layer was dissolved between the epoxy resin layer and the reflective layer 3 in cyclohexane. A polybutadiene resin layer was spin-coated with a polybutadiene resin layer having a thickness of 120 nm, and the thickness of the protective layer was 5 μm.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 22 except that the above was adopted.

【0078】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例22と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例22と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが3.3×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 22 to obtain a semiconductor. Laser reflectance is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.32, and block error rate BLER is 3.3 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0079】(実施例27)前記実施例22において、
SiO2 膜を形成しないこと、光吸収層2と反射層3と
の間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジエン樹脂
をスピンコートし、厚さ120nmのポリブタジエン樹
脂層を設けたこと、反射層と保護層4との結着性を高め
るため、その間にビスフェノール硬化型エポキシ樹脂を
20nmの厚みにスピンコートしたこと、及び保護層の
膜厚を5μmとしたこと以外は、前記実施例22と同様
にして、光ディスクを製作した。
(Twenty-seventh Embodiment) In the twenty-second embodiment,
No SiO 2 film was formed, a polybutadiene resin dissolved in cyclohexane was spin-coated between the light absorption layer 2 and the reflection layer 3 to provide a polybutadiene resin layer having a thickness of 120 nm, the reflection layer and the protection layer 4. An optical disc was prepared in the same manner as in Example 22 except that a bisphenol-curable epoxy resin was spin-coated to a thickness of 20 nm and the protective layer had a thickness of 5 μm in order to enhance the binding property with the optical disc. Was produced.

【0080】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例22と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例22と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.63、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが2.8×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 22 to obtain a semiconductor. Laser reflectance is 74%, I 11 / I top is 0.63, I 3 / I top is 0.32, and block error rate BLER is 2.8 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanni
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0081】(実施例28)前記実施例22において、
前記SiO2 膜を形成しないこと以外は、前記実施例2
2と同様にして、光ディスクを製作した。こうして得ら
れた光ディスクに、前記実施例22と同様にして記録パ
ワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その後、この
光ディスクを、実施例22と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が77%、I11/I
topが0.66、I3/Itop が0.35、ブロックエラ
ーレートBLERが1.0×10-2であった。また、前
記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性
基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscop
e)で観察したところ、実施例1と同様の状態が確認さ
れた。
Example 28 In the above Example 22,
Example 2 except that the SiO 2 film is not formed
An optical disc was manufactured in the same manner as in 2. An EFM signal was recorded on the thus-obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and the optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 22, and the reflection of the semiconductor laser was observed. 77%, I 11 / I
The top was 0.66, the I 3 / I top was 0.35, and the block error rate BLER was 1.0 × 10 -2 . Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the translucent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tunneling Microscoping).
When observed in e), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0082】(実施例29)表面に幅0.4μm、深さ
0.1μm、ピッチ0.8μmのスパイラル状のプレグ
ルーブ8が形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板1を射出成
形法により成形した。このポリカーボネート基板1のロ
ックウェル硬度ASTM D785は、M75(鉛筆硬
度HBと同等)であり、熱変形温度ASTM D648
は、4.6kg/cm2、121℃であった。
(Example 29) A spiral pre-groove 8 having a width of 0.4 μm, a depth of 0.1 μm and a pitch of 0.8 μm was formed on the surface, a thickness of 1.2 mm, and an outer diameter of 120 mm.
A polycarbonate substrate 1 having a diameter of 15 mm and an inner diameter of 15 mm was molded by an injection molding method. Rockwell hardness ASTM D785 of this polycarbonate substrate 1 is M75 (equivalent to pencil hardness HB), and heat distortion temperature ASTM D648.
Was 4.6 kg / cm 2 and 121 ° C.

【0083】光吸収層2を形成するための有機色素とし
て、0.65gの1,1’ジブチル3,3,3’,3’
テトラメチル4,5,4’,5’ジベンゾインドモノカ
ーボシアニンパークロレートを、ジアセトンアルコール
溶剤10ccに溶解し、これを前記の基板1の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚100nmの光吸収
層2を形成した。
As an organic dye for forming the light absorption layer 2, 0.65 g of 1,1'dibutyl 3,3,3 ', 3'
Tetramethyl 4,5,4 ', 5' dibenzoindomonocarbocyanine perchlorate was dissolved in 10 cc of diacetone alcohol solvent, and this was dissolved on the surface of the substrate 1,
The light absorption layer 2 having a film thickness of 100 nm was formed by applying by a spin coating method.

【0084】次に、このディスクの直径45〜118m
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚80
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。この保護層4の硬化後のロックウ
ェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温
度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃
であった。
Next, the diameter of this disc is 45 to 118 m.
A film thickness of 80 is formed on the entire surface of the mφ area by the sputtering method.
An Au film having a thickness of 3 nm was formed, and the reflective layer 3 was formed. further,
An ultraviolet curable resin was spin-coated on the reflective layer 3 and irradiated with ultraviolet light to be cured, thereby forming a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the protective layer 4 is M90, and heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg / cm 2 , 135 ° C.
Met.

【0085】こうして得られた光ディスクに、波長67
0nmの半導体レーザを線速2.0m/sec、記録パ
ワー8.0mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを再生したところ、半導体レーザの
反射率が70%、I11/Itop が0.70、I3/Itop
が0.32であった。
The optical disc thus obtained has a wavelength of 67
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 2.0 m / sec and a recording power of 8.0 mW to record an EFM signal. After that, when this optical disk was reproduced, the reflectance of the semiconductor laser was 70%, I 11 / I top was 0.70, and I 3 / I top.
Was 0.32.

【0086】この実施例による光ディスクは、変調度の
大きな記録が出来た。さらにこの記録後の光ディスクの
前記保護層4と光反射層3とを剥離し、光吸収層2を溶
剤で洗浄、除去して、透光性基板1の表面を分析したと
ころ、光吸収層の分解が確認された。また、その表面を
STM(Scanning Tunneling Microscope)で観察した
ところ、ピットの部分に凸状の変形が見られた。
The optical disc according to this example could be recorded with a large degree of modulation. Further, the protective layer 4 and the light reflecting layer 3 of the optical disc after this recording were peeled off, the light absorbing layer 2 was washed and removed with a solvent, and the surface of the transparent substrate 1 was analyzed. Decomposition was confirmed. Further, when the surface was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope), convex deformation was observed in the pit portion.

【0087】[0087]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明の光情報記録
媒体によれば、変調度の高い再生信号が得られるピット
が形成できる。
As described above, according to the optical information recording medium of the present invention, it is possible to form pits from which a reproduction signal having a high degree of modulation can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断面
斜視図である。
FIG. 1 is a schematic half sectional perspective view showing an example of the structure of an optical information recording medium.

【図2】図1の光情報記録媒体の光記録前のトラックに
沿って断面した部分拡大図である。
FIG. 2 is a partially enlarged view of the optical information recording medium of FIG. 1 taken along a track before optical recording.

【図3】図1の光情報記録媒体の光記録後のトラックに
沿って断面した部分拡大図である。
3 is a partially enlarged view of the optical information recording medium of FIG. 1 taken along a track after optical recording.

【図4】光情報記録媒体ピットの例を示すためトラック
に沿って断面した要部断面拡大図である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along a track to show an example of an optical information recording medium pit.

【図5】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along a track to show another example of the optical information recording medium pit.

【図6】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along a track to show another example of the optical information recording medium pit.

【図7】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along a track to show another example of an optical information recording medium pit.

【図8】記録後の光情報記録媒体の透光性基板の表面を
示す要部拡大斜視図である。
FIG. 8 is an enlarged perspective view of an essential part showing the surface of a transparent substrate of an optical information recording medium after recording.

【図9】前記透光性基板の表面をSTM(Scanning Tun
neling Microscope)で観察したときのチップのトラッ
キング方向に沿う移動距離と高度の関係を示すグラフの
例である。
FIG. 9 shows an STM (Scanning Tun) on the surface of the transparent substrate.
It is an example of a graph showing the relationship between the moving distance along the tracking direction of the chip and the altitude when observed with a neling Microscope).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 光吸収層 3 光反射層 4 保護層 5 ピット 6 変形部分 6’ 変形部分 10 空隙部 10’ 空隙部 11 微細な気泡 12 光学的変性部 13 光学特性変性部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Light absorption layer 3 Light reflection layer 4 Protective layer 5 Pit 6 Deformation part 6'Deformation part 10 Void part 10 'Void part 11 Fine air bubble 12 Optical modification part 13 Optical property modification part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takashi Ishiguro 6-16-20 Ueno, Taito-ku, Tokyo Taiyo Induction Co., Ltd.

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体において、この
ピットの部分の光吸収層と隣接する基板側の層が変形
し、且つ光吸収層のレーザ光を照射した部分が分解し、
レーザスポットが照射された位置にピットが形成されて
いることを特徴とする光情報記録媒体。
1. A light absorbing layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a laser beam that reflects laser light directly or through another layer on the light absorbing layer. In an optical information recording medium in which a light reflecting layer and a pit for reproducing data by laser light irradiation are formed, a layer on the substrate side adjacent to the light absorbing layer in the pit portion is deformed and The part of the layer irradiated with laser light decomposes,
An optical information recording medium having a pit formed at a position irradiated with a laser spot.
【請求項2】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体において、前記
光吸収層がレーザ光を吸収して発熱すると共に、融解、
蒸発、昇華、変形または変性し、レーザスポットが照射
された位置にピットが形成されていることを特徴とする
光情報記録媒体。
2. A light absorbing layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a laser beam that reflects laser light directly or through another layer on the light absorbing layer. In an optical information recording medium in which a light reflecting layer and a pit for reproducing data by irradiation of laser light are formed, the light absorbing layer absorbs laser light and generates heat, and melting,
An optical information recording medium, characterized in that a pit is formed at a position irradiated with a laser spot by evaporation, sublimation, deformation or modification.
【請求項3】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体において、前記
光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣接する層に拡
散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に隣接する透光
性基板側の層の成分と混合し、或は部分的に化合し、レ
ーザスポットが照射された位置にピットが形成されてい
ることを特徴とする光情報記録媒体。
3. A light absorbing layer that absorbs laser light directly or through another layer on the transparent substrate, and a laser beam that reflects laser light directly or through another layer on the light absorbing layer. In an optical information recording medium having a light reflecting layer and pits for reproducing data by irradiating a laser beam, a part of components constituting the light absorbing layer is diffused or spread to a layer adjacent to the same layer. It is characterized by viscous flow, which mixes with or partially combines with the components of the layer on the transparent substrate side adjacent to the light absorption layer, and pits are formed at the position where the laser spot is irradiated. Optical recording medium.
【請求項4】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体において、前記
光吸収層とこれに隣接する他の層との界面が剥離し、そ
こに空隙部が形成されているか、或は前記光吸収層の中
に気泡が発生し、且つそれが残存し、レーザスポットが
照射された位置にピットが形成されていることを特徴と
する光情報記録媒体。
4. A light absorbing layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a laser beam that reflects laser light directly or through another layer on the light absorbing layer. In an optical information recording medium in which a light reflecting layer and pits for reproducing data by laser light irradiation are formed, an interface between the light absorbing layer and another layer adjacent to the light absorbing layer is separated, and a void is formed therein. The optical information recording medium is characterized in that a pit is formed at a position where a laser spot is irradiated, or a bubble is generated in the light absorption layer and the bubble remains in the light absorption layer. .
【請求項5】 特許請求の範囲第1項において、前記光
吸収層がそれに照射されたレーザ光を吸収して発熱する
と共に、融解、蒸発、昇華、変形または変性しているこ
とを特徴とする光情報記録媒体。
5. The light absorbing layer according to claim 1, wherein the light absorbing layer absorbs a laser beam applied to the layer to generate heat, and is melted, evaporated, sublimated, deformed or modified. Optical information recording medium.
【請求項6】 特許請求の範囲第1項または第2項にお
いて、前記光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣接
する層に拡散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に隣
接する透光性基板側の層の成分と混合し、或は部分的に
化合していることを特徴とする光情報記録媒体。
6. The light absorbing layer according to claim 1 or 2, wherein a part of the components constituting the light absorbing layer diffuses or viscously flows into a layer adjacent to the same layer, and this diffuses into the light absorbing layer. An optical information recording medium, characterized in that it is mixed with or partially combined with components of a layer on the side of an adjacent transparent substrate.
【請求項7】 特許請求の範囲第1項〜第3項の何れか
において、前記光吸収層とこれに隣接する他の層との界
面が剥離し、そこに空隙部が形成されているか、或は前
記光吸収層の中に気泡が発生し、且つそれが残存してい
ることを特徴とする光情報記録媒体。
7. The interface according to claim 1, wherein the interface between the light absorption layer and another layer adjacent to the light absorption layer is separated, and a void is formed therein. Alternatively, the optical information recording medium is characterized in that bubbles are generated in the light absorbing layer and remain.
【請求項8】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法にお
いて、レーザ光の照射によってこのピットの部分の光吸
収層と隣接する基板側の層を変形し、且つ光吸収層のレ
ーザ光を照射した部分を分解し、レーザスポットが照射
された位置にピットを形成することを特徴とする光情報
記録媒体の記録方法。
8. A light absorbing layer that absorbs laser light directly or through another layer on the transparent substrate, and a laser beam that reflects laser light directly or through another layer on the light absorbing layer. In a recording method of an optical information recording medium in which a light reflecting layer and pits for reproducing data by laser light irradiation are formed, in the recording medium, a pit portion on the side of the substrate adjacent to the light absorbing layer is irradiated by laser light. A recording method for an optical information recording medium, which comprises deforming a layer and decomposing a portion of the light absorption layer irradiated with laser light to form a pit at a position irradiated with a laser spot.
【請求項9】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法にお
いて、レーザ光の照射によって前記光吸収層にレーザ光
を吸収させて発熱させると共に、融解、蒸発、昇華、変
形または変性させ、レーザスポットが照射された位置に
ピットを形成することを特徴とする光情報記録媒体の記
録方法。
9. A light absorbing layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a laser beam that reflects laser light directly or through another layer on the light absorbing layer. In a recording method of an optical information recording medium having a light reflecting layer and pits for reproducing data by irradiating laser light, the light absorbing layer absorbs the laser light to generate heat while being irradiated with the laser light. A method for recording an optical information recording medium, characterized in that pits are formed at positions irradiated with a laser spot by melting, evaporating, subliming, deforming or modifying.
【請求項10】 透光性基板の上に直接または他の層を
介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の
上に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反
射層と、レーザ光の照射によってデータを再生するため
のピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法に
おいて、レーザ光の照射によって前記光吸収層を構成す
る成分の一部を同層と隣接する層に拡散或は粘性流動さ
せ、これを前記光吸収層に隣接する透光性基板側の層の
成分と混合させ、或は部分的に化合させ、レーザスポッ
トが照射された位置にピットを形成することを特徴とす
る光情報記録媒体の記録方法。
10. A light absorbing layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a laser beam that reflects laser light directly or through another layer on the light absorbing layer. In a recording method of an optical information recording medium in which a light reflecting layer and a pit for reproducing data by laser light irradiation are formed, a part of components constituting the light absorbing layer by laser light irradiation is formed in the same layer. And diffuse or viscous flow into a layer adjacent to the layer, and mix or partially combine the components with the layer on the side of the transparent substrate adjacent to the light absorption layer, and at the position where the laser spot is irradiated. A recording method for an optical information recording medium characterized by forming pits.
【請求項11】 透光性基板の上に直接または他の層を
介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の
上に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反
射層と、レーザ光の照射によってデータを再生するため
のピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法に
おいて、レーザ光の照射によって前記光吸収層とこれに
隣接する他の層との界面を剥離し、そこに空隙部を形成
するか、或は前記光吸収層の中に気泡を発生させ、レー
ザスポットが照射された位置にピットを形成しているこ
とを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
11. A light absorbing layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a laser light that reflects laser light directly or through another layer on the light absorbing layer. In a recording method of an optical information recording medium in which a light reflecting layer and pits for reproducing data by laser light irradiation are formed, the light absorbing layer and other layers adjacent to the light absorbing layer are irradiated by laser light irradiation. Optical information recording, characterized in that the interface is peeled off and a void is formed therein or a bubble is generated in the light absorption layer to form a pit at a position irradiated with a laser spot. Media recording method.
【請求項12】 特許請求の範囲第8項において、前記
光吸収層がそれに照射されたレーザ光を吸収して発熱す
ると共に、融解、蒸発、昇華、変形または変性している
ことを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
12. The light absorbing layer according to claim 8, wherein the light absorbing layer absorbs the laser light irradiated thereon to generate heat and is melted, evaporated, sublimated, deformed or modified. Recording method for optical information recording medium.
【請求項13】 特許請求の範囲第8項または第9項に
おいて、前記光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣
接する層に拡散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に
隣接する透光性基板側の層の成分と混合し、或は部分的
に化合していることを特徴とする光情報記録媒体の記録
方法。
13. The light absorbing layer according to claim 8 or 9, wherein a part of the components constituting the light absorbing layer diffuses or viscously flows into a layer adjacent to the same layer, and this diffuses into the light absorbing layer. A recording method for an optical information recording medium, characterized in that it is mixed with or partially combined with components of a layer on the side of an adjacent transparent substrate.
【請求項14】 特許請求の範囲第8項〜第10項の何
れかにおいて、前記光吸収層とこれに隣接する他の層と
の界面が剥離し、そこに空隙部が形成されているか、或
は前記光吸収層の中に気泡が発生し、且つそれが残存し
ていることを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
14. The interface according to claim 8, wherein the interface between the light absorption layer and another layer adjacent to the light absorption layer is separated, and a void is formed therein. Alternatively, a recording method of an optical information recording medium, characterized in that bubbles are generated in the light absorption layer and the bubbles remain.
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