JPH09133595A - 集積化センサ - Google Patents
集積化センサInfo
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- JPH09133595A JPH09133595A JP29017495A JP29017495A JPH09133595A JP H09133595 A JPH09133595 A JP H09133595A JP 29017495 A JP29017495 A JP 29017495A JP 29017495 A JP29017495 A JP 29017495A JP H09133595 A JPH09133595 A JP H09133595A
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- JP
- Japan
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- resistors
- resistance
- strain
- thin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】集積化に優れた集積化センサを提供する。
【解決手段】集積化圧力センサにおけるシリコン基板１
の中央部に薄肉のダイヤフラム部２が形成され、ダイヤ
フラム部２には感圧用歪みゲージ５，６，７，８が配置
されている。シリコン基板１でのテーパ部３には、Ｃｒ
Ｓｉ薄膜よりなる抵抗１０，１１，１２，１３が配置さ
れている。抵抗１０，１１，１２，１３は、それぞれテ
ーパ部３における同じ歪みが作用する箇所に配置されて
いる。抵抗１０，１１，１２，１３にて周辺回路として
の温度補償回路が構成されている。抵抗１０と抵抗１１
とが対となるとともに、抵抗１２と抵抗１３とが対とな
り、各対における相対的な抵抗値により所定の温度補償
特性が得られる。
の中央部に薄肉のダイヤフラム部２が形成され、ダイヤ
フラム部２には感圧用歪みゲージ５，６，７，８が配置
されている。シリコン基板１でのテーパ部３には、Ｃｒ
Ｓｉ薄膜よりなる抵抗１０，１１，１２，１３が配置さ
れている。抵抗１０，１１，１２，１３は、それぞれテ
ーパ部３における同じ歪みが作用する箇所に配置されて
いる。抵抗１０，１１，１２，１３にて周辺回路として
の温度補償回路が構成されている。抵抗１０と抵抗１１
とが対となるとともに、抵抗１２と抵抗１３とが対とな
り、各対における相対的な抵抗値により所定の温度補償
特性が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は集積化センサに係
り、例えば、ダイヤフラム部を有するとともにダイヤフ
ラム部の周辺に回路を有する圧力センサに適用すると好
適なものである。
り、例えば、ダイヤフラム部を有するとともにダイヤフ
ラム部の周辺に回路を有する圧力センサに適用すると好
適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、集積化圧力センサにおいてはシリ
コン基板の一部にダイヤフラム部（薄肉部）が形成さ
れ、ダイヤフラム部に歪みゲージが配置されるととも
に、ダイヤフラム部以外の箇所において周辺回路を構成
する抵抗が配置されている。つまり、集積化圧力センサ
における周辺回路を構成する抵抗は、ダイヤフラム部を
避けて厚肉部に配置し、応力の影響を回避していた。
コン基板の一部にダイヤフラム部（薄肉部）が形成さ
れ、ダイヤフラム部に歪みゲージが配置されるととも
に、ダイヤフラム部以外の箇所において周辺回路を構成
する抵抗が配置されている。つまり、集積化圧力センサ
における周辺回路を構成する抵抗は、ダイヤフラム部を
避けて厚肉部に配置し、応力の影響を回避していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、集積化
が進み、応力による影響を受けず、かつ、面積も増加さ
せない構造が要求されている。
が進み、応力による影響を受けず、かつ、面積も増加さ
せない構造が要求されている。
【０００４】そこで、この発明の目的は、集積化に優れ
た集積化センサを提供することにある。
た集積化センサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、相対的な抵抗値により所定の特性を得るための各抵
抗を、テーパ部における同じ歪みが作用する箇所に配置
したことを特徴としている。それにより、センシングの
際には薄肉部に加わる歪みが歪みゲージによって検出さ
れるが、このとき、テーパ部も歪みが加わり、周辺回路
における各抵抗の抵抗値が変化するが、相対的であり特
性は維持される。よって、応力による影響を受けず、か
つ、面積も増加させない構造とすることができ、集積化
に優れたものとなる。
は、相対的な抵抗値により所定の特性を得るための各抵
抗を、テーパ部における同じ歪みが作用する箇所に配置
したことを特徴としている。それにより、センシングの
際には薄肉部に加わる歪みが歪みゲージによって検出さ
れるが、このとき、テーパ部も歪みが加わり、周辺回路
における各抵抗の抵抗値が変化するが、相対的であり特
性は維持される。よって、応力による影響を受けず、か
つ、面積も増加させない構造とすることができ、集積化
に優れたものとなる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に従って説明する。本実施の形態においては圧力セン
サに具体化している。
面に従って説明する。本実施の形態においては圧力セン
サに具体化している。
【０００７】図１には本実施の形態における集積化圧力
センサの平面図を示し、図２には、図１のＡ−Ａ断面を
示す。図１において、半導体基板としてのシリコン基板
（チップ）１の中央部には四角形状のダイヤフラム部
（薄肉部）２が形成され、その周辺部はテーパ部３とな
っている。つまり、表面が（１００）面のシリコン基板
１の所定領域をシリコン窒化膜４にてマスクした状態で
ＫＯＨ等の異方性エッチング液によりシリコンのエッチ
ングを行うことにより、薄肉のダイヤフラム部２が形成
されるとともに、その外周部に肉厚が徐々に変化するテ
ーパ部３が形成される。テーパ部３は、四角形状のダイ
ヤフラム部２に周囲に、四角環状に形成されている。
センサの平面図を示し、図２には、図１のＡ−Ａ断面を
示す。図１において、半導体基板としてのシリコン基板
（チップ）１の中央部には四角形状のダイヤフラム部
（薄肉部）２が形成され、その周辺部はテーパ部３とな
っている。つまり、表面が（１００）面のシリコン基板
１の所定領域をシリコン窒化膜４にてマスクした状態で
ＫＯＨ等の異方性エッチング液によりシリコンのエッチ
ングを行うことにより、薄肉のダイヤフラム部２が形成
されるとともに、その外周部に肉厚が徐々に変化するテ
ーパ部３が形成される。テーパ部３は、四角形状のダイ
ヤフラム部２に周囲に、四角環状に形成されている。
【０００８】ダイヤフラム部２には４つの感圧用歪みゲ
ージ５，６，７，８が配置されている。この歪みゲージ
５，６，７，８はシリコン基板１とは逆導電型の不純物
拡散層よりなり、イオン注入等により形成されたもので
ある。又、シリコン基板１の上面にはシリコン酸化膜９
が形成され、シリコン基板１のテーパ部３におけるシリ
コン酸化膜９上には、４つの温度補償用の抵抗１０，１
１，１２，１３が配置されている。この抵抗１０，１
１，１２，１３はＣｒＳｉ薄膜よりなる。より詳しく
は、図３，４に示すように、シリコン酸化膜９上には四
角形状のＣｒＳｉ薄膜１４が配置され、その対向する辺
の上面からは帯状のアルミ薄膜１５，１６が延びてい
る。そして、そのＣｒＳｉ薄膜１４の一部にレーザービ
ームの照射による溝（切り欠き）１７が形成され、この
溝１７の深さｄ１によりＣｒＳｉ薄膜１４の抵抗値が所
定の値となるように調整されている。
ージ５，６，７，８が配置されている。この歪みゲージ
５，６，７，８はシリコン基板１とは逆導電型の不純物
拡散層よりなり、イオン注入等により形成されたもので
ある。又、シリコン基板１の上面にはシリコン酸化膜９
が形成され、シリコン基板１のテーパ部３におけるシリ
コン酸化膜９上には、４つの温度補償用の抵抗１０，１
１，１２，１３が配置されている。この抵抗１０，１
１，１２，１３はＣｒＳｉ薄膜よりなる。より詳しく
は、図３，４に示すように、シリコン酸化膜９上には四
角形状のＣｒＳｉ薄膜１４が配置され、その対向する辺
の上面からは帯状のアルミ薄膜１５，１６が延びてい
る。そして、そのＣｒＳｉ薄膜１４の一部にレーザービ
ームの照射による溝（切り欠き）１７が形成され、この
溝１７の深さｄ１によりＣｒＳｉ薄膜１４の抵抗値が所
定の値となるように調整されている。
【０００９】図１に示すように、抵抗１０〜１３は同じ
電歪特性を有し、かつ、同じ歪みが作用する箇所（図１
においては同じ歪みが作用する等歪線Ｌ３上）に配置さ
れている。より詳しくは、抵抗１０，１１は、図１にお
いて四角環状のテーパ部３での右辺に配置され、かつ、
線Ｌ１に対して線対称となっている。線Ｌ１は、ダイヤ
フラム部２の中心を通り、かつ四角形状のダイヤフラム
部２の辺を二等分する線である。又、抵抗１２，１３
は、図１において四角環状のテーパ部３での下辺に配置
され、かつ、線Ｌ２に対して線対称となっている。線Ｌ
２は、ダイヤフラム部２の中心を通り、かつ、前述の線
Ｌ１に対し直交する（四角形状のダイヤフラム部２の辺
を二等分する）線である。
電歪特性を有し、かつ、同じ歪みが作用する箇所（図１
においては同じ歪みが作用する等歪線Ｌ３上）に配置さ
れている。より詳しくは、抵抗１０，１１は、図１にお
いて四角環状のテーパ部３での右辺に配置され、かつ、
線Ｌ１に対して線対称となっている。線Ｌ１は、ダイヤ
フラム部２の中心を通り、かつ四角形状のダイヤフラム
部２の辺を二等分する線である。又、抵抗１２，１３
は、図１において四角環状のテーパ部３での下辺に配置
され、かつ、線Ｌ２に対して線対称となっている。線Ｌ
２は、ダイヤフラム部２の中心を通り、かつ、前述の線
Ｌ１に対し直交する（四角形状のダイヤフラム部２の辺
を二等分する）線である。
【００１０】図５には、回路構成を示す。４つの歪みゲ
ージ５，６，７，８がフルブリッジ接続され、歪みゲー
ジ５と８との間の接続点ａには定電圧端子Ｖc が接続さ
れ、定電圧が印加されるようになっている。歪みゲージ
７には抵抗１０が直列接続され、他端がアースされてい
る。歪みゲージ６には抵抗１１が直列接続され、他端が
アースされている。この二つの抵抗１０，１１が対をな
し、各抵抗１０，１１の相対的な抵抗値によりブリッジ
回路のアース側抵抗値が決定される。
ージ５，６，７，８がフルブリッジ接続され、歪みゲー
ジ５と８との間の接続点ａには定電圧端子Ｖc が接続さ
れ、定電圧が印加されるようになっている。歪みゲージ
７には抵抗１０が直列接続され、他端がアースされてい
る。歪みゲージ６には抵抗１１が直列接続され、他端が
アースされている。この二つの抵抗１０，１１が対をな
し、各抵抗１０，１１の相対的な抵抗値によりブリッジ
回路のアース側抵抗値が決定される。
【００１１】又、歪みゲージ８と７との間の接続点ｂに
は抵抗１３を介して定電圧端子Ｖcが接続されている。
歪みゲージ５と６との間の接続点ｃには抵抗１２を介し
て定電圧端子Ｖc が接続されている。この二つの抵抗１
２，１３が対をなし、接続点ｂ，ｃ間に抵抗１２，１３
の抵抗値により決まる電圧が印加される。つまり、各抵
抗１２，１３の相対的な抵抗値によりｂ，ｃ間の印加電
圧が決定される。
は抵抗１３を介して定電圧端子Ｖcが接続されている。
歪みゲージ５と６との間の接続点ｃには抵抗１２を介し
て定電圧端子Ｖc が接続されている。この二つの抵抗１
２，１３が対をなし、接続点ｂ，ｃ間に抵抗１２，１３
の抵抗値により決まる電圧が印加される。つまり、各抵
抗１２，１３の相対的な抵抗値によりｂ，ｃ間の印加電
圧が決定される。
【００１２】この４つの温度補償用の抵抗１０，１１，
１２，１３にて周辺回路としての温度補償回路が形成さ
れ、前述したようにレーザーにより抵抗値を調整するこ
とにより所望の温度補償特性を得ることができる。
１２，１３にて周辺回路としての温度補償回路が形成さ
れ、前述したようにレーザーにより抵抗値を調整するこ
とにより所望の温度補償特性を得ることができる。
【００１３】さらに、接続点ｂとｃとの間には電圧計１
８が接続され、この電圧計１８によりｂ，ｃ間の電圧が
測定される。そして、ダイヤフラム部２に圧力が加わ
り、ダイヤフラム部２に歪みが発生すると、感圧用歪み
ゲージ５，６，７，８の抵抗値が変化し、この抵抗値変
化によりブリッジ回路の出力が変化し圧力が検出され
る。このように、歪みゲージ５，６，７，８によりダイ
ヤフラム部２に加わる歪みが検出される。
８が接続され、この電圧計１８によりｂ，ｃ間の電圧が
測定される。そして、ダイヤフラム部２に圧力が加わ
り、ダイヤフラム部２に歪みが発生すると、感圧用歪み
ゲージ５，６，７，８の抵抗値が変化し、この抵抗値変
化によりブリッジ回路の出力が変化し圧力が検出され
る。このように、歪みゲージ５，６，７，８によりダイ
ヤフラム部２に加わる歪みが検出される。
【００１４】又、センサの圧力測定温度（雰囲気温度）
が変化すると、各抵抗１０，１１，１２，１３の抵抗値
も変化し、センサ出力（電圧計１８の測定値）が一定値
に保たれるようになっている。
が変化すると、各抵抗１０，１１，１２，１３の抵抗値
も変化し、センサ出力（電圧計１８の測定値）が一定値
に保たれるようになっている。
【００１５】ここで、抵抗１０，１１，１２，１３とし
て用いているＣｒＳｉ薄膜は歪みにより抵抗値が変化す
るが、対をなす各抵抗１０と１１、および抵抗１２と１
３とは、テーパ部３における同じ歪みが作用する箇所に
配置されているので、各対の抵抗値も相対的に変化し、
温度補償特性には影響を与えず、応力の影響を受けるこ
とがない。
て用いているＣｒＳｉ薄膜は歪みにより抵抗値が変化す
るが、対をなす各抵抗１０と１１、および抵抗１２と１
３とは、テーパ部３における同じ歪みが作用する箇所に
配置されているので、各対の抵抗値も相対的に変化し、
温度補償特性には影響を与えず、応力の影響を受けるこ
とがない。
【００１６】図６には応力と抵抗変化率との測定結果を
示す。図６の縦軸の抵抗変化率は５００ｋｇ／ｃｍ2 を
基準としている。図６に示すように、薄膜抵抗１０〜１
３への応力と抵抗変化率とは比例関係にあり、応力が大
きいほど抵抗変化率も大きくなる。各抵抗１０〜１３が
図６に示す特性を有しているので、高圧が印加される圧
力センサにおいては、応力による抵抗変化が大きくなる
が対をなす抵抗（１０と１１、１２と１３）の抵抗値の
比は一定値を保持する。よって、高圧センサにおいても
温度補償特性が維持できる。又、高精度な圧力センサの
仕様に対しても応力に対し抵抗変化の誤差を実用上支障
のない範囲内にすることができる。
示す。図６の縦軸の抵抗変化率は５００ｋｇ／ｃｍ2 を
基準としている。図６に示すように、薄膜抵抗１０〜１
３への応力と抵抗変化率とは比例関係にあり、応力が大
きいほど抵抗変化率も大きくなる。各抵抗１０〜１３が
図６に示す特性を有しているので、高圧が印加される圧
力センサにおいては、応力による抵抗変化が大きくなる
が対をなす抵抗（１０と１１、１２と１３）の抵抗値の
比は一定値を保持する。よって、高圧センサにおいても
温度補償特性が維持できる。又、高精度な圧力センサの
仕様に対しても応力に対し抵抗変化の誤差を実用上支障
のない範囲内にすることができる。
【００１７】つまり、圧力応力のＦＥＭ解析により、圧
力応力はダイヤフラム部２のエッジ部では８００ｋｇ／
ｃｍ2 の応力を受けることが分かっており、特に高圧セ
ンサではその応力が緩和されるのにテーパ部３の端まで
を要する。そこで、圧力センサの精度を確保しつつセン
サチップの面積をアップすることなく、応力の影響を避
けるため、応力発生源のダイヤフラム部に対し薄膜抵抗
１０〜１３をテーパ部３に配置することで対をなす抵抗
（１０と１１、１２と１３）の抵抗変化が同程度となり
温度補償特性を保つことができる。
力応力はダイヤフラム部２のエッジ部では８００ｋｇ／
ｃｍ2 の応力を受けることが分かっており、特に高圧セ
ンサではその応力が緩和されるのにテーパ部３の端まで
を要する。そこで、圧力センサの精度を確保しつつセン
サチップの面積をアップすることなく、応力の影響を避
けるため、応力発生源のダイヤフラム部に対し薄膜抵抗
１０〜１３をテーパ部３に配置することで対をなす抵抗
（１０と１１、１２と１３）の抵抗変化が同程度となり
温度補償特性を保つことができる。
【００１８】このように本実施の形態では、温度補償回
路（周辺回路）における相対的な抵抗値により所定の特
性を得るための各抵抗（１０と１１、１２と１３）を、
テーパ部３における同じ歪みが作用する箇所に配置した
ので、テーパ部３も歪みが加わり、温度補償回路（周辺
回路）における対となっている各抵抗（１０と１１、１
２と１３）の抵抗値が変化するが、相対的であり温度補
償特性は維持できる。よって、歪み（応力）による影響
を受けず、かつ、面積も増加させない構造とすることが
でき、集積化に優れたものとなる。
路（周辺回路）における相対的な抵抗値により所定の特
性を得るための各抵抗（１０と１１、１２と１３）を、
テーパ部３における同じ歪みが作用する箇所に配置した
ので、テーパ部３も歪みが加わり、温度補償回路（周辺
回路）における対となっている各抵抗（１０と１１、１
２と１３）の抵抗値が変化するが、相対的であり温度補
償特性は維持できる。よって、歪み（応力）による影響
を受けず、かつ、面積も増加させない構造とすることが
でき、集積化に優れたものとなる。
【００１９】これまでに説明してきた例の他にも次のよ
うに実施してもよい。図７に示すように、周辺回路にお
いて抵抗１９と抵抗２０とからなる直列回路の一端に定
電圧端子Ｖc を接続し他端をアースし、その抵抗１９，
２０間から出力端子を接続する場合に抵抗１９と抵抗２
０とをテーパ部３に配置してもよい。
うに実施してもよい。図７に示すように、周辺回路にお
いて抵抗１９と抵抗２０とからなる直列回路の一端に定
電圧端子Ｖc を接続し他端をアースし、その抵抗１９，
２０間から出力端子を接続する場合に抵抗１９と抵抗２
０とをテーパ部３に配置してもよい。
【００２０】又、図８，９に示すように、テーパ部３に
おいて抵抗２１，２２をダイヤフラム部２の中心点Ｐ１
に対し点対称となるように配置してもよい。又、ダイヤ
フラム部２に配置される歪みゲージを４つ設けフルブリ
ッジ回路とする以外にも、歪みゲージを２つ設けハーフ
ブリッジ回路としてもよい。
おいて抵抗２１，２２をダイヤフラム部２の中心点Ｐ１
に対し点対称となるように配置してもよい。又、ダイヤ
フラム部２に配置される歪みゲージを４つ設けフルブリ
ッジ回路とする以外にも、歪みゲージを２つ設けハーフ
ブリッジ回路としてもよい。
【００２１】又、圧力センサの他にも、図１０，１１に
示すように、加速度センサに具体化してもよい。つま
り、台座２３の上にシリコン基板２４が接合され、シリ
コン基板２４の外周部には四角枠部２５が形成されると
ともに、シリコン基板２４には上下に貫通する溝２６が
形成され、この溝２６により基板２４の中央部に四角形
状の重り部２７が区画形成されている。重り部２７は四
角枠部２５に対し梁部（薄肉部）２８，２９により連結
支持されている。溝２６の周辺部にはテーパ部３０ａ，
３０ｂが形成されている。梁部２８，２９に歪みゲージ
３１，３２が配置され、図１１においてＸにて示す方向
に加速度が加わった際の加速度による歪みの大きさが検
出される。重り部２７でのテーパ部３０ｂにおけるシリ
コン酸化膜３５上には２つの抵抗３３，３４が配置さ
れ、この抵抗３３，３４は同じ歪みが作用する等歪線
（図１０中、Ｌ４で示す）上に配置されている。
示すように、加速度センサに具体化してもよい。つま
り、台座２３の上にシリコン基板２４が接合され、シリ
コン基板２４の外周部には四角枠部２５が形成されると
ともに、シリコン基板２４には上下に貫通する溝２６が
形成され、この溝２６により基板２４の中央部に四角形
状の重り部２７が区画形成されている。重り部２７は四
角枠部２５に対し梁部（薄肉部）２８，２９により連結
支持されている。溝２６の周辺部にはテーパ部３０ａ，
３０ｂが形成されている。梁部２８，２９に歪みゲージ
３１，３２が配置され、図１１においてＸにて示す方向
に加速度が加わった際の加速度による歪みの大きさが検
出される。重り部２７でのテーパ部３０ｂにおけるシリ
コン酸化膜３５上には２つの抵抗３３，３４が配置さ
れ、この抵抗３３，３４は同じ歪みが作用する等歪線
（図１０中、Ｌ４で示す）上に配置されている。
【図１】 発明の実施の形態における集積化圧力センサ
の平面図。
の平面図。
【図２】 図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】 集積化圧力センサの一部拡大平面図。
【図４】 図３のＢ−Ｂ断面図。
【図５】 電気的構成を示す電気回路図。
【図６】 応力と抵抗変化率との関係を示す特性図。
【図７】 別例における電気的構成を示す電気回路図。
【図８】 別例における集積化圧力センサの平面図。
【図９】 図８のＣ−Ｃ断面図。
【図１０】 集積化加速度センサの平面図。
【図１１】 図１０のＤ−Ｄ断面図。
１…半導体基板としてのシリコン基板、２…薄肉部とし
てのダイヤフラム部、３…テーパ部、５…歪みゲージ、
６…歪みゲージ、７…歪みゲージ、８…歪みゲージ、１
０…抵抗、１１…抵抗、１２…抵抗、１３…抵抗、１９
…抵抗、２０…抵抗、２１…抵抗、２２…抵抗、２４…
半導体基板としてのシリコン基板、２８…薄肉部として
の梁部、２９…薄肉部としての梁部、３０ａ…テーパ
部、３１…歪みゲージ、３２…歪みゲージ、３３…抵
抗、３４…抵抗。
てのダイヤフラム部、３…テーパ部、５…歪みゲージ、
６…歪みゲージ、７…歪みゲージ、８…歪みゲージ、１
０…抵抗、１１…抵抗、１２…抵抗、１３…抵抗、１９
…抵抗、２０…抵抗、２１…抵抗、２２…抵抗、２４…
半導体基板としてのシリコン基板、２８…薄肉部として
の梁部、２９…薄肉部としての梁部、３０ａ…テーパ
部、３１…歪みゲージ、３２…歪みゲージ、３３…抵
抗、３４…抵抗。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の一部に形成された薄肉部
と、 前記薄肉部に配置され、薄肉部に加わる歪みを検出する
歪みゲージと、 前記半導体基板における薄肉部以外の箇所に配置された
周辺回路とを備えた集積化センサであって、 相対的な抵抗値により所定の特性を得るための各抵抗
を、半導体基板において薄肉部の周辺での肉厚が徐々に
変化するテーパ部における同じ歪みが作用する箇所に配
置したことを特徴とする集積化センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29017495A JP3509336B2 (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 集積化センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29017495A JP3509336B2 (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 集積化センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09133595A true JPH09133595A (ja) | 1997-05-20 |
| JP3509336B2 JP3509336B2 (ja) | 2004-03-22 |
Family
ID=17752714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29017495A Expired - Fee Related JP3509336B2 (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 集積化センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3509336B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108253877A (zh) * | 2016-12-29 | 2018-07-06 | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 | 带cmos温度传感器的温度补偿型半导体应变计 |
-
1995
- 1995-11-08 JP JP29017495A patent/JP3509336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108253877A (zh) * | 2016-12-29 | 2018-07-06 | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 | 带cmos温度传感器的温度补偿型半导体应变计 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3509336B2 (ja) | 2004-03-22 |
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