JPH09125283A - 耐食性被覆を有する金属部材とその被覆形成方法 - Google Patents
耐食性被覆を有する金属部材とその被覆形成方法Info
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- JPH09125283A JPH09125283A JP28507395A JP28507395A JPH09125283A JP H09125283 A JPH09125283 A JP H09125283A JP 28507395 A JP28507395 A JP 28507395A JP 28507395 A JP28507395 A JP 28507395A JP H09125283 A JPH09125283 A JP H09125283A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】水が存在する環境中で使用する耐食性に優れた
鉄系または非鉄金属からなる金属部材の提供にある。 【解決手段】水が存在する環境中で使用する鉄系または
非鉄金属からなる金属部材１において、Ｈ2Ｏ分子ある
いＯＨ~イオンの酸化反応で酸素が発生し、金属材料の
電気化学的電極電位が前記金属部材と金属イオンとの標
準酸化還元電位より貴に変化する金属酸化物からなる高
耐食性皮膜２を前記金属部材１の表面に形成する。
鉄系または非鉄金属からなる金属部材の提供にある。 【解決手段】水が存在する環境中で使用する鉄系または
非鉄金属からなる金属部材１において、Ｈ2Ｏ分子ある
いＯＨ~イオンの酸化反応で酸素が発生し、金属材料の
電気化学的電極電位が前記金属部材と金属イオンとの標
準酸化還元電位より貴に変化する金属酸化物からなる高
耐食性皮膜２を前記金属部材１の表面に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属材料の腐食を抑
制するための金属の被覆形成方法に関する。
制するための金属の被覆形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、金属材料の腐食抑制技術として合
金化元素の添加、腐食環境中への腐食抑制剤の添加ある
いは耐食性材料の被覆が行われている。合金化は添加元
素の影響により金属材料の物性を変化させることがあり
添加量の範囲に制限があった。また、腐食抑制剤は定期
的にその濃度を管理しなければならないと云う問題があ
る。
金化元素の添加、腐食環境中への腐食抑制剤の添加ある
いは耐食性材料の被覆が行われている。合金化は添加元
素の影響により金属材料の物性を変化させることがあり
添加量の範囲に制限があった。また、腐食抑制剤は定期
的にその濃度を管理しなければならないと云う問題があ
る。
【０００３】また、金属材料の被覆処理は、材料の機械
的特性を変化させず、さらに加工後にその表面のみに耐
食性を付与することができる方法である。被覆する材料
により、金属被覆、無機被覆、有機被覆に分類できる。
的特性を変化させず、さらに加工後にその表面のみに耐
食性を付与することができる方法である。被覆する材料
により、金属被覆、無機被覆、有機被覆に分類できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、被覆処理にお
いては、皮膜自身の性質やその処理方法の不完全さ、あ
るいは処理後の損傷などにより基板金属に腐食が発生す
ると云う問題があった。
いては、皮膜自身の性質やその処理方法の不完全さ、あ
るいは処理後の損傷などにより基板金属に腐食が発生す
ると云う問題があった。
【０００５】無機被覆では、処理後に受けた機械的損傷
部や、熱的ショックにより割れた部分から腐食性物質が
進入し基板金属が腐食される。
部や、熱的ショックにより割れた部分から腐食性物質が
進入し基板金属が腐食される。
【０００６】また、有機被覆では、被覆物質が吸湿性を
有する場合や、被覆物質中に含まれている腐食性の不純
物の作用、あるいは被覆物質の飛散等により、腐食され
る恐れがあった。
有する場合や、被覆物質中に含まれている腐食性の不純
物の作用、あるいは被覆物質の飛散等により、腐食され
る恐れがあった。
【０００７】金属被覆では、基板金属より電気化学的電
極電位が貴である金属を被覆した場合、被覆に形状的な
欠陥があると基板金属がアノードとなり被覆金属がカソ
ードとなって、基板金属が腐食される。一方基板金属よ
り電気化学的電極電位が卑である金属を被覆すると、皮
膜に多少の欠陥があっても被覆金属が犠牲陽極として作
用するために、防食効果を維持できる。但し、皮膜の欠
陥が多いと犠牲陽極としての作用も弱くなり、基板金属
が腐食される。
極電位が貴である金属を被覆した場合、被覆に形状的な
欠陥があると基板金属がアノードとなり被覆金属がカソ
ードとなって、基板金属が腐食される。一方基板金属よ
り電気化学的電極電位が卑である金属を被覆すると、皮
膜に多少の欠陥があっても被覆金属が犠牲陽極として作
用するために、防食効果を維持できる。但し、皮膜の欠
陥が多いと犠牲陽極としての作用も弱くなり、基板金属
が腐食される。
【０００８】以上のように従来の被覆処理では基板金属
の腐食を完全に抑制することができないと云う問題があ
った。
の腐食を完全に抑制することができないと云う問題があ
った。
【０００９】本発明の目的は、耐食性被覆を有する金属
部材とその被覆形成方法を提供することにある。
部材とその被覆形成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。
明の要旨は次のとおりである。
【００１１】水が存在する環境中で使用する鉄系または
非鉄金属からなる金属部材において、酸素発生反応を促
進させ、かつ、酸素還元反応を抑制する触媒物質が、前
記金属部材の表面に形成されていることを特徴とする耐
食性被覆を有する金属部材にある。
非鉄金属からなる金属部材において、酸素発生反応を促
進させ、かつ、酸素還元反応を抑制する触媒物質が、前
記金属部材の表面に形成されていることを特徴とする耐
食性被覆を有する金属部材にある。
【００１２】即ち、本発明は、Ｈ2Ｏ分子あるいＯＨ~イ
オンの酸化反応で酸素が発生し、金属部材の電気化学的
電極電位が、その部材金属と金属イオンの標準酸化還元
電位より貴に変化する金属酸化物を基板金属上に形成
し、該金属部材の溶解を抑制することにある。
オンの酸化反応で酸素が発生し、金属部材の電気化学的
電極電位が、その部材金属と金属イオンの標準酸化還元
電位より貴に変化する金属酸化物を基板金属上に形成
し、該金属部材の溶解を抑制することにある。
【００１３】また本発明は、金属部材上に少なくとも二
層の皮膜を形成し、その外層には水の酸化還元反応を促
進させる金属酸化物で、かつ、その物質の電気的特性が
ｐ型半導体である物質を、および、内層には電気的特性
がｎ型半導体である物質を形成し、部材金属の溶解を抑
制することにある。
層の皮膜を形成し、その外層には水の酸化還元反応を促
進させる金属酸化物で、かつ、その物質の電気的特性が
ｐ型半導体である物質を、および、内層には電気的特性
がｎ型半導体である物質を形成し、部材金属の溶解を抑
制することにある。
【００１４】また本発明は、酸素発生反応を促進し、か
つ、酸素還元反応を抑制する金属酸化物のイオンもしく
はラジカルを物理的および／または化学的に形成した雰
囲気中に対象の金属部材を設置、あるいは前記イオンも
しくはラジカルを金属部材表面に照射することにより前
記金属酸化物を形成する金属部材の被覆形成方法にあ
る。
つ、酸素還元反応を抑制する金属酸化物のイオンもしく
はラジカルを物理的および／または化学的に形成した雰
囲気中に対象の金属部材を設置、あるいは前記イオンも
しくはラジカルを金属部材表面に照射することにより前
記金属酸化物を形成する金属部材の被覆形成方法にあ
る。
【００１５】また本発明は、酸素発生反応を促進させ、
かつ、酸素還元反応を抑制する金属酸化物を構成する元
素を含む溶液中に金属部材を浸漬し、該金属部材に一定
の電圧もしくは電流を加えることにより前記金属酸化物
を金属部材表面に形成する金属部材の被覆形成方法にあ
る。
かつ、酸素還元反応を抑制する金属酸化物を構成する元
素を含む溶液中に金属部材を浸漬し、該金属部材に一定
の電圧もしくは電流を加えることにより前記金属酸化物
を金属部材表面に形成する金属部材の被覆形成方法にあ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】金属部材の表面に高耐食性の物質
が欠陥なく形成されておれば、その物質が溶解しない限
り金属が腐食されることはない。しかし、被覆した物質
に形状的な欠陥があれば、その欠陥部分から腐食性物質
が侵入して金属部材の腐食が進行する。
が欠陥なく形成されておれば、その物質が溶解しない限
り金属が腐食されることはない。しかし、被覆した物質
に形状的な欠陥があれば、その欠陥部分から腐食性物質
が侵入して金属部材の腐食が進行する。
【００１７】腐食反応は電気化学的に進行するため、特
定の環境において金属材料の腐食が進行するか否かは、
反応系に存在する化学物質の電気化学的電極電位を比較
することにより推定できる。従って、防食法としては金
属材料上で起こる酸化還元反応を制御し、金属材料の電
極電位を不動態域に移動させればよい。
定の環境において金属材料の腐食が進行するか否かは、
反応系に存在する化学物質の電気化学的電極電位を比較
することにより推定できる。従って、防食法としては金
属材料上で起こる酸化還元反応を制御し、金属材料の電
極電位を不動態域に移動させればよい。
【００１８】水溶液中や水分を含む大気中に金属材料を
曝露したときに金属材料上で生じる電気化学反応は、そ
の環境により大きく異なるが、基本的な反応は金属材料
の溶解析出反応と水の分解合成反応である。さらに水の
分解合成反応は酸素の酸化還元反応と水素の酸化還元反
応に分けられる。水素の存在しない通常の環境下におけ
る酸化反応は、金属の溶解反応と酸素発生反応であり、
酸素発生反応は起こらないか、起こっても金属の溶解反
応に比べて反応速度が小さいために、金属の溶解反応の
みが起こるのである。
曝露したときに金属材料上で生じる電気化学反応は、そ
の環境により大きく異なるが、基本的な反応は金属材料
の溶解析出反応と水の分解合成反応である。さらに水の
分解合成反応は酸素の酸化還元反応と水素の酸化還元反
応に分けられる。水素の存在しない通常の環境下におけ
る酸化反応は、金属の溶解反応と酸素発生反応であり、
酸素発生反応は起こらないか、起こっても金属の溶解反
応に比べて反応速度が小さいために、金属の溶解反応の
みが起こるのである。
【００１９】そこで金属部材表面に酸素発生反応を促進
する金属酸化物を形成し、金属部材の電極電位を不動態
域、あるいは金属の溶解反応速度よりも酸素発生反応速
度の大きな電極電位域に移動させれば、金属部材の溶解
反応、即ち、金属部材の腐食を抑制することができる。
する金属酸化物を形成し、金属部材の電極電位を不動態
域、あるいは金属の溶解反応速度よりも酸素発生反応速
度の大きな電極電位域に移動させれば、金属部材の溶解
反応、即ち、金属部材の腐食を抑制することができる。
【００２０】このような酸素発生反応を促進させる金属
酸化物を構成する元素としては、Ｂａ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉ
ｒ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｒｕ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｔｉが挙げられる。
酸化物を構成する元素としては、Ｂａ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉ
ｒ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｒｕ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｔｉが挙げられる。
【００２１】実際に酸素発生反応を促進させる金属酸化
物としては、酸素発生反応が起こる電位域で安定に存在
することが必要であり、特に、σ＊バンドに電子を有す
るペロブスカイト酸化物やスピネル酸化物が触媒活性を
示す。
物としては、酸素発生反応が起こる電位域で安定に存在
することが必要であり、特に、σ＊バンドに電子を有す
るペロブスカイト酸化物やスピネル酸化物が触媒活性を
示す。
【００２２】このような触媒物質としては、Ｃｏ3Ｏ4、
Ｆｅ3Ｏ4、ＩｒＯ2、ＭｎＯ2、ＮｉＯ、ＴｉＯ2、Ｐｂ
Ｏ2、ＰｄＯ、ＰｔＯ2、Ｒｈ2Ｏ3、ＲｕＯ2、ＳｎＯ2、
ＦｅＣｏ2Ｏ4、Ｌａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3、ＬａＮｉＯ3、
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4ＭｎＯ3、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3、Ｎｄ
ＳｒＣｏＯ3、ＮｉＣｏ2Ｏ4、ＳｒＦｅＯ3等の酸化物が
挙げられる。これらの酸化物の１種以上の混合物の皮膜
を金属部材の表面上に形成することにより高耐食性を付
与できる。
Ｆｅ3Ｏ4、ＩｒＯ2、ＭｎＯ2、ＮｉＯ、ＴｉＯ2、Ｐｂ
Ｏ2、ＰｄＯ、ＰｔＯ2、Ｒｈ2Ｏ3、ＲｕＯ2、ＳｎＯ2、
ＦｅＣｏ2Ｏ4、Ｌａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3、ＬａＮｉＯ3、
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4ＭｎＯ3、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3、Ｎｄ
ＳｒＣｏＯ3、ＮｉＣｏ2Ｏ4、ＳｒＦｅＯ3等の酸化物が
挙げられる。これらの酸化物の１種以上の混合物の皮膜
を金属部材の表面上に形成することにより高耐食性を付
与できる。
【００２３】通常、酸素発生反応を促進させる触媒物質
は、同時にその逆反応である酸素還元反応に対しても触
媒物質であることが多い。しかし、通常の腐食反応は酸
素還元反応が律速段階であることが多く、酸素還元反応
速度が大きくなると金属部材の腐食が加速する。従っ
て、金属酸化物の特徴として、酸素発生反応のみを促進
させ、かつ、酸素還元反応を抑制する金属酸化物、ある
いは金属酸化物が電気的にｐ型半導体であることによ
り、酸素還元反応に不活性であるものが望ましい。
は、同時にその逆反応である酸素還元反応に対しても触
媒物質であることが多い。しかし、通常の腐食反応は酸
素還元反応が律速段階であることが多く、酸素還元反応
速度が大きくなると金属部材の腐食が加速する。従っ
て、金属酸化物の特徴として、酸素発生反応のみを促進
させ、かつ、酸素還元反応を抑制する金属酸化物、ある
いは金属酸化物が電気的にｐ型半導体であることによ
り、酸素還元反応に不活性であるものが望ましい。
【００２４】また、電気的にｐ型半導体で酸素発生反応
を促進する金属酸化物を、ｎ型半導体物質と組み合わせ
ることにより、金属部材の表面の耐食性をさらに向上で
きることが期待できる。
を促進する金属酸化物を、ｎ型半導体物質と組み合わせ
ることにより、金属部材の表面の耐食性をさらに向上で
きることが期待できる。
【００２５】即ち、金属部材の表面に外層に酸素発生反
応を促進するｐ型半導体の金属酸化物を形成し、内層に
ｎ型半導体物質を形成することによりｐ−ｎ接合皮膜を
金属部材の表面に形成する。このｐ−ｎ接合皮膜を形成
した金属部材を水溶液中で電気化学的にアノード方向に
分極すると、ｐ−ｎ接合皮膜の整流作用により水溶液か
ら金属部材側への電子移行が抑制され、アノード電子移
行反応が進行しにくくなり、金属部材の溶解反応は抑制
される。
応を促進するｐ型半導体の金属酸化物を形成し、内層に
ｎ型半導体物質を形成することによりｐ−ｎ接合皮膜を
金属部材の表面に形成する。このｐ−ｎ接合皮膜を形成
した金属部材を水溶液中で電気化学的にアノード方向に
分極すると、ｐ−ｎ接合皮膜の整流作用により水溶液か
ら金属部材側への電子移行が抑制され、アノード電子移
行反応が進行しにくくなり、金属部材の溶解反応は抑制
される。
【００２６】上記の整流作用を発現させるには、水溶液
から金属部材への電子のトンネル透過が起こらないこと
が前提条件となるため、ｐ−ｎ接合皮膜の厚さは少なく
とも１ｎｍは必要である。
から金属部材への電子のトンネル透過が起こらないこと
が前提条件となるため、ｐ−ｎ接合皮膜の厚さは少なく
とも１ｎｍは必要である。
【００２７】前記ｐ型半導体金属酸化物としては、Ｆｅ
Ｏ、ＣｏＣｒ2Ｏ4、ＦｅＣｒ2Ｏ4、ＭｎＯ、Ｍｎ3Ｏ4、
Ｍｎ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ3Ｏ4、ＰｄＯ、ＣｏＡ
ｌ2Ｏ4、ＮｉＡｌ2Ｏ4等がある。
Ｏ、ＣｏＣｒ2Ｏ4、ＦｅＣｒ2Ｏ4、ＭｎＯ、Ｍｎ3Ｏ4、
Ｍｎ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ3Ｏ4、ＰｄＯ、ＣｏＡ
ｌ2Ｏ4、ＮｉＡｌ2Ｏ4等がある。
【００２８】また、ｎ型半導体金属酸化物としては、Ｓ
ｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ
2Ｏ3、ＭｏＯ3、ＷＯ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2
Ｏ4、ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＺｎＣｏ2Ｏ4、Ｚ
ｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＡｌ2Ｏ4、ＳｎＯ
2、ＰｂＯ2等がある。
ｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ
2Ｏ3、ＭｏＯ3、ＷＯ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2
Ｏ4、ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＺｎＣｏ2Ｏ4、Ｚ
ｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＡｌ2Ｏ4、ＳｎＯ
2、ＰｂＯ2等がある。
【００２９】上記の金属部材は、酸素発生触媒上が酸化
反応場、金属部材の表面が還元反応場となるため、形成
した皮膜に形状的な欠陥が生じていても防食皮膜として
の性能は劣化しない。
反応場、金属部材の表面が還元反応場となるため、形成
した皮膜に形状的な欠陥が生じていても防食皮膜として
の性能は劣化しない。
【００３０】
【実施例】次に、本発明を実施例により、具体的に説明
する。
する。
【００３１】〔実施例 １〕図１は、本発明の防食皮膜
を施した金属部材の模式断面図である。炭素鋼からなる
金属部材１上に酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還
元反応を抑制するＦｅＯからなる高耐食性皮膜２が形成
されている。この皮膜に形状的な欠陥が生じても金属部
材１の露出部では酸素の還元反応が生じ、金属の溶解反
応が抑制されるので金属部材１の腐食が抑制できる。
を施した金属部材の模式断面図である。炭素鋼からなる
金属部材１上に酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還
元反応を抑制するＦｅＯからなる高耐食性皮膜２が形成
されている。この皮膜に形状的な欠陥が生じても金属部
材１の露出部では酸素の還元反応が生じ、金属の溶解反
応が抑制されるので金属部材１の腐食が抑制できる。
【００３２】これによって、金属部材にステンレス鋼等
の高価な耐食性の金属材料に代えて、安価な金属材料を
用いることができる。
の高価な耐食性の金属材料に代えて、安価な金属材料を
用いることができる。
【００３３】〔実施例 ２〕図２は、本発明の他の実施
例である金属部材の模式断面図である。炭素鋼からなる
金属部材１上に酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還
元反応を抑制するＦｅＣｒ2Ｏ4のｐ型半導体皮膜３が形
成されている。これによって、金属の溶解反応が抑制さ
れ金属部材１の腐食が抑制できる。
例である金属部材の模式断面図である。炭素鋼からなる
金属部材１上に酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還
元反応を抑制するＦｅＣｒ2Ｏ4のｐ型半導体皮膜３が形
成されている。これによって、金属の溶解反応が抑制さ
れ金属部材１の腐食が抑制できる。
【００３４】さらにまた、金属部材１とｐ型半導体皮膜
３との間にＮｉＦｅ2Ｏ4のｎ型半導体皮膜４が形成さ
れ、ｐ−ｎ接合皮膜が形成されるために、金属部材を電
気化学的にアノード方向に分極すると、電子が移行し易
い方向は金属側から水溶液側への移行であり、電子が移
行しにくい方向は水溶液側から金属側への移行である。
このｐ−ｎ接合皮膜が厚さ１ｎｍ以上の場合は、該皮膜
の電子のトンネル透過が生じないため、水溶液側から金
属側への電子移行はしにくくなる。
３との間にＮｉＦｅ2Ｏ4のｎ型半導体皮膜４が形成さ
れ、ｐ−ｎ接合皮膜が形成されるために、金属部材を電
気化学的にアノード方向に分極すると、電子が移行し易
い方向は金属側から水溶液側への移行であり、電子が移
行しにくい方向は水溶液側から金属側への移行である。
このｐ−ｎ接合皮膜が厚さ１ｎｍ以上の場合は、該皮膜
の電子のトンネル透過が生じないため、水溶液側から金
属側への電子移行はしにくくなる。
【００３５】なお、上記のアノード方向に分極すると
は、基準電極（Ａｇ／ＡｇＣｌ）により金属部材の電位
を測定し、その電位をよりも＋方向に電位を印加するこ
とにある。
は、基準電極（Ａｇ／ＡｇＣｌ）により金属部材の電位
を測定し、その電位をよりも＋方向に電位を印加するこ
とにある。
【００３６】上記のｐ−ｎ接合皮膜は、厚さと共に水溶
液側から金属側への電子移行が抑制され、金属の溶解速
度は抑制される。安価な金属部材を用いて耐食性の向上
を図ることができる。
液側から金属側への電子移行が抑制され、金属の溶解速
度は抑制される。安価な金属部材を用いて耐食性の向上
を図ることができる。
【００３７】〔実施例 ３〕図３は本発明の高耐食性皮
膜を施した金属材（Ｆｅ）からなる金属部材を電気化学
的にアノード方向に分極した際の電流−電位挙動を示す
分極曲線図である。
膜を施した金属材（Ｆｅ）からなる金属部材を電気化学
的にアノード方向に分極した際の電流−電位挙動を示す
分極曲線図である。
【００３８】無処理のＦｅでは、電位をアノード側に走
査すると急激に電流が流れ、Ｆｅが著しく腐食され易い
ことが分かる。
査すると急激に電流が流れ、Ｆｅが著しく腐食され易い
ことが分かる。
【００３９】一方、本発明の酸素発生反応を促進させ、
酸素還元反応を抑制するＦｅＣｒ2Ｏ4をＦｅ金属部材上
に形成した被覆材では、アノード方向に走査しても急激
な電流の増加は見られず、耐食性が向上することが確認
できた。
酸素還元反応を抑制するＦｅＣｒ2Ｏ4をＦｅ金属部材上
に形成した被覆材では、アノード方向に走査しても急激
な電流の増加は見られず、耐食性が向上することが確認
できた。
【００４０】さらに、ｐ−ｎ接合皮膜を形成するため
に、Ｆｅの上にＮｉＦｅ2Ｏ4を形成し、その上にＦｅＣ
ｒ2Ｏ4を形成したｐ−ｎ皮膜被覆材では、アノード方向
に分極した際の電流は小さく、耐食性が一層向上するこ
とが確認できた。
に、Ｆｅの上にＮｉＦｅ2Ｏ4を形成し、その上にＦｅＣ
ｒ2Ｏ4を形成したｐ−ｎ皮膜被覆材では、アノード方向
に分極した際の電流は小さく、耐食性が一層向上するこ
とが確認できた。
【００４１】〔実施例 ４〕図４は前記の耐食性皮膜を
形成するためのスパッタ装置の概略図である。真空チャ
ンバ８内に炭素鋼からなる金属部材１と、酸素発生反応
を促進させ、酸素還元反応を抑制するＦｅ2Ｏ3５が取り
付けられたスパッタカソード６とを対向設置し、アルゴ
ンガスボンベ９よりアルゴンガス（５×１０~4Ｔｏｒ
ｒ）を真空チャンバ８内に導入する。
形成するためのスパッタ装置の概略図である。真空チャ
ンバ８内に炭素鋼からなる金属部材１と、酸素発生反応
を促進させ、酸素還元反応を抑制するＦｅ2Ｏ3５が取り
付けられたスパッタカソード６とを対向設置し、アルゴ
ンガスボンベ９よりアルゴンガス（５×１０~4Ｔｏｒ
ｒ）を真空チャンバ８内に導入する。
【００４２】なお、上記の導入ガスとしてはアルゴン以
外の希ガス、または、酸素などの活性ガス、あるいはこ
れらの混合ガスでもよい。
外の希ガス、または、酸素などの活性ガス、あるいはこ
れらの混合ガスでもよい。
【００４３】スパッタカソード６に、直流（または高周
波）電源装置７から一定の高周波電流（または直流電
流）として１３.５６ＭＨｚ，１００Ｗを流し、Ｆｅ2Ｏ
3５をアルゴンガスによりスパッタリングしてラジカル
を形成し、金属部材１上にＦｅ2Ｏ3５からなる耐食性皮
膜を形成する。こうして形成された耐食性皮膜は、酸素
発生反応に対する触媒活性効果により金属部材１の腐食
を抑制することができる。
波）電源装置７から一定の高周波電流（または直流電
流）として１３.５６ＭＨｚ，１００Ｗを流し、Ｆｅ2Ｏ
3５をアルゴンガスによりスパッタリングしてラジカル
を形成し、金属部材１上にＦｅ2Ｏ3５からなる耐食性皮
膜を形成する。こうして形成された耐食性皮膜は、酸素
発生反応に対する触媒活性効果により金属部材１の腐食
を抑制することができる。
【００４４】〔実施例 ５〕図５は耐食性皮膜を形成す
るための処理装置の概略図である。真空チャンバ８内
に、金属酸化物を構成するＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉの各金属の
イオンもしくはラジカルを形成，放出する金属イオン
（ＦｅイオンまたはＦｅジカル源１０、Ｃｒイオンまた
はＣｒラジカル源１１、ＮｉイオンまたはＮｉラジカル
源１２）源を３基、金属部材１に向けて設置する。
るための処理装置の概略図である。真空チャンバ８内
に、金属酸化物を構成するＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉの各金属の
イオンもしくはラジカルを形成，放出する金属イオン
（ＦｅイオンまたはＦｅジカル源１０、Ｃｒイオンまた
はＣｒラジカル源１１、ＮｉイオンまたはＮｉラジカル
源１２）源を３基、金属部材１に向けて設置する。
【００４５】また、放出された金属イオンを酸化するた
めの酸素ラジカル（イオンまたは酸素ラジカル源１３）
源を金属部材１に向けて設置する。
めの酸素ラジカル（イオンまたは酸素ラジカル源１３）
源を金属部材１に向けて設置する。
【００４６】真空チャンバ８内を高真空に保つために、
該チャンバに併設された試料準備室１４から、試料搬送
装置１５により金属部材１が真空チャンバ８内に搬送さ
れる。
該チャンバに併設された試料準備室１４から、試料搬送
装置１５により金属部材１が真空チャンバ８内に搬送さ
れる。
【００４７】前記金属イオン源と酸素ラジカル源（１
０、１１、１２、１３）の出力を制御することにより、
高耐食性皮膜２（一層あるいは二層以上）を金属部材１
上に形成する。
０、１１、１２、１３）の出力を制御することにより、
高耐食性皮膜２（一層あるいは二層以上）を金属部材１
上に形成する。
【００４８】また、始めにｎ型半導体皮膜ＮｉＦｅ2Ｏ4
を形成し、その上にｐ型半導体皮膜ＦｅＣｒ2Ｏ4を形成
し、ｐ−ｎ接合皮膜からなる高耐食性皮膜２を金属部材
１上に形成してもよい。
を形成し、その上にｐ型半導体皮膜ＦｅＣｒ2Ｏ4を形成
し、ｐ−ｎ接合皮膜からなる高耐食性皮膜２を金属部材
１上に形成してもよい。
【００４９】こうして形成された高耐食性皮膜は、酸素
発生反応に対する触媒活性効果により金属部材１の腐食
を抑制する。また、ｐ−ｎ接合皮膜の整流作用により金
属部材１の腐食が抑制できる。
発生反応に対する触媒活性効果により金属部材１の腐食
を抑制する。また、ｐ−ｎ接合皮膜の整流作用により金
属部材１の腐食が抑制できる。
【００５０】〔実施例 ６〕図６は耐食性皮膜を形成す
るためのＣＶＤ装置の概略図である。Ｆｅ(Ｏ2Ｃ
5Ｈ7)3、Ａｌ(ＯＣ3Ｈ7)3、Ｔｉ〔ＯＣＨ(ＣＨ3)2〕4を
酸素または水蒸気と混合し、上記有機金属化合物の各蒸
気発生装置（１７、１８、１９）内で３００〜６００℃
で加熱気化する。
るためのＣＶＤ装置の概略図である。Ｆｅ(Ｏ2Ｃ
5Ｈ7)3、Ａｌ(ＯＣ3Ｈ7)3、Ｔｉ〔ＯＣＨ(ＣＨ3)2〕4を
酸素または水蒸気と混合し、上記有機金属化合物の各蒸
気発生装置（１７、１８、１９）内で３００〜６００℃
で加熱気化する。
【００５１】有機金属化合物としては、上記以外に、金
属テトラプロピル化合物、金属イソプロポキシド、金属
テトライソプロポキシ化合物、金属ペンタメトキシ化合
物、金属アセチルアセトナートなどが挙げられる。
属テトラプロピル化合物、金属イソプロポキシド、金属
テトライソプロポキシ化合物、金属ペンタメトキシ化合
物、金属アセチルアセトナートなどが挙げられる。
【００５２】上記の有機金属化合物の蒸気を皮膜形成室
１６に導入し、試料準備室１４から試料搬送装置１５に
より導入した金属部材１上に高耐食性皮膜２を形成す
る。この時、皮膜の組成は前記各蒸気発生装置（１７、
１８、１９）からの蒸気の導入量により制御する。こう
して形成されたＡｌＦｅＴｉ酸化物は、その酸素発生反
応に対する触媒活性効果により金属部材１の腐食を抑制
することができる。
１６に導入し、試料準備室１４から試料搬送装置１５に
より導入した金属部材１上に高耐食性皮膜２を形成す
る。この時、皮膜の組成は前記各蒸気発生装置（１７、
１８、１９）からの蒸気の導入量により制御する。こう
して形成されたＡｌＦｅＴｉ酸化物は、その酸素発生反
応に対する触媒活性効果により金属部材１の腐食を抑制
することができる。
【００５３】〔実施例 ７〕図７は耐食性皮膜を形成す
るためのレーザーアブレーション装置の概略図である。
真空チャンバ８内に炭素鋼からなる金属部材１とＦｅ2
Ｏ3５とを対向設置し、Ｆｅ2Ｏ3５に向かってレーザー
光発生装置２０からレーザー光（ＫｒＦエキシマレー
ザ、波長２５８ｎｍ，出力２５０Ｗ）を照射する。レー
ザー光によってＦｅ2Ｏ3５はアブレーションされて高耐
食性物質の粒子が形成される。この粒子を金属部材１上
に付着させることにより高耐食性皮膜２を形成する。
るためのレーザーアブレーション装置の概略図である。
真空チャンバ８内に炭素鋼からなる金属部材１とＦｅ2
Ｏ3５とを対向設置し、Ｆｅ2Ｏ3５に向かってレーザー
光発生装置２０からレーザー光（ＫｒＦエキシマレー
ザ、波長２５８ｎｍ，出力２５０Ｗ）を照射する。レー
ザー光によってＦｅ2Ｏ3５はアブレーションされて高耐
食性物質の粒子が形成される。この粒子を金属部材１上
に付着させることにより高耐食性皮膜２を形成する。
【００５４】こうして形成された高耐食化物質は、その
酸素発生反応に対する触媒活性効果により金属部材１の
腐食が抑制できる。
酸素発生反応に対する触媒活性効果により金属部材１の
腐食が抑制できる。
【００５５】〔実施例 ８〕図８は耐食性皮膜を形成す
るための電解析出装置の概略図である。電解槽２４中に
酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制す
るＮｉ酸化物を形成するためのＮｉＳＯ4を主成分とす
る電解液２３を入れ、ニッケルの被処理部品２１と対向
電極２２を浸漬する。対向電極２２にはＮｉ電極を用い
る（Ａｕ、Ｐｔ、Ｃのような不溶性電極でもよい）。
るための電解析出装置の概略図である。電解槽２４中に
酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制す
るＮｉ酸化物を形成するためのＮｉＳＯ4を主成分とす
る電解液２３を入れ、ニッケルの被処理部品２１と対向
電極２２を浸漬する。対向電極２２にはＮｉ電極を用い
る（Ａｕ、Ｐｔ、Ｃのような不溶性電極でもよい）。
【００５６】被処理部品２１にＤＣ７０ｍＡ／ｃｍ2の
定電流を定電流電源装置２５により印加することによ
り、Ｎｉ酸化物が被処理部品２１上に形成する。こうし
て形成されたＮｉ酸化物は、その酸素発生反応に対する
触媒活性効果により被処理部品２１の腐食を抑制する。
定電流を定電流電源装置２５により印加することによ
り、Ｎｉ酸化物が被処理部品２１上に形成する。こうし
て形成されたＮｉ酸化物は、その酸素発生反応に対する
触媒活性効果により被処理部品２１の腐食を抑制する。
【００５７】〔実施例 ９〕図９は耐食性皮膜を形成す
るための電解析出装置の概略図である。電解槽２４中に
酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制す
るＣｏＮｉ酸化物の形成のためのＣｏＮｉ硫酸塩（０.
５ｍｏｌ／ｌ）を含む電解液２３を入れ、ニッケルの被
処理部品２１を電気化学的電極電位を測定する基準電極
２６と被処理部品２１に電圧を印加するための、Ｐｔの
対向電極２２と共に浸漬する。なお、対向電極２２とし
てはＡｕ、Ｐｔ、Ｃのような不溶性電極が望ましい。
るための電解析出装置の概略図である。電解槽２４中に
酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制す
るＣｏＮｉ酸化物の形成のためのＣｏＮｉ硫酸塩（０.
５ｍｏｌ／ｌ）を含む電解液２３を入れ、ニッケルの被
処理部品２１を電気化学的電極電位を測定する基準電極
２６と被処理部品２１に電圧を印加するための、Ｐｔの
対向電極２２と共に浸漬する。なお、対向電極２２とし
てはＡｕ、Ｐｔ、Ｃのような不溶性電極が望ましい。
【００５８】この被処理部品２１に、基準電極２６に対
して一定の電位になるように電流電位制御電源装置２７
により電位を印加することにより、ＣｏＮｉ酸化物を被
処理部品２１上に形成する。このようにして形成された
ＣｏＮｉ酸化物は、その酸素発生反応に対する触媒活性
効果により被処理部品２１の腐食を抑制する。
して一定の電位になるように電流電位制御電源装置２７
により電位を印加することにより、ＣｏＮｉ酸化物を被
処理部品２１上に形成する。このようにして形成された
ＣｏＮｉ酸化物は、その酸素発生反応に対する触媒活性
効果により被処理部品２１の腐食を抑制する。
【００５９】前記各実施例により処理した金属部材を３
ｗｔ％ＮａＣｌ水溶液中に浸漬し、アノード分極法によ
り耐食性を評価した。その結果を表１に示す。
ｗｔ％ＮａＣｌ水溶液中に浸漬し、アノード分極法によ
り耐食性を評価した。その結果を表１に示す。
【００６０】
【表１】
【００６１】アノード分極法により測定した表１の不動
態保持電流比の値が小さいほど防食効果が大きいことを
示す。
態保持電流比の値が小さいほど防食効果が大きいことを
示す。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、金属部材上に酸素発生
反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制する触媒物
質の形成により優れた防食効果を与えることができ、金
属部材の腐食を抑制することができる。従って金属部材
として、高価な耐食性の金属部材に代えて、安価な金属
部材で耐食性の向上を図ることができる。
反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制する触媒物
質の形成により優れた防食効果を与えることができ、金
属部材の腐食を抑制することができる。従って金属部材
として、高価な耐食性の金属部材に代えて、安価な金属
部材で耐食性の向上を図ることができる。
【図１】本発明の防食皮膜を施した金属部材の模式断面
図である。
図である。
【図２】本発明の他の実施例の防食皮膜を施した金属部
材の模式断面図である。
材の模式断面図である。
【図３】金属部材を電気化学的にアノード方向に分極し
た際の電流−電位挙動を示す金属部材の分極曲線図であ
る。
た際の電流−電位挙動を示す金属部材の分極曲線図であ
る。
【図４】本発明の耐食性皮膜を形成するためのスパッタ
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図５】本発明の耐食性皮膜を形成するための処理装置
の概略図である。
の概略図である。
【図６】本発明の耐食性皮膜を形成するためのＣＶＤ装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図７】本発明の耐食性皮膜を形成するためのレーザー
アブレーション装置の概略図である。
アブレーション装置の概略図である。
【図８】本発明の耐食性皮膜を形成するための電解析出
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図９】本発明の耐食性皮膜を形成するための他の電解
析出装置の概略図である。
析出装置の概略図である。
１…金属部材、２…高耐食性皮膜、３…ｐ型半導体皮
膜、４…ｎ型半導体皮膜、５…Ｆｅ2Ｏ3、６…スパッタ
カソード、７…直流（または高周波）電源装置、８…真
空チャンバ、９…アルゴンガスボンベ、１０…Ｆｅイオ
ンまたはＦｅラジカル源、１１…ＣｒイオンまたはＣｒ
ラジカル源、１２…ＮｉイオンまたはＮｉラジカル源、
１３…酸素イオンまたは酸素ラジカル源、１４…試料準
備室、１５…試料搬送装置、１６…皮膜形成室、１７…
Ｆｅ(Ｏ2Ｃ5Ｈ7)3蒸気発生装置、１８…Ａｌ(ＯＣ3Ｈ7)
3蒸気発生装置、１９…Ｔｉ〔ＯＣＨ(ＣＨ3)2〕4蒸気発
生装置、２０…レーザー光発生装置、２１…被処理部
品、２２…対向電極、２３…電解液、２４…電解槽、２
５…定電圧（または定電流）電源装置、２６…基準電
極、２７…電流電位制御電源装置。
膜、４…ｎ型半導体皮膜、５…Ｆｅ2Ｏ3、６…スパッタ
カソード、７…直流（または高周波）電源装置、８…真
空チャンバ、９…アルゴンガスボンベ、１０…Ｆｅイオ
ンまたはＦｅラジカル源、１１…ＣｒイオンまたはＣｒ
ラジカル源、１２…ＮｉイオンまたはＮｉラジカル源、
１３…酸素イオンまたは酸素ラジカル源、１４…試料準
備室、１５…試料搬送装置、１６…皮膜形成室、１７…
Ｆｅ(Ｏ2Ｃ5Ｈ7)3蒸気発生装置、１８…Ａｌ(ＯＣ3Ｈ7)
3蒸気発生装置、１９…Ｔｉ〔ＯＣＨ(ＣＨ3)2〕4蒸気発
生装置、２０…レーザー光発生装置、２１…被処理部
品、２２…対向電極、２３…電解液、２４…電解槽、２
５…定電圧（または定電流）電源装置、２６…基準電
極、２７…電流電位制御電源装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｆ 15/00 Ｃ２３Ｆ 15/00 // Ｃ２３Ｃ 14/28 Ｃ２３Ｃ 14/28 14/34 14/34 Ｒ
Claims (14)
- 【請求項１】 水が存在する環境中で使用する鉄系また
は非鉄金属からなる金属部材において、酸素発生反応を
促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制する触媒物質が、
前記金属部材の表面に形成されていることを特徴とする
耐食性被覆を有する金属部材。 - 【請求項２】 前記触媒物質が、Ｃｏ3Ｏ4、Ｆｅ3Ｏ4、
ＩｒＯ2、ＭｎＯ2、ＮｉＯ、ＴｉＯ2、ＰｂＯ2、Ｐｄ
Ｏ、ＰｔＯ2、Ｒｈ2Ｏ3、ＲｕＯ2、ＳｎＯ2、ＦｅＣｏ2
Ｏ4、Ｌａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3、ＬａＮｉＯ3、Ｌａ0.6Ｓ
ｒ0.4ＭｎＯ3、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3、ＮｄＳｒＣｏ
Ｏ3、ＮｉＣｏ2Ｏ4、ＳｒＦｅＯ3の１種以上である請求
項１に記載の耐食性被覆を有する金属部材。 - 【請求項３】 水が存在する環境中で使用する鉄系また
は非鉄金属からなる金属部材において、水の酸化還元反
応を促進させ、かつ、電気的にｐ型半導体である金属酸
化物が、前記金属部材の表面に形成されていることを特
徴とする耐食性被覆を有する金属部材。 - 【請求項４】 水が存在する環境中で使用する鉄系また
は非鉄金属からなる金属部材において、Ｈ2Ｏ分子ある
いＯＨ~イオンの酸化反応で酸素が発生し、金属材料の
電気化学的電極電位が前記金属部材と金属イオンとの標
準酸化還元電位より貴に変化する金属酸化物が、前記金
属部材の表面に形成されていることを特徴とする耐食性
被覆を有する金属部材。 - 【請求項５】 水が存在する環境中で使用する鉄系また
は非鉄金属からなる金属部材において、前記金属部材の
表面に少なくとも二層の皮膜が形成されており、その外
層には水の酸化還元反応を促進させ、かつ、電気的にｐ
型半導体である金属酸化物が、内層には電気的にｎ型半
導体である物質が形成されており、前記二層の皮膜の総
厚さが１ｎｍ以上であることを特徴とする耐食性被覆を
有する金属部材。 - 【請求項６】 前記酸素発生反応を促進させ、かつ、酸
素還元反応を抑制する金属酸化物が、Ｂａ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｉｒ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｔｉの少なくとも
１種で構成されている請求項３〜５のいずれかに記載の
耐食性被覆を有する金属部材。 - 【請求項７】 前記ｐ型半導体である金属酸化物がＦｅ
Ｏ、ＣｏＣｒ2Ｏ4、ＦｅＣｒ2Ｏ4、ＭｎＯ、Ｍｎ3Ｏ4、
Ｍｎ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ3Ｏ4、ＰｄＯ、ＣｏＡ
ｌ2Ｏ4、ＮｉＡｌ2Ｏ4から選ばれる金属酸化物である請
求項３または５に記載の耐食性被覆を有する金属部材。 - 【請求項８】 前記ｎ型半導体である金属酸化物がＳｒ
Ｏ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ3、
ＭｏＯ3、ＷＯ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2Ｏ4、
ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＺｎＣｏ2Ｏ4、ＺｎＯ、
Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＡｌ2Ｏ4、ＳｎＯ2、Ｐ
ｂＯ2から選ばれる金属酸化物である請求項５に記載の
耐食性被覆を有する金属部材。 - 【請求項９】 水が存在する環境中で使用する鉄系また
は非鉄金属からなる金属部材の被覆形成方法において、 酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制す
る触媒物質を構成する元素を含む溶液中に前記金属部材
を浸漬し、該金属部材に一定の電圧もしくは電流を印加
することにより該触媒物質を金属部材表面に形成するこ
とを特徴とする金属部材の被覆形成方法。 - 【請求項１０】 前記触媒物質が、Ｃｏ3Ｏ4、Ｆｅ
3Ｏ4、ＩｒＯ2、ＭｎＯ2、ＮｉＯ、ＴｉＯ2、ＰｂＯ2、
ＰｄＯ、ＰｔＯ2、Ｒｈ2Ｏ3、ＲｕＯ2、ＳｎＯ2、Ｆｅ
Ｃｏ2Ｏ4、Ｌａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3、ＬａＮｉＯ3、Ｌａ
0.6Ｓｒ0.4ＭｎＯ3、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3、ＮｄＳｒ
ＣｏＯ3、ＮｉＣｏ2Ｏ4、ＳｒＦｅＯ3の１種以上である
請求項７に記載の金属部材の被覆形成方法。 - 【請求項１１】 水が存在する環境中で使用する鉄系ま
たは非鉄金属からなる金属部材の被覆形成方法におい
て、 酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制す
る金属酸化物のイオンもしくはラジカルを物理的および
／または化学的に形成し、前記のイオンもしくはラジカ
ルを形成した雰囲気中で金属部材表面に該イオンもしく
はラジカルを付着、あるいは、前記のイオンもしくはラ
ジカルを形成，照射して金属部材表面に金属酸化物を形
成することを特徴とする金属部材の被覆形成方法。 - 【請求項１２】 水が存在する環境中で使用する鉄系ま
たは非鉄金属からなる金属部材の被覆形成方法におい
て、 酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制す
る金属酸化物を構成する原子または分子のイオンもしく
はラジカルを物理的および／または化学的に形成し、前
記原子または分子のイオンもしくはラジカルを形成した
雰囲気中で金属部材表面に該イオンもしくはラジカルを
付着、あるいは、前記のイオンもしくはラジカルを形
成，照射して金属部材表面に金属酸化物を形成すること
を特徴とする金属部材の被覆形成方法。 - 【請求項１３】 水が存在する環境中で使用する鉄系ま
たは非鉄金属からなる金属部材の被覆形成方法におい
て、 酸素発生反応を促進させ、かつ、酸素還元反応を抑制す
る金属酸化物を構成する元素を含む溶液中に前記金属部
材と、電気化学的電極電位の測定用基準電極および該金
属部材に電位を印加する電極とを浸漬し、前記基準電極
に対して一定の電位を印加することにより金属部材表面
に金属酸化物を形成することを特徴とする金属部材の被
覆形成方法。 - 【請求項１４】 前記酸素発生反応を促進させ、かつ、
酸素還元反応を抑制する金属酸化物が、Ｂａ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｉｒ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｔｉの少なくとも
１種で構成されている請求項１１〜１３のいずれかに記
載の金属部材の被覆形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28507395A JPH09125283A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 耐食性被覆を有する金属部材とその被覆形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28507395A JPH09125283A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 耐食性被覆を有する金属部材とその被覆形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09125283A true JPH09125283A (ja) | 1997-05-13 |
Family
ID=17686804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28507395A Pending JPH09125283A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 耐食性被覆を有する金属部材とその被覆形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09125283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5872286B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2016-03-01 | 株式会社東芝 | 耐食性部材 |
| WO2022030647A3 (ja) * | 2020-08-07 | 2022-04-14 | 株式会社Flosfia | 酸化物半導体及び酸化物半導体を含む半導体装置 |
-
1995
- 1995-11-01 JP JP28507395A patent/JPH09125283A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5872286B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2016-03-01 | 株式会社東芝 | 耐食性部材 |
| WO2022030647A3 (ja) * | 2020-08-07 | 2022-04-14 | 株式会社Flosfia | 酸化物半導体及び酸化物半導体を含む半導体装置 |
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