JPH09120790A - 改良形荷電粒子検出装置 - Google Patents
改良形荷電粒子検出装置Info
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- JPH09120790A JPH09120790A JP7280113A JP28011395A JPH09120790A JP H09120790 A JPH09120790 A JP H09120790A JP 7280113 A JP7280113 A JP 7280113A JP 28011395 A JP28011395 A JP 28011395A JP H09120790 A JPH09120790 A JP H09120790A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＥＭ，ＡＥＳ，ＸＰＳなどの定量化を可能に
する改良形荷電粒子検出装置に関するものである。 【解決手段】二次電子増倍管，前置増幅器，ディスクリ
ミネータ，主増幅器，波形形成器および計数器等により
構成されることを特徴とする荷電粒子検出装置。 【効果】ＳＥＭ，ＡＥＳ，ＸＰＳなどの装置において検
出器自体のノイズを信号成分と明確に区別して検出でき
るので、測定データの定量性が著しく向上する。
する改良形荷電粒子検出装置に関するものである。 【解決手段】二次電子増倍管，前置増幅器，ディスクリ
ミネータ，主増幅器，波形形成器および計数器等により
構成されることを特徴とする荷電粒子検出装置。 【効果】ＳＥＭ，ＡＥＳ，ＸＰＳなどの装置において検
出器自体のノイズを信号成分と明確に区別して検出でき
るので、測定データの定量性が著しく向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般の光，荷電粒子
を利用する理化学機器をはじめとする光および荷電粒子
利用技術に関する主な利用装置としては走査形電子顕微
境（ＳＥＭ），オージェ電子分光法（ＡＥＳ）Ｘ線分光
法（ＸＰＳ）などがあげられる。
を利用する理化学機器をはじめとする光および荷電粒子
利用技術に関する主な利用装置としては走査形電子顕微
境（ＳＥＭ），オージェ電子分光法（ＡＥＳ）Ｘ線分光
法（ＸＰＳ）などがあげられる。
【０００２】
【従来の技術】従来の荷電粒子検出器は主に次の２つに
分類できる。
分類できる。
【０００３】（１）二次電子増倍管，増幅器および信号
表示系より構成されるもの、（２）シンチレータと光電
子増倍管，増幅器および信号表示系より構成されるもの
である。
表示系より構成されるもの、（２）シンチレータと光電
子増倍管，増幅器および信号表示系より構成されるもの
である。
【０００４】この従来例として(１)に関しては次のよう
な文献がある。日本学術振興会マイクロビームアナリシ
ス第１４１委員会編マイクロアナリシスＰ.１９４〜１
９６（１９８５）朝倉書店。（２）に関しては次の文献
があげられる。日本学術振興会マイクロビームアナリシ
ス第１４１委員会編マイクロアナリシスＰ.１６０〜１
６２（１９８５）朝倉書店。
な文献がある。日本学術振興会マイクロビームアナリシ
ス第１４１委員会編マイクロアナリシスＰ.１９４〜１
９６（１９８５）朝倉書店。（２）に関しては次の文献
があげられる。日本学術振興会マイクロビームアナリシ
ス第１４１委員会編マイクロアナリシスＰ.１６０〜１
６２（１９８５）朝倉書店。
【０００５】これらの技術は図３及び図４に示す通り、
両者とも励起源としての一次電子照射は、電子源，コン
デンサレンズ，コンデンサレンズ絞り，対物レンズ，対
物レンズ絞り，ビーム走査用偏向コイル，ＣＲＴ，試料
台，試料，二次電子，偏向電極，シンチレータ，ホトガ
イド，二次電子増倍管，増幅器より構成されている。検
出器としては図３と図４に示した二次電子増倍管形とシ
ンチレータと光電子増倍管を結合させた２種類が存在す
る。
両者とも励起源としての一次電子照射は、電子源，コン
デンサレンズ，コンデンサレンズ絞り，対物レンズ，対
物レンズ絞り，ビーム走査用偏向コイル，ＣＲＴ，試料
台，試料，二次電子，偏向電極，シンチレータ，ホトガ
イド，二次電子増倍管，増幅器より構成されている。検
出器としては図３と図４に示した二次電子増倍管形とシ
ンチレータと光電子増倍管を結合させた２種類が存在す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た２つの従来技術は以下に示すような問題点を有してい
る。まず、図３に示すような従来技術では二次電子倍増
間の初段ダイノードに入射する荷電粒子がそれぞれ異な
ったエネルギーを有する場合、同一数の荷電粒子が初段
ダイノードに入射した場合であっても二次電子増倍管の
出力は、エネルギーにより著しく異なる。そのためエネ
ルギー分布を測定するＡＥＳやＸＰＳにおいては真の信
号電子の数は計測できない。その結果として定量測定は
困難であり、定量分析に支障をきたしている。
た２つの従来技術は以下に示すような問題点を有してい
る。まず、図３に示すような従来技術では二次電子倍増
間の初段ダイノードに入射する荷電粒子がそれぞれ異な
ったエネルギーを有する場合、同一数の荷電粒子が初段
ダイノードに入射した場合であっても二次電子増倍管の
出力は、エネルギーにより著しく異なる。そのためエネ
ルギー分布を測定するＡＥＳやＸＰＳにおいては真の信
号電子の数は計測できない。その結果として定量測定は
困難であり、定量分析に支障をきたしている。
【０００７】またＳＥＭにおいては、反射電子と二次電
子を利用しているが、二次電子増倍管利用の場合は、エ
ネルギーの高い反射電子が専ら利用されている。よく知
られているように反射電子は励起電子と同一エネルギー
を有する弾性散乱およびエネルギー損失をともなった非
弾性散乱電子を含んでおり、かつ入射励起電子のエネル
ギーは観察目的により異なり種々の値を有している。Ｓ
ＥＭでは種々のエネルギーを含んだ電子をアナログ信号
として映像形成に利用しており、ノイズを含んだ状態で
像観察を行っている。これは定量性を問題にする測長Ｓ
ＥＭにおける測長寸法の定量性や像の鮮明度に悪影響を
与える。
子を利用しているが、二次電子増倍管利用の場合は、エ
ネルギーの高い反射電子が専ら利用されている。よく知
られているように反射電子は励起電子と同一エネルギー
を有する弾性散乱およびエネルギー損失をともなった非
弾性散乱電子を含んでおり、かつ入射励起電子のエネル
ギーは観察目的により異なり種々の値を有している。Ｓ
ＥＭでは種々のエネルギーを含んだ電子をアナログ信号
として映像形成に利用しており、ノイズを含んだ状態で
像観察を行っている。これは定量性を問題にする測長Ｓ
ＥＭにおける測長寸法の定量性や像の鮮明度に悪影響を
与える。
【０００８】また一般にＳＥＭでは図４に示したように
シンチレータに二次電子を加速（エネルギーをもたせ
て）して照射し、二次電子を光信号に変えて、さらに光
を光電子増倍管で電子に変換増幅して増幅器を通してＣ
ＲＴの映像信号として利用しているが、この場合の問題
は、長らく光増倍管を用いていると、経時変化により光
照射による二次電子収率の劣化が起こり、感度低下をま
ねき、経時変化を起こし、データの再現性を低下させ
る。さらにパルス計測法を採用しておらず検出器自体の
ノイズを避けられず感度および定量性に問題を残す。
シンチレータに二次電子を加速（エネルギーをもたせ
て）して照射し、二次電子を光信号に変えて、さらに光
を光電子増倍管で電子に変換増幅して増幅器を通してＣ
ＲＴの映像信号として利用しているが、この場合の問題
は、長らく光増倍管を用いていると、経時変化により光
照射による二次電子収率の劣化が起こり、感度低下をま
ねき、経時変化を起こし、データの再現性を低下させ
る。さらにパルス計測法を採用しておらず検出器自体の
ノイズを避けられず感度および定量性に問題を残す。
【０００９】更に、図５に示すＳＥＭ以外のＡＥＳやＸ
ＰＳにおいても上記従来技術と同様の問題を有する。
ＰＳにおいても上記従来技術と同様の問題を有する。
【００１０】本発明の目的は、上記問題点を解決し、鮮
明で且つ定量性の高い結像系の形成にある。
明で且つ定量性の高い結像系の形成にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図７に検出器初段ダイノ
ードを含めたターゲットに電子ビームを照射した場合の
二次電子収率Ｓのエネルギー依存性を示す。図よりＳの
最大値は１０００ｅＶ近傍に存在し、その高低で急峻な
立上り立下がりを示す分布を有することがわかる。この
二次電子放出の特性により、検出する信号電子にエネル
ギー差が存在するとその出力は著しく異なった値となり
定量性に欠ける。
ードを含めたターゲットに電子ビームを照射した場合の
二次電子収率Ｓのエネルギー依存性を示す。図よりＳの
最大値は１０００ｅＶ近傍に存在し、その高低で急峻な
立上り立下がりを示す分布を有することがわかる。この
二次電子放出の特性により、検出する信号電子にエネル
ギー差が存在するとその出力は著しく異なった値となり
定量性に欠ける。
【００１２】本発明は、上述の二次電子収率Ｓの特性を
考慮して信号電子の出力（エネルギー分離後の）をその
エネルギーに従って加速減速して検出器の初段ダイノー
ドをたたくエネルギーをＳが最大値をもつ１０００ｅＶ
近傍になるように調整することにある。
考慮して信号電子の出力（エネルギー分離後の）をその
エネルギーに従って加速減速して検出器の初段ダイノー
ドをたたくエネルギーをＳが最大値をもつ１０００ｅＶ
近傍になるように調整することにある。
【００１３】一方動作電圧を印加した状態における検出
器のノイズは一般に低エネルギー電子照射の場合と同様
な分布を示し、Ｓの低い値とほぼ重畳する。
器のノイズは一般に低エネルギー電子照射の場合と同様
な分布を示し、Ｓの低い値とほぼ重畳する。
【００１４】図８にホトマルチプライヤを利用した場合
の検出器ノイズ(ａ)と、２５０ｅＶの電子照射の場合
（ｂ）の信号電子と、１０００ｅＶ近傍の電子照射の場
合(Ｃ)の検出器出力の波高分布を示す。
の検出器ノイズ(ａ)と、２５０ｅＶの電子照射の場合
（ｂ）の信号電子と、１０００ｅＶ近傍の電子照射の場
合(Ｃ)の検出器出力の波高分布を示す。
【００１５】（Ｃ）ではほぼ完全分離の状態で分離され
ていることがわかる。本技法ではＳが常に最大値をもつ
ようにエネルギー変換を行い検出器初段に照射し、信号
電子をノイズ成分と分離し、ディスクリミネータにより
低エネルギー領域のノイズを完全に除去して測定するこ
とができる。これにより信号エネルギー差による信号強
度の元素差を無くし定量測定を行うことにある。
ていることがわかる。本技法ではＳが常に最大値をもつ
ようにエネルギー変換を行い検出器初段に照射し、信号
電子をノイズ成分と分離し、ディスクリミネータにより
低エネルギー領域のノイズを完全に除去して測定するこ
とができる。これにより信号エネルギー差による信号強
度の元素差を無くし定量測定を行うことにある。
【００１６】次にシンチレータ／ホトガイド／ホトマル
チプライヤ組合せ検出器における問題点の解決法につい
て述べる。
チプライヤ組合せ検出器における問題点の解決法につい
て述べる。
【００１７】図４に本検出器を含んだＳＥＭの全体構成
を示した。この技法では、試料上で発生した二次電子を
シンチレータ表面に加速照射し、光に変換し、その出力
をホトガイドによりホトマルチプライヤに導き、増幅し
てＣＲＴの映像信号として利用する。従来技術の場合、
ホトマルチプライヤの初段ダイノードの一定領域のみに
照射されるようになっており、前記のように時間ととも
に二次電子収率が低下し、ノイズ成分が大きくなりかつ
エネルギー幅も広くなってしまう。この問題点を除去す
る目的で本発明では、ホトガイドとホトマルチプライヤ
との間に新たに光学軸が変えられる光学レンズを設け、
ホトマルチプライヤの第一タイノードヘの照射位置を変
化するため、二次電子収率を低下させることがなく、常
に信号パルスをノイズパルスに比較して大きく保つこと
ができる。
を示した。この技法では、試料上で発生した二次電子を
シンチレータ表面に加速照射し、光に変換し、その出力
をホトガイドによりホトマルチプライヤに導き、増幅し
てＣＲＴの映像信号として利用する。従来技術の場合、
ホトマルチプライヤの初段ダイノードの一定領域のみに
照射されるようになっており、前記のように時間ととも
に二次電子収率が低下し、ノイズ成分が大きくなりかつ
エネルギー幅も広くなってしまう。この問題点を除去す
る目的で本発明では、ホトガイドとホトマルチプライヤ
との間に新たに光学軸が変えられる光学レンズを設け、
ホトマルチプライヤの第一タイノードヘの照射位置を変
化するため、二次電子収率を低下させることがなく、常
に信号パルスをノイズパルスに比較して大きく保つこと
ができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明により
２種類のＳＥＭへの適用例を示す。図１は電子源１，コ
ンデンサーレンズ２，コンデンサーレンズ絞り３，対物
レンズ４，対物レンズ絞り５，偏向電極６，二次電子偏
向電極７，試料台８，試料９，シールド電極１０，シン
チレータ１１，ホトガイド１２，可動光学レンズ１３，
ホトマルチプライヤ１４，初段ダイノード１４ａ，ホト
マルチプラィャヘの供給電源１５，前置増幅器１６，デ
ィスクリミネータ１７，主増幅器波形成型１８，ビーム
走査電源１９，スイープジェネレータ２０、および像観
察用ＣＲＴ２１を有する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）ヘの
実施例を示す。
２種類のＳＥＭへの適用例を示す。図１は電子源１，コ
ンデンサーレンズ２，コンデンサーレンズ絞り３，対物
レンズ４，対物レンズ絞り５，偏向電極６，二次電子偏
向電極７，試料台８，試料９，シールド電極１０，シン
チレータ１１，ホトガイド１２，可動光学レンズ１３，
ホトマルチプライヤ１４，初段ダイノード１４ａ，ホト
マルチプラィャヘの供給電源１５，前置増幅器１６，デ
ィスクリミネータ１７，主増幅器波形成型１８，ビーム
走査電源１９，スイープジェネレータ２０、および像観
察用ＣＲＴ２１を有する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）ヘの
実施例を示す。
【００１９】動作原理は次の通りである。先ず１，２，
３，４，５により生成される一次粒子ビーム２２が８に
支えられた９上で６により偏向走査される。６による一
次粒子ビームの走査は１８の電子ビームを同期させて行
う。次に試料表面から放出される二次電子４０は７と８
により形成される偏向電極により偏向され、シンチレー
タｌｌ表面に加速照射され光に変換される。この光出力
は１３により集束され１４の初段ダイノードに照射され
る。初段ダイノードでは光電子放射が起こり、１５によ
り加速され後段加速され逐次電子増倍され、電流出力と
して取り出される。さらに出力信号は１６により増幅さ
れ、２０の映像信号として利用され結像される。本発明
の１３により１４への照射位置を二次電子集率の劣化状
態の程度によって逐次変えることにより、常にノイズと
信号の波高値分別ができるように保ちディスクリミネー
タでノイズを除去することが可能になった。これにより
ＳＥＭのコントラストおよび鮮明度が著るしく向上し
た。
３，４，５により生成される一次粒子ビーム２２が８に
支えられた９上で６により偏向走査される。６による一
次粒子ビームの走査は１８の電子ビームを同期させて行
う。次に試料表面から放出される二次電子４０は７と８
により形成される偏向電極により偏向され、シンチレー
タｌｌ表面に加速照射され光に変換される。この光出力
は１３により集束され１４の初段ダイノードに照射され
る。初段ダイノードでは光電子放射が起こり、１５によ
り加速され後段加速され逐次電子増倍され、電流出力と
して取り出される。さらに出力信号は１６により増幅さ
れ、２０の映像信号として利用され結像される。本発明
の１３により１４への照射位置を二次電子集率の劣化状
態の程度によって逐次変えることにより、常にノイズと
信号の波高値分別ができるように保ちディスクリミネー
タでノイズを除去することが可能になった。これにより
ＳＥＭのコントラストおよび鮮明度が著るしく向上し
た。
【００２０】図２にＳＥＭのインレンズ方式（二次電子
を対物レンズ磁場により対物レンズ上部に導き検出す
る）に適用した例を示す。
を対物レンズ磁場により対物レンズ上部に導き検出す
る）に適用した例を示す。
【００２１】検出器としては二次電子増倍管１４を利用
し、その出力にコンデンサ２２，前置増幅器１６，ディ
スクリミネータ１７，主増幅器が取り付けられている。
本実施例では従来法に対して新しく二次電子増倍管１４
の初段ダイノードに印加する電圧可変電源１５を設け、
該ダイノードへのエネルギーが１ｋｅＶになるように調
整した。２１の出力は２２，１６，１７を通して高波高
値すなわち真の信号のみを選択して映像信号として利用
した。その結果二次電子像にはノイズ分の影響は除去さ
れ、鮮明像が得られた。
し、その出力にコンデンサ２２，前置増幅器１６，ディ
スクリミネータ１７，主増幅器が取り付けられている。
本実施例では従来法に対して新しく二次電子増倍管１４
の初段ダイノードに印加する電圧可変電源１５を設け、
該ダイノードへのエネルギーが１ｋｅＶになるように調
整した。２１の出力は２２，１６，１７を通して高波高
値すなわち真の信号のみを選択して映像信号として利用
した。その結果二次電子像にはノイズ分の影響は除去さ
れ、鮮明像が得られた。
【００２２】図３に本発明をＡＥＳに適用した実施例を
説明する。
説明する。
【００２３】一次ビーム照射系の構成（１，２，３，
４，５，６，８，９および１０）については既に説明し
たので省略する。細束電子ビーム２３の照射を受けた試
料からは二次電子を含んだオージェ電子が放出される
が、これらの電子は円筒型エネルギーアナライザＣＭＡ
２４によりエネルギー分析が行われ、特定エネルギーの
電子のみが検出器で検出される。ＡＥＳ（元素）スペク
トルすなわちエネルギースペクトルはＣＭＡの偏向電極
を変化させることにより任意に変えられる。
４，５，６，８，９および１０）については既に説明し
たので省略する。細束電子ビーム２３の照射を受けた試
料からは二次電子を含んだオージェ電子が放出される
が、これらの電子は円筒型エネルギーアナライザＣＭＡ
２４によりエネルギー分析が行われ、特定エネルギーの
電子のみが検出器で検出される。ＡＥＳ（元素）スペク
トルすなわちエネルギースペクトルはＣＭＡの偏向電極
を変化させることにより任意に変えられる。
【００２４】本実施例では、ＡＥＳ検出法として二次電
子像倍管２１の初段ダイノード電位を信号電子のエネル
ギーに関係なく加減速して常に初段の二次電子収率が最
大になるように設定するように調整し、検出器の出力の
波高分布をノイズと分離し、ディスクリミネータにより
信号のみの波高値を検出した。これにより、ノイズ成分
は従来の１０％を１／１０００に押さえることに成功し
た。これによりＡＥＳ分析の定量精度が著しく向上し
た。
子像倍管２１の初段ダイノード電位を信号電子のエネル
ギーに関係なく加減速して常に初段の二次電子収率が最
大になるように設定するように調整し、検出器の出力の
波高分布をノイズと分離し、ディスクリミネータにより
信号のみの波高値を検出した。これにより、ノイズ成分
は従来の１０％を１／１０００に押さえることに成功し
た。これによりＡＥＳ分析の定量精度が著しく向上し
た。
【００２５】ここでは省略するが、ＸＰＳの場合は励起
源としてＸ線照射を行う点のみが異なっており、光電子
のエネルギー測定においては全く同じ技法が使われてい
る。実試料の測定において定量精度が著しく向上するこ
とを確認した。
源としてＸ線照射を行う点のみが異なっており、光電子
のエネルギー測定においては全く同じ技法が使われてい
る。実試料の測定において定量精度が著しく向上するこ
とを確認した。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば検出器自体のノイズを信
号成分と明確に区別して検出できるので、測定データの
定量性が著しく向上した。特に定量精度が課題とされて
いるＡＥＳやＸＰＳにおいては定量精度とともに検出感
度が約２桁向上した。さらにＳＥＭ観察においてはバッ
クグランドがほぼ完璧に除去でき鮮明なコントラストが
得られるとともに試料表面の極微や従来観察が困難であ
った僅か小差の特長抽出が可能になった。またＳＥＭに
よる寸法（Ｘ，Ｙ，Ｚ）の測長測定においても従来ノイ
ズを含むため測定精度が問題であったが本発明により精
度が著しく向上（約１桁）し、ＩＣをはじめとする微細
構造製作の工程評価に多大な効果を上げた。
号成分と明確に区別して検出できるので、測定データの
定量性が著しく向上した。特に定量精度が課題とされて
いるＡＥＳやＸＰＳにおいては定量精度とともに検出感
度が約２桁向上した。さらにＳＥＭ観察においてはバッ
クグランドがほぼ完璧に除去でき鮮明なコントラストが
得られるとともに試料表面の極微や従来観察が困難であ
った僅か小差の特長抽出が可能になった。またＳＥＭに
よる寸法（Ｘ，Ｙ，Ｚ）の測長測定においても従来ノイ
ズを含むため測定精度が問題であったが本発明により精
度が著しく向上（約１桁）し、ＩＣをはじめとする微細
構造製作の工程評価に多大な効果を上げた。
【００２７】さらに学術分野においても分析精度や観察
可能限界を与えていたノイズ除去が可能になり、本技法
の発明により新たな発見および発展が期待できる。
可能限界を与えていたノイズ除去が可能になり、本技法
の発明により新たな発見および発展が期待できる。
【図１】本検出器をＳＥＭに適用した実施例説明図。
【図２】本検出器をインレンズ方式ＳＥＭに適用した実
施例説明図。
施例説明図。
【図３】本検出器をＡＥＳに適用した実施例説明図。
【図４】従来ＳＥＭの説明図。
【図５】従来ＡＥＳの説明図。
【図６】従来インレンズ方式ＳＥＭの説明図。
【図７】初段ダイノードにおける２次電子収率Ｓのエネ
ルギー依存性。
ルギー依存性。
【図８】検出器出力の波高分布。
１…電子源、２…コンデンサーレンズ、３…コンデンサ
ーレンズ絞り、４…対物レンズ、５…対物レンズ絞り、
６…偏向電極、７…二次電子偏向電極、８…試料台、９
…試料、１０…シールド電極、１１…シンチレータ、１
２…ホトガイド、１３…可動光学レンズ、１４…ホトマ
ルチプライヤ、１４ａ…初段ダイノード、１５…ホトマ
ルチプライヤヘの供給電源、１６…前置増幅器、１７…
ディスクリミネータ、１８…主増幅器波形成型、１９…
ビーム走査電源、２０…スイープジェネレータ、２１…
像観察用ＣＲＴ、２２…一次粒子ビーム、２３…細束電
子ビーム、４０…二次電子。
ーレンズ絞り、４…対物レンズ、５…対物レンズ絞り、
６…偏向電極、７…二次電子偏向電極、８…試料台、９
…試料、１０…シールド電極、１１…シンチレータ、１
２…ホトガイド、１３…可動光学レンズ、１４…ホトマ
ルチプライヤ、１４ａ…初段ダイノード、１５…ホトマ
ルチプライヤヘの供給電源、１６…前置増幅器、１７…
ディスクリミネータ、１８…主増幅器波形成型、１９…
ビーム走査電源、２０…スイープジェネレータ、２１…
像観察用ＣＲＴ、２２…一次粒子ビーム、２３…細束電
子ビーム、４０…二次電子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 住谷 弘幸 茨城県ひたちなか市堀口字長久保832番地 ２ 日立計測エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 田村 一二三 茨城県ひたちなか市堀口字長久保832番地 ２ 日立計測エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 関 節子 東京都杉並区成田西２の３の７ドンコレフ
Claims (9)
- 【請求項１】二次電子倍増管を備えた改良形荷電粒子検
出装置において、前記二次電子倍増管に入射する二次電
子のエネルギーに基づいて、前記二次電子倍増管が有す
るダイノードに導かれる二次電子のエネルギーを制御す
ることを特徴とする改良形荷電粒子検出装置。 - 【請求項２】請求項１において信号として入射荷電粒子
エネルギー値の変化に連動して、該エネルギーで初段ダ
イノードに入射するように調整することを特徴とする改
良形荷電粒子検出装置。 - 【請求項３】請求項１および２に記載の改良形荷電粒子
検出装置を走査形電子顕微鏡(SEM),オージェ電子分光法
（ＡＥＳ），Ｘ線分光法（ＸＰＳ），二次イオン質量分
析法（ＳＩＭＳ）などの分析評価装置に適用することを
特徴とする改良形荷電粒子検出装置。 - 【請求項４】シンチレーターホトガイド−光電子増倍管
の組合せ検知器，前置増幅器，ディスクリミネータ，主
増幅器，波形形成器より構成される荷電粒子検出装置に
おいて該ホトガイドまたはシンチレータと光電子増倍管
との間に少なくとも１つの集光レンズを設け、光電子増
倍管の受光面に集束状態で照射できるようにしたことを
特徴とする改良形荷電粒子検出装置。 - 【請求項５】請求項４において集光レンズによる集束点
を受光面上で任意に変えられるようにしたことを特徴と
する改良形荷電粒子検出装置。 - 【請求項６】請求項５において走査形電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ），オージェ電子分光法(ＡＥＳ)，Ｘ線分光法（ＸＰ
Ｓ）に適用することを特徴とする改良形荷電粒子検出装
置。 - 【請求項７】二次電子倍増管，前置増幅管，デイスクリ
ミネータ，主増幅器，波形形成器及び計数器を有する荷
電粒子線検出装置において、二次電子倍増管の初段ダイ
ノードへの入射信号として荷電粒子のエネルギーを信号
荷電粒子エネルギーには無関係に該ダイノードにおける
二次電子放出効率が最大値近傍となるように設定する事
を特徴とする改良形荷電粒子検出装置。 - 【請求項８】請求項７において信号として入射荷電粒子
エネルギー値の変化に連動して、該エネルギーで初段ダ
イノードに入射するように調整することを特徴とする改
良形荷電粒子検出装置。 - 【請求項９】請求項７および８に記載の改良形荷電粒子
検出装置を走査形電子顕微鏡(SEM),オージェ電子分光法
（ＡＥＳ），Ｘ線分光法（ＸＰＳ），二次イオン質量分
析法（ＳＩＭＳ）などの分析評価装置に適用することを
特徴とする改良形荷電粒子検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280113A JPH09120790A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 改良形荷電粒子検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280113A JPH09120790A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 改良形荷電粒子検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120790A true JPH09120790A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17620514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7280113A Pending JPH09120790A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 改良形荷電粒子検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09120790A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002505794A (ja) * | 1997-06-13 | 2002-02-19 | ガタン・インコーポレーテッド | 電子顕微鏡の影像検出器の解像度を改良しノイズを低減する方法及び装置 |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP7280113A patent/JPH09120790A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002505794A (ja) * | 1997-06-13 | 2002-02-19 | ガタン・インコーポレーテッド | 電子顕微鏡の影像検出器の解像度を改良しノイズを低減する方法及び装置 |
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