JPH09115797A - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ショット時間の異常を描画の際に自動的に検
出し、異常な描画を防止することができる荷電粒子ビー
ム描画方法を実現する。 【解決手段】 制御ＭＰＵ２８には、第１のメモリ２６
に書き込まれるショット時間テーブルデータと、第２の
メモリ２７に書き込まれるフラグテーブルデータが供給
され、それぞれのデータは、スイッチ２５を介して対応
したメモリに供給されて記憶される。実際の描画時に、
第１のメモリ２６から読み出されたデータが異常の場
合、第２のメモリ２７からのフラグは異常を示し、制御
ＭＰＵ２８はこのフラグに基づいて、何等かの手段を用
いてショット時間が異常であることをオペレータに知ら
せる。更に、フラグが異常の場合には、このエラー信号
に基づき、スイッチ３１は切り換えられ、異常時ショッ
ト時間メモリ３３からのショット時間データがパルス発
生回路３２に供給される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、可変面積型の電子ビー
ムやイオンビームを用いて被描画材料上に所定のパター
ンを描画する荷電粒子ビーム描画方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム描画装置として、電子ビーム
の断面を可変して描画する方式の装置が広く利用されて
いる。この装置では、電子ビームを第１のアパーチャに
照射し、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチャ
上に結像するようにしている。そして、第１のアパーチ
ャの開口像の第２のアパーチャ上の投射位置を第１と第
２のアパーチャの間に配置された成形偏向器で変化させ
ることにより、任意の面積の矩形断面を有した電子ビー
ムが成形される。この成形された電子ビームは、被描画
材料にショットされる。このショットされる電子ビーム
の位置は、位置決め偏向器によって変えられる。

【０００３】図１はこのような電子ビーム描画装置の具
体例を示している。１は電子ビームＥＢを発生する電子
銃であり、該電子銃１から発生した電子ビームＥＢは、
照明レンズ２を介して第１成形アパーチャ３上に照射さ
れる。第１成形アパーチャの開口像は、成形レンズ４に
より、第２成形アパーチャ６上に結像されるが、その結
像の位置は、成形偏向器５により変えることができる。
第２成形アパーチャ６により成形された像は、対物レン
ズ７を経て描画材料８上に照射される。描画材料８への
照射位置は、位置決め偏向器９により変えることができ
る。

【０００４】１０はコンピュータであり、コンピュータ
１０はパターンデータメモリー１１からのパターンデー
タをデータ転送回路１２に転送する。データ転送回路１
２からのパターンデータは、ショット分割器１３に供給
されてショット分割される。ショット分割器１３からの
描画データに応じた信号は、成形偏向器５を制御する偏
向増幅器１４、位置決め偏向器９を制御する偏向増幅器
１５、電子銃１から発生した電子ビームのブランキング
を行うブランキング電極１６を制御するブランキングコ
ントロール回路１７に供給される。ブランキングコント
ロール回路１７からの信号は、ブランキング増幅器１８
を介してブランキング電極１６に供給される。

【０００５】更に、コンピュータ１０は、材料８のフィ
ールド毎の移動のために、材料８が載せられたステージ
１９の駆動機構２０を制御する。このような構成の動作
を次に説明する。

【０００６】パターンデータメモリ１１に格納されたパ
ターンデータは、逐次読み出され、データ転送回路１２
を経てショット分割器１３に供給される。ショット分割
器１３で分割されたデータに基づき、偏向増幅器１４は
成形偏向器５を制御し、また、偏向増幅器１５は位置決
め偏向器９を制御する。

【０００７】この結果、各分割されたビームサイズデー
タに基づき、成形偏向器５により電子ビームの断面が所
定のビームサイズに成形され、そのビームサイズの電子
ビームが順々に材料上にショットされ、所望の形状のパ
ターン描画が行われる。なお、この時、ブランキングコ
ントロール回路１７からブランキング電極１６へのブラ
ンキング信号により、材料１０への電子ビームのショッ
トに同期して電子ビームのブランキングが実行される。
この電子ビームのブランキングがＯＦＦの時間が実際に
電子ビームが材料上にショットされる時間である。

【０００８】図２は、上記した装置における描画の手順
を示すタイミング図である。図２において、（ａ）はブ
ランキング電極１６へのブランキング電圧、（ｂ）は成
形偏向器５への成形電圧、（ｃ）は位置決め偏向器９へ
の位置決め電圧をそれぞれ示している。

【０００９】まず、ショット分割器１３によって分割さ
れたデータに基づく図形サイズにより、偏向増幅器１４
には図２（ｂ）に示す図形１の成形電圧が設定される。
また、偏向増幅器１５には、図２（ｃ）に示す図形１の
位置電圧が設定される。更に、ブランキング増幅器１８
には、成形用の偏向増幅器１４と位置決め用の偏向増幅
器１５の電圧が設定される時間（Ｔｓ）、ブランキング
ＯＮの電圧が設定される。

【００１０】Ｔｓ時間経過後、図形サイズに応じた所定
の電子ビームの照射時間（Ｔｅ１）ブランキングがＯＦ
Ｆされ、第１の図形の描画が行われる。所定の照射時間
Ｔｅ１の間ブランキングがＯＦＦされた後、再びブラン
キングはＯＮされ、時間Ｔｓの間に偏向増幅器１４には
図２（ｂ）に示す図形２の成形電圧が設定され、また、
偏向増幅器１５には、図２（ｃ）に示す図形２の位置電
圧が設定される。

【００１１】このようにして順々に各矩形の描画位置、
サイズが各偏向増幅器１４，１５に設定され、所定の図
形の描画が行われる。さて、可変面積型電子ビーム描画
装置では、上記したように、矩形の電子ビームの照射を
繰り返していく。その中で電子ビームの照射時間がパタ
ーンの寸法の精度に大きく影響することが知られてい
る。荷電粒子ビームで、ショット時間の指定は非常に広
い範囲で、かつ細かくできなければならない。また、装
置の状態や使用する材料によって、同一のパターンを描
画する場合でもショット時間は異なる。更に、時間の経
過や矩形の寸法によって電子ビームの電流量が不均一に
なるのを補うために、ショット時間は描画ごと、パター
ンごとに補正をする必要がある。そこで、従来の描画方
式では、ショットランクによるショット時間の指定を行
っている。

【００１２】ショットランク指定により実際の電子ビー
ムの照射時間が決まるまでの方式を図３を用いて説明す
る。まず、描画装置に対して、パターン寸法ごとのショ
ット時間のテーブルＴ１が準備される。次に、ショット
ランク（補正係数につけた番号）ごとに補正の倍率を指
定したショットランクテーブルＴ２が準備される。

【００１３】描画装置は、２つのテーブルＴ１，Ｔ２を
掛け合わせ、実際のショット時間を計算した結果のテー
ブルＴ３を準備する。描画が開始されると、入力パター
ンを１度に照射可能な矩形まで分割し、分割後の矩形の
寸法とそのパターンデータと一緒に入力されるショット
ランクの番号から、ショット時間テーブルＴ３を参照
し、実際の電子ビームの照射時間（電子ビームのブラン
キングＯＦＦ時間）を決める。このようにすることで、
描画データは同一でも、常に最適の照射時間でパターン
の描画を実行することができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記した描画方法で問
題となるのは、ショット時間テーブルＴ３の内容の一部
しか実際の描画に使用しない場合があることである。一
般的には、ほとんどの描画でショット時間テーブルＴ３
の一部は使用されていない。この使用されない部分につ
いては、データが与えられない場合があるかもしれない
し、与えられても妥当な数値でないことも考えられる。

【００１５】このような場合、ショット時間テーブルＴ
３を作成する段階で、ショット時間の数値が異常である
ことは検出できるが、この数値が使用されるかどうかは
実際に描画データが入ってくるまで不明である。したが
って、計算の段階でエラーと断定することはできない。
一方、実際に描画を行うときに、異常なショット時間を
使用してしまえば、描画結果に致命的な影響を及ぼす。

【００１６】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ショット時間の異常を描画の際に
自動的に検出し、異常な描画を防止することができる荷
電粒子ビーム描画方法を実現するにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
荷電粒子ビーム描画方法は、可変面積の荷電粒子ビーム
を被描画材料上に所定時間ショットしながら描画を行う
荷電粒子ビーム描画方法において、パターンサイズとシ
ョットランクに応じたショット時間データを書き込んだ
ショット時間テーブルと、パターンサイズとショットラ
ンクに応じて正常なショット時間と異常なショット時間
とを識別するフラグが書き込まれたフラグテーブルを作
成し、描画時に、パターンサイズとショットランクに応
じてショット時間テーブルからショット時間データを読
みだし、その際にフラグが正常の場合には、この読み出
されたデータに基づくショット時間で描画を行うと共
に、フラグが異常の場合には、異常のシグナルを発生さ
せるようにしたことを特徴としている。

【００１８】請求項１の発明では、パターンサイズとシ
ョットランクに応じて正常なショット時間と異常なショ
ット時間とを識別するフラグが書き込まれたフラグテー
ブルを作成し、フラグが異常の場合には、異常のシグナ
ルを発生させる。

【００１９】請求項２の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画方法は、可変面積の荷電粒子ビームを被描画材料上に
所定時間ショットしながら描画を行う荷電粒子ビーム描
画方法において、パターンサイズとショットランクに応
じたショット時間データを書き込んだショット時間テー
ブルと、パターンサイズとショットランクに応じて正常
なショット時間と異常なショット時間とを識別するフラ
グが書き込まれたフラグテーブルを作成し、描画時に、
パターンサイズとショットランクに応じてショット時間
テーブルからショット時間データを読みだし、その際に
フラグが正常の場合には、この読み出されたデータに基
づくショット時間で描画を行うと共に、フラグが異常の
場合には、予め定められた一定のショット時間で描画を
行うようにしたことを特徴としている。

【００２０】請求項２の発明では、パターンサイズとシ
ョットランクに応じて正常なショット時間と異常なショ
ット時間とを識別するフラグが書き込まれたフラグテー
ブルを作成し、フラグが異常の場合には、予め定められ
た一定のショット時間で描画を行う。

【００２１】請求項３の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画方法は、可変面積の荷電粒子ビームを被描画材料上に
所定時間ショットしながら描画を行う荷電粒子ビーム描
画方法において、パターンサイズとショットランクに応
じたショット時間データを書き込んだショット時間テー
ブルと、パターンサイズとショットランクに応じて、正
常なショット時間と、ショット時間の上限値以上のショ
ット時間と、ショット時間の下限値以下のショット時間
と、未定義のショット時間とを識別するフラグが書き込
まれたフラグテーブルを作成し、描画時に、パターンサ
イズとショットランクに応じてショット時間テーブルか
らショット時間データを読みだし、その際にフラグが正
常の場合には、この読み出されたデータに基づくショッ
ト時間で描画を行うと共に、フラグがショット時間の上
限値以上のショット時間を示す場合には、ショット時間
の上限値のショット時間で描画を行い、フラグがショッ
ト時間の下限値以下のショット時間を示す場合には、シ
ョット時間の下限値のショット時間で描画を行い、フラ
グがショット時間の未定義を示す場合には、予め定めら
れた一定のショット時間で描画を行うようにしたことを
特徴としている。

【００２２】請求項３の発明では、パターンサイズとシ
ョットランクに応じて、正常なショット時間と、ショッ
ト時間の上限値以上のショット時間と、ショット時間の
下限値以下のショット時間と、未定義のショット時間と
を識別するフラグが書き込まれたフラグテーブルを作成
し、フラグがショット時間の上限値以上のショット時間
を示す場合には、ショット時間の上限値のショット時間
で描画を行い、フラグがショット時間の下限値以下のシ
ョット時間を示す場合には、ショット時間の下限値のシ
ョット時間で描画を行い、フラグがショット時間の未定
義を示す場合には、予め定められた一定のショット時間
で描画を行う。

【００２３】請求項４の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画方法は、可変面積の荷電粒子ビームを被描画材料上に
所定時間ショットしながら描画を行う荷電粒子ビーム描
画方法において、パターンサイズとショットランクに応
じたショット時間データを書き込んだショット時間テー
ブルを作成し、描画時に、パターンサイズとショットラ
ンクに応じてショット時間テーブルからショット時間デ
ータを読みだし、読み出されたショット時間とショット
時間の上限値と下限値とを比較し、読み出されたショッ
ト時間が上限値以上の場合には、ショット時間の上限値
のショット時間で描画を行い、読み出されたショット時
間が下限値以下の場合には、ショット時間の下限値のシ
ョット時間で描画を行うようにしたことを特徴としてい
る。

【００２４】請求項４の発明では、パターンサイズとシ
ョットランクに応じたショット時間データを書き込んだ
ショット時間テーブルを作成し、描画時に、パターンサ
イズとショットランクに応じてショット時間テーブルか
らショット時間データを読みだし、読み出されたショッ
ト時間とショット時間の上限値と下限値とを比較し、読
み出されたショット時間が上限値以上の場合には、ショ
ット時間の上限値のショット時間で描画を行い、読み出
されたショット時間が下限値以下の場合には、ショット
時間の下限値のショット時間で描画を行う。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図４は本発明を実施するためのブ
ランキングコントロール回路の具体例を示しており、こ
の回路は、図１の描画装置のブランキングコントロール
回路１７に相当するものである。図４において、ショッ
ト分割器１８からのデータは、スイッチ２５を介してシ
ョット時間テーブルが記憶された第１のメモリ２６と、
フラグテーブルが記憶された第２のメモリ２７に供給さ
れる。

【００２６】スイッチ２５は描画時には、ショット分割
器１８と、第１のメモリ２６と第２のメモリ２７とをそ
れぞれ接続し、各メモリにデータを設定する際には、制
御ＭＰＵ２８と各メモリとを接続するように切り換えら
れる。ショット分割器１８からのデータは、ショットラ
ンクとパターン寸法に応じた各メモリ２６，２７のアド
レスデータであり、各メモリ２６，２７からは、指定さ
れたアドレスの記憶データがスイッチ２９，３０を介し
てそれぞれ制御ＭＰＵ２８に供給される。

【００２７】制御ＭＰＵ２８は、ショット時間のデータ
をスイッチ３１を介してブランキングパルス発生回路３
２に供給する。ブランキングパルス発生回路３２は、シ
ョット時間に応じたパルス幅のブランキングパルスを発
生し、図１の描画装置におけるブランキング増幅器１８
に供給する。

【００２８】制御ＭＰＵ２９には、事前にショット時間
テーブルとフラグテーブルのデータが供給され、それら
は、第１のメモリ２７と第２のメモリ２７に設定され
る。このテーブル内容をメモリに設定する際、スイッチ
２５は、各メモリ２６，２７とを制御ＭＰＵに接続す
る。

【００２９】また、スイッチ２９，３０は、メモリデー
タの設定時と描画時とで切り替わり、メモリデータの設
定時には、各メモリ２６，２７は、制御ＰＭＵと接続さ
れる。一方、描画時には、第１のメモリ２６の出力デー
タは、スイッチ２９の切り換えにより、スイッチ３１に
供給されると共に、第２のメモリ２７の出力データは制
御ＰＭＵ２８に供給され、更に、スイッチ３１の切り換
えに使用される。

【００３０】スイッチ３１には、異常時ショット時間メ
モリ３３からのデータも供給され、スイッチ３１によ
り、第１のメモリ２６からのデータと異常時ショット時
間メモリ３３からのデータのいずれかがブランキングパ
ルス発生回路３２に供給される。このスイッチ３１は、
第２のメモリ２７からの信号に応じて切り換えられる。
このような構成の動作を次に説明する。

【００３１】まず、制御ＭＰＵ２８には、第１のメモリ
２６に書き込まれるショット時間テーブルデータと、第
２のメモリ２７に書き込まれるフラグテーブルデータが
供給され、それぞれのデータは、スイッチ２５を介して
対応したメモリに供給されて記憶される。このショット
時間テーブルデータは、図３のテーブルＴ３であり、フ
ラグテーブルデータは図５に示すテーブルデータであ
る。

【００３２】この図５に示したフラグテーブルは、ショ
ット時間テーブルＴ３を作成するときに、ショット時間
が正常か異常かを示すものである。例えば、ショット時
間の異常とは、その時間が規定の値より大きいかもしく
は小さかった場合と、補正係数が指定されていないショ
ットランクがあった場合である。図５のテーブルで、○
印は正常なショット時間が書き込まれている欄、×印は
補正係数が指定されていない欄、Ｅはショット時間が規
定の範囲に入っていない欄を示している。このような分
類分けは、ショット時間テーブルを作成する際に行われ
る。

【００３３】上記２種のテーブルのメモリ２６，２７へ
の書き込みが終了した後、実際の描画が開始されるが、
描画時には、スイッチ２５，２９，３０は描画モードに
切り換えられる。この結果、ショット分割器１３よりシ
ョットランクとパターンサイズのデータが第１のメモリ
２６と第２のメモリ２７とに供給される。

【００３４】このデータは、メモリのアドレス信号とな
り、ショットランクとパターンサイズに応じたアドレス
のショット時間データが第１のメモリ２６から読み出さ
れ、そのアドレスのフラグが第２のメモリ２７から読み
出される。この際、読み出されたショット時間データは
スイッチ３１に供給される。読み出されたショット時間
データが正常の場合（フラグが○の場合）、ショット時
間データはブランキングパルス発生回路３２に供給され
る。パルス発生回路３２では、与えられたショット時間
に応じた幅のブランキングパルスを発生する。

【００３５】次に、第１のメモリ２６から読み出された
データが異常の場合、第２のメモリ２７からのフラグは
×あるいはＥとなり、制御ＭＰＵ２８はこのフラグに基
づいて、何等かの手段を用いてショット時間が異常であ
ることをオペレータに知らせる。更に、フラグが×ある
いはＥの場合には、このエラー信号に基づき、スイッチ
３１は切り換えられ、異常時ショット時間メモリ３３か
らのショット時間データがパルス発生回路３２に供給さ
れる。その結果、実際の描画は、第１のメモリ２６のデ
ータとは無関係に、異常時ショット時間によって行われ
る。

【００３６】上記したように、ショット時間データが異
常の場合は、必ずしもパターン寸法に対応した正確なシ
ョット時間ではないが、特別な異常描画とはならないシ
ョット時間でパターンの描画が行われる。なお、フラグ
が異常の場合、異常時ショット時間メモリ３３からのシ
ョット時間を用いて描画を実行するようにしたが、異常
時ショット時間メモリ３３を用いず、フラグが異常の場
合、制御ＭＰＵ２８にその内容が伝えられ、オペレータ
が制御ＭＰＵからのシグナルに基づいて正常な値のショ
ット時間値をセットして描画を実行しても良い。

【００３７】このように、上記した描画方法では、ショ
ット時間テーブルの異常が直ちに判明するので、正常な
描画結果を得るための正常なショット時間の設定ができ
る。また、もし、正常なショット時間のテーブル部分だ
けを使用して全描画動作が行われれば、使用しないテー
ブル部分の事前の設定が省略できることになり、描画動
作を効率的に行うことができる。更に、ショット時間テ
ーブルが異常のときに、異常時ショット時間メモリ３３
からの、描画結果に致命的な悪影響を及ぼさない一定の
ショット時間を用いれば、全体の描画をスムーズに行う
ことができる。

【００３８】図６は本発明の他の実施の形態を示してい
る。この図６の回路では、図５の回路の異常時ショット
時間メモリ３３に代え、アンダーフロー時のショット時
間メモリ３４，オーバーフロー時のショット時間メモリ
３５、未定義時のショット時間メモリ３６が設けられて
いる。これらのメモリの出力は、第２のメモリ２７に記
憶され、読み出されたフラグに応じて切り換えられるス
イッチ３７に供給される。スイッチ３７によって選択さ
れたショット時間データは、スイッチ３１に供給され
る。

【００３９】この図６の例では、フラグテーブルの内容
は、異常の場合、ショット時間の上限値以上のショット
時間の欄には×ｏが、ショット時間の下限値以下のショ
ット時間の欄には×ｕが、補正係数が入力されていない
欄にはＥがそれぞれ書き込まれている。

【００４０】描画時に、第２のメモリ２７のアドレスの
フラグが×ｏの場合、オーバーフロー時のショット時間
メモリ３５からのショット時間がスイッチ３７を通って
スイッチ３１に供給され、このオーバーフロー時のショ
ット時間（例えば、ショット時間の上限値）が描画に用
いられる。

【００４１】また、第２のメモリ２７のアドレスのフラ
グが×ｕの場合、アンダーフロー時のショット時間メモ
リ３４からのショット時間がスイッチ３７を通ってスイ
ッチ３１に供給され、このアンダーフロー時のショット
時間（例えば、ショット時間の下限値）が描画に用いら
れる。

【００４２】更に、第２のメモリ２７のアドレスのフラ
グがＥの場合、未定義時のショット時間メモリ３６から
のショット時間がスイッチ３７を通ってスイッチ３１に
供給され、この時間が描画のブランキングに用いられ
る。

【００４３】このように構成すれば、ショット時間が許
容できる上限値以上あるいは下限値以下の場合に、指定
ショット時間に接近した許容できる時間でブランキング
が行われるため、描画異常のパターンの数をより少なく
することができる。

【００４４】図７は本発明の更に他の実施の形態を示し
ている。この図７の回路では、フラグテーブルを用いる
ことなく、異常ショット時間データの処理を行ってい
る。図７において、ショット時間テーブルが書き込まれ
ている第１のメモリ２６から読み出されたデータは、第
１と第２の比較器３８，２９に供給される。第１の比較
器３８では、供給されるデータとショット時間の上限値
との比較を行い、第２の比較３９では、供給されるデー
タとショット時間の下限値との比較を行う。

【００４５】第１のメモリ２６から読み出されたデータ
が、ショット時間の上限値より大きい場合には、スイッ
チ４０によりオーバーフロー時のショット時間メモリ３
５からのショット時間が選択され、そのデータはスイッ
チ３１を介してブランキングパルス発生回路３２に供給
される。

【００４６】一方、第１のメモリ２６から読み出された
データが、ショット時間の下限値より小さい場合には、
スイッチ４０によりアンダーフロー時のショット時間メ
モリ３４からのショット時間が選択され、そのデータは
スイッチ３１を介してブランキングパルス発生回路３２
に供給される。

【００４７】以上本発明の実施の形態を説明したが、本
発明はこの形態に限定されない。例えば、可変面積型の
電子ビーム描画装置を例に説明したが、イオンビーム描
画装置にも本発明を用いることができる。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明で
は、パターンサイズとショットランクに応じたショット
時間データを書き込んだショット時間テーブルと、パタ
ーンサイズとショットランクに応じて正常なショット時
間と異常なショット時間とを識別するフラグが書き込ま
れたフラグテーブルを作成し、描画時に、パターンサイ
ズとショットランクに応じてショット時間テーブルから
ショット時間データを読みだし、その際にフラグが正常
の場合には、この読み出されたデータに基づくショット
時間で描画を行うと共に、フラグが異常の場合には、異
常のシグナルを発生させるようにした。

【００４９】この結果、ショット時間の設定の異常につ
いて、設定された段階では異常があることを記録だけし
ておき、実際の描画時点でエラーとすることにしたの
で、装置の使用方法に柔軟性を持たせることができ、ま
た、的確にエラーの検出ができるため、装置の効率的な
使用が可能となる。

【００５０】請求項２の発明では、フラグが異常の場合
には、予め定められた一定のショット時間で描画を行う
ようにしたので、請求項１の発明の効果に加えて、致命
的な描画を行うことを防止することができる。

【００５１】請求項３の発明では、パターンサイズとシ
ョットランクに応じて、正常なショット時間と、ショッ
ト時間の上限値以上のショット時間と、ショット時間の
下限値以下のショット時間と、未定義のショット時間と
を識別するフラグが書き込まれたフラグテーブルを作成
し、描画時に、フラグがショット時間の上限値以上のシ
ョット時間を示す場合には、ショット時間の上限値のシ
ョット時間で描画を行い、フラグがショット時間の下限
値以下のショット時間を示す場合には、ショット時間の
下限値のショット時間で描画を行い、フラグがショット
時間の未定義を示す場合には、予め定められた一定のシ
ョット時間で描画を行うようにしたので、請求項１の発
明の効果に加えて、致命的な描画を行うことを防止する
ことができる。

【００５２】請求項４の発明では、描画時に、パターン
サイズとショットランクに応じてショット時間テーブル
からショット時間データを読みだし、読み出されたショ
ット時間とショット時間の上限値と下限値とを比較し、
読み出されたショット時間が上限値以上の場合には、シ
ョット時間の上限値のショット時間で描画を行い、読み
出されたショット時間が下限値以下の場合には、ショッ
ト時間の下限値のショット時間で描画を行うようにした
ので、設定されたショット時間に異常があっても、致命
的な描画を行うことは防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】可変面積型の電子ビーム描画装置を示す図であ
る。

【図２】図１の装置における描画のタイミングを示す図
である。

【図３】ショットランク指定により実際の電子ビームの
照射時間が決まるまでの方式を説明するための図であ
る。

【図４】本発明の方法を実施するための回路の一例を示
す図である。

【図５】フラグテーブルの一例を示す図である。

【図６】本発明の方法を実施するための回路の他の例を
示す図である。

【図７】本発明の方法を実施するための回路の更に他の
例を示す図である。

【符号の説明】

１７ ブランキングコントロール回路 １８ ショット分割器 ２５，２９，３０，３１ スイッチ ２６，２７ メモリ ２８ 制御ＭＰＵ ３２ ブランキングパルス発生回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 可変面積の荷電粒子ビームを被描画材料
   上に所定時間ショットしながら描画を行う荷電粒子ビー
   ム描画方法において、パターンサイズとショットランク
   に応じたショット時間データを書き込んだショット時間
   テーブルと、パターンサイズとショットランクに応じて
   正常なショット時間と異常なショット時間とを識別する
   フラグが書き込まれたフラグテーブルを作成し、描画時
   に、パターンサイズとショットランクに応じてショット
   時間テーブルからショット時間データを読みだし、その
   際にフラグが正常の場合には、この読み出されたデータ
   に基づくショット時間で描画を行うと共に、フラグが異
   常の場合には、異常のシグナルを発生させるようにした
   荷電粒子ビーム描画方法。
2. 【請求項２】 可変面積の荷電粒子ビームを被描画材料
   上に所定時間ショットしながら描画を行う荷電粒子ビー
   ム描画方法において、パターンサイズとショットランク
   に応じたショット時間データを書き込んだショット時間
   テーブルと、パターンサイズとショットランクに応じて
   正常なショット時間と異常なショット時間とを識別する
   フラグが書き込まれたフラグテーブルを作成し、描画時
   に、パターンサイズとショットランクに応じてショット
   時間テーブルからショット時間データを読みだし、その
   際にフラグが正常の場合には、この読み出されたデータ
   に基づくショット時間で描画を行うと共に、フラグが異
   常の場合には、予め定められた一定のショット時間で描
   画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法。
3. 【請求項３】 可変面積の荷電粒子ビームを被描画材料
   上に所定時間ショットしながら描画を行う荷電粒子ビー
   ム描画方法において、パターンサイズとショットランク
   に応じたショット時間データを書き込んだショット時間
   テーブルと、パターンサイズとショットランクに応じ
   て、正常なショット時間と、ショット時間の上限値以上
   のショット時間と、ショット時間の下限値以下のショッ
   ト時間と、未定義のショット時間とを識別するフラグが
   書き込まれたフラグテーブルを作成し、描画時に、パタ
   ーンサイズとショットランクに応じてショット時間テー
   ブルからショット時間データを読みだし、その際にフラ
   グが正常の場合には、この読み出されたデータに基づく
   ショット時間で描画を行うと共に、フラグがショット時
   間の上限値以上のショット時間を示す場合には、ショッ
   ト時間の上限値のショット時間で描画を行い、フラグが
   ショット時間の下限値以下のショット時間を示す場合に
   は、ショット時間の下限値のショット時間で描画を行
   い、フラグがショット時間の未定義を示す場合には、予
   め定められた一定のショット時間で描画を行うようにし
   た荷電粒子ビーム描画方法。
4. 【請求項４】 可変面積の荷電粒子ビームを被描画材料
   上に所定時間ショットしながら描画を行う荷電粒子ビー
   ム描画方法において、パターンサイズとショットランク
   に応じたショット時間データを書き込んだショット時間
   テーブルを作成し、描画時に、パターンサイズとショッ
   トランクに応じてショット時間テーブルからショット時
   間データを読みだし、読み出されたショット時間とショ
   ット時間の上限値と下限値とを比較し、読み出されたシ
   ョット時間が上限値以上の場合には、ショット時間の上
   限値のショット時間で描画を行い、読み出されたショッ
   ト時間が下限値以下の場合には、ショット時間の下限値
   のショット時間で描画を行うようにした荷電粒子ビーム
   描画方法。