JPH09115190A - Production of stamper for optical disk - Google Patents

Production of stamper for optical disk

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Publication number
JPH09115190A
JPH09115190A JP29210895A JP29210895A JPH09115190A JP H09115190 A JPH09115190 A JP H09115190A JP 29210895 A JP29210895 A JP 29210895A JP 29210895 A JP29210895 A JP 29210895A JP H09115190 A JPH09115190 A JP H09115190A
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JP
Japan
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film
auxiliary thin
stamper
substrate
thin film
Prior art date
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Pending
Application number
JP29210895A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Sato
和洋 佐藤
Shin Miyajima
慎 宮島
Toyohito Asanuma
豊人 浅沼
Tetsuya Suzuki
哲也 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP29210895A priority Critical patent/JPH09115190A/en
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Pending legal-status Critical Current

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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to easily produce a stamper by incorporating a step of forming an easily removable auxiliary thin film having grooves for tracking into a production process. SOLUTION: The auxiliary thin-film layer 2 consisting of a material which is different from the material of a phase transition film 4 formed on a substrate 1 and is easily removable is formed by etching on the substrate 1 prior to the formation of the phase transition film 4 in the case of producing the stamper for optical disks by subjecting the phase transition film 4 to thermal recording of information by a laser beam L1 and etching this film and forming the signal ruggedness on the surface of the substrate 1 by utilizing difference in the etching rate between the phase transition parts and the phase non-transition parts. Grooves 3 for tracking are formed on this auxiliary thin-film layer 2 and, thereafter, the phase transition film 4 is formed on the auxiliary thin-film layer 2. As a result, the stamper is formed without using a high-accuracy recording machine used before.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、各種光ディスクの
製造に用いられる光ディスク用スタンパの製造方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical disk stamper used for manufacturing various optical disks.

【0002】[0002]

【従来の技術】デジタル・オーディオ・ディスクの一つ
として開発されたいわゆるコンパクトディスクは、現在
では信号処理技術やLSI或いは半導体レーザ技術の進
展に伴って、音楽用ソフトのみならず、各種映像ソフト
や情報ファイルのパッケージメディアとして用いられて
おり、現在でもより多くの記憶容量を得るために更なる
高密度化が図られている。これらの光ディスクは、その
プラスチック透明基板の片面に凹凸の信号(ピット或い
はグルーブ)が形成されているが、この信号は一般に熱
可塑性樹脂組成物を、微小凹凸の信号が形成された金属
製母型、いわゆる金属スタンパを備えた型内に高温状態
で注入し、その後、これを冷却して熱可塑性樹脂組成物
を硬化させることにより形成される。
2. Description of the Related Art So-called compact discs, which have been developed as one of digital audio discs, are currently used not only for music software but also for various video software as well as signal processing technology and LSI or semiconductor laser technology. It is used as a package medium for information files, and is currently being further densified to obtain a larger storage capacity. In these optical discs, an uneven signal (pit or groove) is formed on one surface of the plastic transparent substrate, and this signal is generally a thermoplastic resin composition, and a metal mother die on which a minute uneven signal is formed. It is formed by pouring in a mold provided with a so-called metal stamper at a high temperature and then cooling it to cure the thermoplastic resin composition.

【0003】このように光ディスクの透明基板表面に信
号ピット或いはグルーブ形成するための金属スタンパは
通常は電鋳法により製造されている(実開昭56−61
369号公報及び特開平1−225788号公報参
照)。具体的には、まず、ガラス基板にフォトレジスト
を塗布してこれをプリベークし、プリベーク後にフォト
レジスト面にレーザ光による信号記録を行なった後、こ
れを現像する。次に、電鋳工程に先立ち、表面の電導化
を図るために上記フォトレジスト面に真空蒸着法或いは
スパッタ法によりニッケル等の金属膜を形成し、続いて
この金属膜上に電鋳により金属の膜付けを行なって電鋳
膜を形成する。しかる後、この電鋳膜をガラス基板より
剥離して電鋳膜面に残留するフォトレジストを除去し、
その後、これを所定の寸法に打ち抜いて金属スタンパを
得る。
A metal stamper for forming signal pits or grooves on the surface of a transparent substrate of an optical disc is usually manufactured by electroforming (Actual No. Sho 56-61).
369 and JP-A-1-225788). Specifically, first, a photoresist is applied to a glass substrate, pre-baked, and after pre-baking, a signal is recorded on the photoresist surface by laser light, and then the photoresist is developed. Next, prior to the electroforming step, a metal film of nickel or the like is formed on the photoresist surface by a vacuum deposition method or a sputtering method in order to make the surface electrically conductive, and subsequently, a metal film is electroformed on the metal film by electroforming. Film forming is performed to form an electroformed film. After that, peel off this electroformed film from the glass substrate to remove the photoresist remaining on the electroformed film surface,
Then, this is punched into a predetermined size to obtain a metal stamper.

【0004】しかしながら、上述したような金属スタン
パの製造方法においては、フォトレジストの塗布、露
光、現像、及び電鋳等の各工程に要する時間が長く、製
造コストが高いという問題がある。更に、スタンパの厚
さを均一にするために電鋳膜の面積は必要とするスタン
パ面積の3〜4倍にも達し、廃材を産む損失もある。そ
こで、この問題を解決するために、基板上に相変化膜を
形成しておいて、この相変化膜にヒートモードによって
信号を記録し、相変化膜のアモルファス相と結晶相での
エッチングレート差を用いて凹凸信号を形成する方法が
最近提案されている(特開平3−127342号公
報)。この方法は、従来の信号記録層であるフォトレジ
ストを相変化膜に置き換えるものであり、所定形状の金
属基板をそのままスタンパとして用いるのでスタンパ製
造工程が極めて簡略化できる。
However, the method of manufacturing the metal stamper as described above has a problem that the time required for each step such as photoresist coating, exposure, development and electroforming is long and the manufacturing cost is high. Further, the area of the electroformed film reaches 3 to 4 times the required stamper area in order to make the thickness of the stamper uniform, and there is a loss of producing waste material. Therefore, in order to solve this problem, a phase change film is formed on the substrate, a signal is recorded in the phase change film by a heat mode, and the etching rate difference between the amorphous phase and the crystalline phase of the phase change film is recorded. Recently, a method of forming a concavo-convex signal using has been proposed (JP-A-3-127342). This method replaces the conventional photoresist, which is a signal recording layer, with a phase change film and uses a metal substrate having a predetermined shape as it is as a stamper, so that the stamper manufacturing process can be extremely simplified.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、信号記録時には従来の記録システムと同様に記
録ヘッドのトラッキングが記録すべき基板に対して補正
できないために、極めて精巧な回転中心位置合わせ機構
及び基板送り機構を必要とするので、記録機が大型化
し、しかも高度な保守技術や除振機構を必要とするの
で、高価なものとなってしまう。また、記録すべき基板
に記録ヘッドのトラッキング用グルーブが有る場合は、
上述したような問題を解決できるが、この場合にはディ
スクに不用なトラッキング用グルーブを金属基板に残さ
ずに信号となるピットのみを形成しなければならないの
で、既にグルーブの形成された金属基板をスタンパ用基
板として用いることはできないという問題がある。つま
り、信号記録時に存在するトラッキング用グルーブは、
スタンパとして仕上がった後は、グルーブは消失するよ
うな工程でなければならない。
However, in this method, the tracking of the recording head cannot correct the substrate to be recorded during signal recording as in the conventional recording system. Also, since the substrate feeding mechanism is required, the recording machine becomes large in size, and moreover, a high maintenance technique and a vibration isolation mechanism are required, which is expensive. In addition, when the substrate for recording has a groove for tracking of the recording head,
Although the problem as described above can be solved, in this case, it is necessary to form only the pits for signals without leaving the unnecessary tracking groove on the disc on the metal substrate, so that the metal substrate on which the groove is already formed can be formed. There is a problem that it cannot be used as a stamper substrate. In other words, the tracking groove that exists during signal recording is
The groove must disappear after it is finished as a stamper.

【0006】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものであり、その目
的はトラッキング用のグルーブを有する、除去が容易な
補助薄膜を形成するステップを組み込むことにより容易
に製造することができる光ディスク用スタンパの製造方
法を提供することにある。
[0006] The present invention focuses on the above problems,
The invention was devised to solve this effectively, and the purpose thereof is to manufacture an optical disk stamper which can be easily manufactured by incorporating a step of forming an auxiliary thin film having a groove for tracking, which is easy to remove. To provide a method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、基板上に形成した相変化膜にレーザ光
により情報の熱記録を行ない、これをエッチングするこ
とにより相変化部と相未変化部とのエッチングレートの
差を利用して前記基板表面に信号凹凸を形成するように
した光ディスク用スタンパの製造方法において、前記相
変化膜を形成するに先立って、前記基板上に前記相変化
膜とは異なる材料であって容易にエッチングで除去でき
る材料からなる補助薄膜層を形成すると共にこの補助薄
膜層にトラッキング用のグルーブを形成し、その後、こ
の補助薄膜層上に前記相変化膜を形成するように構成し
たものである。このように、まず、金属などよりなる基
板表面に、相変化膜を形成するに先立って、エッチング
等により容易に除去が可能な補助薄膜層を形成し、この
補助薄膜層にフォトリソグラフィーによりトラッキング
用のグルーブを形成する。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention performs thermal recording of information on a phase change film formed on a substrate by laser light, and etches this to change the phase change portion. In the method for manufacturing a stamper for an optical disc in which signal irregularities are formed on the surface of the substrate by utilizing the difference in etching rate between the phase-changed portion and An auxiliary thin film layer made of a material different from that of the phase change film and easily removable by etching is formed, and a groove for tracking is formed in the auxiliary thin film layer, and then the phase is formed on the auxiliary thin film layer. It is configured to form a change film. As described above, first, an auxiliary thin film layer that can be easily removed by etching or the like is formed on the substrate surface made of metal or the like before forming the phase change film, and the auxiliary thin film layer is used for tracking by photolithography. To form the groove.

【0008】次に、この薄膜層の全面に上記相変化膜を
形成する。そして、このグルーブの底部にレーザ光によ
り情報を熱記録し、選択的に相変化させる。次に、この
相変化部分をマスクとしてエッチングを施すことにより
基板表面に相変化部分と相未変化部分に対応した凹凸の
信号ピットが形成されることになる。この場合、当然の
こととして相変化部と相未変化部のエッチングレートは
異なり、このパターンがそのまま基板表面上にコピーさ
れる。この補助薄膜層としては、例えばシリコン膜やシ
リコン酸化膜などより単層膜を用いることができる。ま
た、単層膜に限らず、この補助薄膜層をシリコン膜やシ
リコン酸化膜よりなる第1の補助薄膜とこの膜上に形成
した例えばフォトレジスト膜よりなる第2の補助薄膜と
により2層構造としてもよい。この場合には、フォトレ
ジスト膜よりなる第2の補助薄膜にトラッキング用のグ
ルーブを形成しておく。
Next, the phase change film is formed on the entire surface of this thin film layer. Then, information is thermally recorded on the bottom of the groove by laser light to selectively change the phase. Next, etching is performed using this phase change portion as a mask, whereby signal pits having irregularities corresponding to the phase change portion and the phase non-change portion are formed on the substrate surface. In this case, as a matter of course, the etching rates of the phase change portion and the phase non-change portion are different, and this pattern is copied as it is on the substrate surface. As the auxiliary thin film layer, a single layer film such as a silicon film or a silicon oxide film can be used. The auxiliary thin film layer is not limited to a single-layer film, and the auxiliary thin film layer has a two-layer structure including a first auxiliary thin film made of a silicon film or a silicon oxide film and a second auxiliary thin film made of, for example, a photoresist film formed on the film. May be In this case, a tracking groove is formed in the second auxiliary thin film made of a photoresist film.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る光ディスク
用スタンパの製造方法の一実施例を添付図面に基づいて
詳述する。図1は本発明に係る光ディスク用スタンパの
製造方法の第1の実施例を示す工程図である。本発明の
概要は、まず、例えば金属よりなる基板面上に、例えば
プラズマエッチングにより容易に除去が可能な補助薄膜
層を形成し、この薄膜層に例えばフォトリソグラフィー
にてトラッキング用のグルーブを形成し、次に、この全
面に信号記録層として相変化膜を形成する。次いで、上
記グルーブを参照しつつトラッキングを行いながら、上
記相変化膜にレーザ光による熱記録を行ない、その後、
これをエッチングすることにより基板表面に信号凹凸を
形成する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of a method for manufacturing an optical disk stamper according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a process diagram showing a first embodiment of a method for manufacturing an optical disk stamper according to the present invention. The outline of the present invention is as follows. First, an auxiliary thin film layer that can be easily removed by, for example, plasma etching is formed on a surface of a substrate made of, for example, and a groove for tracking is formed in this thin film layer by, for example, photolithography. Next, a phase change film is formed as a signal recording layer on the entire surface. Then, while performing tracking while referring to the groove, thermal recording with laser light is performed on the phase change film, and thereafter,
By etching this, signal irregularities are formed on the substrate surface.

【0010】まず、図1(A)に示すように片面(図中
上面)が鏡面研磨された所定形状、例えば中央に孔を有
する円盤状の金属板、例えばニッケル製基板1の鏡面側
にエッチングにより容易に除去可能な材料からなる補助
薄膜層2を例えばスパッタ法により形成する。この時の
補助薄膜層2の材料や上記エッチング方法の選定条件
は、この上に形成されることになる信号記録層としての
相変化膜の信号パターンがエッチングマスクとして機能
するような材料及びエッチング法が選択される。この補
助薄膜層2の材料としては、例えばシリコン膜、シリコ
ン酸化膜、或いはフォトレジスト膜を用いることができ
る。次に、図1(B)に示すようにフォトリソグラフィ
ー技術を用いてこの補助薄膜層2の表面に、例えば螺旋
状にトラッキング用のグルーブ3を形成する。このグル
ーブ3の深さは、信号の記録に用いるレーザ光の波長λ
の1/8程度の深さが良く、下層の基板1の表面が露出
しないようにするために補助薄膜層2の膜厚は、グルー
ブ3の深さよりも厚く設定している。
First, as shown in FIG. 1 (A), one surface (upper surface in the drawing) is mirror-polished to a predetermined shape, for example, a disk-shaped metal plate having a hole in the center, for example, the mirror surface side of a nickel substrate 1 is etched. The auxiliary thin film layer 2 made of a material that can be easily removed is formed by, for example, a sputtering method. At this time, the material of the auxiliary thin film layer 2 and the conditions for selecting the etching method are selected such that the signal pattern of the phase change film as a signal recording layer to be formed thereon functions as an etching mask. Is selected. As a material of the auxiliary thin film layer 2, for example, a silicon film, a silicon oxide film, or a photoresist film can be used. Next, as shown in FIG. 1B, a tracking groove 3 is formed in a spiral shape on the surface of the auxiliary thin film layer 2 by using a photolithography technique. The depth of this groove 3 is the wavelength λ of the laser light used for recording a signal.
The thickness of the auxiliary thin film layer 2 is set thicker than the depth of the groove 3 in order to prevent the surface of the lower substrate 1 from being exposed.

【0011】次に、図1(C)に示すように、グルーブ
3の形成された補助薄膜層2の全面を覆って信号記録層
となる相変化膜4を例えばスパッタ法により成膜する。
この相変化膜4の材料としては、本発明者等が優れたリ
ソグラフィー材料として既に提案している材料、例えば
GeSn(’94秋季応用物理学会講演予稿集p764
参照)を用いることができ、このGeSnはプラズマエ
ッチングガスとして酸素や四フッ化炭素(CF4 )を用
いた場合には良好なエッチングマスクとなる。GeSn
は例えばエッチングガスとして酸素を用いた場合には高
分子材料に対して高い選択比を有し、エッチングガスと
してCF4 系ガスを用いた場合にはSiやSiO2 等に
対して高い選択比を有す。尚、相変化膜4の表面には、
この下層の補助薄膜層2の凹凸のグルーブ3が写し出さ
れている。
Next, as shown in FIG. 1C, a phase change film 4 to be a signal recording layer is formed by sputtering, for example, to cover the entire surface of the auxiliary thin film layer 2 in which the groove 3 is formed.
The material of the phase change film 4 is a material which the present inventors have already proposed as an excellent lithography material, for example, GeSn ('94 Autumn Applied Physics Society Proceedings Proceedings p764.
) Can be used, and this GeSn becomes a good etching mask when oxygen or carbon tetrafluoride (CF 4 ) is used as the plasma etching gas. GeSn
For example, when oxygen is used as the etching gas, it has a high selection ratio with respect to the polymer material, and when CF 4 gas is used as the etching gas, it has a high selection ratio with respect to Si and SiO 2. Have In addition, on the surface of the phase change film 4,
The uneven groove 3 of the lower auxiliary thin film layer 2 is projected.

【0012】次に、図1(D)に示すように上記相変化
膜4に、記録信号で変調されたレーザ光L1を照射して
熱記録を行ない、記録信号に応じて相変化を生ぜしめ
る。図中斜線部分は相変化部5を示す。この時、相変化
膜4の面上にはグルーブがコピーされて形成されている
ので、このグルーブ3からの反射信号をトラッキング用
に参照して記録ヘッドの径方向の精密送り、すなわちト
ラッキングを行なうことが可能となる。このような記録
ヘッドの送り機構は、従来、半導体レーザを記録ヘッド
とした追記型或いは書き換え型光ディスクで一般に採用
されている方法であり、光ディスク用原盤のための従来
の記録機であるカッティングマシンに比して安価であ
る。尚、相変化膜4をリソグラフィー材料として用いた
場合、長波長レーザによる記録であっても高密度記録が
可能であり、従来の記録機であるカッティングマシンで
は、フォトレジストへの記録であるために、短波長レー
ザに限定されるのに比べ、小型で安価な半導体レーザを
使うことができる。
Next, as shown in FIG. 1D, the phase change film 4 is irradiated with a laser beam L1 modulated with a recording signal to perform thermal recording, and a phase change is generated in accordance with the recording signal. . The shaded portion in the figure indicates the phase change portion 5. At this time, since the groove is formed by being copied on the surface of the phase change film 4, the reflected signal from the groove 3 is referred to for tracking, so that the recording head is precisely fed in the radial direction, that is, tracking is performed. It becomes possible. Such a recording head feeding mechanism is a method that has been generally adopted in a write-once or rewritable optical disk using a semiconductor laser as a recording head, and is used in a cutting machine which is a conventional recording machine for an optical disk master. It is cheaper in comparison. When the phase change film 4 is used as a lithographic material, high density recording is possible even by recording with a long wavelength laser, and in a cutting machine which is a conventional recording machine, recording is performed on a photoresist. A small and inexpensive semiconductor laser can be used as compared with a short wavelength laser.

【0013】次に、上述のようにレーザ光L1によって
生じた相変化部5、すなわちアモルファス相と結晶相と
のエッチングレート差によって形成した凹凸信号をエッ
チングマスクとして補助薄膜層2に対してエッチング処
理を施すことにより図1(E)に示すようになり、更
に、この信号パターンに対応する補助薄膜パターンをエ
ッチングマスクとして基板1をエッチングすることによ
り図1(F)に示すように基板1の表面に凹凸信号を形
成する。通常、光ディスク成型金型であるスタンパはニ
ッケルが用いられるが、ニッケルのエッチングはアルゴ
ンイオンを照射するイオンミリング或いはスパッタエッ
チングによる。相変化膜4として用いられる材料は一般
にアルゴンイオン照射によるエッチングレートが非常に
大きく、実質的に金属基板1のエッチングマスクとなる
のは前記補助薄膜層2である。金属基板1のエッチング
が終了した時点では相変化膜パターンは消失しているの
で、更に補助薄膜層2をエッチングして除去することに
より図1(G)に示すようなスタンパ6が得られる。以
上に述べた方法で、相変化膜4の信号凹凸パターンであ
る相変化部5は、二種類の厚さをもつ補助薄膜層2をエ
ッチングするためのエッチングマスクとして機能するた
めに、同一エッチング条件に対するエッチングレートは
補助薄膜層2が相変化膜4に対して十分に大きくなけれ
ばならない。相変化膜4として本発明者等が既に提案し
ている相変化膜GeSnの結晶相信号膜と補助薄膜層2
としての幾つかの材料のエッチングレートの比を表1に
示す。ここでは、エッチング装置として平行平板型プラ
ズマエッチング装置を用いている。
Next, the auxiliary thin film layer 2 is etched by using the unevenness signal formed by the phase change portion 5 generated by the laser beam L1 as described above, that is, the etching rate difference between the amorphous phase and the crystalline phase, as an etching mask. As shown in FIG. 1 (E), the substrate 1 is etched by using the auxiliary thin film pattern corresponding to the signal pattern as an etching mask to form the surface of the substrate 1 as shown in FIG. 1 (F). An uneven signal is formed on. Normally, nickel is used for the stamper, which is a mold for optical disk molding, and the etching of nickel is performed by ion milling or sputter etching in which argon ions are irradiated. The material used for the phase change film 4 generally has a very high etching rate by argon ion irradiation, and the auxiliary thin film layer 2 substantially serves as an etching mask for the metal substrate 1. Since the phase change film pattern has disappeared when the etching of the metal substrate 1 is completed, the stamper 6 as shown in FIG. 1G is obtained by further etching and removing the auxiliary thin film layer 2. According to the method described above, the phase change portion 5 which is the signal concavo-convex pattern of the phase change film 4 functions as an etching mask for etching the auxiliary thin film layer 2 having two kinds of thickness, and therefore the same etching condition is used. The etching rate of the auxiliary thin film layer 2 must be sufficiently higher than that of the phase change film 4. As the phase change film 4, the crystal phase signal film of the phase change film GeSn and the auxiliary thin film layer 2 which the present inventors have already proposed.
Table 1 shows the etching rate ratios of some materials. Here, a parallel plate type plasma etching apparatus is used as the etching apparatus.

【0014】[0014]

【表1】 [Table 1]

【0015】この表1から明らかなように、エッチング
ガスとしてCF4 ガスや酸素ガスを用いる場合には、上
述のように補助薄膜層2の材質としてSi膜やその酸化
物膜(エッチングガスがCF4 の時)或いはフォトレジ
ストのような有機物膜(エッチングガスが酸素の時)を
用いることにより全てにおいてエッチングルート比が4
0以上となり十分に大きな選択比を得ることができる。
このように信号記録時のみ必要とするトラッキング用の
グルーブを補助薄膜層2に形成してこれを参照しつつ信
号記録を行ない、記録後はこのグルーブを基板上に残す
ことなく消去することができるので、半導体レーザを記
録用ヘッドとした簡便で安価な記録機を用いてスタンパ
を製造することが可能となる。また、グルーブ底部への
記録によって、従来ヒートモード記録で問題となりがち
であったピット平面形状の変形も防止することが可能と
なる。更には、従来ガラス基板の研磨からメッキ盤の打
ち抜きに至る一連のプロセスを、基板準備までの工程
と、信号記録以降の工程に分離できると共に工程を短縮
できるので、少ない設備費用で生産性に寄与することが
できる。
As is clear from Table 1, when CF 4 gas or oxygen gas is used as the etching gas, the Si film or its oxide film (the etching gas is CF 4 ) or using an organic film such as photoresist (when the etching gas is oxygen), the etching route ratio is 4 in all cases.
Since it is 0 or more, a sufficiently large selection ratio can be obtained.
As described above, a groove for tracking, which is required only during signal recording, is formed in the auxiliary thin film layer 2, signal recording is performed with reference to the groove, and after recording, the groove can be erased without being left on the substrate. Therefore, it becomes possible to manufacture the stamper using a simple and inexpensive recording machine using a semiconductor laser as a recording head. Further, by recording on the bottom of the groove, it becomes possible to prevent the deformation of the pit plane shape, which has been a problem in the conventional heat mode recording. In addition, the conventional series of processes from glass substrate polishing to punching of the plating board can be separated into the process from substrate preparation to the process after signal recording and the process can be shortened, contributing to productivity with less equipment cost. can do.

【0016】上記第1の実施例においては、補助薄膜層
2としては、単層の薄膜を用いたが、これに限定され
ず、複数、例えば2層の薄膜よりなる補助薄膜層を用い
るようにしてもよい。図2はこのような第2の実施例に
係る光ディスク用スタンパの製造方法を説明する主要工
程図である。この第2の実施例においては、まず、図2
(A)に示すように基板1として片面が鏡面に研磨され
た内径H1が35.6mm、外径H2が128mm、厚
さT1が0.25mmの円盤状のニッケル基板1を用
い、この基板1の鏡面に、スパッタ法にて第1の補助薄
膜2Aとしてシリコンを100nmの厚さにて成膜し
た。次に、図2(B)に示すようにそのシリコン2A面
に第2の補助薄膜2Bとしてポジ型フォトレジストを形
成し、このレジスト2Bにフォトリソグラフィーにてス
パイラルパターンを形成してトラッキング用のグルーブ
3を設けた。この時用いたハードマスクは幅1μm、ト
ラックピッチ1.6μmのパターンが描かれているガラ
スマスクであり、露光は密着露光法によった。この場
合、補助薄膜層2は、第1の補助薄膜2Aと第2の補助
薄膜2Bとにより構成されることになる。現像及びポス
トベーク後、図2(C)に示すようにこの基板面全面に
GeSn膜よりなる相変化膜4をスパッタ法にて成膜し
た。GeSn相変化膜4の厚さは150nmである。こ
の相変化膜4には、この下層の凹凸グルーブ3がコピー
して写し出されている。
In the first embodiment, the auxiliary thin film layer 2 is a single thin film, but the present invention is not limited to this, and an auxiliary thin film layer composed of a plurality of, for example, two thin films may be used. May be. FIG. 2 is a main process diagram for explaining a method of manufacturing the optical disk stamper according to the second embodiment. In the second embodiment, first, as shown in FIG.
As shown in (A), a disk-shaped nickel substrate 1 having an inner diameter H1 of 35.6 mm, an outer diameter H2 of 128 mm, and a thickness T1 of 0.25 mm whose one surface is mirror-polished is used as the substrate 1. On the mirror surface of, a silicon film having a thickness of 100 nm was formed as the first auxiliary thin film 2A by the sputtering method. Next, as shown in FIG. 2B, a positive photoresist is formed as a second auxiliary thin film 2B on the surface of the silicon 2A, and a spiral pattern is formed on the resist 2B by photolithography to form a groove for tracking. 3 is provided. The hard mask used at this time was a glass mask on which a pattern having a width of 1 μm and a track pitch of 1.6 μm was drawn, and the exposure was by a contact exposure method. In this case, the auxiliary thin film layer 2 is composed of the first auxiliary thin film 2A and the second auxiliary thin film 2B. After development and post-baking, as shown in FIG. 2C, a phase change film 4 made of a GeSn film was formed on the entire surface of the substrate by a sputtering method. The thickness of the GeSn phase change film 4 is 150 nm. On this phase change film 4, the concave and convex grooves 3 of the lower layer are copied and projected.

【0017】このようにして準備されたスタンパ用基板
に、従来の追記型ディスク用記録機を用いて信号をグル
ーブ底部、すなわちイングルーブに記録した。用いた半
導体レーザの波長は、780nmで記録盤面でのパワー
は8mWである。次に、ニッケル基板1の裏面をスプレ
ーにて保護コートし、これを硝酸水溶液に浸漬して記録
部のみを残したパターンを形成し、その後、酸素ガスを
用いたプラズマエッチングにてフォトレジスト2Bを、
次いで、四フッ化ガスを用いたプラズマエッチングにて
シリコン2Aを、次いで、アルゴンガスを用いたスパッ
タエッチングにてニッケル基板表面をそれぞれ局部的に
除去した。アルゴンガスを用いたスパッタエッチング終
了時には半導体レーザにて記録した部分の前記相変化膜
4は既に消失していた。ニッケル基板1に微小凹凸を形
成するためのエッチングマスクとして機能したシリコン
2Aのパターンは、再度四フッ化炭素ガスを用いたプラ
ズマエッチングにて除去した。このようにして得られた
スタンパにて射出成型した光ディスクの特性は従来法で
作製されたスタンパにて射出成型した光ディスクの特性
と同等であった。但し同様の工程で信号の記録をランド
部に、すなわちオンランド記録したものはシリコンをエ
ッチングした後のピットパターンの変形が激しかった。
上記実施例においては、第1の補助薄膜2Aとしてシリ
コン膜を用い、第2の補助薄膜2Bとしてフォトレジス
トを用いた場合を例にとって説明したが、これに限ら
ず、両膜ともにシリコン膜を用いるようにしてもよい。
図3はこのような第3の実施例に係る光ディスク用スタ
ンパの製造方法を説明する主要工程図である。
On the stamper substrate thus prepared, a signal was recorded on the groove bottom, that is, the in-groove, using a conventional write-once disc recorder. The wavelength of the semiconductor laser used is 780 nm, and the power on the recording disk surface is 8 mW. Next, the back surface of the nickel substrate 1 is spray-coated, and this is dipped in a nitric acid aqueous solution to form a pattern leaving only the recording portion, and then the photoresist 2B is formed by plasma etching using oxygen gas. ,
Next, the silicon 2A was locally removed by plasma etching using tetrafluoride gas, and then the nickel substrate surface was locally removed by sputter etching using argon gas. At the end of sputter etching using argon gas, the phase change film 4 in the portion recorded by the semiconductor laser had already disappeared. The pattern of the silicon 2A that functioned as an etching mask for forming fine irregularities on the nickel substrate 1 was removed again by plasma etching using carbon tetrafluoride gas. The characteristics of the optical disk injection-molded by the stamper thus obtained were the same as the characteristics of the optical disk injection-molded by the conventional stamper. However, in the same process, signal recording was performed on the land portion, that is, on-land recording, the deformation of the pit pattern after etching silicon was severe.
In the above embodiment, the case where the silicon film is used as the first auxiliary thin film 2A and the photoresist is used as the second auxiliary thin film 2B has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and both films use the silicon film. You may do it.
FIG. 3 is a main process diagram for explaining a method of manufacturing the optical disk stamper according to the third embodiment.

【0018】この第3の実施例においては、図3(A)
に示すように、片面が鏡面になされて、厚さ及び内外径
が実施例2のものと同一の円盤状ニッケル基板1の鏡面
側全面に第1の補助薄膜2Aとしてシリコンを100n
mの厚さでスパッタ法にて成膜した。次に、このシリコ
ン膜2A面にフォトリソグラフィーによりフォトレジス
トのスパイラルパターンを形成し、次に四フッ化炭素ガ
スを用いたプラズマエッチングにてシリコン膜2Aのス
パイラルパターンを形成してトラッキング用のグルーブ
3を設けた。残留するフォトレジストは酸素ガスを用い
たプラズマエッチングにて除去した。図3(B)におい
てはこのようにして形成されたシリコン膜2Aのスパイ
ラルパターンが示されている。次に、図3(C)に示す
ように基板1の全面に第2の補助薄膜2Bとしてシリコ
ンを100nmの厚さでスパッタ法にて成膜し、その後
GeSn膜よりなる相変化膜4を成膜した。このように
して準備されたスタンパ用基板に、実施例2の場合と同
様に信号を記録し、現像後、四フッ化炭素ガスを用いた
プラズマエッチングにてシリコンを、次いでアルゴンガ
スを用いたスパッタエッチングにてニッケル基板表面を
局部的にそれぞれ除去した。アルゴンガスを用いたスパ
ッタエッチング終了時には、半導体レーザにて記録した
部分の相変化膜4は既に消失していた。ニッケル基板面
に微小凹凸を形成するためのエッチングマスクとして機
能したシリコンパターンは再度四フッ化炭素ガスを用い
たプラズマエッチングにて除去した。
In this third embodiment, FIG.
As shown in FIG. 1, 100 n of silicon is used as the first auxiliary thin film 2A on the entire mirror side of the disk-shaped nickel substrate 1 having the same thickness and inner and outer diameters as those of the second embodiment.
A film having a thickness of m was formed by a sputtering method. Next, a photoresist spiral pattern is formed on the surface of the silicon film 2A by photolithography, and then the spiral pattern of the silicon film 2A is formed by plasma etching using carbon tetrafluoride gas to form the tracking groove 3 Was set up. The remaining photoresist was removed by plasma etching using oxygen gas. FIG. 3B shows a spiral pattern of the silicon film 2A thus formed. Next, as shown in FIG. 3C, a 100 nm thick silicon film is formed as a second auxiliary thin film 2B on the entire surface of the substrate 1 by a sputtering method, and then a phase change film 4 made of a GeSn film is formed. Filmed Signals were recorded on the stamper substrate thus prepared in the same manner as in Example 2, and after development, silicon was formed by plasma etching using a carbon tetrafluoride gas, and then sputtering was performed using an argon gas. The nickel substrate surface was locally removed by etching. At the end of sputter etching using argon gas, the phase change film 4 in the portion recorded by the semiconductor laser had already disappeared. The silicon pattern functioning as an etching mask for forming fine irregularities on the nickel substrate surface was removed again by plasma etching using carbon tetrafluoride gas.

【0019】このようにして得られたスタンパにて射出
成型した光ディスクの特性は従来法で作製されたスタン
パにて射出成型した光ディスクの特性と同等であった。
但し、同様の工程で信号の記録をランド部に、すなわち
オンランド記録したものはシリコンをエッチングした後
のピットパターンの変形が激しかった。この場合には信
号記録後のプロセスが実施例2の場合と比較して、酸素
プラズマによるエッチング工程が無いのでリードタイム
が短縮され、また信号記録前に準備された基板は熱的に
安定な無機物のみで構成されているので保存性に優れて
いた。上記実施例では、1枚毎の基板をもとにして各工
程を実施した場合を例にとって説明したが、生産性を上
げるために第4の実施例のように複数の基板を1枚のニ
ッケル板から成型するようにしてもよい。
The characteristics of the optical disk injection-molded by the stamper thus obtained were the same as the characteristics of the optical disk injection-molded by the stamper manufactured by the conventional method.
However, in the same process, signal recording was performed on the land portion, that is, on-land recording, the deformation of the pit pattern after etching silicon was severe. In this case, the process after signal recording is shorter than that in the case of Example 2 because there is no etching step using oxygen plasma, and thus the lead time is shortened, and the substrate prepared before signal recording is a thermally stable inorganic material. Since it was composed of only one, it was excellent in storability. In the above-described embodiment, the case where each process is performed based on each substrate has been described as an example. However, in order to improve the productivity, a plurality of substrates are formed into one nickel substrate as in the fourth embodiment. It may be molded from a plate.

【0020】第4の実施例として例えば片面が鏡面で、
その鏡面側にシリコン膜が成膜されている厚さ0.25
mmの四角形状のニッケル板のシリコン面にフォトレジ
ストフィルムを熱圧着し、これをフィルムマスクにて露
光後、現像した。このフィルムマスクのパターンは、内
径が35.6mm、外径が128mmであり、図4はこ
のようにして得られた300×300mmの四角形のニ
ッケル板7を示したものであり、4個の基板用のパター
ンが描かれている。このニッケル板7を平行平板型プラ
ズマエッチング装置にてシリコンエッチングを行ない、
その後、裏面にスプレーにて保護膜(ファインケミカル
ジャパン株式会社製クリーンコート)を形成し、硝酸水
溶液シャワーにてニッケル板1をエッチングしてパター
ン形状に分離し、4つの円形のニッケル基板1を形成し
た。その後、シリコン膜形成後の実施例2と同様にして
スタンパを作製した。この基板は打ち抜き基板に比して
バリが無く、また予め形成してあるシリコン膜がニッケ
ル面の保護膜ともなっているので、基板保存時に生じる
ニッケル基板面の局部的酸化を防ぎ、保存性に優れてい
た。尚、上記実施例では、基板材料としてニッケルを用
いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、
他の金属材料、例えばスチレンスチール、チタン、タン
タル、モリブデン、プラチナ等を用いてもよいのは勿論
である。
As a fourth embodiment, for example, one surface is a mirror surface,
A silicon film is formed on the mirror surface side. Thickness 0.25
A photoresist film was thermocompression-bonded to the silicon surface of a nickel plate having a rectangular shape of mm, exposed with a film mask, and then developed. The pattern of this film mask has an inner diameter of 35.6 mm and an outer diameter of 128 mm, and FIG. 4 shows a 300 × 300 mm square nickel plate 7 thus obtained. The pattern for is drawn. This nickel plate 7 is subjected to silicon etching with a parallel plate type plasma etching device,
After that, a protective film (clean coat manufactured by Fine Chemical Japan Co., Ltd.) was formed on the back surface by spraying, and the nickel plate 1 was etched by a nitric acid aqueous solution shower to separate into pattern shapes, thereby forming four circular nickel substrates 1. . After that, a stamper was produced in the same manner as in Example 2 after forming the silicon film. This substrate has less burrs than the punched substrate, and the preformed silicon film also serves as a protective film for the nickel surface, preventing local oxidation of the nickel substrate surface during storage of the substrate and excellent storage stability. Was there. In addition, in the above embodiment, the case where nickel is used as the substrate material is described as an example, but the present invention is not limited to this.
Of course, other metal materials such as styrene steel, titanium, tantalum, molybdenum, platinum, etc. may be used.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ディス
ク用スタンパの製造方法によれば、次のように優れた作
用効果を発揮することができる。エッチングにより容易
に除去できる補助薄膜層に信号記録時のみ必要とするト
ラッキング用のグルーブを形成し、後工程でこれを除去
するようにしたので、従来必要とした高価で精度の高い
記録機が不要となり、半導体レーザを記録用ヘッドとし
た簡便で安価な記録機であるカッティングマシンを用い
ることができ、また、従来のフォトンモード記録による
カッティング方式では得られない高密度で優れたピット
形状のヒートモード記録によるカッティング方式を実現
できる。また、トラッキング用のグルーブの底部への記
録によって、従来のヒートモード記録で問題となりがち
であったピット平面形状の変形を防止することができ
る。
As described above, according to the method for manufacturing an optical disk stamper of the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. A groove for tracking, which is required only during signal recording, is formed in the auxiliary thin film layer that can be easily removed by etching, and this is removed in a later process, so the expensive and highly accurate recorder that was required in the past is not required. Therefore, it is possible to use a cutting machine that is a simple and inexpensive recorder that uses a semiconductor laser as a recording head, and a high-density and excellent pit-shaped heat mode that cannot be obtained by the conventional photon mode recording cutting method. A cutting method by recording can be realized. Further, by recording on the bottom of the tracking groove, it is possible to prevent the deformation of the pit plane shape, which has been a problem in the conventional heat mode recording.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る光ディスク用スタンパの製造方法
の第1の実施例を示す工程図である。
FIG. 1 is a process drawing showing a first embodiment of a method for manufacturing an optical disk stamper according to the present invention.

【図2】本発明に係る光ディスク用スタンパの製造方法
の第2の実施例を示す主要工程図である。
FIG. 2 is a main process chart showing a second embodiment of a method for manufacturing an optical disk stamper according to the present invention.

【図3】本発明に係る光ディスク用スタンパの製造方法
の第3の実施例を示す主要工程図である。
FIG. 3 is a main process diagram showing a third embodiment of a method for manufacturing an optical disk stamper according to the present invention.

【図4】本発明に係る光ディスク用スタンパの製造方法
の第4の実施例を示す主要工程図である。
FIG. 4 is a main process chart showing a fourth embodiment of a method for manufacturing an optical disk stamper according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2…補助薄膜層、2A…第1の補助薄膜、2
B…第2の補助薄膜、3…トラッキング用のグルーブ、
4…相変化膜、5…相変化部分、6…スタンパ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Auxiliary thin film layer, 2A ... 1st auxiliary thin film, 2
B ... second auxiliary thin film, 3 ... tracking groove,
4 ... Phase change film, 5 ... Phase change part, 6 ... Stamper.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅沼 豊人 神奈川県横浜市神奈川区守屋町3丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 鈴木 哲也 神奈川県横浜市神奈川区守屋町3丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Toyotosa Asanuma 3-12 Moriya-cho, Kanagawa-ku, Yokohama, Kanagawa Japan Victor Company of Japan, Ltd. (72) Inventor Tetsuya Suzuki 3-chome, Moriya-cho, Kanagawa-ku, Yokohama Address 12 Victor Company of Japan, Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に形成した相変化膜にレーザ光に
より情報の熱記録を行ない、これをエッチングすること
により相変化部と相未変化部とのエッチングレートの差
を利用して前記基板表面に信号凹凸を形成するようにし
た光ディスク用スタンパの製造方法において、前記相変
化膜を形成するに先立って、前記基板上に前記相変化膜
とは異なる材料であって容易にエッチングで除去できる
材料からなる補助薄膜層を形成すると共にこの補助薄膜
層にトラッキング用のグルーブを形成し、その後、この
補助薄膜層上に前記相変化膜を形成するように構成した
ことを特徴とする光ディスク用スタンパの製造方法。
1. A substrate, wherein information is thermally recorded on a phase change film formed on a substrate by laser light, and the information is etched to utilize a difference in etching rate between a phase change part and a phase non-change part. In a method of manufacturing a stamper for an optical disc in which signal irregularities are formed on a surface, prior to forming the phase change film, a material different from the phase change film on the substrate can be easily removed by etching. A stamper for an optical disk characterized in that an auxiliary thin film layer made of a material is formed, a groove for tracking is formed in the auxiliary thin film layer, and then the phase change film is formed on the auxiliary thin film layer. Manufacturing method.
【請求項2】 前記トラッキング用のグルーブの底部に
前記レーザ光による情報の記録を行なうように構成した
ことを特徴とする請求項1記載の光ディスク用スタンパ
の製造方法。
2. The method for manufacturing an optical disk stamper according to claim 1, wherein information is recorded by the laser beam on a bottom portion of the tracking groove.
【請求項3】 前記補助薄膜層はシリコン膜或いはシリ
コン酸化膜よりなることを特徴とする請求項1または2
記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
3. The auxiliary thin film layer comprises a silicon film or a silicon oxide film.
A method for manufacturing the stamper for an optical disc as described above.
【請求項4】 前記補助薄膜層は、前記基板上の全面に
形成されたシリコン膜或いはシリコン酸化膜よりなる第
1の補助薄膜と、この膜上に形成された前記トラッキン
グ用のグルーブを有するフォトレジスト膜よりなる第2
の補助薄膜よりなることを特徴とする請求項1または2
記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
4. The auxiliary thin film layer comprises a first auxiliary thin film made of a silicon film or a silicon oxide film formed on the entire surface of the substrate, and a photo groove having the tracking groove formed on the first auxiliary thin film. Second consisting of resist film
3. The auxiliary thin film according to claim 1 or 2.
A method for manufacturing the stamper for an optical disc as described above.
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