JPH09113661A - 常温核融合反応方法およびその装置 - Google Patents
常温核融合反応方法およびその装置Info
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- JPH09113661A JPH09113661A JP7271015A JP27101595A JPH09113661A JP H09113661 A JPH09113661 A JP H09113661A JP 7271015 A JP7271015 A JP 7271015A JP 27101595 A JP27101595 A JP 27101595A JP H09113661 A JPH09113661 A JP H09113661A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 常温核融合の発生の頻度を高くして、再現性
を向上させる。 【解決手段】 メチレンクロライド溶液と水を混合して
加熱し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気を発生させ、
該メチレンクロライド蒸気と水蒸気を、ガスチャンバー
内に充填し、該ガスチャンバー内に、常温核融合を発生
する電極を配置し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気の
雰囲気中で常温核融合を促進させることを特徴とする常
温核融合反応方法およびその装置。
を向上させる。 【解決手段】 メチレンクロライド溶液と水を混合して
加熱し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気を発生させ、
該メチレンクロライド蒸気と水蒸気を、ガスチャンバー
内に充填し、該ガスチャンバー内に、常温核融合を発生
する電極を配置し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気の
雰囲気中で常温核融合を促進させることを特徴とする常
温核融合反応方法およびその装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水素の核融合反応方法
およびその装置に関し、特に、１０００℃以下の比較的
低温によって、水素もしくはその同位体に核融合反応を
高効率に生じさせる為の常温核融合反応方法およびその
装置に関する。
およびその装置に関し、特に、１０００℃以下の比較的
低温によって、水素もしくはその同位体に核融合反応を
高効率に生じさせる為の常温核融合反応方法およびその
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としては、特開平３−１８３
９８７号公報や、特開平３−１８３９８８号公報や、特
開平４−１８６０６０号や、特開平６−２６５６６２号
公報や、特開平６−２９３９８５号公報に記載の如き技
術が公知とされている。
９８７号公報や、特開平３−１８３９８８号公報や、特
開平４−１８６０６０号や、特開平６−２６５６６２号
公報や、特開平６−２９３９８５号公報に記載の如き技
術が公知とされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、常温核融合反
応は非常にその発生を確認するのが困難な程度に、発生
頻度の低いものであり、またその再現性の低い技術であ
り、実用性の低い技術となっている。本発明は、該常温
核融合反応を発生する電極と装置を、封入するガスチャ
ンバーの雰囲気を、『超臨界流体』の気相の雰囲気にし
て、該超臨界流体が発揮する強力な酸化反応を、常温核
融合反応の起爆装置とすることにより、確実に再現性の
可能性の高い常温核融合反応方法およびその装置とする
ものである。
応は非常にその発生を確認するのが困難な程度に、発生
頻度の低いものであり、またその再現性の低い技術であ
り、実用性の低い技術となっている。本発明は、該常温
核融合反応を発生する電極と装置を、封入するガスチャ
ンバーの雰囲気を、『超臨界流体』の気相の雰囲気にし
て、該超臨界流体が発揮する強力な酸化反応を、常温核
融合反応の起爆装置とすることにより、確実に再現性の
可能性の高い常温核融合反応方法およびその装置とする
ものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明が解決しようとす
る課題は以上の如くであり、次に該課題を解決するため
の手段を説明する。請求項１においては、塩素系有機溶
剤と水を混合して加熱し、該塩素系有機溶剤の蒸気と水
蒸気を発生させ、該塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸気を、
ガスチャンバー内に充填し、該ガスチャンバー内に、常
温核融合を発生する電極を配置し、塩素系有機溶剤の蒸
気と水蒸気の雰囲気中で常温核融合を促進させる常温核
融合反応方法およびその装置である。
る課題は以上の如くであり、次に該課題を解決するため
の手段を説明する。請求項１においては、塩素系有機溶
剤と水を混合して加熱し、該塩素系有機溶剤の蒸気と水
蒸気を発生させ、該塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸気を、
ガスチャンバー内に充填し、該ガスチャンバー内に、常
温核融合を発生する電極を配置し、塩素系有機溶剤の蒸
気と水蒸気の雰囲気中で常温核融合を促進させる常温核
融合反応方法およびその装置である。
【０００５】請求項２においては、メチレンクロライド
溶液と水を混合して加熱し、メチレンクロライド蒸気と
水蒸気を発生させ、該メチレンクロライド蒸気と水蒸気
を、ガスチャンバー内に充填し、該ガスチャンバー内
に、常温核融合を発生する電極を配置し、メチレンクロ
ライド蒸気と水蒸気の雰囲気中で常温核融合を促進させ
る常温核融合反応方法およびその装置である。
溶液と水を混合して加熱し、メチレンクロライド蒸気と
水蒸気を発生させ、該メチレンクロライド蒸気と水蒸気
を、ガスチャンバー内に充填し、該ガスチャンバー内
に、常温核融合を発生する電極を配置し、メチレンクロ
ライド蒸気と水蒸気の雰囲気中で常温核融合を促進させ
る常温核融合反応方法およびその装置である。
【０００６】請求項３においては、メチレンクロライド
溶液と水と界面活性剤液を混合して混合液とし、該混合
液を加熱し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気と界面活
性剤蒸気を発生させ、該混合蒸気を、ガスチャンバー内
に充填し、該ガスチャンバー内に常温核融合を発生する
電極を配置し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気と界面
活性剤蒸気の雰囲気中で常温核融合を促進させる常温核
融合反応方法およびその装置である。
溶液と水と界面活性剤液を混合して混合液とし、該混合
液を加熱し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気と界面活
性剤蒸気を発生させ、該混合蒸気を、ガスチャンバー内
に充填し、該ガスチャンバー内に常温核融合を発生する
電極を配置し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気と界面
活性剤蒸気の雰囲気中で常温核融合を促進させる常温核
融合反応方法およびその装置である。
【０００７】請求項４においては、請求項２又は３の常
温核融合反応方法およびその装置において、メチレンク
ロライド溶液と水の混合液の加熱温度を５０〜１４０℃
の範囲とした常温核融合反応方法およびその装置であ
る。
温核融合反応方法およびその装置において、メチレンク
ロライド溶液と水の混合液の加熱温度を５０〜１４０℃
の範囲とした常温核融合反応方法およびその装置であ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を説明す
る。図１においては、重水素ガスチャンバー２１と雰囲
気チャンバー２６の間に、試料２４と薄膜２５により構
成した電極を配置した実施例を示す図面、図２は、重水
素チャンバー２１と、雰囲気チャンバー２６のガスを循
環させる実施例を示す図面、図３は重水素ガスチャンバ
ーと雰囲気チャンバー１７を別にした実施例を示す図面
である。
る。図１においては、重水素ガスチャンバー２１と雰囲
気チャンバー２６の間に、試料２４と薄膜２５により構
成した電極を配置した実施例を示す図面、図２は、重水
素チャンバー２１と、雰囲気チャンバー２６のガスを循
環させる実施例を示す図面、図３は重水素ガスチャンバ
ーと雰囲気チャンバー１７を別にした実施例を示す図面
である。
【０００９】一般に、この種の水素（重水素及びトリチ
ウムを含む）の核融合反応手段、特に、この場合、１０
００℃以下の比較的低い温度手段によって水素の核融合
反応を生じさせる手段としては、従来から知られている
ように、電気分解法と加圧温度変化法或いは真空法があ
る。本発明の常温核融合反応方法およびその装置は加圧
温度変化法又は真空法のように、気相状態において常温
核融合反応を発生する装置に使用するものである。
ウムを含む）の核融合反応手段、特に、この場合、１０
００℃以下の比較的低い温度手段によって水素の核融合
反応を生じさせる手段としては、従来から知られている
ように、電気分解法と加圧温度変化法或いは真空法があ
る。本発明の常温核融合反応方法およびその装置は加圧
温度変化法又は真空法のように、気相状態において常温
核融合反応を発生する装置に使用するものである。
【００１０】この中、真空法としては、特開平３−１８
３９８７号及び特開平３−１８３９８８号に開示された
ものがある。これを図３において説明する。本発明はこ
の従来技術の真空チャンバーの部分を本発明独特の雰囲
気チャンバー１７としたものである。
３９８７号及び特開平３−１８３９８８号に開示された
ものがある。これを図３において説明する。本発明はこ
の従来技術の真空チャンバーの部分を本発明独特の雰囲
気チャンバー１７としたものである。
【００１１】まず、同図 (ａ) に示すように、パラジウ
ム板１４の一方の面に重水素の拡散係数が小さいマンガ
ン酸化膜１２を蒸着した後に、同図 (ｂ) に示すよう
に、重水素ガス雰囲気１３中におき、パラジウム板１中
に重水素を吸蔵させる。しかるのち、同図 (ｃ) に示す
ように、重水素が吸蔵されたパラジウム板１４の他方の
面に、Ａｕ蒸着膜１５を形成して試料１６を作成する。
ム板１４の一方の面に重水素の拡散係数が小さいマンガ
ン酸化膜１２を蒸着した後に、同図 (ｂ) に示すよう
に、重水素ガス雰囲気１３中におき、パラジウム板１中
に重水素を吸蔵させる。しかるのち、同図 (ｃ) に示す
ように、重水素が吸蔵されたパラジウム板１４の他方の
面に、Ａｕ蒸着膜１５を形成して試料１６を作成する。
【００１２】このように作成した試料１６を同図 (ｄ)
に示すように、雰囲気チャンバー１７内におき、パラジ
ウム板１４からの外方拡散を促進させると共に、Ａｕ蒸
着膜１５の面が高温で、マンガン酸化膜１２の面が低温
となるようにヒーター１８及び冷却器１９で温度勾配を
印加すると、マンガン酸化膜１２とパラジウム板１４と
の界面に重水素原子の蓄積層２０が形成される。そし
て、雰囲気チャンバー１７内を真空引き後に、約３時間
で常温核融合を示唆する４現象が確認されている。
に示すように、雰囲気チャンバー１７内におき、パラジ
ウム板１４からの外方拡散を促進させると共に、Ａｕ蒸
着膜１５の面が高温で、マンガン酸化膜１２の面が低温
となるようにヒーター１８及び冷却器１９で温度勾配を
印加すると、マンガン酸化膜１２とパラジウム板１４と
の界面に重水素原子の蓄積層２０が形成される。そし
て、雰囲気チャンバー１７内を真空引き後に、約３時間
で常温核融合を示唆する４現象が確認されている。
【００１３】即ち、 (１).１０6 ｎ／Ｓの中性子が２秒間にわたり発生 (２).試料からの重水素ガスの爆発的放出 (３).７００℃以上に及び過剰熱の発生 (４).酸化膜両面の一様な伸びによる試料の２軸性塑性
変形 である。
変形 である。
【００１４】また本発明の他の実施例は、図１と図２に
図示されている。図１においては、２１は重水素ガスを
１〜４０気圧導入した重水素ガスチャンバーである。２
２は直流電圧源である。２３は赤外線ヒーターである。
２４は鉛板又はチタン板の形態の試料である。２５は酸
化硅素又は白金又は、酸化マンガン又は鉛からなる薄膜
である。薄膜２５は蒸着により試料２４の表面に形成さ
れる。試料２４には予め重水素を吸蔵させておいても良
く、その際、試料２４に対する重水素の吸蔵と薄膜の蒸
着はどちらが先であっても良い。２６は雰囲気チャンバ
ー、２７はターボ分子ポンプである。
図示されている。図１においては、２１は重水素ガスを
１〜４０気圧導入した重水素ガスチャンバーである。２
２は直流電圧源である。２３は赤外線ヒーターである。
２４は鉛板又はチタン板の形態の試料である。２５は酸
化硅素又は白金又は、酸化マンガン又は鉛からなる薄膜
である。薄膜２５は蒸着により試料２４の表面に形成さ
れる。試料２４には予め重水素を吸蔵させておいても良
く、その際、試料２４に対する重水素の吸蔵と薄膜の蒸
着はどちらが先であっても良い。２６は雰囲気チャンバ
ー、２７はターボ分子ポンプである。
【００１５】これらを動作させるには、まずターボ分子
ポンプ２７により、雰囲気チャンバー２６内部に本発明
独自の雰囲気を充填させた後に、重水素ガスチャンバー
２１に重水素ガスを１〜４０気圧導入する。直流電圧源
２２による試料２４への直流電圧印加はしてもしなくて
もよいが、直流電圧を印加した方が重水素原子の拡散の
方向性を助長させる効果が高まる。電圧を印加する場合
は０〜１００Ｖとする。
ポンプ２７により、雰囲気チャンバー２６内部に本発明
独自の雰囲気を充填させた後に、重水素ガスチャンバー
２１に重水素ガスを１〜４０気圧導入する。直流電圧源
２２による試料２４への直流電圧印加はしてもしなくて
もよいが、直流電圧を印加した方が重水素原子の拡散の
方向性を助長させる効果が高まる。電圧を印加する場合
は０〜１００Ｖとする。
【００１６】次に赤外線ヒーター２３で試料２４を過熱
し、試料２４の表面を加熱する。加熱温度は、試料２４
が鉛である場合には約３００℃までとし、チタンである
場合は、約６００℃までとする。重水素ガスチャンバー
２１内に導入された重水素ガスは試料２４中に吸蔵さ
れ、重水素ガスチャンバー２１と雰囲気チャンバー２６
との圧力差によって発生する圧力勾配により、試料２４
に吸蔵された重水素原子は試料２４の薄膜２５に向かっ
て拡散する。試料２４の昇温は直流印加電圧と同様に重
水素原子の拡散の方向性を助長させる。
し、試料２４の表面を加熱する。加熱温度は、試料２４
が鉛である場合には約３００℃までとし、チタンである
場合は、約６００℃までとする。重水素ガスチャンバー
２１内に導入された重水素ガスは試料２４中に吸蔵さ
れ、重水素ガスチャンバー２１と雰囲気チャンバー２６
との圧力差によって発生する圧力勾配により、試料２４
に吸蔵された重水素原子は試料２４の薄膜２５に向かっ
て拡散する。試料２４の昇温は直流印加電圧と同様に重
水素原子の拡散の方向性を助長させる。
【００１７】重水素原子の拡散は薄膜２５によって抑制
されるので、重水素原子は試料２４と薄膜２５との表面
に高密度に蓄積される。従って重水素原子同士の遭遇確
率が高まり、核融合反応の確率が増加する。図１の実施
例において、常温核融合を発生する場合には、重水素ガ
スチャンバー２１内の重水素ガスを抜いて、雰囲気を充
填させても良いものである。
されるので、重水素原子は試料２４と薄膜２５との表面
に高密度に蓄積される。従って重水素原子同士の遭遇確
率が高まり、核融合反応の確率が増加する。図１の実施
例において、常温核融合を発生する場合には、重水素ガ
スチャンバー２１内の重水素ガスを抜いて、雰囲気を充
填させても良いものである。
【００１８】図２においては、重水素ガス供給部７より
反応熱回収部９にむけて、重水素ガスを滞留させてい
る。また雰囲気ガス供給部８より反応熱回収部１０に向
けて、本発明独自の雰囲気ガスを供給している。１はバ
ラジウム基板、２は熱電半導体、３は積層物質、４は電
圧印加部、６は界面である。そしてバラジウム基板１の
表面１ａに重水素ガスを供給する。また熱電半導体２の
表面２ａに雰囲気ガスを供給すべく構成している。図２
の実施例において、最初に重水素ガス供給部７から重水
素ガスを供給して、十分に重水素を蓄積した後は重水素
ガス供給部７から、本発明の『超臨界流体』の気相雰囲
気を注入しても良いものである。
反応熱回収部９にむけて、重水素ガスを滞留させてい
る。また雰囲気ガス供給部８より反応熱回収部１０に向
けて、本発明独自の雰囲気ガスを供給している。１はバ
ラジウム基板、２は熱電半導体、３は積層物質、４は電
圧印加部、６は界面である。そしてバラジウム基板１の
表面１ａに重水素ガスを供給する。また熱電半導体２の
表面２ａに雰囲気ガスを供給すべく構成している。図２
の実施例において、最初に重水素ガス供給部７から重水
素ガスを供給して、十分に重水素を蓄積した後は重水素
ガス供給部７から、本発明の『超臨界流体』の気相雰囲
気を注入しても良いものである。
【００１９】次に作用を説明する。本発明の塩素系有機
溶剤の蒸気と水蒸気又は、塩素系有機溶剤及び、塩素系
有機溶剤としてのメチレンクロライド蒸気と水蒸気は、
常温核融合反応を行なう試料の内部まで浸透し、常温核
融合反応を助長する効果を発揮するのである。本発明に
おいては、塩素系有機溶剤やメチレンクロライドから発
生する塩素イオンや、メチレン遊離基（−ＣＨ2 −）
が、陽イオンや陰イオンを刺激して、イオン結合や共有
結合を発生させることにより、常温核融合反応を助長さ
せるものと考えられる。
溶剤の蒸気と水蒸気又は、塩素系有機溶剤及び、塩素系
有機溶剤としてのメチレンクロライド蒸気と水蒸気は、
常温核融合反応を行なう試料の内部まで浸透し、常温核
融合反応を助長する効果を発揮するのである。本発明に
おいては、塩素系有機溶剤やメチレンクロライドから発
生する塩素イオンや、メチレン遊離基（−ＣＨ2 −）
が、陽イオンや陰イオンを刺激して、イオン結合や共有
結合を発生させることにより、常温核融合反応を助長さ
せるものと考えられる。
【００２０】次に雰囲気の実施例を説明する。塩素系有
機溶剤としては、トリクロロエチレン（ＣＨＣｌ＝ＣＣ
ｌ2 ）や、パークロルエチレン（ＣＣｌ2 ＝ＣＣ
ｌ2 ）、１，１，１−トリクロロエタン（ＣＨ3 ＣＣｌ
3 ）や、フロン１１３（ＣＣｌ2 ＦＣＣｌＦ2 ）等があ
る。メチレンクロライドは、該塩素系有機溶剤の中の１
つである。
機溶剤としては、トリクロロエチレン（ＣＨＣｌ＝ＣＣ
ｌ2 ）や、パークロルエチレン（ＣＣｌ2 ＝ＣＣ
ｌ2 ）、１，１，１−トリクロロエタン（ＣＨ3 ＣＣｌ
3 ）や、フロン１１３（ＣＣｌ2 ＦＣＣｌＦ2 ）等があ
る。メチレンクロライドは、該塩素系有機溶剤の中の１
つである。
【００２１】上記塩素系有機溶剤の中でも、最もメチレ
ンクロライドが本常温核融合反応方法およびその装置に
おいて有効である。該メチレンクロライドは化学式がＣ
Ｈ2Ｃｌ2 で表示される分子量８４．９３の物質であ
る。化学名は塩化メチレンであり、一般名としてメチレ
ンクロライドの他に、ジクロルメタンとか、二塩化メチ
レンと呼称される場合もある。沸点は４０．４℃で、融
点は−９６．８℃である。
ンクロライドが本常温核融合反応方法およびその装置に
おいて有効である。該メチレンクロライドは化学式がＣ
Ｈ2Ｃｌ2 で表示される分子量８４．９３の物質であ
る。化学名は塩化メチレンであり、一般名としてメチレ
ンクロライドの他に、ジクロルメタンとか、二塩化メチ
レンと呼称される場合もある。沸点は４０．４℃で、融
点は−９６．８℃である。
【００２２】また、界面活性剤は、陰イオン性界面活性
剤と、陽イオン性界面活性剤と、非イオン性界面活性剤
と、両性界面活性剤に分類される。陰イオン性界面活性
剤としては、アルキル硫酸ナトリウム、アミド硫酸ナト
リウム、第二アルキル硫酸ナトリウム、アルキルスルホ
ン酸ナトリウム、アミドスルホン酸ナトリウム、アルキ
ルアリルスルホン酸ナトリウム、アルキルナフタリンス
ルホン酸ナトリウム等がある。
剤と、陽イオン性界面活性剤と、非イオン性界面活性剤
と、両性界面活性剤に分類される。陰イオン性界面活性
剤としては、アルキル硫酸ナトリウム、アミド硫酸ナト
リウム、第二アルキル硫酸ナトリウム、アルキルスルホ
ン酸ナトリウム、アミドスルホン酸ナトリウム、アルキ
ルアリルスルホン酸ナトリウム、アルキルナフタリンス
ルホン酸ナトリウム等がある。
【００２３】また、陽イオン性界面活性剤としては、酢
酸アミン塩、アルキルトリメチルアンモニウムクロリ
ド、ジアルキルメチルアンモニウムクロリド、アルキル
ピリジウムハロゲニド、アルキルジメチルベンジルアン
モニウムクロリド等がある。両性界面活性剤としては、
カルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型等があ
る。非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレ
ンアルキルフェノール、ポリオキシエチレン脂肪アルコ
ール、ポリオキシエチレン脂肪酸、ポリオキシエチレン
酸アミド、ポリオキシエチレン脂肪アミン、ポリプロピ
レングリゴール等がある。
酸アミン塩、アルキルトリメチルアンモニウムクロリ
ド、ジアルキルメチルアンモニウムクロリド、アルキル
ピリジウムハロゲニド、アルキルジメチルベンジルアン
モニウムクロリド等がある。両性界面活性剤としては、
カルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型等があ
る。非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレ
ンアルキルフェノール、ポリオキシエチレン脂肪アルコ
ール、ポリオキシエチレン脂肪酸、ポリオキシエチレン
酸アミド、ポリオキシエチレン脂肪アミン、ポリプロピ
レングリゴール等がある。
【００２４】次に雰囲気ガスの発生法を説明する。メチ
レンクロライドと水を混合させて配置した雰囲気供給タ
ンク内の温度を徐々に加温し温度が上昇する。温度が、
約４０℃に達すると、メチレンクロライド溶液が沸点に
達し、メチレンクロライド蒸気に変わり水＋界面活性剤
液の層を泡となって通過して、雰囲気ガスとなって雰囲
気チャンバー２６に供給される。常温核融合の場合に
は、約７０℃に加熱し、メチレンクロライドの蒸気が、
水と界面活性剤液の液の中を潜り抜けて、常温核融合の
電極内まで達するような状態で処理を続けるのである。
そして該メチレンクロライドが水と界面活性剤液を通過
する間に、メチレンクロライドから発生するＣｌ2 （塩
素ガス）を水に吸収させて、処理に悪影響を与える塩素
ガスの発生をおさえ、イオンの発生を促進するのであ
る。また該メチレンクロライドの蒸気に、界面活性剤液
が附加された状態で、常温核融合の電極の組織空隙に侵
入するのである。
レンクロライドと水を混合させて配置した雰囲気供給タ
ンク内の温度を徐々に加温し温度が上昇する。温度が、
約４０℃に達すると、メチレンクロライド溶液が沸点に
達し、メチレンクロライド蒸気に変わり水＋界面活性剤
液の層を泡となって通過して、雰囲気ガスとなって雰囲
気チャンバー２６に供給される。常温核融合の場合に
は、約７０℃に加熱し、メチレンクロライドの蒸気が、
水と界面活性剤液の液の中を潜り抜けて、常温核融合の
電極内まで達するような状態で処理を続けるのである。
そして該メチレンクロライドが水と界面活性剤液を通過
する間に、メチレンクロライドから発生するＣｌ2 （塩
素ガス）を水に吸収させて、処理に悪影響を与える塩素
ガスの発生をおさえ、イオンの発生を促進するのであ
る。また該メチレンクロライドの蒸気に、界面活性剤液
が附加された状態で、常温核融合の電極の組織空隙に侵
入するのである。
【００２５】
【発明の効果】本発明は以上の如く構成したので、次の
ような効果を奏するのである。従来の如く、真空チャン
バー部分に、本発明独自の塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸
気や、メチレンクロライド蒸気と水蒸気のような、特殊
な雰囲気ガスを充填することにより、該雰囲気ガスは
『超臨界流体』のような状況を発生して、常温核融合反
応の発生を誘導して、常温核融合の回数を多くして、再
現性を高めることが出来るのである。
ような効果を奏するのである。従来の如く、真空チャン
バー部分に、本発明独自の塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸
気や、メチレンクロライド蒸気と水蒸気のような、特殊
な雰囲気ガスを充填することにより、該雰囲気ガスは
『超臨界流体』のような状況を発生して、常温核融合反
応の発生を誘導して、常温核融合の回数を多くして、再
現性を高めることが出来るのである。
【図１】重水素ガスチャンバー２１と雰囲気チャンバー
２６の間に、試料２４と薄膜２５により構成した電極を
配置した実施例を示す図面。
２６の間に、試料２４と薄膜２５により構成した電極を
配置した実施例を示す図面。
【図２】重水素チャンバー２１と、雰囲気チャンバー２
６のガスを循環させる実施例を示す図面。
６のガスを循環させる実施例を示す図面。
【図３】重水素ガスチャンバーと雰囲気チャンバー１７
を別にした実施例を示す図面。
を別にした実施例を示す図面。
１ パラジウム板 ２１ 重水素ガスチャンバー ２２ 直流電圧源 ２３ 赤外線ヒーター ２４ 試料 ２５ 薄膜 ２６ 雰囲気チャンバー ２７ ターボ分子ポンプ
Claims (4)
- 【請求項１】 塩素系有機溶剤と水を混合して加熱し、
該塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸気を発生させ、該塩素系
有機溶剤の蒸気と水蒸気を、ガスチャンバー内に充填
し、該ガスチャンバー内に、常温核融合を発生する電極
を配置し、塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸気の雰囲気中で
常温核融合を促進させることを特徴とする常温核融合反
応方法およびその装置。 - 【請求項２】 メチレンクロライド溶液と水を混合して
加熱し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気を発生させ、
該メチレンクロライド蒸気と水蒸気を、ガスチャンバー
内に充填し、該ガスチャンバー内に、常温核融合を発生
する電極を配置し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気の
雰囲気中で常温核融合を促進させることを特徴とする常
温核融合反応方法およびその装置。 - 【請求項３】 メチレンクロライド溶液と水と界面活性
剤液を混合して混合液とし、該混合液を加熱し、メチレ
ンクロライド蒸気と水蒸気と界面活性剤蒸気を発生さ
せ、該混合蒸気を、ガスチャンバー内に充填し、該ガス
チャンバー内に常温核融合を発生する電極を配置し、メ
チレンクロライド蒸気と水蒸気と界面活性剤蒸気の雰囲
気中で常温核融合を促進させることを特徴とする常温核
融合反応方法およびその装置。 - 【請求項４】 請求項２又は３の常温核融合反応方法お
よびその装置において、メチレンクロライド溶液と水の
混合液の加熱温度を５０〜１４０℃の範囲としたことを
特徴とする常温核融合反応方法およびその装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7271015A JPH09113661A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 常温核融合反応方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7271015A JPH09113661A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 常温核融合反応方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09113661A true JPH09113661A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17494229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7271015A Pending JPH09113661A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 常温核融合反応方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09113661A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010066114A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 核種変換装置及び核種変換方法 |
| JP2015518139A (ja) * | 2012-03-21 | 2015-06-25 | エイチ アール ディー コーポレーション | 第一の物質を第二の物質に変換するための装置、システム、方法 |
-
1995
- 1995-10-19 JP JP7271015A patent/JPH09113661A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010066114A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 核種変換装置及び核種変換方法 |
| JP2015518139A (ja) * | 2012-03-21 | 2015-06-25 | エイチ アール ディー コーポレーション | 第一の物質を第二の物質に変換するための装置、システム、方法 |
| JP2017026628A (ja) * | 2012-03-21 | 2017-02-02 | エイチ アール ディー コーポレーション | 第一の物質を第二の物質に変換するための装置、システム、方法 |
| JP2019020426A (ja) * | 2012-03-21 | 2019-02-07 | エイチ アール ディー コーポレーション | 第一の物質を第二の物質に変換するための装置、システム、方法 |
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