JPH09110472A - スパッタ法による膜及びその形成法 - Google Patents
スパッタ法による膜及びその形成法Info
- Publication number
- JPH09110472A JPH09110472A JP27598795A JP27598795A JPH09110472A JP H09110472 A JPH09110472 A JP H09110472A JP 27598795 A JP27598795 A JP 27598795A JP 27598795 A JP27598795 A JP 27598795A JP H09110472 A JPH09110472 A JP H09110472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- sputtering method
- thin film
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタ法において、耐湿性をより向上した
膜を高い成膜レ−トで得るとともに、建築用や自動車用
の窓材等として適用できるガラスを得る。 【解決手段】 ガラス基板上に、少なくとも下地膜を保
護するためにスパッタ法によって形成する保護膜におい
て、少なくともアルゴンガスを含む酸素ガスまたは／お
よび窒素ガスの混合ガス雰囲気内でスパッタし形成した
保護膜でなることを特徴とするスパッタ法による膜。及
びその形成法。
膜を高い成膜レ−トで得るとともに、建築用や自動車用
の窓材等として適用できるガラスを得る。 【解決手段】 ガラス基板上に、少なくとも下地膜を保
護するためにスパッタ法によって形成する保護膜におい
て、少なくともアルゴンガスを含む酸素ガスまたは／お
よび窒素ガスの混合ガス雰囲気内でスパッタし形成した
保護膜でなることを特徴とするスパッタ法による膜。及
びその形成法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタ法によっ
て成膜した酸化物薄膜、窒化物薄膜あるいは酸窒素物薄
膜における耐湿性の向上、ならびにこれらの薄膜の成膜
時における成膜速度（成膜レ−ト）のアップによる生産
性の向上をもたらしめるスパッタ法による膜及び該膜の
形成法に関する。
て成膜した酸化物薄膜、窒化物薄膜あるいは酸窒素物薄
膜における耐湿性の向上、ならびにこれらの薄膜の成膜
時における成膜速度（成膜レ−ト）のアップによる生産
性の向上をもたらしめるスパッタ法による膜及び該膜の
形成法に関する。
【０００２】本発明は建築用ガラスはもちろん自動車用
ガラスとしても少なくとも単板ガラス、合せガラス、複
層ガラス等で使用できる等有用なスパッタ法による膜及
び該膜の形成法を提供するものである。
ガラスとしても少なくとも単板ガラス、合せガラス、複
層ガラス等で使用できる等有用なスパッタ法による膜及
び該膜の形成法を提供するものである。
【０００３】
【従来の技術】近年、建築用ガラスにおける着色、断熱
や紫外線遮断および電波透過等の機能付与はもちろん、
車輌用ガラスにおいても車内に通入する太陽輻射エネル
ギーを遮蔽し、車内の温度上昇、冷房負荷を低減させる
目的から熱線遮蔽ガラス、さらに人的物的両面や環境に
優しくするため紫外線遮蔽を付加したものが車輌用に採
用されている。
や紫外線遮断および電波透過等の機能付与はもちろん、
車輌用ガラスにおいても車内に通入する太陽輻射エネル
ギーを遮蔽し、車内の温度上昇、冷房負荷を低減させる
目的から熱線遮蔽ガラス、さらに人的物的両面や環境に
優しくするため紫外線遮蔽を付加したものが車輌用に採
用されている。
【０００４】特に該建築用ガラスもちろん最近は車輌用
ガラスにおいて、室内からの熱線を反射せしめ室内の温
度低下を防止することができ、かつ太陽熱の熱線遮断効
果もあるLow-E(Low-Emissivity) 膜を表面に形成したガ
ラス、すなわちLow-E ガラスが使用されてきている。
ガラスにおいて、室内からの熱線を反射せしめ室内の温
度低下を防止することができ、かつ太陽熱の熱線遮断効
果もあるLow-E(Low-Emissivity) 膜を表面に形成したガ
ラス、すなわちLow-E ガラスが使用されてきている。
【０００５】該Low-E 膜としては、例えばZnO ／Ag／Zn
O 等の３層膜あるいはこれら膜成分を含む多層膜が挙げ
られる。該膜構成においては、耐擦傷性、耐摩耗性ある
いは耐薬品性、耐湿性等の耐久性に劣るものであり、単
板ガラスはもちろん合せガラスにおいても使用時等にお
いて白色斑点や白濁等の欠陥を生じるような現象が見ら
れることがあり、保管や取扱いにおいても不便なことが
多いものであった。
O 等の３層膜あるいはこれら膜成分を含む多層膜が挙げ
られる。該膜構成においては、耐擦傷性、耐摩耗性ある
いは耐薬品性、耐湿性等の耐久性に劣るものであり、単
板ガラスはもちろん合せガラスにおいても使用時等にお
いて白色斑点や白濁等の欠陥を生じるような現象が見ら
れることがあり、保管や取扱いにおいても不便なことが
多いものであった。
【０００６】そこで、それを改善しようとするものとし
ては次のようなもの等が知られている。例えば実開昭62
-37052号公報には、ガラス板上に、ZnO 、TiO2、Ta
2O5 、SnO2、ITO およびこれらの混合物等の金属酸化物
からなる第１層と、熱線反射機能を有するAg、Au、Cu、
Pd、Rd等の貴金属からなる第２層と、酸素のバリヤ−す
なわち貴金属のマイグレ−ション現象をおさえ、かつ自
身熱線反射性をもつ厚み20〜50Å程度のAl、Ti、Ni、Z
n、Crおよびこれらの合金等の金属からなる第３層と、
第１層と同様の金属酸化物からなる第４層とをスパッタ
リングによって順次積層形成した熱線反射ガラスにおい
て、金属酸化物からなる第１層および第４層のうち少な
くとも一方を金属と酸素との化学量論比において酸化が
不充分な金属酸化物によって構成した熱線反射ガラスが
記載されている。
ては次のようなもの等が知られている。例えば実開昭62
-37052号公報には、ガラス板上に、ZnO 、TiO2、Ta
2O5 、SnO2、ITO およびこれらの混合物等の金属酸化物
からなる第１層と、熱線反射機能を有するAg、Au、Cu、
Pd、Rd等の貴金属からなる第２層と、酸素のバリヤ−す
なわち貴金属のマイグレ−ション現象をおさえ、かつ自
身熱線反射性をもつ厚み20〜50Å程度のAl、Ti、Ni、Z
n、Crおよびこれらの合金等の金属からなる第３層と、
第１層と同様の金属酸化物からなる第４層とをスパッタ
リングによって順次積層形成した熱線反射ガラスにおい
て、金属酸化物からなる第１層および第４層のうち少な
くとも一方を金属と酸素との化学量論比において酸化が
不充分な金属酸化物によって構成した熱線反射ガラスが
記載されている。
【０００７】また、例えば特開昭62-41740公報には、ガ
ラス板の表面に金属酸化物からなる第１層を直流スパッ
タリングによって形成し、この第１層の表面に無酸化雰
囲気において直流スパッタリングを施すことで貴金属か
らなる第２層を形成し、さらに第２層の表面に金属酸化
物をタ−ゲットとし、無酸化雰囲気若しくは酸素分圧が
低い雰囲気において直流スパッタリングを施すことで金
属酸化物からなる第３層を形成するようにした熱線反射
ガラスの製造方法が記載されている。
ラス板の表面に金属酸化物からなる第１層を直流スパッ
タリングによって形成し、この第１層の表面に無酸化雰
囲気において直流スパッタリングを施すことで貴金属か
らなる第２層を形成し、さらに第２層の表面に金属酸化
物をタ−ゲットとし、無酸化雰囲気若しくは酸素分圧が
低い雰囲気において直流スパッタリングを施すことで金
属酸化物からなる第３層を形成するようにした熱線反射
ガラスの製造方法が記載されている。
【０００８】また、例えば特開平5-229052号公報には、
熱線遮断膜が記載されており、基体上に酸化物膜、金属
膜、酸化物膜と交互に積層された(2n+1)層(n≧１) から
なる熱線遮断膜において、基体からみて、基体から最も
離れたAgを主成分とする等の金属膜(A) の反対側に形成
された酸化物膜(B) は、Si、Ti、Cr、B 、Mg、Sn、Gaの
うち少なくとも１種をZnとの総量に対し、１〜10原子％
ド−プした酸化亜鉛膜を少なくとも１層含むものが開示
されている。また前記酸化亜鉛膜は、酸化亜鉛の結晶系
が六方晶であり、CuKa線を用いたＸ線回折法による六方
晶酸化亜鉛の（002 ）回折線の回折角２θ（重心位置）
の値が33.88 °以上35.00 °以下の膜であることが開示
されている。
熱線遮断膜が記載されており、基体上に酸化物膜、金属
膜、酸化物膜と交互に積層された(2n+1)層(n≧１) から
なる熱線遮断膜において、基体からみて、基体から最も
離れたAgを主成分とする等の金属膜(A) の反対側に形成
された酸化物膜(B) は、Si、Ti、Cr、B 、Mg、Sn、Gaの
うち少なくとも１種をZnとの総量に対し、１〜10原子％
ド−プした酸化亜鉛膜を少なくとも１層含むものが開示
されている。また前記酸化亜鉛膜は、酸化亜鉛の結晶系
が六方晶であり、CuKa線を用いたＸ線回折法による六方
晶酸化亜鉛の（002 ）回折線の回折角２θ（重心位置）
の値が33.88 °以上35.00 °以下の膜であることが開示
されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述したような、例え
ば実開昭62-37052号公報に記載の熱線反射ガラスでは、
特にAg薄膜層上にAgの酸化を防ぐためのバリヤ−層とし
ての金属層を設けて無反射効果を有する保護膜層をカバ
−することがマイグレ−ションを防ぐために不可欠であ
り、このバリヤ−層としての金属層は、保護膜の成膜時
に酸化してしまわないようにしようとするものであり、
第４層目の金属酸化物についてアルゴンガス80体積％、
酸素ガス20体積％の雰囲気で直流スパッタリングを行う
ことが開示されているが、スパッタ法におけるアルゴン
ガスの作用効果についての記載あるいはそれを示唆する
記載もなく、例えば成膜レ−トや耐湿性の向上について
は全く記載のないものである。
ば実開昭62-37052号公報に記載の熱線反射ガラスでは、
特にAg薄膜層上にAgの酸化を防ぐためのバリヤ−層とし
ての金属層を設けて無反射効果を有する保護膜層をカバ
−することがマイグレ−ションを防ぐために不可欠であ
り、このバリヤ−層としての金属層は、保護膜の成膜時
に酸化してしまわないようにしようとするものであり、
第４層目の金属酸化物についてアルゴンガス80体積％、
酸素ガス20体積％の雰囲気で直流スパッタリングを行う
ことが開示されているが、スパッタ法におけるアルゴン
ガスの作用効果についての記載あるいはそれを示唆する
記載もなく、例えば成膜レ−トや耐湿性の向上について
は全く記載のないものである。
【００１０】また、例えば特開昭62-41740号公報に記載
の熱線反射ガラスの製造方法では、金属酸化物をタ−ゲ
ットとして用いて、アルゴンおよび酸素を低酸素雰囲
気、すなわち酸素の混合割合の限度が 20vol％、好まし
くは10vol ％以下としたとし、Ag層のマイグレ−ション
は防止できたとしても、Agよりイオン化傾向の大きいZn
についての記載がなく、またスパッタ法におけるアルゴ
ンガスの作用効果についての記載あるいはそれを示唆す
る記載もなく、例えば成膜レ−トの向上については全く
記載がなく、また耐湿性が充分あるものとは言い難いも
のである。
の熱線反射ガラスの製造方法では、金属酸化物をタ−ゲ
ットとして用いて、アルゴンおよび酸素を低酸素雰囲
気、すなわち酸素の混合割合の限度が 20vol％、好まし
くは10vol ％以下としたとし、Ag層のマイグレ−ション
は防止できたとしても、Agよりイオン化傾向の大きいZn
についての記載がなく、またスパッタ法におけるアルゴ
ンガスの作用効果についての記載あるいはそれを示唆す
る記載もなく、例えば成膜レ−トの向上については全く
記載がなく、また耐湿性が充分あるものとは言い難いも
のである。
【００１１】また、例えば特開平5-229052号公報に記載
の熱線遮断膜では、Agを主成分とする等の金属膜(A) の
保護膜として酸化物膜(B) は、Si、Ti、Cr、B 、Mg、S
n、Gaのうち少なくとも１種をZnとの総量に対し、１〜1
0原子％ド−プした酸化亜鉛膜を少なくとも１層含む薄
膜層を被覆積層するものであって、ド−プしたことによ
って酸化亜鉛の膜結晶的状態を変え性能を高め、下地膜
層であるAgを主成分とする等の金属膜(A) の耐湿性を高
めるようにするというものであり、これだけにより必ず
しも成膜レ−トまで充分に向上するものではなく、内部
応力の低下度合も充分とは言えず、生産性やコストに必
ずしも充分満足できるものとは言い難いものである。
の熱線遮断膜では、Agを主成分とする等の金属膜(A) の
保護膜として酸化物膜(B) は、Si、Ti、Cr、B 、Mg、S
n、Gaのうち少なくとも１種をZnとの総量に対し、１〜1
0原子％ド−プした酸化亜鉛膜を少なくとも１層含む薄
膜層を被覆積層するものであって、ド−プしたことによ
って酸化亜鉛の膜結晶的状態を変え性能を高め、下地膜
層であるAgを主成分とする等の金属膜(A) の耐湿性を高
めるようにするというものであり、これだけにより必ず
しも成膜レ−トまで充分に向上するものではなく、内部
応力の低下度合も充分とは言えず、生産性やコストに必
ずしも充分満足できるものとは言い難いものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来のこのよ
うな課題に鑑みてなしたものであり、スパッタリング法
による成膜を、酸素ガスあるいは窒素ガスに少なくとも
アルゴンガスを含ませた混合ガス雰囲気中において行う
ことにより、成膜レ−トを高めて高効率を実現できるな
かで、得られた酸化物薄膜、窒化物薄膜あるいは酸窒化
物薄膜がより理論的理想な薄膜となり、下地層に影響を
与えることなく、例えば耐湿性等積層薄膜全体の膜質を
より安定で確実に向上することができる等、例えばLow-
E 膜等の機能性薄膜をより安心して建築用窓材はもちろ
ん自動車用窓材にも充分適用でき、最近のニーズに最適
なものとなる有用なスパッタ法による膜及びその成膜法
を提供するものである。
うな課題に鑑みてなしたものであり、スパッタリング法
による成膜を、酸素ガスあるいは窒素ガスに少なくとも
アルゴンガスを含ませた混合ガス雰囲気中において行う
ことにより、成膜レ−トを高めて高効率を実現できるな
かで、得られた酸化物薄膜、窒化物薄膜あるいは酸窒化
物薄膜がより理論的理想な薄膜となり、下地層に影響を
与えることなく、例えば耐湿性等積層薄膜全体の膜質を
より安定で確実に向上することができる等、例えばLow-
E 膜等の機能性薄膜をより安心して建築用窓材はもちろ
ん自動車用窓材にも充分適用でき、最近のニーズに最適
なものとなる有用なスパッタ法による膜及びその成膜法
を提供するものである。
【００１３】すなわち、本発明は、ガラス基板上に、少
なくとも下地膜を保護するためにスパッタ法によって形
成する保護膜において、少なくともアルゴンガスを含む
酸素ガスまたは／および窒素ガスの混合ガス雰囲気内で
スパッタし形成した保護膜でなることを特徴とするスパ
ッタ法による膜。
なくとも下地膜を保護するためにスパッタ法によって形
成する保護膜において、少なくともアルゴンガスを含む
酸素ガスまたは／および窒素ガスの混合ガス雰囲気内で
スパッタし形成した保護膜でなることを特徴とするスパ
ッタ法による膜。
【００１４】ならびに、前記スパッタ法が、直流または
高周波スパッタリング方式であることを特徴とする上述
したスパッタ法による膜。また、前記混合ガス中の酸素
ガスとアルゴンガスの割合が、酸素ガス：アルゴンガス
が９：１から１：９であることを特徴とする上述したス
パッタ法による膜。
高周波スパッタリング方式であることを特徴とする上述
したスパッタ法による膜。また、前記混合ガス中の酸素
ガスとアルゴンガスの割合が、酸素ガス：アルゴンガス
が９：１から１：９であることを特徴とする上述したス
パッタ法による膜。
【００１５】さらに、前記下地膜が金属膜であることを
特徴とする上述したスパッタ法による膜。さらにまた、
前記下地膜が、銀、金、銅、亜鉛、チタンの各薄膜であ
ることを特徴とする上述したスパッタ法による膜。
特徴とする上述したスパッタ法による膜。さらにまた、
前記下地膜が、銀、金、銅、亜鉛、チタンの各薄膜であ
ることを特徴とする上述したスパッタ法による膜。
【００１６】さらにまた、前記保護膜が、酸化物薄膜、
窒化物薄膜もしくは酸窒化物薄膜であることを特徴とす
る上述したスパッタ法による膜。さらにまた、前記保護
膜が、酸化亜鉛薄膜、窒化亜鉛薄膜もしくは酸窒化亜鉛
薄膜であることを特徴とする上述したスパッタ法による
膜。
窒化物薄膜もしくは酸窒化物薄膜であることを特徴とす
る上述したスパッタ法による膜。さらにまた、前記保護
膜が、酸化亜鉛薄膜、窒化亜鉛薄膜もしくは酸窒化亜鉛
薄膜であることを特徴とする上述したスパッタ法による
膜。
【００１７】ならびに、ガラス基板上に少なくとも下地
膜を保護するためにスパッタ法によって形成する保護膜
の形成法において、少なくともアルゴンガスを含む酸素
ガスまたは／および窒素ガスの混合ガス雰囲気内でスパ
ッタし保護膜を形成するようにしたことを特徴とするス
パッタ法による膜の形成法。
膜を保護するためにスパッタ法によって形成する保護膜
の形成法において、少なくともアルゴンガスを含む酸素
ガスまたは／および窒素ガスの混合ガス雰囲気内でスパ
ッタし保護膜を形成するようにしたことを特徴とするス
パッタ法による膜の形成法。
【００１８】また、前記スパッタ法が、直流または高周
波スパッタリング方式であることを特徴とする上述した
スパッタ法による膜の形成法。さらに、前記混合ガス中
の酸素ガスとアルゴンガスの割合が、酸素ガス：アルゴ
ンガスが９：１から１：９であることを特徴とする上述
したスパッタ法による膜の形成法。
波スパッタリング方式であることを特徴とする上述した
スパッタ法による膜の形成法。さらに、前記混合ガス中
の酸素ガスとアルゴンガスの割合が、酸素ガス：アルゴ
ンガスが９：１から１：９であることを特徴とする上述
したスパッタ法による膜の形成法。
【００１９】さらにまた、前記混合ガスにおけるアルゴ
ンガスの混合割合を、スパッタするための印加電力によ
ってバランスを持たしめるよう調整することを特徴とす
る上述したスパッタ法による膜の形成法をそれぞれ提供
するものである
ンガスの混合割合を、スパッタするための印加電力によ
ってバランスを持たしめるよう調整することを特徴とす
る上述したスパッタ法による膜の形成法をそれぞれ提供
するものである
【００２０】
【発明の実施の形態】ここで、前記したように、ガラス
基板上に、少なくとも下地膜を保護するためにスパッタ
法によって形成する保護膜において、少なくともアルゴ
ンガスを含む酸素ガスまたは／および窒素ガスの混合ガ
ス雰囲気内でスパッタし形成した保護膜でなるスパッタ
法による膜を実施するにあたっては次のようにする。
基板上に、少なくとも下地膜を保護するためにスパッタ
法によって形成する保護膜において、少なくともアルゴ
ンガスを含む酸素ガスまたは／および窒素ガスの混合ガ
ス雰囲気内でスパッタし形成した保護膜でなるスパッタ
法による膜を実施するにあたっては次のようにする。
【００２１】先ず、前記ガラス基板としては、自動車用
ならびに建築用ガラスに通常用いられているソーダライ
ムシリケートガラスからなる普通板ガラス、所謂フロー
ト板ガラスなどであり、クリアはじめグリ−ン系、ブロ
ンズ系、ブル−系またはグレ−系等各種着色ガラス、各
種機能性ガラス、強化ガラスやそれに類するガラス、合
せガラスのほか複層ガラス等、さらに平板あるいは曲げ
板等各種板ガラス製品として使用できることは言うまで
もない。また板厚としては例えば約1.0mm 程度以上約12
mm程度以下であり、建築用としては約2.0mm 程度以上約
10mm程度以下が好ましく、自動車用としては約1.5mm 程
度以上約6.0mm 程度以下が好ましく、より好ましくは約
2.0mm 程度以上約4.0mm 程度以下のガラスであるが、特
に限定するものではない。
ならびに建築用ガラスに通常用いられているソーダライ
ムシリケートガラスからなる普通板ガラス、所謂フロー
ト板ガラスなどであり、クリアはじめグリ−ン系、ブロ
ンズ系、ブル−系またはグレ−系等各種着色ガラス、各
種機能性ガラス、強化ガラスやそれに類するガラス、合
せガラスのほか複層ガラス等、さらに平板あるいは曲げ
板等各種板ガラス製品として使用できることは言うまで
もない。また板厚としては例えば約1.0mm 程度以上約12
mm程度以下であり、建築用としては約2.0mm 程度以上約
10mm程度以下が好ましく、自動車用としては約1.5mm 程
度以上約6.0mm 程度以下が好ましく、より好ましくは約
2.0mm 程度以上約4.0mm 程度以下のガラスであるが、特
に限定するものではない。
【００２２】次に、前記スパッタ法としては、例えばDC
マグネトロンスパッタリング装置でのDCマグネトロン反
応スパッタであり、該装置の真空槽内にある例えばZnの
タ−ゲットに対向して洗浄乾燥した前記ガラス基板が搬
送できるようセットし、続いて前記槽内を真空ポンプで
例えば約５×10-6Torr程度までに脱気した後、該真空槽
内に酸素(O2)ガスとアルゴン(Ar)ガス〔但し、Arガスと
O2ガスの混合ガスのガス流量比はArガス：O2ガスの値が
１：９から９：１の範囲の割合である。〕、あるいは窒
素(N2)ガスとアルゴン(Ar)ガス〔但し、ArガスとN2ガス
の混合ガスのガス流量比はArガス量：N2ガス量の値が
１：９から９：１の範囲の割合である。〕、またはこれ
らの複合した混合ガス〔但し、Arガスと(O2 ガス＋N2ガ
ス）の複合した混合ガスのガス流量比はArガス量：(O2
＋N2）ガス量の値が１：９から９：１の範囲の割合であ
る。〕を導入し、真空度を例えば約２×10-3Torr程度に
保持し、前記タ−ゲットに例えば約0.5 〜40kw程度の電
力を印加し、前記混合ガスによるDCマグネトロン反応ス
パッタの中を、必要な膜厚に応じたスピ−ドで前記ガラ
ス基板を搬送することによって必要な厚さの酸化物薄
膜、窒化物薄膜もしくは酸窒化物薄膜を、例えば銀、
金、銅、亜鉛、チタン等の各薄膜の上層または／および
下層に順次２層以上成膜する。
マグネトロンスパッタリング装置でのDCマグネトロン反
応スパッタであり、該装置の真空槽内にある例えばZnの
タ−ゲットに対向して洗浄乾燥した前記ガラス基板が搬
送できるようセットし、続いて前記槽内を真空ポンプで
例えば約５×10-6Torr程度までに脱気した後、該真空槽
内に酸素(O2)ガスとアルゴン(Ar)ガス〔但し、Arガスと
O2ガスの混合ガスのガス流量比はArガス：O2ガスの値が
１：９から９：１の範囲の割合である。〕、あるいは窒
素(N2)ガスとアルゴン(Ar)ガス〔但し、ArガスとN2ガス
の混合ガスのガス流量比はArガス量：N2ガス量の値が
１：９から９：１の範囲の割合である。〕、またはこれ
らの複合した混合ガス〔但し、Arガスと(O2 ガス＋N2ガ
ス）の複合した混合ガスのガス流量比はArガス量：(O2
＋N2）ガス量の値が１：９から９：１の範囲の割合であ
る。〕を導入し、真空度を例えば約２×10-3Torr程度に
保持し、前記タ−ゲットに例えば約0.5 〜40kw程度の電
力を印加し、前記混合ガスによるDCマグネトロン反応ス
パッタの中を、必要な膜厚に応じたスピ−ドで前記ガラ
ス基板を搬送することによって必要な厚さの酸化物薄
膜、窒化物薄膜もしくは酸窒化物薄膜を、例えば銀、
金、銅、亜鉛、チタン等の各薄膜の上層または／および
下層に順次２層以上成膜する。
【００２３】さらに例えば、Znを含む成膜としては、酸
化物薄膜、窒化物薄膜もしくは酸窒化物薄膜の他に、Zn
O-SnOx、ZnO-SiOx等の複合酸化物薄膜にも本発明が採用
できうるものである。
化物薄膜、窒化物薄膜もしくは酸窒化物薄膜の他に、Zn
O-SnOx、ZnO-SiOx等の複合酸化物薄膜にも本発明が採用
できうるものである。
【００２４】また、前記したように混合ガス中の酸素ガ
スとアルゴンガスの割合が、酸素ガス：アルゴンガスが
９：１から１：９であることとしたのは、O2ガスの濃度
が高すぎると成膜速度が遅く、結晶の歪が大きいものと
なり、逆にArガスの濃度が高すぎると例えばZnO のよう
な酸化物薄膜等にならず、Znのような金属薄膜となるな
どめざす高い成膜速度でかつ向上した耐湿性等の薄膜を
うることができないからである。より好ましくは酸素ガ
ス：アルゴンガスが8.5 ：1.5 から1.5 ：8.5である。
スとアルゴンガスの割合が、酸素ガス：アルゴンガスが
９：１から１：９であることとしたのは、O2ガスの濃度
が高すぎると成膜速度が遅く、結晶の歪が大きいものと
なり、逆にArガスの濃度が高すぎると例えばZnO のよう
な酸化物薄膜等にならず、Znのような金属薄膜となるな
どめざす高い成膜速度でかつ向上した耐湿性等の薄膜を
うることができないからである。より好ましくは酸素ガ
ス：アルゴンガスが8.5 ：1.5 から1.5 ：8.5である。
【００２５】また、前記したように混合ガスにおけるア
ルゴンガスの混合割合を、スパッタするための印加電力
によってバランスを持たしめるよう調整することとした
のは、例えば印加電力が約0.5 〜５kw程度であればArガ
スの濃度としては20〜85％程度の混合割合で、また例え
ば印加電力が約５〜50kw程度であればArガスの濃度とし
ては15〜70％程度の混合割合でそれぞれ成膜バランスを
持たしめることができるためである。
ルゴンガスの混合割合を、スパッタするための印加電力
によってバランスを持たしめるよう調整することとした
のは、例えば印加電力が約0.5 〜５kw程度であればArガ
スの濃度としては20〜85％程度の混合割合で、また例え
ば印加電力が約５〜50kw程度であればArガスの濃度とし
ては15〜70％程度の混合割合でそれぞれ成膜バランスを
持たしめることができるためである。
【００２６】さらに、例えば前記Arガスの割合や濃度の
範囲内であって、同一のArガスの割合や濃度例えば50％
Arガスと50％O2ガスの混合ガスにおいては、印加電力が
低から高になれば成膜レ−トは低から高になる。またさ
らに印加電力が同じでArガスの割合や濃度を低から高に
すれば、成膜レ−トが低から高になり、薄膜の内部応力
が強から弱になる。またさらに成膜レ−トを一定にすれ
ば、Arガスの割合、濃度が低から高にすることにより、
印加電力が高から低となって消費電力が多から少となり
省エネルギ−となる。
範囲内であって、同一のArガスの割合や濃度例えば50％
Arガスと50％O2ガスの混合ガスにおいては、印加電力が
低から高になれば成膜レ−トは低から高になる。またさ
らに印加電力が同じでArガスの割合や濃度を低から高に
すれば、成膜レ−トが低から高になり、薄膜の内部応力
が強から弱になる。またさらに成膜レ−トを一定にすれ
ば、Arガスの割合、濃度が低から高にすることにより、
印加電力が高から低となって消費電力が多から少となり
省エネルギ−となる。
【００２７】またさらに、例えばZnO 薄膜の内部応力値
（σ）については、一般に、σ＝（Ｅ／２ν）×〔（ｄ
0 −ｄ）／ｄ0 〕で表される。 Ｅ；ZnO のヤング率、ν；ZnO のポアソン比、ｄ0 ；Zn
O (002) のバルクの格子定数値=2.602Å、ｄ；Ｘ線によ
り測定したZnO (002) の格子定数値（Å）。
（σ）については、一般に、σ＝（Ｅ／２ν）×〔（ｄ
0 −ｄ）／ｄ0 〕で表される。 Ｅ；ZnO のヤング率、ν；ZnO のポアソン比、ｄ0 ；Zn
O (002) のバルクの格子定数値=2.602Å、ｄ；Ｘ線によ
り測定したZnO (002) の格子定数値（Å）。
【００２８】この式より、ZnO 薄膜のｄ値がｄ0 値に近
づくほど内部応力が少ないと考えられるものである。ま
た、ZnO 薄膜の結晶性については、Ｘ線回折におけるZn
O (002) の半値幅（FWHM）で評価でき、半値幅が大のと
き結晶性が悪く、半値幅が小のとき結晶性が良いものと
なる。
づくほど内部応力が少ないと考えられるものである。ま
た、ZnO 薄膜の結晶性については、Ｘ線回折におけるZn
O (002) の半値幅（FWHM）で評価でき、半値幅が大のと
き結晶性が悪く、半値幅が小のとき結晶性が良いものと
なる。
【００２９】前述したとおり、本発明のスパッタ法によ
る膜及びその形成法は、前記真空槽内の雰囲気ガスとし
てArガスが少なくとも含まれる混合ガスを用いて適宜ス
パッタリングすることにより、成膜レ−トを高め高効率
の生産ができることとなり、しかも成膜した薄膜自体に
おける内部応力の低減、あるいは結晶性の向上をもたら
しめることとなって、可視光透過率や色調等が充分簡単
な調整でできうる範囲内程度の極僅かな変化が場合によ
ってはあるものの、耐湿性が格段に向上し優れたものと
なり、他の各種物性も同等か向上する傾向を示すものと
することができた。
る膜及びその形成法は、前記真空槽内の雰囲気ガスとし
てArガスが少なくとも含まれる混合ガスを用いて適宜ス
パッタリングすることにより、成膜レ−トを高め高効率
の生産ができることとなり、しかも成膜した薄膜自体に
おける内部応力の低減、あるいは結晶性の向上をもたら
しめることとなって、可視光透過率や色調等が充分簡単
な調整でできうる範囲内程度の極僅かな変化が場合によ
ってはあるものの、耐湿性が格段に向上し優れたものと
なり、他の各種物性も同等か向上する傾向を示すものと
することができた。
【００３０】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。ただし本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。
る。ただし本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。
【００３１】実施例１ 洗浄、乾燥された厚さ５mmのフロ−トガラス基板を、DC
マグネトロンスパッタリング装置の真空槽内にセットし
てあるZnとTiのタ−ゲットに対向して上方を往復できる
ようセットし、次に前記槽内を真空ポンプで約５×10-6
Torrまでに脱気した後、該真空槽内にO2ガスを導入して
真空度を約２×10-3Torrに保持し、前記Znのタ−ゲット
に約0.6kw の電力を印加し、前記O2ガスによるDCマグネ
トロン反応スパッタの中を、前記Znのタ−ゲット上方に
おいてスピ−ド約85mm／min で前記ガラス基板を搬送す
ることによって約30nm厚さのZnO 薄膜を第１層として成
膜した。成膜が完了した後、Znタ−ゲットへの印加を停
止した。
マグネトロンスパッタリング装置の真空槽内にセットし
てあるZnとTiのタ−ゲットに対向して上方を往復できる
ようセットし、次に前記槽内を真空ポンプで約５×10-6
Torrまでに脱気した後、該真空槽内にO2ガスを導入して
真空度を約２×10-3Torrに保持し、前記Znのタ−ゲット
に約0.6kw の電力を印加し、前記O2ガスによるDCマグネ
トロン反応スパッタの中を、前記Znのタ−ゲット上方に
おいてスピ−ド約85mm／min で前記ガラス基板を搬送す
ることによって約30nm厚さのZnO 薄膜を第１層として成
膜した。成膜が完了した後、Znタ−ゲットへの印加を停
止した。
【００３２】次いで、該真空槽内にArガスを導入して真
空度を約２×10-3Torrに保持し、Agのタ−ゲットに約0.
15kwの電力を印加し、前記ArガスによるDCマグネトロン
反応スパッタの中を、前記Agのタ−ゲット上方において
スピ−ド約470mm ／min で前記ガラス基板を搬送するこ
とによって前記ZnO 薄膜上に約10nm厚さのAg薄膜を第２
層として成膜した。成膜が完了した後、Agタ−ゲットへ
の印加を停止した。
空度を約２×10-3Torrに保持し、Agのタ−ゲットに約0.
15kwの電力を印加し、前記ArガスによるDCマグネトロン
反応スパッタの中を、前記Agのタ−ゲット上方において
スピ−ド約470mm ／min で前記ガラス基板を搬送するこ
とによって前記ZnO 薄膜上に約10nm厚さのAg薄膜を第２
層として成膜した。成膜が完了した後、Agタ−ゲットへ
の印加を停止した。
【００３３】続いて、同様にArガスで真空度約２×10-3
Torrの中、Tiのタ−ゲットに約0.5kw の電力を印加し、
前記ArガスによるDCマグネトロン反応スパッタの中を、
前記Tiのタ−ゲット上方においてスピ−ド約845mm ／mi
n で前記ガラス基板を搬送することによって前記Ag薄膜
上に約３nm厚さのTi薄膜を第３層として成膜した。成膜
が完了した後、Tiタ−ゲットへの印加を停止した。
Torrの中、Tiのタ−ゲットに約0.5kw の電力を印加し、
前記ArガスによるDCマグネトロン反応スパッタの中を、
前記Tiのタ−ゲット上方においてスピ−ド約845mm ／mi
n で前記ガラス基板を搬送することによって前記Ag薄膜
上に約３nm厚さのTi薄膜を第３層として成膜した。成膜
が完了した後、Tiタ−ゲットへの印加を停止した。
【００３４】次に、該真空槽内にO2ガスとArガス〔但
し、ArガスとO2ガスのガス流量比はAr／（O2＋Ar）の値
が0.5 である。〕を導入して真空度を約２×10-3Torrに
保持し、前記Znのタ−ゲットに約0.6kw の電力を印加
し、前記混合ガスによるDCマグネトロン反応スパッタの
中を、前記Znのタ−ゲット上方においてスピ−ド約85mm
／min で前記ガラス基板を搬送することによって約50nm
厚さのZnO 薄膜を第４層として成膜した。成膜が完了し
た後、Znタ−ゲットへの印加を停止した。
し、ArガスとO2ガスのガス流量比はAr／（O2＋Ar）の値
が0.5 である。〕を導入して真空度を約２×10-3Torrに
保持し、前記Znのタ−ゲットに約0.6kw の電力を印加
し、前記混合ガスによるDCマグネトロン反応スパッタの
中を、前記Znのタ−ゲット上方においてスピ−ド約85mm
／min で前記ガラス基板を搬送することによって約50nm
厚さのZnO 薄膜を第４層として成膜した。成膜が完了し
た後、Znタ−ゲットへの印加を停止した。
【００３５】なお、膜厚を触針式膜厚測定機（DekTak30
30；Sloan 社製）で測定した。得られた４層でなる積層
薄膜付きガラス基板について、下記のような各項を評価
した。 〔光学特性〕：分光光度計（U 4000型、日立製作所製）
で波長340 〜1800nmの間の透過率を測定し、JIS Z 8722
及びJIS R 3106又はJIS Z 8701によって可視光透過率Tv
（％）(380〜780nm)、日射透過率Ts（％）(340〜1800n
m) 、ISO 9050によって紫外線透過率Tuv(％）(282.5〜3
77.5nm)、刺激純度Tuv（％）、色調等を求めた。 〔くもり度〕：ヘイズ値ＨをJIS K6714 に準拠して行い
求めた。建築用としては３％以下、自動車用としては１
％以下を合格とした。 〔耐湿性〕： 30±3 ℃、相対湿度90±5 ％の雰囲気内
に静置し、目視で評価した。
30；Sloan 社製）で測定した。得られた４層でなる積層
薄膜付きガラス基板について、下記のような各項を評価
した。 〔光学特性〕：分光光度計（U 4000型、日立製作所製）
で波長340 〜1800nmの間の透過率を測定し、JIS Z 8722
及びJIS R 3106又はJIS Z 8701によって可視光透過率Tv
（％）(380〜780nm)、日射透過率Ts（％）(340〜1800n
m) 、ISO 9050によって紫外線透過率Tuv(％）(282.5〜3
77.5nm)、刺激純度Tuv（％）、色調等を求めた。 〔くもり度〕：ヘイズ値ＨをJIS K6714 に準拠して行い
求めた。建築用としては３％以下、自動車用としては１
％以下を合格とした。 〔耐湿性〕： 30±3 ℃、相対湿度90±5 ％の雰囲気内
に静置し、目視で評価した。
【００３６】0.1mm 径以上の欠陥の数を数え、100cm2の
面積中に0.1 〜0.5mm径の欠陥が10個以下を合格とし、1
0個を超えると不合格とし、また0.5mm 径を超えるもの
が１個でもあれば不合格とした。
面積中に0.1 〜0.5mm径の欠陥が10個以下を合格とし、1
0個を超えると不合格とし、また0.5mm 径を超えるもの
が１個でもあれば不合格とした。
【００３７】その結果、第４層のZnO 薄膜の成膜レ−ト
は第１層のZnO 薄膜の成膜レ−トに対し約1.7 倍程度と
生産性が高まった。また前記耐湿性も約３倍前後（２〜
４倍程度）の向上となった。
は第１層のZnO 薄膜の成膜レ−トに対し約1.7 倍程度と
生産性が高まった。また前記耐湿性も約３倍前後（２〜
４倍程度）の向上となった。
【００３８】また、分光透過率曲線によると可視光透過
率Tvが約70％、放射率が約0.07程度等、日射透過率Ts
（％）、紫外線透過率Tuv （％）、刺激純度Pe（％）、
D65 光源２°による積層薄膜の透過色ならびにガラス面
側と膜面側の反射色等については、Low-E ガラスとして
充分なものであった。
率Tvが約70％、放射率が約0.07程度等、日射透過率Ts
（％）、紫外線透過率Tuv （％）、刺激純度Pe（％）、
D65 光源２°による積層薄膜の透過色ならびにガラス面
側と膜面側の反射色等については、Low-E ガラスとして
充分なものであった。
【００３９】実施例２ 洗浄、乾燥された厚さ3.5mm のフロ−トガラス基板を、
DCマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内にセット
してあるZnとTiのタ−ゲットに対向して上方を往復でき
るようセットし、次に前記槽内を真空ポンプで約５×10
-6Torrまでに脱気した後、該真空槽内にO2ガスを導入し
て真空度を約２×10-3Torrに保持し、前記Znのタ−ゲッ
トに約40kwの電力を印加し、前記O2ガスによるDCマグネ
トロン反応スパッタの中を、前記Znのタ−ゲット上方に
おいてスピ−ド約500mm ／min で前記ガラス基板を搬送
することによって約30nm厚さのZnO 薄膜を第１層として
成膜した。成膜が完了した後、Znタ−ゲットへの印加を
停止した。
DCマグネトロンスパッタリング装置の真空槽内にセット
してあるZnとTiのタ−ゲットに対向して上方を往復でき
るようセットし、次に前記槽内を真空ポンプで約５×10
-6Torrまでに脱気した後、該真空槽内にO2ガスを導入し
て真空度を約２×10-3Torrに保持し、前記Znのタ−ゲッ
トに約40kwの電力を印加し、前記O2ガスによるDCマグネ
トロン反応スパッタの中を、前記Znのタ−ゲット上方に
おいてスピ−ド約500mm ／min で前記ガラス基板を搬送
することによって約30nm厚さのZnO 薄膜を第１層として
成膜した。成膜が完了した後、Znタ−ゲットへの印加を
停止した。
【００４０】次いで、該真空槽内にArガスを導入して真
空度を約２×10-3Torrに保持し、Agのタ−ゲットに約45
kwの電力を印加し、前記ArガスによるDCマグネトロン反
応スパッタの中を、前記Agのタ−ゲット上方においてス
ピ−ド約3800mm／min で前記ガラス基板を搬送すること
によって前記ZnO 薄膜上に約13.5nm厚さのAg薄膜を第２
層として成膜した。成膜が完了した後、Agタ−ゲットへ
の印加を停止した。
空度を約２×10-3Torrに保持し、Agのタ−ゲットに約45
kwの電力を印加し、前記ArガスによるDCマグネトロン反
応スパッタの中を、前記Agのタ−ゲット上方においてス
ピ−ド約3800mm／min で前記ガラス基板を搬送すること
によって前記ZnO 薄膜上に約13.5nm厚さのAg薄膜を第２
層として成膜した。成膜が完了した後、Agタ−ゲットへ
の印加を停止した。
【００４１】続いて、同様にArガスで真空度約２×10-3
Torrの中、Znのタ−ゲットに約25kwの電力を印加し、前
記ArガスによるDCマグネトロン反応スパッタの中を、前
記Znのタ−ゲット上方においてスピ−ド約3800mm／min
で前記ガラス基板を搬送することによって前記Ag薄膜上
に約2.7nm 厚さのZn薄膜を第３層として成膜した。成膜
が完了した後、Znタ−ゲットへの印加を停止した。
Torrの中、Znのタ−ゲットに約25kwの電力を印加し、前
記ArガスによるDCマグネトロン反応スパッタの中を、前
記Znのタ−ゲット上方においてスピ−ド約3800mm／min
で前記ガラス基板を搬送することによって前記Ag薄膜上
に約2.7nm 厚さのZn薄膜を第３層として成膜した。成膜
が完了した後、Znタ−ゲットへの印加を停止した。
【００４２】次に、該真空槽内にO2ガスとArガス〔但
し、ArガスとO2ガスのガス流量比はAr／（O2＋Ar）の値
が0.5 である。〕を導入して真空度を約２×10-3Torrに
保持し、前記Znのタ−ゲットに約20kwの電力を印加し、
前記混合ガスによるDCマグネトロン反応スパッタの中
を、前記Znのタ−ゲット上方においてスピ−ド約250mm
／min で前記ガラス基板を搬送することによって約45nm
厚さのZnO 薄膜を第４層として成膜した。成膜が完了し
た後、Znタ−ゲットへの印加を停止した。
し、ArガスとO2ガスのガス流量比はAr／（O2＋Ar）の値
が0.5 である。〕を導入して真空度を約２×10-3Torrに
保持し、前記Znのタ−ゲットに約20kwの電力を印加し、
前記混合ガスによるDCマグネトロン反応スパッタの中
を、前記Znのタ−ゲット上方においてスピ−ド約250mm
／min で前記ガラス基板を搬送することによって約45nm
厚さのZnO 薄膜を第４層として成膜した。成膜が完了し
た後、Znタ−ゲットへの印加を停止した。
【００４３】なお、膜厚は実施例１と同様に測定した。
得られた４層でなる積層薄膜付きガラス基板について、
実施例１と同様に評価した。
得られた４層でなる積層薄膜付きガラス基板について、
実施例１と同様に評価した。
【００４４】その結果、第４層のZnO 薄膜の成膜レ−ト
は第１層のZnO 薄膜の成膜レ−トに対し約1.5 倍程度と
生産性が高まった。また前記耐湿性も約３倍前後（２〜
４倍程度）の向上となった。なお、ｄの値は2.611 でσ
=-0.56×1010dyn ／cm2 であり、よりバルクに近いもの
であった。
は第１層のZnO 薄膜の成膜レ−トに対し約1.5 倍程度と
生産性が高まった。また前記耐湿性も約３倍前後（２〜
４倍程度）の向上となった。なお、ｄの値は2.611 でσ
=-0.56×1010dyn ／cm2 であり、よりバルクに近いもの
であった。
【００４５】また、分光透過率曲線によると可視光透過
率Tvが約78％、放射率が約0.06％程度等、日射透過率Ts
（％）、紫外線透過率Tuv （％）、刺激純度Pe（％）、
D65光源２°による積層薄膜の透過色ならびにガラス面
側と膜面側の反射色等については、Low-E ガラスとして
充分なものであった。
率Tvが約78％、放射率が約0.06％程度等、日射透過率Ts
（％）、紫外線透過率Tuv （％）、刺激純度Pe（％）、
D65光源２°による積層薄膜の透過色ならびにガラス面
側と膜面側の反射色等については、Low-E ガラスとして
充分なものであった。
【００４６】なおまた、実施例１、２とも、第１層のZn
O 薄膜を第４層のZnO 薄膜と同様にして行うと全体の成
膜レ−トがさらに高まるとともに、前記耐湿性もさらに
向上する傾向を示した。
O 薄膜を第４層のZnO 薄膜と同様にして行うと全体の成
膜レ−トがさらに高まるとともに、前記耐湿性もさらに
向上する傾向を示した。
【００４７】実施例３ 実施例１と２の第４層目ののZnO 薄膜のみについて、同
様にしてスパッタ成膜条件のうち、ガラス基板の搬送速
度を100mm ／min でA)印加電力0.55kwとB)印加電力0.60
kwに対し、混合ガスにおけるO2ガスとArガスのガス流量
比を1)O2ガスのみ（O2ガス100 ％）、2)25％Arガス＋75
％O2ガス、3)50％Arガス＋50％O2ガス、4)75％Arガス＋
25％O2ガスで行った。
様にしてスパッタ成膜条件のうち、ガラス基板の搬送速
度を100mm ／min でA)印加電力0.55kwとB)印加電力0.60
kwに対し、混合ガスにおけるO2ガスとArガスのガス流量
比を1)O2ガスのみ（O2ガス100 ％）、2)25％Arガス＋75
％O2ガス、3)50％Arガス＋50％O2ガス、4)75％Arガス＋
25％O2ガスで行った。
【００４８】その結果、その成膜レ−トが、A)で1)を１
として2)1.15倍、3)1.41倍、4)1.77倍となり、またB)で
1)を１として2)1.37倍、3)1.79倍、4)2.42倍となった。
いずれも、Arガスを混合ガスに含むことによるスパッタ
法において成膜レ−トが格段に高まることが明らかであ
った。
として2)1.15倍、3)1.41倍、4)1.77倍となり、またB)で
1)を１として2)1.37倍、3)1.79倍、4)2.42倍となった。
いずれも、Arガスを混合ガスに含むことによるスパッタ
法において成膜レ−トが格段に高まることが明らかであ
った。
【００４９】また、前記A)で1)の条件で成膜した際のZn
O 薄膜は前記ｄの値が2.657 Åとなり、σ=-3.5 ×1010
dyn ／cm2 で半値幅が0.532 °であり、さらにまた前記
A)で3)の条件で成膜した際のZnO 薄膜は前記ｄの値が2.
627Å となり、σ=-1.6 ×10 10dyn ／cm2 で半値幅が0.
315 °であり、明らかに内部応力も減少し結晶性も向上
し、前記耐湿性試験で１〜２日程度までしか合格しなか
ったものが９日程度まで合格するようになり、より耐湿
性も向上した。
O 薄膜は前記ｄの値が2.657 Åとなり、σ=-3.5 ×1010
dyn ／cm2 で半値幅が0.532 °であり、さらにまた前記
A)で3)の条件で成膜した際のZnO 薄膜は前記ｄの値が2.
627Å となり、σ=-1.6 ×10 10dyn ／cm2 で半値幅が0.
315 °であり、明らかに内部応力も減少し結晶性も向上
し、前記耐湿性試験で１〜２日程度までしか合格しなか
ったものが９日程度まで合格するようになり、より耐湿
性も向上した。
【００５０】比較例１ 実施例１と同様にし、第４層目のZnO 薄膜のみについ
て、実施例１と同様のスパッタ成膜条件のうち、混合ガ
スを92％Arガス＋ 8％O2ガスに変えスパッタ成膜した。
て、実施例１と同様のスパッタ成膜条件のうち、混合ガ
スを92％Arガス＋ 8％O2ガスに変えスパッタ成膜した。
【００５１】その結果、第４層目の薄膜はZnの金属膜と
なって完全なZnO 薄膜を得ることができなかった。比較例２ 実施例１と同様にし、第４層目のZnO 薄膜のみについ
て、実施例２と同様のスパッタ成膜条件のうち、混合ガ
スを５％Arガス＋95％O2ガスに変えスパッタ成膜した。
なって完全なZnO 薄膜を得ることができなかった。比較例２ 実施例１と同様にし、第４層目のZnO 薄膜のみについ
て、実施例２と同様のスパッタ成膜条件のうち、混合ガ
スを５％Arガス＋95％O2ガスに変えスパッタ成膜した。
【００５２】その結果、前記ｄの値が2.641 Åで、σ=-
2.5 ×1010dyn ／cm2 で半値幅が0.515 °であり、強い
内部応力をもち、耐湿性試験で２日程度までの合格であ
り、めざす所期のスパッタ法による膜とは到底言えるよ
うなものではなかった。
2.5 ×1010dyn ／cm2 で半値幅が0.515 °であり、強い
内部応力をもち、耐湿性試験で２日程度までの合格であ
り、めざす所期のスパッタ法による膜とは到底言えるよ
うなものではなかった。
【００５３】
【発明の効果】以上前述したように、本発明によれば、
成膜レ−トを高めより効率化できて生産性を向上するこ
とができ、しかも成膜された積層膜の耐湿性を高めるこ
とができる等、特にAg薄膜などの金属膜やそれに類する
所謂強くないような薄膜をガ−ドする保護膜、ことにLo
w-E ガラス等機能性薄膜付きガラスとして建築用窓ガラ
スや自動車用窓ガラス等に有用であるスパッタ法による
膜及びその形成法をを安価にかつ容易に提供するもので
ある。
成膜レ−トを高めより効率化できて生産性を向上するこ
とができ、しかも成膜された積層膜の耐湿性を高めるこ
とができる等、特にAg薄膜などの金属膜やそれに類する
所謂強くないような薄膜をガ−ドする保護膜、ことにLo
w-E ガラス等機能性薄膜付きガラスとして建築用窓ガラ
スや自動車用窓ガラス等に有用であるスパッタ法による
膜及びその形成法をを安価にかつ容易に提供するもので
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｎ
Claims (11)
- 【請求項１】 ガラス基板上に、少なくとも下地膜を保
護するためにスパッタ法によって形成する保護膜におい
て、少なくともアルゴンガスを含む酸素ガスまたは／お
よび窒素ガスの混合ガス雰囲気内でスパッタし形成した
保護膜でなることを特徴とするスパッタ法による膜。 - 【請求項２】 前記スパッタ法が、直流または高周波ス
パッタリング方式であることを特徴とする請求項１記載
のスパッタ法による膜。 - 【請求項３】 前記混合ガス中の酸素ガスとアルゴンガ
スの割合が、酸素ガス：アルゴンガスが９：１から１：
９であることを特徴とする請求項１乃至２記載のスパッ
タ法による膜。 - 【請求項４】 前記下地膜が金属膜であることを特徴と
する請求項１乃至３記載のスパッタ法による膜。 - 【請求項５】 前記下地膜が、銀、金、銅、亜鉛、チタ
ンの各薄膜であることを特徴とする請求項１乃至４記載
のスパッタ法による膜。 - 【請求項６】 前記保護膜が、酸化物薄膜、窒化物薄膜
もしくは酸窒素物薄膜であることを特徴とする請求項１
乃至５記載のスパッタ法による膜。 - 【請求項７】 前記保護膜が、酸化亜鉛薄膜、窒化亜鉛
薄膜もしくは酸窒素亜鉛であることを特徴とする請求項
１乃至６記載のスパッタ法による膜。 - 【請求項８】 ガラス基板上に少なくとも下地膜を保護
するためにスパッタ法によって形成する保護膜の形成法
において、少なくともアルゴンガスを含む酸素ガスまた
は／および窒素ガスの混合ガス雰囲気内でスパッタし保
護膜を形成するようにしたことを特徴とするスパッタ法
による膜の形成法。 - 【請求項９】 前記スパッタ法が、直流または高周波ス
パッタリング方式であることを特徴とする請求項８記載
のスパッタ法による膜の形成法。 - 【請求項10】 前記混合ガス中の酸素ガスとアルゴンガ
スの割合が、酸素ガス：アルゴンガスが９：１から１：
９であることを特徴とする請求項８乃至９記載のスパッ
タ法による膜の形成法。 - 【請求項11】 前記混合ガスにおけるアルゴンガスの混
合割合を、スパッタするための印加電力によってバラン
スを持たしめるよう調整することを特徴とする請求項８
乃至10記載のスパッタ法による膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27598795A JPH09110472A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | スパッタ法による膜及びその形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27598795A JPH09110472A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | スパッタ法による膜及びその形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09110472A true JPH09110472A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17563201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27598795A Pending JPH09110472A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | スパッタ法による膜及びその形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09110472A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180045500A (ko) * | 2016-10-26 | 2018-05-04 | (주)엘지하우시스 | 건축용 무반사 유리 |
| CN111995258A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-11-27 | 咸宁南玻节能玻璃有限公司 | 一种中透低反可钢化双银low-e玻璃及制备方法 |
-
1995
- 1995-10-24 JP JP27598795A patent/JPH09110472A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180045500A (ko) * | 2016-10-26 | 2018-05-04 | (주)엘지하우시스 | 건축용 무반사 유리 |
| CN111995258A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-11-27 | 咸宁南玻节能玻璃有限公司 | 一种中透低反可钢化双银low-e玻璃及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10654749B2 (en) | Solar control coatings providing increased absorption or tint | |
| JP3515392B2 (ja) | 金属被覆物品とその製法 | |
| US7226528B2 (en) | Methods of making coated articles by sputtering silver in oxygen inclusive atmosphere | |
| EP1235757B1 (en) | Haze-resistant transparent film stacks | |
| US7713587B2 (en) | Method of coating a substrate with a coating composition having solar properties | |
| EP3004015B1 (en) | Low-emissivity glazing | |
| US6451434B1 (en) | Glass laminate, functional transparent article and method of its production | |
| EP0622645A1 (en) | Thin film coating and method of marking | |
| EP3750855A1 (en) | Solar control coatings with discontinuous metal layer | |
| US20030186062A1 (en) | Glazing panel | |
| KR20080109899A (ko) | 피복 판유리 | |
| EP1639221B1 (en) | Coated article with niobium chromium inclusive barrier layers(s) and method of making same | |
| CA2827832A1 (en) | Barrier layers comprising ni and/or ti, coated articles including barrier layers, and methods of making the same | |
| JPH08336923A (ja) | 高透過率、低輻射率の耐熱性窓またはウィンドシールドおよびその製造方法 | |
| EP3348526A1 (en) | Coated article with silicon nitride inclusive layer adjacent glass | |
| EP1200855B1 (en) | Heat-treatable dichroic mirrors | |
| JP3392000B2 (ja) | 断熱ガラス | |
| JPH07178866A (ja) | 熱線遮断膜とその製造方法 | |
| JPH09110472A (ja) | スパッタ法による膜及びその形成法 | |
| JP2000229380A (ja) | ガラス積層体及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040325 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040713 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |