JPH09107201A

JPH09107201A - 相互接続装置

Info

Publication number: JPH09107201A
Application number: JP8143061A
Authority: JP
Inventors: Richard M Hoffmeister; リチャード・エム・ホフマイスター; Clifton Quan; クリフトン・クアン
Original assignee: H II HOLDINGS Inc D B EE FUSE ELECTRON; Hughes Aircraft Co; HE Holdings Inc
Current assignee: H II HOLDINGS Inc D B EE FUSE ELECTRON; Raytheon Co
Priority date: 1995-06-05
Filing date: 1996-06-05
Publication date: 1997-04-22
Also published as: IL118452A0; EP0747987A1; EP0747987B1; ES2158192T3; US5561405A; DE69612322D1; DE69612322T2

Abstract

(57)【要約】【課題】正しい角度の接地されたカプラナウエーブガ
イド（ＧＣＰＷ）のＨベンド相互接続装置を提供する。【解決手段】第１および第２ＧＣＰＷ伝送線(60,80)
とから構成し、各々は絶縁体基板(62,82)を含み、底面
にはボトムグランドプレーン(64,84)、上面には中央コ
ンダクタ帯体(68,88)が、第１と第２トップグランドプ
レーン(66A,66B,86A,86B)にサンドイッチ状に形成し、
これら２つのＧＣＰＷ伝送線(60,80)は互いに直交して
配置し、キャパシティブカップリングを補償するためコ
ーナー相互接続接合部で隣接し、対応するボトム／トッ
プグランドプレーンおよび中央コンダクタ帯体を電気的
に接続する。トップグランドプレーンの帯体と中央コン
ダクタ帯体との間のギャップは、キャパシタンスを結果
的に補償するためその幅が増加する部分を有するように
相互接続装置(50)を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＲＦ（無線周波
数）伝送線に関し、例えば正しい角度でグランド、即ち
接地されたカプラナウエーブガイド（共角導波管）のＨ
ベンド、即ちＨ形の曲がりを有する伝送線に関する。

【０００２】

【従来の技術】グランド（Ｇ）即ち接地されたカプラナ
ウエーブガイド（以下、ＧＣＰＷと略称する）伝送線
は、多くのＲＦアプリケーションにおけるメディアタイ
プの１つである。このＧＣＰＷ伝送線の正しい角度での
接地は、単一プレーン、即ち一平面内に起こる。従来、
鉛直方向の曲げは、ＧＣＰＷから他の伝送線（例えば、
コアキシャルライン）へのトランジションを必要とし
た。また、従来技術的な回路ボードの相互接続方法は、
ケーブルやリボンを用いて相互接続されていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれらの
従来の接続方法は、装置自体の過剰なサイズ、重さおよ
びコストにおいて多くの不具合を有していた。

【０００４】そこで本発明は上述の不具合に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、正しい角度で鉛直方向に
接地できるようなカプラナウエーブガイド（ＧＣＰＷ）
Ｈ形ベンドを実現する伝送線メディアを提供することに
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は新しいタイプの
相互接続装置であり、互いに積み重ねられた積層構造の
例えば、マイクロ波ハイブリッドとプリントワイヤボー
ド（ＰＷＢ）等の複数基板間での相互接続が容易に可能
なパッケージングに関する新規なコンパクト化を提供す
る相互接続装置を実現するものである。

【０００６】そこで本発明の第１の態様として、鉛直方
向の接地された曲げを提供するカプラナウエーブガイド
Ｈ形曲げの相互接続装置は、第１ＣＰＷＧ伝送線および
第２ＣＰＷ伝送線を含み、それぞれ次のように構成す
る。

【０００７】（１）第１ＣＰＷ伝送線は、対する第１
面および第２面を有する第１絶縁体基板と、この第１絶
縁体基板の表面に配設された第１ボトムコンダクティブ
グランドプレーン帯体と、第１および第２トップコンダ
クティブグランドプレーン帯体に各々離間し第２面上に
配設された第１中央コンダクタ帯体とから構成する。一
方、第２ＣＰＷ伝送線は、対する第３面および第４面を
有する第２絶縁体基板と、この第２絶縁体基板の表面に
配された第２ボトムコンダクティブグランドプレーン帯
体と、第３および第４トップコンダクティブグランドプ
レーン帯体に各々離間し第４面上に配された第２中央コ
ンダクタ帯体とから構成する。

【０００８】上記の第２絶縁体基板は、上記第１絶縁体
基板に隣接し横向きに配置し、上記第１および第２中央
コンダクタ帯体が配列されて電気的接続されるように配
設し、上記第１および第３トップコンダクティブグラン
ドプレーン帯体は配列して電気的接続し、上記第２およ
び第４トップコンダクティブグランドプレーン帯体は配
列して電気的接続するように構成する。

【０００９】また、本発明の第２の態様の相互接続装置
をさらに次のように構成する。

【００１０】（２）上記第１および第３トップグラン
ドプレーンコンダクタ帯体と、上記第２および第４トッ
プグランドプレーンコンダクタ帯体とは、上記第１ＧＣ
ＰＷ伝送線と第２ＧＣＰＷ伝送線との間のコーナー相互
接続接合部に沿って電気的に接続し、上記第１中央コン
ダクタ帯体は、対応する第１および第２ギャップによっ
て上記第１および第２トップグランドプレーンコンダク
タ帯体から分離し、上記第２中央コンダクタ帯体は、対
応する第３および第４ギャップによって上記第３および
第４トップグランドプレーンコンダクタ帯体から分離す
る。

【００１１】そして例えば一好適実施においては、トッ
プグランドプレーンコンダクタ帯体と中央コンダクタ帯
体との間のギャップは、コーナー相互接続接合部におけ
るキャパシティブカップリングを補償するため、隣接す
る上記コーナー相互接続接合部に、ギャップ幅が増加し
更に大きい部分を有するように構成する。

【００１２】よって、上記構成の相互接続装置は、ＣＰ
ＷＧ伝送線に対するマイクロ波伝送線を形成するための
鉛直方向の相互接続に使用でき、マイクロ波パッケージ
ングに関する新しいコンパクト化を実現でき、分離、独
立したハイブリッド部材等が少ない設置面積で鉛直方向
にパッケージされる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、関連する図面を参照しなが
ら本発明の複数の実施形態について述べる。

【００１４】図１には、本発明の相互接続装置の構成が
例示され、鉛直方向の正しい角度のカプラナウエーブガ
イド（ＣＰＷ）の曲げ部本体を斜視図で表している。

【００１５】接地されたＧＣＰＷ伝送線は、多くのＲＦ
アプリケーションにおけるメディアタイプの１つであ
る。このＧＣＰＷ伝送線の正しい角度での接地は、単一
のプレーン、即ち一平面内に起こるものである。

【００１６】従来からのＧＣＰＷの正しい角度に係わる
「曲げ」は、単一な例えば平基板内において生ずるもの
が多い。この様な相互接続５０の回路は、中間的な相互
接続を用いる必要がなく、水平プレーン５２のＧＣＰＷ
６０から、鉛直プレーン５４のＧＣＰＷ８０への相互接
続を提供する。これらＧＣＰＷ６０，８０は、正しい角
度に配設され、鉛直に形成され、正しい角度のＧＣＰＷ
のＨ形ベンドという曲げを形成している。またこれはマ
イクロ波用ハイブリッドの積層されて成るアセンブリに
も拡大されて応用することも可能である。

【００１７】鉛直方向のカプラナウエーブガイド（ＣＰ
Ｗ）Ｈベンドの相互接続装置５０は、図１に示すよう
に、主に第１ＣＰＷ伝送線６０と第２ＣＰＷ伝送線８０
とから構成されている。

【００１８】この第１ＣＰＷ伝送線６０は、対する２つ
の面（即ち、第１面および第２面）６２Ｂおよび６２Ａ
を有するようなプラナ絶縁体基板（即ち、第１絶縁体基
板）６２から構成されている。

【００１９】ＧＣＰＷボトムグランドプレーン６４は、
この下の面６２Ｂに適用された金属層によって配設規定
されている。また、中央コンダクタ帯体６８は、第１お
よび第２トップコンダクティブグランドプレーン６６
Ａ，６６Ｂの間に配されると共に、この上のトップサー
フェス（即ち、第２面）６２Ａ上に配されている。これ
ら第１および第２トップコンダクティブグランドプレー
ン６６Ａ，６６Ｂは、ギャップ７０Ａおよび７０Ｂによ
って分離され、中央コンダクタ帯体６８から離間されて
いる。

【００２０】複数のプレーテッド・スルーホール７２
は、絶縁体基板６２に形成され、ボトムグランドプレー
ン６４とトップコンダクティブグランドプレーン６６Ａ
および６６Ｂの間に、電気的なグランド、即ち接地接続
を与えるために設けられている。

【００２１】なお、数種の実施例においては、このＧＣ
ＰＷ線がそのボトムグランドプレーンの層を含まない例
もあり、このような場合には、ボトムグランドプレーン
とトップグランドプレーンとの間の相互接続を提供する
必要はないであろう。

【００２２】同様に、この第２ＣＰＷ伝送線８０は、対
する２つの面（即ち、第３面および第４面）８２Ｂおよ
び８２Ａを有するようなプラナ絶縁体基板（即ち、第２
絶縁体基板）８２から構成されている。

【００２３】ＧＣＰＷボトムグランドプレーン８４は、
この下の面８２Ｂに適用されている金属層によって配設
規定されている。また、中央コンダクタ帯体８８は、第
１および第２トップコンダクティブグランドプレーン８
６Ａ，８６Ｂの間に配されると共に、この上のトップサ
ーフェス（即ち、第２面）８２Ａ上に配されている。こ
れら第１および第２トップコンダクティブグランドプレ
ーン８６Ａ，８６Ｂは、ギャップ９０Ａおよび９０Ｂに
よって分離され、中央コンダクタ帯体８８から離間され
ている。

【００２４】複数のプレーテッド・スルーホール９２
は、絶縁体基板８２に形成され、ボトムグランドプレー
ン８４とトップコンダクティブグランドプレーン８６Ａ
および８６Ｂの間に、電気的なグランド、即ち接地接続
を与えるために設けられている。

【００２５】これら２つのＧＣＰＷ６０および８０は正
しい角度で、トップグランドプレーン６６Ａ，６６Ｂ，
８６Ａおよび８６Ｂの帯体と中央コンダクタ帯体６８
（８８、但し不図示）との間に、電気的に互いに接続さ
れ、コンダクティブな材料として例えばエポキシ等によ
りそれぞれ接続されている。よって、これにより２つの
ＧＣＰＷのトップサーフェス、即ち上面間に正しい角度
のコーナー相互接続部１００を形成する。

【００２６】上記の中央コンダクタ帯体６８は、水平方
向のＧＣＰＷ基板６２から取り除かれ、部位７４におい
て絶縁体を露出し、鉛直ＧＣＰＷ基板８２はこの露出さ
れた絶縁体上のトップに配設される。コーナー相互接続
部１００のシャープなコーナー部、即ち角部の近傍に
は、多くのキャパシタンスが保持され、よって、鉛直方
向のトランジションとしてのコーナー相互接続部１００
の近傍のグランドプレーン帯体６６Ａ，６６Ｂ，８６Ａ
および８６Ｂの各コーナー７６Ａ，７６Ｂ，９６Ａおよ
び９６Ｂは、中央コンダクタ帯体とトップグランドプレ
ーンの帯体との間のギャップの大きさを増加させること
を軽減または削減され、そのキャパシタンスを補償する
ことを助けている。

【００２７】なお、例示する実施形態においては、これ
らＧＣＰＷ６０および８０は、幅が２０．９６ミル、ギ
ャップ幅サイズ７０Ａ，７０Ｂが１０ミル、そしてＲＴ
／６０１０ Duroid(ＴＭ)（ε_r = 10.2）の厚さが４０
ミルの中央コンダクタ帯体を有している。また、プレー
テッド・スルー・バイア・ホール７２および９２は、直
径が１３ミルで、中央コンダクタ帯体６８の中心から７
５ミルの距離にその中心が設けられている。

【００２８】ただし、対応するコンダクタライン、即ち
伝送線間のＤＣ的連続性が存在する限りにおいては、こ
れら２つの伝送線６０および８０のアタッチメント、即
ち接合機構は、例えば、リフロー半田付け、半田バンプ
またはＺ軸接着材等により達成されてもよい。

【００２９】また分析によれば、いわゆる「Ｈベンドジ
ャンクション」即ちＨ形の曲げ接合部の再度のシャープ
化は、運用する周波数帯域の幅を増大させると共に、そ
の使用する装置の性能を改善することを示している。

【００３０】図２（Ａ）〜（Ｃ）には本発明の相互接続
装置の３つの異なるＨ形曲げ接合部の形態例をそれぞれ
断面図で例示している。

【００３１】（第１形態例）図２（Ａ）は、このＧＣＰ
Ｗ中央コンダクタ６８’および、グランドプレーンコン
ダクタ６６Ａ’，６６Ｂ’の一例を断面図で示してい
る。これらのグランドプレーンコンダクタ６６Ａ’，６
６Ｂ’は「フレアーアウト・エンド」コンフィギュレシ
ョン、すなわち、終端部が漸次的な「フレア状」の特徴
的形状を有し、図示のような緩やかな曲線としてポテン
シャル・テーパー形状に成形されている。

【００３２】（第２形態例）次に図２（Ｂ）は、このＧ
ＣＰＷラインのコンフィギュレーションの一例を断面図
で示している。この配置には、中央コンダクタ６８”、
グランドプレーンコンダクタ６６Ａ”および６６Ｂ”が
含まれている。これら後者のコンダクタは、グランドプ
レーン・「フレアーアウト」であり、終端部が図示のよ
うな緩やかに、但し「直線的」な特徴的テーパー形状に
成形されている。

【００３３】（第３形態例）また、図２（Ｃ）は、この
ＧＣＰＷラインのコンフィギュレーションの一例を断面
図で示している。この配置には、中央コンダクタ６
８'''、グランドプレーンコンダクタ６６Ａ'''および６
６Ｂ'''が含まれている。これら後者のコンダクタは、
その終端部が「階段状切欠き」を有した形状に成形され
ている。

【００３４】以上のいずれの形状の配置構成も、ＲＦ性
能の改善のため、そのＨ形の曲げ接合部を再度シェイプ
するために利用され得る。

【００３５】図３には、本発明の相互接続装置の構成を
示し、２つ以上の水平基板間の積層した相互接続を斜視
図で表している。

【００３６】本発明によれば、積層されたマイクロ波集
積回路（以下、ＭＩＣと略称する）のこの構成配置は、
鉛直方向のＧＣＰＷのＨベンド接続であることがわか
る。

【００３７】ここで、プリンテッドワイヤリングボード
（ＰＷＢ）１５０および１６０は、鉛直な方向に互いに
平行に配置されている。

【００３８】それらＰＷＢ１５０と１６０の間には、複
数枚のＭＩＣボード１７０Ａ〜１７０Ｎが存在する。各
々のＭＩＣボードは、図３に例示した例えばボード１７
０Ｃの場合は、そのエッジに沿った所にＧＣＰＷ入力／
出力接続部１８０を有している。また、ＰＷＢ１５０お
よび１６０の各々は、そのボードの内向する表面に沿っ
て延長して成る鉛直なＧＣＰＷ回路を有している。例え
ば、ボード１５０は表面１５４上に鉛直ＧＣＰＷ回路
（１５２、但し不図示）を有している。本発明によれ
ば、鉛直なＨ形曲げ相互接続部１００は、図１に更に特
別なものが示され、積層されたＭＩＣボードと、鉛直Ｐ
ＷＢの上記鉛直ＧＣＰＷラインとの間のマイクロ波周波
数の相互接続を提供する。この実施例においては、積層
されたＭＩＣボードのこれらＧＣＰＷ入力／出力接続部
は、接地のためのボトムグランドプレーン層を含んでい
ない。しかし、そのようなグランドプレーンは必要であ
り、絶縁体基板中に形成されたスルーホールを通じて、
ＧＣＰＷラインの対応するトップグランドプレーンの帯
体に相互接続することができる。

【００３９】また同様に、その鉛直ＰＷＢの上記鉛直Ｇ
ＣＰＷラインのためのボトムグランドプレーン帯体にも
相互接続することができる。

【００４０】（変形例）本発明は、図３に示されたよう
な必ずしも２つのＰＷＢに限定される必要はない。例え
ば、１つの鉛直なＧＣＰＷは数枚の積層され水平なボー
ドに接続できる。また、それらボードの適宜な大きさの
設定によってや、接触しないことによりその鉛直ＧＣＰ
Ｗを通過するようなボードのカットによっても、ボード
をスキップすることも可能であろう。さらに、各ボード
におけるマルチ化ＧＣＰＷも許されるであろう。

【００４１】本発明のアプリケーションは、積み重ねら
れた複数基板間の鉛直方向の相互接続も含み、例えば、
レシーバ／エクサイタ、通信サブシステムおよび、その
他のマイクロ波回路にも応用できる。また、サテライ
ト、マイクロ波自動車エレクトロニクス、ミサイルシス
テムおよび、セルラーテレホン等にも応用される。

【００４２】（その他の変形例）なお、以上に説明した
実施形態は、単に本発明の要旨を代表して例示したもの
であることが解る。したがって、この要旨に逸脱しない
範囲において当業者により種々の変形実施も可能であ
る。

【００４３】

【発明の効果】以上、例えば、マイクロ波パッケージン
グに関する接続装置の新しいコンパクト化を提供する本
発明の相互接続装置によれば、分離、独立したハイブリ
ッド部材が鉛直方向に正しくパッケージされ、設置空間
のセーブも可能な、正しい角度で接地されるカプラナウ
エーブガイド（ＧＣＰＷ）のＨ形曲げを実現するような
相互接続装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の相互接続装置の構成を示し、鉛直方向
の正しい角度のＧＣＰＷの曲げ部本体を表す斜視図。

【図２】本発明の相互接続装置の３つの異なるＨ曲げ部
の形態を示し、（Ａ）は、第１の例を示す断面図、
（Ｂ）は、第２の例を示す断面図、（Ｃ）は、第３の例
を示す断面図。

【図３】本発明の相互接続装置の構成を示し、２つ以上
の水平基板間の積層した相互接続を表す斜視図。

【符号の説明】

５２…水平プレーン（平基板）、５０…相互接続装置、６０，８０…相互接続回路（ＣＰＷ伝送線、ＧＣＰ
Ｗ）、６２，８２…絶縁体基板、６２Ａ，６２Ｂ…面（プラナ面）、６４，８４…ボトム(コンダクティブ)グランドプレーン
（底部接地板）、６６Ａ，６６Ｂ，８６Ａ，８６Ｂ…トップ(コンダクテ
ィブ)グランドプレーン、６６Ａ’，６６Ａ”，６６Ａ'''…トップグランドプレ
ーンコンダクタ、６６Ｂ’，６６Ｂ”，６６Ｂ'''…ボトムグランドプレ
ーンコンダクタ、６８…中央コンダクタ帯体、７０Ａ，７０Ｂ…ギャップ幅（間隙）、７２，９２…スルーホール、１００…コーナー相互接続部、１５０，１６０…プリントワイヤリングボード（ＰＷ
Ｂ）、１７０Ａ〜Ｃ、１７０Ｎ…マイクロ波集積回路（ＭＩ
Ｃ）ボード、１８０…ＧＣＰＷ入力／出力接続部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者クリフトン・クアンアメリカ合衆国、カリフォルニア州 91006、アルカディア、エヌ・フロリンダ・アベニュー 5521

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】鉛直カプラナウエーブガイド（ＣＰＷ）
のＨベンド相互接続装置(50)は、第１ＣＰＷ伝送線(60)
と第２ＣＰＷ伝送線(80)とから構成され、前記第１ＣＰＷ伝送線(60)は、対する第１面および第２面(62B,62A)を有する第１絶縁
体基板(62)と、第１および第２トップコンダクティブグランドプレーン
帯体(66A,66B)に各々離間して前記第２面(62A)上に配設
規定された第１中央コンダクタ帯体(68)と、から構成され、前記第２ＣＰＷ伝送線(80)は、対する第３面および第４面(82B,82A)を有する第２絶縁
体基板(82)と、第３および第４トップコンダクティブグランドプレーン
帯体(86A,86B)に各々離間して前記第４面(82A)上に配設
規定された第２中央コンダクタ帯体(88)と、から構成され、前記第２絶縁体基板(82)は、前記第１絶縁体基板(62)に隣接し横向きに配置され、前
記第１および第２中央コンダクタ帯体(68,88)が配列さ
れて電気的接続されるように設けられて成り、前記第１および第３トップコンダクティブグランドプレ
ーン帯体(66A,86A)は配列されて電気的接続され、前記第２および第４トップコンダクティブグランドプレ
ーン帯体(66B,86B)は配列されて電気的接続されるよう
に設けられていることを特徴とする相互接続装置。
【請求項２】前記第１および第３トップグランドプレ
ーンコンダクタ帯体(66A,86A)と、前記第２および第４
トップグランドプレーンコンダクタ帯体(68B,88B)と
は、前記第１ＧＣＰＷ伝送線と第２ＧＣＰＷ伝送線との
間のコーナー相互接続接合部(100)に沿って電気的に接
続されて成り、前記第１中央コンダクタ帯体(68)は、対応する第１ギャ
ップおよび第２ギャップによって前記第１および第２ト
ップグランドプレーンコンダクタ帯体(66A,66B)から分
離されて成り、前記第２中央コンダクタ帯体(88)は、対応する第３ギャ
ップおよび第４ギャップによって前記第３および第４ト
ップグランドプレーンコンダクタ帯体(86A,86B)から分
離されて成り、前記第１、第２、第３および第４ギャップは、前記コー
ナー相互接続接合部におけるキャパシティブカップリン
グを補償するため、隣接する前記コーナー相互接続接合
部に、ギャップが増加した更に大きい部分を有すること
を特徴とする、請求項１に記載の相互接続装置。
【請求項３】前記の増加したギャップのサイズは、コ
ンフィギュレーション、即ち配置形状において直線的で
あることを特徴とする、請求項２に記載の相互接続装
置。
【請求項４】前記の増加したギャップのサイズは、漸次的なエクスポネンシャル・テーパードコンフィギュ
レーションを有することを特徴とする、請求項２に記載
の相互接続装置。
【請求項５】前記の増加したギャップのサイズは、コ
ンフィギュレーションにおいて、漸次的なリニア・テーパードコンフィギュレーションを
有することを特徴とする、請求項２に記載の相互接続装
置。
【請求項６】前記第１および第２ＣＰＷ伝送線(60,8
0)は、互いに直交して配置されていることを特徴とす
る、請求項１〜５のいずれかに記載の相互接続装置。
【請求項７】前記第１ＣＰＷ伝送線(60)は、プリンテ
ッドワイヤリングボード（ＰＷＢ）(150)上に形成さ
れ、前記第２ＣＰＷ伝送線(80)は、マイクロ波集積回路（Ｍ
ＩＣ）ボード(170A)上に、このＰＷＢに対して直交に配
置され、ここでは前記相互接続装置装置は、各ボード間
のマイクロ波周波的な前記ＰＷＢと前記ＭＩＣとの間の
電気的相互接続を提供して成り、前記ＰＷＢは、前記第２絶縁体基板を含み、前記ＭＩＣボードは、前記第２絶縁体基板を含み、更に前記第１ＣＰＷ伝送線と前記第２ＣＰＷ伝送線との
接合部において、鉛直方向の前記ＣＰＷのＨベンド（曲
がり）の相互接続部(100)を含むことを特徴とする、請
求項１〜６のいずれかに記載の相互接続装置。
【請求項８】前記第１ＣＰＷ伝送線(60)は、前記第１絶縁体基板の表面(62B)上に規定された第１ボ
トムコンダクティブグランドプレーン(64)から構成さ
れ、前記第２ＣＰＷ伝送線(80)は、前記第３絶縁体基板の表面(82B)上に規定された第２ボ
トムコンダクティブグランドプレーン(84)から構成さ
れ、前記第１および第２ボトムコンダクティブグランドプレ
ーンは互いに電気的に相互接続していることを特徴とす
る、請求項１〜７のいずれかに記載の相互接続装置。
【請求項９】前記の複数のコンダクティブプレート化
スルーホール(72,92)は、対応する前記第１および第２
絶縁体基板(62,82)を通過して形成され、対応する前記ボトムコンダクティブグランドプレーン(6
4,84)と前記トップコンダクティブグランドプレーン帯
体(66A,66B,86A,86B)との間の電気的接続を形成し、各々の前記ＣＰＷの前記トップコンダクティブグランド
プレーン帯体(66A,66B)は、対応する前記ボトムコンダ
クティブグランドプレーンと電気的に接続するように構
成されていることを特徴とする、請求項８に記載の相互
接続装置。