JPH09106767A - 放電表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放電電流を制限するようにした狭窄孔を備え
る狭窄孔板によって各画素毎の放電安定抵抗が容易に実
現でき、表示陽極も全画素に共通な構成の簡単なもので
良く、これによって、スペーサに塗布された蛍光体層の
塗布面積が拡がり、蛍光体層の輝度と発光効率が改善さ
れた直流型抵抗メモリ方式の放電表示装置を得る。 【解決手段】 隔壁７を介して互いに交叉するごとく近
接して配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス
電極９，１０と、放電空間に挿入された、荷電粒子を複
数の微小な狭窄孔５を通過させることによって、放電電
流を制限するようにした絶縁体または金属板からなる狭
窄孔板４と、内壁に蛍光体層３を塗布したスペーサ２
と、全画素に共通な表示陽極１とを有し、複数の第１及
び第２のアドレス電極９，１０、狭窄孔板４、スペーサ
並びに表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管
体内に封入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は蛍光体層を備えた直
流型抵抗メモリー方式の放電表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に、従来の放電表示装置（ＰＤＰ：
プラズマディスプレイパネル）のいくつかの例を説明す
る。

【０００３】図１７は実用化されてはいないが、過去に
研究された狭窄放電を実験するための放電管の電極構造
を示す。この放電管の特徴は陽極２１及び陰極２２間の
放電空間に、微小な透孔即ち狭窄孔（narrow path hol
e）２４を設けた板即ち狭窄孔板２３が挿入されている
ことである。放電電流がこの狭窄孔２４を通過すると、
この孔２４の部分にイオン鞘（ion sheath）が発生して
部分的な強電界を生じるため、ここに強い発光が観測で
きることが判っており、これを狭窄放電（ristricted g
low discharge ）と称している。このため狭窄孔２４の
両側では電位差が生じ、言い換えれば等価的な電気抵抗
が生じる。なお、狭窄放電が起こるためには、狭窄孔２
４の開口面積が陽極２１及び陰極２２の有効面積より十
分に狭いことが条件である。

【０００４】ところで、放電管の特徴的な特性として、
負性抵抗を持つことと、放電開始後にはその電気抵抗が
著しく減少して定電圧特性を示すことが挙げられる。負
性抵抗を持つということは、その２値安定性を利用した
メモリー作用が期待されるということである。一方、放
電後の低抵抗性は、破壊にいたる過剰な放電電流を規制
するための抵抗体の挿入が必要であることを示唆してい
る。ＰＤＰにおいてメモリー型パネルと呼ばれるものに
はＡＣ型とＤＣ型があるが、いずれも動作上この抵抗体
は各画素ごとに設けることが必要である。ＡＣ型ＰＤＰ
では電極表面を絶縁層で被覆することで、各抵抗体毎に
容量性のインピーダンスを持たせることができる。又、
ＤＣ型ＰＤＰでも、各画素ごとに抵抗体を設ける試みが
なされたが、製造が困難なことから、現在では放電の立
ち上がり時の過渡的な高インピーダンス性を利用したパ
ルスメモリー型ＰＤＰが主流である。

【０００５】図１８は初期のパルスメモリー型ＰＤＰの
構造を示す。実際に製作された構造とは若干異なるが、
後述する本発明の新しいＰＤＰと比較し易くした構造と
なっている。２７は表示陽極、２８はスペーサ、２９は
第１のアドレス電極、３１ａは第１のアドレス電極２９
に穿設した貫通孔である。尚、スペーサ３０にも、貫通
孔３１ａに連通する貫通孔３１ｂが穿設されている。こ
の場合、背面ガラス板３３側のアドレス電極３２の放電
を、第１のアドレス電極（カソード）２９及びスペーサ
３０にそれぞれ設けた連通する貫通孔３１ａ，３１ｂを
通して前面側に引き出し、表示陽極２７に幅の短い放電
維持パルスを間断なく印加することで、メモリー作用を
持たせるようにしたものであるが、放電が完全に立ち上
がって空間が良導電性になる前の過渡状態を利用するこ
とで、各画素ごとに抵抗体があるのと等価な状態を作り
出している、と考えることができる。

【０００６】図１９は図１８のパルスメモリー型ＰＤＰ
を改善したＰＤＰである。この構造の特徴は、各画素ご
とに抵抗体が印刷により形成されていることである。こ
れは構造的に抵抗の挿入で不安定な誤放電による過剰な
電流を抑え、ガス圧を高くできるようにして、経時的な
放電の安定性を増したものである。３５は陰極、３６は
隔壁、３７はオーバーレイ（覆い）、３８は陽極母線、
３９は抵抗体、４０は表示陽極、４１は背面ガラス板で
ある。このＰＤＰはパルスメモリー動作で駆動するが、
この抵抗体３９を精度良く作ることができれば、パルス
メモリーでなくてもＤＣ型抵抗メモリー動作が可能であ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】さて、ＰＤＰの上述し
た既存の研究や従来装置によれば、いくつかの解決すべ
き課題がある。

【０００８】まず、図１７に挙げた狭窄放電による狭窄
孔２４に発生する強い発光を表示に利用できないかとい
う問題があるが、狭窄孔２４は微小であり、陰極２２は
それよりも大きな面積であることが条件であるから、も
ともと微小な画素を多数密集しなければならないＰＤＰ
においては、構造上の工夫が必要であり、狭窄放電を利
用したＰＤＰは未だ実現していない。

【０００９】又、図１８の構造のＰＤＰでパルスメモリ
ー動作を行う場合、表示陽極２７は常に多数の画素を並
列的に駆動するために、その駆動回路は無負荷でなけれ
ばならないから、過電流には十分に注意する必要があ
る。一方、ＰＤＰでは、カソードの寿命を決定する要因
としてイオン衝撃によるスパッタリングが大きな問題で
あるが、ガス圧を高くするとスパッタリングが減少し長
寿命化に寄与する。しかし、ガス圧をあげると、放電時
のインピーダンスが低くなり、電流が増大するので不慮
の過電流も増大する。このため図１８の構造のパネルで
は経時変化が大きな問題であった。

【００１０】そこで図１９のＰＤＰの説明で述べたよう
に、画素ごとに抵抗体３９を内蔵する改良型のパルスメ
モリーＰＤＰが提案された。しかし、かかるパルスメモ
リーＰＤＰには、製造上の問題がある。即ち、抵抗体３
９は量産性の観点から一般的に厚膜印刷法で形成する
が、この方法では精度の高い抵抗値のものを得ることが
難しく、抵抗値のばらつきが輝度のばらつきにつなが
り、表示品位を低くする。このＰＤＰで抵抗体を使って
メモリー表示をしようとすれば、輝度のばらつきが一層
問題になり、実用的ではない。

【００１１】かかる点に鑑み、本発明は、各画素毎の放
電電流を制限するための放電安定抵抗を容易に実現する
ことができ、表示陽極は全画素に共通な構造の簡単なも
ので済み、蛍光体層の塗布面積を広くとることができ、
蛍光体層の輝度と発光効率を改善することができ、しか
も、過剰電流による電極劣化をなくし、長寿命化を達成
することのできる直流型抵抗メモリー方式の放電表示装
置を提案しようとするものであ。

【００１２】

【課題を解決するための手段】第１の本発明は、隔壁を
介して互いに交叉するごとく近接して配されたそれぞれ
複数の第１及び第２のアドレス電極と、放電空間に挿入
された、荷電粒子を複数の微小な狭窄孔を通過させるこ
とによって、放電電流を制限するようにした絶縁体又は
金属板からなる狭窄孔板と、内壁に蛍光体を塗布したス
ペーサと、全画素に共通な表示陽極とを有し、複数の第
１及び第２のアドレス電極、狭窄孔板、スペーサ並びに
表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に
封入されてなることを特徴とする放電表示装置である。

【００１３】かかる第１の本発明によれば、それぞれ複
数の第１及び第２のアドレス電極の内の選択された第１
及び第２のアドレス電極間にアドレスパルスを印加する
ことによってアドレス放電が行われ、そのアドレス放電
により発生した電子が表示陽極の正電圧によって引っ張
られるので、その電子が狭窄孔板の狭窄孔を通じて表示
陽極側に拡散し、これによって、表示陽極と第１及び第
２のアドレス電極のカソードとなる電極との間に新たな
放電、即ち、表示放電を誘起し、そこに生ずる陽光柱か
らの紫外線でスペーサの内壁面の蛍光体を刺激して発光
させる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
の各実施の形態を説明する。

【００１５】〔実施の形態１〕（図１、図２及び図３） まず、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図１及び
図２を参照して、実施の形態１を説明する。この放電表
示装置は、前面ガラス板１５及び背面ガラス板１４の周
辺がフリットガラスによって封止された管体内に、下記
の構造体が収納されると共に、管体内を真空にした後ヘ
リウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又はこれらの混
合気体等の放電用気体（ガス）を２００ｔｏｒｒ〜４０
０ｔｏｒｒの圧力で封入されて構成されたＰＤＰであ
る。

【００１６】背面ガラス板１４上に、一定間隔を置いて
平行に配されたストライプ状の複数の第２のアドレス電
極１０を被着形成する。かかる電極はスクリーン印刷法
等の厚膜技術、フォトプロセス等の薄膜技術で容易に形
成できるが、リボン状の金属板を背面ガラス板１４上に
貼布するようにしても良い。この第２のアドレス電極１
０上に積層して、第３のスペーサ７を、同じくスクリー
ン印刷法等の厚膜技術によって形成するか、あるいは絶
縁体の板を積層して形成する。第１のアドレス電極９は
前述の第２のアドレス電極１０と略直交するごとく第３
のスペーサ７の上に、これも第１のアドレス電極１０と
同様な方法で形成する。又、第１のアドレス電極９と第
２のアドレス電極１０との交叉する位置には、第１のア
ドレス電極９及び第３のスペーサ７それぞれに互いに連
通する貫通孔８ａ，８ｂが設けられている。かくして、
それぞれ複数の第１のアドレス電極９及び第２のアドレ
ス電極１０が貫通孔８ａ，８ｂを介してＸＹマトリクス
状に配される。

【００１７】第３のスペーサ７の厚さは、ガス圧、ガス
組成、画素ピッチ等を考慮して最適に設定するが、一般
には１００μｍ〜２００μｍ程度である。又貫通孔８
ａ，８ｂは第１のアドレス電極９及びスペーサ７の形成
方法によっては、第１のアドレス電極９の部分とスペー
サ７の部分とで貫通孔８ａ，８ｂの径が異なる場合もあ
る。

【００１８】第１のアドレス電極９上に積層する如く、
狭窄孔板４が第２のスペーサ６を介して配される。第２
のスペーサ６の厚さは、第１のアドレス電極９と狭窄孔
板４との間に負グローが安定的に存在できる空間を確保
し、第１のアドレス電極９がカソードとして十分有効な
面積を確保できるようにするもので、第２のスペーサ６
の厚さは、例えば約５０μｍ〜１００μｍ程度である。
この第２のスペーサ６も、第３のスペーサ７と同様な方
法で形成される。

【００１９】第１のアドレス電極９の厚さが十分にあっ
て、負グローを第２のアドレス電極９の貫通孔８ａの内
壁面に発生させることができるならば、この貫通孔８ａ
の直径を最適化することで、ホロー効果により高効率な
カソードを形成できる。この最適な直径はガス圧、ガス
組成等で異なるが、通常負グローの厚さの約２倍つまり
５０μｍ〜１００μｍ程度である。尚、第２のスペーサ
６を省略出来る場合もある。

【００２０】狭窄孔板４はステンレス、アルミニウム、
ニッケル等の金属板、又はこれらの金属板をガラス等の
絶縁物で被覆した板、あるいはガラス、セラミック等の
薄板で形成される。狭窄孔板４に微小な透孔、即ち、狭
窄孔５を穿設する。この狭窄孔５は画素ごとに１つずつ
設けられ、その開口面積は第１のアドレス電極９の有効
面積つまり負グローの拡がり面積よりも十分に小さいこ
とが必要で、例えば第１のアドレス電極９の有効面積の
約１０分の１程度である。

【００２１】表示陽極１は前面ガラス板１５に最も近接
して配された、全画素に共通な電極で、前面ガラス１５
上に、例えば、酸化錫又は酸化インジュウム錫等の透明
な導電性薄膜、又は、多数の開口部を持つメッシュ状の
金属板を形成する。又、この表示陽極１はスクリーン印
刷等の厚膜技術でも容易に形成できる。

【００２２】表示陽極１は第１のスペーサ２によって狭
窄孔板４と隔てられている。第１のスペーサ２の厚さ
は、ここに陽光柱が安定に存在するに十分な空間が確保
されるような値、例えば約１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度に設
定する。この厚さは、管体内に封入されるガスの圧力、
組成等で異なる。この表示陽極１は、エッチング又は打
ち抜きで成形した金属板をガラス等の絶縁層で被覆した
もの、あるいは薄いガラス板やセラミック板等を積層し
て形成できるが、これに厚膜印刷等を組み合わせても形
成できる。

【００２３】第１のスペーサ２の壁面及び狭窄孔板４の
表示陽極１側には蛍光体層３が形成されている。この蛍
光体層３は、スプレー法、沈澱法、あるいは印刷法等に
よって容易に形成できる。この蛍光体層３は、単色蛍光
体又は水平あるいは／及び垂直方向の各画素ごとに順次
繰り返し配された赤、緑及び青蛍光体からなる。

【００２４】次にこの実施の形態１の放電表示装置の動
作を図３により説明する。複数の第１及び第２のアドレ
ス電極９及び１０のうち、画像信号に応じて選択された
第１及び第２のアドレス電極９と１０の間の放電のＯＮ
／ＯＦＦに十分な直流電圧、例えば図３のＡでＯＮ電位
＋１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖ、又、ＢではＯＮ電位−１
００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖを、それぞれ第２及び第１のア
ドレス電極１０、９に印加すれば、選択されて共にＯＮ
電圧の印加された第２及び第１のアドレス電極１０、９
の交差点にある放電した画素の貫通孔８ａ，８ｂの放電
空間は、イオン、電子又は準安定原子で満たされること
になる。このとき表示陽極１には、図３のＣに示すよう
に、放電期間において第１のアドレス電極９との間の放
電を維持するに十分なだけの電位で、なおかつ高すぎな
い直流電位、例えば＋１００ｖを印加しておく。なお、
表示陽極１と第１のアドレス電極９間の放電開始電圧
は、その間の距離が長いことと、狭窄孔板４の存在のた
め、第１及び第２のアドレス電極９及び１０の間の放電
開始電圧よりはかなり高くなるので、表示陽極１の電位
を第２のアドレス電極１０のＯＮ電位と同じ＋１００ｖ
に設定しても、アドレス放電が起きない場合にはこの表
示放電は起きない。

【００２５】こうして画素が選択されてアドレス放電が
起きると、表示陽極１と第１のアドレス電極９との間の
放電開始電圧は放電維持電圧に近い電圧まで低下し、こ
こに表示放電が起きる。表示放電は陽光柱を伴うので蛍
光体３を光らせるに十分な紫外線が効率よく得られる。

【００２６】実施の形態１の放電表示装置は、図３に示
すように線順次駆動で動作させるが、実施の形態１の放
電表示装置は、各画素に狭窄孔板４の狭窄孔５による抵
抗体が挿入されているのと等価であるから、一旦第２の
アドレス電極１０の電圧が停止しても表示放電は、第１
のアドレス電極９に消去電圧が印加されるまで持続する
ので、この放電表示装置はＤＣ型抵抗メモリー動作とも
言うべきメモリー機能を有することが分かる。

【００２７】複数の第１のアドレス電極９及び複数の第
２のアドレス電極１０は画素を選択するためのＸＹマト
リクス電極を構成しており、両電極にアドレスパルス
（パルス状のＯＮ電圧）を印加することにより、第３の
スペーサ７の貫通孔８ｂを通してアドレス放電が起き
る。このとき生じた電子が表示陽極１に加えられたプラ
ス電位によって引っ張られて、狭窄孔５を通って第１の
スペーサ２で仕切られた空間に拡散し、これによるプラ
イミング効果によって、表示陽極１と第１のアドレス電
極９との間に表示放電が誘引される。このとき第１のア
ドレス電極９は表示陰極としても動作することになる。
この場合、表示陽極１と第１のアドレス電極９の間の電
圧は、アドレス放電がない場合の放電開始電圧よりは低
く、又放電維持電圧よりは高く設定する。こうすること
により、アドレス放電が有る場合には表示陽極１と第１
のアドレス電極９との間の放電が起こり、そこから発す
る紫外線で蛍光体３が光り表示発光を行うが、アドレス
放電がない場合には、表示放電が起こらないでので、蛍
光体３の表示発光は起きない。

【００２８】この場合の狭窄孔５の役割は、その開口部
の面積を表示陽極１及び第１のアドレス電極９の有効表
示面積よりも十分に小さくしておくことにより、荷電粒
子の流れ、つまり、放電電流がここで急速に絞られる。
又同時に、ここにはイオンが滞留しイオン鞘と呼ばれる
空間電荷層ができる。つまりこの狭窄孔５の両側で大き
な電位差が生じ、放電空間に電気抵抗が挿入されたこと
と等価になり、各画素が独立した放電安定化抵抗を持つ
ことができる。従って、表示陽極１が全画素に共通な電
極で同じ電位であっても、各画素は独立した放電を行う
ことができる。勿論狭窄孔板４が無ければ、表示陽極１
と第１のアドレス電極９との間で無負荷の放電がおきる
場合があり、過剰電流のため放電表示装置の破壊に至る
場合がある。狭窄孔４の作用により図１の構造の放電表
示装置は、通常の線順次駆動によりいわゆるリフレッシ
ュ型ＤＣ型ＰＤＰとして安定に動作するが、表示放電は
アドレスパルスが停止しても狭窄孔５の電圧降下のため
に、表示陽極１と第１のアドレス電極９との間で独立し
て持続できる。従って、この放電表示装置は、いわばＤ
Ｃ型抵抗メモリーとも言うべきメモリー動作も可能であ
る。

【００２９】〔実施の形態２〕（図４、図５及び図６） 次に、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図４及び
図５を参照して、実施の形態２を説明する。実施の形態
１の放電表示装置が構造上はメモリー機能を有していな
いのに対し、この実施の形態２の放電表示装置は構造上
メモリー機能を有する。即ち、この放電表示装置は、一
旦壁電荷を形成して情報を保持し、これをトリガーとし
てアドレス部とは別の放電空間に新たな表示放電を誘起
する構造になっている。図４及び図５において、ＸＹマ
トリクス電極を構成するアドレス部、つまり第１及び第
２のアドレス電極９及び１０と第３のスペーサ７の構造
は実施の形態１と同じであり、又狭窄孔板４、表示陽極
１、第１のスペーサ２及び蛍光体３との構造的関係も実
施の形態１と同じであるから、これらの説明は省略す
る。

【００３０】実施の形態２の放電表示装置において、実
施の形態１と相違するところは、全画素に共通なトリガ
ーシート（メモリー板電極）１２と、同じく全画素に共
通な表示陰極１１とを、狭窄孔板４とアドレス部（第１
及び第２のアドレス電極９、１０から構成される）の間
に設置したことにある。

【００３１】トリガーシート１２はステンレス、アルミ
ニウム、ニッケル等の金属又は合金の板１２ａにエッチ
ング又は機械加工等で貫通孔を穿け、これをガラス等の
絶縁物１２ｂで貫通孔を含めた全表面を被覆したもので
ある。ガラス等の被覆の方法は、厚膜印刷や電着法によ
って容易に形成できるが、アルミニウム等の金属板を酸
化させて表面に絶縁膜を形成したものでもよい。トリガ
ーシート１２の厚さは貫通孔の内壁面に十分な壁電荷が
形成されるようにするため、約１００μｍ〜２００μｍ
が適当である。又、その絶縁層１２ｂの厚さは壁電荷を
蓄えるに十分な静電容量を持たせるために１０μｍ〜２
０μｍに設定される。

【００３２】表示陰極１１はトリガーシート１２の金属
板と同様に貫通孔が穿けられた金属板で形成されるが、
絶縁層で被覆されないいわゆる直流型電極である。又こ
の金属板の表面を二次電子放射率の高い材料、例えば六
ホウ化ランタン等で被覆してもよい。又、この表示陰極
１１は、実施の形態１におけるカソードとしての第１の
アドレス電極９の説明のところで既述したように、貫通
孔の径と板厚を最適化することで、ホロー効果を持つよ
うに形成することも可能である。第２のスペーサ６は表
示陰極１１に負グローが安定して生ずる空間を確保する
ためのものであるから、表示陰極１１の構造により高さ
が設定され、あるいは省略することもできる。

【００３３】第１のアドレス電極９、トリガーシート１
２及び表示陰極１１の各貫通孔と、狭窄孔板４の各狭窄
孔５とが連通した空間を形成するように、各電極、電極
板及びスペーサが順次積層されて一体となって、放電管
の管体内に封入され。

【００３４】次に、この実施の形態２の放電表示装置の
動作を図６により説明する。まず、図６のリセット期間
においては、トリガーシート１２に、全画素がいっせい
に放電するような高い電圧、例えば２００ｖ程度を有
し、短い幅、例えば、数μｓｅｃの幅の正極性パルスを
印加して、トリガーシート１２と表示陰極１１との間に
リセット放電を起こさせ、全ての画素の壁電荷を一旦消
去させる。これは自己消去法と呼ばれる方法で、自己の
放電で発生した空間電荷により新たな壁電荷が形成され
る時間を与えずにパルスの印加を停止することで、壁電
荷を消去するものである。

【００３５】このような初期状態からアドレス動作を開
始する。ここでも実施の形態１と同様に、複数の第１及
び第２のアドレス電極９及び１０のうち、画像信号に応
じて選択された第１及び第２のアドレス電極９と１０の
間の放電のＯＮ／ＯＦＦに十分な直流電圧、例えば、図
６のＡでＯＮ電位＋１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖ、又Ｂで
はＯＮ電位−１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖ、を印加すれ
ば、選択されて共にＯＮ電圧の印加された第２及び第１
のアドレス電極１０、９の交差点にある放電した画素の
貫通孔８ａ，８ｂの放電空間はイオン、電子又は準安定
原子で満たされる。このとき、図６のＥのようにアドレ
ス期間のトリガーシート１２の電位を低い電圧例えば−
１００ｖに保持しておくと、アドレス放電の起こった画
素におけるトリガーシート１２の絶縁層１２ｂの表面に
正の壁電荷が蓄積される。

【００３６】因みに、選択されない画素では、第１のア
ドレス電極９の電位はＯＦＦ電位の０ｖになっているの
で、トリガーシート１２の電位が−１００ｖであって
も、第１のアドレス電極９の電位０ｖによって、第１の
アドレス電極９と第２のアドレス電極１０との間の電界
が弱められ、放電は起きない。こうしてアドレス期間に
画像情報に応じて画面全体に正の壁電荷の分布が生じ
る。

【００３７】次に、トリガ期間において、トリガーシー
ト１２の電位を例えば＋５０ｖにすると同時に、図６の
Ｄに示すように表示陰極１１の電位を−１００ｖにす
る。こうすると正の壁電荷のある画素では、トリガーシ
ート１２に＋５０ｖに重畳して高い電圧が現われるので
トリガー放電が起こり、壁電荷のないところには放電は
起きない。こうして選択された画素にトリガー放電が起
きると、表示陽極１と表示陰極１１との間の放電開始電
圧が、放電維持電圧に近い電圧まで低下し、ここに表示
放電が起きる。表示放電は陽光柱を伴うので蛍光体層３
を光らせるのに十分な紫外線が効率よく発生する。勿
論、選択されない画素つまりアドレス放電のない画素で
は、表示陽極１と表示陰極１１の間の放電が起きない。

【００３８】表示放電は、狭窄孔５によって電位降下さ
れるので、この狭窄孔５は各画素ごとにインピーダンス
が挿入されたのと等価になるから、表示陽極１と表示陰
極１１の間に、少なくとも放電維持電圧以上の直流電圧
が維持される間は、メモリー放電が持続する。つまり、
図４及び図５の構造の放電表示装置は、図１及び図２の
放電表示装置と同様にＤＣ型抵抗メモリー機能を有す
る。勿論、表示陽極１に直流電圧を印加する代わりに、
正極性の短い幅のパルスを継続的に印加することで、パ
ルスメモリーを行うことができるのは、従来の方法と同
じである。

【００３９】実施の形態２は、実施の形態１の構造のパ
ネルに一時的に壁電荷を蓄える構造的なメモリー機能を
付加したものである。但し、この壁電荷はメモリー動作
に移行するための、いわばトリガーとして作用するの
で、そのメモリー動作は図１及び図２の放電表示装置と
同様なＤＣ型抵抗メモリー動作である。

【００４０】図６に示すように、リセット期間におい
て、トリガーシート１２に短い幅で、高電圧の正極性パ
ルスを印加して、トリガーシート１２と表示陰極１１と
の間にリセット放電を起こし、全ての画素の壁電荷を一
旦消去する。しかる後に、第１のアドレス電極９及び第
２のアドレス電極１０により、線順次方式で画素をアド
レスすることによって、画像に応じてアドレス放電を起
こさせる。このときトリガーシート１２の電位をアドレ
ス放電の放電維持電位より低くしておくと、トリガーシ
ート１２の貫通孔の内壁面及び貫通孔の近傍の絶縁層に
正の電荷が壁電荷として蓄積される。このようにして線
順次方式による書き込み動作を全画素にわたり行うと、
各画素には画像に応じた壁電荷の分布が現れる。この状
態で次のメモリー期間に入る。

【００４１】さて、上述の壁電荷がある画素とない画素
の分布が存在する状態で、トリガーシート１２の電位を
上げると、正の壁電荷がある場所は無い場所よりも高い
電圧を生ずるために、正の壁電荷のあるところ、即ちア
ドレス放電が起こったところのみで、この壁電荷と表示
陰極１１の間に放電が起きる。この放電は放電後直ちに
壁電荷を失って停止するが、この放電により表示陰極１
１と表示陽極１との間の放電を誘起する。言い換えれ
ば、トリガーシート１２及び表示陰極１１間の放電がト
リガー放電となって、表示陰極１と表示陰極１１がとも
に全画素共通の板状電極にも拘らず、画像に応じた表示
放電が起きる。この表示放電はアドレスパルスが停止し
ても、狭窄孔５による放電の電圧降下のために独立して
持続できる。つまりＤＣ型抵抗メモリー動作を行う。
又、この表示放電は、表示陽極１又は表示陰極１１に表
示中の印加電圧と逆極性の電圧を印加することで一斉に
停止する。

【００４２】〔実施の形態３〕（図７、図８及び図９） 次に、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図７及び
図８を参照して、実施の形態３を説明する。この放電表
示装置は実施の形態２がトリガーシート１２に壁電荷を
一時蓄積する構造であったのに対し、実施の形態３の放
電表示装置はトリガーシート１２を省略するかわりに、
第１のアドレス電極９の表面を絶縁層１３で被覆したい
わゆるＡＣ型電極とすることで、トリガーシートの作用
を兼用し、第１のアドレス電極９に壁電荷を一時的に蓄
積するようにしたものである。

【００４３】又、実施の形態３において表示陰極１１、
第２のスペーサ６、狭窄孔板４、蛍光体３、第１のスペ
ーサ２及び表示陽極１の構造的関係は実施の形態２と同
一であるから、ここでの説明は省略する。

【００４４】図７及び図８に示される第１のアドレス電
極９の表面を被覆する絶縁層１３は、スクリーン印刷
法、電着法又は蒸着法等により１０μｍ〜２０μｍのガ
ラス等の材料を用いて形成される。図７及び図８では第
１のアドレス電極９のみを絶縁層１３で被覆したもので
あるが、アドレス放電による壁電荷を一時的に蓄えるこ
とが目的であるから、第２のアドレス電極１０又は、第
１のアドレス電極９及び第２のアドレス電極１０の両方
を絶縁層で被覆した構造も可能である。

【００４５】そこで図７及び図８に示される実施の形態
３の放電表示装置の動作を図９により説明する。まず、
図９のリセット期間においては、第１のアドレス電極９
に全画素がいっせいに放電するような高い電圧、例えば
２００ｖ程度の正極性パルスを印加して、第１のアドレ
ス電極９と表示陰極１１との間にリセット放電を起こ
し、第１のアドレス電極９の絶縁層１３の表面に負の電
荷を壁電荷として蓄積する。この場合のリセットパルス
は、実施の形態２のリセットパルスより幅を広くするこ
とで壁電荷を形成している。

【００４６】次にこのような初期状態からアドレス動作
を開始する。実施の形態１又は実施の形態２と同様に、
複数の第１及び第２のアドレス電極９及び１０のうち、
画像信号に応じて選択された第１及び第２のアドレス電
極９と１０の間の放電のＯＮ／ＯＦＦに十分な直流電
圧、例えば図９のＡでＯＮ電位＋１００ｖ、ＯＦＦ電位
０ｖ、又ＢではＯＮ電位−１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖを
印加すれば、選択されて放電した画素の貫通孔８ａ，８
ｂの放電空間はイオン、電子又は準安定原子で満たされ
る。このとき、全ての画素の第１のアドレス電極９の絶
縁層上には負の壁電荷が存在するので、第１のアドレス
電極９と第２のアドレス電極１０との間の電圧は一層高
くなり確実なアドレス放電が起きる。

【００４７】こうしてアドレス放電が起きた画素では、
第１のアドレス電極９の絶縁層上の負の壁電荷は消去さ
れて直ちに正の壁電荷が形成され、アドレス放電が起き
なかった画素ではそのままの状態、つまり負の壁電荷が
残る。

【００４８】この状態で次のトリガー期間において、第
１のアドレス電極９に正のトリガーパルスを印加する。
この電圧は先のリセットパルスよりも低い電圧、例えば
１００ｖでよい。前述のごとくアドレス放電による正の
壁電荷の存在する電極では、この電圧に壁電荷の電圧が
重畳されるので、ここだけにトリガー放電が起こる。

【００４９】こうして選択された画素にトリガー放電が
起きると、表示陽極１と表示陰極１１との間の放電開始
電圧は放電維持電圧に近い電圧まで低下し、ここに表示
放電が起きる。表示放電は陽光柱を伴うので、蛍光体３
を光らせるに十分な紫外線を効率よく発生する。勿論、
選択されない画素つまりアドレス放電のない画素では表
示陽極１と表示陰極１１の間の放電は起きない。

【００５０】表示放電は、狭窄孔５によって電位降下さ
れるので、この狭窄孔５は各画素ごとにインピーダンス
が挿入されたのと等価になるから、表示陽極１と表示陰
極１１の間に少なくとも放電維持電圧以上の直流電圧を
維持する間はメモリー放電が継続する。つまり、図７及
び図８の放電表示装置も図１及び図２のＰＤＰと同様に
ＤＣ型抵抗メモリー機能を有する。勿論、この場合、表
示陽極１の直流電圧の代わりに正極性の短い幅のパルス
を継続的に印加することでパルスメモリー動作を行わせ
ることができるのは従来の方法と同じである。

【００５１】図４及び図５の放電表示装置と、図７及び
図８の放電表示装置との構造上の差異は、第１のアドレ
ス電極９の表面を貫通孔８ａ内をも含めて絶縁層１３で
被覆し、ここに壁電荷を一時的に蓄積することで図４及
び図５のトリガーシート１２を省略した点にある。

【００５２】まず図９のリセット期間においては、第１
のアドレス電極９に一斉に正極性のリセットパルスを印
加する。この時のパルス幅を図６の場合よりも広くする
と、第１のアドレス電極９の各画素の絶縁層上には負の
壁電荷が蓄積される。

【００５３】次に、通常の線順次駆動のごとく、第１の
アドレス電極９には負極性の走査パルスを、第２のアド
レス電極１０には正の画像信号を印加してアドレス動作
を行う。こうして第１のアドレス電極９の放電の起きた
ところには、正の壁電荷が蓄積され、放電の起きなかっ
たところには負の壁電荷がそのまま残る。

【００５４】さて、上述のごとく正負の壁電荷が分布し
た状態で、トリガーシート１２の電位を上げると、正の
壁電荷がある場所は無い場所よりも高い電圧を生ずるた
めに、正の壁電荷のあるところ、即ちアドレス放電が起
こったところのみで、この壁電荷と表示陰極１１との間
に放電が起きる。この放電は放電後直ちに壁電荷を失っ
て停止するが、この放電により表示陰極１１と表示陽極
１との間の放電を誘起する。言い換えればアドレス電極
９と表示陰極１１間の放電がトリガー放電となって、表
示陽極１と表示陰極１１が共に全画素共通な板状電極に
も関わらず画像に応じた表示放電が起きる。この表示放
電はアドレスパルスが停止しても狭窄孔５による電圧降
下のために独立して持続できる。つまりＤＣ型抵抗メモ
リー動作を行う。

【００５５】又、この表示放電は、表示陽極１又は表示
陰極１１に表示中の印加電圧と逆極性の電圧を印加する
ことで一斉に停止する。

【００５６】〔実施の形態４〕（図１０、図１１及び図
１３） 次に、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図１０及
び図１１を参照して、実施の形態４を説明する。この放
電表示装置は、図１及び図２で説明した実施の形態１の
放電表示装置における狭窄孔板４の代わりに、狭窄孔付
きメモリー板電極１６を設けて、上述の実施の形態１の
狭窄孔板４にメモリー機能を付加したものである。その
他の構成は、実施の形態１と同様であるので、図１０及
び図１２において、図１及び図２と対応する部分には同
一符号を付して重複説明を省略する。

【００５７】狭窄孔付きメモリー板電極１６は、図４及
び図５で説明した実施の形態２に設けられているトリガ
ーシート１２と同様の構造を有し、ステンレス、アルミ
ニウム、ニッケル等の金属又は合金の板、即ち金属板１
６ａにエッチング又は機械加工等で貫通孔を穿け、これ
をガラス等の絶縁層１６ｂで、貫通孔を含めた全表面を
被覆したものである。５は、その貫通孔が絶縁層１６ｂ
で被覆された狭窄孔である。この狭窄孔５は画素ごとに
１つずつ設けられ、その開口面積は第１のアドレス電極
９の有効面積つまり負グローの拡がり面積よりも十分に
小さいことが必要で、例えば第１のアドレス電極９の有
効面積の約１０分の１程度である。ガラス等の絶縁層１
６ｂの金属板１６ａへの被覆の方法は、厚膜印刷法や電
着法によって容易に形成できるが、アルミニウム等の金
属板を酸化させて表面に絶縁膜を形成したものでもよ
い。金属板１６ａの厚さは、貫通孔５の内壁面に十分な
壁電荷が形成されるようにするため、約１００μｍ〜２
００μｍが適当である。又、絶縁層１６ｂの厚さは、壁
電荷を蓄えるに十分な静電容量を持たせるために１０μ
ｍ〜２０μｍに設定される。

【００５８】次に、この実施の形態４の放電表示装置の
動作を図１２により説明する。狭窄孔付きメモリー板電
極１６は、図４及び図５で説明した実施の形態２に設け
られているトリガーシート１２と同様の動作によって、
画像に応じたアドレス放電の期間中に発生する空間電荷
を、一旦、絶縁層１６ｂの表面上に壁電荷として蓄積す
る。しかる後、メモリー表示期間において、狭窄孔付き
メモリー板電極１６に継続的に印加するサステインパル
スによりメモリー放電を行わせる。

【００５９】アドレス放電からメモリー放電のための壁
電荷を形成する過程の説明は、図４及び図５で説明した
実施の形態２に設けられているトリガーシート１２に関
する動作説明を援用して、重複説明は省略する。

【００６０】そこで、仮に、アドレス動作によって、狭
窄孔付きメモリー板電極１６の絶縁層１６ｂの表面に蓄
積した壁電荷による壁電圧が＋５０Ｖであったとする
と、この電極１６に、正極性の、例えば、＋１５０Ｖ程
度のパルスを印加すると、カソードとして動作する第１
のアドレス電極９のオフ電位を０Ｖとすれば、上述のパ
ルスの立ち上がり時には、アドレス電極９と狭窄孔付き
メモリー板電極１６との間に２００Ｖの電位差が生じ、
アドレス電極９及び狭窄孔付きメモリー板電極１６間
に、メモリー放電が起きる。このとき、表示陽極１に、
適当な電圧、例えば、＋１５０Ｖ程度の一定電圧を与え
ておけば、上述の放電に誘起されて、表示陽極１と第１
のアドレス電極９との間に表示放電が起きる。

【００６１】メモリー放電は、所謂、半交流的放電であ
るから、新たな壁電荷（マイナス電荷）の形成により、
上述のメモリー放電は停止する。このとき、狭窄孔付き
メモリー板電極１６の狭窄孔５の周辺では、マイナスの
壁電荷の形成に伴って表示陽極１側には、プラスの空間
電荷層ができ、二重鞘（Double Seath) が形成される。
表示陽極１の電位が十分に高く、又、狭窄孔５の径が適
度に大きい場合には、実施の形態２及び３のように、こ
の二重鞘を越えて放電が継続するが、実施の形態４のよ
うに、表示陽極１の電位が低く、又、狭窄孔５の径が小
さい場合には、この二重鞘の形成によって、表示放電は
停止する。

【００６２】さて、上述のように、二重鞘の形成によっ
て、メモリー放電及び表示放電が停止するが、狭窄孔付
きメモリー板電極１６に印加した正極性のパルスの立ち
下がり時に、狭窄孔付きメモリー板電極１６の狭窄孔５
の周辺の電位が低下して、狭窄孔付きメモリー板電極１
６と表示陽極１との間の電位差が再び大きくなるので、
メモリー放電及び表示放電が再開される。しかし、この
メモリー放電によって、今度は、狭窄孔付きメモリー板
電極１６の絶縁層１６ｂ上のマイナスの壁電荷が消滅
し、狭窄孔５にはプラスの壁電荷が再び形成され、即
ち、メモリー放電の初期の状態に再度復帰したことにな
るので、狭窄孔付きメモリー板電極１６に上述した正極
性パルスを継続的に印加すれば、メモリー放電を持続さ
せることができ、その間表示放電も維持される。

【００６３】〔実施の形態５〕（図１３、図１４及び図
１５） 次に、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図１３及
び図１４を参照して、実施の形態５を説明する。この放
電表示装置は、図４及び図５で説明した実施の形態２の
放電表示装置における狭窄孔板４の代わりに、図１０及
び図１１を用いた実施の形態４で説明したのと同様の狭
窄孔付きメモリー板電極１６を設けて、上述の実施の形
態２の狭窄孔板４にメモリー機能を付加したものであ
る。その他の構成は、実施の形態２と同様であるので、
図１３及び図１４において、図４及び図５と対応する部
分には同一符号を付して重複説明を省略する。

【００６４】次に、この実施の形態４の放電表示装置の
動作を図１５により説明する。尚、アドレス放電からメ
モリー放電のための壁電荷を形成する過程の説明は、図
４及び図５で説明した実施の形態２に設けられているト
リガーシート１２に関する動作説明を援用して、重複説
明は省略する。

【００６５】上述の実施の形態４の動作説明と同様に、
仮に、アドレス動作によって、狭窄孔付きメモリー板電
極１６の絶縁層１６ｂの表面に蓄積した壁電荷の壁電圧
が＋５０Ｖであったとすると、この電極１６に、正極性
の、例えば、＋１５０Ｖ程度のパルスを印加すると、カ
ソードとして動作する第１のアドレス電極９のオフ電位
を０Ｖとすれば、上述のパルスの立ち上がり時には、ア
ドレス電極９と狭窄孔付きメモリー板電極１６との間に
２００Ｖの電位差が生じ、トリガーシート１２と、狭窄
孔付きメモリー板電極１６及び表示陰極１１との間で、
放電が起きる。この放電が直ちに停止するが、狭窄孔付
きメモリー板電極１６の絶縁層１６ｂ上には、プラスの
壁電荷ができる。言い換えれば、アドレス放電によっ
て、形成されたトリガーシート１２上のプラスの壁電荷
が、狭窄孔付きメモリー板電極１６に移ったことにな
る。尚、この後の表示放電とメモリー放電との関係は、
実施の形態４の場合と同様であるので、重複説明は省略
する。

【００６６】尚、図７及び図８で説明した実施の形態の
３の放電表示装置における狭窄孔板４の代わりに、図１
３及び図１４を用いて説明した実施の形態５と同様の狭
窄孔付きメモリー板電極１６を設けて、上述の実施の形
態３の狭窄孔板４にメモリー機能を付加することもでき
る。この場合の放電表示装置の動作は、実施の形態５の
動作と同様であるので、その重複説明は省略する。

【００６７】〔実施の形態６〕（図１６） 次に、放電表示装置の断面図及び回路を示す図１６を参
照して、実施の形態６を説明する。この放電表示装置
は、図１３及び図１４で説明した実施の形態５と同じ構
造の放電表示装置に、後述の構成を付加したものである
ので、図１６では、前面ガラス板１５、表示陽極１、第
１のスペーサ２、蛍光体層３、第２のスペーサ６及び狭
窄孔付きメモリー板電極１６のみを図示し、その他は図
示を省略している。

【００６８】この実施の形態６は、狭窄孔付きメモリー
板電極１６が、表示陽極１と、表示陰極１１との間に設
けられ、しかも、これらの各電極が金属板及び表面が絶
縁層で被覆された金属板を積層した構造となっているた
め、各電極板間に比較的大きな静電容量を有することに
よる問題点を解決したものである。

【００６９】実施の形態４及び５のところで説明したよ
うに、メモリー放電による表示期間では、表示陰極１１
電位を０Ｖにし、且つ、表示陽極１にはメモリー放電か
ら表示放電を引き出すのに十分なプラスの電位を与え、
この状態で狭窄孔付きメモリー板電極１６に継続的な正
極性のパルスを印加して表示放電を行う。

【００７０】さて、表示陽極１と狭窄孔付きメモリー板
電極１６との間には、第１の静電容量（容量値をＣ１と
する）１９が、又、表示陰極１１と狭窄孔付きメモリー
板電極１６との間には第２の静電容量（容量値をＣ２と
する）２０が存在する。そして、表示陽極１及び狭窄孔
付きメモリー板電極１６は、それぞれ１枚の板状電極で
あり、しかもこれらの電極１、１６は、第１のスペーサ
２を介して、例えば、１mm程度の間隔を以て、互いに平
行に配されており、第１の静電容量１９の容量値は、無
視できない程度に大きなものとなる。この第１の静電容
量１９の容量値Ｃ１は、第１のスペーサ２の材質、高さ
及び幅や、狭窄孔付きメモリー板電極１６の絶縁層１６
ｂの材質及び厚さ等に依存するが、２０cm角のＰＤＰの
場合を例にとれば、大凡５０００ｐＦ以上にもなる。

【００７１】一方、表示陰極１１及び狭窄孔付きメモリ
ー板電極１６は、第１のスペーサ２より厚さの小さい第
２のスペーサ６を介して、互いに平行に配されているの
で、第２の静電容量２０の容量値Ｃ２は、第１の静電容
量１９の容量値Ｃ１より大きなものとなる。

【００７２】このように、狭窄孔付きメモリー板電極１
６と、その両側に対向する表示陽極１及び表示陰極１１
との間に、上述したように、大きな容量値Ｃ１、Ｃ２の
静電容量１９、２０が存在するので、この狭窄孔付きメ
モリー板電極１６に上述のパルス電圧を印加すると、両
静電容量１９、２０に電気エネルギーが蓄積され、これ
に基づいて、表示に必要なガス放電とは無関係な充放電
電流が両電極１、１１及びこれらに接続された回路（図
示せず）に流れ、大きな電力損失を招来する。

【００７３】そこで、この実施の形態６では、逆流防止
手段としての第１のダイオード（Ｄ１）１７のカソード
を表示陽極１に接続し、そのアノードに直流電源２１に
よって、表示陽極１に印加すべき所定駆動電位（正の電
位）を印加する。尚、電源２１の負側は接地されてい
る。又、逆流防止手段としての第２のダイオード（Ｄ
２）１８のアノードを表示陰極１１に接続し、そのカソ
ードに、表示陰極１１に印加すべき電位（接地電位）を
印加する。

【００７４】尚、第１及び第２のダイオード１７、１８
は、いずれか一方のみを設けても良く、その場合でも、
いずれのダイオードも設けない場合に比べて、大幅に電
力損失を少なくすることができるが、両方のダイオード
１７、１８を設ければ電力損失はより一層大幅に軽減さ
れる。

【００７５】次に、実施の形態６の動作を、図１６を参
照して説明する。狭窄孔付きメモリー板電極１６に正極
性のパルス電圧Ｐを印加すると、そのパルスＰの印加前
に第１の静電容量１９に蓄積されていた電荷に基づく電
圧がこのパルス電圧Ｐに重畳されて、表示陽極１には、
狭窄孔付きメモリー板電極１６の電圧より高い電圧が印
加される。そして、表示放電により、第１の静電容量１
９に蓄積されていた電荷が、矢印付きの実線の経路を経
て放電される。従って、第１の静電容量１９に蓄積され
ていた電荷は表示に有効に利用される。尚、表示電流が
流れる経路は図示を省略している。

【００７６】次に、狭窄孔付きメモリー板電極１６に印
加されるパルス電圧Ｐの立ち下がりに着目すると、パル
ス電圧Ｐの狭窄孔付きメモリー板電極１６への印加によ
って、第２の静電容量２０に電荷が蓄積されるが、パル
ス電圧Ｐの立ち下がりによって、第２の静電容量２０の
電荷による電圧の降下によって、表示陰極１１の電位が
マイナスになり、第２の静電容量２０に蓄積されている
電荷が、矢印付きの破線の経路を経て放電される。従っ
て、この場合も、その放電電流は表示陽極１から表示陰
極１に向かって流れるから、この第２の静電容量２０に
蓄積されている電荷は、表示放電に重畳されるので、そ
の電荷が表示に有効に利用される。

【００７７】この図１６の実施の形態６は、図１３及び
図１４で説明した実施の形態５を改良したものである
が、図１０及び図１１で説明した実施の形態４も、実施
の形態６と、実質的に同様に改良することができる。即
ち、図１３及び図１４の放電表示装置において、第１の
ダイオード（Ｄ１）１７のカソードを表示陽極１に接続
し、そのアノードに直流電源２１によって、表示陽極１
に印加すべき所定駆動電位（正の電電位）を印加する。
尚、電源２１の負側は接地されている。又、第２のダイ
オード（Ｄ２）１８のアノードは、カソードとしての第
１のアドレス電極９に接続し、その第１のアドレス電極
９に、第１のアドレス電極に印加すべき電位（接地電
位）を印加する。この場合の動作も、実施の形態６の動
作説明と同様なので、重複説明は省略する。

【００７８】

【発明の効果】上述せる第１の本発明によれば、隔壁を
介して互いに交差するごとく近接して配されたそれぞれ
複数の第１及び第２のアドレス電極と、放電空間に挿入
された、荷電粒子を複数の微小な狭窄孔を通過させるこ
とによって放電電流を制限するようにした絶縁体又は金
属板からなる狭窄孔板と、内壁面に蛍光体を塗布したス
ペーサと、全画素に共通な表示陽極とを有し、複数の第
１及び第２のアドレス電極、狭窄孔板、スペーサ並びに
表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に
封入されてなるので、放電空間に挿入され、電荷粒子を
複数の微小な狭窄孔を通過させることによって、放電電
流を制限するようにした狭窄孔板によって各画素毎の放
電安定抵抗が容易に実現でき、表示陽極も全画素に共通
な構成の簡単なもので良く、これによって、スペーサに
塗布された蛍光体層の塗布面積が拡がり、蛍光体層の輝
度と発光効率が改善され、しかも、過剰電流による電極
劣化がなくなり、長寿命化を達成することのできる直流
型抵抗メモリー方式の放電表示装置を得ることができ
る。

【００７９】第２の本発明によれば、第１の本発明の放
電表示装置において、狭窄孔板と表示陽極との間のスペ
ーサの厚さを、その間隙に陽光柱が安定的に存在するの
に十分な厚さに設定すると共に、狭窄孔板と複数の第１
及び第２のアドレス電極との間の間隙を、複数の第１又
は第２のアドレス電極の近傍に負グローが安定的に形成
されるに十分な距離又は構造で、なおかつその間隙に陽
光柱が発生しないような短い距離又は構造に設定すると
共に、狭窄孔板に設けた狭窄孔の開口面積を、表示陽極
及び複数の第１及び第２のアドレス電極のそれぞれの有
効面積、即ちガス空間に対して放電電流を流し得る全表
面積よりも十分に小さい面積に設定するようにしたの
で、第１の本発明の効果に加えて、表示面側に紫外線発
生に効果的な陽光柱を安定的に発生させ、背面側では狭
窄孔板の各狭窄孔から見た陰極の有効面積を広くとるこ
とができ、これによって陽光柱の発生効率を高くするこ
とのできる放電表示装置を得ることができる。

【００８０】第３の本発明によれば、第１又は第２の本
発明の放電表示装置において、複数の第１及び第２のア
ドレス電極と狭窄孔板との間に配された、全画素に共通
な金属板からなる表示陰極と、複数の透孔が設けられる
と共に、その各透孔の内壁面を含めた全表面が絶縁層で
被覆された、全画素に共通な金属板からなるトリガーシ
ートとを有し、複数の第１及び第２のアドレス電極、ト
リガーシート、表示陰極、狭窄孔板、スペーサ及び表示
陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に封入
されてなるので、第１又は第２の本発明の効果に加え
て、アドレス動作によって発生した電荷粒子を、全画素
のアドレスが終了するまで蓄えておき、メモリー動作は
全画素一斉のタイミングで行うことができ、即ち、アド
レス動作とメモリー動作が全画素で別々のタイミングで
行われるため、動作条件を広く安定させることのできる
放電表示装置を得ることができる。

【００８１】第４の本発明によれば、第１又は第２の本
発明の放電表示装置において、複数の第１及び第２のア
ドレス電極と狭窄孔板との間に配された、全画素に共通
な金属板からなる表示陰極を有すると共に、複数の第１
又は第２のアドレス電極のどちらか一方又は両方を絶縁
層で被覆して、全画素に共通なトリガーシートとしての
機能をも持たせるようにしたので、第１又は第２の本発
明の効果に加えて、アドレス動作によって発生した電荷
粒子を、全画素のアドレスが終了するまで蓄えておき、
メモリー動作は全画素一斉のタイミングで行うことがで
き、即ち、アドレス動作とメモリー動作が全画素で別々
のタイミングで行われるため、動作条件を広く安定させ
ることができ、しかも構造の簡単な放電表示装置を得る
ことができる。

【００８２】第５の本発明によれば、第３又は第４の本
発明の放電表示装置において、狭窄孔板と表示陽極との
間のスペーサの厚さを、この間隙に陽光柱が安定的に存
在するのに十分な厚さに設定すると共に、狭窄孔板と表
示陰極との間隙は、表示陰極近傍に負グローが安定的に
形成されるに十分な距離又は構造で、なおかつここには
陽光柱が発生しないような短い距離又は構造に設定する
と共に、狭窄孔板に設けた各狭窄孔の開口面積を、表示
陽極及び表示陰極の有効面積、即ちガス空間に対して放
電電流を流し得る全表面積よりも十分に小さい面積に設
定するようにしたので、第３又は第４の本発明の効果に
加えて、表示面側に紫外線発生に効果的な陽光柱を安定
的に発生させ、背面側では狭窄孔板の各狭窄孔から見た
陰極の有効面積を広くとることができ、これによって発
光効率の高い放電表示装置を得ることができる。

【００８３】第６の本発明によれば、第１又は第２の本
発明の放電表示装置において、狭窄孔板を、金属板の全
表面を絶縁層で被覆し、第１及び第２のアドレス電極か
らの荷電粒子を壁電荷として蓄積する狭窄孔付きメモリ
ー板電極にて構成してなり、狭窄孔付きメモリー板電極
と、第１及び第２のアドレス電極の内のカソードとなる
電極との間でメモリー放電が起こり、そのメモリー放電
による補助的放電によって、狭窄孔付きメモリー板電極
及び表示陽極間に表示放電が起こるように、その狭窄孔
付きメモリー板電極にパルス電圧を継続的に印加するよ
うにしたので、第１又は第２の本発明の効果に加えて、
メモリー放電による表示放電の制御が容易且つ確実にな
る放電表示装置を得ることができる。

【００８４】第７の本発明によれば、第３、第４又は第
５の本発明の放電表示装置において、狭窄孔板と表示陽
極との間のスペーサの厚さを、この間隙に陽光柱が安定
的に存在するのに十分な厚さに設定すると共に、狭窄孔
板と表示陰極との間隙は、表示陰極近傍に負グローが安
定的に形成されるに十分な距離又は構造で、なおかつこ
こには陽光柱が発生しないような短い距離又は構造に設
定すると共に、狭窄孔板に設けた各狭窄孔の開口面積
を、表示陽極及び表示陰極の有効面積、即ちガス空間に
対して放電電流を流し得る全表面積よりも十分に小さい
面積に設定するようにしたので、第３、第４又は第５の
の本発明の効果に加えて、メモリー放電による表示放電
の制御が容易且つ確実になる放電表示装置を得ることが
できる。

【００８５】第８の本発明によれば、第６の本発明の放
電表示装置において、表示陽極及びその表示陽極に印加
すべき所定駆動電位の電位点の間と、第１及び第２のア
ドレス電極の内のカソードとなる電極並びにそのカソー
ドとなる電極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間と
のいずれか一方、又は両方に逆流防止手段を接続したの
で、第６の本発明の効果に加えて、狭窄孔付きメモリー
板電極及び表示陽極の間と、狭窄孔付きメモリー板電極
と、第１及び第２のアドレス電極の内のカソードとなる
電極との間とのいずれか一方、又は両方にに存在する静
電容量による電力損失を大幅に低減することができ、
又、表示陽極に印加すべき所定駆動電位と、第１及び第
２のアドレス電極の内のカソードとなる電極に印加すべ
き所定駆動電位とのいずれか一方、又は両方を低くする
このできる放電表示装置を得ることができる。

【００８６】第９の本発明によれば、第７の本発明の放
電表示装置において、表示陽極及びその表示陽極に印加
すべき所定駆動電位の電位点の間と、表示陰極及びその
表示陰極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間とのい
ずれか一方、又は両方に逆流防止手段を接続したので、
第７の本発明の効果に加えて、狭窄孔付きメモリー板電
極及び表示陽極の間と、狭窄孔付きメモリー板電極及び
表示陰極の間とのいずれか一方、又は両方に存在する静
電容量による電力損失を大幅に低減することができ、
又、表示陽極に印加すべき所定駆動電位と、表示陰極に
印加すべき所定駆動電位とのいずか一方、又は両方を低
くすることのできる放電表示装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の展開斜視図である。

【図２】その実施の形態１の断面図である。

【図３】その実施の形態１の電圧波形とタイミングを示
す図である。 Ａ 第２のアドレス電極の電位（画像信号）（走査信
号） Ｂ 第１のアドレス電極の電位 Ｃ 表示陽極の電位

【図４】本発明の実施の形態２の展開斜視図である。

【図５】その実施の形態２の断面図である。

【図６】その実施の形態２の電圧波形とタイミングを示
す図である。 Ａ 第２のアドレス電極の電位（画像信号） Ｂ 第１おアドレス電極の電位（走査信号） Ｃ 表示陽極の電位 Ｄ 表示陰極の電位 Ｅ トリガーシートの電位

【図７】本発明の実施の形態３の展開斜視図である。

【図８】その実施の形態３の断面図である。

【図９】その実施の形態３の電圧波形とタイミングを示
す図である。 Ａ 第２のアドレス電極の電位（画像信号） Ｂ 第１のアドレス電極の電位（走査信号） Ｃ 表示陽極の電位 Ｄ 表示陰極の電位

【図１０】本発明の実施の形態４の展開斜視図である。

【図１１】その実施の形態４の断面図である。

【図１２】その実施の形態５の電圧波形とタイミングを
示す図である。 Ａ 第２のアドレス電極の電位（画像信号） Ｂ 第１のアドレス電極の電位（走査信号） Ｃ 表示陽極の電位 Ｄ 狭窄孔付きメモリー板電極

【図１３】本発明の実施の形態４の展開斜視図である。

【図１４】その実施の形態５の断面図である。

【図１５】その実施の形態５の電圧波形とタイミングを
示す図である。 Ａ 第２のアドレス電極の電位（画像信号） Ｂ 第１おアドレス電極の電位（走査信号） Ｃ 表示陽極の電位 Ｄ 表示陰極の電位 Ｅ トリガーシートの電位 Ｆ 狭窄孔付きメモリー板電極の電位

【図１６】実施の形態６の一部を示す断面図及び回路図
である。

【図１７】従来の狭窄放電パネルの電極構造を示す斜視
図である。

【図１８】従来のパルスメモリー型ＰＤＰの展開斜視図
である。

【図１９】従来の抵抗付きパルスメモリー型ＰＤＰの展
開斜視図である。

【符号の説明】

１ 表示陽極 ２ 第１のスペーサ ３ 蛍光体層 ４ 狭窄孔板 ５ 狭窄孔 ６ 第２スペーサ ７ 第３のスペーサ ８ 貫通孔 ９ 第１のアドレス電極 １０ 第２のアドレス電極 １１ 表示陰極 １２ トリガーシート電極 １３ 絶縁層 １４ 背面ガラス板 １５ 前面ガラス板 １６ 狭窄孔付きメモリー板電極 １７ 第１のダイオード １８ 第２のダイオード １９ 第１の静電容量 ２０ 第２の静電容量

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 隔壁を介して互いに交差するごとく近接
   して配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電
   極と、 放電空間に挿入された、荷電粒子を複数の微小な狭窄孔
   を通過させることによって放電電流を制限するようにし
   た絶縁体又は金属板からなる狭窄孔板と、 内壁面に蛍光体を塗布したスペーサと、 全画素に共通な表示陽極とを有し、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記狭窄孔
   板、上記スペーサ並びに上記表示陽極を順次積層させ
   て、放電ガスを有する管体内に封入されてなることを特
   徴とする放電表示装置。
2. 【請求項２】 上記請求項１に記載の放電表示装置にお
   いて、 上記狭窄孔板と上記表示陽極との間の上記スペーサの厚
   さを、その間隙に陽光柱が安定的に存在するのに十分な
   厚さに設定すると共に、 上記狭窄孔板と上記複数の第１及び第２のアドレス電極
   との間の間隙を、上記複数の第１又は第２のアドレス電
   極の近傍に負グローが安定的に形成されるに十分な距離
   又は構造で、なおかつその間隙に陽光柱が発生しないよ
   うな短い距離又は構造に設定すると共に、 上記狭窄孔板に設けた狭窄孔の開口面積を、上記表示陽
   極及び上記複数の第１及び第２のアドレス電極のそれぞ
   れの有効面積、即ちガス空間に対して放電電流を流し得
   る全表面積よりも十分に小さい面積に設定することを特
   徴とする放電表示装置。
3. 【請求項３】 上記請求項１又は請求項２に記載の放電
   表示装置において、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極と上記狭窄孔板
   との間に配された、上記全画素に共通な金属板からなる
   表示陰極と、 複数の透孔が設けられると共に、その各透孔の内壁面を
   含めた全表面が絶縁層で被覆された、全画素に共通な金
   属板からなるトリガーシートとを有し、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記トリガー
   シート、上記表示陰極、上記狭窄孔板、上記スペーサ及
   び上記表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管
   体内に封入されてなることを特徴とする放電表示装置。
4. 【請求項４】 上記請求項１又は請求項２に記載の放電
   表示装置において、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極と上記狭窄孔板
   との間に配された、上記全画素に共通な金属板からなる
   表示陰極を有すると共に、 上記複数の第１又は第２のアドレス電極のどちらか一方
   又は両方を絶縁層で被覆して、上記全画素に共通なトリ
   ガーシートとしての機能をも持たせるようにしたことを
   特徴とする放電表示装置。
5. 【請求項５】 上記請求項３又は４に記載の放電表示装
   置において、 上記狭窄孔板と上記表示陽極との間の上記スペーサの厚
   さを、この間隙に陽光柱が安定的に存在するのに十分な
   厚さに設定すると共に、 上記狭窄孔板と上記表示陰極との間隙は、上記表示陰極
   近傍に負グローが安定的に形成されるに十分な距離又は
   構造で、なおかつここには陽光柱が発生しないような短
   い距離又は構造に設定すると共に、 上記狭窄孔板に設けた各狭窄孔の開口面積を、上記表示
   陽極及び上記表示陰極の有効面積、即ちガス空間に対し
   て放電電流を流し得る全表面積よりも十分に小さい面積
   に設定することを特徴とする放電表示装置。
6. 【請求項６】 請求項１又は２に記載の放電表示装置に
   おいて、 上記狭窄孔板を、金属板の全表面を絶縁層で被覆し、上
   記第１及び第２のアドレス電極からの荷電粒子を壁電荷
   として蓄積する狭窄孔付きメモリー板電極にて構成して
   なり、 該狭窄孔付きメモリー板電極と、上記第１及び第２のア
   ドレス電極の内のカソードとなる電極との間でメモリー
   放電が起こり、該メモリー放電による補助的放電によっ
   て、上記狭窄孔付きメモリー板電極及び上記表示陽極間
   に表示放電が起こるように、該狭窄孔付きメモリー板電
   極にパルス電圧を継続的に印加するようにしたことを特
   徴とする放電表示装置。
7. 【請求項７】 請求項３、４又は５に記載の放電表示装
   置において、 上記狭窄孔板を、金属板の全表面を絶縁層で被覆し、上
   記第１及び第２のアドレス電極からの荷電粒子を壁電荷
   として蓄積する狭窄孔付きメモリー板電極にて構成して
   なり、 該狭窄孔付きメモリー板電極及び上記表示陰極の間でメ
   モリー放電が起こり、該メモリー放電による補助的放電
   によって、上記狭窄孔付きメモリー板電極及び上記表示
   陽極間に表示放電が起こるように、該狭窄孔付きメモリ
   ー板電極にパルス電圧を継続的に印加するようにしたこ
   とを特徴とする放電表示装置。
8. 【請求項８】 請求項６に記載の放電表示装置におい
   て、 上記表示陽極及び該表示陽極に印加すべき所定駆動電位
   の電位点の間と、上記第１及び第２のアドレス電極の内
   のカソードとなる電極並びに該カソードとなる電極に印
   加すべき所定駆動電位の電位点の間とのいずれか一方、
   又は両方に逆流防止手段を接続したことを特徴とする放
   電表示装置。
9. 【請求項９】 請求項７に記載の放電表示装置におい
   て、 上記表示陽極及び該表示陽極に印加すべき所定駆動電位
   の電位点の間と、上記表示陰極及び該表示陰極に印加す
   べき所定駆動電位の電位点の間とのいずれか一方、又は
   両方に逆流防止手段を接続したことを特徴とする放電表
   示装置。