JPH0897602A

JPH0897602A - 移相器

Info

Publication number: JPH0897602A
Application number: JP22770094A
Authority: JP
Inventors: Takehiro Shimizu; 健宏清水
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-09-22
Filing date: 1994-09-22
Publication date: 1996-04-12

Abstract

(57)【要約】【目的】マイクロ波又はミリ波帯で入力信号の位相を
一定時間だけ移相させ所望の位相の出力信号とする移相
器に関し、従来の移相器よりも，設定した移相量の誤差
が少なく、より小形で、より電力損失の少ない移相器を
目的とする。【構成】入力の高周波信号を90度ハイブリッド(1) に
より其の入力端子(11)から通過端子(13)と結合端子(14)
とに二分岐し, 該通過端子と結合端子とに夫々接続され
た其の入力端で短絡又は開放されるｎ個のダイオード(D
n)とｎ種の電気長（ΔL _n/ ２）の伝送線路(TLn) との
直列接続の接地終端により反射された二系列の反射信号
を該ハイブリッド(1) の通過端子と結合端子を通り出力
端子(12)で合成し出力して, 該出力端子にて入力端子(1
1)の入力信号に対し所定の移相量を付与した出力信号を
得る反射型移相器であって、所望の複数の移相量が得ら
れる様に, 其の各入力端で短絡又は開放されるダイオー
ド(D1,D2─Dn)と其の電気長が異なる伝送線路(TL1,TL2
─TLn)とを多段に具えるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波又はミリ波
帯の高周波の入力信号に, 所望の位相遅延の移相量を付
与して出力信号の位相を所望の位相とする移相器に係
り、特に広い周波数帯において出力信号の位相を所望の
位相とする移相器に関する。

【０００２】移相器は、例えばアレイ状に配列された各
アンテナ素子が互に受信し送信する高周波信号の位相を
可変にして，全体の指向性を所望の指向性に決定してい
るフェーズド・アレイアンテナ等において、前記の受信
し送信する高周波信号の位相を所定の位相に変える手段
として使用されている。

【０００３】

【従来の技術】図８，図９，図10は、従来の移相器の構
成を表す回路図である。図８の第１の従来例では、分岐
線路型又はインターディジタル型の 90 度ハイブリッド
(1) の第１の端子(11H) を、高周波信号の入力端子(2)
に接続し、第２の端子(12H) を入力信号のアイソレーシ
ョン端子となる高周波信号の出力端子(3) に接続し、通
過端子の第３の端子(13H) と結合端子の第４の端子(14
H) の各々に, それぞれの入力端で外部から制御されて
短絡/ 開放されるダイオード6 と移相量設定用の一定の
電気長L/２で終端接地の伝送線路7 とが接続されてい
る。入力端子(2) から入力した高周波信号は、90度ハイ
ブリッド(1) の第１の端子(11H) から第３の端子(13H)
と第４の端子(14H) とに、互に90度の位相差が有る二つ
の信号として分岐され、該第３の端子(13H) と第４の端
子(14H) の各々に設けられた、前記ダイオード6 と移相
量設定用で終端接地の伝送線路7 とに入力される。ここ
で、二分岐信号の入力端の各ダイオード6 を，伝送線路
7 の入力インピーダンスが短絡／開放となる様に制御す
ると、信号入力端子(2) から入力しハイブリッド(1) の
第１の端子(11H) から第３端子(13H) と第４端子(14H)
とに二分岐された各高周波信号は、短絡されたダイオー
ド6 又は伝送線路7 の接地終端にて反射される。この反
射された各反射信号は第３の端子(13H) と第４の端子(1
4H) とに戻り、前記ハイブリッド(1) の第２の端子(12
H) にて合成されて信号出力端子(3) へ導かれる。ここ
で、移相量設定用の伝送線路7 の長さを、ΔL/2 とすれ
ば、前記のダイオード6 の短絡または開放により、反射
されて第２の端子(12H) に合成されて現れる高周波信号
は、第１の端子(11H) への入力信号に対しΔφ＝ 2π・
ΔL/λの位相差を有するので、Δφの移相量を持つ移相
器が構成された事になる。図８中、(10)はダイオード6
に直流バイアスを供給すべく, 高周波信号阻止の誘導性
素子(8) と容量性素子(9) からなるバイアス回路であ
る。又、信号入力端子(2) からの入力信号線路の容量性
素子(11A) は、ダイオード6 への直流バイアスが移相器
の回路外に漏出するのを防ぐ直流阻止コンデンサであ
り、誘導性素子(12A) は、コンデンサ11A と線路パター
ン0 の間の接続用ボンディングワイヤを等価的に表した
もの。伝送線路(0) は外部の入力出力信号との接続用線
路である。

【０００４】図９の第２の従来例は、図８の第１の移相
器をｎ段接続したもので、移相量の可変位相のステップ
は 360/(2 ⁿ) 度になり、ｎが４段接続なら，可変位相
のステップは 360/(2 ⁴)＝ 22.5 度となる。また、その
時のｎ個の移相器の移相量は360/(2 ⁿ) ・ 2^m-1度と
なる。( 但し、ｍ，ｎは正整数であり、ｍ＝ 1,2, ─ｎ
である) 。

【０００５】図10の第３の従来例は、180 度ハイブリッ
ド(13)の第１の端子14を高周波信号の入力端子とし、第
２の端子15をアイソレーション端子として終端抵抗50Ω
が接続され、第３の端子の通過端子16と第４の端子の結
合端子17とには、90度ハイブリッド18,19 がそれぞれ接
続されている。90度ハイブリッド18,19 の第２の端子の
アイソレーション端子15は、それぞれ終端抵抗50Ωで終
端され、第３の端子の通過端子20, 22と第４の端子の結
合端子21,23 には、各入力信号振幅を可変する可変減衰
器24が接続されている。そして各可変減衰器24の出力側
には、90度位相差の可変減衰器24の２出力をベクトル合
成する電力合成器25が接続されている。180 度ハイブリ
ッド(13)の第１の端子14に入力した高周波信号は、180
度の位相差の有る二信号として, 通過端子16と結合端子
17とに分配され、90度ハイブリッド18,19 により, 更
に、90度の位相差の有る二信号として, 通過端子20,22
と結合端子21,23とに分配されて、４端子20,21,22,23
に現れる４つの信号は、180度ハイブリッド(13)の第１
の端子14の入力信号を基準として, 0 度, 90度, 180度,
270 度の各位相差が90度の等電力の４信号となる。こ
の等電力の４信号は、それぞれの可変減衰器24により各
出力振幅が変えられて、ウィルキンソン型の電力合成器
25A により, ベクトル的に合成され、所望の位相の出力
信号となって、出力端子３へ導かれることになる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図８の第１の従来例の
移相器では、得られる移相量が伝送線路7 の電気長ΔL/
２で定まる１種類しか得られず、数種類の移相量を得る
為には、図９の第２の従来例の様に，図８の移相器を多
段ｎに接続しなければならず、回路規模が大きくなって
しまう事、又，各ダイオード6 の特性のばらつきや各伝
送線路パターンの精度のばらつきで、多段ｎに接続する
ことにより, 出力信号の移相量のばらつきが大きくなる
という問題があった。また、図10の第３の従来例の様に
移相器の回路を構成すると、１入力電力を４つの位相 0
度, 90度, 180 度, 270 度の各信号に４分配するので，
各分配出力は入力電力を１とすると１／４になってしま
う。更に、電力合成器25A で, それぞれの可変減衰器24
の出力を合成するが、この電力合成器25A では, 4 つの
可変減衰器24の出力の中の互の位相差が90度の２つの出
力のみをベクトル合成するだけなので、合成出力は其の
入力電力の１／２となり、電力合成器25での電力損失は
−３dBと大きくなり、移相器の入力電力に対しては−９
dBの電力損失となってしまうという問題があった。本
発明の目的は、上記の従来の移相器よりも，設定する移
相量の誤差が少ない移相器、より小形の移相器、より電
力損失の少ない移相器を実現することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前述の各目的達成のため
の本発明の移相器の基本構成は、下記の如し。 (1) 回路規模が小形であり，１個の移相器で数種類の移
相量が得られる移相器を目的とした本発明の請求項１
は、図１の原理図を参照し、信号入力端子２から入力し
た高周波信号を90度ハイブリッド(1) により其の入力端
子(11H) から通過端子(13H) と結合端子(14H) とに二分
岐し, 該通過端子(13H) と結合端子(14H) とに夫々接続
された其の入力端で短絡又は開放されるｎ個のダイオー
ド(Dn)およびｎ種類の電気長（ΔL _n/ ２）の直列接続
の伝送線路(TLn) の接地終端により反射された二系列の
反射信号を該ハイブリッド(1) の通過端子(13H) と結合
端子(14H)とを通り出力端子(12H) で合成し出力して,
該出力端子(12H) にて入力端子(11H) の入力信号に対し
所望の移相量を付与した出力信号を得る反射型移相器で
あって、１個の移相器で所望の複数の移相量が得られる
様に, 其のハイブリッド(1) の各分岐出力に対し入力端
で短絡又は開放されるダイオード(D1,D2─Dn)と電気長
が異なる伝送線路(TL1,TL2─TLn)とを多段n に具える様
に構成する。

【０００８】(2) 移相量の設定精度が向上した移相器を
目的とする本発明の請求項２は、図２を参照し、前記の
請求項１の図１の反射型移相器の出力端子(3) に、其の
出力信号を入力信号とし其の移相量の誤差を補正する為
に, 自ハイブリッド(28)の入力信号を２分岐し出力する
２端子(4,5) に夫々に設けた伝送線路(TL)と可変容量ダ
イオード(VD)との直列接続により，入力信号に対し任意
の移相量Δφ＝cos ^-1[(x²-1)/(x²+1)] の出力信号を得
るアナログ移相器(27)を設ける様に構成する。

【０００９】(3) 所望の移相量をディジタル的に得て移
相量の設定精度の向上した移相器を目的とする本発明の
請求項３は、図３の原理図を参照し、所望の移相量をデ
ィジタル的に得るために,最上位ビットから最下位ビッ
トまでのｎビットの各ビットで所定の移相量を得る直列
接続のｎ個の移相器(26)から成るｎビットのディジタル
移相器の出力端子(3) に、前記アナログ移相器(27)を付
加接続し、該アナログ移相器(27)の移相量を調整するこ
とで、前段のｎビットディジタル移相器(26)が設定した
所望の移相量の誤差を無くし補正する様に構成する。

【００１０】(4) 移相量の設定精度の向上した移相器を
目的とした別構成の請求項４では、図４の原理図を参照
し、所望の移相量を得るためのｎ個の移相器から成るｎ
ビットのディジタル移相器において、各ビットの移相器
を前記アナログ移相器とし、各段のアナログ移相器で設
定した所定の移相量の誤差を補正した後、全体をｎビッ
トの移相器として使用する様に構成する。

【００１１】(5) １入力信号を互の位相差が90度の４信
号に分配し其の任意の２信号を合成し出力する時の電力
損失を低損失化した移相器を目的とする本発明の請求項
５は、図５の原理図を参照し、入力の高周波信号を 180
度ハイブリッド(13)で２分配し, 各分配出力を更に90度
ハイブリッド(18,19) で２分配して，０度，90度,180
度,270度の４位相で等電力の４信号に分配するハイブリ
ッド(13,18,19)と、其の出力の等電力の４信号の各振幅
を変化させる４個の可変減衰器(24)と、其の出力の各振
幅が変化した４信号を, 其の各入力端で短絡又は開放さ
れるダイオード(D1 〜D4) と其の各電気長が入力信号の
波長λの 1/4で, 出力端が互に直結された伝送線路(TL1
〜TL4)とにより合成して出力する電力合成器(25)とから
なる移相器において、該電力合成器(25)が該ダイオード
(D1 〜D4))の短絡又は開放の制御により, 互の位相差が
90度の任意の２信号を該当の伝送線路によりインピーダ
ンス変換した後に合成して出力信号とするように構成す
る。

【００１２】(6) 低電力損失化した移相器を目的とした
別構成の請求項６では、図６を参照し、前記の移相器の
入力の高周波信号を，０度，90度, 180 度, 270 度の４
位相で等電力の４信号に分配するハイブリッドのうち、
前記 180度ハイブリッド(13)を同相分岐の０度ハイブリ
ッド(13)とし、90度ハイブリッド（18,19)の代りに、前
記請求項１の移相器の各移相量が180 度の移相器の２個
を使用する様に構成する。

【００１３】入力の高周波信号を、２分配器で２つの等
電力に分配した後、前記請求項１の移相器を２個使用
し、 0度, 90度,180度,270度の４つの位相の中の必要と
する同相の２つ出力を出力とし、此の２出力の各高周波
信号の振幅を可変制御する可変減衰器(24)と、其の各出
力X,Y を合成する電力合成器(25)とを具える様に構成す
る。

【００１４】(7) 低電力損失化し設定する移相量の誤差
の少ない移相器を目的とした構成の請求項７では、図７
を参照し、前記の移相器の入力の高周波信号を，０度，
90度, 180 度, 270 度の４位相で等電力の４信号に分配
するハイブリッドのうち、前記 180度ハイブリッド(13)
を同相分岐の０度ハイブリッド(13)とし、90度ハイブリ
ッド（18,19)の代りに、前記アナログ移相器の各移相量
が180度の２個を使用する様に構成する。

【００１５】入力の高周波信号を、２分配器で２つの等
電力に分配した後、各分配出力にアナログ位相器を１個
づつ計２個使用して、 0度, 90度,180度,270度の４つの
位相の中の必要とする２つの位相の出力を出力とし、此
の２出力の各高周波信号の振幅を可変制御する２つの可
変減衰器(24)と、其の各出力を合成する電力合成器(25)
とを具える様に構成する。

【００１６】

【作用】図１の請求項１の構成では、信号入力端子(2)
から入力した高周波信号は、90度ハイブリッド(1) の第
１の端子(11H)から, 第３の端子(13H)と第４の端子(14
H)とに, 互に90度の位相差を有する等電力の２信号とし
て分岐されて，第３の端子(13H) と第４の端子(14H)と
から出力され，それぞれ制御されて短絡又は開放される
n個の各ダイオードD1─Dnと n種類の長さの移相量設定
用の各伝送線路TL1 ─TLn に順次入力される。ここで、
各ダイオードD1─Dnを其のインピーダンスが短絡／開放
となる様に制御すると、第３の端子(13H)と第４の端子
(14H)とに２分岐された高周波信号は、短絡されたダイ
オードD 又は伝送線路TLの接地終端で反射される。この
反射された反射信号は、第３の端子(13H)と第４の端子
(14H)とに戻り，該ハイブリッド(1) の第２の端子(12H)
にて合成されて出力端子(3) へ導かれる。ここで、移相
量設定用の伝送線路TLn の長さをΔLn/2とすると, ダイ
オードDnのインピーダンスの短絡／開放により, 伝送線
路TLの接地終端で反射されハイブリッド(1) で合成され
て, 其の第２の端子(12H)に現れる高周波信号は、入力
端子(11H)の高周波信号に対してΔφn= 2π・ΔLn/ λ
の位相差を生じ、Δφn の移相量を持つ移相器が構成さ
れる。この請求項１の移相器では、高周波信号の分岐/
合成に使用される90度ハイブリッドの数が１個(1) で済
むので、移相器の回路の小形化を図ることが出来る。

【００１７】図２の請求項２の移相器では、請求項１の
図１の反射型移相器の出力端子(3)に、移相量の誤差の
補正用のアナログ移相器(27)を具備し、該アナログ移相
器(27)が、自ハイブリッド(28)の入力信号に対する２分
岐出力の第３の端子(4) と第４の端子(5) から各可変容
量ダイオードVD側を見たリアクタンスX が、ダイオード
VDの容量変化で変化し、入力信号に対して任意の移相量
Δφ= cos ^-1 [(x²-1)/(x²+1)]の出力信号を得て、前段
の反射型移相器が設定した移相量の誤差Δφが無くなる
様に調整するので、移相量の誤差の少ない反射型移相器
を実現できる事になる。

【００１８】図３の請求項３の移相器では、所望の移相
量をｎ個の直列接続のビット移相器から得るｎビットの
ディジタル移相器の出力端子(3) に、移相量の誤差の補
正用のアナログ移相器(27)を具備していて、該アナログ
移相器(27)が、自分の90度ハイブリッド(28)の２分岐出
力の第３の端子(4) と第４の端子(5) とから各可変容量
ダイオードVD側を見たリアクタンスX が、該ダイオード
VDの容量変化で変化し、入力信号に対して任意の移相量
Δφ= cos ^-1 [( x²-1)/(x²+1)] の出力信号を得て、前
段のｎビットのディジタル移相器の出力の移相量の誤差
Δφが無くなる様に補正するので、設定する移相量の誤
差の少ないｎビットディジタル移相器を実現できる事に
なる。

【００１９】図４の請求項４の移相器では、ｎビットデ
ィジタル移相器の各ビットの移相器を、前記のアナログ
移相器とし、各段のアナログ移相器で，所定の移相量を
設定し其の誤差を補正した後、ｎビットディジタル移相
器として使用するので、設定する移相量の誤差の少ない
ｎビットディジタル移相器を実現できる事になる。

【００２０】図５の請求項５の移相器では、180 度ハイ
ブリッド(13)の第１の端子(14)に入力した高周波信号
は、互に180 度の位相差のある通過端子(16)と結合端子
(17)とに等電力で２分配され、90度ハイブリッド(18)(1
9)により, 更に 90 度の位相差のある通過端子(21)(23)
と結合端子(20)(22)とに等電力で２分配されて、4 つの
端子(20)〜(23)に現れる信号は、０度, 90度,180度,270
度の位相差を持った等電力の４信号となる。其のそれぞ
れの信号は、各可変減衰器24により, 出力信号の振幅が
変えられるが、0 〜360 度の範囲の所望の移相量を得る
には、前記４信号のうち，位相差が90度の２信号が必要
であり，残りの２信号は、可変減衰器24により大きく減
衰される。ここで、電力合成器25を，其の４つのダイオ
ードD1〜D4の任意の２つを短絡する事により，４ポート
から２ポートの電力合成器にすると、必要な２信号のみ
の電力合成器となるので、この電力合成器25での電力損
失は無くなり０dBとなる。従って、本発明の移相器の入
力電力に対しては電力損失が−３dBとなり、従来の移相
器（−９dB) より３dBだけ少ない電力損失となる。この
電力合成器25を，４ポートから２ポートの電力合成器に
するには、上記の２つのダイオードを短絡するととも
に、其の時の伝送線路TLの特性インピーダンスＺ₀を、
伝送線路TLの長さをλ/4とし, 入出力線路のインピーダ
ンスを50Ωとすると、λ/4の伝送線路TLの出力端では入
力の50Ωが 100Ωとなるので、Ｚ₀＝（50・100)^1/2＝
70.7Ωに選ぶことで, 達成される。

【００２１】図６の請求項６の移相器では、図10の従来
例の移相器における 180度ハイブリッド(13)と90度ハイ
ブリッド(18),(19) により入力信号の４分配による電力
損失を減らすために、180 度ハイブリッド(13)を, 同相
で２分岐の０度ハイブリッド(131) とし、90度ハイブリ
ッド(18),(19) の代わりに, 図１の請求項１の移相器
で，各移相量を０°と180 ゜および 90 ゜と270 ゜とし
た２個の反射型移相器(181)(191) を使用し、其の夫々
の出力の可変減衰器(24)の出力ポートのX と Yにて、移
相量０°と180 ゜および 90 ゜と270 ゜を得る様にした
ものであるので、0 ゜〜360 ゜の範囲の所望の移相量を
得るには、X − Yポートの移相量の組合せが、それぞれ
0−90゜,180−90゜,180−270 ゜,0−270 ゜であれば良
い。

【００２２】図７の請求項７の移相器では、図10の従来
例の移相器における 180度ハイブリッド(13)と90度ハイ
ブリッド(18),(19) により入力信号の４分配による電力
損失を減らすために、180 度ハイブリッド(13)を, 同相
で２分岐の０度ハイブリッド(131) とし、90度ハイブリ
ッド(18),(19) の代わりに, 図２の請求項２の移相器
で，各移相量を０°と180 ゜および 90 ゜と270 ゜とし
た２個のアナログ移相器(182)(192)を使用し、其の夫々
の出力の可変減衰器(24)の出力ポートのX と Yにて、移
相量０°と180 ゜および 90 ゜と270 ゜を得る様にした
ものである。

【００２３】

【実施例】上記の図１〜図７の請求項１〜請求項７の原
理図は、そのまま請求項１〜請求項７の実施例の構成図
を示し、既に詳細に説明した。上記の図１〜図７では、
制御で短絡又は開放されるスイッチング素子として、ダ
イオードD1〜Dnを使用しているが、電界効果トランジス
タFET もスイッチング素子として使用することが出来
る。

【００２４】

【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、従
来の移相器よりも、設定する移相量の誤差が少ない移相
器、より小型の移相器、より電力損失の少ない移相器を
提供できるので、より小型で高性能の無線機器を実現で
きる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の請求項１の移相器の基本構成を示す
原理図

【図２】本発明の請求項２の移相器の基本構成を示す
原理図

【図３】本発明の請求項３の移相器の基本構成を示す
原理図

【図４】本発明の請求項４の移相器の基本構成を示す
原理図

【図５】本発明の請求項５の移相器の基本構成を示す
原理図

【図６】本発明の請求項６の移相器の基本構成を示す
原理図

【図７】本発明の請求項７の移相器の基本構成を示す
原理図

【図８】従来例の第１の移相器の構成図

【図９】従来例の第２の移相器の構成図

【図１０】従来例の第３の移相器の構成図

【符号の説明】

(1) は90度ハイブリッド、(2) は信号入力端子、(3) 信
号出力端子、(11H) は90度ハイブリッド1 の第１端子で
あり，入力端子、(12H) は其のハイブリッド1の第２端
子であり，出力端子、(13H )は其のハイブリッド1 の第
３端子であり，通過端子、(14H) は其のハイブリッド1
の第４端子であり，結合端子、 (13) は180 度ハイブリ
ッド、(18),(19) は90度ハイブリッド、(24)は可変減衰
器、(25)は電力合成器、(26)はｎビットのディジタル移
相器の各ビット移相器、(27)はアナログ移相器、(131)
は同相２分岐の０度ハイブリッド、(181) は移相量が 0
゜,180゜の反射型移相器、(191) は移相量が 90 ゜,180
゜の反射型移相器である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入力の高周波信号を90度ハイブリッド
(1) により其の入力端子(11H)から通過端子(13H)と結合
端子(14H)とに二分岐し, 該通過端子(13H)と結合端子(1
4H)とに夫々接続された其の入力端で短絡又は開放され
るｎ個のダイオード( Dn)とｎ種の電気長（ΔL _n/
２）の伝送線路(TLn) との直列接続の接地終端により反
射された二系列の反射信号を該ハイブリッド(1) の通過
端子(13H)と結合端子(14H)を通り出力端子(12H)で合成
し出力して, 該出力端子(12H)にて入力端子(11H)の入力
信号に対し所定の移相量を付与した出力信号を得る反射
型移相器であって、所望の複数の移相量が得られる様
に, 其の各入力端で短絡又は開放されるダイオード(D1,
D2─Dn)と其の電気長が異なる伝送線路(TL1,TL2─TLn)
とを多段に具えたことを特徴とする移相器。
【請求項２】前記の反射型移相器の出力端子(3) に、
其の出力信号の移相量の誤差を補正する為に, 自ハイブ
リッド(28)の入力を２分岐し出力する端子(4,5) に夫々
に設けた伝送線路(TL)と可変容量ダイオード(VD)との直
列接続により任意の移相量（Δφ）の出力信号を得るア
ナログ移相器(27)を設ける様にしたことを特徴とする請
求項１記載の移相器。
【請求項３】所望の移相量をディジタル的に得るｎビ
ットの各ビットの移相器からなるディジタル移相器にお
いて、該ｎビットディジタル移相器の出力端子(3)に、
入力信号の移相量の誤差を補正する前記アナログ移相器
(27)を設けたことを特徴とする移相器。
【請求項４】所望の移相量をディジタル的に得るｎビ
ットの各ビットの移相器からなるディジタル移相器にお
いて、各ビット移相器を全て前記アナログ移相器とし、
各段で設定する移相量の誤差を補正することを特徴とす
る移相器。
【請求項５】入力の高周波信号を 180度ハイブリッド
(13)で２分配し各分配出力を更に90度ハイブリッド(18,
19) で２分配して，０度，90度,180度,270度の４位相で
等電力の４信号に分配するハイブリッド(13,18,19)と、
其の出力の等電力に分配された４信号の各振幅を変化さ
せる４個の可変減衰器(24)と、其の各振幅が変化した４
信号を, 其の各入力端で短絡又は開放されるダイオード
(D) と其の電気長が信号波長λの 1/4で出力端が互に直
結された伝送線路(TL)とにより合成して出力する電力合
成器(25)とからなる移相器において、該電力合成器(25)
が該ダイオード(D) の短絡又は開放の制御により互の位
相差が90度の任意の２信号を合成して出力信号とするよ
うにしたことを特徴とする移相器。
【請求項６】前記移相器の，入力の高周波信号を，０
度，90度, 180 度,270 度の４位相で等電力の４信号に
分配するハイブリッドのうち、前記の 180度ハイブリッ
ド(13)を同相分岐の０度ハイブリッド(13)とし、90度ハ
イブリッド（18,19)の代りに、前記請求項１の移相器の
各移相量が 180度である反射型移相器の２個を使用する
ことを特徴とする請求項５記載の移相器。
【請求項７】前記移相器の，入力の高周波信号を，０
度，90度, 180 度,270 度の４位相で等電力の４信号に
分配するハイブリッドのうち、前記の 180度ハイブリッ
ド(13)を同相分岐の０度ハイブリッド(13)とし、90度ハ
イブリッド（18,19)の代りに、前記アナログ移相器(27)
の各移相量が 180度である２個のアナログ移相器を使用
することを特徴とする請求項５記載の移相器。