JPH0890277A - クリームはんだ - Google Patents
クリームはんだInfo
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- JPH0890277A JPH0890277A JP6243345A JP24334594A JPH0890277A JP H0890277 A JPH0890277 A JP H0890277A JP 6243345 A JP6243345 A JP 6243345A JP 24334594 A JP24334594 A JP 24334594A JP H0890277 A JPH0890277 A JP H0890277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- powder
- cream solder
- cream
- pitch
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子回路基板のリフローはんだ付けにおいて
０.３ｍｍピッチ以下のファインピッチでも印刷が可能
となるようなクリームはんだを得る。 【構成】 電子回路基板のリフローはんだ付けに用いる
クリームはんだにおいて，該クリームはんだ中に分散さ
れているはんだ粉が平均粒径１μｍ以下で粒子形状が実
質上球形の超微粉であることを特徴とするクリームはん
だ。
０.３ｍｍピッチ以下のファインピッチでも印刷が可能
となるようなクリームはんだを得る。 【構成】 電子回路基板のリフローはんだ付けに用いる
クリームはんだにおいて，該クリームはんだ中に分散さ
れているはんだ粉が平均粒径１μｍ以下で粒子形状が実
質上球形の超微粉であることを特徴とするクリームはん
だ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，電子回路基板のリフロ
ーはんだ付け用クリームはんだに関する。
ーはんだ付け用クリームはんだに関する。
【０００２】
【従来の技術】微小電子部品の組立や実装にリフローは
んだ付け法が適用されている。このリフロー法は，はん
だ合金を適当な方法で予め接合する材料表面に載置また
は接着させ，これを適当な熱源を用いて溶融させてはん
だ付けするものである。このリフローはんだ付けには，
一般にハンダ合金粉を分散媒に分散させたソルダーペー
ストや，粒径の小さい合金粉を用いたクリームはんだが
使用されている。
んだ付け法が適用されている。このリフロー法は，はん
だ合金を適当な方法で予め接合する材料表面に載置また
は接着させ，これを適当な熱源を用いて溶融させてはん
だ付けするものである。このリフローはんだ付けには，
一般にハンダ合金粉を分散媒に分散させたソルダーペー
ストや，粒径の小さい合金粉を用いたクリームはんだが
使用されている。
【０００３】かような用途に使用されるはんだ合金粉
は，従来よりガス噴霧法または遠心噴霧法によって製造
されていた。
は，従来よりガス噴霧法または遠心噴霧法によって製造
されていた。
【０００４】ガス噴霧法は，はんだ合金を溶解しその溶
湯をノズルの細孔から炭酸ガスまたは窒素ガスの流れ中
に噴霧して粉末化するものであり，遠心噴霧法は，はん
だ合金を真空中で溶解しその溶湯を細孔から連続的に高
速回転子上に注ぎ，回転により生じる遠心力を利用して
溶融はんだを分裂飛散させることによって粉末化するも
のである。いずれの方法でも，得られるはんだ合金粉の
粒径は４５μｍ程度が一般的であり，粒径が１０μｍ以
下の微細粉のみで構成させるはんだ微粉末を作製するこ
とは困難である。
湯をノズルの細孔から炭酸ガスまたは窒素ガスの流れ中
に噴霧して粉末化するものであり，遠心噴霧法は，はん
だ合金を真空中で溶解しその溶湯を細孔から連続的に高
速回転子上に注ぎ，回転により生じる遠心力を利用して
溶融はんだを分裂飛散させることによって粉末化するも
のである。いずれの方法でも，得られるはんだ合金粉の
粒径は４５μｍ程度が一般的であり，粒径が１０μｍ以
下の微細粉のみで構成させるはんだ微粉末を作製するこ
とは困難である。
【０００５】一方，近年のＩＣチップの集積度の向上に
伴って，パッケージの入出力端子数は２００〜３００ピ
ンにもなり，端子が２辺しかないＤＩＰでは対応が不可
能なことから，４辺に出力端子を備え，ピンのピッチが
０.５〜０.６５ｍｍのＱＦＰの表面実装が現在の主流と
なっている。
伴って，パッケージの入出力端子数は２００〜３００ピ
ンにもなり，端子が２辺しかないＤＩＰでは対応が不可
能なことから，４辺に出力端子を備え，ピンのピッチが
０.５〜０.６５ｍｍのＱＦＰの表面実装が現在の主流と
なっている。
【０００６】かようなピンの導電接合に前記のリフロー
はんだ付け法を適用する場合，そのクリームはんだ中の
はんだ粉はその粒径が出来うる限り微細であることが要
求されるが，実際には前記の方法で製造された粒径が４
５μｍ以下の「−＃３２５」のはんだ粉が使用されてい
る。
はんだ付け法を適用する場合，そのクリームはんだ中の
はんだ粉はその粒径が出来うる限り微細であることが要
求されるが，実際には前記の方法で製造された粒径が４
５μｍ以下の「−＃３２５」のはんだ粉が使用されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＱＦＰのファインピッ
チ化はピンのピッチが０.３ｍｍ，更には０.２ｍｍ〜
０.１ｍｍへと進展する方向にあるが，これに対応でき
るクリームはんだは現在のところ存在しない。現存する
「−＃３２５」のはんだ粉をビヒクルに分散させたもの
では，印刷不良が生じることになる。すなわち版抜けが
悪くパターン精度が問題となる。
チ化はピンのピッチが０.３ｍｍ，更には０.２ｍｍ〜
０.１ｍｍへと進展する方向にあるが，これに対応でき
るクリームはんだは現在のところ存在しない。現存する
「−＃３２５」のはんだ粉をビヒクルに分散させたもの
では，印刷不良が生じることになる。すなわち版抜けが
悪くパターン精度が問題となる。
【０００８】また，ガス噴霧または遠心噴霧法で製作さ
れた４５μｍ級のはんだ粉を分級して例えば１０μｍ級
の微細粉を得たとしても，歩留りは高々５％程度であ
り，また，かような方法で製造された粉末は，微細粒子
ほど酸化の度合いが多くなるという性質があるので分級
した微細粉は酸化されているものが多いという問題もあ
る。表面が酸化していると，リフローの際，密着不良や
はんだボール等の不良の原因となる。
れた４５μｍ級のはんだ粉を分級して例えば１０μｍ級
の微細粉を得たとしても，歩留りは高々５％程度であ
り，また，かような方法で製造された粉末は，微細粒子
ほど酸化の度合いが多くなるという性質があるので分級
した微細粉は酸化されているものが多いという問題もあ
る。表面が酸化していると，リフローの際，密着不良や
はんだボール等の不良の原因となる。
【０００９】本発明は，このような背景から，電子回路
基板のファインピッチ化の進展に貢献できるリフローは
んだ付け用クリームはんだを提供することを目的とす
る。
基板のファインピッチ化の進展に貢献できるリフローは
んだ付け用クリームはんだを提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，電子回
路基板のリフローはんだ付けに用いるクリームはんだに
おいて，該クリームはんだ中に分散されているはんだ粉
が平均粒径１μｍ以下で粒子形状が実質上球形の超微粉
であることを特徴とするクリームはんだを提供する。
路基板のリフローはんだ付けに用いるクリームはんだに
おいて，該クリームはんだ中に分散されているはんだ粉
が平均粒径１μｍ以下で粒子形状が実質上球形の超微粉
であることを特徴とするクリームはんだを提供する。
【００１１】また本発明によれば，電子回路基板のリフ
ローはんだ付けに用いるクリームはんだにおいて，該ク
リームはんだ中に分散されているはんだ粉が平均粒径１
μｍ以下で粒子形状が実質上球形であり且つ有機物質で
表面がコーテイングされた超微粉であることを特徴とす
るクリームはんだを提供する。
ローはんだ付けに用いるクリームはんだにおいて，該ク
リームはんだ中に分散されているはんだ粉が平均粒径１
μｍ以下で粒子形状が実質上球形であり且つ有機物質で
表面がコーテイングされた超微粉であることを特徴とす
るクリームはんだを提供する。
【００１２】
【作用】本発明のクリームはんだを用いると，ピッチが
０.３ｍｍ以下の微細なパターン印刷が精度よく実現で
きる。これは，平均粒径が１μｍ以下で粒子形状が実質
上球形の無酸化状態の超微粉を用いたことによってもた
らされたものである。
０.３ｍｍ以下の微細なパターン印刷が精度よく実現で
きる。これは，平均粒径が１μｍ以下で粒子形状が実質
上球形の無酸化状態の超微粉を用いたことによってもた
らされたものである。
【００１３】平均粒径が１μｍを超えるはんだ粉の場合
には，ピッチ０.３ｍｍ以下の微細なパターン印刷を精
度よく実現できない場合がある。またこの超微粉の粒子
形状が球形であることにより，クリームの粘性の経時変
化が少なくなり，リフロー後にもはんだボールを発生さ
せないという作用がある。また，当該クリームをデイス
ペンサーで吐出させる場合に流れが良好となり吐出性が
安定することから，精度よくパターン印刷ができる。
には，ピッチ０.３ｍｍ以下の微細なパターン印刷を精
度よく実現できない場合がある。またこの超微粉の粒子
形状が球形であることにより，クリームの粘性の経時変
化が少なくなり，リフロー後にもはんだボールを発生さ
せないという作用がある。また，当該クリームをデイス
ペンサーで吐出させる場合に流れが良好となり吐出性が
安定することから，精度よくパターン印刷ができる。
【００１４】そして，クリーム中のはんだ超微粒子の表
面は酸化されていないことにより，密着不良やはんだボ
ール等の不良の原因が排除される。この場合，はんだ超
微粒子の表面を有機物質でコーテイングしておくことに
より，粒子同士の凝集が防止されると同時にビヒクルと
の混合操作時に酸化するのを防止することもできる。
面は酸化されていないことにより，密着不良やはんだボ
ール等の不良の原因が排除される。この場合，はんだ超
微粒子の表面を有機物質でコーテイングしておくことに
より，粒子同士の凝集が防止されると同時にビヒクルと
の混合操作時に酸化するのを防止することもできる。
【００１５】このコーテイング材料としてビヒクルを構
成する成分例えばテルピネオールやエチレングリコール
等を用いると，ビヒクルとの濡れ性が良好となり，超微
粉であっても良好な分散性が維持できる。
成する成分例えばテルピネオールやエチレングリコール
等を用いると，ビヒクルとの濡れ性が良好となり，超微
粉であっても良好な分散性が維持できる。
【００１６】本発明のクリームはんだを構成するための
ビヒクル（超微粉を分散させるための分散媒）について
は，従来のこの用途のクリームはんだを構成するための
ビヒクルをそのまま使用することができる。
ビヒクル（超微粉を分散させるための分散媒）について
は，従来のこの用途のクリームはんだを構成するための
ビヒクルをそのまま使用することができる。
【００１７】平均粒径が１μｍ以下の球形且つ無酸化の
はんだ超微粉はプラズマ法によって有利に製造すること
ができる。とくに，高周波プラズマのプラズマフレーム
中に原料のはんだ合金粉を導入する方法が便宜であり，
この場合には，原料粉中の各成分が瞬時にガス化し，こ
れらのガス成分がプラズマフレームのテール側で再び会
合して微細な液滴となり，これが雰囲気中に開放される
ことによって瞬時に凝固して超微粉を形成する。
はんだ超微粉はプラズマ法によって有利に製造すること
ができる。とくに，高周波プラズマのプラズマフレーム
中に原料のはんだ合金粉を導入する方法が便宜であり，
この場合には，原料粉中の各成分が瞬時にガス化し，こ
れらのガス成分がプラズマフレームのテール側で再び会
合して微細な液滴となり，これが雰囲気中に開放される
ことによって瞬時に凝固して超微粉を形成する。
【００１８】このプラズマ法を実施するにあたっては，
プラズマガスとして水素と不活性ガスを用い，雰囲気も
水素と不活性ガスに維持したプラズマ炉を用いるのがよ
い。
プラズマガスとして水素と不活性ガスを用い，雰囲気も
水素と不活性ガスに維持したプラズマ炉を用いるのがよ
い。
【００１９】〔本発明に従うはんだ超微粉を製作する装
置の例〕本発明に従うはんだ超微粉を製作する装置の例
を図１に示した。この装置は，流体の流れの順に超微粉
発生炉１，第一冷却器２，第二冷却器３，バブリング容
器４，第三冷却器５，捕集器６，排気装置７を配するこ
とによって構成されている。
置の例〕本発明に従うはんだ超微粉を製作する装置の例
を図１に示した。この装置は，流体の流れの順に超微粉
発生炉１，第一冷却器２，第二冷却器３，バブリング容
器４，第三冷却器５，捕集器６，排気装置７を配するこ
とによって構成されている。
【００２０】超微粉発生炉１は，炉室８の上部に高周波
プラズマトーチ９を，そして炉室８の側方に排気通路１
０を備えた密閉炉であり，炉内の流体は排気装置７の駆
動によって該排気通路１０を経て流出する。
プラズマトーチ９を，そして炉室８の側方に排気通路１
０を備えた密閉炉であり，炉内の流体は排気装置７の駆
動によって該排気通路１０を経て流出する。
【００２１】高周波プラズマトーチ９は，プラズマ発生
用の高周波コイル１１を外周に備えその頂部には，冷却
手段を介して，粉体供給口とプラズマガス供給口が設け
られており，粉体供給口からはキャリヤーガスを用いて
はんだ合金粉（例えば１０〜１００μｍ径のもの）を供
給し，ガス供給口からは水素ガスと不活性ガスを供給す
る。
用の高周波コイル１１を外周に備えその頂部には，冷却
手段を介して，粉体供給口とプラズマガス供給口が設け
られており，粉体供給口からはキャリヤーガスを用いて
はんだ合金粉（例えば１０〜１００μｍ径のもの）を供
給し，ガス供給口からは水素ガスと不活性ガスを供給す
る。
【００２２】排気装置７を駆動して系内を排気し，バブ
リング容器４内に有機溶媒を装入したうえで，プラズマ
ガス（水素ガス＋不活性ガス）を導入しつつプラズマを
発生させ，粉体供給口から原料はんだ合金粉を供給する
と，プラズマフレーム１２中で該合金は瞬時に溶融蒸発
して，原料はんだ合金がＳnとＰbからなるものであれ
ば，ガス状のＳnとガス状のＰbになり，これらがプラズ
マのテールフレーム付近で会合して超微粒（１μｍ以
下）の液滴となり，この液滴は炉室８内に拡散される間
更には後続の冷却器２，３で冷却される間に凝固して超
微粒子（１μｍ以下）となる。
リング容器４内に有機溶媒を装入したうえで，プラズマ
ガス（水素ガス＋不活性ガス）を導入しつつプラズマを
発生させ，粉体供給口から原料はんだ合金粉を供給する
と，プラズマフレーム１２中で該合金は瞬時に溶融蒸発
して，原料はんだ合金がＳnとＰbからなるものであれ
ば，ガス状のＳnとガス状のＰbになり，これらがプラズ
マのテールフレーム付近で会合して超微粒（１μｍ以
下）の液滴となり，この液滴は炉室８内に拡散される間
更には後続の冷却器２，３で冷却される間に凝固して超
微粒子（１μｍ以下）となる。
【００２３】冷却器２と３は，超微粒子同伴の炉内発生
流体をその流れのまま器壁を通じて冷却するための容器
であり，図示しないが，器壁の外周に冷却水を通水する
コイル（または水冷ジャケット）が設けられている。炉
内発生流体は，下端開口の導入管１３から冷却器２の底
部に導入されると渦を巻きながら上昇して次の冷却器３
に入り，冷却器３でも渦を巻ながら下降して下端開口の
導出管１４に吸い込まれる。
流体をその流れのまま器壁を通じて冷却するための容器
であり，図示しないが，器壁の外周に冷却水を通水する
コイル（または水冷ジャケット）が設けられている。炉
内発生流体は，下端開口の導入管１３から冷却器２の底
部に導入されると渦を巻きながら上昇して次の冷却器３
に入り，冷却器３でも渦を巻ながら下降して下端開口の
導出管１４に吸い込まれる。
【００２４】導出管１４は次のバブリング容器４に通
じ，このバブリング容器４内に装入された溶媒１５の液
面下にその他端が開口している。したがって，液面下に
導入された炉内発生流体中の超微粒子は溶媒１５と接触
しつつバブリングして浮上し，次の冷却器５に入り，捕
集器６に至る。捕集器６は取外し可能なフイルター１６
を備えた容器であり，このフイルター１６に炉内発生流
体に同伴した超微粒子が捕集される。
じ，このバブリング容器４内に装入された溶媒１５の液
面下にその他端が開口している。したがって，液面下に
導入された炉内発生流体中の超微粒子は溶媒１５と接触
しつつバブリングして浮上し，次の冷却器５に入り，捕
集器６に至る。捕集器６は取外し可能なフイルター１６
を備えた容器であり，このフイルター１６に炉内発生流
体に同伴した超微粒子が捕集される。
【００２５】
【実施例】高周波プラズマトーチを備えた前記図１の装
置において，プラズマガスとして水素ガスとアルゴンガ
ス（15%H2-80%Ar)を使用し，表１に示した成分組成（重
量％）のはんだ超微粉を製造した。また，図１の装置に
おけるバブリング容器にクリームはんだのビヒクル成分
に使用されるテルピネオール液を入れ，このテルピネオ
ールで粒子表面をコーテイングした。得られた粉末の粒
径 (平均粒径) と粉末の球状度（粒径の長短比）をＳＥ
Ｍ（走査電子顕微鏡）像より判定し，その結果も表１に
併記した。その一例として，表１の本発明例Ｎo.１のは
んだ超微粉のＳＥＭ像の写真を図２に示した。なお，表
１に比較例として示したのはガス噴霧法で作製された市
販のはんだ粉である。
置において，プラズマガスとして水素ガスとアルゴンガ
ス（15%H2-80%Ar)を使用し，表１に示した成分組成（重
量％）のはんだ超微粉を製造した。また，図１の装置に
おけるバブリング容器にクリームはんだのビヒクル成分
に使用されるテルピネオール液を入れ，このテルピネオ
ールで粒子表面をコーテイングした。得られた粉末の粒
径 (平均粒径) と粉末の球状度（粒径の長短比）をＳＥ
Ｍ（走査電子顕微鏡）像より判定し，その結果も表１に
併記した。その一例として，表１の本発明例Ｎo.１のは
んだ超微粉のＳＥＭ像の写真を図２に示した。なお，表
１に比較例として示したのはガス噴霧法で作製された市
販のはんだ粉である。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１および図２から，本発明例のはんだ粉
末は粒径１μｍ以下で形状は球形であることがわかる。
また図２に見られるように各粒子は相互に独立しており
凝集していない。
末は粒径１μｍ以下で形状は球形であることがわかる。
また図２に見られるように各粒子は相互に独立しており
凝集していない。
【００２８】表１のＮo.１のはんだ超微粉をテルピネオ
ールを主成分とするビヒクルに分散させてクリームはん
だを作製し，このクリームはんだを厚さ１５０μｍのメ
タルマスクを用いてスクリーン印刷機で０.３ｍｍピッ
チのＱＦＰパターン印刷を行った。その結果，良好なパ
ターンが得られた。そのパターンを図３に示した。
ールを主成分とするビヒクルに分散させてクリームはん
だを作製し，このクリームはんだを厚さ１５０μｍのメ
タルマスクを用いてスクリーン印刷機で０.３ｍｍピッ
チのＱＦＰパターン印刷を行った。その結果，良好なパ
ターンが得られた。そのパターンを図３に示した。
【００２９】比較のために，表１の比較例の従来のはん
だ粉末のＳＥＭ像の写真を図４に示した。また，この粉
末で作製されたクリームはんだを用いて０.６５ｍｍピ
ッチと０.３ｍｍピッチのＱＦＰパターンを印刷した結
果を図５と図６に示した。これらに見られるように，
０.６５mmピッチは印刷できているが０.３mmピッチは版
抜け性が悪く印刷できなかった。
だ粉末のＳＥＭ像の写真を図４に示した。また，この粉
末で作製されたクリームはんだを用いて０.６５ｍｍピ
ッチと０.３ｍｍピッチのＱＦＰパターンを印刷した結
果を図５と図６に示した。これらに見られるように，
０.６５mmピッチは印刷できているが０.３mmピッチは版
抜け性が悪く印刷できなかった。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば，電子回路基板のリフロ
ーはんだ付けにさいし，０.３ｍｍピッチ以下の微細な
パターンの印刷ができるようになった。このため電子機
器の一層の高密度化を達成するのに大いに貢献できる。
ーはんだ付けにさいし，０.３ｍｍピッチ以下の微細な
パターンの印刷ができるようになった。このため電子機
器の一層の高密度化を達成するのに大いに貢献できる。
【図１】本発明のクリームはんだ用超微粉のはんだ合金
を製作する装置の例を示す機器配置系統図である。
を製作する装置の例を示す機器配置系統図である。
【図２】本発明のクリームはんだを構成するはんだ合金
の粒子状態を示す走査電子顕微鏡写真である。
の粒子状態を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図３】本発明のクリームはんだを用いて印刷した０.
３ｍｍピッチのパターンを示す図である。
３ｍｍピッチのパターンを示す図である。
【図４】従来のはんだ合金粉の粒子状態を示す走査電子
顕微鏡写真である。
顕微鏡写真である。
【図５】従来のはんだ合金粉を用いたクリームはんだで
印刷した０.６５ｍｍピッチのパターンを示す図であ
る。
印刷した０.６５ｍｍピッチのパターンを示す図であ
る。
【図６】従来のはんだ合金粉を用いたクリームはんだで
印刷した０.３ｍｍピッチのパターンを示す図である。
印刷した０.３ｍｍピッチのパターンを示す図である。
１ 超微粉発生炉 ２ 第一冷却器 ３ 第二冷却器 ４ バブリング容器 ５ 第三冷却器 ６ 捕集器 ７ 排気装置 ８ 炉室 ９ プラズマトーチ １０ 排気通路 １１ 高周波コイル １５ 溶媒 １６ フイルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷崎 裕則 千葉県市川市高谷新町７番地の１ 日新製 鋼株式会社新材料研究所内 (72)発明者 田中 豊吉 千葉県市川市高谷新町７番地の１ 日新製 鋼株式会社新材料研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 電子回路基板のリフローはんだ付けに用
いるクリームはんだにおいて，該クリームはんだ中に分
散されているはんだ粉が平均粒径１μｍ以下で粒子形状
が実質上球形の超微粉であることを特徴とするクリーム
はんだ。 - 【請求項２】 電子回路基板のリフローはんだ付けに用
いるクリームはんだにおいて，該クリームはんだ中に分
散されているはんだ粉が平均粒径１μｍ以下で粒子形状
が実質上球形であり且つ有機物質で表面がコーテイング
された超微粉であることを特徴とするクリームはんだ。 - 【請求項３】 有機物質コーテイングは，当該クリーム
はんだのビヒクルを構成する成分からなる請求項２に記
載のクリームはんだ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6243345A JPH0890277A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | クリームはんだ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6243345A JPH0890277A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | クリームはんだ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0890277A true JPH0890277A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=17102452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6243345A Withdrawn JPH0890277A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | クリームはんだ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0890277A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009241126A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | ディスペンス塗布用Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト |
| EP2641676A4 (en) * | 2010-11-18 | 2015-05-06 | Dowa Holdings Co Ltd | BRAZING POWDER AND PROCESS FOR PRODUCING SOLDER POWDER |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6243345A patent/JPH0890277A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009241126A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | ディスペンス塗布用Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト |
| EP2641676A4 (en) * | 2010-11-18 | 2015-05-06 | Dowa Holdings Co Ltd | BRAZING POWDER AND PROCESS FOR PRODUCING SOLDER POWDER |
| US9132514B2 (en) | 2010-11-18 | 2015-09-15 | Dowa Holdings Co., Ltd. | Solder powder and method of producing solder powder |
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