JPH0888192A - 縦型高速熱処理装置 - Google Patents
縦型高速熱処理装置Info
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- JPH0888192A JPH0888192A JP24829794A JP24829794A JPH0888192A JP H0888192 A JPH0888192 A JP H0888192A JP 24829794 A JP24829794 A JP 24829794A JP 24829794 A JP24829794 A JP 24829794A JP H0888192 A JPH0888192 A JP H0888192A
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- infrared lamp
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、本来温度回復の遅い部分を早くし
て、実際の処理状態にするまでに必要な時間を短くする
ことができるようにした縦型高速熱処理装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】この発明に於いては、反応管の下端部及び／ま
たは保温筒部分に、高速で昇温できる赤外線若しくは遠
赤外線ランプを配設し、基板を搭載したボ−トを反応管
内の処理位置まで移動させる間に、基板を予備加熱し、
且つ／または保温筒を加熱することによって、反応管内
での温度回復時間（ヒ−トリカバリ）をできるだけ短縮
したことを特徴とする。
て、実際の処理状態にするまでに必要な時間を短くする
ことができるようにした縦型高速熱処理装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】この発明に於いては、反応管の下端部及び／ま
たは保温筒部分に、高速で昇温できる赤外線若しくは遠
赤外線ランプを配設し、基板を搭載したボ−トを反応管
内の処理位置まで移動させる間に、基板を予備加熱し、
且つ／または保温筒を加熱することによって、反応管内
での温度回復時間（ヒ−トリカバリ）をできるだけ短縮
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体及び液晶デイ
スプレイ製造のための縦型高速熱処理装置に係り、詳記
すれば、本来温度回復（ヒ−トリカバリ）の遅い部分を
早くして、実際の処理状態にするまでに必要な時間を短
くすることができるようにした縦型高速熱処理装置に関
するものである。
スプレイ製造のための縦型高速熱処理装置に係り、詳記
すれば、本来温度回復（ヒ−トリカバリ）の遅い部分を
早くして、実際の処理状態にするまでに必要な時間を短
くすることができるようにした縦型高速熱処理装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種縦型高速熱処理装置は、抵
抗加熱ヒ−タ−によって一定の高温に加熱された反応管
内に、多数枚の処理基板を上下方向に搭載したボ−トを
上昇させて収容し、熱処理を行っていた。しかしなが
ら、この処理装置は、処理温度が５００〜１２５０℃と
非常に高いため、基板を高速で反応管内に移動すること
ができなかった。これは、基板を高速で移動させ、基板
を急激に高温で加熱すると、基板にダメ−ジを与え、場
合によっては、基板が破損するからである。
抗加熱ヒ−タ−によって一定の高温に加熱された反応管
内に、多数枚の処理基板を上下方向に搭載したボ−トを
上昇させて収容し、熱処理を行っていた。しかしなが
ら、この処理装置は、処理温度が５００〜１２５０℃と
非常に高いため、基板を高速で反応管内に移動すること
ができなかった。これは、基板を高速で移動させ、基板
を急激に高温で加熱すると、基板にダメ−ジを与え、場
合によっては、基板が破損するからである。
【０００３】このように、ボ−トを高温の反応管内にゆ
っくり上昇移動させるため、ボ−トの上部に置かれた基
板は、最初にヒ−タからの加熱を受け、ボ−ト移動中も
常にヒ−タ−から加熱され続けるので、比較的早く温度
平衡状態となるが、下部の基板は、ボ−トの移動が完了
する寸前でヒ−タ−からの加熱を受け始めることと、反
応管内下部の温度は必然的に温度が低下することから、
実際に処理される温度平衡状態になるまで、非常に時間
が掛かる問題があった。
っくり上昇移動させるため、ボ−トの上部に置かれた基
板は、最初にヒ−タからの加熱を受け、ボ−ト移動中も
常にヒ−タ−から加熱され続けるので、比較的早く温度
平衡状態となるが、下部の基板は、ボ−トの移動が完了
する寸前でヒ−タ−からの加熱を受け始めることと、反
応管内下部の温度は必然的に温度が低下することから、
実際に処理される温度平衡状態になるまで、非常に時間
が掛かる問題があった。
【０００４】従って、上部の基板と下部の基板とで熱履
歴に差が生じるので、処理基板間の基板特性にバラツキ
を生じさせる問題があった。そればかりか、下部の基板
は処理する温度平衡状態になるまで、長時間を要するこ
とから、上部基板と下部基板との間を余り長くすること
はできなかったので、処理基板を余り多くすることはで
きず、生産性が悪い問題があった。
歴に差が生じるので、処理基板間の基板特性にバラツキ
を生じさせる問題があった。そればかりか、下部の基板
は処理する温度平衡状態になるまで、長時間を要するこ
とから、上部基板と下部基板との間を余り長くすること
はできなかったので、処理基板を余り多くすることはで
きず、生産性が悪い問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、このよう
な従来の縦型高速熱処理装置の問題点を解消しようとす
るものであり、ボ−トの上部基板と下部基板との昇温時
間の差を少なくした縦型高速熱処理装置を提供すること
を目的とする。
な従来の縦型高速熱処理装置の問題点を解消しようとす
るものであり、ボ−トの上部基板と下部基板との昇温時
間の差を少なくした縦型高速熱処理装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的に沿う本発明の
構成は、外側からヒ−タで加熱する反応管内に、処理基
板を搭載し且つ下端に保温筒を連結したボ−トを収容
し、基板を熱処理する縦型高速熱処理装置に於いて、前
記保温筒を加熱する赤外線若しくは遠赤外線ランプ及び
／または前記処理基板を予備加熱する赤外線若しくは遠
赤外線ランプを配設したことを特徴とする。
構成は、外側からヒ−タで加熱する反応管内に、処理基
板を搭載し且つ下端に保温筒を連結したボ−トを収容
し、基板を熱処理する縦型高速熱処理装置に於いて、前
記保温筒を加熱する赤外線若しくは遠赤外線ランプ及び
／または前記処理基板を予備加熱する赤外線若しくは遠
赤外線ランプを配設したことを特徴とする。
【０００７】要するに本発明は、反応管の下端部及び／
または保温筒部分に、高速で昇温できる赤外線若しくは
遠赤外線ランプを配設し、基板を搭載したボ−トを反応
管内の処理位置まで移動させる間に、基板を予備加熱
し、且つ／または保温筒を加熱することによって、反応
管内での温度回復時間（ヒ−トリカバリ）をできるだけ
短縮し、生産性の向上と基板間の特性のバラツキを低減
させたことを要旨とするものである。
または保温筒部分に、高速で昇温できる赤外線若しくは
遠赤外線ランプを配設し、基板を搭載したボ−トを反応
管内の処理位置まで移動させる間に、基板を予備加熱
し、且つ／または保温筒を加熱することによって、反応
管内での温度回復時間（ヒ−トリカバリ）をできるだけ
短縮し、生産性の向上と基板間の特性のバラツキを低減
させたことを要旨とするものである。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１〜図３は、本発明の拡散炉の実施例を示す断
面図であり、フレ−ム１１と反応管２との間に、昇温特
性の非常に速い抵抗加熱ヒ−タ４が内装され、反応管２
内には、多数の基板１を上下方向に搭載した石英ボ−ト
３が図２の状態から図１の状態に移動するようになって
いる。ボ−ト３の下端には、保温筒５が連結され、保温
筒５の上端１２は、ボ−ト３を載せる台の役割を有して
いる。保温筒５としては、赤外線若しくは遠赤外線領域
の波長の吸収率の良い耐熱性材料、例えば炭化ケイ素を
コ−テイングしたカ−ボン若しくは炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）で形成するのが良い。
する。図１〜図３は、本発明の拡散炉の実施例を示す断
面図であり、フレ−ム１１と反応管２との間に、昇温特
性の非常に速い抵抗加熱ヒ−タ４が内装され、反応管２
内には、多数の基板１を上下方向に搭載した石英ボ−ト
３が図２の状態から図１の状態に移動するようになって
いる。ボ−ト３の下端には、保温筒５が連結され、保温
筒５の上端１２は、ボ−ト３を載せる台の役割を有して
いる。保温筒５としては、赤外線若しくは遠赤外線領域
の波長の吸収率の良い耐熱性材料、例えば炭化ケイ素を
コ−テイングしたカ−ボン若しくは炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）で形成するのが良い。
【０００９】保温筒５の下端には、ハッチ１０が連結さ
れ、ハッチ１０の中央に形成した開口１４に赤外線ラン
プ６′と反射板７′が固定されている。赤外線ランプ
６′は、石英カバ−１３によって、反応管２内と隔離さ
れている。赤外線ランプ６′は、図２に示すように、エ
レベ−タ−ア−ム１５を上昇させることによって、ボ−
ト３が上昇する過程及び上昇後に、保温筒５及びボ−ト
３の下端部を加熱する作用をする。このように保温筒５
を加熱することによって、図１の状態では、反応管２内
の下部の温度は加熱されることになり、下部の基板の温
度回復を速めることができる。
れ、ハッチ１０の中央に形成した開口１４に赤外線ラン
プ６′と反射板７′が固定されている。赤外線ランプ
６′は、石英カバ−１３によって、反応管２内と隔離さ
れている。赤外線ランプ６′は、図２に示すように、エ
レベ−タ−ア−ム１５を上昇させることによって、ボ−
ト３が上昇する過程及び上昇後に、保温筒５及びボ−ト
３の下端部を加熱する作用をする。このように保温筒５
を加熱することによって、図１の状態では、反応管２内
の下部の温度は加熱されることになり、下部の基板の温
度回復を速めることができる。
【００１０】反応管２内の下部は、ヒ−タ４による熱エ
ネルギ−を受けづらいこと、基板１の上昇過程で従来法
では反応管内下部が基板１及び保温筒５によって冷やさ
れること、基板の上昇中は下端は開口しているので冷や
されること等によって、反応管下部は上部の温度と比べ
て低下する。このように、ハッチ１０の上昇を開始する
と同時に、赤外線ランプ６′を放射し始めることによっ
て、事前に保温筒５の温度を上昇させ、それによって、
基板の温度回復時間を短縮することができる。
ネルギ−を受けづらいこと、基板１の上昇過程で従来法
では反応管内下部が基板１及び保温筒５によって冷やさ
れること、基板の上昇中は下端は開口しているので冷や
されること等によって、反応管下部は上部の温度と比べ
て低下する。このように、ハッチ１０の上昇を開始する
と同時に、赤外線ランプ６′を放射し始めることによっ
て、事前に保温筒５の温度を上昇させ、それによって、
基板の温度回復時間を短縮することができる。
【００１１】反応管下端の外周部には、リング状の赤外
線ランプ６が配設され、該ランプ６の背面には、リング
状の反射板７が固定されている。この赤外線ランプ６
は、上昇中の基板１を予備加熱する作用をするものであ
る。基板１の予備加熱作用をより効果的にするために、
ボ−ト３が上昇して行くにしたがって、赤外線ランプ６
の放射出力を増加させるようにすると良い。しかしなが
ら、放射出力が同一であっても、全体を予備加熱するこ
とによって、下部基板の温度回復時間は短縮されるの
で、同様に本発明の効果を発揮する。尚、赤外線ランプ
６は、基板１の上昇後、放射出力を停止させるようにな
っている。
線ランプ６が配設され、該ランプ６の背面には、リング
状の反射板７が固定されている。この赤外線ランプ６
は、上昇中の基板１を予備加熱する作用をするものであ
る。基板１の予備加熱作用をより効果的にするために、
ボ−ト３が上昇して行くにしたがって、赤外線ランプ６
の放射出力を増加させるようにすると良い。しかしなが
ら、放射出力が同一であっても、全体を予備加熱するこ
とによって、下部基板の温度回復時間は短縮されるの
で、同様に本発明の効果を発揮する。尚、赤外線ランプ
６は、基板１の上昇後、放射出力を停止させるようにな
っている。
【００１２】反応管下端部の保温筒５内には、熱電対８
が取着され、保温筒５内が平衡温度になることを検知
し、赤外線ランプ６′の放射出力を停止させるように構
成されている。尚、赤外線ランプ６′は、赤外線ランプ
６と同じように、基板１の上昇終了と同時に放射出力を
停止させても良い。この場合は、熱電対８で平衡温度に
なる時間を検知し、この時間が最適時間になるように、
赤外線ランプ６，６′の出力を調整すると良い。図４及
び図５は、本発明の減圧ＣＶＤの実施例を示すものであ
り、赤外線ランプ６′をハッチ１０の外側のエレベ−タ
−ア−ム１３内に設置し、ハッチ１０に形成した石英窓
９を通して、保温筒５及びボ−ト３の下端部を予備加熱
するようになっている。
が取着され、保温筒５内が平衡温度になることを検知
し、赤外線ランプ６′の放射出力を停止させるように構
成されている。尚、赤外線ランプ６′は、赤外線ランプ
６と同じように、基板１の上昇終了と同時に放射出力を
停止させても良い。この場合は、熱電対８で平衡温度に
なる時間を検知し、この時間が最適時間になるように、
赤外線ランプ６，６′の出力を調整すると良い。図４及
び図５は、本発明の減圧ＣＶＤの実施例を示すものであ
り、赤外線ランプ６′をハッチ１０の外側のエレベ−タ
−ア−ム１３内に設置し、ハッチ１０に形成した石英窓
９を通して、保温筒５及びボ−ト３の下端部を予備加熱
するようになっている。
【００１３】図１に示すように、ハッチ１０の内側に赤
外線ランプ６′を設置すると、ハッチ１０の内側は高温
となるので、赤外線ランプ６′の寿命は短くなるが、図
４の実施例のようにすると、赤外線ランプ６′は、あま
り高温とならないので、赤外線ランプ６′の寿命を延ば
すことができる。図４及び図５の実施例に於いては、リ
ング状の赤外線ランプ６とリング状の反射板７は、反応
管下端のボ−ト導入口に設置されている。
外線ランプ６′を設置すると、ハッチ１０の内側は高温
となるので、赤外線ランプ６′の寿命は短くなるが、図
４の実施例のようにすると、赤外線ランプ６′は、あま
り高温とならないので、赤外線ランプ６′の寿命を延ば
すことができる。図４及び図５の実施例に於いては、リ
ング状の赤外線ランプ６とリング状の反射板７は、反応
管下端のボ−ト導入口に設置されている。
【００１４】この赤外線ランプ６は、ボ−ト３が上昇す
る過程で、基板１を予備加熱する作用を示すものであ
り、ボ−ト３が上昇していくにしたがって、赤外線ラン
プ６の放射出力を増加させることができるようにしてお
くと良い。このようにすることによって、上下の各基板
間の熱履歴差を低減させることができる。この実施例の
赤外線ランプ６は、ハッチ１０が閉になる寸前で役目を
終え、放射出力を停止させるようになっている。反射板
７，７′は、放射エネルギ−を基板１若しくは保温筒５
の方向へ集中させるためのもので、通常金メッキ等の表
面処理が施されている。
る過程で、基板１を予備加熱する作用を示すものであ
り、ボ−ト３が上昇していくにしたがって、赤外線ラン
プ６の放射出力を増加させることができるようにしてお
くと良い。このようにすることによって、上下の各基板
間の熱履歴差を低減させることができる。この実施例の
赤外線ランプ６は、ハッチ１０が閉になる寸前で役目を
終え、放射出力を停止させるようになっている。反射板
７，７′は、放射エネルギ−を基板１若しくは保温筒５
の方向へ集中させるためのもので、通常金メッキ等の表
面処理が施されている。
【００１５】上記実施例に於いては、赤外線ランプ６
は、リング状に形成されているが、これは外周部から中
心に向かって均一に基板を加熱する為である。しかしな
がら、リング状に配設するなら、必ずしもこのようでな
くとも良く、図６に示すように、直管状の赤外線ランプ
６を多角形状に配置しても同様の効果が得られる。石英
カバ−１５及び石英窓９は、放射エネルギ−が通過する
断熱・耐熱性材料であれば、必ずしも石英で形成しなく
とも差し支えない。上記実施例に於いては、赤外線ラン
プ６，６′及び反射板７，７′は、保温筒内若しくは保
温筒外と、反応管下端部外周部近傍の両方に設けられて
いるが、いずれか一方でも差し支えない。しかしなが
ら、このように両方に設けるのが、より効果的である。
は、リング状に形成されているが、これは外周部から中
心に向かって均一に基板を加熱する為である。しかしな
がら、リング状に配設するなら、必ずしもこのようでな
くとも良く、図６に示すように、直管状の赤外線ランプ
６を多角形状に配置しても同様の効果が得られる。石英
カバ−１５及び石英窓９は、放射エネルギ−が通過する
断熱・耐熱性材料であれば、必ずしも石英で形成しなく
とも差し支えない。上記実施例に於いては、赤外線ラン
プ６，６′及び反射板７，７′は、保温筒内若しくは保
温筒外と、反応管下端部外周部近傍の両方に設けられて
いるが、いずれか一方でも差し支えない。しかしなが
ら、このように両方に設けるのが、より効果的である。
【００１６】図１及び図２に示す本発明の装置を使用
し、図１のハッチ閉後の経過時間毎に、図１のＢ点の温
度を測定した。比較のため、図１及び図２と同様の従来
の装置を使用して、同様にＢ点の温度を測定した。結果
を図７に示す。図７より明らかな如く、本発明の装置
は、従来の装置と比べて、温度回復特性が非常に良く、
プロセス処理の開始時間を約３０分間短縮することがで
きる。従って、従来例えば約２時間で処理していたの
が、約１時間３０分で処理できることになるから、処理
時間が短縮され、生産性が向上する。
し、図１のハッチ閉後の経過時間毎に、図１のＢ点の温
度を測定した。比較のため、図１及び図２と同様の従来
の装置を使用して、同様にＢ点の温度を測定した。結果
を図７に示す。図７より明らかな如く、本発明の装置
は、従来の装置と比べて、温度回復特性が非常に良く、
プロセス処理の開始時間を約３０分間短縮することがで
きる。従って、従来例えば約２時間で処理していたの
が、約１時間３０分で処理できることになるから、処理
時間が短縮され、生産性が向上する。
【００１７】
【作用】本発明の縦型高速熱処理装置は、基板を予備加
熱する赤外線若しくは遠赤外線ランプまたは保温筒及び
ボ−ト下端部を加熱する赤外線若しくは遠赤外線ランプ
を配設しているので、ボ−ト下部の基板が熱処理の平衡
温度に達する時間が短縮されるから、生産性が向上する
と共に、処理した基板特性のバラツキが減少する。
熱する赤外線若しくは遠赤外線ランプまたは保温筒及び
ボ−ト下端部を加熱する赤外線若しくは遠赤外線ランプ
を配設しているので、ボ−ト下部の基板が熱処理の平衡
温度に達する時間が短縮されるから、生産性が向上する
と共に、処理した基板特性のバラツキが減少する。
【００１８】
【効果】以上述べたごとく、本発明によれば、基板の温
度回復特性が従来技術より顕著に向上するので、処理時
間が短縮され、生産性が向上するほか、処理した基板特
性のバラツキが減少すると共に、各基板間の熱履歴差を
低減でき、基板を高温状態にしておく時間が短縮される
から、基板特性が向上するというこの種従来の縦型高速
熱処理装置には全く見られない画期的な効果を奏する。
度回復特性が従来技術より顕著に向上するので、処理時
間が短縮され、生産性が向上するほか、処理した基板特
性のバラツキが減少すると共に、各基板間の熱履歴差を
低減でき、基板を高温状態にしておく時間が短縮される
から、基板特性が向上するというこの種従来の縦型高速
熱処理装置には全く見られない画期的な効果を奏する。
【００１９】
【図１】本発明の実施例を示す縦断面図である。
【図２】図１の装置でボ−トが上昇する状態を示す縦断
面図である。
面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す縦断面図である。
【図５】図４の装置でボ−トが上昇する状態を示す縦断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す横断面図である。
【図７】本発明の装置と従来の装置について、温度回復
特性を測定した結果を示すグラフである。
特性を測定した結果を示すグラフである。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 反応管 ３ ボ−ト ４ ヒ−タ ５ 保温筒 ６，６′ 赤外線ランプ ７，７′ 反射板 ８ 熱電対 ９ 石英窓 １０ ハッチ １３ 石英カバ−
Claims (6)
- 【請求項１】外側からヒ−タで加熱する反応管内に、処
理基板を搭載し且つ下端に保温筒を連結したボ−トを収
容し、基板を熱処理する縦型高速熱処理装置に於いて、
前記保温筒を加熱する赤外線若しくは遠赤外線ランプ及
び／または前記処理基板を予備加熱する赤外線若しくは
遠赤外線ランプを配設したことを特徴とする縦型高速熱
処理装置。 - 【請求項２】前記反応管下端外周部近傍に、裏面に反射
板を設けた赤外線若しくは遠赤外線ランプを、リング状
に配設してなる請求項１に記載の縦型高速熱処理装置。 - 【請求項３】前記保温筒内に、反射板を具備した赤外線
若しくは遠赤外線ランプを配設し、該赤外線若しくは遠
赤外線ランプを、放射エネルギ−が通過する断熱・耐熱
性材料で形成したカバ−で前記反応管内と隔離してなる
請求項１または２に記載の縦型高速熱処理装置。 - 【請求項４】前記保温筒下端のハッチの外側に、赤外線
若しくは遠赤外線ランプを配設し、該ハッチに取着した
放射エネルギ−が通過する断熱・耐熱性材料で形成した
窓を通して、前記保温筒内へ放射エネルギ−を導入する
ように構成してなる請求項１に記載の縦型高速熱処理装
置。 - 【請求項５】前記保温筒を、炭化ケイ素をコ−テイング
したカ−ボン若しくは炭化ケイ素等の赤外線若しくは遠
赤外線領域の波長の吸収率の良い耐熱性材料で形成して
なる請求項１に記載の縦型高速熱処理装置。 - 【請求項６】前記保温筒内に、温度検知用熱電対を配設
してなる請求項１に記載の縦型高速熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24829794A JPH0888192A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 縦型高速熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24829794A JPH0888192A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 縦型高速熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888192A true JPH0888192A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=17175991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24829794A Pending JPH0888192A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 縦型高速熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888192A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001041202A1 (fr) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement thermique |
| WO2014021220A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| JP2015138948A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
| KR20190040928A (ko) | 2017-09-13 | 2019-04-19 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 히터 장치, 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP24829794A patent/JPH0888192A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001041202A1 (fr) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement thermique |
| US6444940B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-09-03 | Tokyo Electron Limited | Heat treating device and heat treating method |
| KR100638946B1 (ko) * | 1999-11-30 | 2006-10-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 열처리장치 및 열처리방법 및 보온 유니트 |
| KR100709802B1 (ko) * | 1999-11-30 | 2007-04-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 열처리장치 및 열처리방법 |
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| JP2015097270A (ja) * | 2012-07-30 | 2015-05-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム。 |
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