JPH0884A - 植物育成用光源装置 - Google Patents
植物育成用光源装置Info
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- JPH0884A JPH0884A JP13991994A JP13991994A JPH0884A JP H0884 A JPH0884 A JP H0884A JP 13991994 A JP13991994 A JP 13991994A JP 13991994 A JP13991994 A JP 13991994A JP H0884 A JPH0884 A JP H0884A
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- Japan
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- light
- light source
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- lamp
- plant
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 太陽光の採光が困難な大規模ビルの室内や地
下街において樹木等を長期間にわたり健全な状態で育
成、栽培することが可能な光源装置を提供する。 【構成】 ランプ（１）からの光をランプの後背部に設
けた反射鏡（２）で反射して植物に照射する植物育成用
光源装置であって、反射鏡（２）の反射特性が、６００
ないし７００ｎｍの波長域の反射光エネルギ総和を１０
０としたとき、４００ないし５００ｎｍの波長域の反射
光エネルギ総和が４０以上６０以下の比率であり、７０
０ｎｍ以上及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネル
ギ総和が極めて低いレベルであることを特徴とする。 【効果】 植物の成育に必要かつ充分な波長域の光線を
所定の割合で含み、他の有害な光線を含まないため、長
期間にわたり効率よく植物を健全に育成、栽培できる。
下街において樹木等を長期間にわたり健全な状態で育
成、栽培することが可能な光源装置を提供する。 【構成】 ランプ（１）からの光をランプの後背部に設
けた反射鏡（２）で反射して植物に照射する植物育成用
光源装置であって、反射鏡（２）の反射特性が、６００
ないし７００ｎｍの波長域の反射光エネルギ総和を１０
０としたとき、４００ないし５００ｎｍの波長域の反射
光エネルギ総和が４０以上６０以下の比率であり、７０
０ｎｍ以上及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネル
ギ総和が極めて低いレベルであることを特徴とする。 【効果】 植物の成育に必要かつ充分な波長域の光線を
所定の割合で含み、他の有害な光線を含まないため、長
期間にわたり効率よく植物を健全に育成、栽培できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹木等の植物を長期間
にわたって育成させるための人工照明用の光源装置に関
する。
にわたって育成させるための人工照明用の光源装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】野菜類のハウス栽培において野菜類を短
期間で栽培、収穫するための人工照明器具はこれまでに
も提供されているが、樹木等を長期間にわたって育成さ
せるためのものは提供されていない。例えば、樹木育成
用の大型のガラスケース内を太陽光を当てることなく上
記短期野菜栽培用の照明器具で照明して樹木を栽培して
みても、殆どの樹木は３ヶ月程度で枯れてしまうことが
多かった。蛍光灯のみであると１ヶ月程度で枯れてしま
う。
期間で栽培、収穫するための人工照明器具はこれまでに
も提供されているが、樹木等を長期間にわたって育成さ
せるためのものは提供されていない。例えば、樹木育成
用の大型のガラスケース内を太陽光を当てることなく上
記短期野菜栽培用の照明器具で照明して樹木を栽培して
みても、殆どの樹木は３ヶ月程度で枯れてしまうことが
多かった。蛍光灯のみであると１ヶ月程度で枯れてしま
う。
【０００３】一般に、人工照明器具は人間が物を見るの
に適するように作られたものが多く、眼の視感度（５５
０ｎｍを中心に４００〜７００ｎｍの波長域の光線を知
覚可能）には合っているが、植物を育成する太陽光とは
相当異質のものである。即ち、太陽光は連続スペクトル
であるが、タングステン電球以外の人工照明の多くは輝
線スペクトルであり、分光特性も大きく異なっているた
め、植物の長期の栽培には適していない。
に適するように作られたものが多く、眼の視感度（５５
０ｎｍを中心に４００〜７００ｎｍの波長域の光線を知
覚可能）には合っているが、植物を育成する太陽光とは
相当異質のものである。即ち、太陽光は連続スペクトル
であるが、タングステン電球以外の人工照明の多くは輝
線スペクトルであり、分光特性も大きく異なっているた
め、植物の長期の栽培には適していない。
【０００４】タングステンフィラメント等を用いた白熱
灯は赤色光部分が多いのに対して青色光部分が不足して
おり、植物の育成には不適である。ハロゲン灯も白熱灯
に比べて赤色光領域は少ないが、やはり植物の育成には
適していない。また、国際照明委員会（ＣＩＥ）は、測
色用の標準照明光源として太陽光に極めて近い分光エネ
ルギ分布を有する人工照明光源を定めているが、これら
は特殊な液体フィルタを用いるので、植物の育成用など
には応用できないものである。
灯は赤色光部分が多いのに対して青色光部分が不足して
おり、植物の育成には不適である。ハロゲン灯も白熱灯
に比べて赤色光領域は少ないが、やはり植物の育成には
適していない。また、国際照明委員会（ＣＩＥ）は、測
色用の標準照明光源として太陽光に極めて近い分光エネ
ルギ分布を有する人工照明光源を定めているが、これら
は特殊な液体フィルタを用いるので、植物の育成用など
には応用できないものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためなされたものであり、その目的とする
ところは、太陽光の採光が困難な大規模ビルの室内や地
下街において樹木等を長期間にわたって健全な状態で育
成、栽培することが可能な光源装置を提供することにあ
る。
点を解決するためなされたものであり、その目的とする
ところは、太陽光の採光が困難な大規模ビルの室内や地
下街において樹木等を長期間にわたって健全な状態で育
成、栽培することが可能な光源装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ランプか
らの光をランプの後背部に設けた反射鏡で反射して植物
に照射する植物育成用光源装置であって、反射鏡の反射
特性をランプの分光特性に応じて適宜に定めて、６００
ないし７００ｎｍの波長域の反射光エネルギ総和を１０
０としたとき、４００ないし５００ｎｍの波長域の反射
光エネルギ総和が４０以上６０以下の比率となり、７０
０ｎｍ以上及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネル
ギ総和が極めて低いレベルとなるよう構成した上記の植
物育成用光源装置によって達成できる。
らの光をランプの後背部に設けた反射鏡で反射して植物
に照射する植物育成用光源装置であって、反射鏡の反射
特性をランプの分光特性に応じて適宜に定めて、６００
ないし７００ｎｍの波長域の反射光エネルギ総和を１０
０としたとき、４００ないし５００ｎｍの波長域の反射
光エネルギ総和が４０以上６０以下の比率となり、７０
０ｎｍ以上及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネル
ギ総和が極めて低いレベルとなるよう構成した上記の植
物育成用光源装置によって達成できる。
【０００７】上記反射鏡としては、基板上に、（６００
× 1／4 ）ｎｍないし（７００× 1／4 ）ｎｍの厚さの
透明な高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に多数積層して
成る橙赤色光反射層と、（４００× 1／4 ）ｎｍないし
（５００× 1／4 ）ｎｍの厚さの透明な高屈折率膜と低
屈折率膜とを交互に多数積層して成る青紫色光反射層と
を形成し、橙赤色光反射層内の積層数と青紫色光反射層
内の積層数とを、ランプ（１）の分光特性に合わせて適
切に選定し、前者の反射光エネルギ総和を１００とした
とき後者の反射光エネルギ総和が４０以上６０以下の比
率となるように構成したものを用いることが推奨され
る。
× 1／4 ）ｎｍないし（７００× 1／4 ）ｎｍの厚さの
透明な高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に多数積層して
成る橙赤色光反射層と、（４００× 1／4 ）ｎｍないし
（５００× 1／4 ）ｎｍの厚さの透明な高屈折率膜と低
屈折率膜とを交互に多数積層して成る青紫色光反射層と
を形成し、橙赤色光反射層内の積層数と青紫色光反射層
内の積層数とを、ランプ（１）の分光特性に合わせて適
切に選定し、前者の反射光エネルギ総和を１００とした
とき後者の反射光エネルギ総和が４０以上６０以下の比
率となるように構成したものを用いることが推奨され
る。
【０００８】その場合、反射鏡の基板はガラス板であっ
てもよいし、或いは、基板が金属板又はセラミックス板
であり、当該基板の表面にケイ素、チタン又はクロムの
黒色酸化物から成る薄膜を形成し、その上に上記橙赤色
光反射層及び青紫色光反射層を形成したものであっても
よい。
てもよいし、或いは、基板が金属板又はセラミックス板
であり、当該基板の表面にケイ素、チタン又はクロムの
黒色酸化物から成る薄膜を形成し、その上に上記橙赤色
光反射層及び青紫色光反射層を形成したものであっても
よい。
【０００９】ランプの前方に、７００ｎｍ以上及び４０
０ｎｍ以下の波長域の光線を除去するダイクロイックフ
ィルタを設けたり、ランプから直接に植物へ向かう光線
を遮蔽する反射板を設けたりすることも推奨される。。
０ｎｍ以下の波長域の光線を除去するダイクロイックフ
ィルタを設けたり、ランプから直接に植物へ向かう光線
を遮蔽する反射板を設けたりすることも推奨される。。
【００１０】
【作用】上記の如き構成の光源装置であると、その分光
特性が植物の育成に最も適し、かつ、有害な波長領域を
含まないので、太陽光の届かないスペースにおいて樹木
等を長期間育成、栽培することが可能となる。
特性が植物の育成に最も適し、かつ、有害な波長領域を
含まないので、太陽光の届かないスペースにおいて樹木
等を長期間育成、栽培することが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しつゝ本発明を具体的に説
明する。図１は植物の育成に適した光源の分光特性を示
すグラフ、図２は図１に示す分光特性を有する本発明に
係る植物育成用光源装置の一実施例の要部を示す説明
図、図３は本発明に用いる反射鏡の一実施例の拡大断面
図、図４は反射鏡のもう一つの実施例の拡大断面図、図
５は本発明に係る植物育成用光源装置の別の実施例の要
部を示す説明図である。
明する。図１は植物の育成に適した光源の分光特性を示
すグラフ、図２は図１に示す分光特性を有する本発明に
係る植物育成用光源装置の一実施例の要部を示す説明
図、図３は本発明に用いる反射鏡の一実施例の拡大断面
図、図４は反射鏡のもう一つの実施例の拡大断面図、図
５は本発明に係る植物育成用光源装置の別の実施例の要
部を示す説明図である。
【００１２】図１は植物の育成に適した光源の分光特性
を示しているが、図１中のＡ区間の光線、即ち６００な
いし７００ｎｍの波長域の光線のみで植物を栽培する
と、植物は丈ばかり伸びて葉の少ない脆弱なものとな
り、一方、Ｂ区間の光線、即ち４００ないし５００ｎｍ
の波長域の光線のみで栽培すると、葉ばかりが繁って背
丈が伸びない。そこで、植物の健全な成育にはこの両者
の区間の光線が適切な比率に保たれていることが必要で
あり、Ａ区間の光線のエネルギ総和を１００としたとき
Ｂ区間の光線のエネルギ総和が４０〜６０の比率〔即
ち、Ｂ1 ／Ａ1 ＝（４０〜６０）／１００〕であるとき
に最も良好な結果が得られることが判明した。また、Ｃ
区間（波長域５００〜６００ｎｍ）の光線は、植物に吸
収されず、害も与えないが、植物の葉を緑色に見せる役
割を果たすので、鑑賞上の観点からすれば、適宜の比率
で含まれていることが望ましい。他方、波長域４００ｎ
ｍ以下の紫外線領域及び波長域７００ｎｍ以上の赤外線
領域は、植物の成育上弊害が多い。
を示しているが、図１中のＡ区間の光線、即ち６００な
いし７００ｎｍの波長域の光線のみで植物を栽培する
と、植物は丈ばかり伸びて葉の少ない脆弱なものとな
り、一方、Ｂ区間の光線、即ち４００ないし５００ｎｍ
の波長域の光線のみで栽培すると、葉ばかりが繁って背
丈が伸びない。そこで、植物の健全な成育にはこの両者
の区間の光線が適切な比率に保たれていることが必要で
あり、Ａ区間の光線のエネルギ総和を１００としたとき
Ｂ区間の光線のエネルギ総和が４０〜６０の比率〔即
ち、Ｂ1 ／Ａ1 ＝（４０〜６０）／１００〕であるとき
に最も良好な結果が得られることが判明した。また、Ｃ
区間（波長域５００〜６００ｎｍ）の光線は、植物に吸
収されず、害も与えないが、植物の葉を緑色に見せる役
割を果たすので、鑑賞上の観点からすれば、適宜の比率
で含まれていることが望ましい。他方、波長域４００ｎ
ｍ以下の紫外線領域及び波長域７００ｎｍ以上の赤外線
領域は、植物の成育上弊害が多い。
【００１３】従って、本発明に係る植物育成用光源装置
においては、６００ないし７００ｎｍの波長域（Ａ区
間）の反射光エネルギ総和を１００としたとき、４００
ないし５００ｎｍの波長域（Ｂ区間）の反射光エネルギ
総和を４０以上６０以下の比率とすると共に、７００ｎ
ｍ以上及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネルギ総
和を極めて低いレベルにするものである。
においては、６００ないし７００ｎｍの波長域（Ａ区
間）の反射光エネルギ総和を１００としたとき、４００
ないし５００ｎｍの波長域（Ｂ区間）の反射光エネルギ
総和を４０以上６０以下の比率とすると共に、７００ｎ
ｍ以上及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネルギ総
和を極めて低いレベルにするものである。
【００１４】而して、上記の如き分光特性を有する光線
の形成には、例えば図２に示したような光線の光源装置
が好適であり、図２中、１は白熱灯、ハロゲン灯等から
成るランプ、２はランプ１の後背部に配置された反射鏡
（ダイクロイックコールドミラー）である。
の形成には、例えば図２に示したような光線の光源装置
が好適であり、図２中、１は白熱灯、ハロゲン灯等から
成るランプ、２はランプ１の後背部に配置された反射鏡
（ダイクロイックコールドミラー）である。
【００１５】反射鏡２は、椀状のガラス若しくはアルミ
ニウム合金製の基板の凹面に、透明な高屈折率膜と低屈
折率膜を交互に積層して成る多層反射膜を形成した反射
鏡であり、その反射特性は、前記の如く、６００ないし
７００ｎｍの波長域の反射光エネルギ総和を１００とし
たとき、４００ないし５００ｎｍの波長域の反射光エネ
ルギ総和が４０以上６０以下の比率であり、７００ｎｍ
以上及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネルギ総和
が極めて低いレベルとなるように光線されている。この
ような反射鏡は、例えば特許第１８３４７４０号（特公
平５−２９０８１号公報参照）に係る製造方法によって
好適に作製できる。
ニウム合金製の基板の凹面に、透明な高屈折率膜と低屈
折率膜を交互に積層して成る多層反射膜を形成した反射
鏡であり、その反射特性は、前記の如く、６００ないし
７００ｎｍの波長域の反射光エネルギ総和を１００とし
たとき、４００ないし５００ｎｍの波長域の反射光エネ
ルギ総和が４０以上６０以下の比率であり、７００ｎｍ
以上及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネルギ総和
が極めて低いレベルとなるように光線されている。この
ような反射鏡は、例えば特許第１８３４７４０号（特公
平５−２９０８１号公報参照）に係る製造方法によって
好適に作製できる。
【００１６】上記反射特性を有する反射鏡の一実施例を
図３により説明する。図３中、２０はガラス基板であ
り、その上に多層反射面２３が形成されている。多層反
射面２３のうち、下半部は６００ないし７００ｎｍの波
長域の光を選択的に反射する橙赤色光反射層であり、こ
れはＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭｇＦ2 Ｇｅ等からなる透明
な薄膜であって屈折率の異なるもの２種類を交互に積層
したものである。即ち、透明な高屈折率膜２１Ａ−１，
２１Ａ−２，２１Ａ−３，２１Ａ−４，・・・と、透明
な低屈折率膜２１ａ−１，２１ａ−２，２１ａ−３・・
・とを交互に積層したものである。これらの各層の厚さ
は、反射すべき光の波長の1／4 となるように設定され
ている。即ち、（６００× 1／4 ）ｎｍないし（７００
× 1／4 ）ｎｍの厚さに設定されている。従って、例え
ば、厚さ１６３ｎｍの高屈折率膜と低屈折率膜を交互に
２０層重ねたり、或いは、１５３，１５４，１５５，〜
１７０，１７１ｎｍと段階的に厚さの異なるものを２０
層重ねてもよい。このように構成することにより、６０
０ないし７００ｎｍの波長域の光が選択的に反射され
る。多層とする理由は、１層のみでは反射率が１０〜３
０程度に過ぎないので、これを重ねることにより反射率
を高めるためである。即ち、積層数を多くする程、反射
率は高くなる。
図３により説明する。図３中、２０はガラス基板であ
り、その上に多層反射面２３が形成されている。多層反
射面２３のうち、下半部は６００ないし７００ｎｍの波
長域の光を選択的に反射する橙赤色光反射層であり、こ
れはＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭｇＦ2 Ｇｅ等からなる透明
な薄膜であって屈折率の異なるもの２種類を交互に積層
したものである。即ち、透明な高屈折率膜２１Ａ−１，
２１Ａ−２，２１Ａ−３，２１Ａ−４，・・・と、透明
な低屈折率膜２１ａ−１，２１ａ−２，２１ａ−３・・
・とを交互に積層したものである。これらの各層の厚さ
は、反射すべき光の波長の1／4 となるように設定され
ている。即ち、（６００× 1／4 ）ｎｍないし（７００
× 1／4 ）ｎｍの厚さに設定されている。従って、例え
ば、厚さ１６３ｎｍの高屈折率膜と低屈折率膜を交互に
２０層重ねたり、或いは、１５３，１５４，１５５，〜
１７０，１７１ｎｍと段階的に厚さの異なるものを２０
層重ねてもよい。このように構成することにより、６０
０ないし７００ｎｍの波長域の光が選択的に反射され
る。多層とする理由は、１層のみでは反射率が１０〜３
０程度に過ぎないので、これを重ねることにより反射率
を高めるためである。即ち、積層数を多くする程、反射
率は高くなる。
【００１７】一方、図３中の多層反射面２３のうち、上
半部は４００ないし５００ｎｍの波長域の光を選択的に
反射する青紫色光反射層であり、これも橙赤色光反射層
と同様にＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭｇＦ2 Ｇｅ等からなる
透明な薄膜であって屈折率の異なるもの２種類を交互に
積層したものである。即ち、透明な高屈折率膜２１Ｂ−
１，２１Ｂ−２，・・・と、透明な低屈折率膜２１ｂ−
１，２１ｂ−２，・・・とを交互に積層したものであ
る。但し、これらの各層の厚さは、橙赤色光反射層のそ
れより薄く、即ち、（４００× 1／4 ）ｎｍないし（５
００× 1／4 ）ｎｍの厚さに設定されている。従って、
例えば、厚さ１１３ｎｍの高屈折率膜と低屈折率膜を交
互に１０層重ねたり、或いは、１０３，１０５，１０
７，〜１１９，１２１ｎｍと段階的に厚さの異なるもの
を１０層重ねてもよい。このように構成することによ
り、４００ないし５００ｎｍの波長域の光が選択的に反
射される。
半部は４００ないし５００ｎｍの波長域の光を選択的に
反射する青紫色光反射層であり、これも橙赤色光反射層
と同様にＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭｇＦ2 Ｇｅ等からなる
透明な薄膜であって屈折率の異なるもの２種類を交互に
積層したものである。即ち、透明な高屈折率膜２１Ｂ−
１，２１Ｂ−２，・・・と、透明な低屈折率膜２１ｂ−
１，２１ｂ−２，・・・とを交互に積層したものであ
る。但し、これらの各層の厚さは、橙赤色光反射層のそ
れより薄く、即ち、（４００× 1／4 ）ｎｍないし（５
００× 1／4 ）ｎｍの厚さに設定されている。従って、
例えば、厚さ１１３ｎｍの高屈折率膜と低屈折率膜を交
互に１０層重ねたり、或いは、１０３，１０５，１０
７，〜１１９，１２１ｎｍと段階的に厚さの異なるもの
を１０層重ねてもよい。このように構成することによ
り、４００ないし５００ｎｍの波長域の光が選択的に反
射される。
【００１８】而して、上記実施例において、橙赤色光反
射層は２０層とし、青紫色光反射層は１０層としたの
は、ランプ１がこれらの波長域で均一な分光分布を有す
るとして、橙赤色光反射層の反射率を１００としたとき
青紫色光反射層の反射率を５０とするためである。実際
には、ランプ１の分光特性に合わせて両者の積層数を加
減することにより、反射鏡２の反射特性を、前記の如
く、６００ないし７００ｎｍの波長域の反射光エネルギ
総和１００に対し、４００ないし５００ｎｍの波長域の
反射光エネルギ総和が４０以上６０以下の比率となるよ
うに調整することができ、本発明の目的を達成すること
ができる。
射層は２０層とし、青紫色光反射層は１０層としたの
は、ランプ１がこれらの波長域で均一な分光分布を有す
るとして、橙赤色光反射層の反射率を１００としたとき
青紫色光反射層の反射率を５０とするためである。実際
には、ランプ１の分光特性に合わせて両者の積層数を加
減することにより、反射鏡２の反射特性を、前記の如
く、６００ないし７００ｎｍの波長域の反射光エネルギ
総和１００に対し、４００ないし５００ｎｍの波長域の
反射光エネルギ総和が４０以上６０以下の比率となるよ
うに調整することができ、本発明の目的を達成すること
ができる。
【００１９】上記の如くして反射される以外の波長域の
光は、図３の実施例においては、ガラス基板２０を通過
して反射鏡の背面から放出される。
光は、図３の実施例においては、ガラス基板２０を通過
して反射鏡の背面から放出される。
【００２０】図４に示した実施例のものは、基板２００
としてアルミニウム等の金属もしくはセラミックス基板
を用いたものであり、この場合、基板２００の表面にケ
イ素、チタン又はクロムの黒色酸化物から成る薄膜２０
１を形成し、その上に前記と同様の橙赤色光反射層及び
青紫色光反射層から成る反射面２３を形成したものであ
る。この実施例においては、反射される以外の波長域の
光は、黒色酸化物から成る薄膜２０１に吸収され、基板
２００の背面から熱となって放出される。
としてアルミニウム等の金属もしくはセラミックス基板
を用いたものであり、この場合、基板２００の表面にケ
イ素、チタン又はクロムの黒色酸化物から成る薄膜２０
１を形成し、その上に前記と同様の橙赤色光反射層及び
青紫色光反射層から成る反射面２３を形成したものであ
る。この実施例においては、反射される以外の波長域の
光は、黒色酸化物から成る薄膜２０１に吸収され、基板
２００の背面から熱となって放出される。
【００２１】図５に示した実施例は、ランプ１の前面に
ダイクロイックフィルタ３や、反射板４を設けたもので
ある。ダイクロイックフィルタ３は、反射鏡２からの反
射光中に幾分含まれる赤外線や紫外線を除去する役割を
果たす。反射板４は、光を透過しない金属板、反射鏡、
熱線を選択的に反射するダイクロイックミラー等で構成
され、ランプ１から直接植物に照射される光線を遮蔽す
るようになっている。これらのダイクロイックフィルタ
３や、反射板４は必ずしも本発明に必須の構成要素では
なく、必要に応じて採用される。
ダイクロイックフィルタ３や、反射板４を設けたもので
ある。ダイクロイックフィルタ３は、反射鏡２からの反
射光中に幾分含まれる赤外線や紫外線を除去する役割を
果たす。反射板４は、光を透過しない金属板、反射鏡、
熱線を選択的に反射するダイクロイックミラー等で構成
され、ランプ１から直接植物に照射される光線を遮蔽す
るようになっている。これらのダイクロイックフィルタ
３や、反射板４は必ずしも本発明に必須の構成要素では
なく、必要に応じて採用される。
【００２２】なお、植物の葉面への光線の照射量は、葉
面の照度が最大３０００ルクス程度となるように植物と
光源装置との距離を保ち、若しくはランプ１の出力を調
整する。
面の照度が最大３０００ルクス程度となるように植物と
光源装置との距離を保ち、若しくはランプ１の出力を調
整する。
【００２３】また、ランプ１の電源としては、太陽発電
によるものを利用することも、環境保全の観点から推奨
される。
によるものを利用することも、環境保全の観点から推奨
される。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、叙上の如く構成されるから、
本発明に係る植物育成用光源装置によるときは、太陽光
の採光が困難な大規模ビルの室内や地下街において樹木
等を長期間にわたって健全な状態で育成、栽培すること
が可能となり、都市の緑化、居住環境の改善に寄与し得
るものである。
本発明に係る植物育成用光源装置によるときは、太陽光
の採光が困難な大規模ビルの室内や地下街において樹木
等を長期間にわたって健全な状態で育成、栽培すること
が可能となり、都市の緑化、居住環境の改善に寄与し得
るものである。
【図１】植物の育成に適した光源の分光特性を示すグラ
フである。
フである。
【図２】本発明に係る植物育成用光源装置の一実施例の
要部を示す説明図である。
要部を示す説明図である。
【図３】本発明に用いる反射鏡の一実施例の拡大断面図
である。
である。
【図４】反射鏡のもう一つの実施例の拡大断面図であ
る。
る。
【図５】本発明に係る植物育成用光源装置の別の実施例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１ 光源 ２ 反射鏡 ３ ダイクロイックフィルタ ４ 反射板
Claims (6)
- 【請求項１】ランプ（１）からの光をランプの後背部に
設けた反射鏡（２）で反射して植物に照射する植物育成
用光源装置であって、 反射鏡（２）からの反射光のうち、６００ないし７００
ｎｍの波長域の反射光エネルギ総和を１００としたと
き、４００ないし５００ｎｍの波長域の反射光エネルギ
総和が４０以上６０以下の比率であり、７００ｎｍ以上
及び４００ｎｍ以下の波長域の反射光エネルギ総和が極
めて低いレベルであることを特徴とする上記の植物育成
用光源装置。 - 【請求項２】反射鏡（２）が、基板（２０，２００）上
に、（６００× 1／4 ）ｎｍないし（７００× 1／4 ）
ｎｍの厚さの透明な高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に
多数積層して成る橙赤色光反射層と、（４００× 1／4
）ｎｍないし（５００× 1／4 ）ｎｍの厚さの透明な
高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に多数積層して成る青
紫色光反射層とを形成し、橙赤色光反射層内の積層数と
青紫色光反射層内の積層数とを、ランプ（１）の分光特
性に合わせて適切に選定し、前者の反射光エネルギ総和
を１００としたとき後者の反射光エネルギ総和が４０以
上６０以下の比率となるように構成した請求項１に記載
の植物育成用光源装置。 - 【請求項３】反射鏡（２）の基板がガラス板（２０）で
ある請求項２に記載の植物育成用光源装置。 - 【請求項４】反射鏡（２）の基板が金属板又はセラミッ
クス板（２００）であり、当該基板の表面にケイ素、チ
タン又はクロムの黒色酸化物から成る薄膜（２０１）を
形成し、その上に上記橙赤色光反射層及び青紫色光反射
層を形成した請求項２に記載の植物育成用光源装置。 - 【請求項５】ランプ（１）の前方に、７００ｎｍ以上及
び４００ｎｍ以下の波長域の光線を除去するダイクロイ
ックフィルタ（３）を設けた請求項１から４までのいず
れか１項に記載の植物育成用光源装置。 - 【請求項６】ランプ（１）の前方に、ランプから直接に
植物へ向かう光線を遮蔽する反射板（４）を設けた請求
項１から５までのいずれか１項に記載の植物育成用光源
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13991994A JPH0884A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 植物育成用光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13991994A JPH0884A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 植物育成用光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0884A true JPH0884A (ja) | 1996-01-09 |
Family
ID=15256711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13991994A Pending JPH0884A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 植物育成用光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0884A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011024504A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 植物用紫外光照射装置 |
| JP2012239417A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Ushio Inc | 植物育成用光源装置 |
| JP2013059348A (ja) * | 2012-12-18 | 2013-04-04 | Iwasaki Electric Co Ltd | 植物育成用光源 |
| JP2013147584A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Solidlite Corp | 植物育成用発光ダイオード |
| JP2015512147A (ja) * | 2012-02-03 | 2015-04-23 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニアＴｈｅ Ｒｅｇｅｎｔｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ | 植物成長用のルミネセンス発電ウィンドウ |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP13991994A patent/JPH0884A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011024504A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 植物用紫外光照射装置 |
| JP2012239417A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Ushio Inc | 植物育成用光源装置 |
| JP2013147584A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Solidlite Corp | 植物育成用発光ダイオード |
| JP2015512147A (ja) * | 2012-02-03 | 2015-04-23 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニアＴｈｅ Ｒｅｇｅｎｔｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ | 植物成長用のルミネセンス発電ウィンドウ |
| JP2013059348A (ja) * | 2012-12-18 | 2013-04-04 | Iwasaki Electric Co Ltd | 植物育成用光源 |
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