JPH088159A - Scanning type exposure system - Google Patents

Scanning type exposure system

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JPH088159A
JPH088159A JP6135615A JP13561594A JPH088159A JP H088159 A JPH088159 A JP H088159A JP 6135615 A JP6135615 A JP 6135615A JP 13561594 A JP13561594 A JP 13561594A JP H088159 A JPH088159 A JP H088159A
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JP
Japan
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stage
speed
mask
scanning
reticle
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JP6135615A
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Japanese (ja)
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Susumu Makinouchi
進 牧野内
Toshio Ueda
稔夫 上田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03F7/70216—Mask projection systems
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To shorten the time required synchronization after the start of the acceleration of a mask (reticle, etc.) or a photosensitive board (wafer, etc.). CONSTITUTION:An inching stage for finely adjusting position or speed is provided on a rough moving stage for scanning on the side of a reticle. Based on the speed command signal from a speed command generating means 41, the speeds of a wafer stage and a rough moving stage for a reticle are controlled through a wafer stage speed control system 52 and a reticle rough moving stage speed control system 54, and based on the relative position difference between the inching stage on reticle side and the wafer stage and the relative speed difference between the rough moving stage and the wafer stage, the speed of the inching stage is controlled through a reticle inching stage speed control system 56. A notch fitter means 58 for removing the ingredients of machine resonance frequency of the inching stage is arranged inside the loop for feeding the relative speed difference forward.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に、所謂スリットスキャン方式、又はステップ・アンド
・スキャン方式等でマスクパターンを逐次ウエハ上に転
写露光する走査型露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention, for example, when manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device by a photolithography process, a mask pattern is sequentially formed on a wafer by a so-called slit scan system or step-and-scan system. The present invention relates to a scanning exposure device that performs transfer exposure.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子又は薄膜磁気
ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、レ
チクル（又はフォトマスク等）のパターンをフォトレジ
ストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に
転写する投影露光装置が使用されている。従来の投影露
光装置としては、ウエハの各ショット領域を順次投影光
学系の露光フィールド内に移動させて、各ショット領域
に順次レチクルのパターン像を一括露光するというステ
ップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光装置（ス
テッパー）が多く使用されていた。2. Description of the Related Art When manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, a thin film magnetic head, or the like by a photolithography process, a reticle (or photomask, etc.) pattern is formed on a wafer (or a glass plate, etc.) coated with a photoresist. A projection exposure apparatus that transfers to A conventional projection exposure apparatus is a step-and-repeat reduction projection in which each shot area on the wafer is sequentially moved into the exposure field of the projection optical system to sequentially expose the pattern images of the reticle to each shot area collectively. The mold exposure device (stepper) was often used.

【０００３】これに対して最近、転写対象パターンの大
面積化及び投影光学系の露光フィールドの制限等に応え
るために、例えば細長い矩形状、円弧状、又は複数個の
台形状等の照明領域（これを「スリット状の照明領域」
という）に対してレチクルを走査し、その照明領域と共
役な露光領域に対してレチクルの走査と同期してウエハ
を走査することにより、レチクル上のパターンの像を逐
次ウエハ上に露光する所謂スリットスキャン方式の投影
露光装置が注目されている。また、ウエハ上の複数のシ
ョット領域にそれぞれスリットスキャン方式で露光を行
う場合、或るショット領域から次のショット領域への移
動はステッピング方式で行われるため、このような露光
方式はステップ・アンド・スキャン方式とも呼ばれてい
る。このようなスリットスキャン方式、又はステップ・
アンド・スキャン方式等の走査露光方式の露光装置で
は、レチクル側のステージとウエハ側のステージとを同
期させた状態で且つそれぞれ所定の走査速度で安定に走
査する必要がある。On the other hand, recently, in order to respond to the increase in the area of the pattern to be transferred and the limitation of the exposure field of the projection optical system, for example, an illumination area having an elongated rectangular shape, an arc shape or a plurality of trapezoidal shapes ( This is the "slit-shaped illumination area"
A slit is used to sequentially expose the image of the pattern on the reticle onto the wafer by scanning the reticle with respect to the illuminating area and the exposure area that is conjugate with the illumination area in synchronism with the reticle scanning. A scan type projection exposure apparatus is drawing attention. Further, when a plurality of shot areas on the wafer are each exposed by the slit scan method, the movement from one shot area to the next shot area is performed by the stepping method. It is also called the scan method. Such a slit scan method, or step
In a scanning exposure type exposure apparatus such as an AND-scan type, it is necessary to perform stable scanning at a predetermined scanning speed while the reticle side stage and the wafer side stage are synchronized.

【０００４】図８（ａ）は従来の走査露光方式の投影露
光装置を示し、この図８（ａ）において、照明光学系Ｉ
Ｌから射出された露光光ＥＬは、レチクルステージＲＳ
Ｔ上に保持されたレチクル１２上のスリット状の照明領
域３２を均一な照度で照明する。その照明領域３２内の
レチクル１２のパターンの像が投影光学系８を介して、
フォトレジストが塗布されたウエハ５上に投影露光され
る。ウエハ５は、ウエハステージＷＳＴ上に保持され、
ウエハステージＷＳＴは、投影光学系８の光軸に垂直な
ＸＹ平面内で、及び投影光学系８の光軸に平行なＺ方向
にウエハ５を移動させる。また、スリット状の照明領域
３２と投影光学系８に関して共役なウエハ５上の領域を
スリット状の露光領域３２Ｗ、投影光学系８のレチクル
１２からウエハ５に対する投影倍率をβとする。FIG. 8 (a) shows a conventional scanning exposure type projection exposure apparatus. In FIG. 8 (a), an illumination optical system I is shown.
The exposure light EL emitted from L is the reticle stage RS.
The slit-shaped illumination area 32 on the reticle 12 held on T is illuminated with a uniform illuminance. An image of the pattern of the reticle 12 in the illumination area 32 is transmitted via the projection optical system 8.
Projection exposure is performed on the wafer 5 coated with the photoresist. The wafer 5 is held on the wafer stage WST,
Wafer stage WST moves wafer 5 in the XY plane perpendicular to the optical axis of projection optical system 8 and in the Z direction parallel to the optical axis of projection optical system 8. Further, an area on the wafer 5 that is conjugate with the slit-shaped illumination area 32 and the projection optical system 8 is a slit-shaped exposure area 32W, and the projection magnification from the reticle 12 of the projection optical system 8 to the wafer 5 is β.

【０００５】走査露光方式で露光を行う際には、レチク
ルステージＲＳＴを介してレチクル１２が、照明領域３
２に対して例えば−Ｙ方向に速度ＶR で走査されるのに
同期して、ウエハステージＷＳＴを介してウエハＷが、
露光領域３２Ｗに対してＹ方向に速度ＶW(同期が完全に
取れているときにはβ・ＶR と等しい）で走査される。
これにより、図５（ｂ）に示すように、ウエハ５上の或
るショット領域ＳＡが露光領域３２Ｗに対してＹ方向に
走査され、そのショット領域ＳＡにレチクル１２のパタ
ーン像が投影露光される。When exposure is performed by the scanning exposure method, the reticle 12 is moved through the reticle stage RST and the illumination area 3 is illuminated.
Synchronized to 2, for example being scanned at a velocity V R in the -Y direction, the wafer W via the wafer stage WST,
The exposure area 32W is scanned in the Y direction at a speed V W (equal to βV R when synchronization is perfectly established).
As a result, as shown in FIG. 5B, a shot area SA on the wafer 5 is scanned in the Y direction with respect to the exposure area 32W, and the pattern image of the reticle 12 is projected and exposed on the shot area SA. .

【０００６】この種の走査露光方式の投影露光装置にお
いては、レチクル１２及びウエハ５が正確な同期走査を
行うことが必要であり、この目的のために用いられる従
来の制御系は次のような構成であった。図９は従来の制
御系の機能ブロック図（ブロック線図）であり、この図
９において、ウエハ側速度制御系６１がウエハステージ
ＷＳＴを所定の速度特性で駆動し、レチクル側速度制御
系６５がレチクルステージＲＳＴを所定の速度特性で駆
動する。これは逆でも構わない。先ず、走査速度を示す
速度指令信号がウエハ側速度制御系６１に入力される。
ウエハ側速度制御系６１はウエハステージＷＳＴのＹ方
向への速度を上げて行き、ウエハステージＷＳＴのＹ方
向への速度ＶW が速度指令と一致する様に制御を行う。
ウエハステージＷＳＴの位置は一般にレーザ干渉計によ
り直接計測されるが、図９ではブロック線図の習慣に従
い、ウエハ側速度制御系６１から出力される速度信号
（即ち速度ＶW を示す信号）に乗算器６２にて１／βを
乗じて、速度ＶW をレチクル側に換算した速度に対応す
る信号を算出する。そして、その速度信号を積分器６３
に供給し、積分器６３の出力信号をウエハステージＷＳ
Ｔのレチクル側に換算したＹ方向の位置ＹW を示す位置
信号としている。In this type of scanning exposure type projection exposure apparatus, it is necessary for the reticle 12 and the wafer 5 to perform accurate synchronous scanning, and a conventional control system used for this purpose is as follows. It was a composition. FIG. 9 is a functional block diagram (block diagram) of a conventional control system. In FIG. 9, the wafer-side speed control system 61 drives the wafer stage WST with a predetermined speed characteristic, and the reticle-side speed control system 65 is shown. The reticle stage RST is driven with a predetermined speed characteristic. This can be reversed. First, a speed command signal indicating the scanning speed is input to the wafer side speed control system 61.
Wafer-side speed control system 61 increases the speed of wafer stage WST in the Y direction, and controls so that speed V W of wafer stage WST in the Y direction matches the speed command.
The position of wafer stage WST is generally measured directly by a laser interferometer, but in FIG. 9, the speed signal output from wafer side speed control system 61 (that is, a signal indicating speed V W ) is multiplied according to the custom of the block diagram. The device 62 multiplies 1 / β to calculate a signal corresponding to the speed obtained by converting the speed V W to the reticle side. Then, the speed signal is converted into an integrator 63
And outputs the output signal of the integrator 63 to the wafer stage WS.
The position signal indicates the position Y W in the Y direction converted to the reticle side of T.

【０００７】これは、速度信号をアナログ信号やデジタ
ルデータの演算によって位置信号に変換することを意味
しているのではなく、物理的には速度を積分したものが
位置であるため、その様に表現しているに過ぎない。同
様に、レチクル側速度制御系６５から出力される速度信
号（速度ＶR を示す信号）を積分器６６に供給し、積分
器６６の出力信号をレチクルステージＲＳＴのＹ方向の
位置ＹR を示す位置信号としている。積分器６３からの
位置ＹW を示す信号及び積分器６６からの位置ＹR を示
す信号がそれぞれ減算器６４の入力部に供給され、減算
器６４から出力される位置差（ＹW-ＹR)を示す信号がレ
チクル側速度制御系６５に供給されている。This does not mean that the speed signal is converted into a position signal by calculation of an analog signal or digital data, and the position is physically obtained by integrating the speed. I'm just expressing it. Shown Similarly, by supplying the speed signal output from the reticle side speed control system 65 (signal indicating the speed V R) to an integrator 66, a position Y R of the output signal of the Y direction of the reticle stage RST integrator 66 It is used as a position signal. The signal indicating the position Y W from the integrator 63 and the signal indicating the position Y R from the integrator 66 are respectively supplied to the input section of the subtracter 64, and the position difference (Y W -Y R ) Is supplied to the reticle side speed control system 65.

【０００８】さて、ウエハ側速度制御系６１によってウ
エハステージＷＳＴが速度指令信号に追従する様に動き
始めると、減算器６４からのレチクルステージＲＳＴの
位置ＹR とウエハステージＷＳＴの位置ＹW との差分を
示す信号が変化し、これがレチクル側速度制御系６５に
供給されてレチクル１２をその差分が示す方向に加速す
る。レチクル側速度制御系６５は一般に積分作用をもつ
ＰＩＤ制御器（比例、積分、及び微分制御器）等から構
成され、ウエハステージの位置ＹW とレチクルステージ
の位置ＹR とが一致するまで加速を行う。この結果、最
終的にはレチクル１２とウエハ５とが同期して走査され
る。When the wafer side speed control system 61 starts to move the wafer stage WST so as to follow the speed command signal, the position Y R of the reticle stage RST and the position Y W of the wafer stage WST from the subtractor 64 are set. The signal indicating the difference changes and is supplied to the reticle side speed control system 65 to accelerate the reticle 12 in the direction indicated by the difference. The reticle speed control system 65 is generally composed of a PID controller (proportional, integral, and derivative controller) having an integral action, and accelerates until the wafer stage position Y W and the reticle stage position Y R match. To do. As a result, finally, the reticle 12 and the wafer 5 are synchronously scanned.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
においては、速度指令信号がウエハ側速度制御系６１に
供給され、レチクル側速度制御系６５には、ウエハステ
ージの位置ＹW とレチクルステージの位置ＹR との差分
を示す信号が供給されている。即ち、常にウエハステー
ジＷＳＴが移動したのを検出してから、レチクルステー
ジＷＳＴの走査速度の増減が行われるため、レチクル及
びウエハの加速開始から同期が取られるまでの時間が長
くかかるという不都合があった。In the prior art as described above, the speed command signal is supplied to the wafer side speed control system 61, and the reticle side speed control system 65 is provided with the wafer stage position Y W and the reticle stage. A signal indicating the difference from the position Y R is supplied. That is, since the scanning speed of the reticle stage WST is constantly increased or decreased after the movement of the wafer stage WST is detected, it takes a long time from the start of acceleration of the reticle and the wafer to the synchronization. It was

【００１０】本発明は斯かる点に鑑み、走査露光方式の
露光装置において、マスク（レチクル等）及び感光性の
基板（ウエハ等）の加速開始から同期が取られるまでの
時間を短縮することを目的とする。In view of the above problems, the present invention aims to shorten the time from the start of acceleration of a mask (reticle or the like) and a photosensitive substrate (wafer or the like) to synchronization in an exposure apparatus of the scanning exposure type. To aim.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明による第１の走査
型投影露光装置は、例えば図３及び図４に示すように、
転写用のパターンが形成されたマスク（１２）上の所定
形状の照明領域を露光用の照明光で照明し、マスク側ス
テージ（１０，１１）を介してマスク（１２）をその所
定形状の照明領域に対して所定の方向に走査するのと同
期して、基板側ステージ（２）を介して感光性の基板
（５）を所定の方向に走査することにより、基板（５）
上にマスク（１２）のパターンを逐次露光する走査型露
光装置において、マスク側ステージ（１０，１１）及び
基板側ステージ（２）の走査速度を計測する速度計測手
段（２３，４４１，１３Ｙ１，４７）と、それらマスク
側ステージ及び基板側ステージの少なくとも一方の目標
走査速度に応じた速度指令信号を発生する速度設定手段
（４１）とを有する。A first scanning projection exposure apparatus according to the present invention is, for example, as shown in FIGS.
Illuminating an illumination area of a predetermined shape on the mask (12) on which the transfer pattern is formed with illumination light for exposure, and illuminating the mask (12) of the predetermined shape via the mask-side stage (10, 11). By scanning the photosensitive substrate (5) in a predetermined direction through the substrate-side stage (2) in synchronization with scanning the region in a predetermined direction, the substrate (5)
In a scanning type exposure apparatus that sequentially exposes a pattern of a mask (12) on it, speed measuring means (23, 441, 13Y1, 47) for measuring the scanning speed of the mask side stage (10, 11) and the substrate side stage (2). ) And speed setting means (41) for generating a speed command signal according to the target scanning speed of at least one of the mask side stage and the substrate side stage.

【００１２】更に本発明は、この速度設定手段から発生
された速度指令信号に応じてマスク側ステージ（１０，
１１）及び基板側ステージ（２）の走査速度を制御する
ステージ速度制御手段（５２，５４，５６）と、そのマ
スク側ステージとその基板側ステージとの相対速度差に
応じた信号をステージ速度制御手段（５２，５４，５
６）の速度指令信号に加算する演算手段（４５，５０）
と、この演算手段からそのステージ速度制御手段に供給
される信号から所定の周波数成分を除くフィルタ手段
（５８）とを有するものである。Further, according to the present invention, the mask side stage (10, 10) is responsive to the speed command signal generated from the speed setting means.
11) and stage speed control means (52, 54, 56) for controlling the scanning speed of the substrate side stage (2), and a stage speed control for a signal according to the relative speed difference between the mask side stage and the substrate side stage. Means (52, 54, 5
Calculation means (45, 50) for adding to the speed command signal of 6)
And a filter means (58) for removing a predetermined frequency component from the signal supplied from the arithmetic means to the stage speed control means.

【００１３】この場合、フィルタ手段（５８）により除
かれる所定の周波数成分の一例は、マスク側ステージ
（１０，１１）及び基板側ステージ（２）の少なくとも
一部の機械共振周波数成分である。また、本発明の第２
の走査型露光装置は、例えば図３及び図４に示すよう
に、マスク（１２）を走査するマスク側ステージ（１
０）と、感光性の基板（５）を走査する基板側ステージ
（２）とを有し、マスク（１２）上の所定形状の照明領
域を露光用の照明光で照明した状態で、その所定形状の
照明領域に対してマスク（１２）を所定の方向に走査す
るのと同期して基板（５）を所定の方向に走査すること
により、基板（５）上にマスク（１２）のパターンを逐
次露光する走査型露光装置において、マスク（１２）又
は基板（５）の位置を微調整する微動ステージ（１１）
と、マスク側ステージ（１０）及び基板側ステージ
（２）の走査速度を計測する速度計測手段（２３，４
４，１３Ｙ１，４７）と、微動ステージ（１１）により
調整された後のマスク側ステージ（１０）及び基板側ス
テージ（２）の位置を計測する位置計測手段（１４ｙ
１，１３Ｙ１）とを有する。In this case, an example of the predetermined frequency component removed by the filter means (58) is the mechanical resonance frequency component of at least a part of the mask side stage (10, 11) and the substrate side stage (2). The second aspect of the present invention
The scanning type exposure apparatus of FIG. 3 is, for example, as shown in FIGS. 3 and 4, a mask side stage (1) for scanning a mask (12).
0) and a substrate-side stage (2) for scanning the photosensitive substrate (5), and illuminating an illumination area of a predetermined shape on the mask (12) with exposure illumination light, The pattern of the mask (12) is formed on the substrate (5) by scanning the substrate (5) in a predetermined direction in synchronization with the scanning of the mask (12) in a predetermined direction with respect to the shaped illumination area. A fine movement stage (11) for finely adjusting the position of the mask (12) or the substrate (5) in a scanning type exposure apparatus that sequentially exposes
And a speed measuring means (23, 4) for measuring the scanning speed of the mask side stage (10) and the substrate side stage (2).
4, 13Y1, 47) and position measuring means (14y) for measuring the positions of the mask side stage (10) and the substrate side stage (2) after being adjusted by the fine movement stage (11).
1, 13Y1).

【００１４】更に、本発明は、マスク側ステージ（１
０）及び基板側ステージ（２）の少なくとも一方の目標
走査速度に応じた速度指令信号を発生する速度設定手段
（４１）と、この速度設定手段から発生された速度指令
信号に応じてマスク側ステージ（１０）及び基板側ステ
ージ（２）の走査速度を制御するステージ速度制御手段
（５２，５４）と、マスク側ステージ（１０）と基板側
ステージ（２）との相対位置差に応じた速度指令信号に
基づいて微動ステージ（１０）の速度を制御する微動ス
テージ制御手段（５５，５６）と、マスク側ステージ
（１０）と基板側ステージ（２）との相対速度差に応じ
た信号を微動ステージ制御手段（５５，５６）の速度指
令信号に加算する演算手段（４５，５０）と、この演算
手段より微動ステージ制御手段（５５，５６）に供給さ
れる信号から微動ステージ（１１）の機械共振周波数成
分を除くフィルタ手段（５８）と、を備えたものであ
る。Further, according to the present invention, the mask side stage (1
0) and the substrate side stage (2), a speed setting means (41) for generating a speed command signal according to a target scanning speed, and a mask side stage according to the speed command signal generated from the speed setting means. (10) and stage speed control means (52, 54) for controlling the scanning speed of the substrate side stage (2), and a speed command according to the relative position difference between the mask side stage (10) and the substrate side stage (2). A fine movement stage control means (55, 56) for controlling the speed of the fine movement stage (10) based on the signal, and a signal according to the relative speed difference between the mask side stage (10) and the substrate side stage (2). The fine movement scan is performed from the arithmetic means (45, 50) to be added to the speed command signal of the control means (55, 56) and the signal supplied from this arithmetic means to the fine movement stage control means (55, 56). And filter means (58) except for the mechanical resonance frequency component of the over-di (11), those having a.

【００１５】また、本発明の第３の走査型露光装置は、
例えば図３及び図６に示すように、マスク（１２９を走
査するマスク側ステージ（１０）と、感光性の基板
（５）を走査する基板側ステージ（２）とを有し、その
マスク上の所定形状の照明領域を露光用の照明光で照明
した状態で、その所定形状の照明領域に対してマスク
（１２）を所定の方向に走査するのと同期して基板
（５）を所定の方向に走査することにより、基板（５）
上にマスク（１２）のパターンを逐次露光する走査型露
光装置において、マスク側ステージ（１０）及び基板側
ステージ（２）の走査速度を計測する速度計測手段（２
３，４４，１３Ｙ１，４７）と、マスク側ステージ（１
０）及び基板側ステージ（２）の位置を計測する位置計
測手段（２３，１３Ｙ１）とを有する。The third scanning type exposure apparatus of the present invention is
For example, as shown in FIGS. 3 and 6, a mask (a mask-side stage (10) for scanning 129 and a substrate-side stage (2) for scanning a photosensitive substrate (5) are provided on the mask. The substrate (5) is moved in a predetermined direction in synchronization with scanning of the mask (12) in a predetermined direction with respect to the predetermined shaped illumination region in a state where the predetermined shaped illumination region is illuminated by the exposure illumination light. By scanning the substrate (5)
In a scanning type exposure apparatus that sequentially exposes a pattern of a mask (12) on it, speed measuring means (2) for measuring the scanning speed of the mask side stage (10) and the substrate side stage (2).
3,44,13Y1,47) and the mask side stage (1
0) and the position measuring means (23, 13Y1) for measuring the positions of the substrate side stage (2).

【００１６】更に本発明は、マスク側ステージ（１０）
及び基板側ステージ（２）の少なくとも一方の目標走査
速度に応じた速度指令信号を発生する速度設定手段（４
１）と、この速度設定手段から発生された速度指令信号
に基づいてマスク側ステージ（１０）及び基板側ステー
ジ（２）の走査速度を制御するステージ速度制御手段
（５２，５６）と、マスク側ステージ（１０）と基板側
ステージ（２）との相対位置差に応じた信号を用いてス
テージ速度制御手段（５２，５６）の速度指令信号を調
整する位置情報帰還手段（４３，５０）と、マスク側ス
テージ（１０）と基板側ステージ（２）との相対速度差
に応じた信号をステージ速度制御手段（５２，５６）の
速度指令信号に加算する速度情報帰還手段（４５，５
０）と、を備えたものである。The present invention further provides a mask side stage (10).
And speed setting means (4) for generating a speed command signal according to the target scanning speed of at least one of the substrate side stage (2)
1), stage speed control means (52, 56) for controlling the scanning speed of the mask side stage (10) and the substrate side stage (2) based on the speed command signal generated from the speed setting means, and the mask side Position information feedback means (43, 50) for adjusting the speed command signal of the stage speed control means (52, 56) using a signal corresponding to the relative position difference between the stage (10) and the substrate side stage (2), Speed information feedback means (45, 5) for adding a signal according to the relative speed difference between the mask side stage (10) and the substrate side stage (2) to the speed command signal of the stage speed control means (52, 56).
0) and.

【００１７】[0017]

【作用】斯かる本発明の第１の走査型露光装置によれ
ば、例えば投影倍率βの投影光学系が使用されるものと
して、マスク側ステージ（１０，１１）の走査速度をＶ
Rとすると、マスク（１２）のパターンを基板（５）上
に露光している際には、基板側ステージ（２）の走査速
度ＶW をβ・ＶR にする必要がある。そこで、走査開始
後に演算手段（４５，５０）により、マスク側ステージ
と基板側ステージとの相対速度差（マスク側に換算した
値で（ＶW/β−ＶR ））に応じた信号を求め、この信号
をステージ速度制御手段（５２，５４，５６）の速度指
令信号に加算する。これにより、フィードフォワード方
式で制御が行われるため、マスク側ステージと基板側ス
テージとの同期が取られるまでの時間が短縮される。According to the first scanning type exposure apparatus of the present invention, assuming that the projection optical system having the projection magnification β is used, the scanning speed of the mask side stage (10, 11) is set to V.
When R, in the exposure of the pattern of the mask (12) on the substrate (5), it is necessary to set the scanning speed V W of the substrate stage (2) to β · V R. Therefore, the calculation means (45, 50) after the start of scanning, obtains a signal corresponding to the relative speed difference between the mask-side stage and the substrate-side stage (a value converted to a mask side (V W / β-V R )) This signal is added to the speed command signal of the stage speed control means (52, 54, 56). As a result, the control is performed by the feed-forward method, so that the time until the mask-side stage and the substrate-side stage are synchronized is shortened.

【００１８】更に、このように相対速度差に応じた信号
でステージを駆動すると、ステージの一部の機械共振等
が起こり、動作が不安定になる恐れがある。そこで、そ
の機械共振周波数成分のような振動を起こし易い周波数
成分をフィルタ手段（５８）により除去している。フィ
ルタ手段（５８）としては、ノッチフィルタ、又はバン
ドエリミネートフィルタ等が使用できる。Further, when the stage is driven by the signal according to the relative speed difference in this way, mechanical resonance or the like of a part of the stage occurs, and the operation may become unstable. Therefore, the frequency component that easily causes vibrations such as the mechanical resonance frequency component is removed by the filter means (58). A notch filter, a band eliminate filter or the like can be used as the filter means (58).

【００１９】次に、本発明の第２の走査型露光装置によ
れば、それぞれマスク（１２）及び基板（５）を所定の
走査速度で走査するためのマスク側ステージ（１０）及
び基板側ステージ（２）の他に、マスク（１２）又は基
板（５）の位置を微調整するための微動ステージ（１
１）が設けられている。この場合、マスク側ステージ
（１０）又は基板側ステージ（２）に比べて微動ステー
ジ（１１）は小型化し易いため、微動ステージ（１１）
の応答速度は高速化できる。従って、マスク側ステージ
（１０）と基板側ステージ（２）との相対位置差、及び
相対速度差に基づいて微動ステージ（１１）の速度を制
御することにより、走査開始から同期が取られるまでの
時間が短縮される。しかも、相対速度差に応じて微動ス
テージ制御手段（５６）に供給される信号から機械共振
周波数成分が除去されているため、相対速度差に応じた
信号を用いて制御を行っても、微動ステージ（１１）の
機械共振は発生しない。Next, according to the second scanning type exposure apparatus of the present invention, the mask side stage (10) and the substrate side stage for respectively scanning the mask (12) and the substrate (5) at a predetermined scanning speed. Besides (2), a fine movement stage (1) for finely adjusting the position of the mask (12) or the substrate (5).
1) is provided. In this case, the fine movement stage (11) is easily miniaturized as compared with the mask side stage (10) or the substrate side stage (2).
The response speed of can be increased. Therefore, by controlling the speed of the fine movement stage (11) based on the relative position difference between the mask side stage (10) and the substrate side stage (2) and the relative speed difference, from the start of scanning until synchronization is achieved. Time is reduced. Moreover, since the mechanical resonance frequency component is removed from the signal supplied to the fine movement stage control means (56) according to the relative speed difference, even if control is performed using the signal according to the relative speed difference, the fine movement stage The mechanical resonance of (11) does not occur.

【００２０】次に、本発明の第３の走査型露光装置によ
れば、図３及び図６に示すように、速度設定手段（４
１）からの速度指令信号に基づいて例えば基板側ステー
ジ（２）の走査速度が制御される。そして、位置情報帰
還手段（４３，５０）により、マスク側ステージ（１
０）と基板側ステージ（２）と相対位置差に応じた信号
がマスク側ステージ（１０）の速度指令信号として帰還
される。更に、速度情報帰還手段（４５，５０）によ
り、マスク側ステージ（１０）と基板側ステージ（２）
と相対速度差に応じた信号がマスク側ステージ（１０）
の速度指令信号として帰還される。従って、図９の従来
例のように相対位置差に応じた信号のみを帰還させる方
式に比べて同期が取られるまでの時間が短縮される。Next, according to the third scanning type exposure apparatus of the present invention, as shown in FIGS. 3 and 6, speed setting means (4
For example, the scanning speed of the substrate side stage (2) is controlled based on the speed command signal from 1). Then, by the position information feedback means (43, 50), the mask side stage (1
0) and the signal corresponding to the relative position difference between the substrate side stage (2) are fed back as the speed command signal of the mask side stage (10). Further, by the velocity information feedback means (45, 50), the mask side stage (10) and the substrate side stage (2).
And the signal corresponding to the relative speed difference is the mask side stage (10)
It is fed back as the speed command signal of. Therefore, as compared with the conventional example of FIG. 9 in which only the signal corresponding to the relative position difference is fed back, the time required for synchronization is shortened.

【００２１】[0021]

【実施例】以下、本発明による走査型露光装置の第１実
施例につき図１〜図５を参照して説明する。図１は本実
施例のステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置
を示し、この図１において、図示省略された照明光学系
からの露光光ＥＬによる矩形の照明領域（以下、「スリ
ット状の照明領域」という）によりレチクル１２上のパ
ターンが照明され、そのパターンの像が投影光学系８を
介してウエハ５上に投影露光される。走査露光方式で露
光が行われている際には、露光光ＥＬのスリット状の照
明領域に対して、レチクル１２が図１の紙面に対して手
前方向（Ｙ軸の負の方向）に一定速度ＶR で走査される
のに同期して、ウエハ５は図１の紙面に対して向こう側
（Ｙ軸の正の方向）に一定速度β・ＶR(βは投影光学系
８の投影倍率）で走査される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the scanning type exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 shows a step-and-scan projection exposure apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, a rectangular illumination area (hereinafter referred to as “slit-shaped illumination”) is formed by exposure light EL from an illumination optical system (not shown). A pattern on the reticle 12 is illuminated by a region, and an image of the pattern is projected and exposed on the wafer 5 via the projection optical system 8. When the exposure is performed by the scanning exposure method, the reticle 12 moves at a constant speed in the front direction (the negative direction of the Y axis) with respect to the paper surface of FIG. 1 with respect to the slit-shaped illumination area of the exposure light EL. In synchronism with the scanning at V R , the wafer 5 moves at a constant velocity β · V R (β is the projection magnification of the projection optical system 8) on the other side (the positive direction of the Y axis) with respect to the paper surface of FIG. Scanned in.

【００２２】レチクル１２及びウエハ５の駆動系につい
て説明するに、レチクル支持台９上にＹ軸方向（図１の
紙面に垂直な方向）に駆動自在なレチクルＹ軸駆動ステ
ージ１０が載置され、レチクルＹ軸駆動ステージ１０上
にレチクル微小駆動ステージ１１が載置され、レチクル
微小駆動ステージ１１上にレチクル１２が真空吸着によ
り保持されている。レチクル微小駆動ステージ１１は、
投影光学系８の光軸に垂直な面内で図１の紙面に平行な
Ｘ方向、Ｙ方向及び回転方向（θ方向）にそれぞれ微小
量だけ且つ高精度にレチクル１２の位置制御を行う。レ
チクル微小駆動ステージ１１上には移動鏡２１が配置さ
れ、レチクル支持台９上に配置されたレチクル側の干渉
計１４によって、常時レチクル微小駆動ステージ１１の
Ｘ方向、Ｙ方向及びθ方向の位置がモニターされてい
る。干渉計１４により得られた位置情報Ｓ１が主制御系
２２Ａに供給されている。また、後述するように本例で
は、レチクルＹ軸駆動ステージ１０のＹ方向（走査方
向）の位置も干渉計により常時計測されている（図２
（ｂ）参照）。The drive system for the reticle 12 and the wafer 5 will be described. A reticle Y-axis drive stage 10 which is freely movable in the Y-axis direction (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1) is placed on the reticle support base 9. A reticle micro-driving stage 11 is placed on the reticle Y-axis driving stage 10, and a reticle 12 is held on the reticle micro-driving stage 11 by vacuum suction. The reticle micro-driving stage 11 is
Within the plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system 8, the position of the reticle 12 is controlled with a small amount and with high precision in the X direction, the Y direction and the rotation direction (θ direction) parallel to the paper surface of FIG. The movable mirror 21 is arranged on the reticle micro-driving stage 11, and the position of the reticle micro-driving stage 11 in the X direction, Y direction, and θ direction is constantly maintained by the reticle-side interferometer 14 arranged on the reticle support base 9. Being monitored. The position information S1 obtained by the interferometer 14 is supplied to the main control system 22A. Further, as will be described later, in this example, the position of the reticle Y-axis drive stage 10 in the Y direction (scanning direction) is also constantly measured by the interferometer (FIG. 2).
(B)).

【００２３】一方、ウエハ支持台１上には、Ｙ軸方向に
駆動自在なウエハＹ軸駆動ステージ２が載置され、その
上にＸ軸方向に駆動自在なウエハＸ軸駆動ステージ３が
載置され、その上にＺθ軸駆動ステージ４が設けられ、
このＺθ軸駆動ステージ４上にウエハ５が真空吸着によ
って保持されている。Ｚθ軸駆動ステージ４上にも移動
鏡７が固定され、外部に配置されたウエハ側の干渉計１
３により、Ｚθ軸駆動ステージ４のＸ方向、Ｙ方向及び
θ方向の位置がモニターされ、干渉計１３により得られ
た位置情報も主制御系２２Ａに供給されている。主制御
系２２Ａは、ウエハ駆動装置２２Ｂ等を介してウエハＹ
軸駆動ステージ２〜Ｚθ軸駆動ステージ４の位置決め動
作を制御すると共に、装置全体の動作を制御する。On the other hand, a wafer Y-axis drive stage 2 that can be driven in the Y-axis direction is mounted on the wafer support base 1, and a wafer X-axis drive stage 3 that can be driven in the X-axis direction is mounted thereon. And a Zθ axis drive stage 4 is provided on it.
The wafer 5 is held on the Zθ axis drive stage 4 by vacuum suction. The movable mirror 7 is also fixed on the Zθ axis drive stage 4, and the wafer side interferometer 1 is arranged outside.
The position of the Zθ axis drive stage 4 in the X direction, the Y direction and the θ direction is monitored by 3, and the position information obtained by the interferometer 13 is also supplied to the main control system 22A. The main control system 22A uses the wafer drive device 22B and the like to move the wafer Y.
The positioning operation of the axis drive stage 2 to the Zθ axis drive stage 4 is controlled, and the operation of the entire apparatus is controlled.

【００２４】また、ウエハ側の干渉計１３によって計測
される座標により規定されるウエハ座標系と、レチクル
側の干渉計１４によって計測される座標により規定され
るレチクル座標系の対応をとるために、Ｚθ軸駆動ステ
ージ４上のウエハ５の近傍に基準マーク板６が固定され
ている。この基準マーク板６上にはアライメント用の各
種基準マークが形成されている。Further, in order to establish correspondence between the wafer coordinate system defined by the coordinates measured by the wafer-side interferometer 13 and the reticle coordinate system defined by the coordinates measured by the reticle-side interferometer 14, A reference mark plate 6 is fixed near the wafer 5 on the Zθ axis drive stage 4. Various reference marks for alignment are formed on the reference mark plate 6.

【００２５】本例のレチクル１２の上方には、基準マー
ク板６上の基準マークとレチクル１２上のマークとを同
時に観察するためのレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０が装備されている。この場合、レチクル１２から
の検出光をそれぞれレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０に導くための偏向ミラー１５及び１６が移動自在
に配置され、露光シーケンスが開始されると、主制御系
２２Ａからの指令のもとで、ミラー駆動装置１７及び１
８によりそれぞれ偏向ミラー１５及び１６は退避され
る。更に、投影光学系８のＹ方向の側面部に、ウエハ５
上のアライメントマーク（ウエハマーク）を観察するた
めのオフ・アクシス方式のアライメント装置３４が配置
されている。Above the reticle 12 of this example, reticle alignment microscopes 19 and 20 for simultaneously observing the reference mark on the reference mark plate 6 and the mark on the reticle 12 are provided. In this case, the deflection mirrors 15 and 16 for guiding the detection light from the reticle 12 to the reticle alignment microscopes 19 and 20, respectively, are movably arranged, and when the exposure sequence is started, a command from the main control system 22A is also issued. And the mirror drive devices 17 and 1
The deflecting mirrors 15 and 16 are retracted by 8, respectively. Further, the wafer 5 is attached to the side surface of the projection optical system 8 in the Y direction.
An off-axis type alignment device 34 for observing the upper alignment mark (wafer mark) is arranged.

【００２６】次に、図２を参照してウエハステージ及び
レチクルステージの詳細な構成につき説明する。図２
（ａ）はウエハステージの平面図であり、この図２
（ａ）において、Ｚθ軸駆動ステージ４の上にウエハ５
及び基準マーク板６が配置されている。また、Ｚθ軸駆
動ステージ４上には、Ｘ軸用移動鏡７Ｘ及びＹ軸用移動
鏡７Ｙが固定され、レチクル上のスリット状の照明領域
と共役なウエハ５上のスリット状の露光領域３２Ｗに、
レチクルのパターン像が結像投影される。Next, detailed structures of the wafer stage and the reticle stage will be described with reference to FIG. Figure 2
FIG. 2A is a plan view of the wafer stage.
In (a), the wafer 5 is placed on the Zθ axis drive stage 4.
And the reference mark plate 6 is arranged. Further, an X-axis moving mirror 7X and a Y-axis moving mirror 7Y are fixed on the Zθ-axis driving stage 4, and a slit-shaped exposure region 32W on the wafer 5 which is conjugate with a slit-shaped illumination region on the reticle is formed. ,
The pattern image of the reticle is image-projected.

【００２７】移動鏡７Ｘには、Ｘ軸に平行で且つそれぞ
れ投影光学系８の光軸及びアライメント装置３４の基準
点を通る光路に沿って間隔ＩＬでレーザビームＬＷＸ及
びＬＷOFが照射され、移動鏡７Ｙには、Ｙ軸用の干渉計
１３Ｙ１及び１３Ｙ２よりＹ軸に平行な光路に沿って、
間隔ＩＬでレーザビームＬＷＹ１及びＬＷＹ２が照射さ
れている。露光時には、Ｚθ軸駆動ステージ４のＸ座標
として、レーザビームＬＷＸを用いる干渉計で計測され
た座標値が使用され、Ｚθ軸駆動ステージ４のＹ座標
（ＹW)として、干渉計１３Ｙ１で計測された座標値ＹW1
及び干渉計１３Ｙ２で計測された座標値ＹW2の平均値
（ＹW1＋ＹW2）／２が用いられる。また、例えば座標値
ＹW1とＹW2との差分からＺθ軸駆動ステージ４の回転方
向（θ方向）の回転量が計測される。それらの座標に基
づいて、Ｚθ軸駆動ステージ４のＸＹ平面内での走査速
度、位置及び回転角が制御される。The moving mirror 7X is irradiated with laser beams LWX and LW OF at intervals IL along the optical paths that are parallel to the X axis and pass through the optical axis of the projection optical system 8 and the reference point of the alignment device 34, respectively. In the mirror 7Y, along the optical path parallel to the Y axis from the Y axis interferometers 13Y1 and 13Y2,
Laser beams LWY1 and LWY2 are emitted at an interval IL. At the time of exposure, the coordinate value measured by the interferometer using the laser beam LWX is used as the X coordinate of the Zθ-axis driving stage 4, and is measured by the interferometer 13Y1 as the Y coordinate (Y W ) of the Zθ-axis driving stage 4. Coordinate value Y W1
And the average value of the coordinate value Y W2 measured by the interferometer 13Y2 (Y W1 + Y W2) / 2 is used. Further, for example, the rotation amount of the Zθ-axis drive stage 4 in the rotation direction (θ direction) is measured from the difference between the coordinate values Y W1 and Y W2 . Based on these coordinates, the scanning speed, position, and rotation angle of the Zθ axis drive stage 4 in the XY plane are controlled.

【００２８】特に、走査方向であるＹ方向は２個の干渉
計の計測結果の平均値を用いて、走査時の傾き等による
精度劣化を防いでいる。また、オフ・アクシス方式のア
ライメント装置３４を使用する場合のＸ軸方向の位置
は、所謂アッベ誤差が生じない様に、レーザビームＬＷ
OFを使用する専用干渉計の計測値に基づいて制御する構
成である。Particularly, in the Y direction which is the scanning direction, the average value of the measurement results of the two interferometers is used to prevent the deterioration of accuracy due to the inclination during scanning. The position in the X-axis direction when the off-axis type alignment device 34 is used is such that the laser beam LW does not cause so-called Abbe error.
The control is based on the measurement value of a dedicated interferometer that uses OF .

【００２９】図２（ｂ）は、レチクルステージの平面図
であり、この図２（ｂ）において、レチクルＹ軸駆動ス
テージ１０上にレチクル微小駆動ステージ１１が載置さ
れ、その上にレチクル１２が保持されている。また、レ
チクル微小駆動ステージ１１にはＸ軸用の移動鏡２１ｘ
及びＹ軸用の２個の移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２が固定さ
れ、移動鏡２１ｘにはＸ軸に平行にレーザビームＬＲｘ
が照射されている。また、Ｙ軸用の干渉計１４ｙ１及び
１４ｙ２からそれぞれ移動鏡２１ｙ１及び２１ｙ２に対
して、Ｙ軸に平行にレーザビームＬＲｙ１及びＬＲｙ２
が照射されている。FIG. 2B is a plan view of the reticle stage. In FIG. 2B, the reticle micro-driving stage 11 is placed on the reticle Y-axis driving stage 10, and the reticle 12 is placed thereon. Is held. Further, the reticle micro-driving stage 11 has a moving mirror 21x for the X-axis.
And two moving mirrors 21y1 and 21y2 for the Y axis are fixed, and the laser beam LRx is parallel to the X axis on the moving mirror 21x.
Is being irradiated. Further, the laser beams LRy1 and LRy2 are parallel to the Y-axis from the Y-axis interferometers 14y1 and 14y2 to the movable mirrors 21y1 and 21y2, respectively.
Is being irradiated.

【００３０】ウエハステージと同様に、レチクル微小駆
動ステージ１１のｙ方向の座標ＹRとしては、干渉計１
４ｙ１で計測された座標値ＹR1、及び干渉計１４ｙ２で
計測された座標値ＹR2の平均値（ＹR1＋ＹR2）／２が用
いられる。また、Ｘ方向の座標は、レーザビームＬＲｘ
を使用する干渉計で計測された座標値が使用される。ま
た、例えば座標値ＹR1とＹR2との差分からレチクル微小
駆動ステージ１１の回転方向（θ方向）の回転量が計測
される。Similar to the wafer stage, the y-direction coordinate Y R of the reticle micro-driving stage 11 is defined by the interferometer 1
The average value (Y R1 + Y R2 ) / 2 of the coordinate value Y R1 measured by 4y1 and the coordinate value Y R2 measured by the interferometer 14y2 is used. The coordinates in the X direction are the laser beam LRx.
The coordinate value measured by the interferometer using is used. Further, for example, the rotation amount of the reticle micro-driving stage 11 in the rotation direction (θ direction) is measured from the difference between the coordinate values Y R1 and Y R2 .

【００３１】この場合、走査方向であるｙ方向の移動鏡
２１ｙ１，２１ｙ２としてはコーナキューブ型の反射要
素が使用されており、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２で反射
されたレーザビームＬＲｙ１，ＬＲｙ２はそれぞれ反射
ミラー３９，３８で反射されて戻されている。即ち、そ
のレチクル用の干渉計１４ｙ１及び１４ｙ２はダブルパ
ス干渉計であり、これによって、レチクル微小駆動ステ
ージ１１の回転によるレーザビームの位置ずれが生じな
い構成になっている。また、レチクル１２上のスリット
状の照明領域３２が露光光により均一な照度で照明され
る。In this case, corner cube type reflecting elements are used as the moving mirrors 21y1 and 21y2 in the y direction which is the scanning direction, and the laser beams LRy1 and LRy2 reflected by the moving mirrors 21y1 and 21y2 are reflecting mirrors. It is reflected back at 39 and 38. That is, the interferometers 14y1 and 14y2 for the reticle are double-pass interferometers, so that the positional deviation of the laser beam due to the rotation of the reticle micro-driving stage 11 does not occur. Further, the slit-shaped illumination area 32 on the reticle 12 is illuminated by the exposure light with a uniform illuminance.

【００３２】また、レチクルＹ軸駆動ステージ１０のＹ
方向の端部にもコーナキューブ型の移動鏡２４が固定さ
れ、レチクル用の第３の干渉計２３からのレーザビーム
が移動鏡２４で反射されて反射ミラー２５に向かい、反
射ミラー２５からのレーザビームが移動鏡２４を経て干
渉計２３に戻されている。そして、干渉計２３は、ダブ
ルパス方式で常時レチクルＹ軸駆動ステージ１０のＹ方
向の座標ＹR3をモニターしている。レチクル微小駆動ス
テージ１１は、図示省略されたアクチュエータにより、
レチクルＹ軸駆動ステージ１０に対して相対的にＸ方
向、Ｙ方向及び回転方向に所定範囲内で変位できるよう
に支持されている。Further, the Y of the reticle Y-axis drive stage 10
A corner cube type moving mirror 24 is also fixed at the end of the direction, and the laser beam from the reticle third interferometer 23 is reflected by the moving mirror 24 toward the reflecting mirror 25, and the laser from the reflecting mirror 25 is reflected. The beam is returned to the interferometer 23 via the moving mirror 24. The interferometer 23 constantly monitors the Y-direction coordinate Y R3 of the reticle Y-axis drive stage 10 by the double pass method. The reticle micro-driving stage 11 is driven by an actuator (not shown).
The reticle is supported so that it can be displaced in a predetermined range in the X direction, the Y direction, and the rotation direction relative to the Y-axis drive stage 10.

【００３３】図３は本例の制御系を示し、この図３にお
いて、レチクルＹ軸駆動ステージ１０はレチクル支持台
９に対してリニアモータ９ａによりＹ方向に走査される
ように支持され、レチクル微小駆動ステージ１１はレチ
クルＹ軸駆動ステージ１０に対して駆動モータ３０によ
り送りねじ方式でＹ方向に微動できるように支持されて
いる。また、干渉計１４ｙ１及び１４ｙ２により計測さ
れたレチクル微小駆動ステージ１１のＹ座標ＹR1及びＹ
R2が主制御系２２Ａに供給され、干渉計２３により計測
されたレチクルＹ軸駆動ステージ１０のＹ座標ＹR3も主
制御系２２Ａに供給されている。同様に、ウエハ５側の
ウエハＹ軸駆動ステージ２は、ウエハ支持台１に対して
リニアモータ１ａによりＹ方向に走査されるように支持
され、干渉計１３Ｙ１及び１３Ｙ２によりそれぞれ計測
されたウエハＹ軸駆動ステージ２のＹ座標ＹW1及びＹW2
が主制御系２２Ａに供給されている。FIG. 3 shows a control system of this embodiment. In FIG. 3, the reticle Y-axis drive stage 10 is supported by a linear motor 9a on a reticle support base 9 so as to be scanned in the Y-direction. The drive stage 11 is supported by the drive motor 30 with respect to the reticle Y-axis drive stage 10 by a feed screw method so as to be finely movable in the Y direction. Also, the Y coordinates Y R1 and Y of the reticle micro-driving stage 11 measured by the interferometers 14y1 and 14y2.
R2 is supplied to the main control system 22A, and the Y coordinate Y R3 of the reticle Y-axis drive stage 10 measured by the interferometer 23 is also supplied to the main control system 22A. Similarly, the wafer Y-axis drive stage 2 on the wafer 5 side is supported on the wafer support base 1 so as to be scanned in the Y direction by the linear motor 1a, and the wafer Y-axis measured by the interferometers 13Y1 and 13Y2, respectively. Y coordinates Y W1 and Y W2 of drive stage 2
Are supplied to the main control system 22A.

【００３４】主制御系２２Ａにおいて、速度指令発生手
段４１は所定のクロック信号に同期して、メモリに記憶
されているウエハステージの目標走査速度ＶW *に対応す
る速度指令信号を読み出し、この読み出した速度指令信
号を逐次外部のパワーアンプ２６及び乗算器２７に供給
する。パワーアンプ２６は、ウエハＹ軸駆動ステージ２
がＹ方向にその目標走査速度ＶW *で駆動されるように、
リニアモータ１ａを駆動する。また、本例の投影光学系
８のレチクルからウエハへの投影倍率はβであり、乗算
器２７は、供給された速度指令信号に投影倍率の逆数
（１／β）を乗じて得られる、レチクルステージの目標
走査速度ＶR *に対応する速度指令信号をパワーアンプ２
８に供給する。即ち、レチクルステージの目標走査速度
ＶR *は、Ｖ W *／βに設定される。投影倍率βの一例は１
／４である。パワーアンプ２８は、レチクルＹ軸駆動ス
テージ１０が−Ｙ方向にその目標走査速度ＶR *で駆動さ
れるように、リニアモータ９ａを駆動する。In the main control system 22A, the speed command generator
The stage 41 stores in memory in synchronization with a predetermined clock signal.
Target scanning speed V of the wafer stage being operatedW *Corresponds to
Read the speed command signal
Signal sequentially supplied to the external power amplifier 26 and multiplier 27
To do. The power amplifier 26 is used for the wafer Y-axis drive stage 2
Is the target scanning speed V in the Y directionW *To be driven by
The linear motor 1a is driven. Also, the projection optical system of this example
The projection magnification from the reticle of 8 to the wafer is β,
The device 27 uses the supplied speed command signal to calculate the reciprocal of the projection magnification.
Target of reticle stage obtained by multiplying (1 / β)
Scanning speed VR *The speed command signal corresponding to the power amplifier 2
Supply to 8. That is, the target scanning speed of the reticle stage
VR *Is V W */ Β is set. An example of the projection magnification β is 1
/ 4. The power amplifier 28 is a reticle Y-axis drive switch.
Of the target scanning speed V in the -Y direction.R *Driven by
The linear motor 9a is driven as described above.

【００３５】次に、主制御系２２Ａにおいて、レチクル
微小駆動ステージ１１のＹ座標であるＹR1及びＹR2を平
均化手段４２で平均化して得られた座標ＹR を減算手段
４３に供給する。また、レチクルＹ軸駆動ステージ１０
のＹ座標であるＹR3を差分手段４４に供給し、差分手段
４４では所定周期で座標ＹR3の差分を求めることによ
り、レチクルＹ軸駆動ステージ１０の−Ｙ方向への走査
速度ＶR3を算出し、この走査速度ＶR3を減算手段４５に
供給する。これと並行して、ウエハＹ軸駆動ステージ２
のＹ座標であるＹW1及びＹW2を平均化手段４６で平均化
して得られる座標ＹW を差分手段４７及び乗算手段４８
に供給し、差分手段４７では所定周期で座標ＹW の差分
を求めることにより、ウエハＹ軸駆動ステージ２のＹ方
向への走査速度ＶW を算出し、この走査速度ＶW を乗算
手段４９に供給する。乗算手段４９は、走査速度ＶW に
（１／β）を乗じて得られる走査速度ＶW ／βを減算手
段４５に供給し、乗算手段４８は、Ｙ座標ＹW に（１／
β）を乗じて得られる座標Ｙ W ／βを減算手段４３に供
給する。Next, in the main control system 22A, the reticle
Y, which is the Y coordinate of the minute drive stage 11.R1And YR2Flat
Coordinate Y obtained by averaging by the equalizing means 42RSubtraction means
43. In addition, the reticle Y-axis drive stage 10
The Y coordinate ofR3Is supplied to the difference means 44, and the difference means
At 44, the coordinate YR3By finding the difference between
Scanning of the reticle Y-axis drive stage 10 in the -Y direction
Speed VR3And the scanning speed VR3To subtraction means 45
Supply. In parallel with this, the wafer Y-axis drive stage 2
The Y coordinate ofW1And YW2Is averaged by the averaging means 46
Coordinate Y obtained byWDifference means 47 and multiplication means 48
To the coordinate Y at a predetermined cycle in the difference means 47.WDifference of
To obtain the Y direction of the wafer Y-axis drive stage 2.
Scan speed VWAnd the scanning speed VWMultiply by
Supply to the means 49. The multiplication means 49 has a scanning speed VWTo
Scanning speed V obtained by multiplying (1 / β)WSubtract / β
The multiplication means 48 supplies the Y coordinate Y to the stage 45.WTo (1 /
Coordinate Y obtained by multiplying β) W/ Β is supplied to the subtraction means 43
To pay.

【００３６】減算手段４３は、レチクル側に換算したウ
エハＹ軸駆動ステージ２のＹ座標であるＹW ／βとレチ
クル微小駆動ステージ１１のＹ座標ＹR との差分（ＹW
／β−ＹR)を乗算手段５１に供給し、乗算手段５１では
供給された差分に位置ゲイン定数ＫP を乗じて位置ゲイ
ン信号を算出し、この位置ゲイン信号を速度指令信号と
して加算手段５０に供給する。また、減算手段４５は、
レチクル側に換算したウエハＹ軸駆動ステージ２のＹ方
向への走査速度ＶW ／βとレチクルＹ軸駆動ステージ１
０の−Ｙ方向への走査速度ＶR3との差分（ＶW ／β−Ｖ
R3）に対応する速度指令信号をノッチフィルタ手段５８
に供給する。ノッチフィルタ手段５８では、供給された
速度指令信号からレチクル微小駆動ステージ１１の機械
共振周波数成分を除去して得られた速度指令信号を加算
手段５０に供給する。The subtracting means 43 calculates the difference (Y W) between Y W / β, which is the Y coordinate of the wafer Y-axis drive stage 2 converted to the reticle side, and the Y coordinate Y R of the reticle micro-driving stage 11.
/ Β-Y R ) is supplied to the multiplication means 51, and the multiplication means 51 multiplies the supplied difference by a position gain constant K P to calculate a position gain signal, and this position gain signal is added as a speed command signal to the addition means 50. Supply to. Further, the subtraction means 45
The scanning speed V W / β in the Y direction of the wafer Y-axis drive stage 2 converted to the reticle side and the reticle Y-axis drive stage 1
0 from the scanning speed V R3 in the −Y direction (V W / β−V
The speed command signal corresponding to R3 ) is sent to the notch filter means 58.
Supply to. The notch filter means 58 supplies the speed command signal obtained by removing the mechanical resonance frequency component of the reticle micro-driving stage 11 from the supplied speed command signal to the adding means 50.

【００３７】即ち、ノッチフィルタ手段５８は、図５
（ａ）に示すように、レチクル微小駆動ステージ１１の
機械共振周波数ｆM をノッチ周波数とするフィルタ特性
を有し、レチクル微小駆動ステージ１１の機械共振周波
数ｆM は一例として２００Ｈｚ程度である。なお、ノッ
チフィルタ手段５８の代わりに、図５（ｂ）に示すよう
に、機械共振周波数ｆM を含む所定幅の周波数領域の入
力信号を除去するバンドエリミネートフィルタ（ＢＥ
Ｆ）等を使用してもよい。That is, the notch filter means 58 is shown in FIG.
(A), the mechanical resonance frequency f M of the reticle fine driving stage 11 having a filter characteristic that a notch frequency, mechanical resonant frequency f M of the reticle fine driving stage 11 is 200Hz about as an example. Incidentally, instead of the notch filter means 58, as shown in FIG. 5B, a band eliminate filter (BE) for removing an input signal in a frequency range of a predetermined width including the mechanical resonance frequency f M.
F) or the like may be used.

【００３８】図３に戻り、加算手段５０は、ノッチフィ
ルタ手段５８からの速度指令信号と乗算手段５１からの
速度指令信号（位置ゲイン情報）とを加算して目標走査
速度ＶRF * に対応する速度指令信号を求め、この目標走
査速度ＶRF * に対応する速度指令信号を外部のパワーア
ンプ２９を介して駆動モータ３０に供給する。駆動モー
タ３０は、レチクルＹ軸駆動ステージ１０に対してレチ
クル微小駆動ステージ１１を−Ｙ方向にその目標走査速
度ＶRF * で駆動する。その目標走査速度ＶRF *は次のよ
うに表される。Returning to FIG. 3, the adding means 50 adds the speed command signal from the notch filter means 58 and the speed command signal (position gain information) from the multiplying means 51 to correspond to the target scanning speed V RF * . The speed command signal is obtained, and the speed command signal corresponding to this target scanning speed V RF * is supplied to the drive motor 30 via the external power amplifier 29. The drive motor 30 drives the reticle micro-driving stage 11 with respect to the reticle Y-axis driving stage 10 in the −Y direction at the target scanning speed V RF * . The target scanning speed V RF * is expressed as follows.

【００３９】[0039]

【数１】 ＶRF * =（ＶW ／β−ＶR3）−ＫP(ＹW ／β−ＹR) 即ち、レチクル微小駆動ステージ１１のレチクルＹ軸駆
動ステージ１０に対する−Ｙ方向への相対的な目標走査
速度ＶRF * は、レチクル１２上でのウエハＹ軸駆動ステ
ージ２とレチクルＹ軸駆動ステージ１０との速度の差
分、及びレチクル１２上でのレチクル微小駆動ステージ
１１とウエハＹ軸駆動ステージ２との位置の差分を０に
近づけるような速度に設定される。## EQU1 ## V RF * = (V W / β-V R3 ) -K P (Y W / β-Y R ) That is, the reticle micro-driving stage 11 relative to the reticle Y-axis driving stage 10 in the -Y direction. The target scanning speed V RF * is the difference in speed between the wafer Y-axis drive stage 2 and the reticle Y-axis drive stage 10 on the reticle 12, and the reticle micro-drive stage 11 and the wafer Y-axis drive on the reticle 12. The speed is set so as to bring the position difference from the stage 2 close to zero.

【００４０】また、レチクル１２のパターンをウエハ５
に投影露光する前に、予め図１のアライメント顕微鏡１
９，２０によりレチクル１２とウエハステージ上の基準
マーク板６との位置関係が計測され、オフ・アクシス方
式のアライメント系３４により、ウエハ５の各ショット
領域とその基準マーク板６との位置関係が計測されてい
る。そして、ウエハ５上の所定のショット領域にレチク
ル１２のパターンを走査露光方式で逐次露光する際に
は、レチクル１２のパターンとウエハ５上のそのショッ
ト領域とのアライメントを行った時点で、図３のレチク
ル側の干渉計１４ｙ１，１４ｙ２、レチクル側の干渉計
２３、及びウエハ側の干渉計１３Ｙ１，１３Ｙ２の計測
値がそれぞれ０にリセットされ、且つレチクル側の干渉
計はレチクル１２が−Ｙ方向に移動するときに計数値が
増加するように極性が設定され、ウエハ側の干渉計はウ
エハ５がＹ方向に移動するときに計数値が増加するよう
に極性が設定される。これ以後は、図３の制御系により
レチクル１２及びウエハ５の同期走査が行われる。Further, the pattern of the reticle 12 is formed on the wafer 5
The alignment microscope 1 shown in FIG.
The positional relationship between the reticle 12 and the reference mark plate 6 on the wafer stage is measured by 9, 20, and the positional relationship between each shot area of the wafer 5 and the reference mark plate 6 is measured by the off-axis alignment system 34. It is being measured. Then, when the pattern of the reticle 12 is sequentially exposed to a predetermined shot area on the wafer 5 by the scanning exposure method, when the pattern of the reticle 12 and the shot area on the wafer 5 are aligned, as shown in FIG. Reticle-side interferometers 14y1 and 14y2, reticle-side interferometer 23, and wafer-side interferometers 13Y1 and 13Y2 are reset to 0, and the reticle-side interferometer has reticle 12 in the -Y direction. The polarity is set so that the count value increases when the wafer 5 moves, and the polarity of the interferometer on the wafer side is set so that the count value increases when the wafer 5 moves in the Y direction. After that, the reticle 12 and the wafer 5 are synchronously scanned by the control system of FIG.

【００４１】次に、図９に示す従来の制御系の機能ブロ
ック図に対応する形式の、本例の制御系の機能ブロック
図（ブロック線図）を図４に示す。また、図４において
図３に対応する部分には同一符号を付し、図４を参照し
て本実施例のレチクルステージ及びウエハステージの制
御系の全体の動作につき説明する。図４において、速度
指令発生手段４１から出力されたウエハステージの目標
走査速度ＶW *を示す速度指令信号が、投影倍率の逆数
（１／β）を入力信号に乗ずる乗算器２７及びウエハス
テージ速度制御系５２に並行に供給され、乗算器２７か
ら出力される走査速度（ＶW *／β）を示す情報がレチク
ル粗動ステージ速度制御系５４に供給される。ウエハス
テージ速度制御系５２は、図３のウエハＹ軸駆動ステー
ジ２の走査速度の制御系であり、レチクル粗動ステージ
速度制御系５４は、図３のレチクルＹ軸駆動ステージ１
０の走査速度の制御系である。これにより、ウエハＹ軸
駆動ステージ２及びレチクルＹ軸駆動ステージ１０が同
時に加速される。また、レチクルＹ軸駆動ステージ１０
上にレチクル微小駆動ステージ１１を介してレチクル１
２が載置されているため、レチクル微小駆動ステージ１
１及びレチクル１２も同時に加速される。Next, FIG. 4 shows a functional block diagram (block diagram) of the control system of this example in a format corresponding to the functional block diagram of the conventional control system shown in FIG. In FIG. 4, parts corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and the entire operation of the reticle stage and wafer stage control system of this embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the speed command signal indicating the target scanning speed V W * of the wafer stage output from the speed command generating means 41 multiplies the input signal by the reciprocal (1 / β) of the projection magnification and the wafer stage speed. The information indicating the scanning speed (V W * / β) supplied from the multiplier 27 in parallel to the control system 52 is supplied to the reticle coarse movement stage speed control system 54. The wafer stage speed control system 52 is a scanning speed control system for the wafer Y-axis drive stage 2 in FIG. 3, and the reticle coarse movement stage speed control system 54 is a reticle Y-axis drive stage 1 in FIG.
It is a control system of 0 scanning speed. As a result, the wafer Y-axis drive stage 2 and the reticle Y-axis drive stage 10 are simultaneously accelerated. In addition, the reticle Y-axis drive stage 10
Reticle 1 via reticle micro drive stage 11 on top
2 is mounted on the reticle micro-driving stage 1
1 and reticle 12 are also accelerated at the same time.

【００４２】また、図４において、レチクル粗動ステー
ジ速度制御系５４で計測される図３のレチクルＹ軸駆動
ステージ１０の−Ｙ方向への走査速度ＶR3が減算手段４
５に供給され、ウエハステージ速度制御系５２で計測さ
れる図３のウエハＹ軸駆動ステージ２のＹ方向への走査
速度ＶW が乗算手段４９に供給されている。なお、図３
の実施例では、ステージの位置が干渉計により計測され
ているが、図４ではブロック線図の慣習に従って、便宜
上速度が計測されるものとして表現している。これに関
して、実際の例えばヘテロダイン方式のレーザ干渉計で
は、先ず測定対象物の移動速度を計測し、この移動速度
を積分することにより移動距離を算出している。従っ
て、図３の実施例においても、先ず速度を計測し、この
速度を積分して位置を算出するような構成も採用でき
る。Further, in FIG. 4, the scanning speed V R3 in the −Y direction of the reticle Y-axis drive stage 10 of FIG. 3 measured by the reticle coarse movement stage speed control system 54 is the subtracting means 4.
5, and the scanning speed V W in the Y direction of the wafer Y-axis drive stage 2 in FIG. 3 measured by the wafer stage speed control system 52 is supplied to the multiplication means 49. Note that FIG.
In the embodiment, the position of the stage is measured by an interferometer, but in FIG. 4, the speed is represented as being measured for convenience according to the convention of the block diagram. In this regard, in an actual laser interferometer of, for example, a heterodyne system, first, the moving speed of the measurement object is measured, and the moving distance is calculated by integrating the moving speed. Therefore, also in the embodiment of FIG. 3, it is possible to adopt a configuration in which the velocity is first measured and the velocity is integrated to calculate the position.

【００４３】図４において、乗算手段４９から出力され
る走査速度（ＶW ／β）に対応する速度指令信号を減算
手段４５、及び積分手段５３に供給し、減算手段４５か
ら出力される走査速度の差分（ＶW ／β−ＶR3）に対応
する速度指令信号を、ノッチフィルタ手段５８を介して
加算手段５０に供給する。また、積分手段５３から出力
される図３のウエハＹ軸駆動ステージ２のレチクル側に
換算したＹ方向の位置ＹW ／βに対応する信号を減算手
段４３に供給し、後述のレチクル微動ステージ速度制御
系５７から出力される図３のレチクル微小駆動ステージ
１１の−Ｙ方向への走査速度ＶR を、積分手段５７で積
分して得られる位置ＹR に対応する信号を減算手段４３
に供給する。減算手段４３から出力される位置の差分
（ＹW ／β−ＹR)を示す信号をレチクル微動ステージ位
置制御系５５に供給する。レチクル微動ステージ位置制
御系５５は、図３では入力された信号に位置ゲイン定数
ＫPを乗ずる乗算手段５１からなり、レチクル微動ステ
ージ位置制御系５５から出力される差分ＫP・（ＹW ／β
−ＹR)に対応する速度指令信号（位置ゲイン信号）を加
算手段５０に供給する。In FIG. 4, the speed command signal corresponding to the scanning speed (V W / β) output from the multiplication means 49 is supplied to the subtraction means 45 and the integration means 53, and the scanning speed output from the subtraction means 45. The speed command signal corresponding to the difference (V W / β−V R3 ) is supplied to the adding means 50 via the notch filter means 58. Further, a signal corresponding to the position Y W / β in the Y direction converted to the reticle side of the wafer Y-axis drive stage 2 of FIG. 3 output from the integrating means 53 is supplied to the subtracting means 43, and the reticle fine movement stage speed to be described later. the scanning speed V R in the -Y direction of the reticle fine driving stage 11 of Figure 3 that is output from the control system 57, integrated signals corresponding to the position Y R obtained by subtracting means by the integrating means 57 43
Supply to. A signal indicating the position difference (Y W / β−Y R ) output from the subtracting means 43 is supplied to the reticle fine movement stage position control system 55. The reticle fine movement stage position control system 55 is composed of multiplication means 51 for multiplying the input signal by the position gain constant K P in FIG. 3, and the difference K P · (Y W / β is output from the reticle fine movement stage position control system 55.
The speed command signal (position gain signal) corresponding to −Y R ) is supplied to the adding means 50.

【００４４】また、加算手段５０から出力される目標走
査速度ＶRF * に対応する速度指令信号をレチクル微動ス
テージ速度制御系５６に供給する。レチクル微動ステー
ジ速度制御系５６は、図３のレチクル微小駆動ステージ
１１の走査速度がその目標走査速度ＶRF * に追従するよ
うに制御を行うものであり、その目標走査速度ＶRF *は
上記の（数１）で表されている。上述のように本例で
は、ウエハステージ速度制御系５２及びレチクル粗動ス
テージ速度制御系５４に並行に速度指令が供給されてい
るため、ウエハＹ軸駆動ステージ２又はレチクルＹ軸駆
動ステージ１０の一方の遅れが防止される。Further, the speed command signal corresponding to the target scanning speed V RF * output from the adding means 50 is supplied to the reticle fine movement stage speed control system 56. The reticle fine movement stage speed control system 56, which performs control such scanning speed of the reticle fine driving stage 11 in Figure 3 to follow its target scanning speed V RF *, the target scanning speed V RF * is the It is represented by (Equation 1). As described above, in this example, since the speed command is supplied in parallel to the wafer stage speed control system 52 and the reticle coarse movement stage speed control system 54, one of the wafer Y-axis drive stage 2 and the reticle Y-axis drive stage 10 is supplied. Delay is prevented.

【００４５】また、レチクルＹ軸駆動ステージ１０の上
にレチクル微小駆動ステージ１１を介してレチクル１２
が載置され、レチクル微小駆動ステージ１１の駆動制御
が、レチクル上でのウエハＹ軸駆動ステージ２とレチク
ル微小駆動ステージ１１との位置の差分のフィードバッ
クによって行われている。更に、レチクル微小駆動ステ
ージ１１の駆動制御が、レチクル上でのウエハＹ軸駆動
ステージ２とレチクルＹ軸駆動ステージ１０との走査速
度の差分のフィードフォワードによって行われている。
従って、走査が開始されてから、レチクル１２とウエハ
５との同期走査が行われるまでの時間が短縮され、露光
工程のスループットが向上する。また、同期走査を行う
までに要する移動距離（助走距離）が短縮されるため、
ウエハＹ軸駆動ステージ２及びレチクルＹ軸駆動ステー
ジ１０のＹ方向のストロークを短縮することができ、装
置全体を小型化できる。Further, the reticle 12 is mounted on the reticle Y-axis drive stage 10 via the reticle micro-drive stage 11.
The reticle micro-driving stage 11 is driven and controlled by feedback of the difference in position between the wafer Y-axis driving stage 2 and the reticle micro-driving stage 11 on the reticle. Further, the drive control of the reticle micro-driving stage 11 is performed by the feedforward of the difference in scanning speed between the wafer Y-axis driving stage 2 and the reticle Y-axis driving stage 10 on the reticle.
Therefore, the time from the start of scanning until the synchronous scanning of the reticle 12 and the wafer 5 is shortened, and the throughput of the exposure process is improved. In addition, the moving distance (running distance) required to perform synchronous scanning is shortened,
The stroke of the wafer Y-axis drive stage 2 and the reticle Y-axis drive stage 10 in the Y direction can be shortened, and the entire apparatus can be downsized.

【００４６】更に、速度差に対応する速度指令信号で単
にレチクル微小駆動ステージ１１を駆動すると、レチク
ル微小駆動ステージ１１の機械共振が起こる恐れがあ
る。そこで、本実施例ではフィードフォワードのループ
内にノッチフィルタ手段５８を設けて機械共振周波数成
分を除去したため、レチクル微小駆動ステージ１１の機
械共振が抑制される。従って、同期走査中の振動が減少
してより安定に走査露光方式で露光が行われる。また、
ノッチフィルタ手段５８は、フィードバックループ内で
はなくフィードフォワードループ内に入っているため、
動作が不安定になることはない。Further, if the reticle micro-driving stage 11 is simply driven by the speed command signal corresponding to the speed difference, mechanical resonance of the reticle micro-driving stage 11 may occur. Therefore, in the present embodiment, since the mechanical resonance frequency component is removed by providing the notch filter means 58 in the feedforward loop, mechanical resonance of the reticle micro-driving stage 11 is suppressed. Therefore, the vibration during the synchronous scanning is reduced and the exposure is more stably performed by the scanning exposure method. Also,
Since the notch filter means 58 is in the feed forward loop, not in the feedback loop,
The operation does not become unstable.

【００４７】なお、図３の主制御系２２Ａ内の各要素の
動作はソフトウェア的に実行するものであっても良い。
また、図４のウエハステージ速度制御系５２〜レチクル
微動ステージ位置制御系５５を、一般的なＰＩＤ制御器
（比例、積分、及び微分制御器）あるいは位相進み遅れ
補償を施した制御器等によって構成しても良い。各制御
系のゲイン定数（例えば位置ゲイン定数ＫP)は各ステー
ジの機械定数によって決定される。The operation of each element in the main control system 22A of FIG. 3 may be executed by software.
Further, the wafer stage speed control system 52 to the reticle fine movement stage position control system 55 in FIG. 4 are constituted by a general PID controller (proportional, integral, and differential controller) or a controller with phase lead / lag compensation. You may. The gain constant of each control system (for example, the position gain constant K P ) is determined by the mechanical constant of each stage.

【００４８】また、図３の例では、レチクルＹ軸駆動ス
テージ１０上にレチクル微小駆動ステージ１１を介して
レチクル１２が載置されているが、逆にレチクル微小駆
動ステージ１１を省略し、ウエハＹ軸駆動ステージ２と
ウエハ５との間に、Ｙ方向に所定範囲でウエハ５の位置
を変えるための微動ステージを配しても良い。更に、必
ずしも粗動ステージ（ウエハＹ軸駆動ステージ２及びレ
チクルＹ軸駆動ステージ１０）とウエハ５又はレチクル
１２との間に微動ステージを配する必要はなく、例えば
粗動ステージの下に配された微動ステージにより、粗動
ステージ及びウエハ５（又はレチクル１２）を所定範囲
で走査方向に移動させるようにしてもよい。Further, in the example of FIG. 3, the reticle 12 is mounted on the reticle Y-axis drive stage 10 via the reticle micro drive stage 11, but conversely, the reticle micro drive stage 11 is omitted and the wafer Y is removed. A fine movement stage for changing the position of the wafer 5 in a predetermined range in the Y direction may be arranged between the axis drive stage 2 and the wafer 5. Further, it is not always necessary to dispose the fine movement stage between the coarse movement stage (the wafer Y-axis drive stage 2 and the reticle Y-axis drive stage 10) and the wafer 5 or the reticle 12, for example, it is arranged below the coarse movement stage. The coarse movement stage and the wafer 5 (or the reticle 12) may be moved in the scanning direction within a predetermined range by the fine movement stage.

【００４９】また、レチクル１１側及びウエハ５側に共
に微動ステージを配するようにしても良い。次に、本発
明の第２実施例につき図６を参照して説明する。本実施
例で使用するステップ・アンド・スキャン方式の投影露
光装置の構成は図１〜図３とほぼ同様であるが、本実施
例では走査露光中に走査方向（Ｙ方向）では図３のレチ
クル微小駆動ステージ１１の制御を行わない。即ち、走
査方向に関してはレチクルＹ軸駆動ステージ１０、及び
ウエハＹ軸駆動ステージ２のみの速度制御によりレチク
ル１２とウエハ５との同期走査を行う。言い換えると、
この第２実施例では必ずしも３つの自由度（Ｘ方向、Ｙ
方向、回転方向）を有するレチクル微小駆動ステージ１
１は必要ではなく、単に非走査方向（Ｘ方向）及び回転
方向にレチクル１２の位置を微調整できるステージ機構
があるだけでもよい。A fine movement stage may be arranged on both the reticle 11 side and the wafer 5 side. Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration of the step-and-scan type projection exposure apparatus used in this embodiment is almost the same as that in FIGS. 1 to 3, but in the present embodiment, the reticle shown in FIG. 3 in the scanning direction (Y direction) during scanning exposure. The fine drive stage 11 is not controlled. That is, in the scanning direction, the reticle 12 and the wafer 5 are synchronously scanned by controlling the speed of only the reticle Y-axis drive stage 10 and the wafer Y-axis drive stage 2. In other words,
In this second embodiment, there are not necessarily three degrees of freedom (X direction, Y direction).
Direction, rotation direction) reticle micro-driving stage 1
No. 1 is not necessary, and there may be only a stage mechanism capable of finely adjusting the position of the reticle 12 in the non-scanning direction (X direction) and the rotation direction.

【００５０】図６は、本実施例の走査方向への動作の制
御系の機能ブロック図を示し、図６において図３及び図
４に対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を
省略する。図６において、速度指令発生手段４１から出
力されたウエハステージの目標走査速度ＶW *を示す速度
指令信号が、ウエハステージ速度制御系５２に供給さ
れ、ウエハＹ軸駆動ステージ２（ウエハ５）が加速され
る。そして、ウエハステージ速度制御系５２で計測され
る図３のウエハＹ軸駆動ステージ２のＹ方向への走査速
度ＶW が乗算手段４９に供給されている。乗算手段４９
から出力される走査速度（ＶW ／β）に対応する速度指
令信号を減算手段４５、及び積分手段５３に供給し、減
算手段４５には、レチクル粗動ステージ速度制御系５６
で計測されるレチクルＹ軸駆動ステージ１０のＹ方向へ
の走査速度（これをＹR とする）に対応する信号も供給
されている。減算手段４５から出力される走査速度の差
分（ＶW ／β−ＶR ）に対応する速度指令信号を、ノッ
チフィルタ手段５８Ａを介して加算手段５０に供給す
る。本例のノッチフィルタ手段５８Ａのノッチ周波数
は、レチクルＹ軸駆動ステージ１０の機械共振周波数で
ある。FIG. 6 shows a functional block diagram of a control system for operation in the scanning direction of this embodiment. In FIG. 6, parts corresponding to those in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be given. Omit it. In FIG. 6, the speed command signal indicating the target scanning speed V W * of the wafer stage output from the speed command generating means 41 is supplied to the wafer stage speed control system 52, and the wafer Y-axis drive stage 2 (wafer 5) is moved. Be accelerated. Then, the scanning speed V W in the Y direction of the wafer Y-axis drive stage 2 of FIG. 3 measured by the wafer stage speed control system 52 is supplied to the multiplication means 49. Multiplication means 49
The speed command signal corresponding to the scanning speed (V W / β) output from the reticle coarse movement stage speed control system 56 is supplied to the subtracting means 45 and the integrating means 53.
A signal corresponding to the scanning speed in the Y direction of the reticle Y-axis drive stage 10 (this is referred to as Y R ) is also supplied. A speed command signal corresponding to the scanning speed of the difference (V W / β-V R ) output from the subtracter 45 is supplied to the adding means 50 through the notch filter means 58A. The notch frequency of the notch filter means 58A of this example is the mechanical resonance frequency of the reticle Y-axis drive stage 10.

【００５１】また、積分手段５３から出力される図３の
ウエハＹ軸駆動ステージ２のレチクル側に換算したＹ方
向の位置ＹW ／βに対応する信号を減算手段４３に供給
し、レチクル粗動ステージ速度制御系５６から出力され
るレチクルＹ軸駆動ステージ１０の−Ｙ方向への走査速
度ＶR を、積分手段５７で積分して得られる位置ＹRに
対応する信号を減算手段４３に供給する。減算手段４３
から出力される位置の差分（ＹW ／β−ＹR)に対応する
速度指令信号を加算手段５０に供給し、加算手段５０で
減算手段４３からの速度指令信号とノッチフィルタ手段
５８Ａからの速度指令信号とを加算して得られる速度指
令信号をレチクル粗動ステージ速度制御系５６に供給す
る。Further, a signal corresponding to the position Y W / β in the Y direction converted to the reticle side of the wafer Y-axis drive stage 2 of FIG. 3 outputted from the integrating means 53 is supplied to the subtracting means 43 for coarse reticle movement. A signal corresponding to the position Y R obtained by integrating the scanning speed V R in the −Y direction of the reticle Y-axis drive stage 10 output from the stage speed control system 56 is supplied to the subtracting unit 43. . Subtraction means 43
The speed command signal corresponding to the position difference (Y W / β−Y R ) output from the above is supplied to the adding means 50, and the adding means 50 causes the speed command signal from the subtracting means 43 and the speed from the notch filter means 58A. A speed command signal obtained by adding the command signal is supplied to the reticle coarse movement stage speed control system 56.

【００５２】これにより、本実施例のレチクルＹ軸駆動
ステージ１０は、ウエハＹ軸駆動ステージ２とのレチク
ル側での位置の差分（ＹW ／β−ＹR)、及び走査速度の
差分（ＶW ／β−ＶR ）が共に０になるように加速され
る。特に、ウエハＹ軸駆動ステージ２とレチクルＹ軸駆
動ステージ１０との走査速度の差分（ＶW ／β−ＶR）
がレチクル粗動ステージ速度制御系５６にフィードフォ
ワードされているため、レチクルＹ軸駆動ステージ１０
の走査速度は、短時間にウエハＹ軸駆動ステージ２のレ
チクル側での走査速度に追従し、同期が取られるまでの
時間が従来例（図９）に比べて短縮される。また、ノッ
チフィルタ手段５８Ａにより、レチクルＹ軸駆動ステー
ジ１０の機械共振の発生が防止されるため、同期走査が
安定に行われる。但し、図６の実施例ではレチクルＹ軸
駆動ステージ１０は大型で機械共振が起こりにくいた
め、ノッチフィルタ手段５８Ａは省くことができる。As a result, the reticle Y-axis drive stage 10 of the present embodiment has a position difference (Y W / β-Y R ) on the reticle side with respect to the wafer Y-axis drive stage 2 and a scanning speed difference (V W / β-V R) is accelerated together such that 0. In particular, wafer Y-axis driving stage 2 and the scanning speed of the reticle Y-axis driving stage 10 the difference (V W / β-V R )
Is fed forward to the reticle coarse movement stage speed control system 56, the reticle Y-axis drive stage 10
Scan speed follows the scan speed on the reticle side of the wafer Y-axis drive stage 2 in a short time, and the time until synchronization is achieved is shorter than in the conventional example (FIG. 9). Further, the notch filter means 58A prevents the mechanical resonance of the reticle Y-axis drive stage 10 from occurring, so that the synchronous scanning is stably performed. However, in the embodiment of FIG. 6, since the reticle Y-axis drive stage 10 is large and mechanical resonance hardly occurs, the notch filter means 58A can be omitted.

【００５３】なお、図６の制御系においては、走査速度
の差分（ＶW ／β−ＶR ）に対応する速度指令信号がレ
チクル粗動ステージ速度制御系５６にフィードフォワー
ドされているが、図７に示すようにその速度指令信号を
ウエハステージ速度制御系５２側にフィードバックして
もよい。図７において、速度指令発生手段４１から出力
されたウエハステージの目標走査速度ＶW *を示す速度指
令信号が、減算手段５９に供給され、減算手段４５から
の走査速度の差分（ＶW ／β−ＶR ）に対応する速度指
令信号がノッチフィルタ手段５８Ｂを介して減算手段５
９に供給されている。ノッチフィルタ手段５８Ｂのノッ
チ周波数は、ウエハＹ軸駆動ステージ２の機械共振周波
数であるが、ウエハＹ軸駆動ステージ２は大型で機械共
振が発生しにくいため、ノッチフィルタ手段５８Ｂは省
くことができる。[0053] In the control system of FIG. 6, the speed command signal corresponding to the scanning speed of the difference (V W / β-V R ) is fed forward to the reticle coarse movement stage speed control system 56, FIG. As shown in FIG. 7, the speed command signal may be fed back to the wafer stage speed control system 52 side. In FIG. 7, a speed command signal indicating the target scanning speed V W * of the wafer stage outputted from the speed command generating means 41 is supplied to the subtracting means 59, and the difference in scanning speed (V W / β from the subtracting means 45. -V R) speed command signal corresponding to the through notch filter means 58B subtraction means 5
9 is being supplied. The notch frequency of the notch filter means 58B is the mechanical resonance frequency of the wafer Y-axis drive stage 2, but since the wafer Y-axis drive stage 2 is large and mechanical resonance is unlikely to occur, the notch filter means 58B can be omitted.

【００５４】そして、減算手段５９において、目標走査
速度ＶW *を示す速度指令信号から走査速度の差分（ＶW
／β−ＶR ）を示す速度指令信号を差し引いて得られた
速度指令信号が、ウエハステージ速度制御系５２に供給
されている。従って、レチクル粗動ステージ制御系５６
は、両ステージの位置の差分（ＹW ／β−ＹR ）に対応
する速度指令信号により駆動される。図７の実施例にお
いては、レチクルＹ軸駆動ステージ１０の加速に要する
時間は従来例と同様であるが、ウエハＹ軸駆動ステージ
２が目標走査速度ＶW *に達するまでの時間が短縮される
ため、結果として両ステージが同期走査されるまでの時
間が短縮される。Then, in the subtracting means 59, the difference in scanning speed (V W from the speed command signal indicating the target scanning speed V W * ).
/ Β-V R) speed command signal obtained by subtracting a speed command signal indicating the can is supplied to the wafer stage speed control system 52. Therefore, the reticle coarse movement stage control system 56
Is driven by a speed command signal corresponding to the difference between the positions of both stages (Y W / β−Y R ). In the embodiment of FIG. 7, the time required to accelerate the reticle Y-axis drive stage 10 is the same as that of the conventional example, but the time until the wafer Y-axis drive stage 2 reaches the target scanning speed V W * is shortened. Therefore, as a result, the time until both stages are synchronously scanned is shortened.

【００５５】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【００５６】[0056]

【発明の効果】本発明の第１の走査型露光装置によれ
ば、マスク側ステージと基板側ステージとの相対速度差
に応じた信号をステージ速度制御手段の速度指令信号に
フィードフォワードしているため、走査開始から同期走
査までに要する時間が短いという利点がある。更に、所
定の周波数成分を除去するフィルタ手段が設けられてい
るため、ステージの振動等が起こりにくく、安定な同期
走査が行われる。更に、フィルタ手段がフィードバック
ループではなくフィードフォワードループ内に設けられ
ているため、そのフィルタ手段により動作が不安定にな
ることがない利点がある。According to the first scanning type exposure apparatus of the present invention, the signal corresponding to the relative speed difference between the mask side stage and the substrate side stage is fed forward to the speed command signal of the stage speed control means. Therefore, there is an advantage that the time required from the start of scanning to the synchronous scanning is short. Further, since the filter means for removing the predetermined frequency component is provided, the vibration of the stage is less likely to occur, and stable synchronous scanning is performed. Further, since the filter means is provided in the feedforward loop instead of the feedback loop, there is an advantage that the filter means does not make the operation unstable.

【００５７】この場合、マスク側ステージ及び基板側ス
テージの少なくとも一部の機械共振周波数成分をそのフ
ィルタ手段により除去するときには、ステージの機械共
振が低減されて、安定な同期走査が行われる。また、本
発明の第２の走査型露光装置においては、マスク側ステ
ージ又は基板側ステージの位置を微調整する微動ステー
ジが設けられ、マスク側ステージと基板側ステージとの
相対位置差、及びマスク側ステージと基板側ステージと
の相対速度差をその微動ステージで補正するようにして
いるため、走査開始から同期が取られるまでの時間が短
い利点がある。また、微動ステージの機械共振周波数成
分を除去するフィルタ手段がフィードフォワードループ
内に設けられているため、微動ステージの機械共振を防
止できると共に、フィルタ手段により動作が不安定にな
ることがない。In this case, when the mechanical resonance frequency component of at least a part of the mask side stage and the substrate side stage is removed by the filter means, the mechanical resonance of the stage is reduced and stable synchronous scanning is performed. Further, in the second scanning type exposure apparatus of the present invention, a fine movement stage for finely adjusting the position of the mask side stage or the substrate side stage is provided, and the relative position difference between the mask side stage and the substrate side stage and the mask side Since the relative speed difference between the stage and the substrate side stage is corrected by the fine movement stage, there is an advantage that the time from the start of scanning to the synchronization is short. Further, since the filter means for removing the mechanical resonance frequency component of the fine movement stage is provided in the feedforward loop, the mechanical resonance of the fine movement stage can be prevented, and the filter means does not make the operation unstable.

【００５８】また、本発明の第３の走査型露光装置によ
れば、マスク側ステージと基板側ステージとの相対位置
差のみならず、マスク側ステージと基板側ステージとの
相対速度差に応じた信号をステージ速度制御手段に帰還
（フィードフォワード又はフィードバック）しているた
め、走査開始から同期走査までに要する時間が短いとい
う利点がある。According to the third scanning type exposure apparatus of the present invention, not only the relative position difference between the mask side stage and the substrate side stage but also the relative speed difference between the mask side stage and the substrate side stage is determined. Since the signal is fed back (feedforward or feedback) to the stage speed control means, there is an advantage that the time required from the start of scanning to the synchronous scanning is short.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明による走査型露光装置の第１実施例のス
テージ機構を示す正面図である。FIG. 1 is a front view showing a stage mechanism of a first embodiment of a scanning exposure apparatus according to the present invention.

【図２】（ａ）は図１のウエハ側のステージ構成を示す
平面図、（ｂ）は図１のレチクル側のステージ構成を示
す平面図である。2A is a plan view showing a stage structure on the wafer side of FIG. 1, and FIG. 2B is a plan view showing a stage structure on the reticle side of FIG.

【図３】第１実施例のステージの制御系を示す一部機能
ブロック図を含む構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram including a partial functional block diagram showing a stage control system of the first embodiment.

【図４】第１実施例のステージの制御系を示す機能ブロ
ック図である。FIG. 4 is a functional block diagram showing a control system of a stage of the first embodiment.

【図５】（ａ）は図３のノッチフィルタ手段５８の周波
数特性を示す図、（ｂ）はバンドエリミネートフィルタ
の周波数特性を示す図である。5A is a diagram showing a frequency characteristic of the notch filter means 58 of FIG. 3, and FIG. 5B is a diagram showing a frequency characteristic of the band eliminate filter.

【図６】本発明の第２実施例のステージの制御系を示す
機能ブロック図である。FIG. 6 is a functional block diagram showing a stage control system according to a second embodiment of the present invention.

【図７】第２実施例の変形例を示す機能ブロック図であ
る。FIG. 7 is a functional block diagram showing a modified example of the second embodiment.

【図８】（ａ）は走査型露光装置の露光動作の説明図、
（ｂ）はウエハ上のショット領域とスリット状の露光領
域との関係を示す拡大平面図である。FIG. 8A is an explanatory diagram of an exposure operation of the scanning exposure apparatus,
FIG. 6B is an enlarged plan view showing the relationship between the shot area on the wafer and the slit-shaped exposure area.

【図９】従来の走査型露光装置のステージの制御系を示
す機能ブロック図である。FIG. 9 is a functional block diagram showing a stage control system of a conventional scanning exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ウエハ支持台 ２ ウエハＹ軸駆動ステージ ５ ウエハ ８ 投影光学系 ９ レチクル支持台 １０ レチクルＹ軸駆動ステージ １１ レチクル微小駆動ステージ １２ レチクル １３Ｙ１，１３Ｙ２ ウエハ側の干渉計 １４ｙ１，１４ｙ２ レチクル微小駆動ステージ１１用
の干渉計 ２２Ａ 主制御系 ２３ レチクルＹ軸駆動ステージ１０用の干渉計 ４１ 速度指令発生手段 ５２ ウエハステージ速度制御系 ５３，５７ 積分手段 ５４ レチクル粗動ステージ速度制御系 ５５ レチクル微動ステージ位置制御系 ５６ レチクル微動ステージ速度制御系 ５８ ノッチフィルタ手段1 Wafer Support Stage 2 Wafer Y-Axis Drive Stage 5 Wafer 8 Projection Optical System 9 Reticle Support Stage 10 Reticle Y-Axis Drive Stage 11 Reticle Micro Drive Stage 12 Reticles 13Y1, 13Y2 Wafer Side Interferometer 14y1, 14y2 For Reticle Micro Drive Stage 11 Interferometer 22A Main control system 23 Interferometer for reticle Y-axis drive stage 41 Speed command generating means 52 Wafer stage speed control system 53, 57 Integrating means 54 Reticle coarse movement stage speed control system 55 Reticle fine movement stage position control system 56 Reticle fine movement stage speed control system 58 Notch filter means

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 転写用のパターンが形成されたマスクを
走査するマスク側ステージと、感光性の基板を走査する
基板側ステージとを有し、前記マスク上の所定形状の照
明領域を露光用の照明光で照明した状態で、前記所定形
状の照明領域に対して前記マスクを所定の方向に走査す
るのと同期して前記基板を所定の方向に走査することに
より、前記基板上に前記マスクのパターンを逐次露光す
る走査型露光装置において、 前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの走査速
度を計測する速度計測手段と、 前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの少なく
とも一方の目標走査速度に対応する速度指令信号を発生
する速度設定手段と、 該速度設定手段から発生された速度指令信号に基づいて
前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの走査速
度を制御するステージ速度制御手段と、 前記マスク側ステージと前記基板側ステージとの相対速
度差に応じた信号を前記ステージ速度制御手段の速度指
令信号に加算する演算手段と、 該演算手段から前記ステージ速度制御手段に供給される
信号から所定の周波数成分を除くフィルタ手段と、を備
えたことを特徴とする走査型露光装置。1. A mask-side stage for scanning a mask on which a transfer pattern is formed, and a substrate-side stage for scanning a photosensitive substrate, wherein an illumination region of a predetermined shape on the mask is exposed. In a state of being illuminated with illumination light, by scanning the substrate in a predetermined direction in synchronization with scanning the mask in a predetermined direction with respect to the illumination area of the predetermined shape, the mask of the mask on the substrate is scanned. In a scanning type exposure apparatus that sequentially exposes a pattern, it corresponds to a speed measuring unit that measures a scanning speed of the mask side stage and the substrate side stage, and a target scanning speed of at least one of the mask side stage and the substrate side stage. Speed setting means for generating a speed command signal, and the mask side stage and the substrate side stage based on the speed command signal generated by the speed setting means Speed control means for controlling the scanning speed of the stage, a calculation means for adding a signal according to a relative speed difference between the mask side stage and the substrate side stage to a speed command signal of the stage speed control means, and the calculation means And a filter means for removing a predetermined frequency component from the signal supplied from the stage speed control means to the scanning exposure apparatus. 【請求項２】 前記フィルタ手段により除かれる所定の
周波数成分は、前記マスク側ステージ及び前記基板側ス
テージの少なくとも一部の機械共振周波数成分であるこ
とを特徴とする請求項１記載の走査型露光装置。2. The scanning exposure according to claim 1, wherein the predetermined frequency component removed by the filter means is a mechanical resonance frequency component of at least a part of the mask side stage and the substrate side stage. apparatus. 【請求項３】 転写用のパターンが形成されたマスクを
走査するマスク側ステージと、感光性の基板を走査する
基板側ステージとを有し、前記マスク上の所定形状の照
明領域を露光用の照明光で照明した状態で、前記所定形
状の照明領域に対して前記マスクを所定の方向に走査す
るのと同期して前記基板を所定の方向に走査することに
より、前記基板上に前記マスクのパターンを逐次露光す
る走査型露光装置において、 前記マスク又は前記基板の位置を微調整する微動ステー
ジと、 前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの走査速
度を計測する速度計測手段と、 前記微動ステージにより微調整された後の前記マスク側
ステージ及び前記基板側ステージの位置を計測する位置
計測手段と、 前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの少なく
とも一方の目標走査速度に応じた速度指令信号を発生す
る速度設定手段と、 該速度設定手段から発生された速度指令信号に基づいて
前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの移動速
度を制御するステージ速度制御手段と、 前記マスク側ステージと前記基板側ステージとの相対位
置差に応じた速度指令信号に基づいて前記微動ステージ
の速度を制御する微動ステージ制御手段と、 前記マスク側ステージと前記基板側ステージとの相対速
度差に応じた信号を前記微動ステージ制御手段の速度指
令信号に加算する演算手段と、 該演算手段より前記微動ステージ制御手段に供給される
信号から前記微動ステージの機械共振周波数成分を除く
フィルタ手段と、を備えたことを特徴とする走査型露光
装置。3. A mask-side stage for scanning a mask on which a transfer pattern is formed, and a substrate-side stage for scanning a photosensitive substrate, for exposing an illumination area of a predetermined shape on the mask for exposure. In a state of being illuminated with illumination light, by scanning the substrate in a predetermined direction in synchronization with scanning the mask in a predetermined direction with respect to the illumination area of the predetermined shape, the mask of the mask on the substrate is scanned. In a scanning exposure apparatus that sequentially exposes a pattern, a fine movement stage that finely adjusts the position of the mask or the substrate, a speed measurement unit that measures a scanning speed of the mask side stage and the substrate side stage, and the fine movement stage Position measuring means for measuring the positions of the mask-side stage and the substrate-side stage after fine adjustment, the mask-side stage and the substrate-side stage Speed setting means for generating a speed command signal according to at least one target scanning speed, and a stage for controlling the moving speed of the mask side stage and the substrate side stage based on the speed command signal generated by the speed setting means Speed control means, fine movement stage control means for controlling the speed of the fine movement stage based on a speed command signal according to a relative position difference between the mask side stage and the substrate side stage, the mask side stage and the substrate side Calculating means for adding a signal according to the relative speed difference with the stage to the speed command signal of the fine movement stage control means, and a mechanical resonance frequency component of the fine movement stage from the signal supplied from the calculating means to the fine movement stage control means. A scanning type exposure apparatus, comprising: 【請求項４】 転写用のパターンが形成されたマスクを
走査するマスク側ステージと、感光性の基板を走査する
基板側ステージとを有し、前記マスク上の所定形状の照
明領域を露光用の照明光で照明した状態で、前記所定形
状の照明領域に対して前記マスクを所定の方向に走査す
るのと同期して前記基板を所定の方向に走査することに
より、前記基板上に前記マスクのパターンを逐次露光す
る走査型露光装置において、 前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの走査速
度を計測する速度計測手段と、 前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの位置を
計測する位置計測手段と、 前記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの少なく
とも一方の目標走査速度に応じた速度指令信号を発生す
る速度設定手段と、 該速度設定手段から発生された速度指令信号に応じて前
記マスク側ステージ及び前記基板側ステージの走査速度
を制御するステージ速度制御手段と、 前記マスク側ステージと前記基板側ステージとの相対位
置差に応じた信号を用いて前記ステージ速度制御手段の
速度指令信号を調整する位置情報帰還手段と、 前記マスク側ステージと前記基板側ステージとの相対速
度差に応じた信号を前記ステージ速度制御手段の速度指
令信号に加算する速度情報帰還手段と、を備えたことを
特徴とする走査型露光装置。4. A mask-side stage that scans a mask on which a transfer pattern is formed, and a substrate-side stage that scans a photosensitive substrate, and an illumination area of a predetermined shape on the mask is exposed. In a state of being illuminated with illumination light, by scanning the substrate in a predetermined direction in synchronization with scanning the mask in a predetermined direction with respect to the illumination area of the predetermined shape, the mask of the mask on the substrate is scanned. In a scanning exposure apparatus that sequentially exposes a pattern, a speed measuring unit that measures a scanning speed of the mask side stage and the substrate side stage, and a position measuring unit that measures the positions of the mask side stage and the substrate side stage, Speed setting means for generating a speed command signal according to a target scanning speed of at least one of the mask side stage and the substrate side stage; Stage speed control means for controlling the scanning speed of the mask side stage and the substrate side stage according to the generated speed command signal, and a signal according to the relative position difference between the mask side stage and the substrate side stage is used. Position information feedback means for adjusting the speed command signal of the stage speed control means, and a signal according to the relative speed difference between the mask side stage and the substrate side stage is added to the speed command signal of the stage speed control means. A scanning exposure apparatus comprising: a speed information feedback unit.
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