JPH0878190A - マイクロ波放電装置及び放電方法 - Google Patents

マイクロ波放電装置及び放電方法

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JPH0878190A
JPH0878190A JP6232418A JP23241894A JPH0878190A JP H0878190 A JPH0878190 A JP H0878190A JP 6232418 A JP6232418 A JP 6232418A JP 23241894 A JP23241894 A JP 23241894A JP H0878190 A JPH0878190 A JP H0878190A
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JP
Japan
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waveguide
microwave
slot antenna
microwave power
antenna
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JP6232418A
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Takeshige Ishida
丈繁 石田
Kazuyuki Toyoda
一行 豊田
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Kokusai Electric Corp
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Kokusai Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】マイクロ波放電装置及び放電方法に於いて、平
面スロットアンテナに対して矩形導波管を介してマイク
ロ波電力供給装置より供給される電力を、整合よく安定
に供給し、効率良くECR共鳴プラズマの形成ができ、
而もアンテナ自体の機械的強度を充分に確保できるマイ
クロ波放電装置を提供する。 【構成】マイクロ波電力供給装置13に接続された矩形
導波管12の末端部が平面的に拡大され、狭間隔の平板
5,6で挾まれた平板構造となっており、この一方の平
板6面に所定の長さと幅のスロットを設け、対向する平
板5には導波路の裏面に永久磁石4を配置した平面スロ
ットアンテナ構造24とし、該平面スロットアンテナに
前記導波管を介してマイクロ波電力供給装置を接続し、
マイクロ波電力を平面スロットアンテナに導波管を介し
て矩形導波モード、円形導波モードのいずれかのモード
で供給し、平面スロットアンテナに隣接する空間にプラ
ズマを成形し、又該プラズマにマイクロ波電力を供給す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路或は液
晶表示(LCD)素子に用いられる半導体微粒素子の製
造工程の一部である、ドライエッチング或はCVDプロ
セス等のプラズマ源として利用されるマイクロ波放電装
置及びその方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波放電装置として2.45GHz
のマイクロ波による永久磁石方式ECR(電子サイクロ
トロン共鳴)放電装置がある。
【0003】図3により従来のマイクロ波放電装置を説
明する。
【0004】真空処理室1の底面には基板載置台を兼ね
る基板電極2が設けられ、該基板電極2にはシリコンウ
ェーハ等の被処理基板3が載置される。前記基板電極2
に対向し前記真空処理室1の天井面には永久磁石板4を
介して対向電極平板5が設けられ、又、前記対向電極平
板5の下面に狭隘な空間8を隔ててアンテナ平板6が設
けられている。該アンテナ平板6は前記永久磁石板4に
よる磁界に対応した所定の位置にスロットが設けられ、
マイクロ波電力をプラズマ形成域に輻射する。而して前
記永久磁石板4、対向電極平板5、アンテナ平板6によ
り平面スロットアンテナ24が構成される。
【0005】前記永久磁石板4、対向電極平板5、真空
処理室1の天井を貫通する通孔7が穿設され、前記アン
テナ平板6の中心には前記通孔7を貫通し上方に延出す
る同軸導波管中心導体9が設けられている。
【0006】前記真空処理室1の上面に前記通孔7と同
心に耐圧型同軸導波管外部導体10を気密に設け、該耐
圧型同軸導波管外部導体10に同軸導波管外部導体11
が連設されている。該同軸導波管外部導体11の上端に
は水平に配設された矩形導波管12が接続され、該矩形
導波管12の基端にはマイクロ波電力供給装置13が設
けられている。前記同軸導波管中心導体9の上端は矩形
導波管12内部に達し、該上端部は矩形−同軸導波管変
換部14となっている。
【0007】前記耐圧型同軸導波管外部導体10の上端
部には導波管内真空隔壁15が設けられ、該導波管内真
空隔壁15より真空処理室1側が真空に維持される様に
なっている。
【0008】尚、図中16はアンテナ平板6へのマイク
ロ波電力供給の整合を調整する為前記矩形導波管12に
設けられたスタブチューナ、17は真空処理室1内にプ
ラズマ発生用ガスを供給するガス供給装置、18は排気
装置である。
【0009】前記排気装置18により真空処理室1内を
真空引きし、更に所要の負圧に維持しつつ前記ガス供給
装置17により真空処理室1内にプラズマ発生用のガス
が供給される。
【0010】前記マイクロ波電力供給装置13より電力
が矩形導波管12、同軸導波管外部導体11、耐圧型同
軸導波管外部導体10を通じて同軸導波モードにより平
面スロットアンテナ24に供給され、該平面スロットア
ンテナ24により前記被処理基板3近傍の上方にECR
プラズマ放電が発生される。該ECRプラズマ放電を利
用して被処理基板3のエッチング、CVD処理が行われ
る。
【0011】図4は従来の他のマイクロ波放電装置を示
している。
【0012】尚、図4中、図3中で示したものと同一の
ものには同符号を付しその説明を省略する。
【0013】該従来例では図3中で示した耐圧型同軸導
波管外部導体10と同軸導波管外部導体11との接続構
造、耐圧型同軸導波管外部導体10と同軸導波管外部導
体11との境界部に導波管内真空隔壁15を設ける構造
を改良したものである。
【0014】即ち、耐圧型同軸導波管外部導体20を前
記矩形導波管12の連結箇所迄延出させ、前記耐圧型同
軸導波管外部導体20の上端に真空耐圧型矩形導波管2
1を設け、該真空耐圧型矩形導波管21を介して矩形導
波管12と耐圧型同軸導波管外部導体20とを連結し、
該耐圧型同軸導波管外部導体20内部に軸支承体22を
介して同軸導波管中心導体9を支持したものであり、真
空耐圧型矩形導波管21の矩形導波管12側端にマイク
ロ波電力透過性の導波管内真空隔壁15を設けたもので
ある。
【0015】該従来例に於けるプラズマ発生作用は上記
した従来例と同様であるので説明を省略する。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】図3で示した従来のマ
イクロ波放電装置では、マイクロ波電力を矩形−同軸導
波管変換部14を介して同軸導波モードにて供給する
が、導波管内部に前記導波管内真空隔壁15を設ける必
要がある。この隔壁部ではマイクロ波電力の整合が乱れ
易く、プラズマへの有効な電力伝送が難しい。又、同軸
導波管中心導体9の機械的支持の為、前記導波管内真空
隔壁15の所要の厚みが確保されなければならないが、
導波管内真空隔壁15の厚みが厚いと導波管内真空隔壁
15でのマイクロ波電力の吸収損失が増え発熱がある。
従って、導波管内真空隔壁15の過熱を防止する為、冷
却が必要となり、構造が極めて複雑になる。更に、前記
導波管内真空隔壁15を気密に取付ける場合は、ロウ付
けが実際的であるが、高コストであり、且発熱に対する
信頼性が低い等の問題があった。
【0017】又、図4で示した従来のマイクロ波放電装
置では、導波管内真空隔壁15が同軸導波管部ではな
く、矩形導波管部に設けられている。この場合、導波管
内真空隔壁15が単板状で真空気密シールが容易となる
が、真空処理室1から矩形−同軸導波管変換部14迄を
耐圧構造の耐圧型同軸導波管外部導体20と真空耐圧型
矩形導波管21としなければならず、重量がかさみ装置
構成が複雑になる。
【0018】又、耐圧型同軸導波管外部導体20内に配
設される同軸導波管中心導体9を支持する為、前記軸支
承体22が必要となり、耐圧型同軸導波管外部導体20
内が完全な均質材料で構成することができなくなり、マ
イクロ波電力を整合よく伝送出来ないという問題があっ
た。
【0019】従って、上記した従来のマイクロ波放電装
置では大面積の平面スロットアンテナ24に対し、マイ
クロ波電力供給装置から導波管を通して損失を抑え、効
率よく電力を伝送し、安定にプラズマを発生させること
が困難であった。
【0020】本発明は斯かる実情に鑑み、平面スロット
アンテナに対して矩形導波管を介してマイクロ波電力供
給装置より供給される電力を、整合よく安定に供給し、
効率良くECR共鳴プラズマの形成ができ、而もアンテ
ナ自体の機械的強度を充分に確保できるマイクロ波放電
装置を提供しようとするものである。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロ波電
力供給装置に接続された矩形導波管の末端部が平面的に
拡大され、狭間隔の平板で挾まれた平板構造となってお
り、この一方の平板面に所定の長さと幅のスロットを設
け、対向する平板には導波路の裏面に永久磁石を配置し
た平面スロットアンテナ構造とし、該平面スロットアン
テナに前記導波管を介してマイクロ波電力供給装置を接
続したことを特徴とするものである。
【0022】
【作用】平面スロットアンテナに導波管を介して矩形導
波モード、円形導波モードのいずれかでマイクロ波電力
が供給され、平面スロットアンテナに隣接する空間にプ
ラズマが成形され、又該プラズマにマイクロ波電力が供
給される。
【0023】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
【0024】図1に於いて第1の実施例を説明する。
尚、図1中、図3中で示したものと同様の機能を有する
ものには同符号を付し、その説明を省略してある。
【0025】前記マイクロ波電力供給装置13はL字状
に延びる矩形導波管12、真空耐圧型矩形導波管26を
介して平面スロットアンテナ24に接続され、前記矩形
導波管12のコーナ部にはコーナ導波管25が設けられ
ている。前記真空耐圧型矩形導波管26の上端、前記矩
形導波管12との境界部には、導波管内真空隔壁15が
設けられている。又、前記真空耐圧型矩形導波管26に
は平面スロットアンテナ24へのマイクロ波電力供給の
整合を調整する為のスタブチューナ16が設けられてい
る。
【0026】該スタブチューナ16は前記導波管内真空
隔壁15から平面スロットアンテナ24迄の間に一般的
なスタブチューナを設ければよく、マイクロ波電力の整
合を容易に調整することができる。而して、導波路内に
ある前記導波管内真空隔壁15は、スタブチューナによ
る電力整合区域外にあるので、導波管内に発生する定在
波によって導波管内真空隔壁15にマイクロ波が集中
し、発熱を起こす虞れが少なくなる。
【0027】前記永久磁石板4に対峙して設けられた基
板電極2には基板電極用電源23が接続され、該基板電
極用電源23により基板電極2に前記スロットアンテナ
24とは独立して交流電力を印加して、基板電極2表面
に自己バイアス電圧を発生させる。
【0028】前記平面スロットアンテナ24のアンテナ
平板6に設けるスロットパターンは伝播するマイクロ波
電力の輻射効率を考慮して配置するが、実際には矩形或
は円形導波管から平面スロットアンテナ24に入射する
際の伝播状態の変化に応じて実験的に求める。
【0029】但し、平面スロットアンテナ24近傍でE
CR条件を満たす磁場を与える為、スロット位置で定ま
る所定の位置に前記永久磁石4の磁極を設定できること
が必要である。この為、前記永久磁石板4が平板状の大
型磁石では、所要の磁界を形成するのが困難であり、そ
れに代え、例えばアンテナ平板6のスロット近傍の共鳴
磁界形成に必要な対向電極平板5の相当した位置に、例
えば円柱状の小型磁石を多数配置して構成する。
【0030】又、スロットパターンの配置は、大面積で
均一にプラズマ放電を形成する為、アンテナ平板6の中
心部の配置密度は外周部より低くし、アンテナ近傍の面
内プラズマ密度が均一となる様にする。
【0031】前記平面スロットアンテナ24への電力供
給は、前記マイクロ波電力供給装置13より矩形導波管
12、コーナ導波管25、真空耐圧型矩形導波管26を
通じて矩形導波モード、又は円形導波モードで行われ
る。前記平面スロットアンテナ24により前記被処理基
板3近傍の上方にECRプラズマ放電が発生される。該
ECRプラズマ放電を利用して被処理基板3のエッチン
グ、CVD処理が行われる。
【0032】更に、基板電極2に前記基板電極用電源2
3より平面スロットアンテナ24とは独立して交流電力
を印加して、電極表面に自己バイアス電圧を発生させて
プラズマ処理を行うことができる。具体的には特にドラ
イエッチング加工に於いて、500KHz から20MHz の
間の適切な周波数及び交流電力を自己バイアス源として
印加し、被処理基板3への入射イオンの加速効果を図
り、エッチング速度、異方加工性にすぐれた加工特性の
向上、効果を期待できる。
【0033】前記平面スロットアンテナ24への電力供
給は矩形導波モードでマイクロ電力の供給を行うこと
で、前記導波管内真空隔壁15に於ける導波管前後の空
隙域と誘電率変化に起因するマイクロ波電力の不整合を
回避でき、プラズマへの有効な電力伝送が実施できる。
又、前記導波管内真空隔壁15は同軸導波管中心導体9
の貫通しない単純な単板構造であるので、マイクロ波電
力の吸収による発熱に対し、真空リークを起こし難く信
頼性の高い堅牢な構造とすることができる。
【0034】更に、前記平面スロットアンテナ24への
マイクロ波電力の波形については通常使用する単一振幅
の連続に加え、波形を振幅変調して印加してもよい。
【0035】前記したアンテナ平板6の中心部の配置密
度を外周部より低くし、アンテナ近傍の面内プラズマ密
度が均一となる様にしたスロットパターンの配置に於い
て、中央部のスロットで効率良くプラズマ放電を着火す
る為、例えば入射電力を振幅変調することが望ましい。
このとき、平均電力が同じである単一振幅波の印加時と
比較すると、マイクロ波電源、導波管の許容電力容量を
増さずに、変調波の尖頭高電力に依って瞬間的に、より
高電子温度のプラズマを生成できる為、アンテナ平板6
中央部での放電によるプラズマ放電維持効果が向上し、
大面積プラズマの形成がより安定に行える。
【0036】図2に於いて、第2の実施例を説明する。
【0037】図2中、図1中で示したものと同一のもの
には同符号を付してある。
【0038】本実施例では真空耐圧型矩形導波管26の
下端に矩形−円形導波管変換部27を介して真空耐圧型
円形導波管28を設け、該真空耐圧型円形導波管28を
前記真空処理室1に接続したものである。
【0039】而して、平面スロットアンテナへの電力供
給は、マイクロ波電力供給装置13より電力をまず矩形
導波管12、コーナ導波管25及び真空耐圧型矩形導波
管26を通じて供給される。次いで真空耐圧型矩形導波
管26に接続した矩形−円形導波管変換部27にて円形
導波モードに変換され真空耐圧型円形導波管28を経て
平面スロットアンテナにまで電力供給が行われる。
【0040】本実施例では導波管内真空隔壁15から平
面スロットアンテナ24迄は真空耐圧型矩形導波管26
又は矩形−円形導波管変換部27、真空耐圧型円形導波
管28のみで単純な構成で接続でき、重量のかさむ真空
耐圧型導波路を最少限のコンパクトな構造に抑えること
ができる。
【0041】本実施例に於いても、前記平面スロットア
ンテナ24への電力供給は円形導波モードでマイクロ電
力の供給を行うことで、前記導波管内真空隔壁15に於
ける導波管前後の空隙域と誘電率変化に起因するマイク
ロ波電力の不整合を回避でき、プラズマへの有効な電力
伝送が実施できる。
【0042】尚、上記実施例に於いて、矩形及び円形導
波管の導波管路断面寸法を適当に選択し任意の伝播モー
ドでアンテナに電力を伝送可能である。伝播モードにつ
いてはTE及びTMの各モードが利用可能であるが、ア
ンテナ平板6上での輻射電界を均一なプラズマ放電を発
生できる様制御する必要がある為、適したモードの選択
を行う。例えば円形導波管を用いた場合は、TE01モ
ードを用いると円形導波路の中心より径方向に比較的平
坦にひろがった均一なプラズマ密度分布を得ることがで
き、アンテナの口径を有効に利用した大面積プラズマを
形成する為に有利である。
【0043】更に、導波管内真空隔壁15から平面スロ
ットアンテナ24迄は導波管を介して管内空隙をすべて
マイクロ波透過性の絶縁性材料で充填してもよい。管内
の充填によりマイクロ波電力の透過損失が多少生ずる
が、一方、アンテナ平板6近傍の導波路内での異常放電
及びプラズマ接触を防ぎ、プラズマ発生の安定性を向上
する効果がある。充填材料としては、石英、フッ素樹
脂、アルミナ等のマイクロ波領域での低損失材料が適し
ている。
【0044】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、マイク
ロ波電力の平面スロットアンテナへの給電を整合よく実
施でき、プラズマへの有効な電力伝送を行え、且導波管
内真空隔壁が単純な単板構造であり、長期に亘り真空リ
ークを起こしにくいので、効率の向上、信頼性の向上を
図り得、又真空隔壁から平面スロットアンテナ迄単純な
構成とすることができ、重量のかさむ耐圧型導波路を最
少限に抑えた簡潔な構造とすることができ、大面積のマ
イクロ波放電を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す説明図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す説明図である。
【図3】従来例を示す説明図である。
【図4】他の従来例を示す説明図である。
【符号の説明】
2 基板電極 4 永久磁石板 5 対向電極平板 6 アンテナ平板 13 マイクロ波電力供給装置 15 導波管内真空隔壁 16 スタブチューナ 23 基板電極用電源 24 平面スロットアンテナ 25 コーナ導波管 26 真空耐圧型矩形導波管 27 矩形−円形導波管変換部 28 真空耐圧型円形導波管

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マイクロ波電力供給装置に接続された矩
    形導波管の末端部が平面的に拡大され、狭間隔の平板で
    挾まれた平板構造となっており、この一方の平板面に所
    定の長さと幅のスロットを設け、対向する平板には導波
    路の裏面に永久磁石を配置した平面スロットアンテナ構
    造とし、該平面スロットアンテナに前記矩形導波管を介
    してマイクロ波電力供給装置を接続したことを特徴とす
    るマイクロ波放電装置。
  2. 【請求項2】 マイクロ波電力供給装置に接続された矩
    形同波管を変換器によって円形導波管に変換した後、円
    形導波管の末端部が平面的に拡大され、狭間隔の平板で
    挾まれた平板構造となっていることを特徴とする請求項
    1のマイクロ波放電装置。
  3. 【請求項3】 平面スロットアンテナと接続する導波管
    内の空間に、マイクロ波電力透過性の真空隔壁を設け、
    隔壁と平面スロットアンテナの間を真空減圧状態とした
    ことを特徴とする請求項1又は請求項2のマイクロ波放
    電装置。
  4. 【請求項4】 平面スロットアンテナと接続した導波管
    内に設けたマイクロ波電力透過性の真空隔壁と平面スロ
    ットアンテナとの間にスタブチューナを設け、入射する
    マイクロ波電力の整合を行うことを特徴とする請求項1
    又は請求項2のマイクロ波放電装置。
  5. 【請求項5】 平面スロットアンテナ内の空間、真空隔
    壁で仕切られた平面スロットアンテナ側の空間をマイク
    ロ波透過性の絶縁性材料で充填したことを特徴とする請
    求項1又は請求項2のマイクロ波放電装置。
  6. 【請求項6】 アンテナ平板に対向する、対向電極平板
    の裏面に設置する永久磁石を円柱状磁石の集合体で構成
    したことを特徴とする請求項1又は請求項2のマイクロ
    波放電装置。
  7. 【請求項7】 平面スロットアンテナに導波管を介して
    マイクロ波電力を供給してECR放電させるマイクロ波
    放電方法に於いて、マイクロ波電力供給を矩形導波モー
    ド、円形導波モードのいずれかとしたことを特徴とする
    マイクロ波放電方法。
  8. 【請求項8】 マイクロ波電力供給モードが矩形導波モ
    ードであり、更にTE10又はTM11である請求項7
    のマイクロ波放電方法。
  9. 【請求項9】 マイクロ波電力供給モードが円形導波モ
    ードであり、更にTE11、TM01又はTE01であ
    る請求項7のマイクロ波放電方法。
  10. 【請求項10】 平面スロットアンテナに導波管を介し
    て供給するマイクロ波電力の波形を、振幅変調して印加
    する請求項7のマイクロ波放電方法。
  11. 【請求項11】 平面スロットアンテナに対向する位置
    に配設した基板電極に、前記平面スロットアンテナとは
    独立して、周波数が500KHz 以上20MHz以下の交流
    電力を印加して、基板電極に自己バイアス電圧を発生さ
    せてプラズマ処理を行う請求項7のマイクロ波放電方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2001076329A1 (fr) * 2000-03-30 2001-10-11 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement au plasma
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