JP5656504B2 - 真空処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
即ち、本発明に係る真空処理装置は、互いに平行に対向して配置され、その間にプラズマが生成される一方および他方のリッジ電極を有したリッジ導波管からなる放電室と、前記放電室の両端に隣接して配置され、互いに平行に対向して配置された一対の平板状のリッジ部を有したリッジ導波管からなり、高周波電源から供給された高周波電力を方形導波管の基本伝送モードに変換して前記放電室に伝送し、前記一方および他方のリッジ電極の間にプラズマを発生させる一対の変換器と、高周波電力を前記リッジ部に供給する電源手段と、前記電源手段と前記リッジ部との間を電気的に接続する電源ラインと、前記放電室および前記変換器の内部の気圧を減圧させる排気部と、を有し、前記変換器における前記リッジ部の対向間隔よりも、前記放電室における前記リッジ電極の対向間隔の方が狭く設定されて前記リッジ電極間でプラズマを発生させるように構成され、さらに、前記変換器の内部において、対向する前記リッジ部の間に充填される充填材を備え、該充填材は前記電源ラインが前記変換器に接続される電源導入部の周囲を取り囲む同心円状に構成されているとともに、前記充填材の比重は、前記電源導入部の近傍の範囲に比べて、その外周側の範囲の方が低く設定されていることを特徴とする。
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図3を参照して説明する。本実施形態においては、本発明を、一辺が1mを越える大面積な基板に対して、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池等に用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン等の結晶質シリコン、窒化シリコン等からなる膜の製膜処理をプラズマCVD法によって行うことが可能な製膜装置(真空処理装置)1に適用した場合について説明する。
次に、本発明の第2実施形態について、図4、図5を参照して説明する。本実施形態において、図1から図3に示す第1実施形態の構成と異なるのは、充填材35が、変換器3A,3Bにおけるリッジ部31a,31b間の空間のほぼ全域に亘って充填されており、この充填材35の比重が、同軸ケーブル4A,4Bがリッジ部31a,31bに接続される電源導入部Cの近傍の範囲に比べて、その外周側の範囲の方が低く設定されている点であり、他の部分の構成は第1実施形態と同一である。
2 放電室(プロセス室)
3A,3B 変換器
4A,4B 同軸ケーブル(電源ライン)
5A,5B 高周波電源(電源手段)
9 排気部
21a,21b リッジ電極
31a,31b リッジ部
35 充填材
35a 高比重な充填素材
35b 低比重な充填素材
41 外部導体
42 内部導体
d1 リッジ電極対向間隔
d2 リッジ部対向間隔
C 電源導入部
S 基板
Claims (5)
- 互いに平行に対向して配置され、その間にプラズマが生成される一方および他方のリッジ電極を有したリッジ導波管からなる放電室と、
前記放電室の両端に隣接して配置され、互いに平行に対向して配置された一対の平板状のリッジ部を有したリッジ導波管からなり、高周波電源から供給された高周波電力を方形導波管の基本伝送モードに変換して前記放電室に伝送し、前記一方および他方のリッジ電極の間にプラズマを発生させる一対の変換器と、
高周波電力を前記リッジ部に供給する電源手段と、
前記電源手段と前記リッジ部との間を電気的に接続する電源ラインと、
前記放電室および前記変換器の内部の気圧を減圧させる排気部と、を有し、
前記変換器における前記リッジ部の対向間隔よりも、前記放電室における前記リッジ電極の対向間隔の方が狭く設定されて前記リッジ電極間でプラズマを発生させるように構成され、
さらに、前記変換器の内部において、対向する前記リッジ部の間に充填される充填材を備え、
該充填材は前記電源ラインが前記変換器に接続される電源導入部の周囲を取り囲む同心円状に構成されているとともに、前記充填材の比重は、前記電源導入部の近傍の範囲に比べて、その外周側の範囲の方が低く設定されていることを特徴とする真空処理装置。 - 前記充填材は、前記電源導入部の近傍の範囲に設けられる高比重な充填素材と、この高比重な充填素材の外周側を取り巻く低比重な充填素材とが組み合わされたものであることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。
- 前記充填素材のうち、前記電源導入部の近傍の範囲に設けられる充填素材はアルミナセラミックスであることを特徴とする請求項1または2に記載の真空処理装置。
- 前記電源ラインは、外部導体と内部導体とを有する同軸ケーブルであり、前記外部導体は、前記電源導入部において、対向する一方の前記リッジ部に電気的に接続され、前記内部導体は、前記一方のリッジ部と前記変換器の内部空間を貫通して他方の前記リッジ部に電気的に接続され、前記充填材は、前記変換器の内部において前記内部導体の周囲を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の真空処理装置。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の真空処理装置を用いて基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。
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JP2010178110A JP5656504B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 真空処理装置およびプラズマ処理方法 |
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