JPH0864963A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents

多層プリント配線板の製造方法

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JPH0864963A
JPH0864963A JP6193372A JP19337294A JPH0864963A JP H0864963 A JPH0864963 A JP H0864963A JP 6193372 A JP6193372 A JP 6193372A JP 19337294 A JP19337294 A JP 19337294A JP H0864963 A JPH0864963 A JP H0864963A
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聖 中道
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 内層回路板にアンダーコート剤を塗工し、ア
ンダーコート剤が未硬化の状態で、熱硬化型絶縁性接着
剤層を有する銅箔をラミネートし、次いで、加熱により
一体硬化させる多層プリント配線板の製造方法であっ
て、前記銅箔として、外層回路となる厚さ1〜50μm
の銅の層とラミネート後除去する厚さ10〜200μm
の金属層を有した全厚11〜250μmの2層構造の銅
箔を使用する多層プリント配線板の製造方法。 【効果】 熱硬化型絶縁接着剤付き銅箔を硬質ロール等
でラミネートする際に、ラミネート後除去するキャリア
層を有するため厚くなっている2層構造銅箔が内層回路
の段差に追従しにくく、また内層回路に塗工後未硬化状
態のアンダーコート剤が溶融して表面が平滑化し、さら
に銅箔にコートされた熱硬化型絶縁接着剤が厚さを維持
しているため、内層銅箔残存率に依存することなく板厚
精度に優れた多層プリント配線板を作製することができ
る。更に、ラミネート後加熱することによりアンダーコ
ート剤と銅箔にコートされた熱硬化型絶縁接着剤とを一
体硬化することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱盤プレスを使用しな
いでも表面平滑性と板厚精度に優れた多層プリント配線
板を製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、多層プリント配線板を製造する場
合、回路作成された内層回路基板上にガラスクロス基材
にエポキシ樹脂を含浸してBステージ化したプリプレグ
シートを1枚以上重ね、更にその上に銅箔を重ね熱盤プ
レスにて加熱一体成形するという工程を経ている。しか
し、この工程では含浸樹脂を熱により再流動させ一定圧
力下で硬化させるため、均一に硬化成形するには 1〜
1.5時間は必要である。このように製造工程が長くか
かる上に、多層積層のための熱盤プレス及びガラスクロ
スプリプレグのコスト等により高コストとなっている。
加えてガラスクロスに樹脂を含浸させる方法のため層間
厚の極薄化も困難であった。
【0003】近年、これらの問題を解決するため、熱盤
プレスによる加熱加圧成形を行わず、層間絶縁材料にガ
ラスクロスを用いない、ビルドアップ方式による多層プ
リント配線板の技術が改めて注目されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ビルドアップ方式によ
る多層プリント配線板の製造方法において、フィルム状
の層間絶縁樹脂層を用いた場合、プリプレグで層間絶縁
樹脂層を形成する方法と比べて作業効率が著しく向上す
る。しかし、内層回路板の絶縁基板と回路との段差部分
にある空気を巻き込むことが予想され、それを防止する
ためは、減圧の環境下でラミネートを行わねばならず、
特殊な設備が必要になってくる。また、ラミネートした
絶縁層が内層回路板の絶縁基板と回路との段差に追従す
るため、表面平滑性が得られず、部品実装時に半田付け
不良等が発生したり、エッチングレジスト形成工程でレ
ジストの剥離、パターン現像度低下が発生して安定した
レジスト形成ができない等の問題がある。
【0005】さらに、プリプレグを使用した場合も同様
であるが、内層回路パターンの銅箔残存率によって埋め
込む樹脂量が変化することから同じフィルムを使用して
も成形後の板厚が同じにならない。つまり、銅箔残存率
が大きく埋め込むべき部分が少ない場合は板厚が厚くな
り、銅箔残存率が小さく埋め込むべき部分が多い場合は
板厚が薄くなることから、銅箔残存率によってフィルム
厚も変えなければ同じ板厚を達成することができない。
また、一枚の内層回路板でも場所により銅箔残存率に差
がある場合には得られた多層プリント配線板の板厚が均
一にならない欠点が生じることになる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、内層回路板に
アンダーコート剤を塗工し、アンダーコート剤が未硬化
の状態で、熱硬化型絶縁性接着剤層を有する銅箔をラミ
ネートし、次いで、加熱により一体硬化させる多層プリ
ント配線板の製造方法であって、前記銅箔として、外層
回路となる厚さ1〜50μmの銅の層とラミネート後除
去する厚さ10〜200μmの金属層を有した全厚11
〜250μmの2層構造の銅箔を使用することを特徴と
する多層プリント配線板の製造方法に関するものであ
る。即ち、スクリーン印刷、ローラーコーター、カーテ
ンコーターなどで液状のアンダーコート剤を塗工して、
内層回路板の銅箔回路間凹部を充填し、その後、熱硬化
型絶縁性接着剤付き銅箔を接着させる際に加熱された硬
質ロール等を使用することにより、該アンダーコート剤
を再溶融させ内層回路板の絶縁基板と回路との段差部分
にある空気を巻き込むことなく、また表面平滑性よくラ
ミネートすることができる。そのとき、銅箔にコートさ
れた熱硬化型絶縁接着剤は分子量10000以上のエポ
キシ樹脂成分により形状を維持したまま、すなわち層間
厚を保った状態で接着されるため、内層銅箔残存率に依
存することなく板厚精度に優れた多層プリント配線板を
作製することができる。ラミネート後加熱して同時一体
硬化反応によりアンダーコート剤と熱硬化型絶縁性接着
剤付き銅箔とを一体成形させる。
【0007】使用される銅箔はラミネート時に内層回路
板の絶縁基板と回路との段差に追従しないようにするた
め厚い方がよい。しかし、その後の回路形成時にエッチ
ングする際、銅箔が厚いと時間が長くなる上に幅方向の
エッチングが多くなるためにファインパターンが作成で
きないという欠点が生じる。そこで、外層回路となる厚
さ1〜50μmの銅の層とラミネート後除去する厚さ1
0〜200μmの金属層(キャリア)を有した全厚11
〜250μmの2層構造の銅箔を使用することによりラ
ミネート時には段差に追従しないで表面平滑性を得るこ
とができ、キャリア除去後の回路形成時には、エッチン
グ時間を短縮しファインパターンを作製することが可能
となる。金属層としてはアルミニウム、銅等が用いら
れ、厚みは10μmより薄いと段差に追従してしまい、
200μmより厚いとラミネート時にロールからの熱が
伝わり難く好ましくない。銅箔の厚さは50μmより厚
いと段差に追従し難くなり、ラミネート後除去する金属
層の必要がなくなる。
【0008】アンダーコート剤としては、エポキシ樹脂
が用いられる。具体的には、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等の多価
フェノール類のエポキシ樹脂の他、多価アルコールのエ
ポキシ化合物、脂環族エポキシ樹脂等を用いることがで
きる。さらには耐燃性を付与するために臭素化したエポ
キシ樹脂を用いることができる。必要に応じて、グリシ
ジル基を持つ反応性希釈剤、溶融シリカ、結晶性シリ
カ、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、アルミナ、
マイカ、タルク、ホワイトカーボン、Eガラス粉末など
を配合することができる。銅箔や内層回路板との密着性
や耐湿性を向上させるためのエポキシシランカップリン
グ剤、ボイドを防止するための消泡剤、更に液状又は粉
末の難燃剤等を添加することもできる。
【0009】次に、銅箔にコートする熱硬化型絶縁性接
着剤について説明する。一般に層間絶縁層である接着剤
のフィルム化や巻物化の手法としてはゴム系化合物やポ
リビニルブチラール、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹
脂などを配合しているが、これらの成分は多層プリント
配線板としての熱的性能を著しく低下させる。このた
め、本発明に用いる接着剤は前記アンダーコート剤との
一体化硬化させる際に流動性を小さく抑えて層間厚みを
保ち、且つフィルム成形性を持たせるために重量平均分
子量10000以上のビスフェノールA型エポキシ樹脂
又はビスフェノールF型エポキシ樹脂を配合している。
かかるエポキシ樹脂の配合割合は全エポキシ樹脂中30
〜90重量%、好ましくは50〜90重量%である。
【0010】用いられるエポキシ樹脂硬化剤としては、
アミン系硬化剤、アミド系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤またはこれらをエポキシアダクト化したものやマイク
ロカプセルしたものなどが選択される。例えば、ジエチ
レントリアミン等の脂肪族アミン、イソホロンジアミン
等の脂環族ポリアミン、ジシアンジアミド又はその誘導
体、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチル
イミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾー
ル、1−ブチルイミダゾール、2−アリルイミダゾー
ル、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダ
ゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイ
ミダゾール又はこれらのシアノエチル化物、さらにイミ
ダゾール環中の第3級窒素をトリメリット酸で造塩した
ものなどが用いられる。このような硬化剤の中で、ジシ
アンジアミドやイミダゾール系化合物あるいはマイクロ
カプセル化したイミダゾール系化合物が好ましい。かか
る硬化剤の配合量はエポキシ樹脂100重量部に対して
1〜30重量部である。1重量部より少ないと硬化が十
分進まず実用的でない。30重量部より多いと架橋密度
が高くなり過ぎ硬く脆くなることがある。また、必要に
応じて硬化促進剤を添加してもよい。
【0011】本発明の目的を達成するための、アンダー
コート剤の塗工及び熱硬化型絶縁性接着剤付き銅箔をラ
ミネートし硬化する方法について、概要を図1を用いて
説明する。
【0012】(A) 内層回路板(1)上に液状のアンダ
ーコート剤(3)をスクリーン印刷、ローラーコータ
ー、カーテンコーター等の従来のコーティング設備を使
用して内層回路(2)を覆う厚さまで塗工する。埋め込
み量が不十分であると、この後のラミネートで空気を巻
き込むことになる。このとき、アンダーコート剤は未硬
化状態である。
【0013】(B)表面に熱硬化型絶縁性接着剤(4)
付き2層構造の銅箔(5)をラミネートする。ラミネー
ターは表面平滑性を達成するために硬質ロール(6)を
使用するのが望ましい。ラミネート条件は、内層回路の
パターンによって異なるが、通常圧力は0.5〜6kg
f/cm2程度、表面温度は常温から100℃程度、ラ
ミネートスピードは 0.1〜6m/分程度で行う。この
ような条件では未硬化状態のアンダーコート剤の粘度は
1〜300ポイズとなり、硬質ロールを用いることで表
面平滑性を達成することができる。このとき内層回路
(2)と銅箔(5)との層間厚は熱硬化型絶縁性接着剤
の厚みで達成することができる。
【0014】(C)次いで、加熱して同時一体硬化反応
を行うことによりアンダーコート剤(3)と銅箔にコー
トされた熱硬化型絶縁接着剤(4)とを一体成形させた
後、2層構造の銅箔のうち外層回路を形成しない外側の
キャリアを除去することにより外層回路となる銅箔を持
つ多層プリント配線板を作製することができる。
【0015】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。
【0016】《実施例1》ビスフェノールA型エポキシ
樹脂(エポキシ当量6400、重量平均分子量3000
0)150重量部(以下配合量は全て重量部を表す)と
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量175
大日本インキ化学工業(株)製 エピクロン830)30
部をMEKに撹拌しながら溶解し、そこへ硬化剤として
マイクロカプセル化したイミダゾール120部とシラン
カップリング剤(日本ユニカー(株)製 商品名:A-18
7)10部を添加して熱硬化型絶縁性接着剤ワニスを作
製した。このワニスを厚さ70μmの銅キャリアのつい
た9μm銅箔のアンカー面に乾燥後の樹脂厚さが35μ
mとなるようにローラーコーターにて塗布、乾燥し熱硬
化型絶縁性接着剤付き銅箔を作製した。
【0017】次に、基材厚 0.1mm、銅箔厚35μm
のガラスエポキシ両面銅張積層板をパターン加工し、銅
箔表面を黒化処理した後、50℃で真空脱泡したビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ(株)製
エピコート828)をカーテンコーターにより厚さ約4
0μmに塗工した。その後、温度100℃、圧力2kg
f/cm2、ラミネートスピード0.8m/分の条件で、
硬質ロールを用いて上記熱硬化型絶縁性接着剤付き銅箔
をラミネートした。次いで、180℃、20分間加熱し
一体硬化させた。その後、70μmの銅キャリアを引き
剥すことにより外層回路を形成する銅箔が9μmである
多層プリント配線板を作製した。
【0018】《実施例2》内層回路板の回路銅厚が70
μm、アンダーコート剤の厚さが80μmとすること以
外は実施例1と全く同様にして多層プリント配線板を作
製した。
【0019】《比較例1》熱硬化型絶縁性接着剤ワニス
を厚さ18μmの銅箔(銅キャリアなし)のアンカー面
に塗工する以外は実施例1と全く同様にして多層プリン
ト配線板を作製した。
【0020】《比較例2》アンダーコート剤を塗工しな
い以外は実施例1と同様にして多層プリント配線板を作
製した。得られた多層プリント配線板は表1に示すよう
な特性を有している。
【0021】 表 1 ───────────────────────────────── 表面平滑性 吸湿半田耐熱性 埋込み性 層間絶縁層厚み ───────────────────────────────── 実施例1 3μm ○ ○ 35μm 実施例2 3 ○ ○ 35 比較例1 8 ○ ○ 35 比較例2 12 × × 35 ─────────────────────────────────
【0022】(試験方法) 内層回路板試験片:線間200μmピッチ、クリアラン
スホール 1.0mmφ 1.表面平滑性:JIS B 0601 R(max) 2.吸湿半田耐熱試験 吸湿条件:プレッシャークッカー処理、125℃、2.
3気圧、30分間 試験条件:n=5で、全ての試験片が280℃、120
秒間で膨れが無かった場合を○とした。 3.埋込み性:外層銅箔を剥離後、内層回路が埋め込ま
れているか否かを光学顕微鏡を用い目視によって判断
し、埋め込まれているものを○とした。 4.層間絶縁層厚み:多層プリント配線板を切断し、そ
の断面を光学顕微鏡で観察し、内層回路と表面銅箔との
層間絶縁層厚さを測定した。
【0023】
【発明の効果】本発明の方法に従うと、熱硬化型絶縁接
着剤付き銅箔を硬質ロール等でラミネートする際に、ラ
ミネート後除去するキャリア層を有するため厚くなって
いる2層構造銅箔が内層回路の段差に追従しにくく、ま
た内層回路に塗工後未硬化状態のアンダーコート剤が溶
融して表面が平滑化し、さらに銅箔にコートされた熱硬
化型絶縁接着剤が厚さを維持しているため、内層銅箔残
存率に依存することなく板厚精度に優れた多層プリント
配線板を作製することができる。更に、ラミネート後加
熱してアンダーコート剤と銅箔にコートされた熱硬化型
接着剤とを一体硬化することができる。
【0024】また、従来のようにプリプレグと熱盤プレ
スを用いず、またアディティブ法のようにメッキを施す
こともなく、ラミネート法により外層銅箔を有した多層
プリント配線板を製造することができるため、絶縁層形
成及び外層導電層形成に要する時間は非常に短縮化さ
れ、工程の単純化や低コスト化に貢献できる。更にガラ
スクロスを用いないため層間絶縁層を極薄にすることが
可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の多層プリント配線板(一例)を作製
する工程を示す概略断面図
【符号の説明】
1 内層回路板 2 内層回路 3 アンダーコート剤 4 熱硬化型絶縁性接着剤 5 2層構造銅箔 6 銅 7 金属層 8 硬質ロール 9 多層プリント配線板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/38 E 7511−4E

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内層回路板にアンダーコート剤を塗工
    し、アンダーコート剤が未硬化の状態で、熱硬化型絶縁
    性接着剤層を有する銅箔をラミネートし、次いで、加熱
    により一体硬化させる多層プリント配線板の製造方法で
    あって、前記銅箔として、外層回路となる厚さ1〜50
    μmの銅の層とラミネート後除去する厚さ10〜200
    μmの金属層を有した全厚11〜250μmの2層構造
    の銅箔を使用することを特徴とする多層プリント配線板
    の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記熱硬化型絶縁性接着剤がエポキシ樹
    脂及びその硬化剤からなり、エポキシ樹脂の一成分が分
    子量10000以上のビスフェノールA型エポキシ樹脂
    又はビスフェノールF型エポキシ樹脂からなる請求項1
    の多層プリント配線板の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記アンダーコート剤が硬化剤を含んで
    いない液状エポキシ樹脂からなる請求項1記載の多層プ
    リント配線板の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0851726A2 (en) 1996-12-26 1998-07-01 Ajinomoto Co., Inc. Inter-laminar adhesive film for multi-layer printed wiring board and multi-layer printed wiring board using the same
JP2008246858A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 銅箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法および半導体装置

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US6881293B2 (en) 1996-12-26 2005-04-19 Ajinomoto Co., Inc. Process for producing a multi-layer printer wiring board
JP2008246858A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 銅箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法および半導体装置

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